JP2001099941A - 放射線遮蔽板、放射線検出器及び放射線遮蔽板の製造方法 - Google Patents
放射線遮蔽板、放射線検出器及び放射線遮蔽板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線遮蔽能力が高く加工の容易なセラミッ
クス焼結体を放射線検出器の放射線遮蔽板として用い
る。 【解決手段】 このセラミックス焼結体は９０％以上の
放射線遮蔽能力があり、好ましくは高光反射能力を持
つ。このセラミックス焼結体はＧｄ酸化物などの希土類
金属酸化物とＮｂ酸化物などの酸化物及び焼結助剤とし
てアルカリ土類金属酸化物を含む。放射線ＣＴ用の放射
線検出器でこのセラミックスはＭｏ，Ｗなどに代えて放
射線遮蔽板として用いることができるとともに、酸化チ
タンなどに代えて反射材としての役も果たすことができ
る。
クス焼結体を放射線検出器の放射線遮蔽板として用い
る。 【解決手段】 このセラミックス焼結体は９０％以上の
放射線遮蔽能力があり、好ましくは高光反射能力を持
つ。このセラミックス焼結体はＧｄ酸化物などの希土類
金属酸化物とＮｂ酸化物などの酸化物及び焼結助剤とし
てアルカリ土類金属酸化物を含む。放射線ＣＴ用の放射
線検出器でこのセラミックスはＭｏ，Ｗなどに代えて放
射線遮蔽板として用いることができるとともに、酸化チ
タンなどに代えて反射材としての役も果たすことができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放射線検出器及びそ
れに用いられる放射線遮蔽板に関し、特にＸ線、γ線な
どの放射線を使うコンピュータ断層撮影（ＣＴ）装置等
に使用される放射線検出器及びそれに用いるのに適した
セラミックス放射線遮蔽板及びそれの製造方法に関す
る。
れに用いられる放射線遮蔽板に関し、特にＸ線、γ線な
どの放射線を使うコンピュータ断層撮影（ＣＴ）装置等
に使用される放射線検出器及びそれに用いるのに適した
セラミックス放射線遮蔽板及びそれの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】放射線ＣＴ装置では、被撮影体に関して
放射線源（例えばＸ線管）と対称の位置に多数の放射線
検出器を隣り合わせて並べて各検出器の位置での放射線
強度を測定して、被撮影体の内部構造を観察するように
なっている。隣り合って並べられた各放射線検出器は各
画素に相当するものなので、出来るだけ小さく作るとと
もに隣の検出器との間隔を狭くして、解像度、分解能を
上げるように作られている。
放射線源（例えばＸ線管）と対称の位置に多数の放射線
検出器を隣り合わせて並べて各検出器の位置での放射線
強度を測定して、被撮影体の内部構造を観察するように
なっている。隣り合って並べられた各放射線検出器は各
画素に相当するものなので、出来るだけ小さく作るとと
もに隣の検出器との間隔を狭くして、解像度、分解能を
上げるように作られている。
【０００３】放射線検出器は、放射線シンチレータと半
導体光検出素子とを積層した構造をしており、シンチレ
ータが放射線源側に開口してＸ線などの放射線をシンチ
レータで受けるようになっている。シンチレータはＣｄ
ＷＯ4 、Ｂｉ4 Ｇｅ3 Ｏ12、Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｐｒ（Ｃ
ｅ，Ｆ）などで作られていて放射線が入射すると可視光
を発生する。この可視光をシンチレータの裏に付けられ
た半導体光検出素子に入射させて電気信号に変換する。
あるシンチレータに入射した放射線がそのシンチレータ
を通過して隣にあるシンチレータに再度入射するといわ
ゆるクロストークと呼ばれる現象が生じて分解能が低下
するので、シンチレータの間には放射線が通過しないよ
うにＭｏ、Ｗ、Ｐｂなどの金属板で作られた遮蔽板が設
けられている。
導体光検出素子とを積層した構造をしており、シンチレ
ータが放射線源側に開口してＸ線などの放射線をシンチ
レータで受けるようになっている。シンチレータはＣｄ
ＷＯ4 、Ｂｉ4 Ｇｅ3 Ｏ12、Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｐｒ（Ｃ
ｅ，Ｆ）などで作られていて放射線が入射すると可視光
を発生する。この可視光をシンチレータの裏に付けられ
た半導体光検出素子に入射させて電気信号に変換する。
あるシンチレータに入射した放射線がそのシンチレータ
を通過して隣にあるシンチレータに再度入射するといわ
ゆるクロストークと呼ばれる現象が生じて分解能が低下
するので、シンチレータの間には放射線が通過しないよ
うにＭｏ、Ｗ、Ｐｂなどの金属板で作られた遮蔽板が設
けられている。
【０００４】また、シンチレータで発生した可視光は全
立体角の方向に発生するがシンチレータの裏に付けられ
た半導体光検出素子に導かれる必要がある。そこで、シ
ンチレータは、その半導体光検出素子と対向している面
を除いて光反射性のよいもので周囲が覆われている構造
をしている。シンチレータとシンチレータとが隣り合っ
ている面は、特に大きいので、この隣接面間に白色塗料
を塗布したり、白色塗料をＭｏなどの遮蔽板の上に付け
たものをシンチレータ間に入れることも行われている。
この白色塗料としては酸化チタンをエポキシ系などの樹
脂で混練したものが使用されることが多い。
立体角の方向に発生するがシンチレータの裏に付けられ
た半導体光検出素子に導かれる必要がある。そこで、シ
ンチレータは、その半導体光検出素子と対向している面
を除いて光反射性のよいもので周囲が覆われている構造
をしている。シンチレータとシンチレータとが隣り合っ
ている面は、特に大きいので、この隣接面間に白色塗料
を塗布したり、白色塗料をＭｏなどの遮蔽板の上に付け
たものをシンチレータ間に入れることも行われている。
この白色塗料としては酸化チタンをエポキシ系などの樹
脂で混練したものが使用されることが多い。
【０００５】このために、放射線検出器では、Ｍｏなど
で作られた放射線遮蔽板の両面に酸化チタンなどを樹脂
で固めた光反射板（あるいは膜）を付けたもの（セパレ
ータなどと呼ばれることがある）をシンチレータ間に介
装させた構造とすることが多い。
で作られた放射線遮蔽板の両面に酸化チタンなどを樹脂
で固めた光反射板（あるいは膜）を付けたもの（セパレ
ータなどと呼ばれることがある）をシンチレータ間に介
装させた構造とすることが多い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＭｏやＷ、Ｐｂなどで
放射線遮蔽板を作るには５０〜１００μｍ程度の厚さに
Ｍｏ、Ｗ、Ｐｂなどの板を加工する必要があるが、鉄や
アルミニウム等の金属に比べ軟らかかったり硬かったり
と、これらの材料は極めて加工が困難なために、正確な
厚さにするのが困難である。そのために、各シンチレー
タ間のピッチ寸法に狂いが生じることがある。
放射線遮蔽板を作るには５０〜１００μｍ程度の厚さに
Ｍｏ、Ｗ、Ｐｂなどの板を加工する必要があるが、鉄や
アルミニウム等の金属に比べ軟らかかったり硬かったり
と、これらの材料は極めて加工が困難なために、正確な
厚さにするのが困難である。そのために、各シンチレー
タ間のピッチ寸法に狂いが生じることがある。
【０００７】また、ＭｏやＷ、Ｐｂなどの放射線遮蔽板
とシンチレータとを交互に積み重ねたものを、その放射
線受光面と光放出面とをラッピングなどで加工する。こ
の研磨時に、シンチレータは加工されやすく、放射線遮
蔽板は加工されにくいために、遮蔽板がシンチレータか
ら突出して残ってしまう。この積層したものを、半導体
光検出素子に装着すると、突出したＭｏやＷ、Ｐｂなど
で光検出素子面を傷つけることがあった。
とシンチレータとを交互に積み重ねたものを、その放射
線受光面と光放出面とをラッピングなどで加工する。こ
の研磨時に、シンチレータは加工されやすく、放射線遮
蔽板は加工されにくいために、遮蔽板がシンチレータか
ら突出して残ってしまう。この積層したものを、半導体
光検出素子に装着すると、突出したＭｏやＷ、Ｐｂなど
で光検出素子面を傷つけることがあった。
【０００８】酸化チタンと樹脂からなる光反射板（ある
いは膜）を用いる場合には更に別の問題が生じていた。
光反射板を作る際に８０℃程度に加熱するが、この加熱
によってエポキシ系などの樹脂が変色して、光反射板の
反射率が低下したり、その加工時に研削液、砥粒等によ
って、その表面に傷が付いたり、汚染が生じたりして、
局部的な反射率の低下を発生することがあった。
いは膜）を用いる場合には更に別の問題が生じていた。
光反射板を作る際に８０℃程度に加熱するが、この加熱
によってエポキシ系などの樹脂が変色して、光反射板の
反射率が低下したり、その加工時に研削液、砥粒等によ
って、その表面に傷が付いたり、汚染が生じたりして、
局部的な反射率の低下を発生することがあった。
【０００９】更に、光反射板の加工時にその厚さが均一
にならなかったり、反りが生じたりした。これらのため
に、反射率が変わり、ひいては素子からの出力の変動が
生じていた。
にならなかったり、反りが生じたりした。これらのため
に、反射率が変わり、ひいては素子からの出力の変動が
生じていた。
【００１０】そこで本発明では、ＭｏやＷ、Ｐｂなどに
代えて放射線遮蔽板として用いることのできる、放射線
遮蔽能力が高く、加工の容易なセラミックス焼結体から
なる放射線遮蔽板を提供することを目的としている。
代えて放射線遮蔽板として用いることのできる、放射線
遮蔽能力が高く、加工の容易なセラミックス焼結体から
なる放射線遮蔽板を提供することを目的としている。
【００１１】また本発明では、光反射性能を持ったセラ
ミックス焼結体からなる放射線遮蔽板を提供することを
他の目的としている。
ミックス焼結体からなる放射線遮蔽板を提供することを
他の目的としている。
【００１２】本発明では、それらセラミックス焼結体か
らなる放射線遮蔽板を組み込んだ放射線検出器を提供す
ることを更に他の目的としている。
らなる放射線遮蔽板を組み込んだ放射線検出器を提供す
ることを更に他の目的としている。
【００１３】また、本発明では、それらセラミックス焼
結体からなる放射線遮蔽板の製造方法をも提供すること
を目的としている。
結体からなる放射線遮蔽板の製造方法をも提供すること
を目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による放射線検出
器の正面断面図を図１と２に示している。放射線検出器
では、半導体光検出素子１の上に多数のシンチレータ２
が隣り合って並べられており、シンチレータ２の間に放
射線遮蔽板３が介装している。本発明では、この放射線
遮蔽板３が放射線遮蔽能力を有するセラミックス焼結体
からできている。このセラミックス焼結体の放射線遮蔽
率は９０％以上、好ましくは９５％以上である。図１に
示している放射線検出器では、光反射膜４を放射線遮蔽
板３とシンチレータ２の間に入れている。光反射膜４と
しては、従来から用いられている酸化チタンとエポキシ
系樹脂などとの混合物を塗布することがよい。放射線遮
蔽板３と光反射膜４とを合わせてセパレータと呼ばれて
いる。
器の正面断面図を図１と２に示している。放射線検出器
では、半導体光検出素子１の上に多数のシンチレータ２
が隣り合って並べられており、シンチレータ２の間に放
射線遮蔽板３が介装している。本発明では、この放射線
遮蔽板３が放射線遮蔽能力を有するセラミックス焼結体
からできている。このセラミックス焼結体の放射線遮蔽
率は９０％以上、好ましくは９５％以上である。図１に
示している放射線検出器では、光反射膜４を放射線遮蔽
板３とシンチレータ２の間に入れている。光反射膜４と
しては、従来から用いられている酸化チタンとエポキシ
系樹脂などとの混合物を塗布することがよい。放射線遮
蔽板３と光反射膜４とを合わせてセパレータと呼ばれて
いる。
【００１５】本発明では放射線遮蔽板３として用いるセ
ラミックス焼結体としてはセラミックの焼結性および放
射線遮蔽率の面から、Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂの酸化物のうちの少なくと
も１種類の希土類金属酸化物を合計で０〜５０ｍｏｌ
％、好ましくは３〜３３ｍｏｌ％、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、
Ｓｒの酸化物のうちの少なくとも１種類のアルカリ土類
金属酸化物を合計で０〜３３ｍｏｌ％好ましくは０〜２
８ｍｏｌ％、残部がＶ、Ｔａ、Ｎｂの酸化物の少なくと
も１種類の配合物からなる組成をしているのがよい。
ラミックス焼結体としてはセラミックの焼結性および放
射線遮蔽率の面から、Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂの酸化物のうちの少なくと
も１種類の希土類金属酸化物を合計で０〜５０ｍｏｌ
％、好ましくは３〜３３ｍｏｌ％、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、
Ｓｒの酸化物のうちの少なくとも１種類のアルカリ土類
金属酸化物を合計で０〜３３ｍｏｌ％好ましくは０〜２
８ｍｏｌ％、残部がＶ、Ｔａ、Ｎｂの酸化物の少なくと
も１種類の配合物からなる組成をしているのがよい。
【００１６】図２に示す放射線検出器では、放射線遮蔽
板３が白色セラミックス焼結体からできている。このセ
ラミックス焼結体は、放射線遮蔽能力を持つとともに高
光反射能力を有していて、放射線遮蔽率は９０％以上、
好ましくは９５％以上であり、光反射能力は７０％以
上、好ましくは９０％以上である。この場合、セラミッ
クス焼結体自体が光を反射する性質を持っているので、
別の光反射膜を必要としない。この場合は、放射線遮蔽
板３だけでセパレータと呼ばれる。
板３が白色セラミックス焼結体からできている。このセ
ラミックス焼結体は、放射線遮蔽能力を持つとともに高
光反射能力を有していて、放射線遮蔽率は９０％以上、
好ましくは９５％以上であり、光反射能力は７０％以
上、好ましくは９０％以上である。この場合、セラミッ
クス焼結体自体が光を反射する性質を持っているので、
別の光反射膜を必要としない。この場合は、放射線遮蔽
板３だけでセパレータと呼ばれる。
【００１７】この白色セラミックス焼結体としては、望
ましくは、Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙの酸化物のうちの少な
くとも１種類の希土類金属酸化物を合計で３〜３３ｍｏ
ｌ％、好ましくは５〜３３ｍｏｌ％、Ｃａ、Ｂａ、Ｍ
ｇ、Ｓｒの酸化物のうちの少なくとも１種類のアルカリ
土類金属酸化物を合計で０〜３３ｍｏｌ％、好ましくは
０〜２８ｍｏｌ％、残部がＴａ、Ｎｂの酸化物の少なく
とも１種類の配合物からなる組成をしているのがよい。
ましくは、Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙの酸化物のうちの少な
くとも１種類の希土類金属酸化物を合計で３〜３３ｍｏ
ｌ％、好ましくは５〜３３ｍｏｌ％、Ｃａ、Ｂａ、Ｍ
ｇ、Ｓｒの酸化物のうちの少なくとも１種類のアルカリ
土類金属酸化物を合計で０〜３３ｍｏｌ％、好ましくは
０〜２８ｍｏｌ％、残部がＴａ、Ｎｂの酸化物の少なく
とも１種類の配合物からなる組成をしているのがよい。
【００１８】Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｙｂの酸化物お
よび、Ｖの酸化物のうち少なくとも１種類を含むと白色
のセラミックとはならず、着色してしまうため、放射線
遮蔽の効果は得られるが光反射率が落ちるため反射材と
しての効果が得られないためである。
よび、Ｖの酸化物のうち少なくとも１種類を含むと白色
のセラミックとはならず、着色してしまうため、放射線
遮蔽の効果は得られるが光反射率が落ちるため反射材と
しての効果が得られないためである。
【００１９】本発明ではシンチレータとセパレータとを
隣接して接着しているので、セラミックス焼結体をセパ
レータとして用いる場合にはこれらの間の熱膨張係数差
が２×１０-6／℃以下、好ましくは熱膨張係数差が１×
１０-6／℃以下であるのがよい。
隣接して接着しているので、セラミックス焼結体をセパ
レータとして用いる場合にはこれらの間の熱膨張係数差
が２×１０-6／℃以下、好ましくは熱膨張係数差が１×
１０-6／℃以下であるのがよい。
【００２０】セラミックス焼結体を製造する工程を図３
にブロック図で示しているが、上に述べた組成になるよ
うに希土類酸化物、アルカリ土類金属の酸化物及びＶ、
Ｎｂ、Ｔａの酸化物を秤量して湿式混合する。その後約
１０００℃で１時間大気中にて仮焼を行う。仮焼粉を粉
の粒度が０．８〜１．０μｍ程度になるまで粉砕し、そ
の粉砕粉にバインダー（ＰＶＡ）を混ぜながら造粒す
る。造粒粉をプレス機にて成形ブロックとし、１６００
〜１８００℃大気中にて焼結を行い、更に焼結ブロック
の高密度化のため１４００〜１８００℃で、好ましくは
１５００℃１０００気圧にてＨＩＰ（熱間静水圧プレ
ス）処理を行う。その後、酸素量調整として１０００〜
１３００℃の大気中あるいは酸素中にてアニールを行
う。ここで焼結とＨＩＰ処理に代えて、前記配合物を１
４００〜１８００℃でホットプレスを行うことができ
る。
にブロック図で示しているが、上に述べた組成になるよ
うに希土類酸化物、アルカリ土類金属の酸化物及びＶ、
Ｎｂ、Ｔａの酸化物を秤量して湿式混合する。その後約
１０００℃で１時間大気中にて仮焼を行う。仮焼粉を粉
の粒度が０．８〜１．０μｍ程度になるまで粉砕し、そ
の粉砕粉にバインダー（ＰＶＡ）を混ぜながら造粒す
る。造粒粉をプレス機にて成形ブロックとし、１６００
〜１８００℃大気中にて焼結を行い、更に焼結ブロック
の高密度化のため１４００〜１８００℃で、好ましくは
１５００℃１０００気圧にてＨＩＰ（熱間静水圧プレ
ス）処理を行う。その後、酸素量調整として１０００〜
１３００℃の大気中あるいは酸素中にてアニールを行
う。ここで焼結とＨＩＰ処理に代えて、前記配合物を１
４００〜１８００℃でホットプレスを行うことができ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明を以下に示す実験によって
更に詳しく説明する。
更に詳しく説明する。
【００２２】実験１ 表１のＮｏ．１〜１９に示す組成になるように配合した
ものについて、図３を参照して述べた製造方法に従っ
て、焼結温度１８００℃で大気中焼結し、その後１５０
０℃１０００気圧にてＨＩＰを行ってセラミックス焼結
体を得た。この各焼結体についてＸ線遮蔽率と光反射率
を測定し、それらの測定値とともに焼結性を表１に示し
ている。
ものについて、図３を参照して述べた製造方法に従っ
て、焼結温度１８００℃で大気中焼結し、その後１５０
０℃１０００気圧にてＨＩＰを行ってセラミックス焼結
体を得た。この各焼結体についてＸ線遮蔽率と光反射率
を測定し、それらの測定値とともに焼結性を表１に示し
ている。
【００２３】なお、以下の表１，２，６において各試料
番号について組成元素で表しているが、いずれも酸化物
を意味している。
番号について組成元素で表しているが、いずれも酸化物
を意味している。
【００２４】Ｘ線遮蔽率は図４（ａ）に示すようにシン
チレータ板４１に管電圧３５ＫＶのＸ線を透過させた時
の出力（Ｘ）と、図４（ｂ）に示すようにシンチレータ
板４１の一面に被測定セラミックス焼結体で作った３０
ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍを貼り付けた試料４２
に同じＸ線を透過させた時の出力（Ｙ）から Ｘ線遮蔽率（％）＝（Ｘ−Ｙ）／Ｘ＊１００（％） で求めたものであり、光反射率は３０ｍｍ×２０ｍｍ×
厚さ０．２ｍｍのセラミックス焼結体に５１２ｎｍ波長
の光を照射して、その反射光の強さと入射光の強さとの
比である。この表で焼結性は、その組成における理論密
度と水置換法で測定した密度の比で表している。
チレータ板４１に管電圧３５ＫＶのＸ線を透過させた時
の出力（Ｘ）と、図４（ｂ）に示すようにシンチレータ
板４１の一面に被測定セラミックス焼結体で作った３０
ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍを貼り付けた試料４２
に同じＸ線を透過させた時の出力（Ｙ）から Ｘ線遮蔽率（％）＝（Ｘ−Ｙ）／Ｘ＊１００（％） で求めたものであり、光反射率は３０ｍｍ×２０ｍｍ×
厚さ０．２ｍｍのセラミックス焼結体に５１２ｎｍ波長
の光を照射して、その反射光の強さと入射光の強さとの
比である。この表で焼結性は、その組成における理論密
度と水置換法で測定した密度の比で表している。
【００２５】試料Ｎｏ．１と２は、アルカリ土類金属酸
化物が過剰に含まれているので、焼結体にクラックが多
く発生して、Ｘ線遮蔽率や光反射率の測定ができなかっ
た。Ｎｏ．３〜１９はいずれもＸ線遮蔽率が９０％以上
であったので、これらはＸ線遮蔽用のセラミックスとし
て用いることができるものである。しかし、これらのう
ちアルカリ土類金属酸化物含有量の少ないものや含有し
ていないもの、及び希土類金属酸化物含有量の多いもの
であるＮｏ．１３〜１９の密度は０．９７０〜０．９８
２と低く焼結性が劣っている。
化物が過剰に含まれているので、焼結体にクラックが多
く発生して、Ｘ線遮蔽率や光反射率の測定ができなかっ
た。Ｎｏ．３〜１９はいずれもＸ線遮蔽率が９０％以上
であったので、これらはＸ線遮蔽用のセラミックスとし
て用いることができるものである。しかし、これらのう
ちアルカリ土類金属酸化物含有量の少ないものや含有し
ていないもの、及び希土類金属酸化物含有量の多いもの
であるＮｏ．１３〜１９の密度は０．９７０〜０．９８
２と低く焼結性が劣っている。
【００２６】また希土類金属酸化物含有量を含有してい
ないＮｏ．３の光反射率は７０％以上ではあるが低く、
また密度も０．９８２と比較的低くなっている。
ないＮｏ．３の光反射率は７０％以上ではあるが低く、
また密度も０．９８２と比較的低くなっている。
【００２７】これらのうち、アルカリ土類金属酸化物を
２５％含んでいるものを比較すると、Ｃａの酸化物を２
５％含んでいるＮｏ．５、Ｍｇの酸化物を２５％含んで
いるＮｏ．１０、Ｂａの酸化物を２５％含んでいるＮ
ｏ．１１、Ｓｒの酸化物を２５％含んでいるＮｏ．１２
及びＣａとＭｇの酸化物とを合わせて２５％含んでいる
Ｎｏ．８、９から明らかなように、アルカリ土類金属元
素はいずれも同じ効果が有り、いずれも焼結性を向上さ
せている。
２５％含んでいるものを比較すると、Ｃａの酸化物を２
５％含んでいるＮｏ．５、Ｍｇの酸化物を２５％含んで
いるＮｏ．１０、Ｂａの酸化物を２５％含んでいるＮ
ｏ．１１、Ｓｒの酸化物を２５％含んでいるＮｏ．１２
及びＣａとＭｇの酸化物とを合わせて２５％含んでいる
Ｎｏ．８、９から明らかなように、アルカリ土類金属元
素はいずれも同じ効果が有り、いずれも焼結性を向上さ
せている。
【００２８】また、Ｎｏ．１３と１４、Ｎｏ．１８と１
９を比較して明らかなように、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａの酸化物
は焼結性と放射線遮蔽率に対しては同じ働きをしている
ことがわかる。しかし、Ｎｏ．１８で明らかなように、
Ｖの酸化物を含むと焼結体セラミックスが白色とならず
光反射率が低下してしまうため、Ｖの酸化物を除いたＴ
ａとＮｂの酸化物を用いることがより好ましい。
９を比較して明らかなように、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａの酸化物
は焼結性と放射線遮蔽率に対しては同じ働きをしている
ことがわかる。しかし、Ｎｏ．１８で明らかなように、
Ｖの酸化物を含むと焼結体セラミックスが白色とならず
光反射率が低下してしまうため、Ｖの酸化物を除いたＴ
ａとＮｂの酸化物を用いることがより好ましい。
【００２９】
【表１】
【００３０】実験２ 表１に示した組成のうちＮｏ．１３について、Ｇｄの酸
化物に代えて他の希土類元素酸化物Ｌａ〜Ｙｂの酸化物
を同じ量用いて、実験１と同様な処理を行ってセラミッ
クス焼結体を作製した。その焼結性、Ｘ線遮蔽率及び光
反射率を実験１と同様に評価してその結果を表２に示し
ている。このデータから何れの組成でも焼結ができて、
そのＸ線遮蔽率は同じ程度であり、放射線遮蔽用セラミ
ックスとして用いることができることがわかる。またこ
の結果から、希土類元素は種類が変わっても焼結性と放
射線遮蔽率については、同じ働きをすることが明らかで
ある。しかし、Ｎｏ．２３から２８は光反射率が６０％
以下であるため光反射材としての機能は望めない。希土
類金属酸化物にＧｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙの酸化物を用いる
事により、光反射率の大きい白色セラミック焼結体が得
られた。
化物に代えて他の希土類元素酸化物Ｌａ〜Ｙｂの酸化物
を同じ量用いて、実験１と同様な処理を行ってセラミッ
クス焼結体を作製した。その焼結性、Ｘ線遮蔽率及び光
反射率を実験１と同様に評価してその結果を表２に示し
ている。このデータから何れの組成でも焼結ができて、
そのＸ線遮蔽率は同じ程度であり、放射線遮蔽用セラミ
ックスとして用いることができることがわかる。またこ
の結果から、希土類元素は種類が変わっても焼結性と放
射線遮蔽率については、同じ働きをすることが明らかで
ある。しかし、Ｎｏ．２３から２８は光反射率が６０％
以下であるため光反射材としての機能は望めない。希土
類金属酸化物にＧｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙの酸化物を用いる
事により、光反射率の大きい白色セラミック焼結体が得
られた。
【００３１】
【表２】
【００３２】実験３ 表１に示す組成のうちＮｏ．３〜１６、１８にあるセラ
ミックスを用いて図１に示す放射線検出器を作った。シ
ンチレータ間に挿入するセパレータとして各セラミック
ス焼結体の厚さを０．１ｍｍとし、その両面に酸化チタ
ンを樹脂で混練して作製した０．０５ｍｍ厚の光反射膜
を付けた。また、比較例としては、０．１ｍｍ厚のＭｏ
板を用い、光反射膜は同様に酸化チタンと樹脂からなる
０．０５ｍｍ厚のものを用いた。光放出面をラップした
時の放射線遮蔽板３のシンチレータ２面からの突出量と
検出器不良率を表３に示している。試料番号は以下の説
明において、表１，２に示す組成の試料番号を用いるも
のとする。ここで突出量とは、図５に示すように、ホワ
イトアランダム砥粒＃２５００にて光放出面をラップし
た時に放射線遮蔽板３が突出して残っている量をμｍで
示している。検出器不良とは、放射線遮蔽板の突出によ
って半導体光検出素子に傷が付いて、出力電流が発生し
なかったり、暗電流が大きくなったりしたものを言う。
ミックスを用いて図１に示す放射線検出器を作った。シ
ンチレータ間に挿入するセパレータとして各セラミック
ス焼結体の厚さを０．１ｍｍとし、その両面に酸化チタ
ンを樹脂で混練して作製した０．０５ｍｍ厚の光反射膜
を付けた。また、比較例としては、０．１ｍｍ厚のＭｏ
板を用い、光反射膜は同様に酸化チタンと樹脂からなる
０．０５ｍｍ厚のものを用いた。光放出面をラップした
時の放射線遮蔽板３のシンチレータ２面からの突出量と
検出器不良率を表３に示している。試料番号は以下の説
明において、表１，２に示す組成の試料番号を用いるも
のとする。ここで突出量とは、図５に示すように、ホワ
イトアランダム砥粒＃２５００にて光放出面をラップし
た時に放射線遮蔽板３が突出して残っている量をμｍで
示している。検出器不良とは、放射線遮蔽板の突出によ
って半導体光検出素子に傷が付いて、出力電流が発生し
なかったり、暗電流が大きくなったりしたものを言う。
【００３３】
【表３】
【００３４】本発明の放射線遮蔽板を用いた場合、放射
線遮蔽板の突出量が２．０μｍ以下となるとともに、検
出器不良率も極めて小さくなった。シンチレータ材と本
発明の放射線遮蔽板はともに焼結セラミックであり、硬
度や研磨速度、研磨性が似通っているため、比較例の様
な焼結セラミックシンチレータ材と金属板の組合せに比
べ、突出量が小さく出来るものと考えられる。
線遮蔽板の突出量が２．０μｍ以下となるとともに、検
出器不良率も極めて小さくなった。シンチレータ材と本
発明の放射線遮蔽板はともに焼結セラミックであり、硬
度や研磨速度、研磨性が似通っているため、比較例の様
な焼結セラミックシンチレータ材と金属板の組合せに比
べ、突出量が小さく出来るものと考えられる。
【００３５】実験４ 表１、２に示す組成のうち、Ｎｏ．５〜１６及びＮｏ．
２０、２１のセラミックスを用いて図２に示す１６チャ
ネルの放射線検出器を作った。シンチレータ間に挿入す
るセパレータとして各セラミックス焼結体の厚さを０．
２ｍｍとして、酸化チタンの光反射膜を用いなかった。
比較例としては、実験３で用いたものと同じものを用い
た。これらの放射線検出器の出力比、素子間バラツキ、
クロストークを測定した結果を表４に示している。
２０、２１のセラミックスを用いて図２に示す１６チャ
ネルの放射線検出器を作った。シンチレータ間に挿入す
るセパレータとして各セラミックス焼結体の厚さを０．
２ｍｍとして、酸化チタンの光反射膜を用いなかった。
比較例としては、実験３で用いたものと同じものを用い
た。これらの放射線検出器の出力比、素子間バラツキ、
クロストークを測定した結果を表４に示している。
【００３６】
【表４】
【００３７】出力比は管電圧１２０ＫＶのＸ線を放射線
検出器に照射した時の各シンチレータ当りの出力を比較
例の放射線検出器の出力と比較したものである。素子間
バラツキは、同じＸ線を放射線検出器に照射した時の出
力から次式 素子間バラツキ＝（最高素子出力−最低素子出力）／最
高素子出力＊１００（％） で求めたものである。クロストークは図６に示すよう
に、ある一つのシンチレータ２の受光窓を残してその周
りにあるシンチレータ２の受光窓をＸ線の透過しない程
度の厚さをしているＰｂ板６で塞いで、受光窓の開いた
シンチレータの出力の大きさと、その周辺にあるシンチ
レータの出力の比を次式で求めたものである。
検出器に照射した時の各シンチレータ当りの出力を比較
例の放射線検出器の出力と比較したものである。素子間
バラツキは、同じＸ線を放射線検出器に照射した時の出
力から次式 素子間バラツキ＝（最高素子出力−最低素子出力）／最
高素子出力＊１００（％） で求めたものである。クロストークは図６に示すよう
に、ある一つのシンチレータ２の受光窓を残してその周
りにあるシンチレータ２の受光窓をＸ線の透過しない程
度の厚さをしているＰｂ板６で塞いで、受光窓の開いた
シンチレータの出力の大きさと、その周辺にあるシンチ
レータの出力の比を次式で求めたものである。
【００３８】 クロストーク（％）＝（Ｋ＋Ｌ）／２Ｍ＊１００（％） 表４から明らかなように、本発明のセラミックスをセパ
レータとして用いている放射線検出器では、比較例のＭ
ｏ板と酸化チタン（樹脂を含む）を用いているものに比
して、出力が何れも向上するとともに、素子間バラツキ
が小さくなっている。これは、セパレータでの光の吸収
が小さくなって反射量が多いために、光検出部に導かれ
た光が多くなったために出力が大となったと考えられ
る。また、素子間バラツキが比較例の場合の１／２以下
となっているが、これはセパレータ表面での反射率の変
動が少なくなったためであると考えられる。
レータとして用いている放射線検出器では、比較例のＭ
ｏ板と酸化チタン（樹脂を含む）を用いているものに比
して、出力が何れも向上するとともに、素子間バラツキ
が小さくなっている。これは、セパレータでの光の吸収
が小さくなって反射量が多いために、光検出部に導かれ
た光が多くなったために出力が大となったと考えられ
る。また、素子間バラツキが比較例の場合の１／２以下
となっているが、これはセパレータ表面での反射率の変
動が少なくなったためであると考えられる。
【００３９】クロストークはＭｏ板を用いている比較例
の場合とほぼ同じとなっている。これは、本発明のセラ
ミックス焼結体はＭｏと同程度の放射線遮蔽性能を有し
ているためであると考えられる。
の場合とほぼ同じとなっている。これは、本発明のセラ
ミックス焼結体はＭｏと同程度の放射線遮蔽性能を有し
ているためであると考えられる。
【００４０】実験５ 本発明によるセラミックス焼結体（上記表１の組成Ｎ
ｏ．５）と、従来のＭｏ板と酸化チタン（樹脂を含む）
からなるセパレータについて実験１と同様に光反射率を
測定した。試料を８０℃にて所定時間保持してその時間
の経過とともに光反射率を測定した結果を表５に示して
いる。
ｏ．５）と、従来のＭｏ板と酸化チタン（樹脂を含む）
からなるセパレータについて実験１と同様に光反射率を
測定した。試料を８０℃にて所定時間保持してその時間
の経過とともに光反射率を測定した結果を表５に示して
いる。
【００４１】
【表５】
【００４２】表５から明らかなように、比較例では加熱
前の光反射率９６％が保持時間とともに低下して、１０
００時間では９０％まで低下している。これに反し、本
発明のセラミックス焼結体では反射率９８％で安定して
いる。比較例のものはエポキシ樹脂の変色が生じたが、
本発明のセラミックスは変色等が生じていないためと考
えられる。
前の光反射率９６％が保持時間とともに低下して、１０
００時間では９０％まで低下している。これに反し、本
発明のセラミックス焼結体では反射率９８％で安定して
いる。比較例のものはエポキシ樹脂の変色が生じたが、
本発明のセラミックスは変色等が生じていないためと考
えられる。
【００４３】実験６ 本発明によるセラミックス焼結体（上記表１の組成Ｎ
ｏ．５，６，１６）をシンチレータに付けて図１に示す
放射線検出器としたもの及びＭｏ板と酸化チタン（樹脂
を含む）からなるセパレータについて同様に比較例の放
射線検出器としたものについて、その剥がれ不良率をそ
の熱膨張係数とともに表６に示す。
ｏ．５，６，１６）をシンチレータに付けて図１に示す
放射線検出器としたもの及びＭｏ板と酸化チタン（樹脂
を含む）からなるセパレータについて同様に比較例の放
射線検出器としたものについて、その剥がれ不良率をそ
の熱膨張係数とともに表６に示す。
【００４４】
【表６】
【００４５】本発明のセラミックス焼結体を用いたもの
はいずれも、Ｍｏを用いた比較例と比べて剥がれ不良率
が小さくなっており、そのなかでも熱膨張係数がシンチ
レータ素子とほとんど差のないＮｏ．１６セラミックス
を用いている場合は剥がれ不良が発生していない。
はいずれも、Ｍｏを用いた比較例と比べて剥がれ不良率
が小さくなっており、そのなかでも熱膨張係数がシンチ
レータ素子とほとんど差のないＮｏ．１６セラミックス
を用いている場合は剥がれ不良が発生していない。
【００４６】以上のデータから、熱膨張係数差が２×１
０-6／℃以下では不良率が小さくなり、熱膨張係数差が
１×１０-6／℃以下になると不良率が０．１％以下とな
っているといえる。
０-6／℃以下では不良率が小さくなり、熱膨張係数差が
１×１０-6／℃以下になると不良率が０．１％以下とな
っているといえる。
【００４７】実験７ ここでは製造条件を確立するために、図３に示す製造フ
ローチャートの内、焼結温度、ホットプレス温度、アニ
ール温度を変えて焼結性、密度、Ｘ線遮蔽率等を測定し
た結果を以下に示す。扱った試料は何れも表１のＮｏ．
１３に示す組成のものである。
ローチャートの内、焼結温度、ホットプレス温度、アニ
ール温度を変えて焼結性、密度、Ｘ線遮蔽率等を測定し
た結果を以下に示す。扱った試料は何れも表１のＮｏ．
１３に示す組成のものである。
【００４８】まず、焼結温度１５００〜１８００℃で焼
結し、その後１５００℃１０００気圧でＨＩＰを行なっ
たものについてＸ線遮蔽率を測定した。なお、ＨＩＰ温
度は焼結温度の２００〜３００℃低い温度で通常行うも
のなので、１５００℃に設定している。その結果を表７
に示す。１５００℃で焼結したものは、ボイドが多く焼
結性が良くなかった。また１５００℃で焼結したものは
ＨＩＰができない状態でＸ線遮蔽率の評価もできなかっ
た。これに対し１６００〜１８００℃で焼結したものは
焼結性が良くＨＩＰをすると密度が高くなり、Ｘ線遮蔽
率も十分大であった。このことから焼結温度は１６００
〜１８００℃がよいといえる。
結し、その後１５００℃１０００気圧でＨＩＰを行なっ
たものについてＸ線遮蔽率を測定した。なお、ＨＩＰ温
度は焼結温度の２００〜３００℃低い温度で通常行うも
のなので、１５００℃に設定している。その結果を表７
に示す。１５００℃で焼結したものは、ボイドが多く焼
結性が良くなかった。また１５００℃で焼結したものは
ＨＩＰができない状態でＸ線遮蔽率の評価もできなかっ
た。これに対し１６００〜１８００℃で焼結したものは
焼結性が良くＨＩＰをすると密度が高くなり、Ｘ線遮蔽
率も十分大であった。このことから焼結温度は１６００
〜１８００℃がよいといえる。
【００４９】
【表７】
【００５０】上記の常圧焼結に続けてＨＩＰをするプロ
セスに代えて、ホットプレスによる焼結を行なった。ホ
ットプレスの焼結温度を１３００〜１８００℃としたも
のについて、焼結性、密度、Ｘ線遮蔽率を測定した結果
を表８に示す。１３００℃でホットプレスをしたものは
ボイドが多く、密度が低いものであったが、１４００〜
１８００℃でホットプレスをしたものは理論密度比９８
％以上となりボイドも少なかった。
セスに代えて、ホットプレスによる焼結を行なった。ホ
ットプレスの焼結温度を１３００〜１８００℃としたも
のについて、焼結性、密度、Ｘ線遮蔽率を測定した結果
を表８に示す。１３００℃でホットプレスをしたものは
ボイドが多く、密度が低いものであったが、１４００〜
１８００℃でホットプレスをしたものは理論密度比９８
％以上となりボイドも少なかった。
【００５１】
【表８】
【００５２】次に、常圧焼結を１６００℃、ＨＩＰを１
６００℃１０００気圧で行なった試料について、９００
〜１４００℃と温度を変えてアニールを行なった。アニ
ール後の密度とクラックの様子を表９に示す。なお、Ｈ
ＩＰ後の密度は０．９８であった。この結果から１００
０℃未満のアニールでは酸素欠損による格子歪みが取り
きれず、加工中にクラックが発生した。１４００℃以上
のアニールでは、ボイドが成長し、密度が低くなった。
この結果からアニールは１０００〜１３００℃がよい。
６００℃１０００気圧で行なった試料について、９００
〜１４００℃と温度を変えてアニールを行なった。アニ
ール後の密度とクラックの様子を表９に示す。なお、Ｈ
ＩＰ後の密度は０．９８であった。この結果から１００
０℃未満のアニールでは酸素欠損による格子歪みが取り
きれず、加工中にクラックが発生した。１４００℃以上
のアニールでは、ボイドが成長し、密度が低くなった。
この結果からアニールは１０００〜１３００℃がよい。
【００５３】
【表９】
【００５４】
【発明の効果】以上詳しく説明したように本発明のセラ
ミックス焼結体は優れた放射線遮蔽性能を示し、半導体
光検出器との組立時に半導体光検出器への傷付きも少な
く高歩留まりで組立でき、放射線ＣＴなどの放射線検出
器に用いることができる。また、本発明のセラミックス
焼結体は白色で優れた光反射性能をも有していて、放射
線検出器のセパレータとして用いた時に別の光反射板
（あるいは膜）を用いる必要がない。
ミックス焼結体は優れた放射線遮蔽性能を示し、半導体
光検出器との組立時に半導体光検出器への傷付きも少な
く高歩留まりで組立でき、放射線ＣＴなどの放射線検出
器に用いることができる。また、本発明のセラミックス
焼結体は白色で優れた光反射性能をも有していて、放射
線検出器のセパレータとして用いた時に別の光反射板
（あるいは膜）を用いる必要がない。
【図１】本発明の放射線検出器の正面断面図である。
【図２】本発明の他の放射線検出器の正面断面図であ
る。
る。
【図３】本発明のセラミックス焼結体を製造する工程を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図４】Ｘ線遮蔽率を測定する方法を説明する図であ
る。
る。
【図５】突出量を測定する方法を説明する図である。
【図６】クロストークを測定する方法を説明する図であ
る。
る。
１ 半導体光検出素子 ２，４１ シンチレータ（板） ３ 放射線遮蔽板 ４ 光反射膜（板） ４２ 試料 ６ Ｐｂ板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/69 ＣＰＢ Ｃ０９Ｋ 11/69 ＣＰＢ 11/78 ＣＰＢ 11/78 ＣＰＢ // Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｈ (72)発明者 古市 眞治 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品事業部内 (72)発明者 佐々木 岳夫 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品事業部内 Ｆターム(参考） 2G088 EE02 FF02 GG13 GG16 GG20 JJ15 JJ18 JJ29 4G030 AA07 AA08 AA09 AA10 AA11 AA12 AA13 AA20 AA21 AA34 BA24 BA36 GA25 GA27 GA29 4H001 CA01 CA08 CC03 CC04 CC15
Claims (12)
- 【請求項１】 放射線遮蔽能力を有するセラミックス焼
結体であることを特徴とする放射線遮蔽板。 - 【請求項２】 放射線遮蔽能力及び高光反射能力を有す
る白色セラミックス焼結体であることを特徴とする放射
線遮蔽板。 - 【請求項３】 Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐ
ｒ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂの酸化物のうちの少なくとも１種
類の希土類金属酸化物を合計で0 〜50mol%、Ｃａ、Ｂ
ａ、Ｍｇ、Ｓｒの酸化物のうちの少なくとも１種類のア
ルカリ土類金属酸化物を合計で0 〜33mol%、残部がＶ、
Ｔａ、Ｎｂの酸化物の少なくとも１種類の配合物からな
るセラミックス焼結体であることを特徴とする放射線遮
蔽板。 - 【請求項４】 Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐ
ｒ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂの酸化物のうちの少なくとも１種
類の希土類金属酸化物を合計で３〜３３mol%、Ｃａ、Ｂ
ａ、Ｍｇ、Ｓｒの酸化物のうちの少なくとも１種類のア
ルカリ土類金属酸化物を合計で０〜２８mol%、残部が
Ｖ、Ｔａ、Ｎｂの酸化物の少なくとも１種類の配合物か
らなるセラミックス焼結体であることを特徴とする放射
線遮蔽板。 - 【請求項５】 Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙの酸化物のうちの
少なくとも１種類の希土類金属酸化物を合計で3 〜33mo
l%、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｓｒの酸化物のうちの少なくと
も１種類のアルカリ土類金属酸化物を合計で0 〜33mol
%、残部がＴａ、Ｎｂの酸化物の少なくとも１種類の配
合物からなる白色セラミックス焼結体であることを特徴
とする放射線遮蔽板。 - 【請求項６】 Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙの酸化物のうちの
少なくとも１種類の希土類金属酸化物を合計で５〜33mo
l%、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｓｒの酸化物のうちの少なくと
も１種類のアルカリ土類金属酸化物を合計で0 〜２８mo
l%、残部がＴａ、Ｎｂの酸化物の少なくとも１種類の配
合物からなる白色セラミックス焼結体であることを特徴
とする放射線遮蔽板。 - 【請求項７】 シンチレータと放射線遮蔽板、反射材を
積層したものもしくはシンチレータ材と反射材機能を有
する放射線遮蔽板を積層し、半導体光検出素子に接合し
た放射線検出器において、隣り合ったシンチレータの間
に請求項１〜６何れかに記載の放射線遮蔽板を介装して
いることを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項８】 請求項７に記載の検出器において半導体
光検出素子側への放射線遮蔽板の突出量が２μm 以下で
あることを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項９】 請求項７あるいは８に記載の検出器にお
いて、放射線遮蔽板とシンチレータ間の熱膨張係数差が
２×１０-6／℃以下であることを特徴とする放射線検出
器。 - 【請求項１０】 Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｎｄ、
Ｐｒ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂの酸化物のうちの少なくとも１
種類の希土類金属酸化物を合計で0 〜50mol%、Ｃａ、Ｂ
ａ、Ｍｇ、Ｓｒの酸化物のうちの少なくとも１種類のア
ルカリ土類金属酸化物を合計で0 〜33mol%、残部がＶ、
Ｔａ、Ｎｂの酸化物の少なくとも１種類を含有する配合
物を、大気中若しくは酸素中で焼結しその焼結体を１４
００〜１８００℃でＨＩＰ（熱間静水圧プレス）を行う
か、あるいは前記配合物を１４００〜１８００℃で真空
中にてホットプレスを行って、セラミックス焼結体を得
ることを特徴とする放射線遮蔽板の製造方法。 - 【請求項１１】 Ｇｄ、Ｌａ、Ｇａ、Ｙの酸化物のうち
の少なくとも１種類の希土類金属酸化物を合計で3 〜33
mol%、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｓｒの酸化物のうちの少なく
とも１種類のアルカリ土類金属酸化物を合計で0 〜33mo
l%、残部がＴａ、Ｎｂの酸化物の少なくとも１種類を含
有する配合物を、大気中若しくは酸素中で焼結しその焼
結体を１４００〜１８００℃でＨＩＰ（熱間静水圧プレ
ス）を行うか、あるいは前記配合物を１４００〜１８０
０℃で真空中にてホットプレスを行って、セラミックス
焼結体を得ることを特徴とする放射線遮蔽板の製造方
法。 - 【請求項１２】 請求項１０または１１記載の放射線遮
蔽板の製造方法において、ＨＩＰあるいはホットプレス
を行なった後に更に大気中あるいは酸素中で１０００〜
１３００℃にしてアニールを行ってセラミックス焼結体
を得ることを特徴とする放射線遮蔽板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27785299A JP2001099941A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 放射線遮蔽板、放射線検出器及び放射線遮蔽板の製造方法 |
| US09/588,232 US6495845B1 (en) | 1999-09-30 | 2000-06-06 | Ceramic radiation shield and radiation detector using same |
| DE60016864T DE60016864T2 (de) | 1999-09-30 | 2000-06-30 | Keramischer Strahlungsschild und einen solchen verwendender Strahlungsdetektor |
| EP00305553A EP1089091B1 (en) | 1999-09-30 | 2000-06-30 | Ceramic radiation shield and radiation detector using same |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=17589183
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| EP (1) | EP1089091B1 (ja) |
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| DE (1) | DE60016864T2 (ja) |
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| JP2001220232A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-08-14 | General Electric Co <Ge> | 複合セラミック物品及びその製造法 |
| JP2005201891A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-07-28 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｃｔ検出器用の多層反射体 |
| JP2007514158A (ja) * | 2003-12-09 | 2007-05-31 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｘ線検出器のシールド |
| JP5414933B1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-02-12 | 三石耐火煉瓦株式会社 | 煉瓦、タイル、床板、天井パネル及び屋根材並びにこれらの製造方法 |
| JP2018500549A (ja) * | 2014-11-13 | 2018-01-11 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 最適化された効率を有するピクセル化されたシンチレータ |
| WO2022172506A1 (ja) | 2021-02-15 | 2022-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像処理方法、機械学習方法、学習済みモデル、機械学習の前処理方法、放射線画像処理モジュール、放射線画像処理プログラム、及び放射線画像処理システム |
| WO2023281890A1 (ja) | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像取得装置、放射線画像取得システム、及び放射線画像取得方法 |
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