JP2012013694A - シンチレータ・アレイ及びシンチレータ・アレイを製造する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】固体Ｘ線検出器のシンチレータ・アレイにおいて、シンチレータの間に高性能反射体を形成する。
【解決手段】シンチレータ・アレイ及びシンチレータ・アレイを製造する方法が提供される。このアレイは二層反射体を含んでおり、二層反射体はさらに形状適応性平滑化層と鏡面層とを含んでいる。二層反射体は、介在する還元剤又は接着材層を含んでおらず、且つ／又はアルミニウムを含んでいる。さらに、鏡面層は、気相金属化を介して堆積されることができ、狭く限定された空間にも施工が可能である。また、このシンチレータ・アレイを含む検出器アレイが提供される。
【選択図】図１（Ａ）

Description

開示される実施形態は一般的には、固体Ｘ線検出器に関し、さらに具体的には、シンチレータ・アレイ用の高性能ＣＴ反射体、及びシンチレータ・アレイを製造する方法に関する。

計算機式断層写真法（ＣＴ）イメージング・システムでは、Ｘ線源及び検出器アレイが撮像平面の内部で被検体を中心としてガントリの周りを回転する。Ｘ線源、典型的にはＸ線管は、患者又は手荷物のような被検体又は物体へ向けてファン形状のビームを放出する。ビームは、被検体によって減弱された後に放射線検出器のアレイに入射する。

Ｘ線検出器は典型的には、検出器において受光されるＸ線ビームをコリメートするコリメータと、シンチレータ・アレイと、フォトダイオードとを含んでいる。動作時には、シンチレータ・アレイの各々のシンチレータがＸ線を光エネルギへ変換し、次いでこの光エネルギを隣接するフォトダイオードに放出する。各々のフォトダイオードは与えられた光エネルギを検出して、対応する電気信号を発生する。次いで、フォトダイオードの出力はデータ処理システムへ伝送されて画像再構成を施される。

米国特許第７３８４１５８号

複数のシンチレータを有するシンチレータ・アレイであって、少なくとも２個の隣り合ったシンチレータの間に介在して配設される少なくとも二つの二層反射体を含むシンチレータ・アレイが提供される。二層反射体は形状適応性（conformal）平滑化層と鏡面層とを含んでおり、鏡面層はアルミニウムを含んでいる。

もう一つの観点では、複数のシンチレータを有するシンチレータ・アレイであって、少なくとも２個の隣り合ったシンチレータの間に介在して配設される少なくとも二つの二層反射体を含むシンチレータ・アレイが提供される。二層反射体は形状適応性平滑化層と鏡面層とを含んでおり、二層反射体は介在する還元剤又は接着材層を含まない。

もう一つの観点では、複数の３Ｄシンチレータに二層反射体を形成する方法が提供される。この方法は、３Ｄシンチレータに形状適応性平滑化層を施工するステップと、形状適応性平滑化層に反射層を直接施工するステップとを含んでいる。

また、検出器アレイが提供される。この検出器アレイは、シンチレータ・アレイと複数の検出器とを含んでいる。シンチレータ・アレイは、複数のシンチレータを含んでおり、少なくとも２個の隣り合ったシンチレータの間に介在して配設される少なくとも二つの二層反射体を含んでいる。二層反射体は形状適応性平滑化層と鏡面層とを含んでおり、鏡面層はアルミニウムを含んでいる。

本発明のこれらの特徴、観点及び利点、並びに他の特徴、観点及び利点は、添付図面を参照して以下の詳細な説明を読むとさらに十分に理解されよう。図面全体にわたり、類似の参照符号は類似の部材を表わす。
一実施形態によるシンチレータ・アレイの一部の側面概略図である。 一実施形態によるシンチレータ・アレイの一部の側面概略図である。 方法の一実施形態のフローでのシンチレータ・アレイの一部の側面概略図である。 方法の一実施形態のフローでのシンチレータ・アレイの一部の側面概略図である。 方法の一実施形態のフローでのシンチレータ・アレイの一部の側面概略図である。 方法の一実施形態のフローでのシンチレータ・アレイの一部の側面概略図である。 方法の一実施形態のフローでのシンチレータ・アレイの一部の側面概略図である。 一実施形態によるシンチレータ・アレイを含むＣＴシステム検出器アレイの遠近図である。 シンチレータ・アレイの一実施形態での検出器の遠近図である。

以上の簡潔な記載は、以下の詳細な説明がさらに十分に理解され、技術分野に対する本発明の寄与が十分に認められ得ることを目的として本発明の様々な実施形態の特徴について述べている。言うまでもなく、以下に記載され特許請求の範囲の主題に沿った本発明の他の特徴も存在する。

この観点で、本発明の幾つかの実施形態を詳細に説明する前に、本発明の様々な実施形態は適用において以下の記載に述べられ又は図面に図示される構成要素の構築及び構成の細部に限定されないことを理解されたい。本発明は他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施され遂行されることが可能である。また、本書で用いられる言い回し及び用語は説明の目的のためのものであって、限定するものではないことを理解されたい。

本書で用いられる第一、第二等の用語は、如何なる序列、量又は重要性を意味するものでもなく、一つの要素を他の要素から識別するために用いられている。また、本書で用いられる単数不定冠詞は、量の制限を意味するものではなく、参照されている項目が少なくとも一つ存在していることを意味する。量に関連して用いられる「約」との用語は、所載の値を包含し、文脈によって規定される意味を有する（例えば特定の量の測定に関連する誤差度を含む）。また、本書で用いられる「（１又は複数）」との接尾辞は、修飾対象の用語の単数及び複数の両者を包含し、これにより当該用語の１又は複数を包含するものとする。

本明細書の全体にわたる「一実施形態」又は「実施形態」に対する参照は、一つの実施形態に関連して記載される特定の特徴、構造、又は特性が少なくとも一つの実施形態に包含されることを意味する。このように、本明細書を通じて様々な箇所に「一実施形態では」又は「実施形態では」との文言が現われていても、必ずしも同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造又は特性を１又は複数の実施形態において任意の適当な態様で組み合わせてよい。

図１（Ａ）には、一実施形態によるシンチレータ・アレイの一部の断面が示されている。シンチレータ・アレイ５６は、複数の一様間隔で隔設されたシンチレータ５７を含んでいる。隣り合ったシンチレータ５７の間に、反射ユニット８３が介在して隔設され又は配設されている。反射ユニット８３は、各々のシンチレータ５７について相対的に高い光出力を保ち、シンチレータ５７同士の間の光及びＸ線のクロストークを防ぐように設計されている。各々の反射ユニット８３は、少なくとも二つの二層反射体８８を含んでいる。図１に示す実施形態のような幾つかの実施形態では、反射ユニットはさらに、一対の二層反射体８８の間に介設された複合材層８６を含んでいる。

シンチレータ５７は、当業者に周知の広範なシンチレータ物質から形成され得る。かかる材料としては、希土類酸化物又は酸硫化ガドリニウム、及び酸化セシウム、ゲルマニウム酸ビスマス又はケイ酸ルテチウムの単結晶で製造された医用撮像シンチレータが挙げられる。加えて、タングステン酸鉛及びヨウ化ナトリウムのように主に物理学研究に用いられるシンチレータも適用可能である。一つの市販のシンチレータは、General Electric Medical Systemsから販売されているHiLite（登録商標）である。

代替的には、シンチレータ５７に用いられる材料は、式（Ｇ_1-x-yＡ_xＲｅ_y）_wＤ_zＯ₁₂を有する透明な希土類ガーネットセラミック材料でで形成されてよく、式中、ＧはＴｂ及びＬｕから成る群から選択される金属であり、ＧがＴｂであるときにはＡはＹ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ及びＹｂの群から選択される希土類金属であり、ＧがＬｕであるときにはＡはＹ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ及びＹｂから成る群から選択される希土類金属であり、ＲｅはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＴｍから成る群から選択される少なくとも一つの希土類金属であり、ＤはＡｌ、Ｇａ、及びＩｎから成る群から選択される金属であり、ｗは約２．８％〜約３．１％の範囲であり、ｘは約０％〜約０．５％の範囲であり、ｙは約０．０００５％から約０．２％までの範囲であり、ｚは約４％〜約５．１％の範囲である。シンチレータ５７に用いるのに適したこの式によるセラミックガーネットの特定の二つの例として、テルビウムアルミニウムガーネット（「ＴＡＧ」、Ｔｂ_2.992Ｃｅ_0.012Ａｌ_4.996Ｏ₁₂）及びテルビウムルテニウムアルミニウムガーネット（「ＬｕＴＡＧ」、Ｔｂ_2.198Ｌｕ_0.8Ｃｅ_0.01Ａｌ_4.992Ｏ₁₂）が挙げられる。

ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）のような単結晶シンチレータ物質の場合には、結晶はガラス基材パネル（図示されていない）の平面に垂直に配向されて短い光ファイバとして作用し、結晶において発生する光フォトンはＣｓＩ層の内部で伝播するのではなく、結晶の端部から出てアモルファス・シリコン・アレイ（図示されていない）に確実に入る。

各々の反射ユニット８３は少なくとも二つの二層反射体８８を含んでいる。さらに具体的には、各々の二層反射体８８が、シンチレータ５７に隣接した平滑化層８７と、平滑化層８７に重なった鏡面層８９とを含んでいる。平滑化層８７は、間隙９６の内部でシンチレータ５７の表面の表面凹凸を例えば充填すること等により減少させる。凹凸の減少は、次に施工される鏡面層８９に影響する。鏡面層８９の平滑性を高めると、鏡面層８９による反射度を高めることができる。

平滑化層８７は、光学的特性（屈折率及び吸収）及び物理的特性（熱安定性）に関して所望の性能特性を呈する任意の低粘度ポリマー材料、任意のポリマー無機材料又は材料の組み合わせを含み得る。望ましくは、平滑化層８７は、シンチレータ５７の放出波長において実質的に透明である。かかる材料の適当な実例としては、限定しないがシリコーン・ハードコート、スチレンアクリレート・コーティング、紫外硬化性ハードコート、ポリ塩化ビニリデン、エポキシシラン・ハードコート、又はこれらの組み合わせがある。幾つかの実施形態では、平滑化層８７はエポキシシラン・ハードコートを含む。

平滑化層８７は、薄膜を施工する任意の公知の工程を用いて施工されることができ、例えば溶液フロー・コーティング法又はスピン・コーティング法のような湿式化学方法を用いて施工され得る。幾つかの実施形態では、平滑化層８７は、厚みが約０．１ミクロン〜約５ミクロンであり、又は約０．５ミクロン〜約３ミクロンである。

幾つかの実施形態では、鏡面層８９は平滑化層８７に直接施工され、すなわち介在性の還元剤又は接着材層を用いずに施工される。鏡面層８９は望ましくは、シンチレータ５７によって放出される光の波長において高反射率を有する材料を含んでいる。例えば、紫外光放出シンチレータ５７は、アルミニウムのように紫外光を反射する材料を要求する。赤色光又は赤外光を放出するシンチレータ５７については、これらのスペクトル領域において高反射率を呈することから金による金属層が望ましい。鏡面層８９に用いられ得る他の材料としては、銀、銅、ロジウム及びマグネシウムが挙げられる。幾つかの実施形態では、鏡面層８９はアルミニウムを含んでいる。幾つかの実施形態では、鏡面層はアルミニウム金属を含んでいる。かかる実施形態では、アルミニウム金属は望ましくは、約５００ｎｍ〜約７００ｎｍの範囲において最低９０％の反射率を与えることができる。さらに、アルミニウム金属は、鏡面層例えば銀に従来用いられている幾つかの材料が呈する老化時に見受けられる反射率の低下を抑え又は解消することができるので、アルミニウム金属の利用が有利であり得る。幾つかの実施形態では、所望又は必要に応じて例えばチタン、タングステン、クロム及び／又はジルコニウムを含む接着材層を用いることができる。

鏡面層８９は、当業者に周知の手法によって少なくとも約０．１ミクロン〜約５ミクロン、又は約０．５ミクロン〜約３ミクロンの厚みに施工される。選択される方法は、ある程度まで鏡面層の組成に依存し得る。望ましくは、鏡面層は、例えば液相金属化又は気相金属化からの化学的還元を介した化学的気相堆積、物理的気相堆積、スパッタリングのような非視線方向型工程（non line-of-sight process）を用いて施工される。幾つかの実施形態では、鏡面層８９は気相金属化を用いて施工され得る。

図１に示す実施形態のような幾つかの実施形態では、反射ユニットはさらに、一対の二層反射体８８の間に介設された複合材層８６を含んでいる。複合材層８６は、１個のシンチレータから隣接するシンチレータに伝達される光を吸収し、これによりシンチレータの間の光学的クロストークを減少させ、場合によっては解消するように設計されている。複合材層は加えて、シンチレータの間を移動するＸ線フォトンを吸収するように構成され得る。

複合材層８６は、低粘度ポリマーを含み得る。ポリウレタンのような多数の市販の低粘度エポキシの任意のものを複合材層８６に用いることができる。幾つかの実施形態では、低粘度ポリマーは、放射線に対する比較的高い耐久性を呈する。複合材層８６は、厚みが約５０ミクロン〜約１００ミクロンであり得る。対照的に、各々の二層反射体８８は望ましくは、厚みが約１５ミクロン〜約５０ミクロンであり得る。

図１（Ｂ）は、反射体８８が不動態化層９１を加えて含み得る本発明のもう一つの実施形態を示す。不動態化層９１は、例えばＵＶハードコート、スチレンアクリレート・コーティング、オリゴマー・コーティング、アモルファス・テフロン（商標）・コーティング、又はこれらの組み合わせを含み得る。すなわち、図１（Ｂ）には１層の不動態化層が示されているが、所望に応じて多数の不動態化層９１を用いることができる。不動態化層９１は、任意の公知の適当な工程によって所望の任意の厚みに施工されることができるが、典型的には、約０．１ミクロン〜約５ミクロンの厚みに施工される。

図２に、一実施形態による方法の各段階を詳細に示す。製造手法の段階２０１は、シンチレータ基材９４の形成から開始する。シンチレータ基材９４は、Ｘ線又は他の放射線撮像エネルギを受け取ると発光して光を出力するように設計されている１又は複数の材料で構成されている。基材９４は、多くの周知の半導体製造手法の一つに従って製造され得る。段階２０１はさらに、バルク基材材料を所望の厚みを有するウェーハにする研削、及び基材の寸法を画定する研削法又は他の工程を含んでいる。

方法の段階２０２では、基材９４は多数のピクセル形成工程の一つを経て、基材９４に多数のシンチレータ５７を画定する。例えば、基材９４をワイヤ・ソー・ダイサ又は他のダイス加工機構を用いてダイス加工することができる。加えて、個々のシンチレータ５７は、イオン・ビーム・ミリング、化学的エッチング、気相堆積、又は他の周知の基材切削手法の任意のものを用いて画定され得る。好ましくは、個々のシンチレータ５７は、隣り合ったシンチレータの間に間隙９６が形成されるように画定される。加えて、シンチレータ５７は好ましくは、シンチレータ基材９４を三次元的に横断して画定される。好ましくは、間隙９６は個々のシンチレータ５７の間でｘ方向及びｚ方向の両方に延在し、効率要件に依存して約１００ミクロン〜２００ミクロンの幅を有する。間隙９６の深さは、所望の阻止能に依存し、シンチレータ基材組成に従って変わる。

個々のシンチレータ５７の形成又は画定に続いて、段階２０３において、二層反射体８８をシンチレータ５７の上に及び間隙９６の内部にキャスト（cast）する。さらに具体的には、平滑化層８７が先ず、溶液フロー・コーティング法又はスピン・コーティング法のような湿式化学方法を介して間隙９６に施工され得る。幾つかの実施形態では、平滑化層８７は厚みが約０．５ミクロン〜５ミクロンである。次いで、所望の鏡面層８９が、例えば液相金属化又は気相金属化からの化学的還元を介した化学的気相堆積、物理的気相堆積、スパッタリングのような非視線方向型工程を用いて施工される。幾つかの実施形態では、鏡面層８９は気相金属化を用いて施工され得る。段階２０３の完了時に、間隙９６は残存している。

平滑化層８７及び／又は鏡面層８９は、所望又は必要に応じて、隣接する層の施工又は次の処理ステップの前に硬化され得る。任意のかかる所望の硬化の後に、シンチレータ・アレイの上面又は上部を切削して所望の厚み例えば約１００ミクロン〜２００ミクロンを有する上面反射層９０を残す。

段階２０４では、吸光性複合材層８６を各々の間隙９６に堆積させることができる。好ましくは、吸光性複合材層８６は、高いＸ線阻止能について選択される金属を含んでいる。好ましくは、この金属は粒度が約０．５ミクロン〜約５ミクロンの粉末の形態にある。吸光性複合材層８６はさらに、金属粉末用の結着剤として作用するエポキシ、ポリウレタンのような低粘度ポリマーを含み得る。低粘度ポリマーの利用が望まれる実施形態では、約４０容積％〜約６０容積％の所望の金属粉末が液体低粘度ポリマーと混合され得る。次いで、吸光性複合組成物は間隙９６にキャストされる。キャストした後に、吸光性複合材層８６を硬化させることができる。

当業者は、他の方法を用いて二層反射体８８の間に吸光性複合材層８６を堆積させ得ることを認められよう。例えば、金属粒子を熱可塑性ポリマー・コーティングのような接着性結着剤でコーティングすることができる。次いで、コーティングされた金属粒子を少量のアルコールのような溶剤と共に間隙９６にキャストする。次いで、溶剤を蒸発させて、得られる乾燥した材料を加熱して熱可塑性コーティングを溶融させ、これにより金属粒子を互いに結着させる。もう一つの方法は、金属粒子をタングステン又は低温はんだフィルムによってコーティングすることを含んでいる。次いで、組成物が間隙にキャストされた後にはんだフィルムを溶融させる。吸光性複合材が所望の方法によって堆積された後に、シンチレータ・アレイの上面を研削又はミリングして、あらゆる余分な吸光性複合材及び二層反射体材料を除去する。

一旦、二層反射体８８の間に介在して配設された吸光性複合材層８６が硬化したら、段階２０５においてシンチレータ・アレイ５６を切削して最終的な所望の寸法にする。加えて、シンチレータ基材の底部９９を切削し又は研削して、余分なシンチレータを除去して、最終的な所望の厚みを達成する。例えば、製造されているシンチレータの形式に依存して、最終的な厚みは約１．５ｍｍ〜約３ｍｍにわたる。次いで、切削された表面を、周知のＣＴ検出器製造組立に従ってフォトダイオードに光学的に結合することができる。

また、このシンチレータ・アレイを含む検出器アレイが提供される。図３及び図４に示すように、検出器アレイ１８は、シンチレータ・アレイ５６を形成する複数のシンチレータ５７を含んでいる。コリメータ（図示されていない）がシンチレータ・アレイ５６の上に配置されて、Ｘ線ビーム１６がシンチレータ・アレイ５６に入射する前にかかるビーム１６をコリメートする。

図３は、一実施形態に従ってシンチレータ・アレイを組み入れた検出器アレイを示す。図３に示すように、検出器アレイ１８は５７個の検出器２０を含んでおり、各々の検出器２０が１６×１６のアレイ寸法を有する。結果として、アレイ１８は１６列の横列及び９１２列の縦列（１６×５７個の検出器）を有し、これにより検出器アレイ１８の各々の回転によって１６枚の同時データ・スライスを収集することが可能である。図４は、１個の検出器２０を示す。図４の切断詳細図に示すように、フォトダイオード６０が実質的に平坦なアレイとして、典型的には単一のシリコン・ウェーハから形成される。シンチレータ・アレイ５６が光学的に透明な接着剤（図示されていない）によってフォトダイオード６０に配置されて接着され、シンチレータ５７のコーティングされていない面がフォトダイオード６０の整合アレイに直接対面して整列させられる。この態様で、シンチレータ５７の各々の内部で発生される光が、対応するフォトダイオード６０に伝達される。尚、各々の検出器２０は直角プリズムの近似的な幾何学的構成を有し、すなわち平行な直交する平坦面の対を有することを特記しておく。

図３は、検出器アレイ１８を示す。検出器アレイの彎曲した幾何学的構成を形成するために、複数の検出器２０は各々、検出器フレーム７７によって画定される円弧の隣り合う弦として検出器フレーム７７に固定される。図３に示すように、検出器２０は、大きい曲率半径を有する検出器フレームの面（すなわち、図３に示すようなフレームの裏面）に装着される。

図４に示すスイッチ・アレイ８０及び８２は、シンチレータ・アレイ５６と、シンチレータ・アレイ５６に対して配設されて動作するデータ取得システム（図示されていない）との間に結合される多次元半導体アレイである。スイッチ・アレイ８０及び８２は、多次元アレイとして構成された複数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（図示されていない）を含んでいる。ＦＥＴアレイは、それぞれのフォトダイオード６０の各々に接続される多数の電気導線と、可撓性電気インタフェイス８４を介してデータ取得システムに電気的に接続される多数の出力導線とを含んでいる。さらに具体的には、フォトダイオード出力の約半数がスイッチ・アレイ８０に電気的に接続され、フォトダイオード出力の残り半数がスイッチ・アレイ８２に電気的に接続される。加えて、二層反射体層（図３及び図４には示されていない）が、隣接するシンチレータから散乱する光を減少させるように各々のシンチレータ５７の間に介設されている。各々の検出器２０は、装着ブラケット７９によって図３の検出器フレーム７７に固定される。

スイッチ・アレイ８０及び８２はさらに、スライスの所望の数及び各々のスライスのスライス分解能に従ってフォトダイオード出力をイネーブルにしたり、ディスエーブルにしたり、結合したりするデコーダ（図示されていない）を含んでいる。幾つかの実施形態では、デコーダは、当技術分野で公知のデコーダ・チップ又はＦＥＴコントローラであってよい。デコーダはまた、スイッチ・アレイ８０及び８２、並びにデータ取得システムに結合された複数の出力線及び制御線を含んでいる。１６スライス・モードとして画定される一実施形態では、デコーダはスイッチ・アレイ８０及び８２をイネーブルにしてフォトダイオード・アレイ５２の全ての横列を作動させ、１６枚の同時データ・スライスを生じてデータ取得システムによって処理する。言うまでもなく、他の多くのスライスの組み合わせが可能である。例えば、デコーダは、１スライス・モード、２スライス・モード及び４スライス・モードを含めた他のスライス・モードから選択され得る。

当業者は、本開示が基礎としている概念を、本発明の幾つかの目的を果たす他の構造、方法、及び／又はシステムを設計する基礎として容易に用い得ることを認められよう。従って、特許請求の範囲は、本発明の主旨及び範囲から逸脱しない限りにおいてかかる均等構成を包含するものと看做されることが重要である。

本書に記載される主題の開示される実施形態を図面に示し、また幾つかの実施形態の例と関連する特徴及び詳細によって上で十分に説明したが、当業者には、本書に記載される新規の教示、原理及び概念、並びに特許請求の範囲に記載される主題の利点から実質的に逸脱することなく、多くの改変、変形、及び省略が可能であることが明らかであろう。故に、開示される新規技術の固有の範囲は、全てのかかる改変、変形、及び省略を包含するように特許請求の範囲の最も広い解釈によってのみ決定されるものとする。加えて、あらゆる工程又は方法ステップの序列又は順序は様々であってよく、代替的な実施形態に従って並べ替えられてよい。

１６：Ｘ線ビーム
１８：検出器アレイ
２０：検出器
５２：フォトダイオード・アレイ
５６：シンチレータ・アレイ
５７：シンチレータ
６０：フォトダイオード
７７：検出器フレーム
７９：装着ブラケット
８０、８２：スイッチ・アレイ
８３：反射ユニット
８４：可撓性電気ンタフェイス
８６：複合材層
８７：平滑化層
８８：二層反射体
８９：鏡面層
９０：上面反射層
９１：不動態化層
９４：シンチレータ基材
９６：間隙
９９：底部
２０１：シンチレータ基材の形成段階
２０２：ピクセル形成段階
２０３：二層反射体をシンチレータ及び間隙にキャストする段階
２０４：吸光性複合材層を各々の間隙に堆積させる段階
２０５：シンチレータ・アレイを切削して最終的な所望の寸法にする段階

Claims (10)

1. 複数のシンチレータ（５７）を有するシンチレータ・アレイ（５６）であって、
   少なくとも２個の隣り合ったシンチレータ（５７）の間に介在して配設される二層反射体（８８）
   をさらに含んでおり、該二層反射体（８８）は形状適応性平滑化層（８７）と鏡面層（８９）とを含んでおり、該鏡面層はアルミニウムを含んでいる、シンチレータ・アレイ（５６）。
2. 一対の二層反射体の間に配設される吸光性複合材をさらに含んでいる請求項１に記載のシンチレータ・アレイ。
3. 前記鏡面層はアルミニウム金属を含んでいる、請求項１に記載のシンチレータ・アレイ。
4. 前記アルミニウム金属は５００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲において最低９０％の反射率を与える、請求項３に記載のシンチレータ・アレイ。
5. 複数のシンチレータ（５７）を有するシンチレータ・アレイ（５６）であって、
   少なくとも２個の隣り合ったシンチレータ（５７）の間に介在して配設される二層反射体（８８）
   をさらに含んでおり、該二層反射体（８８）は形状適応性平滑化層（８７）と鏡面層（８９）とを含んでおり、前記二層反射体（８８）は介在する還元剤又は接着材層を含まない、シンチレータ・アレイ（５６）。
6. 前記鏡面層は銀、金、銅、ロジウム、マグネシウム、アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含んでいる、請求項５に記載のシンチレータ・アレイ。
7. 複数の三次元シンチレータ（５７）に二層反射体（８８）を形成する方法であって、
   前記三次元シンチレータ（５７）に形状適応性平滑化層（８７）を施工するステップと、
   該形状適応性平滑化層（８７）に鏡面層（８９）を直接施工するステップと
   を備えた方法。
8. 前記鏡面層は気相金属化を用いて施工される、請求項７に記載の方法。
9. 複数のシンチレータ（５７）を有するシンチレータ・アレイ（５６）であって、少なくとも２個の隣り合ったシンチレータ（５７）の間に介在して配設される二層反射体（８８）をさらに含んでおり、該二層反射体（８８）は形状適応性平滑化層（８７）と鏡面層（８９）とを含んでおり、該鏡面層（８９）はアルミニウムを含んでいる、シンチレータ・アレイ（５６）と、
   複数の検出器（２０）と
   を備えた検出器アレイ（１８）。
10. 複数のスイッチ・アレイをさらに含んでいる請求項９に記載の検出器アレイ。