JPH09257942A - 多素子x線検出器 - Google Patents

多素子x線検出器

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JPH09257942A
JPH09257942A JP8061216A JP6121696A JPH09257942A JP H09257942 A JPH09257942 A JP H09257942A JP 8061216 A JP8061216 A JP 8061216A JP 6121696 A JP6121696 A JP 6121696A JP H09257942 A JPH09257942 A JP H09257942A
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JP
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light
detection element
scintillator
scintillator layer
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JP8061216A
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English (en)
Inventor
Manabu Nakagawa
学 中河
Tomotsune Yoshioka
智恒 吉岡
Jun Hasegawa
潤 長谷川
Mitsuru Tamura
充 田村
Minoru Yoshida
稔 吉田
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Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Original Assignee
Hitachi Medical Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の光電変換素子が配列形成された半導体
層701と、この半導体層の光電変換素子上面に各々積
層されたシンチレータ層703と、このシンチレータ層
相互間に介在する光遮蔽板706と、前記各シンチレー
タ層の上面を被う光反射手段とを備えてなる多素子X線
検出器において、各検出素子710上面からの光漏洩を
防止するための前記光反射手段と検出素子との密着度の
ばらつきに起因する検出素子(チャンネル)相互間での
感度のばらつきをなくし、出力特性を向上する。 【解決手段】 前記光反射手段として、シンチレータ層
703上面を各別に、かつ直接に被着形成する光反射層
707を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精度な画像計測
を行うX線CT装置用に好適な多素子X線検出器に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、X線CT装置に用いられる多
素子X線検出器の1つに、次のものがある。すなわち、
数個配列形成された光電変換素子の上面にシンチレータ
層を積層し、このシンチレータ層の、前記光電変換素子
の各々の境界に相当する箇所に光電変換素子に至るまで
の溝を穿設してシンチレータ層を各光電変換素子対応に
分離し、隣接するシンチレータ層にて発光する可視光の
相互干渉(クロストーク)を遮断するための光遮蔽板
(隔離板)を上記溝(シンチレータ層相互間)に挿入す
ることで隣接素子の分離を図って個々に独立した検出素
子であるチャンネルを形成し、全体として1個の検出素
子アレイ(ブロック)を構成する。そしてこの検出素子
アレイを仮想円弧に沿ってポリゴン状に多数個、例えば
数十個並設し、また、各検出素子のシンチレータ層上面
からの光漏洩を防止するための光反射手段として、光反
射率の高いアルミニウム等を鏡面処理してなる1枚の金
属製光反射板を上記ポリゴン状に並設された検出素子ア
レイ群の上部から各検出素子のシンチレータ層上面に密
着するように配置固定した後、全体を容器内に収納し、
多素子X線検出器を構成するものである。
【0003】図6は上述従来のX線検出器の全体構成図
で、この図6中、1は容器、2はポリゴン状に並設され
た検出素子アレイ、3は各検出素子のシンチレータ層上
面からの光漏洩を防止するため各検出素子のシンチレー
タ層の上面を被う1枚の金属製光反射板である。
【0004】図7は図6中の1つの検出素子アレイを取
り出し、拡大して示す断面図で、この図7中、201は
複数の光電変換素子、ここでは6個のフォトダイオード
が配列形成された半導体層、202はこの半導体層20
1を載置固定する基板、203は半導体層201上面
(より詳しくは半導体層201に形成されたフォトダイ
オード上面、以下同じ。)に各々積層されたシンチレー
タ層、204は半導体層201上面にシンチレータ層2
03を固着するための接着剤層、205はシンチレータ
層203を各フォトダイオード対応に機械的に分離する
溝、206は隣接するシンチレータ層203,203に
て各々発光する可視光の相互干渉(クロストーク)を遮
断するため前記溝205(シンチレータ層203相互
間)に挿入された金属製の光遮蔽板で、各シンチレータ
層203−フォトダイオード(半導体層201)対を独
立の検出素子(チャンネル)210として光学的に分離
するものである。なお、半導体層201及び基板202
相互間には、図示しないが半導体層201を基板202
上に固着するための接着剤層が介在する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術では、次のような問題点があった。すなわち図6に
示すように、上記各検出素子210上面(より詳しくは
シンチレータ層203上面、以下同じ。)からの光漏洩
を防止するための光反射手段として1枚の光反射板3を
用い、これを数十個ポリゴン状に並設された検出素子ア
レイ2群上部から各検出素子210上面に密着するよう
に固定する従来の多素子X線検出器にあっては、複数の
検出素子アレイ2…のポリゴン状配列に対して光反射板
3は円弧状に固定されることになり、検出素子アレイ2
上面と光反射板3との間に検出素子アレイ2毎に異なっ
た寸法の隙間が生じる。また、同一の検出素子アレイ2
相互にあっても、検出素子210毎に異なった寸法の隙
間が生じ、これに起因する光反射率のばらつき、換言す
れば感度のばらつきが検出素子アレイ2相互間、検出素
子210相互間で発生してX線検出器の出力特性を低下
させるという問題点があった。
【0006】更に、チャンネル分離(あるいは検出素子
アレイ分離)のために挿入されている光遮蔽手段として
の金属製の光遮蔽板206が溝205に挿入された際の
光遮蔽板206の検出素子210上面(シンチレータ層
203上面)からの上方への突出量が光遮蔽板206の
加工精度によってばらつく。このため、光反射板3を検
出素子アレイ2上面に押さえ付ける際にその検出素子ア
レイ2上面と光反射板3との間に検出素子210毎に異
なった寸法の隙間が生じ、これによっても感度のばらつ
きが生じ、X線検出器の出力特性を低下させるという問
題点があった。
【0007】本発明の目的は、各検出素子上面からの光
漏洩を防止するための光反射手段と検出素子との密着度
のばらつきに起因する検出素子アレイ(ブロック)相互
間、あるいは検出素子(チャンネル)相互間での感度の
ばらつきをなくすことができ、出力特性を向上すること
のできる多素子X線検出器を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的は、複数の光電
変換素子が配列形成された半導体層と、この半導体層の
光電変換素子上面に各々積層されたシンチレータ層と、
このシンチレータ層相互間に介在する光遮蔽板と、前記
各シンチレータ層の上面を被う光反射手段とを備えてな
る多素子X線検出器において、前記光反射手段として、
前記シンチレータ層上面を各別に、かつ直接に被着形成
する光反射層を用いることにより達成される。個々の検
出素子上面(シンチレータ層上面)に光反射層を直接被
着形成するのでそれら相互は例外なく完全密着している
ことになり、個々の検出素子上面での光反射率のばらつ
き、換言すれば感度のばらつきが発生することはなく、
出力特性は向上する。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図1は、本発明による多素子X線検
出器の要部である1個の検出素子アレイ(ブロック)の
一例を示す斜視図、図2は図1中のII−II線断面矢
視図である。
【0010】これら図1,図2において、701は複数
の光電変換素子、ここでは6個のフォトダイオードが配
列形成された半導体層、702はこの半導体層701を
載置固定する基板、703は半導体層701上面(半導
体層701に形成されたフォトダイオード上面)に各々
積層されたシンチレータ層である。このシンチレータ層
703は蛍光材料であるBGO,CdWO4等からな
る。704は半導体層701上面にシンチレータ層70
3を固着する透光性接着剤層である。705は等間隔,
平行に位置し上記フォトダイオードに至るまでの深さに
穿設された溝で、シンチレータ層703を各フォトダイ
オード対応に機械的に分離するものである。
【0011】706は隣接するシンチレータ層703,
703にて各々発光する可視光の相互干渉(クロストー
ク)を遮断するため前記溝705(シンチレータ層70
3相互間)に挿入された金属製の光遮蔽板(隔離板)
で、各シンチレータ層703−フォトダイオード(半導
体層701)対を独立の検出素子(チャンネル)710
として光学的に分離するものである。この光遮蔽板70
6は、ここではモリブデンやタングステン等、X線遮蔽
効果の高い金属板にアルミニウムを蒸着して光反射率を
高めたものが用いられる。光遮蔽板706の上下方向寸
法及び上下方向配置位置は、この光遮蔽板706によっ
て、各シンチレータ層703−フォトダイオード(半導
体層701)対を独立の検出素子710として光学的に
分離できるように設定してあればよく、通常は図2に示
すように、下端が半導体層701まで、上端がシンチレ
ータ層703上面を若干越える高さとなるように設定さ
れる。
【0012】707は各検出素子710のシンチレータ
層703上面からの光漏洩を防止するための光反射手段
としての光反射層で、各シンチレータ層703上面に各
々直接被着形成されている。この光反射層707は、例
えばエポキシ樹脂に色素を添加したものをシンチレータ
層703上面に塗布することにより被着される。上記色
素としては、黒色よりも白色のものが効果的である。光
反射率の高い白色のものの方がシンチレータ層703内
部での発光を効率よく利用できからである。ここでは、
二酸化チタンや酸化バリウム等の白色剤をエポキシ樹脂
に混合してなる光反射材料を各シンチレータ層703上
面に均一に塗布し、硬化させて光反射層707を各検出
素子710(チャンネル)毎に被着形成させてある。光
反射材料としては高温多湿環境やX線照射環境で変色や
軟化等、化学変化しないものが好ましい。なお、半導体
層701及び基板702相互間には、図示しないが半導
体層701を基板702上に固着するための接着剤層が
介在する。
【0013】以上のように構成された検出素子アレイが
仮想円弧に沿ってポリゴン状に多数個、例えば数十個並
設され、全体が容器内に収納され、本発明多素子X線検
出器が構成されるものである。
【0014】図3はこのような本発明多素子X線検出器
が適用されたX線CT装置の要部の一例を示す概略構成
図で、この図3において、10は本発明多素子X線検出
器、11は容器、12は容器11内にポリゴン状に並
設,収納された検出素子アレイ、31はX線源、32は
X線である。なお、33は被検体である。この図3にお
いて、X線源31からのX線32は、所定の広がり角度
で出射され被検体33を透過した後にX線検出器10に
入射される。このX線検出器10は、所定の広がり角度
のX線32を各検出素子アレイ12がX線源31から等
距離位置にてそれぞれ検出させるために円弧状に形成さ
れており、その円弧に沿って前記検出素子アレイ12が
配列されている。なお本発明X線検出器10は、図1,
図2を図6と比較対照して分かるように、図6中の金属
製光反射板3がなく、これに代って各検出素子(チャン
ネル)710毎に被着形成された光反射層707があ
る。
【0015】次に、上述検出素子アレイ12がポリゴン
状に並設されてなる本発明X線検出器の各検出素子アレ
イ12におけるX線検出動作につき、図2を参照して以
下に述べる。X線32(図3参照)は、光反射層707
を透過してシンチレータ層703に入射する。このシン
チレータ層703に入射したX線はシンチレータ層70
3内部で可視光に変換され、その光は外部、すなわち隣
接するシンチレータ層703側及び自身のX線入射面側
に漏洩することなく、全てその直下に配置されている半
導体層701表面に形成されたフォトダイオード側に入
射することになる。これは、隣接するシンチレータ層7
03側には光遮蔽板706が、自身のX線入射面側には
光反射層707が、各々設けられていることによる。半
導体層701上面のフォトダイオードに入射した光は、
そのフォトダイオードによって電気信号に変換、すなわ
ちX線検出される。
【0016】このような作用は、図2に示す全ての検出
素子710において同様であり、また全ての検出素子ア
レイ12(図3参照)において同様である。したがっ
て、検出素子710相互間、あるいは検出素子アレイ1
2相互間でのX線検出のばらつき、換言すれば感度のば
らつきがなくなり、図3における全ての検出素子アレイ
12中の全ての検出素子710、すなわち本発明X線検
出器を構成する全検出素子710の出力特性が均一に揃
えられる。
【0017】図4は1個の検出素子アレイ12の製造方
法の一例を示す工程図で、以下、これについて説明す
る。なお、図4において図1〜図3と同一符号は同一又
は相当部分を示す。まず第1工程では、図4(a),
(b)に示すように、基板702上の半導体層701上
面(半導体層701に形成されたフォトダイオード上
面)に1枚の板状のシンチレータ層703を接着剤によ
り接着する。この時用いる接着剤としては、光を十分透
過しシンチレータ703での発光を前記フォトダイオー
ドで効率よく検出できるよう光透過率の高い透明のもの
が好ましい。図1,図2中の透光性接着剤層704はこ
の接着剤による層である。
【0018】第2工程では、図4(c)に示すように、
図4(b)中の板状のシンチレータ層703の上面に光
反射材料を均一に塗布して光反射層707を形成する。
この場合、シンチレータ層703上面は有機溶剤で洗浄
し、汚れ等がシンチレータ層703及び光反射層707
の境界面に封じ込められないように留意する。塗布方法
としては、スクリーン印刷法、スピナー法、滴下法ある
いはドクターブレードを用いた方法等、各種の方法が用
いられる。光反射層707の層厚さとしては、外部(図
中上方)への光漏洩を起こさず、また次工程における溝
切り加工時にその光反射層707が剥離等の不良を起こ
さない強度を確保できる程度の寸法が選択されるもの
で、100〜300μm程度が好ましい。
【0019】第3工程では、図4(d)に示すように、
検出素子710の機械的分離を行うための溝加工を行
う。すなわち、半導体層701に形成されたフォトダイ
オードの各々の境界に相当する箇所に合わせて等間隔,
平行に位置し、光反射層707からシンチレータ層70
3を経てフォトダイオード(半導体層701)に至るま
での深さで垂直に溝705を穿設する。これにより、シ
ンチレータ層703は各フォトダイオード対応に機械的
に分離される。
【0020】第4工程では、図4(e)に示すように、
穿設された各溝705に金属製の光遮蔽板706を挿入
する。これにより、各シンチレータ層703−フォトダ
イオード(半導体層701)対は独立の検出素子710
として光学的に分離される。
【0021】上記光遮蔽板706は、ここでは溝705
の延出長さよりも幾分長めのものを使用し、溝705の
両端から各々等寸法はみ出すように挿入する。挿入時に
は、この光遮蔽板706に傷や汚れ等を付け光反射率を
低下させないことが肝要である。
【0022】最終の第5工程では、図4(f)に示すよ
うに、溝705に挿入した光遮蔽板706の固定を行
う。これは、溝705の両端から外方にはみ出している
光遮蔽板706両端部分をエポキシ樹脂等の接着剤70
8を用いて接着固定することにより行われる。この際、
接着剤708の一部が毛細管現象により光遮蔽板706
を伝って溝705内部に流れ込まないように留意する。
接着剤708が溝705内部に流れ込むとシンチレータ
層703の側壁の光遮蔽板706の反射率が低下し、検
出素子710間の特性のばらつきを来すことを防ぐため
である。以上のようにして1個の検出素子アレイ12が
作成される。
【0023】なお上述実施形態では、光反射層707
を、エポキシ樹脂に色素を添加したものを均一に塗布し
硬化して形成したがこれのみに限定されるものではな
い。例えば、フィルム状の光反射材をシンチレータ層7
03上面に接着剤等を用いて貼り付けて光反射層707
を形成してもよい。その一例としては、白色のポリエス
テルフィルムを透明な接着剤でシンチレータ層707上
面に被着し、光反射層707を形成することが挙げられ
る。この場合のフィルム素材の選定についても、高温多
湿環境やX線照射環境で変色や軟化等、化学変化しない
ものが望まれる。このようなフィルム状光反射材で光反
射層707を形成する場合における検出素子アレイ12
の製造方法としては、図4(c)で示す第2工程におい
てシンチレータ層703の上面への光反射材料の塗布に
代えて、上記フィルム状光反射材のシンチレータ層70
3の上面への貼着を行うだけで済み、他の工程は上述製
造方法と変りはない。
【0024】また、図1,図2の構成において、各光遮
蔽板706と各シンチレータ層703−フォトダイオー
ド(半導体層701)対との隙間に樹脂を充填してもよ
い。図5はその一例を示す断面図で、図中、709が上
記樹脂である。ここでは、樹脂709は上記隙間への充
填のみならず、光遮蔽板706及びシンチレータ層70
3の上面全面、すなわち検出素子アレイ12の上面全面
をも一様に被い形成している。ここで樹脂709は、上
記隙間内に充填可能で、溝705内において光遮蔽板7
06を定位置に位置決め固定できればよく、透明又は白
色いずれでもよい。透明樹脂としては例えばエポキシ樹
脂が、また白色樹脂としてはエポキシ樹脂に酸化チタン
を混合したもの等が用いられる。この樹脂709は、図
4(e)に示す第4工程(溝705への光遮蔽板706
挿入工程)後に行えばよい。
【0025】このように各光遮蔽板706と各シンチレ
ータ層703−フォトダイオード(半導体層701)対
との隙間に樹脂709を充填すれば、光遮蔽板706を
溝705内において定位置に位置決め固定でき、光遮蔽
板706とシンチレータ層703との距離の、検出素子
アレイ製造時のばらつき及びその後の経時的な変動によ
るばらつきの発生を防止することが可能で、それらのば
らつきに起因する感度特性のばらつき、変動を防止する
ことができる。
【0026】このような作用,効果は、樹脂709の上
端レベルがシンチレータ層703の上端レベル(シンチ
レータ層703及び光反射層707の境界面レベル)以
上になるように当該樹脂709を充填すれば得られる
が、ここでは図示するように光遮蔽板706及びシンチ
レータ層703の上面全面をも一様に樹脂709で被っ
ている。このようにしたほうが製造上、容易であり、ま
た検出素子アレイ12の上面側の保護にも役立つからで
ある。この場合には、樹脂709としてX線透過性の高
いものが要望される。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、個
々の検出素子上面(シンチレータ層上面)に光反射層を
直接被着形成したので、各検出素子上面からの光漏洩を
防止するための光反射手段と検出素子との密着度のばら
つきに起因する検出素子アレイ(ブロック)相互間、あ
るいは検出素子(チャンネル)相互間での感度のばらつ
きをなくすことができ、出力特性を向上することができ
るという効果がある。
【0028】また、各光遮蔽板(隔離板)と各シンチレ
ータ層との間に樹脂を充填したことによれば、光遮蔽板
を溝内において定位置に位置決め固定でき、光遮蔽板と
シンチレータ層との距離のばらつき発生を防ぐことが可
能で、各検出素子の感度特性のばらつき、変動を防げ、
出力特性を更に向上することができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明X線検出器の要部の一例を示す斜視図で
ある。
【図2】図1中のII−II線断面矢視図である。
【図3】本発明X線検出器が適用されたX線CT装置の
要部の一例を示す概略構成図である。
【図4】本発明X線検出器における1個の検出素子アレ
イの製造方法の一例を示す工程図ある。
【図5】本発明X線検出器の他の実施態様を示す断面図
である。
【図6】従来X線検出器の全体構成図である。
【図7】図6中の1つの検出素子アレイを取り出し、拡
大して示す断面図である。
【符号の説明】
1,11…容器、2,12…検出素子アレイ(ブロッ
ク)、3…光反射板、31…X線源、32…X線、33
…被検体、201,701…半導体層、202,702
…基板、203,703…シンチレータ層、204,7
04…接着剤層、205,705…溝、206,706
…光遮蔽板(隔離板)、210,710…検出素子(チ
ャンネル)、707…光反射層、708…接着剤、70
9…樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 充 東京都千代田区内神田一丁目1番14号 株 式会社日立メディコ内 (72)発明者 吉田 稔 東京都千代田区内神田一丁目1番14号 株 式会社日立メディコ内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の光電変換素子が配列形成された半
    導体層と、この半導体層の光電変換素子上面に各々積層
    されたシンチレータ層と、このシンチレータ層相互間に
    介在する光遮蔽板と、前記各シンチレータ層の上面を被
    う光反射手段とを備えてなる多素子X線検出器におい
    て、前記光反射手段は前記シンチレータ層上面を各別
    に、かつ直接に被着形成する光反射層であることを特徴
    とする多素子X線検出器。
  2. 【請求項2】 各光遮蔽板と各シンチレータ層との間に
    樹脂が充填されてなる請求項1に記載の多素子X線検出
    器。
  3. 【請求項3】 樹脂は光遮蔽板及びシンチレータ層の上
    面全面をも一様に被ってなる請求項2に記載の多素子X
    線検出器。
JP8061216A 1996-03-18 1996-03-18 多素子x線検出器 Pending JPH09257942A (ja)

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