JPS58118977A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPS58118977A JPS58118977A JP57001402A JP140282A JPS58118977A JP S58118977 A JPS58118977 A JP S58118977A JP 57001402 A JP57001402 A JP 57001402A JP 140282 A JP140282 A JP 140282A JP S58118977 A JPS58118977 A JP S58118977A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1644—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using an array of optically separate scintillation elements permitting direct location of scintillations
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
この発明は、放射線断層撮影装置の技術分野に属し、放
射線断層撮影装置に装備される放射線検出器に関する。
射線断層撮影装置に装備される放射線検出器に関する。
発明の技術的背景およびその問題点
放射線断層撮影装置たとえばX@CT装置は、被検体の
体軸を中心にして被検体の周囲を回動するX線管と、被
検体が配置された9関を挾んでX線管と対向配置される
と共に、X!li!管より曝射されて被検体を透過する
X線を検出する検出器とを少なくとも具備し、被検体の
体軸を中心としてたとえば0.6@ずつXljM管を回
動しつつXWjを被検体に曝射し、被検体を透過するX
@を検出した検出器から出力される0、6°ごとの多数
のプロジェクションデータを基に画儂再構成処理を行な
い、表示装置iK再構成した断層像を表示することので
きるように構成されている。そして、たとえば医師等は
Xii CT装置により得られた断層像を基K、被検体
たとえば患者の健康状態、刺変部の確認等の医学的判断
を下すのである。したがって、正確な医学的判断を可能
にするために、XQCT懺置に装り得られる断層像には
きわめて高い品質を有することが要求される。断層像の
品質を左右する要因の−として、検出器の性能が挙げら
れる。
体軸を中心にして被検体の周囲を回動するX線管と、被
検体が配置された9関を挾んでX線管と対向配置される
と共に、X!li!管より曝射されて被検体を透過する
X線を検出する検出器とを少なくとも具備し、被検体の
体軸を中心としてたとえば0.6@ずつXljM管を回
動しつつXWjを被検体に曝射し、被検体を透過するX
@を検出した検出器から出力される0、6°ごとの多数
のプロジェクションデータを基に画儂再構成処理を行な
い、表示装置iK再構成した断層像を表示することので
きるように構成されている。そして、たとえば医師等は
Xii CT装置により得られた断層像を基K、被検体
たとえば患者の健康状態、刺変部の確認等の医学的判断
を下すのである。したがって、正確な医学的判断を可能
にするために、XQCT懺置に装り得られる断層像には
きわめて高い品質を有することが要求される。断層像の
品質を左右する要因の−として、検出器の性能が挙げら
れる。
従来、XIMCT装置における検出器は、たとえば次の
ようにして構成されている。すなわち、検出器は、第1
図に示すように、長さ!が20〜25箇、幅Wが約2■
、高さtが約4雪である直方体をなすと共にたとえばタ
リウム添加のヨウ化セシウム(CsI;Tz)、ゲルマ
ニウム酸ビスマスCB + 4 (3es Ott )
、タングステン酸カドミウム(CaWO4)、タングス
テン酸亜鉛(ZnWO,) 、l’ ングステン酸マグ
ネシウム(MrWO,)等の物質で作られたシンチレー
タ素子1と、シンチレータ素子1の下面に光透過性の良
好な接着剤2を介して接着された光電変換素子5たとえ
ばフォトダイオードあるいはフォトトランジスタとから
なる検出ブロックの多数を、第2図に示すように、検出
ブロックの短手方向に支持部材8上に配列すると共に、
検出ブロック間にたとえばタングステンやタンタル轡の
原子番号の大きな物質で形成されたコリメータ板6を、
コリメータ板6の一部を検出ブロック上面より突出させ
るように挿入して構成されている。そして、第2図に示
すようKX図示しないX線管よシ曝射されたX線束がシ
ンチレータ素子1の上面に入射するとシンチレータ素子
1はX1Mmを光に変換し、シンチレータ素子1による
発光はフォトダイオード3で検知、光電変換して、入射
X線量に比例する電流を出力するようになっている。
ようにして構成されている。すなわち、検出器は、第1
図に示すように、長さ!が20〜25箇、幅Wが約2■
、高さtが約4雪である直方体をなすと共にたとえばタ
リウム添加のヨウ化セシウム(CsI;Tz)、ゲルマ
ニウム酸ビスマスCB + 4 (3es Ott )
、タングステン酸カドミウム(CaWO4)、タングス
テン酸亜鉛(ZnWO,) 、l’ ングステン酸マグ
ネシウム(MrWO,)等の物質で作られたシンチレー
タ素子1と、シンチレータ素子1の下面に光透過性の良
好な接着剤2を介して接着された光電変換素子5たとえ
ばフォトダイオードあるいはフォトトランジスタとから
なる検出ブロックの多数を、第2図に示すように、検出
ブロックの短手方向に支持部材8上に配列すると共に、
検出ブロック間にたとえばタングステンやタンタル轡の
原子番号の大きな物質で形成されたコリメータ板6を、
コリメータ板6の一部を検出ブロック上面より突出させ
るように挿入して構成されている。そして、第2図に示
すようKX図示しないX線管よシ曝射されたX線束がシ
ンチレータ素子1の上面に入射するとシンチレータ素子
1はX1Mmを光に変換し、シンチレータ素子1による
発光はフォトダイオード3で検知、光電変換して、入射
X線量に比例する電流を出力するようになっている。
しかしながら、断層像の画質を左右する要因の−が、シ
ンチレータ素子10寸法精度および検出ブロックを配列
する際の組み立て精度にあるところ、シンチレータ素子
1の一つ一つを切シ出して前記寸法の直方体に形成する
のは極めて難しく、たとえ厳密に前記寸法を有する直方
体にシンチレータ素子1を形成したとしても、シンチレ
ータ素子1に光電変換素子2を接着し、次いでコリメー
タ板6を挿入するようにして検出ブロックを精密に配列
していくのは困難であり、検出器における組み立て精縦
の狂いは不可避である。シンチレータ素子1の配列に狂
いが生ずれば応答変動が起抄、断層像の画質に悪影響が
生ずるのである。しかも、前記のような組み立て方法は
煩雑である。さらに、切り出し加工によるシンチレータ
素子10幅Wには限度があるから、シンチレータ素子1
0幅Wをいくらでも小さくできるというわけにはいかず
、自ずと空間分解能が制限されている。
ンチレータ素子10寸法精度および検出ブロックを配列
する際の組み立て精度にあるところ、シンチレータ素子
1の一つ一つを切シ出して前記寸法の直方体に形成する
のは極めて難しく、たとえ厳密に前記寸法を有する直方
体にシンチレータ素子1を形成したとしても、シンチレ
ータ素子1に光電変換素子2を接着し、次いでコリメー
タ板6を挿入するようにして検出ブロックを精密に配列
していくのは困難であり、検出器における組み立て精縦
の狂いは不可避である。シンチレータ素子1の配列に狂
いが生ずれば応答変動が起抄、断層像の画質に悪影響が
生ずるのである。しかも、前記のような組み立て方法は
煩雑である。さらに、切り出し加工によるシンチレータ
素子10幅Wには限度があるから、シンチレータ素子1
0幅Wをいくらでも小さくできるというわけにはいかず
、自ずと空間分解能が制限されている。
さらに、断層像の画質を左右する他の要因として、シン
チレータ素子1に入射する散乱X@がある。従来では、
散乱X線の入射の大部分は、第2図に示すようにシンチ
レータ素子1を挾むと共にシンチレータ素子1のX線入
射面より一部突出するように!V置されたコリメート板
6により除去されているが、X&!入射゛面の垂線に対
してわずかな傾斜角を有して到達する散乱X線は除去さ
れていない。したがって、散乱X線の入射によ〕検出器
のコントラスト分解能は十分なものではなかった。
チレータ素子1に入射する散乱X@がある。従来では、
散乱X線の入射の大部分は、第2図に示すようにシンチ
レータ素子1を挾むと共にシンチレータ素子1のX線入
射面より一部突出するように!V置されたコリメート板
6により除去されているが、X&!入射゛面の垂線に対
してわずかな傾斜角を有して到達する散乱X線は除去さ
れていない。したがって、散乱X線の入射によ〕検出器
のコントラスト分解能は十分なものではなかった。
発明の目的
この発明は、簡単な組み立て作業でありながら組み立て
精度良く製造することができ、しかも空間分解能および
コントラスト分解能の高い放射線検出器を提供すること
を目的とするものである。
精度良く製造することができ、しかも空間分解能および
コントラスト分解能の高い放射線検出器を提供すること
を目的とするものである。
発明の概要
前記目的を達成するためのこの発明の概要は、入射する
放射線を蛍光に変換する複数のシンチレータ素子とシン
チレータ素子より発光する蛍光を光電変換する光電変換
素子とを少なくとも具備する放射線検出器において、複
数のシンチレータ素子の放射線入射面にわたって一体の
放射線低吸収物質層を積層し、シンチレータ素子への散
乱放射線の入射を防止したことを特徴・とするもの、で
ある。
放射線を蛍光に変換する複数のシンチレータ素子とシン
チレータ素子より発光する蛍光を光電変換する光電変換
素子とを少なくとも具備する放射線検出器において、複
数のシンチレータ素子の放射線入射面にわたって一体の
放射線低吸収物質層を積層し、シンチレータ素子への散
乱放射線の入射を防止したことを特徴・とするもの、で
ある。
発明の実施例
第6図はこの発明の一実施例である放射線検出器を示す
概略斜視図であり、第4図式@00は前記放射線検出器
の製造工程の一部を示す説明図である。
概略斜視図であり、第4図式@00は前記放射線検出器
の製造工程の一部を示す説明図である。
第3図に示すように、放射線検出器たとえばX線検出器
10は、王として、支持基板11と光電変換素子12と
シンチレータ素子13と放射線低吸収物質層14とを具
備する。支持基板11#i、前記光電変換素子12′、
シンチレータ素子13等を4I!置するものであシ、X
@断層撮影装置にあっては、被検体を配置する空間を挾
んでX!!管と対向するX線管の回転軌道上に配置され
ている。支持基板11の第5図における上面、換言する
とX線管に向う面には多数の光電変換素子12が支持基
ijI/11の長手方向に固着されている。光電変換素
子12としては公知の物質を使用することができる。光
電変換素子12上には、光透過性の良好な接着剤15を
介してシンチレータ素子13が接着されており、シンチ
レータ素子1!IKよシ発光した蛍光が光′電変換素子
12により光電変換し、シンチレータ素子1S毎に検出
データが出力されるようになってる。また、並列された
各シンチレータ素子15の上面には、光反射剤たとえば
Ti01Ba804等を混入した接着剤17を介してX
@低吸収物實たとえは炭素板、又はアルミニウム板14
が積層されている。この炭素板14は、たとえば8個の
シンチレータ素子13の上面にわたる一体板となってい
る。この炭素板14により、散乱X線が吸収され、シン
チレータ素子15に散乱XIjMが入射しないようにな
っている。光@’k 換素子12上にシンチレータ素子
16を積層したもの同志の間に形成された溝1乙には、
前記光反射剤を塗布した後、タングステン板等の公知の
コリメータ板が介装されている。溝16中の光反射剤に
より、シンチレータ素子16で発光した蛍光が、隣接す
る他のシンチレータ素子13や光電変換素子12に漏洩
しないようになっている。また、介装するコリメータ板
により二次的に発生するX&!の、隣接するシンチレー
タ素子13−3の漏洩が防止される。
10は、王として、支持基板11と光電変換素子12と
シンチレータ素子13と放射線低吸収物質層14とを具
備する。支持基板11#i、前記光電変換素子12′、
シンチレータ素子13等を4I!置するものであシ、X
@断層撮影装置にあっては、被検体を配置する空間を挾
んでX!!管と対向するX線管の回転軌道上に配置され
ている。支持基板11の第5図における上面、換言する
とX線管に向う面には多数の光電変換素子12が支持基
ijI/11の長手方向に固着されている。光電変換素
子12としては公知の物質を使用することができる。光
電変換素子12上には、光透過性の良好な接着剤15を
介してシンチレータ素子13が接着されており、シンチ
レータ素子1!IKよシ発光した蛍光が光′電変換素子
12により光電変換し、シンチレータ素子1S毎に検出
データが出力されるようになってる。また、並列された
各シンチレータ素子15の上面には、光反射剤たとえば
Ti01Ba804等を混入した接着剤17を介してX
@低吸収物實たとえは炭素板、又はアルミニウム板14
が積層されている。この炭素板14は、たとえば8個の
シンチレータ素子13の上面にわたる一体板となってい
る。この炭素板14により、散乱X線が吸収され、シン
チレータ素子15に散乱XIjMが入射しないようにな
っている。光@’k 換素子12上にシンチレータ素子
16を積層したもの同志の間に形成された溝1乙には、
前記光反射剤を塗布した後、タングステン板等の公知の
コリメータ板が介装されている。溝16中の光反射剤に
より、シンチレータ素子16で発光した蛍光が、隣接す
る他のシンチレータ素子13や光電変換素子12に漏洩
しないようになっている。また、介装するコリメータ板
により二次的に発生するX&!の、隣接するシンチレー
タ素子13−3の漏洩が防止される。
なお、一体勝である炭素板14の下面両端部に位置する
シンチレータ素子15、光電変換素子12等の側面にも
光反射剤が塗布され、着た、コリメータ板が介装されて
いる。
シンチレータ素子15、光電変換素子12等の側面にも
光反射剤が塗布され、着た、コリメータ板が介装されて
いる。
次に前記放射線検出器10の一製造法ンζついて説明す
る。
る。
第4図^に示すような略直方体のシンチレータ素子体1
3Aと、第4図0に示すようなXi低紋収物實で形成し
た板状体たとえば炭素8!14とを用意し、シンチレー
タ素子体13Aの下面と炭素金14の上面とを光反射剤
を混入した接着剤17で貼着することにより@4図0に
示すような積層体であるシンチレータブロック18を形
成する。次いで、シンチレータブロック18における炭
素板14とは反対側の面(第4図OKおける上面)から
炭素板14を若干切り込むまでの溝16をシンチレータ
ブロック18の端面に平行にたとえばダイヤモンドカッ
タあるいはワイヤソーで穿設していく。溝16と溝16
との間隔は、放射線検出器10の空間分解能を高めるた
めにできるだけ狭くするのが好ましい。溝16の穿設に
よってシンチレータ素子体13Aからシンチレータ素子
13が分離、形成されると同時に、各シンチレータ素子
13は炭素板14で一体に連結されたtま第4図0に示
す配列状態となる。この後、溝16内に光反射剤を塗布
すると共にコリメータ板を介装し、第4図0にボす各シ
ンチレータ13の上面に図示しない光電変換素子12を
貼着して得られるブロックを、炭素後14がX1y入射
面となるように1支持基板11−Fに配列し、第5図に
示す放射線検出器10を得る。
3Aと、第4図0に示すようなXi低紋収物實で形成し
た板状体たとえば炭素8!14とを用意し、シンチレー
タ素子体13Aの下面と炭素金14の上面とを光反射剤
を混入した接着剤17で貼着することにより@4図0に
示すような積層体であるシンチレータブロック18を形
成する。次いで、シンチレータブロック18における炭
素板14とは反対側の面(第4図OKおける上面)から
炭素板14を若干切り込むまでの溝16をシンチレータ
ブロック18の端面に平行にたとえばダイヤモンドカッ
タあるいはワイヤソーで穿設していく。溝16と溝16
との間隔は、放射線検出器10の空間分解能を高めるた
めにできるだけ狭くするのが好ましい。溝16の穿設に
よってシンチレータ素子体13Aからシンチレータ素子
13が分離、形成されると同時に、各シンチレータ素子
13は炭素板14で一体に連結されたtま第4図0に示
す配列状態となる。この後、溝16内に光反射剤を塗布
すると共にコリメータ板を介装し、第4図0にボす各シ
ンチレータ13の上面に図示しない光電変換素子12を
貼着して得られるブロックを、炭素後14がX1y入射
面となるように1支持基板11−Fに配列し、第5図に
示す放射線検出器10を得る。
以上詳述したように放射線検出器1oを構成すると、低
吸収物質層14により散乱X線を吸収し、被検体を透過
して情報を有するX!1を適切に検知することができる
ので、コントラスト分解能の向上を図ることができる。
吸収物質層14により散乱X線を吸収し、被検体を透過
して情報を有するX!1を適切に検知することができる
ので、コントラスト分解能の向上を図ることができる。
また、前記製造法により得た放射線検出器10は、溝1
6と!16との間隔を狭くすることによシンチレータ素
子15の実装密度を高めることができるので、空間分解
能の向上を図ることができる。さらに、前記放射線検出
器における各シンチレータ素子130寸法相度は、シン
チレータブロック18に#l116を形成する際の溝加
工精度に支配されるだけである。しかも、溝加工によっ
て各シンチレータ素子13が炭素板14に連結されたま
ま配列状態で形成されるので、各シンチレータ素子一つ
一つを並べて組み立てるという従来の燻雑な作業を省略
することができると共に、組み立て精度の低下を防止す
ることができる。
6と!16との間隔を狭くすることによシンチレータ素
子15の実装密度を高めることができるので、空間分解
能の向上を図ることができる。さらに、前記放射線検出
器における各シンチレータ素子130寸法相度は、シン
チレータブロック18に#l116を形成する際の溝加
工精度に支配されるだけである。しかも、溝加工によっ
て各シンチレータ素子13が炭素板14に連結されたま
ま配列状態で形成されるので、各シンチレータ素子一つ
一つを並べて組み立てるという従来の燻雑な作業を省略
することができると共に、組み立て精度の低下を防止す
ることができる。
以上この発明の一実施例について詳述したが、この発明
は前記実施例に限定されるものではなく、各部材につき
同一機能を有する他の部材で置き換えることができるこ
とはいうまでもない。
は前記実施例に限定されるものではなく、各部材につき
同一機能を有する他の部材で置き換えることができるこ
とはいうまでもない。
この発明に係る放射線検出器10は、前記製造法による
ほか、次のようにして製造することができる。すなわち
、第4図0に示す形状のシンチレーションブロック18
における炭素板14とは反対側の面(第4図0における
上面)に、その面と同じ面積を有する光電変換素子体を
貼着し、次いで、貼着する光電変換素子の上面から炭素
板14を若干切り込むまでの深さを有する溝を、シンチ
レータブロック18の端面に平行に多数形成した後、こ
の形成する溝内に光反射剤およびコリメータ板を介装し
、第3図のように支持基板11上に配列してもよい。こ
の製造法によるとさらに製造工程の簡単化、組み立て精
度の向上を図ることができる。
ほか、次のようにして製造することができる。すなわち
、第4図0に示す形状のシンチレーションブロック18
における炭素板14とは反対側の面(第4図0における
上面)に、その面と同じ面積を有する光電変換素子体を
貼着し、次いで、貼着する光電変換素子の上面から炭素
板14を若干切り込むまでの深さを有する溝を、シンチ
レータブロック18の端面に平行に多数形成した後、こ
の形成する溝内に光反射剤およびコリメータ板を介装し
、第3図のように支持基板11上に配列してもよい。こ
の製造法によるとさらに製造工程の簡単化、組み立て精
度の向上を図ることができる。
発明の効果
りE祥述したこの発明によると次のような効果を賀する
ことができる。すなわち、放射線検出器のコントラスト
分解゛能および空間分解能を従来におけるものよりも向
上させることができる。したがって、この発明に係る放
射線検出器を装備する放射線断層撮影装置による断層像
は、その画質が著しく向上する。また、この発明に係る
放射線検出器は簡単かつ安価に製造することができる。
ことができる。すなわち、放射線検出器のコントラスト
分解゛能および空間分解能を従来におけるものよりも向
上させることができる。したがって、この発明に係る放
射線検出器を装備する放射線断層撮影装置による断層像
は、その画質が著しく向上する。また、この発明に係る
放射線検出器は簡単かつ安価に製造することができる。
第1図は従来の単位検出ブロックを示す斜視図、第2図
は従来の検出器を示す概略斜視図、第3図はこの発明の
一実施例である放射線検出器を示す概略斜視図および第
4図式(へ)00は前記放射線検出器の製造工程の一部
を示す説明図である。 10・・・Xf!検出器、11・・・支持基板、12・
−・光電変換素子、13・・−シンチレータ素子、14
−・・放射線低吸収物質層。 第2図
は従来の検出器を示す概略斜視図、第3図はこの発明の
一実施例である放射線検出器を示す概略斜視図および第
4図式(へ)00は前記放射線検出器の製造工程の一部
を示す説明図である。 10・・・Xf!検出器、11・・・支持基板、12・
−・光電変換素子、13・・−シンチレータ素子、14
−・・放射線低吸収物質層。 第2図
Claims (2)
- (1)入射する放射線を蛍光に変換する複数のシンチレ
ータ素子とシンチレータ素子より発光する蛍光を光電変
換する光電変換素子とを少なくとも具備する放射線検出
器において、複数のシンチレータ素子の放射線入射面に
わたって一体の放射線低吸収物質層を積層し、シンチレ
ータ素子への散乱放射線の入射を防止したことを特徴と
する放射線検出器。 - (2)前記複数のシンチレータ素子が、放射線低吸収物
質層とシンチレータ素子体との積層物中のシンチレータ
素子体の切断により形成されてなることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の放射線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57001402A JPS58118977A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57001402A JPS58118977A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 放射線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58118977A true JPS58118977A (ja) | 1983-07-15 |
Family
ID=11500494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57001402A Pending JPS58118977A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58118977A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6253639A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-09 | ピカ− インタ−ナシヨナル インコ−ポレイテツド | 放射線画像化方法ならびに装置 |
EP0872896A1 (en) * | 1997-04-10 | 1998-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
JP2005283483A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Toshiba Corp | X線検出器 |
JP2015125122A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレートおよび放射線検出器 |
JP2015200528A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置およびその製造方法、並びに放射線撮像システム |
JP2018009803A (ja) * | 2016-07-11 | 2018-01-18 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネル |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP57001402A patent/JPS58118977A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6253639A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-09 | ピカ− インタ−ナシヨナル インコ−ポレイテツド | 放射線画像化方法ならびに装置 |
EP0872896A1 (en) * | 1997-04-10 | 1998-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
US6384393B2 (en) | 1997-04-10 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having photoelectric conversion elements |
KR100467003B1 (ko) * | 1997-04-10 | 2005-04-14 | 캐논 가부시끼가이샤 | 광전변환장치 |
US7164112B2 (en) | 1997-04-10 | 2007-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device for reducing radiation noise on large screen sensors |
US7663082B2 (en) | 1997-04-10 | 2010-02-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device for reducing radiation noise on large screen sensors |
EP1432043A3 (en) * | 1997-04-10 | 2012-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus |
JP2005283483A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Toshiba Corp | X線検出器 |
JP2015125122A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレートおよび放射線検出器 |
JP2015200528A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置およびその製造方法、並びに放射線撮像システム |
JP2018009803A (ja) * | 2016-07-11 | 2018-01-18 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネル |
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