JPH11174156A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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Abstract
器を複雑にすることなく容易に製造できる放射線検出器
を提供する。 【解決手段】 上記課題は、シンチレータ層12はチャ
ンネル方向において各シンチレータ同士が所定の溝をも
って分離され、スライス厚方向では隣接するシンチレー
タ同士がシンチレータと光電変換素子との対向面側にて
接続部19でつながって形成されることにより解決され
る。
Description
と、前記シンチレータ材と固着され複数チャンネルを2
次元に配列する放射線検出素子を備えるX線CT装置に
用いるような放射線検出器に係り、特にシンチレータの
構造の改良をした放射線検出器に関する。
検出器(固体検出器)は、入射放射線を光に変換するシ
ンチレータと、このシンチレータで変換された光を検出
し電気信号として出力するシリコンとフォトダイオード
などの光検出器とからなる放射線検出素子を放射線源の
ビーム形状に合わせた扇状に多数のチャンネルを配列し
て構成される。
上のために1スキャン当たりの所要時間の短縮が望まれ
ている。前記所要時間の短縮の方法として以下の2つが
挙げられる。 (1)放射線源と固体検出器の回転速度を高速化し、1
スキャン当たりの所要時間を短縮する。 (2)放射線源を錐状とし、固体検出器を2次元配列
し、1スキャンに撮影できる断層像を増加する。
してX線管の軽量化等により高速回転速度の向上が図ら
れている。他方、(2)に関しては、これまで1次元的
に一列に配列されていた固体検出器を、2次元の前記配
列方向(チャンネル方向、という)に直交する配列方向
(スライス方向、という)に2列、若しくはそれ以上に
配列することで達成される。このため、その構造から検
出信号の取り出しが問題となっている。
照射側からシンチレータ,シンチレータに光学的に接合
されるフォトダイオード等の光検出器,光検出器を支え
る基板の順に積層されている。また、シンチレータおよ
び光検出器は各チャンネル毎に各チャンネル間に介在す
る隔離板によって分離されており、各チャンネルで検出
した放射線量は、光検出器の上面(光検出面)に接続さ
れる信号線を通した電気信号として出力される。信号線
は、光検出器を支える基板上に配線され、この配線方向
はX線入射方向と垂直方向となる。そのため、固体検出
器をスライス方向に2列以上配列する場合、シンチレー
タ及びフォトダイオードのチャンネルの分離を考える
と、スライス方向に信号線を配線するための空間を設け
なければならない。なぜならば、スライス方向の配線空
間がない場合、信号線をスライス方向にある他の光検出
器上に配線させる必要があるが、シンチレータのチャン
ネルの分離のために信号線が切断されるからである。し
かしこの配線の仕方ではスライス方向に設けた空間に入
射する放射線は検出されないので、無効な放射線被曝が
増大してしまうという問題がある。
て、特開平7−333348号公報では信号線を光検出
器の下面に接続するという手法が提案されている。
法は、光検出器の構造が複雑化する可能性が高いという
問題がある。本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的は、信号線を光検出面にて
接続可能とし、光検出器を複雑にすることなく容易に製
造できる放射線検出器を提供することにある。
次元的に複数の光電変換素子が配置され、前記2次元的
に配置された複数の光電変換素子上に入射放射線を光に
変換して出力するシンチレータを配列してなる放射線検
出器において、前記シンチレータは前記配列の一方向に
おいて各シンチレータ同士が所定の溝をもって分離さ
れ、他方向では隣接するシンチレータ同士がシンチレー
タと光電変換素子との対向面側にて接続部でつながって
形成されることを特徴とする放射線検出器によって達成
される。
形態について、図面を用いて説明する。
を用いて説明する。図6は本発明に係わる放射線検出器
を搭載したX線CT装置の構成例の斜視図である。
0は、被検体107の周りをX線管104と放射線検出
器105が回転可能としたスキャナ102を支持したガ
ントリ101と,被検体107を乗せる被検体テーブル
103と,それぞれのコンポーネントを制御する制御装
置(図示せず)等から構成される。被検体テーブル10
3は、被検体107を開口部106内の異なる位置に位
置決めするためにモータ駆動式となっている。X線管1
04及びX線検出器105はスキャナ102の回転に伴
い、開口部106に挿入された被検体107の周りを回
転し、被検体107を透過したX線量の減衰測定値を複
数の異なる角度で収集する。収集した減衰測定値に基づ
いて被検体17断面の再構成画像が作成され、これは画
像表示装置(図示せず)上に表示される。
て、図1を用いて説明する。図1は本発明の放射線検出
器のそれぞれチャンネル方向,スライス方向から見た断
面図である。
にシリコン層15が配置され、シリコン層15の上層に
シンチレータ層12が配置される。シリコン層15とシ
ンチレータ層12の間には、それぞれを接着する接着剤
が形成する接着層13がある。シリコン層15には、放
射線検出素子のチャンネルの端部に溝を設け、隣接チャ
ネル間のクロストークを回避するための隔離板16をそ
の溝に挿入する。さらにシンチレータ層12の上層に
は、X線のみを透過し光を反射する反射層11が設けら
れる。反射層11はX線を透過するが光(可視光)を反
射するアルミニウムなどの軽金属でできている。シンチ
レータ層12はX線,ガンマ線などの放射線を光に変換
するGd2O2S:Pr,(Y,Gd)2O3:Eu,Cd
WO4等の材料でできている。接着層13はシンチレー
タ層12と信号線14を含むシリコン層15を接着す
る。信号線14はシリコン層15上の形成されたフォト
ダイオードからの電気信号を信号引出部18を介して放
射線検出器外部に引き出す。シリコン層15はシンチレ
ータ層12で発生した光を受け電気信号に変換するフォ
トダイオードを形成すると共に、信号線14を配線す
る。フォトダイオードはN極15aとP極15bを有し
ており、前記光を受けてN極15aからP極15bに電
子が移動する。これによって前記電気信号が生成され
る。隔離板16は隣接する放射線検出素子間を隔離して
隣接するチャンネルからクロストークを防ぐ。
着剤などを所定厚さに薄く延ばしたものを介して接合し
ている。また、シンチレータ層12は光検出器22の近
傍で隣接チャンネルと後述する所定の比率に厚さからな
るスライス方向に接続部19でスライス方向に連結して
いる。このような構造をとることにより、スライス方向
にチャンネルが空間なく並んだ場合でも、シンチレータ
21と光検出器22の間に信号線を配置することが可能
となる。これにより、信号線を光検出器の下部に回した
りするような複雑な構造をとらずに、検出信号の取り出
しが可能となる。なお、隔離板16は隣接チャンネルへ
のX線の漏洩を防ぐために、例えばモリブデンなどの重
金属を用い、その表面には、例えばアルミニウムなどの
光の反射率の高い物質を成膜するなどして設ける。ま
た、反射層11には、X線透過性が高く、光の反射率が
高い、例えばアルミニウムの薄膜や、ポリエステルフィ
ルムに酸化チタンを塗布したもの等を用いる。
する溝がフォトダイオード15に達するまで切削し、X
線CT装置に適用する場合被検体のスライス厚さの方向
に隔離板16を挿入する溝が所定深さ以上のシンチレー
タ層12を切り残した構造とした理由について、図2を
用いて説明する。図2は図1の放射線検出器の平面図で
ある。
で形成された放射線素子は、図2に示すように、従来の
1次元の配列のチャンネル方向と共に、スライス厚方向
に配列される。信号線14はそれぞれのフォトダイオー
ドと接続され、シリコン基板15に配線される。
でシンチレータ層12とシリコン層15を接着する場合
を考えると、シート形状のシンチレータと2次元に配列
したシリコン層を一度に接着し、これらの接着後に隔離
板16を挿入するための溝を加工する方法が好適であ
る。この場合において、チャンネル方向ではシリコン層
15に達するまで溝加工してもよいが、スライス厚方向
ではチャンネル方向と同様の深さまで切断したならば、
配列方向の中側に位置する光電変換素子の信号線を溝加
工時に切断してしまう可能性があるので、シンチレータ
層12に切り残す部分を作ることとした。これによっ
て、光電変換素子のシンチレータ側の信号線14を切断
することなく信号取り出し部に引き出すための条件の一
つが満たされる。
線が隣接するシンチレータ下部へ通過できても、その後
どこを通すかが問題となる。これを解決するために本発
明は光電変換素子のN層は全面にあるのではなくそのN
層の周囲にP層部分があることに着目し、そこを通して
信号取り出し部まで引き出すこととした。
(接続部、という)のシリコン基板からの高さ(単に高
さ、という)はシンチレータと同じ材質を用いているの
で、接続部の高さがあまり高いと隣接するシンチレータ
にクロストークが起こるから、接続部の高さに制限を設
ける必要がある。この制限について図5を用いて具体的
に説明する。図5は接続部19の高さを設定する原理を
説明する図である。放射線固体検出器に用いるシンチレ
ータ層12は入射したX線の大部分を光に変換させるよ
うにX線の入射方向に対して十分な厚さを設けてある。
一方、X線は物質中を進むとき、進行方向に対し指数関
数的に減少していき、X線が吸収されたところで光が発
生することから、シンチレータ層12内で生ずる光のほ
とんどはシンチレータ21の上部(X線入射面の近傍)
で発生することになる。シンチレータ層12内を光が直
線運動すると仮定すると、シンチレータ層12の上部の
ある発光点20で発生した光が、シンチレータ層下部に
ある隣接チャンネル(シンチレータ層12bとシリコン
層15b(接着層、信号線は省略)からなるチャンネ
ル)との接続部19を通って、漏洩する割合はX線が入
射されたチャンネル(シンチレータ層12aとシリコン
層15aからなるチャンネル)の出力に比べて非常にわ
ずかである。そのため、シンチレータ層の接続部19の
高さがわずかである場合、クロストーク値もわずかとな
る。そこで、本当にクロストーク値がわずかになるかに
ついて実験により検証した。これらの経過を説明する。
本願と同じ特許出願人の米国特許第4420444号に
記載された材料のGd2O2S:Pr,F,Ceを用い
る。そして、接続部の高さの異なる複数のシンチレータ
を作り、X線を入射するシンチレータとシンチレータの
間の溝に異なる数種類の材料の隔離板を挿入し、隣接す
る放射線検出素子にはX線入射面をX線遮蔽材で覆っ
た。
にX線を入射して、前記隣接するシンチレータにどれだ
け漏洩するかをその隣接シンチレータに接着された光電
変換素子で検出する方法をとった。
ータの高さ方向の距離の比率が、0%を超え4.4%以
下,好適には0%を超え3.5%以下であれば、クロス
トークがリングアーチファクト等の画質に影響を与える
レベル以下に抑制できることがわかった。
を、モリブデン,アルミニウム,酸化チタンに代えて同
様の実験をした結果、モリブデン等の重金属の材料がク
ロストークをより少なくすることも確認した。
からシンチレータの溝加工まで代表的な製造工程につい
て、図3を用いて説明する。図3は図1の放射線検出器
のシンチレータのシンチレータ層とシリコン層の接着か
らシンチレータ層の溝加工までの製造工程の一例を示す
図である。
ータ層12と、2次元配列した複数チャンネルの光電検
出素子と信号線を印刷したシリコン層15を用意する。
次に、図3(b)のように、シンチレータ層12とシリ
コン層を接着剤で接着する。この接着剤はここでの図示
を省略したが図1の接着層13を形成することとなる。
次に、図3(c)のように、シンチレータ層12のチャ
ンネル方向にシリコン層15まで達する溝加工を施し、
スライス厚方向にシリコン層15より前記接続部に相当
する高さ分だけ切り残す溝加工を施す。
放射線検出器の製造工程は、従来と同一であるからここ
での説明は省略する。
用いて説明する。
ンネル毎に分離したシンチレータ層を実装したときの斜
視図である。シンチレータ層12はそれぞれチャンネル
にスライス方向でシリコン層15の表面まで完全に分離
し、チャンネル方向分で接続部19を介して分離する。
X線とシンチレータ層で発光した光を遮蔽するために、
隔離板16が挿入される。スライス厚方向の隣接チャン
ネル間では接続部19を通じてクロストークが発生する
が、実験で検証したようにその発生は再構成画像に影響
を及ぼさない程度の微量であるため、シリコン層15の
構造を複雑化することなく、出力信号の取り出しが可能
となる。
子の信号線の通過部分のシンチレータを少し残して溝加
工するので、信号線通過部分のシンチレータを信号線ぎ
りぎりで切断する必要がない。また、信号線を他の光電
変換素子のP層上(光検出面)を通すので、それによる
シリコン層の複雑化をきたすことがない。従って、信号
線を光検出面にて接続可能とし、光検出器を複雑にする
ことなく容易に製造できる放射線検出器を提供するとい
う効果を奏する。
向,スライス方向から見た断面図。
ータ層とシリコン層の接着からシンチレータ層の溝加工
までの製造工程の一例を示す図。
離したシンチレータ層を実装したときの斜視図。
T装置の構成例の斜視図。
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上に2次元的に複数の光電変換素子
が配置され、前記2次元的に配置された複数の光電変換
素子上に入射放射線を光に変換して出力するシンチレー
タを配列してなる放射線検出器において、前記シンチレ
ータは前記配列の一方向において各シンチレータ同士が
所定の溝をもって分離され、他方向では隣接するシンチ
レータ同士がシンチレータと光電変換素子との対向面側
にて接続部でつながって形成されることを特徴とする放
射線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9361634A JPH11174156A (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9361634A JPH11174156A (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 放射線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11174156A true JPH11174156A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18474363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9361634A Pending JPH11174156A (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11174156A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002062359A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Aloka Co Ltd | 放射線測定装置 |
JP2002071816A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-12 | Japan Atom Energy Res Inst | 2次元放射線および中性子イメージ検出器 |
JP2007021184A (ja) * | 2005-06-14 | 2007-02-01 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びその制御方法並びに放射線撮像システム |
WO2008132634A2 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector having a split laminate optical coupling |
GB2449341A (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-19 | Petrra Ltd | Gamma ray detector with scintillation layer comprising elongate rods |
JP2013039363A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | General Electric Co <Ge> | 計算機式断層写真法(ct)撮像用の低分解能シンチレート式アレイ、及び該アレイを実装する方法 |
JP2014122903A (ja) * | 2013-12-20 | 2014-07-03 | Fujifilm Corp | 放射線検出器および放射線画像撮影装置 |
US8981304B2 (en) | 2010-01-25 | 2015-03-17 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
-
1997
- 1997-12-11 JP JP9361634A patent/JPH11174156A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002062359A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Aloka Co Ltd | 放射線測定装置 |
JP4643809B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2011-03-02 | アロカ株式会社 | 放射線測定装置 |
JP2002071816A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-12 | Japan Atom Energy Res Inst | 2次元放射線および中性子イメージ検出器 |
JP2007021184A (ja) * | 2005-06-14 | 2007-02-01 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びその制御方法並びに放射線撮像システム |
WO2008132634A2 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector having a split laminate optical coupling |
WO2008132634A3 (en) * | 2007-04-25 | 2009-05-07 | Koninkl Philips Electronics Nv | Radiation detector having a split laminate optical coupling |
US8586933B2 (en) | 2007-04-25 | 2013-11-19 | Koninklijke Philips N.V. | Radiation detector having a split laminate optical coupling |
GB2449341A (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-19 | Petrra Ltd | Gamma ray detector with scintillation layer comprising elongate rods |
GB2449341B (en) * | 2007-05-15 | 2009-09-09 | Petrra Ltd | Radiation detector |
US8981304B2 (en) | 2010-01-25 | 2015-03-17 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
JP2013039363A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | General Electric Co <Ge> | 計算機式断層写真法(ct)撮像用の低分解能シンチレート式アレイ、及び該アレイを実装する方法 |
JP2014122903A (ja) * | 2013-12-20 | 2014-07-03 | Fujifilm Corp | 放射線検出器および放射線画像撮影装置 |
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