JP2002022838A - マルチスライス型x線検出器とその製造方法及びこれを用いたx線ct装置 - Google Patents

マルチスライス型x線検出器とその製造方法及びこれを用いたx線ct装置

Info

Publication number
JP2002022838A
JP2002022838A JP2000203696A JP2000203696A JP2002022838A JP 2002022838 A JP2002022838 A JP 2002022838A JP 2000203696 A JP2000203696 A JP 2000203696A JP 2000203696 A JP2000203696 A JP 2000203696A JP 2002022838 A JP2002022838 A JP 2002022838A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
scintillator
slice
light
light reflecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000203696A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuru Tamura
充 田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Original Assignee
Hitachi Medical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Medical Corp filed Critical Hitachi Medical Corp
Priority to JP2000203696A priority Critical patent/JP2002022838A/ja
Publication of JP2002022838A publication Critical patent/JP2002022838A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 チャンネル方向に加えてスライス方向にも複
数列の検出素子を配列しても十分な受光領域を確保し、
かつX線検出素子の検出特性の高精度化及び均一化を図
る。 【解決手段】 光反射剤9を用いてベースプレート10
の上にシンチレータ板4を貼りつけ、このシンチレータ
板4の上面から前記光反射剤9の層に至るまでのスライ
ス分離溝7を形成し、このスライス分離溝7に光反射剤
9を充填して前記シンチレータの上面から光反射層に至
るまでのチャンネル分離溝8を形成し、このチャンネル
分離溝8に光反射剤を充填して前記シンチレータの上面
を研磨し、この研磨したシンチレータ上面に基板1に搭
載された光検出素子アレイ2を接着し、前記ベースプレ
ート10から前記光検出素子アレイ2を剥離してX線検
出素子アレイ12を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はX線検出器及びこれ
を用いたX線CT装置に係り、特に一度に複数スライス
の画像データを計測するに好適なマルチスライスX線検
出器及びこの検出器を用いて一度に複数スライスの断層
画像が得られるX線CT装置に関する。
【0002】
【従来の技術】X線CT装置では、装置のスループット
向上のため、1枚のCT画像を得るのに要する時間の短
縮化が望まれている。この時間の短縮の方法として以下
の2つがあげられる。 (1)スキャナ1回転あたりに要する時間の短縮化 (2)スキャナ1回転あたりに撮影できる断層画像の増
加 (1)に関しては、X線発生装置であるX線管の軽量化
等により、スキャナの回転速度の向上が図られている。
他方、(2)に関しては、X線検出器において、これま
でチャンネル方向に1次元的に配列されていたX線検出
素子の列をスライス方向(チャンネル方向に直交する方
向)に2列もしくはそれ以上の複数列配置することによ
り達成される。
【0003】このようなX線検出器はマルチスライス型
X線検出器と呼ばれ、これを用いたX線CT装置はマル
チスライス型X線CT装置と呼ばれる。図6は前記マル
チスライス型X線CT装置のマルチスライス計測の原理
を説明する概念図で、最大4スライスまで同時に計測で
きる例である。図6において、X線管101から放射され
たファン状のX線ビーム102を受けるX線検出器103は、
複数のX線検出素子列104によって構成されている。図
示の場合、X線検出器103は被検体105のスライス方向に
配列された4個のX線検出素子列104-1〜104-4から成
る。X線ビーム102は被検体105を透過した後にX線検出
器103で検出されるが、各X線検出素子列104-1〜104-4
ではそれぞれ被検体105の対応するスライス断層面(106
-1〜106-4)におけるX線減衰量を計測することにな
る。
【0004】このような原理のマルチスライス計測にお
いて、X線検出器103は、入射X線を光に変換するシン
チレータと、このシンチレータで変換された光を検出し
て電気信号として出力するシリコンフォトダイオードな
どの光検出素子とから成るX線検出素子を多数組み合わ
せてアレイ状にしてX線検出素子アレイを構成し、この
X線検出素子アレイをX線源を中心としてチャンネル方
向及び該チャンネル方法と直交するスライス方向に略円
弧状に多数配列して構成する。このようなシンチレータ
を用いた固体検出器は、従来のキセノンガスによる電離
箱方式のものに比べてX線検出数を多くできるので空間
分解能が格段に向上するという利点があり、さらに、こ
の固体検出器を用いて上記のように複数のスライス列に
配置したマルチスライスX線検出器103は、従来の一列
に配列した検出器(このX線検出器はシングルスライス
型X線検出器と呼ばれ、これを用いたX線CT装置はシ
ングルスライス型X線CT装置と呼ばれる)に比較する
とX線管101から放射されるX線ビーム102の利用効率が
高いという利点もある。
【0005】このように、マルチスライス型X線CT装
置においては多くの利点があるが、チャンネル方向に加
えてスライス方向にも複数列の検出素子を配列しなけれ
ばならないので、チャンネル方向及びスライス方向の個
々のX線検出素子の検出特性を揃えなければならないと
いう難しさがある。X線検出素子間の検出特性にばらつ
きがあると断層画像上にリングアーチファクト等が発生
して画質を悪化させることになる。また、スライス方向
でX線検出素子特性にばらつきが存在すると、被検体10
5の同一のスライス断面を計測した場合、スライス方向
に並ぶどの位置に配列された検出素子で計測したかでC
T画像の画質や画像に見られる医療情報が異なる恐れが
ある。同一の被検体105の同一のスライス断面を計測し
た場合、計測に用いた検出素子が異なるためにCT画像
が異なってしまうことは絶対あってはならないことであ
る。このために、チャンネル方向に加えてスライス方向
に並ぶ検出素子の特性も十分揃っていることが重要とな
る。
【0006】したがって、X線検出素子を二次元に配列
(マルチスライス型)するためには、検出器全体の構造
や個々のX線検出素子の構造をはじめ、その製造方法に
ついても従来の一次元配列(シングルスライス型)のも
のと比較して複雑になるので、製造や組立の各工程にお
いても、シンチレータ、光検出素子、チャンネル及びス
ライスの各セグメントを分離する溝等には高い位置精度
が要求されることになる。
【0007】図7に示す従来のシングルスライス型X線
CT装置の一次元配列のX線検出器では、X線検出器容
器13の中に図8に示す複数個のX線検出素子アレイ1
2を略円弧状に配列し、その上方から前記円弧状に配列
した複数個のX線検出素子アレイを光反射率の高いフィ
ルム15で覆うという構造をとり、光のクロストークを
低減する方法をとってい た。
【0008】また、従来の検出素子アレイ12は、検出
素子のチャンネル間の性能を揃えるために、図8(a)
(上面図)、(b)(A−A断面図)に示すように、フ
ォトダイオード等の光検出素子2を複数チャンネル配列
した光検出素子アレイの上面に、X線を照射すると発光
する特性が均一な一枚板のシンチレータ板を接着し、こ
のシンチレータ4に溝8を形成して個々のチャンネル間
を分離し、さらに各チャンネルでの発光出力を効率的に
検出するために、前記チャンネル分離溝8に光反射率の
高い金属板14を挿入していた。
【0009】なお、図8(b)において、1はフォトダ
イオードやシンチレータ等を搭載する基板、3はフォト
ダイオードとシンチレータとを接着する透明接着剤であ
る。このようなX線CT装置用X線検出器においては、
個々のX線検出素子間で検出特性にばらつきが存在する
と、X線検出器の性能が悪化し、X線CT画像の画質を
悪化させる要因になる。このために、個々の検出素子の
特性を揃えることが必要となり、特にチャンネル方向及
びスライス方向に分離している分離層のばらつきやシン
チレータ上面における光反射のばらつきを小さくするこ
とが重要となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記のシングルスライ
ス型X線CT装置のX線検出器は、チャンネル方向の検
出特性を揃えるために、一枚のシンチレータ板に分離溝
を入れてチャンネル方向のセグメント間を分離し、さら
にシンチレータの発光出力を効率よく検出するために、
前記分離溝に光反射率の高い金属板を挿入してチャンネ
ル方向の光を効率よく集め、そしてシンチレータ上面を
光反射率の高いフィルムで覆う構造をとっていた。
【0011】しかし、X線検出素子をスライス方向に二
列あるいは複数配列するマルチスライス型X線検出器
は、チャンネル方向及びスライス方向の2次元素子配列
とするために、シリコンフォトダイオードの上面に接着
したシンチレータにはスライス方向にもチャンネル方向
と直交する溝を形成してスライス方向のセグメント間を
分離しなければならない。
【0012】しかし、チャンネル方向分離溝とスライス
方向分離溝に光反射率の高い金属板を挿入する上記従来
技術と同じ方法では、チャンネル及びスライス間を分離
する溝に挿入する金属板同士が互いにぶつかり合い、前
記金属板を挿入することは不可能である。
【0013】また、予めスライス方向及びチャンネル方
向と格子状に作られた金属板を挿入する方法も考えられ
るが、このような格子状の金属板を精度良く製造するこ
とも困難である。このように、従来技術の延長ではマル
チスライス型X線検出器のチャンネル方向及びスライス
方向の各セグメント間のX線検出特性を揃えることは困
難である。また、従来の製造方法の1つとして、上記し
た一枚のシンチレータ板を光検出素子アレイに貼り付け
た後、光検出素子アレイに達するまでのチャンネル分離
溝を形成するという方法があげられる。
【0014】この方法では、光検出素子アレイをも溝形
成し、この溝の底に達するまで十分深く金属板等を挿入
するために光のクロストークを極めて少なくでき、検出
効率の点では有効な方法であるが、光検出素子アレイを
も溝形成するために、素子に対してダメージを与える危
険性がある。また、光検出素子アレイ上に溝形成するた
めのエリアを確保することも必要であり、マルチスライ
ス型X線検出器のようにX線検出素子数が多くなってく
ると、信号取り出し配線数も多くなり、この配線領域確
保のために最も重要である各素子の有効受光領域を小さ
くしなければならないという問題が生じる。
【0015】そこで、本発明は、 (1)金属板の光の反射率のばらつきや、金属板の溝へ
の挿入状態に起因する各素子間での出力ばらつきを無く
するために、前記金属板を不要とする。 (2)前記溝が光検出素子アレイに達しない構造として
該光検出素子アレイに機械的ダメージを与えないように
する。 (3)X線検出素子数が非常に多くなっても十分な受光
領域を確保してX線検出素子の検出特性の高精度化及び
複数のX線検出素子間の検出特性の均一化を図る。 を達成して、チャンネル方向に加えてスライス方向にも
複数列の検出素子を配列するマルチスライス型X線検出
器及びこれを用いて一度に複数の断層像が得られるマル
チスライス型X線CT装置を提供することを目的とす
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の手段に
よって達成される。
【0017】(1)入射する放射線を検知して発光する
シンチレータと、該シンチレータの発光を受光すること
により前記シンチレータが検知した放射線の線量に対応
する電気信号を出力する光検出素子とから成る複数のX
線検出素子をアレイ状に形成してX線検出素子列を構成
し、このX線検出素子列をX線管焦点を中心とした略円
弧上にチャンネル方向及びスライス方向に複数個配列し
たマルチスライス型X線検出器において、前記X線検出
素子列のシンチレータは縦横に格子状に分離され、該シ
ンチレータの周囲を光反射材で塗り固めて前記シンチレ
ータを光反射材で密閉した構造である。
【0018】(2)上記(1)のX線検出器は以下に述べ
る方法により製造する。すなわち、光反射剤を用いてベ
ースプレート上にシンチレータ板を貼りつけ、このシン
チレータ板の上面から前記光反射剤の層に至るまでのス
ライス分離溝を形成し、このスライス分離溝に光反射剤
を充填し前記シンチレータの上面から光反射層に至るま
でのチャンネル分離溝を形成し、このチャンネル分離溝
に光反射剤を充填して前記シンチレータの上面を研磨
し、この研磨したシンチレータ上面に基板上の光検出素
子アレイを接着し、前記ベースプレートから前記光検出
素子アレイを剥離してX線検出器を製造する。
【0019】(3)また、本発明のX線検出器は、入射
する放射線を検知して発光するシンチレータと、該シン
チレータの発光を受光することにより前記シンチレータ
が検知した放射線の線量に対応する電気信号を出力する
光検出素子とから成る複数のX線検出素子をアレイ状に
形成してX線検出素子列を構成し、このX線検出素子列
をX線管焦点を中心とした略円弧上にチャンネル方向及
びスライス方向に複数個配列したマルチスライス型X線
検出器において、前記X線検出素子列のシンチレータは
縦横に格子状に分離され、該シンチレータの周囲を光反
射材で塗り固めて前記シンチレータを光反射材で密閉
し、この密閉したシンチレータの上面に薄膜ガラスを設
けた構造である。
【0020】(4)上記(3)のX線検出器は以下に述べ
る方法により製造する。すなわち、光反射剤を用いて薄
いガラス板にシンチレータ板を貼りつけ、このシンチレ
ータ板の上面から前記光反射剤の層に至るまでのスライ
ス分離溝を形成し、このスライス分離溝に光反射剤を充
填し前記シンチレータの上面から光反射層に至るまでの
チャンネル分離溝を形成し、このチャンネル分離溝に光
反射剤を充填して前記シンチレータの上面を研磨し、こ
の研磨したシンチレータ上面に基板上の光検出素子アレ
イを接着してX線検出器を製造する。
【0021】(5)さらに、本発明のX線CT装置は、
X線源と、このX線源と対向してチャンネル方向及びス
ライス方向に配置されたマルチスライスX線検出器と、
これらX線源及びX線検出器を保持し、被検体の周りを
回転駆動される回転円板と、前記X線検出器で検出され
たX線の強度に基づき前記被検体の断層像を画像再構成
する画像再構成手段とを備えたX線CT装置において、
前記X線検出器として上記(2)の製造方法により製造
された上記(1)のX線検出器又は上記(4)の製造方法
により製造された上記(3)のX線検出器を用いたもの
である。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図1〜図
5を用いて詳細に説明する。
【0023】[X線検出素子アレイの構造及びその製造
方法] (実施例1)図1は本発明によるX線検出器のX線検出
素子アレイの第1の実施例を示した図である。図1にお
いて、(a)はX線検出素子アレイの外観図、(b)は
チャンネル方向のA−A断面図、(c)はスライス方向
のB−B断面図である。
【0024】A−A断面図及びB−B断面図において、
基板1の上にはシリコンフォトダイオード2が形成され
ており、このフォトダイオード2の上部にシンチレータ
4が透明接着剤で接着されている。前記フォトダイオー
ド2及びシンチレータ4との間に介在する透明接着層3
に用いる接着剤は、光透過率が良く、X線照射によって
変色したり、接着強度が弱くなったり、ひび割れ等の破
損を起こさない接着剤が適当である。さらに、X線によ
りシンチレータ4が発光した際に、この光を効率良く電
気信号に変換するためにシンチレータ4の上面から上方
に漏れ出す光を遮蔽する光反射層6が形成されている。
この光反射層6は光反射率が大きい材料で形成すること
が重要で、例えばエポキシ樹脂等にTiO2等の光粉末を加
えた光接着剤等が適している。樹脂や光材の選定には、
X線減弱の小さいものやX線照射により劣化を起こさな
い材料が適当である。X線減弱の大きい材料では、入射
してくるX線をシンチレータ4の直前の光反射層6で減
弱させてしまい、効率良く入射X線を捕えることができ
ないからである。また、長時間のX線照射により光反射
材が変色したり、ひび割れ等の劣化現象を起こす材料も
X線の検出効率を悪化させるために適当でない。
【0025】図1(b)のA−A断面図に示すように、
チャンネル間の分離溝(分離層)8にもシンチレータ上
面に形成されている光反射層6と同様の光反射剤が充填
されており、各チャンネルのチャンネル分離層8を形成
している。チャンネル分離層8に用いる光反射剤は、隣
チャンネルから漏れ込むX線のクロストークを防止する
ためにX線遮蔽効果を有し、さらに光反射率の大きい材
料が良いが、チャンネル分離層8を通過してくるX線の
クロストークの影饗は比較的小さいことが知られている
ため、シンチレータ4の上面に形成されている上面光反
射層6と同様の材料で良い。図1(c)のB−B断面図
に示すように、チャンネル分離層8と直交する方向にス
ライス分離層7が形成されている。このスライス分離層
7に用いる光反射剤もシンチレータ4上面の光反射層6
及びチャンネル分離層8で用いたものと同一の光反射剤
で良い。以上のことから、本発明のX線検出器のX線検
出素子アレイは、シンチレータが縦横に格子状に分離さ
れ、該シンチレータの周囲を光反射材で塗り固めて前記
シンチレータを光反射材で密閉した構造である。
【0026】次に、図2を用いて上記第1の実施例のX
線検出素子アレイの製造方法について説明する。
【0027】(1)工程1(準備) この工程は準備工程で図2(a)に示す。まず最初にベ
ースプレート10を用意する。これは製造工程を進めて
いく上での重要な治具である。このベースプレート10
は、その表面が後工程において光反射剤を塗布硬化させ
たときに容易に剥離できるようにするためにテフロン
(登録商標)加工等の処理が施してある。このテフロン
加工によるテフロン加工面11は、前記ベースプレート
の剥離面の状態がシンチレータ上面に形成される上面光
反射層6の厚さむらと感度のばらつきをなくするために
十分な平面精度を持っていることが重要である。
【0028】(2)工程2 この工程を図2(b)に示す。シンチレータ4を光反射
剤9でベースプレート10に貼りつける。この貼り付け
た光反射剤9は、図1に示したように、シンチレータ4
の上部に形成される上面光反射層6となる。ここで光反
射剤9は、上記したように光反射率の大きいものを使用
する。光反射剤9の中に気泡やゴミ等の異物が混入しな
いように気をつけることが肝要である。また、光反射剤
9の厚さはシンチレータ全面にわたって厚さにむらがな
いように均一な厚さにすることが重要である。ここでの
光反射剤9の厚さが均一でないことは上面光反射層6の
厚さむらがあることを意味し、感度ばらつきを起こす原
因になるからである。また、光反射剤9の厚さはX線が
入射して発光したシンチレータの光が外部に漏れ出さな
いことが重要であり、100〜300μm程度が必要である。
【0029】(3)工程3 この工程を図2(c)に示す。工程2ではスライス分離
溝7を形成する。光反射剤9が充分に硬化した後、所定
の溝幅を持ったスライス分離溝7をシンチレータ上面か
ら光反射剤層6に達するまで、所定の間隔でシンチレー
タ4に溝を形成していく。この工程で重要なことは、ス
ライス分離溝7の終端を光反射剤層の中に形成すること
である。光接着剤層6(図1に図示)までスライス分離
溝7が達しない場合はシンチレータが溝によって完全に
分離されたことにならず、感度ばらつきの原因になるか
らである。
【0030】(4)工程4 この工程を図2(d)に示す。工程4ではスライス分離
溝7に光反射剤9の充填を行う。光反射剤9は工程2で
使用したものと同一のもので良い。この光反射剤には気
泡や異物を混入させないことが重要である。充填方法と
してはシリンジを用いて注入したり、上部から加圧して
充填する等の方法が挙げられるが、溝内部に空洞を作る
こと無く光反射剤を充填できれば別の方法でも良い。
【0031】(5)工程5 この工程を図2(e)に示す。工程5ではチャンネル分
離溝8を形成する。チャンネル分離溝8はスライス分離
溝7と直交する方向に形成する溝であり、形成方法はス
ライス分離溝7の形成とまったく同様である。この工程
では、スライス分離溝7に充填した光反射剤が充分に硬
化した後にチャンネル溝を形成することが重要である。
【0032】(6)工程6 この工程を図2(f)に示す。 この工程ではチャンネ
ル分離溝8に光反射剤9を充填する。使用する光反射剤
及びこの反射剤を溝に充填する方法は前記工程4におけ
るスライス分離溝への充填方法と同様である。
【0033】(7)工程7 この工程を図2(g)に示す。この工程ではシンチレー
タ上面の研磨を行う。シンチレータ上面は後工程で光検
出素子アレイを接着する面となるために十分な面精度を
確保しておく必要がある。特に光反射剤等の付着が考え
られるので十分表面は洗浄しておくことが重要である。
【0034】(8)工程8 この工程を図2(h)に示す。この工程では前記の工程
1から工程6を経て製作したプレートとシンチレータを
ひっくり返して、前記シンチレータに基板1の上に接着
したシリコンフォトダイオードを接着して固定する準備
をする。
【0035】(9)工程9 この工程を図2(i)に示す。この工程では基板1の上
に接着したシリコンフォトダイオード(光検出素子アレ
イ)2をシンチレータ4の上面に接着して固定する。こ
こで用いる接着剤は、透明接着剤で透明接着層3を形成
する。したがって、シンチレータで発光した光が光検出
素子に効率良く伝わるように光透過率の良い透明接着剤
を用いる必要がある。
【0036】また、透明接着剤3に気泡や異物等が混入
しないように注意し、該透明接着剤3の厚さは光透過効
率を考慮して充分に薄くし、厚さむらが起きないように
均一な厚さにする。この工程において最も重要なこと
は、光検出素子のスライス方向及びチャンネル方向の配
列ピッチとシンチレータのスライス分離溝及びチャンネ
ル分離溝の位置を極めて正確に合わせて両者を接着する
ことである。シンチレータ側の分離溝位置と光検出素子
側の位置が一致していないと、各光検出素子での感度ば
らつきを起こすだけでなく、正確な位置でのX線情報を
捕らえることが出来ず、誤った情報を計測してしまうこ
とになるからである。透明接着剤3が充分に硬化するま
ではシンチレータと光検出素子アレイ12の位置が滑っ
て位置ずれを起こすので注意しなければならない。
【0037】(10)工程10 この工程を図2(j)に示す。この工程は、本発明によ
るX線検出素子を製造する最後の工程で、ベースプレー
ト10の剥離を行う工程である。光検出素子アレイ12
をベースプレート10から剥離する際には無理な力を掛
けないように注意する。
【0038】以上の第1の実施例によって本発明のX線
検出器を構成するX線検出素子アレイが製造される。
【0039】(実施例2)図3は本発明によるX線検出
器のX線検出素子アレイの第2の実施例を示した図であ
る。図3において、(a)はX線検出素子アレイの外観
図、(b)はチャンネル方向のA−A断面図、(c)は
スライス方向のB−B断面図である。この第2の実施例
の特徴は、上記第1の実施例と基本構造は同じである
が、シンチレータ4の周囲に形成した上面光反射層6の
上面に薄膜ガラス16を設けた点にある。この薄膜ガラ
ス16を設けることによって、上面光反射層6に外力が
加わっても該光反射層を保護することができる。また、
この薄膜ガラス16は前記第1の実施例で治具として使
用したベースプレート10の役割も担っており、最終工
程でベースプレートを剥離する作業を省略できる利点
と、工程作業中におけ破損の防止に役立つという利点を
持っている。
【0040】次に、図4を用いて上記第2の実施例のX
線検出素子アレイの製造方法について説明する。
【0041】(1)工程1 この工程は準備工程で図4(a)に示す。まず最初に薄
膜ガラス16を用意する。この薄膜ガラス16はX線照
射により変色や強度劣化を起こさないこと、X線減弱率
の小さな材質であることが必要である。100〜500μm程
度の厚さで、平坦度が良く、反りの無いものとし、この
薄膜ガラス板16をベースプレートとして使用する。
【0042】(2)工程2 この工程を図4(b)に示す。シンチレータ4を光反射
剤9で薄膜ガラス板16に貼りつける。この貼り付けた
光反射剤9は、図3に示したように、シンチレータ4の
上部に形成される上面光反射層6となる。ここで光反射
剤9は光反射率の大きいものを使用し、その中に気泡や
ゴミ等の異物が混入しないようにすることが重要であ
る。また、光反射剤9の厚さはシンチレータ全面にわた
って厚さにむらがないように均一にする。ここでの光反
射剤9の厚さが均一でないことは上面光反射層6に厚さ
むらがあることを意味し、感度ばらつきを起こす原因に
なるからである。また、光反射剤9の厚さはX線が入射
して発光したシンチレータの光が外部に漏れ出さないこ
とが重要であり、100〜300μm程度が必要である。
【0043】(3)工程3 この工程を図4(c)に示す。工程3ではスライス分離
溝7を形成する。光反射剤9が充分に硬化した後、所定
の溝幅を持ったスライス分離溝7をシンチレータ上面か
ら光反射剤層6に達するまで、所定の間隔でシンチレー
タ4に溝を形成していく。この工程で重要なことは、ス
ライス分離溝7の終端を光反射剤層9の途中に形成する
ことである。光接着剤層6(図3に図示)までスライス
分離溝7が達しない場合はシンチレータが溝によって完
全に分離されたことにならず、感度ばらつきの原因にな
るからである。
【0044】(4)工程4 この工程を図3(d)に示す。工程4ではスライス分離
溝7に光反射剤9の充填を行う。光反射剤9は工程2で
使用したものと同一のもので良い。この光反射剤には気
泡や異物を混入させないことが重要である。充填方法と
しては、シリンジを用いて注入したり、上部から加圧し
て充填する等の方法が挙げられるが、溝内部に空洞を作
ること無く光反射剤を充填できれば別の方法でも良い。
【0045】(5)工程5 この工程を図3(e)に示す。工程5ではチャンネル分
離溝8を形成する。チャンネル分離溝8はスライス分離
溝7と直交する方向に形成する溝であり、形成方法はス
ライス分離溝7の形成とまったく同様である。この工程
では、スライス分離溝7に充填した光反射剤が充分に硬
化した後にチャンネル溝を形成することが重要である。
【0046】(6)工程6 この工程を図3(f)に示す。この工程ではチャンネル
分離溝8に光反射剤9を充填する。使用する光反射剤及
びこの反射剤を溝に充填する方法は前記工程4における
スライス分離溝への充填方法と同様である。
【0047】(7)工程7 この工程を図3(g)に示す。この工程ではシンチレー
タ上面の研磨を行う。シンチレータ上面は後工程で光検
出素子アレイを接着する面となるために十分な面精度を
確保しておく必要がある。特に光反射剤等の付着が考え
られるので十分表面は洗浄しておくことが重要である。
【0048】(8)工程8 この工程を図3(h)に示す。この工程では前記の工程
1から工程6を経て製作した薄膜ガラス板16とシンチ
レータ4とをひっくり返して、前記シンチレータ4に基
板1の上に接着したシリコンフォトダイオード2を接着
して固定する準備をする。
【0049】(9)工程9 この工程を図3(i)に示す。この工程では基板1の上
に接着したシリコンフォトダイオード(光検出素子アレ
イ)2をシンチレータ4の上面に接着して固定する。こ
こで用いる接着剤は、透明接着剤で透明接着層3を形成
する。したがって、シンチレータで発光した光が光検出
素子に効率良く伝わるように光透過率の良い透明接着剤
を用いる必要がある。
【0050】また、透明接着剤3に気泡や異物等が混入
しないように注意し、該透明接着剤3の厚さは光透過効
率を考慮して充分に薄くし、厚さむらが起きないように
均一な厚さにする。この工程において最も重要なこと
は、光検出素子のスライス方向及びチャンネル方向の配
列ピッチとシンチレータのスライス分離溝及びチャンネ
ル分離溝の位置を極めて正確に合わせて両者を接着する
ことである。シンチレータ側の分離溝位置と光検出素子
側の位置が一致していないと、各光検出素子での感度ば
らつきを起こすだけでなく、正確な位置でのX線情報を
捕らえることが出来ず、誤った情報を計測してしまうこ
とになるからである。透明接着剤3が充分に硬化するま
ではシンチレータと光検出素子アレイ12の位置が滑っ
て位置ずれを起こすので注意しなければならない。薄膜
ガラス16は上面光反射層6を保護する役目を果たすの
で、最後に剥離せずに光検出素子アレイに付けたままと
する。
【0051】以上の第2の実施例によって本発明のX線
検出器を構成するX線検出素子アレイが製造される。な
お、上記第2の実施例の製造方法において特に注意すべ
きことは、スライス方向及びチャンネル方向に分離溝を
形成した後、分離溝に光反射剤を充填してこれが硬化す
るまでは、構造的に非常に壊れ易いので取り扱いには充
分に注意する必要がある。
【0052】[本発明のX線検出器を用いたX線CT装
置]以上の本発明によるX線検出素子アレイを用いたX
線検出器をマルチスライス型X線CT装置に搭載した例
を図5に示す。図5において、回転板19にX線管14
と対向させて検出器容器13が搭載されている。検出器
容器13の内部には図2若しくは図4の製造方法によっ
て製造された図1若しくは図3の構造のX線検出素子ア
レイ12がチャンネル方向及びスライス方向にX線管1
4の焦点を中心とした略円弧となるポリゴン状に配列さ
れている。図はスライス方向に4列配列した例である。
【0053】また、X線検出素子アレイ12のX線入射
部にはX線管14の焦点以外の方向から入射してくる散
乱線を除去するためのコリメータ板群15がチャンネル
方向及びスライス方向に置かれている。検出器容器13
の外側には、検出素子からの信号を増幅するための増幅
回路ユニット18が置かれている。回転板19の中央に
は開口部21があり、この開口部21内に置かれた被検
体17を中心として回転板19が回転することにより被
検体17の全周方向からのX線透過量の計測が行えるよ
うになっている。上記の本発明のX線検出器を用いたX
線CT装置は、チャンネル及びスライス間のX線検出素
子の検出特性は均一になり、一回のスキャンで同時に複
数のスライスデータ(図5の場合は4スライス)の計測
が行えるため、リングアーチファクトのない高画質の複
数の断層像が一度に得られる。
【0054】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によるX
線検出器のX線検出素子アレイは、シンチレータが縦横
に格子状に分離され、該シンチレータの周囲を光反射材
で塗り固めて前記シンチレータを光反射材で密閉した構
造、さらには光反射材で密閉したシンチレータの上面に
薄膜ガラスを設けた構造である。このような構造とする
ことによって、
【0055】(1)チャンネル及びスライス間を分離す
る溝に金属板を挿入する必要がないので、金属板の光の
反射率のばらつきや金属板の溝への挿入状態に寄因する
各素子間での出力ばらつきを低減することができる。 (2)前記チャンネル及びスライス間を分離する溝を光
検出素子アレイにまで達しないようにしたので、該光検
出素子アレイに機械的ダメージを与えない。 (3)X線検出素子数が非常に多くなっても十分な受光
領域を確保できるので、高効率のX線検出素子とするこ
とができる。などの効果を有するX線検出素子が得られ
る。このX線検出素子をチャンネル方向及びスライス方
向に複数配列することによって、高効率で前記複数のX
線検出素子の検出特性が均一なマルチスライス型X線検
出器を構成することができ、一回のスキャンで同時に複
数のスライスデータを計測し、このデータを再構成する
ことによってリングアーチファクトのない高画質の複数
の断層像が一度に得られるマルチスライス型X線CT装
置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるX線検出器のX線検出素子アレイ
の第1の実施例を示す図。
【図2】図1に示す第1の実施例のX線検出素子アレイ
の製造工程の説明図。
【図3】本発明によるX線検出器のX線検出素子アレイ
の第2の実施例を示す図。
【図4】図3に示す第2の実施例のX線検出素子アレイ
の製造工程の説明図。
【図5】本発明によるX線検出素子アレイを用いたマル
チスライスX線検出器をX線CT装置に搭載した例を示
す図。
【図6】マルチスライスX線CT装置のマルチスライス
計測の原理を説明する概念図。
【図7】シングルスライスX線CT装置の一次元配列の
X線検出器の構成を示す図。
【図8】シングルスライスX線CT装置の一次元配列の
X線検出器に用いた従来のX線検出素子アレイの構造を
示す図。
【符号の説明】
1・・・基板、2・・・光検出素子(シリコンフォトダイオー
ド)、3・・・透明接着層(透明接着剤)、4・・・シンチレ
ータ 、6・・・上面光反射層、7・・・スライス方向分離溝
(分離層)、8・・・チャンネル方向分離溝(分離層)、
9・・・光反射剤、10・・・ベースプレート、11・・・テフ
ロン加工面、12・・・X線検出素子アレイ、13・・・検出
器容器 、16・・・薄膜ガラス、101・・・X線管、10
2・・・ファン状X線ビーム、104‥・マルチスライス
X線検出素子列、105・・・被検体

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入射する放射線を検知して発光するシン
    チレータと、該シンチレータの発光を受光することによ
    り前記シンチレータが検知した放射線の線量に対応する
    電気信号を出力する光検出素子とから成る複数のX線検
    出素子をアレイ状に形成してX線検出素子列を構成し、
    このX線検出素子列をX線管焦点を中心とした略円弧上
    にチャンネル方向及びスライス方向に複数個配列したマ
    ルチスライス型X線検出器において、前記X線検出素子
    列のシンチレータは縦横に格子状に分離され、該シンチ
    レータの周囲を光反射材で塗り固めて前記シンチレータ
    を光反射材で密閉したことを特徴とするマルチスライス
    型X線検出器。
  2. 【請求項2】 光反射剤を用いてベースプレート上にシ
    ンチレータ板を貼りつけ、このシンチレータ板の上面か
    ら前記光反射剤の層に至るまでのスライス分離溝を形成
    し、このスライス分離溝に光反射剤を充填し前記シンチ
    レータの上面から光反射層に至るまでのチャンネル分離
    溝を形成し、このチャンネル分離溝に光反射剤を充填し
    て前記シンチレータの上面を研磨し、この研磨したシン
    チレータ上面に基板上の光検出素子アレイを接着し、前
    記ベースプレートから前記光検出素子アレイを剥離して
    成るX線検出器の製造方法。
  3. 【請求項3】 入射する放射線を検知して発光するシン
    チレータと、該シンチレータの発光を受光することによ
    り前記シンチレータが検知した放射線の線量に対応する
    電気信号を出力する光検出素子とから成る複数のX線検
    出素子をアレイ状に形成してX線検出素子列を構成し、
    このX線検出素子列をX線管焦点を中心とした略円弧上
    にチャンネル方向及びスライス方向に複数個配列したマ
    ルチスライス型X線検出器において、前記X線検出素子
    列のシンチレータは縦横に格子状に分離され、該シンチ
    レータの周囲を光反射材で塗り固めて前記シンチレータ
    を光反射材で密閉し、この密閉したシンチレータの上面
    に薄膜ガラスを設けたことを特徴とするマルチスライス
    型X線検出器。
  4. 【請求項4】 光反射剤を用いて薄いガラス板にシンチ
    レータ板を貼りつけ、このシンチレータ板の上面から前
    記光反射剤の層に至るまでのスライス分離溝を形成し、
    このスライス分離溝に光反射剤を充填し前記シンチレー
    タの上面から光反射層に至るまでのチャンネル分離溝を
    形成し、このチャンネル分離溝に光反射剤を充填して前
    記シンチレータの上面を研磨し、この研磨したシンチレ
    ータ上面に基板上の光検出素子アレイを接着して成るX
    線検出器の製造方法。
  5. 【請求項5】 X線源と、このX線源と対向してチャン
    ネル方向及びスライス方向に配置されたマルチスライス
    X線検出器と、これらX線源及びX線検出器を保持し、
    被検体の周りを回転駆動される回転円板と、前記X線検
    出器で検出されたX線の強度に基づき前記被検体の断層
    像を画像再構成する画像再構成手段とを備えたX線CT
    装置において、前記X線検出器として請求項1、3に記
    載のX線検出器を用いたことを特徴とするX線CT装
    置。
JP2000203696A 2000-07-05 2000-07-05 マルチスライス型x線検出器とその製造方法及びこれを用いたx線ct装置 Pending JP2002022838A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000203696A JP2002022838A (ja) 2000-07-05 2000-07-05 マルチスライス型x線検出器とその製造方法及びこれを用いたx線ct装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000203696A JP2002022838A (ja) 2000-07-05 2000-07-05 マルチスライス型x線検出器とその製造方法及びこれを用いたx線ct装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002022838A true JP2002022838A (ja) 2002-01-23

Family

ID=18701070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000203696A Pending JP2002022838A (ja) 2000-07-05 2000-07-05 マルチスライス型x線検出器とその製造方法及びこれを用いたx線ct装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002022838A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005201891A (ja) * 2003-12-11 2005-07-28 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc Ct検出器用の多層反射体
US7053380B2 (en) 2002-02-08 2006-05-30 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray detector and method for producing X-ray detector
WO2008010339A1 (fr) * 2006-07-18 2008-01-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Panneau de scintillation et détecteur de rayonnement
JP2008122172A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Mitsubishi Electric Corp 放射線検出器
JP2012013694A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 General Electric Co <Ge> シンチレータ・アレイ及びシンチレータ・アレイを製造する方法
JP2012026821A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Toshiba Corp シンチレータの表面平坦化方法及びシンチレータ部材
KR20220100334A (ko) * 2021-01-08 2022-07-15 (주)피코팩 센서 모듈 제조방법 및 이로부터 제조된 센서 모듈을 포함하는 x선 디텍터

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053380B2 (en) 2002-02-08 2006-05-30 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray detector and method for producing X-ray detector
JP2005201891A (ja) * 2003-12-11 2005-07-28 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc Ct検出器用の多層反射体
JP4651371B2 (ja) * 2003-12-11 2011-03-16 ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー Ct検出器の製造方法
WO2008010339A1 (fr) * 2006-07-18 2008-01-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Panneau de scintillation et détecteur de rayonnement
JP2008026013A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Toshiba Corp シンチレータパネルおよび放射線検出器
JP2008122172A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Mitsubishi Electric Corp 放射線検出器
JP2012013694A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 General Electric Co <Ge> シンチレータ・アレイ及びシンチレータ・アレイを製造する方法
JP2012026821A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Toshiba Corp シンチレータの表面平坦化方法及びシンチレータ部材
KR20220100334A (ko) * 2021-01-08 2022-07-15 (주)피코팩 센서 모듈 제조방법 및 이로부터 제조된 센서 모듈을 포함하는 x선 디텍터
KR102492247B1 (ko) * 2021-01-08 2023-01-27 (주)피코팩 센서 모듈 제조방법 및 이로부터 제조된 센서 모듈을 포함하는 x선 디텍터

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6876033B2 (ja) 量子ドットに基づくイメージング検出器
RU2595795C2 (ru) Спектральный детектор изображения
US8481952B2 (en) Scintillation separator
US7233640B2 (en) CT detector having an optical mask layer
US7019302B2 (en) Radiation detector, scintillator panel, and methods for manufacturing same
JP2004279419A (ja) セグメント式光学カプラを有するct検出器、並びに該検出器の製造方法
US6898265B1 (en) Scintillator arrays for radiation detectors and methods of manufacture
US9599722B2 (en) Large-area scintillator element and radiation detectors and radiation absorption event locating systems using same
JP2010513908A (ja) エネルギー分解検出システム及び撮像システム
JP2008311651A (ja) 半導体光電子増倍器の構造
JP2001027673A (ja) X線検出器及びこれを用いるx線ct装置
CN102183777A (zh) 光电二极管阵列、辐射检测器及其制造方法
JP2009118943A (ja) 放射線検出器及びこれを用いたx線ct装置
US7211801B2 (en) Radiation detector
JP2002022838A (ja) マルチスライス型x線検出器とその製造方法及びこれを用いたx線ct装置
US10156640B2 (en) Radiation detection apparatus and radiation detection sheet
JP2007086077A (ja) 検出器の製造方法および検出器
JP3975091B2 (ja) 放射線検出器
JP2000346948A (ja) X線ct装置用x線検出器及びその製造方法
JP2004184163A (ja) 放射線検出器及び医用画像診断装置
JPH11174156A (ja) 放射線検出器
TWI841709B (zh) 帶有閃爍體的輻射檢測器及其操作與製造方法
JP2002311142A (ja) X線固体検出器の製造方法およびx線ct装置
JP2001042044A (ja) X線検出器及びこれを用いたx線ct装置
JP2000098040A (ja) Ct用固体検出器の製造方法