JP2840941B2 - 多素子放射線検出器及びその製造方法 - Google Patents
多素子放射線検出器及びその製造方法Info
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Description
【産業上の利用分野】本発明は放射線検出器に係り，特
に全身用Ｘ線コンピュータ断層撮影装置（以下Ｘ線ＣＴ
と略記する）に好適なＸ線検出器に関する。
に全身用Ｘ線コンピュータ断層撮影装置（以下Ｘ線ＣＴ
と略記する）に好適なＸ線検出器に関する。
【従来技術】従来のＸ線ＣＴ用Ｘ線検出器は，例えば，
特公昭６０−５８４２９号に記載のように，希ガスの電
離作用を利用した電離箱Ｘ線検出器が多用されていた
が，高分解能，小型化，低コスト化をめざして蛍光体を
用いた固体検出器の開発が進められている。このような
固体検出器の例として，特開昭６０−２６３４５６号，
特開昭５９−８１５７５号，特開昭５９−１４１０８７
号，米国特許４４２９２２７号等に記載のものがある。
固体検出器の典型的な構成を，特開昭６０−２６３４５
６号に記載の内容により説明する。固体検出器は，入射
Ｘ線による発光部分とこの発光を受光検出する光電変換
部分とからなる。図３は，発光部分の構成を示してお
り，シンチレータ素子１４１を，光反射剤が塗布された
Ｘ線吸収率の大きい重金属の薄板からなる仕切板１４０
を介して，順次接着した多チャンネル型シンチレータ素
子体１４５が製作される。受光部分は，種々のタイプの
光電変換素子が使用されるが，図３に示すような，多チ
ャンネル型シンチレータ素子体に対応すべく，多チャン
ネル型光電変換素子が多用されている。光電変換素子と
しては，ＰＩＮ，ＰＮタイプのシリコンフォトダイオー
ドが使用されることが多い。図４は，多チャンネル型光
電変換素子の構成を示す。一枚の半導体基板１１０の上
に，複数個の光検出素子である光電変換素子１１６が形
成されており，半導体基板１１０は絶縁基板１０９と一
体となっている。固体検出器は，図３に示す多チャンネ
ル型シンチレータ素子体１４５を，図４に示す多チャン
ネル型光電変換素子に，光学的透明接着剤を用いて各々
のチャンネルが一致するように接着結合し製造される。
このように各々のチャンネルが一致するためには，図３
に示す多チャンネル型シンチレータ素子体１４５の寸法
精度，とくにシンチレータ素子のピッチ精度及び上記素
子体の幅寸法の精度が重要であり，チャンネルの不一致
は，各々のチャンネルの検出感度のバラツキの原因とな
り，Ｘ線ＣＴ画像にアーチファクト（偽像）を与える。
また多チャンネル型シンチレータ素子体１４５の多チャ
ンネル型光電変換素子との接着結合面は，平坦でなけれ
ばならない。上記素子体の蛍光出力面の凹凸，仕板切の
シンチレータ高さ方向での凹凸，及び光電変換素子の受
光面の凹凸は，チャンネル間の光漏洩の原因となり，や
はりＸ線ＣＴ画像にアーチファクトを与える。図３に示
すような多チャンネル型シンチレータ素子体１４５の製
造は，高精度を要求される複雑な工程を必要とする。図
５は，特開昭５９−８１５７５号に記載される多チャン
ネル型シンチレータ素子体１４５の改良された製造方法
の概要を示す。所定の寸法を有するシンチレータ薄板１
４１と仕切板１４０を，接着剤により交互に所定数だけ
接着一体化し，接着剤の固化後ダイヤモンドカッター，
あるいはマルチワイヤソーにより，多チャンネル型シン
チレータ素子体１４５を効率良く製作する方法である。
先に記述したように，上記素子体１４５は高精度が要求
されるため，多数のシンチレータ薄板１４１と仕切板１
４０の接着に関連しては，各々の接着面での接着層の厚
さを均一に精度良く行う必要がある。以上説明した従来
技術例では，シンチレータ１４１と仕切板１４０は，同
じ高さを有しており入射Ｘ線に対して指向性は小さく，
散乱線入射量の大きいタイプの検出器となっている。図
６，図７に示す従来技術例は，散乱線入射量を低減させ
たタイプの検出器である。図６は，米国特許４４２９２
２７号に記載された従来技術例であり，散乱線入射量を
低減させるコリメータ板と同時に隣接チャンネル間の光
漏洩を防止する仕切板を兼ねたタングステンあるいは高
密度物質よりなる薄板１５０が，シンチレータ１５１と
一定位置関係を維持している。シンチレータ１５１は，
光学グリース１５２を介して基板１５４上のフォトダイ
オード１５３の受光面１５５に対向している。この例で
は，薄板１５０が複雑な形状を必要とし，薄板１５０と
受光面１５５の間の隙間を介しての隣接チャンネル間で
の光漏洩が存在する。図７は，特開昭５９−１４１０８
７号に記載された従来技術例であり，シンチレータ材料
として，タングステン酸カドミウム結晶１６２を使用し
た例であり，Ｘ線吸収が大きいことを利用しシンチレー
タ素子の間の仕切板を省略したものであり，シンチレー
タ１６２の表面には光反射層１６１が形成され，隣接チ
ャンネルへの光漏洩を防止している。コリメータ部材１
６０は，シンチレータ部材の接合部に位置するように治
具を使用しておかれる。シンチレータ素子は，光学カッ
プラを介して基板１６４上の受光素子１６３に対向す
る。この例では，コリメータ部分の製造とＸ線検出素子
部分の製造が独立できる長所があるが，図６に示す例と
同様に，シンチレータは１個づつ必要な精度で加工し必
要に応じてシンチレータ表面の光学的な処理を施す必要
があり，多数の工程が要求されている。□
特公昭６０−５８４２９号に記載のように，希ガスの電
離作用を利用した電離箱Ｘ線検出器が多用されていた
が，高分解能，小型化，低コスト化をめざして蛍光体を
用いた固体検出器の開発が進められている。このような
固体検出器の例として，特開昭６０−２６３４５６号，
特開昭５９−８１５７５号，特開昭５９−１４１０８７
号，米国特許４４２９２２７号等に記載のものがある。
固体検出器の典型的な構成を，特開昭６０−２６３４５
６号に記載の内容により説明する。固体検出器は，入射
Ｘ線による発光部分とこの発光を受光検出する光電変換
部分とからなる。図３は，発光部分の構成を示してお
り，シンチレータ素子１４１を，光反射剤が塗布された
Ｘ線吸収率の大きい重金属の薄板からなる仕切板１４０
を介して，順次接着した多チャンネル型シンチレータ素
子体１４５が製作される。受光部分は，種々のタイプの
光電変換素子が使用されるが，図３に示すような，多チ
ャンネル型シンチレータ素子体に対応すべく，多チャン
ネル型光電変換素子が多用されている。光電変換素子と
しては，ＰＩＮ，ＰＮタイプのシリコンフォトダイオー
ドが使用されることが多い。図４は，多チャンネル型光
電変換素子の構成を示す。一枚の半導体基板１１０の上
に，複数個の光検出素子である光電変換素子１１６が形
成されており，半導体基板１１０は絶縁基板１０９と一
体となっている。固体検出器は，図３に示す多チャンネ
ル型シンチレータ素子体１４５を，図４に示す多チャン
ネル型光電変換素子に，光学的透明接着剤を用いて各々
のチャンネルが一致するように接着結合し製造される。
このように各々のチャンネルが一致するためには，図３
に示す多チャンネル型シンチレータ素子体１４５の寸法
精度，とくにシンチレータ素子のピッチ精度及び上記素
子体の幅寸法の精度が重要であり，チャンネルの不一致
は，各々のチャンネルの検出感度のバラツキの原因とな
り，Ｘ線ＣＴ画像にアーチファクト（偽像）を与える。
また多チャンネル型シンチレータ素子体１４５の多チャ
ンネル型光電変換素子との接着結合面は，平坦でなけれ
ばならない。上記素子体の蛍光出力面の凹凸，仕板切の
シンチレータ高さ方向での凹凸，及び光電変換素子の受
光面の凹凸は，チャンネル間の光漏洩の原因となり，や
はりＸ線ＣＴ画像にアーチファクトを与える。図３に示
すような多チャンネル型シンチレータ素子体１４５の製
造は，高精度を要求される複雑な工程を必要とする。図
５は，特開昭５９−８１５７５号に記載される多チャン
ネル型シンチレータ素子体１４５の改良された製造方法
の概要を示す。所定の寸法を有するシンチレータ薄板１
４１と仕切板１４０を，接着剤により交互に所定数だけ
接着一体化し，接着剤の固化後ダイヤモンドカッター，
あるいはマルチワイヤソーにより，多チャンネル型シン
チレータ素子体１４５を効率良く製作する方法である。
先に記述したように，上記素子体１４５は高精度が要求
されるため，多数のシンチレータ薄板１４１と仕切板１
４０の接着に関連しては，各々の接着面での接着層の厚
さを均一に精度良く行う必要がある。以上説明した従来
技術例では，シンチレータ１４１と仕切板１４０は，同
じ高さを有しており入射Ｘ線に対して指向性は小さく，
散乱線入射量の大きいタイプの検出器となっている。図
６，図７に示す従来技術例は，散乱線入射量を低減させ
たタイプの検出器である。図６は，米国特許４４２９２
２７号に記載された従来技術例であり，散乱線入射量を
低減させるコリメータ板と同時に隣接チャンネル間の光
漏洩を防止する仕切板を兼ねたタングステンあるいは高
密度物質よりなる薄板１５０が，シンチレータ１５１と
一定位置関係を維持している。シンチレータ１５１は，
光学グリース１５２を介して基板１５４上のフォトダイ
オード１５３の受光面１５５に対向している。この例で
は，薄板１５０が複雑な形状を必要とし，薄板１５０と
受光面１５５の間の隙間を介しての隣接チャンネル間で
の光漏洩が存在する。図７は，特開昭５９−１４１０８
７号に記載された従来技術例であり，シンチレータ材料
として，タングステン酸カドミウム結晶１６２を使用し
た例であり，Ｘ線吸収が大きいことを利用しシンチレー
タ素子の間の仕切板を省略したものであり，シンチレー
タ１６２の表面には光反射層１６１が形成され，隣接チ
ャンネルへの光漏洩を防止している。コリメータ部材１
６０は，シンチレータ部材の接合部に位置するように治
具を使用しておかれる。シンチレータ素子は，光学カッ
プラを介して基板１６４上の受光素子１６３に対向す
る。この例では，コリメータ部分の製造とＸ線検出素子
部分の製造が独立できる長所があるが，図６に示す例と
同様に，シンチレータは１個づつ必要な精度で加工し必
要に応じてシンチレータ表面の光学的な処理を施す必要
があり，多数の工程が要求されている。□
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は，隣接
するチャンネル間での光漏洩が発生する原因の一つとな
る多チャンネル型シンチレータ素子体の蛍光出力面，及
び多チャンネル型光電変換素子の受光面の凹凸の点につ
いて，Ｘ線検出器の製造上の配慮がなされておらず，上
記光漏洩を低減するのに限界があるとの問題があった。
また，上記従来技術は，複雑な製造工程を必要とし高精
度を有する多チャンネル型シンチレータ素子体の製造コ
スト，歩留りに問題があった。本発明の課題は，単純な
製造工程により，高精度で隣接するチャンネル間での光
漏洩を，極めて少なくする安価で高性能なＸ線ＣＴ用検
出器を提供することにある。
するチャンネル間での光漏洩が発生する原因の一つとな
る多チャンネル型シンチレータ素子体の蛍光出力面，及
び多チャンネル型光電変換素子の受光面の凹凸の点につ
いて，Ｘ線検出器の製造上の配慮がなされておらず，上
記光漏洩を低減するのに限界があるとの問題があった。
また，上記従来技術は，複雑な製造工程を必要とし高精
度を有する多チャンネル型シンチレータ素子体の製造コ
スト，歩留りに問題があった。本発明の課題は，単純な
製造工程により，高精度で隣接するチャンネル間での光
漏洩を，極めて少なくする安価で高性能なＸ線ＣＴ用検
出器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】上記の課題は，所定の厚
さを有するシンチレータ薄板を多チャンネル型光電変換
素子の受光面に，光学的に透明な接着剤により接着固定
したのち，多チャンネル型光電変換素子上で各チャンネ
ルを分離する不感帯の中心位置に仕切板を挿入する溝
を，シンチレータ表面より多チャンネル型光電変換素子
を形成する半導体基板内部あるいは上記半導体基板又は
薄膜状の光電変換素子を支持あるいは搭載する電気的絶
縁性基板内部にいたるまで形成し，この溝に仕切板を挿
入固定することにより解決される。
さを有するシンチレータ薄板を多チャンネル型光電変換
素子の受光面に，光学的に透明な接着剤により接着固定
したのち，多チャンネル型光電変換素子上で各チャンネ
ルを分離する不感帯の中心位置に仕切板を挿入する溝
を，シンチレータ表面より多チャンネル型光電変換素子
を形成する半導体基板内部あるいは上記半導体基板又は
薄膜状の光電変換素子を支持あるいは搭載する電気的絶
縁性基板内部にいたるまで形成し，この溝に仕切板を挿
入固定することにより解決される。
【作用】仕切板はシンチレータ部，光電変換素子を形成
する半導体基板内部，あるいは上記半導体基板又は薄膜
状の光電変換素子を支持あるいは搭載する電気的絶縁性
基板内部まで形成された溝の底部まで挿入されるので，
多チャンネル型シンチレータ素子体の蛍光出力面及び多
チャンネル型光電変換素子の受光面の凹凸に影響される
ことなく，隣接チャンネル間の光漏洩を極めて少なくで
きる。
する半導体基板内部，あるいは上記半導体基板又は薄膜
状の光電変換素子を支持あるいは搭載する電気的絶縁性
基板内部まで形成された溝の底部まで挿入されるので，
多チャンネル型シンチレータ素子体の蛍光出力面及び多
チャンネル型光電変換素子の受光面の凹凸に影響される
ことなく，隣接チャンネル間の光漏洩を極めて少なくで
きる。
【実施例】以下，本発明の第１の実施例を図１により説
明する。各々のシンチレータ１０２は，光学的に透明な
接着層１０５を介して多チャンネル型光電変換素子の受
光面に対向している。図１に示した光電変換素子は，Ｐ
ＩＮタイプのシリコンフォトダイオードを示す。これは
Ｐ＋層１０６，Ｉ層１０７，Ｎ＋層１０８からなり，電
気絶縁性基板１０９の上にある。上記受光面は，半導体
基板表面のうち細長い島状にＰ＋層１０６が形成された
部分に相当する。シンチレータ１０２のＸ線入射側１０
１の面１０３及びシンチレータ素子長手方向の２つの側
面，即ちＸ線入射面１０３に直交する面のうち面積の小
さい両側面には，光反射層１０３が形成されている。隣
接するチャンネル間の光漏洩を防止し，かつシンチレー
タ内部で発生した蛍光の光電変換素子への集光効率を向
上させるため最外層が，光学的に透明な薄い電気絶縁層
を有し光反射性を有するモリブデン，タンタル，タング
ステン，鉛あるいはこれら元素を主成分とする合金等か
らなる，厚さ０．１〜０．２ｍｍの仕切板１０４を挿入
する溝は，隣接する受光面１０６の間にある不感帯の中
心位置にあり，ダイヤモンドカッター等の手段により形
成され，シンチレータ１０２，接着層１０５を通り，Ｉ
層１０７の途中部分まで達している。このような構造体
は，以下に説明する方法により製作できる。図８は，粉
体蛍光体，例えば，ＺｎＳ：Ａｇ，Ｂａ2ＧｄＳｂＯ4，
Ｂａ2ＢｉＩｎＯ6，Ｂａ2ＢｉＹＯ6，ＧｄＰｂ2ＷＯ6，
Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ，ＺｎＣｄＳ：Ａｇ，ＬａＯＢｒ：Ｄ
ｙ，ＣｄＳ等を，熱間静水圧加圧法等によって製造した
蛍光体魂，あるいは単結晶，例えば，Ｚｎ2ＳｉＯ4，Ｃ
ａＷＯ4，ＣｄＷＯ4，ＺｎＷＯ4，ＣｓＩ：Ｎａ，Ｃｓ
Ｉ：Ｔｌ，ＮａＩ：Ｔｌ，Ｇｄ2ＳｉＯ4：Ｃｅ，Ｂｉ4
Ｇｅ3Ｏ12，ＣａＦ2：Ｅｕ等より切り出して製造した，
寸法Ｌ，Ｗ，Ｈを有する蛍光体ブロック２００を示す。
Ｗ×Ｈで規定される２つの面２０３は，最終的にシンチ
レータ素子の長手方向に対応する面となり，２つの面２
０３の表面には硫酸バリウムあるいは二酸化チタン等を
含む光反射剤塗布すること，またはアルミニウム蒸着層
等により光反射層が形成されている。寸法Ｌは，シンチ
レータ素子長さと等しく，寸法Ｗは，多チャンネル型光
電変換素子のチャンネル方向の幅寸法より，やや大きい
寸法であればよい。寸法Ｈは，図９に示すような所定の
厚さｔを有するシンチレータ薄板１０２が，適当数得ら
れる寸法であればよい。図９は，図８に示す蛍光体ブロ
ック２００から切り出された厚さｔを有するシンチレー
タ薄板１０２を示し，その最大面積を有する面の一方の
面には，面２０３と同様に光反射層が形成される。この
ようなシンチレータ薄板１０２の光反射層を有しない最
大面積をもつ面を，多チャンネル型光電変換素子１１０
の面に光透過性接着剤により接着固定する。図１０にこ
のようにして得られる接着完了の状態，図１１にその断
面を示す。接着層１０５の存在は，光検出部と発光部を
空気層を介して対向設置する場合に比較し３０〜４０％
の出力向上が得られる長所を有する。図１０に示すよう
に，多チャンネル型光電変換素子の長さは素子長Ｌより
長くなっており，隣接する光電変換素子の受光面１０６
の間にある不感帯の位置が，素子の長方方向の両端側で
シンチレータ薄板にさえぎられることなく，観測できる
ようになっている。図１２は，不感帯の中心位置に形成
された溝１９０を示しており，電気的な雑音の混入を防
止し，光電変換素子を形成している半導体基板の機械強
度を保持するため溝の深さは，Ｉ層１０７の途中部分ま
でとまっており，Ｎ＋層１０８には達していない。また
溝１９０の幅は，不感帯の幅より小さく，仕切板１０４
の厚さよりわずかだけ，例えば，１０〜２０ミクロン広
ければ十分であり，シンチレータ１０２の面積を大きく
するためには，仕切板表面に光反射性を付与する手段は
光反射性塗料を塗布する手段より，むしろ薄いアルミニ
ウム層を蒸着等により形成する手段がより望ましい。こ
のような仕切板１０４を溝１９０の底まで挿入する。仕
切板１０４の高さは，少なくとも図１において光反射層
１０３と同面となるかわずかだけ凸となるようにする。
仕切板１０４の長さは，図１４に示すようにシンチレー
タ素子１０２の長さより長く，素子長手方向の両端にお
ける隣接チャンネル間の光漏洩を防止している。挿入さ
れた仕切板１０４は，素子長手方向の両端において，接
着剤１２０により多チャンネル型光電変換素子１１０を
搭載する基板１０９の面にシンチレータ素子１０３の側
面全面と共に強固に接着固定される。このようにシンチ
レータ素子は，長さより長い仕切板を用いるメリットを
さらに詳細に述べると，以下のようになる。もし，シン
チレータ素子と同じ長さの仕切板を用いたとすると，図
１６に示す通り両者の配列のわずかの誤差によりいずれ
かの端部で仕切板２０３がシンチレータ素子２０５の間
に引込んでしまう。即ち，端部付近に仕切板２０３が介
在しない部分（距離ｄ）ができ，隣接するシンチレータ
素子２０５間に蛍光３０２が漏洩し，クロストークとな
る。図１６にて，２０１は入射Ｘ線，３０１はＸ線コリ
メータを示す。クロストーク量は距離ｄ，シンチレータ
素子２０５のＸ線吸収係数，光吸収係数，Ｘ線エネルギ
ースペクトル，コリメータ開口ｔ，及びシンチレータ素
子２０５の形状寸法により決る。図１７に距離ｄとクロ
ストーク量の関係の一例を示す。このようにシンチレー
タ素子の間に光のクロストークが生じ，素子間により，
クロストーク量に差があると，それが原因となって，リ
ング状アーチファクトや，放射状のアーチファクトが発
生する。アーチファクトが発生しない限界クロストーク
量は撮影条件により異なるが，厳しい条件の場合には
０．０５％以下に抑える必要がある。図１７の例では
０．０５％以下にクロストーク量を抑えるためにはズレ
量ｄは約２０μｍ以下にする必要がある。シンチレータ
素子の特性・形状によっては，ズレ量ｄに対する制限は
より厳しくなる。図３の従来の方式では，これだけの精
度を歩留り良く確保することは容易ではない。そこで，
図１４の実施例のように仕切板の長さ（断層像のスライ
ス厚方向の長さ）を，シンチレータ素子の長さより長く
することにより，寸法誤差及び配列誤差を吸収し，仕切
板端が，シンチレータ端よりも内側に入り込まないよう
にできる。これにより，アーチファクトの原因になるク
ロストークの発生を防止できる。なお，図１４の実施例
によれば，シンチレータ素子１０２と受光面１０６の対
応の位置精度は溝１９０を形成する加工機の機械的精度
のみにより決まるので，高性能の多チャンネル検出素子
が，図３に示す多チャンネル型シンチレータ素子体を，
独立に製作することなく製作可能となる。また，図１８
に示すような，シンチレータ素子と仕切板との配列治具
１２１を用いれば，仕切板のスライス厚方向の位置を精
度よく限定することができる。更に別の実施例を，図２
により説明する。仕切板１０４の材質は，第１の実施例
と同様に，モリブデン，タンタル，タングステン，鉛あ
るいはこれらの元素を主成分とする合金等からなる厚さ
０．１〜０．２ｍｍの表面に光反射性を有するものであ
り溝１９０の底部まで挿入され，仕切板１０４は，シン
チレータ素子１０２の表面より，シンチレータ素子１０
２の幅の寸法５倍以上だけ，Ｘ線入射方向に凸状となっ
ている。従って，図１の実施例とのちがいは，仕切板１
０４にコリメータの役割をさせ散乱Ｘ線入射量を低減さ
せた点であり，散乱Ｘ線入射量を低減すると同時に，隣
接チャンネル間の光漏洩を極少にできる。この場合，仕
切板のＸ線入射方向での高さ寸法が大きくなるため，十
分強固に仕切板１０４を保持する必要がある。この保持
方法の一例を図１５に示す。溝１３１を有する支持体１
３０は，基板１０９と溝のピッチが治具により正確に相
対するように，位置が決定されたのち一体化固定され，
仕切板１０４は溝１３１を通り，光電変換素子１１０の
内部まで形成された溝の底部まで挿入されたのち，溝１
３１中に強固に接着固定される。溝１３１の形成は，図
１２中の溝１９０の形成と同じ加工手段により精度良く
実施されている。以上２つの実施例でのシンチレータ材
料として好適である例として，特公昭６０−４８５６号
に記載されている，高変換効率でかつ残光時間の短い蛍
光体の一つである（Ｇｄ1-x-yＰｒxＣｅy)2Ｏ2Ｓ：Ｆが
ある。この蛍光体は，粉体状で容易に合成でき，特開昭
６２−５２４８１号に記載されるように，この粉体蛍光
体を熱間静水圧加圧法により成形可能であり，厚さ１〜
１．５ｍｍで十分なＸ線吸収率と光透過率を有し，上記
の２つの実施例によって高感度で高性能のＸ線検出器を
製造できる。シンチレータ材料のＸ線吸収率が十分大き
くない時には，光透過率及びＸ線吸収率の大きい材料
を，図９に示すようなシンチレータ薄板の光反射性を有
しない最大面積を有する面と接着することにより，一変
形として第１及び第２の実施例を適用することが可能で
ある。第１の実施例の変形例として，以下に説明するも
のがある。図９において，光反射層を有する面２０３，
１０３の面に光反射層を形成することなく，本発明の目
的を達成しうる。これは図１４において，接着剤１２０
として黒色の遮光性，言い替えれば非透光性を有する接
着剤を使用することにより，シンチレータ素子長手方向
の両端部における隣接チャンネルへの光漏洩を極少とで
き，Ｘ線入射面においては特願昭５７−１５６７４８の
図３の構造をとることにより，Ｘ線入射面における光漏
洩を防止できるからである。つぎに仕切板１０４を挿入
する溝の深さが，光電変換素子のＰ層の深さより深く，
光電変換素子を形成する光導体基板の厚さの１／２以下
とする場合について説明したが，この溝の深さが，基板
１０９の内部まで達している第３の実施例を図１３に示
す。この場合多，チャンネル型光電変換素子は，不感帯
位置において１素子毎に溝により分断されることになる
ので，光電変換素子を形成している半導体基板と基板１
０９は，強固に連絡するよう接着させていることが要求
される。これに対して，電気絶縁性基板１０９上に直接
薄膜状に多チャンネル型光電変換素子を形成すれば，上
記要求はほとんど不要となる。非晶質シリコンで薄膜状
に光電変換素子を形成する方法は，よく知られている。
この第３の実施例においても，第１及び第２の実施例の
及びそれらの変形例が適用できるのは言うまでもない。
以上の第１，第２，第３の実施例とそれらの変形例につ
いて説明したが，これらいずれの方法によっても，単純
な製造工程により隣接チャンネル間の光漏洩を極めて少
なくできる。以上の実施例の説明で，信号の取り出し経
路手段については多数の従来例によりよく知られている
ので，省略した。また多素子光電変換素子については，
ＰＩＮタイプのシリコンフォトダイオードに限定して説
明したが種々のタイプの光電変換素子の場合についても
適用可能なことは言うまでもない。
明する。各々のシンチレータ１０２は，光学的に透明な
接着層１０５を介して多チャンネル型光電変換素子の受
光面に対向している。図１に示した光電変換素子は，Ｐ
ＩＮタイプのシリコンフォトダイオードを示す。これは
Ｐ＋層１０６，Ｉ層１０７，Ｎ＋層１０８からなり，電
気絶縁性基板１０９の上にある。上記受光面は，半導体
基板表面のうち細長い島状にＰ＋層１０６が形成された
部分に相当する。シンチレータ１０２のＸ線入射側１０
１の面１０３及びシンチレータ素子長手方向の２つの側
面，即ちＸ線入射面１０３に直交する面のうち面積の小
さい両側面には，光反射層１０３が形成されている。隣
接するチャンネル間の光漏洩を防止し，かつシンチレー
タ内部で発生した蛍光の光電変換素子への集光効率を向
上させるため最外層が，光学的に透明な薄い電気絶縁層
を有し光反射性を有するモリブデン，タンタル，タング
ステン，鉛あるいはこれら元素を主成分とする合金等か
らなる，厚さ０．１〜０．２ｍｍの仕切板１０４を挿入
する溝は，隣接する受光面１０６の間にある不感帯の中
心位置にあり，ダイヤモンドカッター等の手段により形
成され，シンチレータ１０２，接着層１０５を通り，Ｉ
層１０７の途中部分まで達している。このような構造体
は，以下に説明する方法により製作できる。図８は，粉
体蛍光体，例えば，ＺｎＳ：Ａｇ，Ｂａ2ＧｄＳｂＯ4，
Ｂａ2ＢｉＩｎＯ6，Ｂａ2ＢｉＹＯ6，ＧｄＰｂ2ＷＯ6，
Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ，ＺｎＣｄＳ：Ａｇ，ＬａＯＢｒ：Ｄ
ｙ，ＣｄＳ等を，熱間静水圧加圧法等によって製造した
蛍光体魂，あるいは単結晶，例えば，Ｚｎ2ＳｉＯ4，Ｃ
ａＷＯ4，ＣｄＷＯ4，ＺｎＷＯ4，ＣｓＩ：Ｎａ，Ｃｓ
Ｉ：Ｔｌ，ＮａＩ：Ｔｌ，Ｇｄ2ＳｉＯ4：Ｃｅ，Ｂｉ4
Ｇｅ3Ｏ12，ＣａＦ2：Ｅｕ等より切り出して製造した，
寸法Ｌ，Ｗ，Ｈを有する蛍光体ブロック２００を示す。
Ｗ×Ｈで規定される２つの面２０３は，最終的にシンチ
レータ素子の長手方向に対応する面となり，２つの面２
０３の表面には硫酸バリウムあるいは二酸化チタン等を
含む光反射剤塗布すること，またはアルミニウム蒸着層
等により光反射層が形成されている。寸法Ｌは，シンチ
レータ素子長さと等しく，寸法Ｗは，多チャンネル型光
電変換素子のチャンネル方向の幅寸法より，やや大きい
寸法であればよい。寸法Ｈは，図９に示すような所定の
厚さｔを有するシンチレータ薄板１０２が，適当数得ら
れる寸法であればよい。図９は，図８に示す蛍光体ブロ
ック２００から切り出された厚さｔを有するシンチレー
タ薄板１０２を示し，その最大面積を有する面の一方の
面には，面２０３と同様に光反射層が形成される。この
ようなシンチレータ薄板１０２の光反射層を有しない最
大面積をもつ面を，多チャンネル型光電変換素子１１０
の面に光透過性接着剤により接着固定する。図１０にこ
のようにして得られる接着完了の状態，図１１にその断
面を示す。接着層１０５の存在は，光検出部と発光部を
空気層を介して対向設置する場合に比較し３０〜４０％
の出力向上が得られる長所を有する。図１０に示すよう
に，多チャンネル型光電変換素子の長さは素子長Ｌより
長くなっており，隣接する光電変換素子の受光面１０６
の間にある不感帯の位置が，素子の長方方向の両端側で
シンチレータ薄板にさえぎられることなく，観測できる
ようになっている。図１２は，不感帯の中心位置に形成
された溝１９０を示しており，電気的な雑音の混入を防
止し，光電変換素子を形成している半導体基板の機械強
度を保持するため溝の深さは，Ｉ層１０７の途中部分ま
でとまっており，Ｎ＋層１０８には達していない。また
溝１９０の幅は，不感帯の幅より小さく，仕切板１０４
の厚さよりわずかだけ，例えば，１０〜２０ミクロン広
ければ十分であり，シンチレータ１０２の面積を大きく
するためには，仕切板表面に光反射性を付与する手段は
光反射性塗料を塗布する手段より，むしろ薄いアルミニ
ウム層を蒸着等により形成する手段がより望ましい。こ
のような仕切板１０４を溝１９０の底まで挿入する。仕
切板１０４の高さは，少なくとも図１において光反射層
１０３と同面となるかわずかだけ凸となるようにする。
仕切板１０４の長さは，図１４に示すようにシンチレー
タ素子１０２の長さより長く，素子長手方向の両端にお
ける隣接チャンネル間の光漏洩を防止している。挿入さ
れた仕切板１０４は，素子長手方向の両端において，接
着剤１２０により多チャンネル型光電変換素子１１０を
搭載する基板１０９の面にシンチレータ素子１０３の側
面全面と共に強固に接着固定される。このようにシンチ
レータ素子は，長さより長い仕切板を用いるメリットを
さらに詳細に述べると，以下のようになる。もし，シン
チレータ素子と同じ長さの仕切板を用いたとすると，図
１６に示す通り両者の配列のわずかの誤差によりいずれ
かの端部で仕切板２０３がシンチレータ素子２０５の間
に引込んでしまう。即ち，端部付近に仕切板２０３が介
在しない部分（距離ｄ）ができ，隣接するシンチレータ
素子２０５間に蛍光３０２が漏洩し，クロストークとな
る。図１６にて，２０１は入射Ｘ線，３０１はＸ線コリ
メータを示す。クロストーク量は距離ｄ，シンチレータ
素子２０５のＸ線吸収係数，光吸収係数，Ｘ線エネルギ
ースペクトル，コリメータ開口ｔ，及びシンチレータ素
子２０５の形状寸法により決る。図１７に距離ｄとクロ
ストーク量の関係の一例を示す。このようにシンチレー
タ素子の間に光のクロストークが生じ，素子間により，
クロストーク量に差があると，それが原因となって，リ
ング状アーチファクトや，放射状のアーチファクトが発
生する。アーチファクトが発生しない限界クロストーク
量は撮影条件により異なるが，厳しい条件の場合には
０．０５％以下に抑える必要がある。図１７の例では
０．０５％以下にクロストーク量を抑えるためにはズレ
量ｄは約２０μｍ以下にする必要がある。シンチレータ
素子の特性・形状によっては，ズレ量ｄに対する制限は
より厳しくなる。図３の従来の方式では，これだけの精
度を歩留り良く確保することは容易ではない。そこで，
図１４の実施例のように仕切板の長さ（断層像のスライ
ス厚方向の長さ）を，シンチレータ素子の長さより長く
することにより，寸法誤差及び配列誤差を吸収し，仕切
板端が，シンチレータ端よりも内側に入り込まないよう
にできる。これにより，アーチファクトの原因になるク
ロストークの発生を防止できる。なお，図１４の実施例
によれば，シンチレータ素子１０２と受光面１０６の対
応の位置精度は溝１９０を形成する加工機の機械的精度
のみにより決まるので，高性能の多チャンネル検出素子
が，図３に示す多チャンネル型シンチレータ素子体を，
独立に製作することなく製作可能となる。また，図１８
に示すような，シンチレータ素子と仕切板との配列治具
１２１を用いれば，仕切板のスライス厚方向の位置を精
度よく限定することができる。更に別の実施例を，図２
により説明する。仕切板１０４の材質は，第１の実施例
と同様に，モリブデン，タンタル，タングステン，鉛あ
るいはこれらの元素を主成分とする合金等からなる厚さ
０．１〜０．２ｍｍの表面に光反射性を有するものであ
り溝１９０の底部まで挿入され，仕切板１０４は，シン
チレータ素子１０２の表面より，シンチレータ素子１０
２の幅の寸法５倍以上だけ，Ｘ線入射方向に凸状となっ
ている。従って，図１の実施例とのちがいは，仕切板１
０４にコリメータの役割をさせ散乱Ｘ線入射量を低減さ
せた点であり，散乱Ｘ線入射量を低減すると同時に，隣
接チャンネル間の光漏洩を極少にできる。この場合，仕
切板のＸ線入射方向での高さ寸法が大きくなるため，十
分強固に仕切板１０４を保持する必要がある。この保持
方法の一例を図１５に示す。溝１３１を有する支持体１
３０は，基板１０９と溝のピッチが治具により正確に相
対するように，位置が決定されたのち一体化固定され，
仕切板１０４は溝１３１を通り，光電変換素子１１０の
内部まで形成された溝の底部まで挿入されたのち，溝１
３１中に強固に接着固定される。溝１３１の形成は，図
１２中の溝１９０の形成と同じ加工手段により精度良く
実施されている。以上２つの実施例でのシンチレータ材
料として好適である例として，特公昭６０−４８５６号
に記載されている，高変換効率でかつ残光時間の短い蛍
光体の一つである（Ｇｄ1-x-yＰｒxＣｅy)2Ｏ2Ｓ：Ｆが
ある。この蛍光体は，粉体状で容易に合成でき，特開昭
６２−５２４８１号に記載されるように，この粉体蛍光
体を熱間静水圧加圧法により成形可能であり，厚さ１〜
１．５ｍｍで十分なＸ線吸収率と光透過率を有し，上記
の２つの実施例によって高感度で高性能のＸ線検出器を
製造できる。シンチレータ材料のＸ線吸収率が十分大き
くない時には，光透過率及びＸ線吸収率の大きい材料
を，図９に示すようなシンチレータ薄板の光反射性を有
しない最大面積を有する面と接着することにより，一変
形として第１及び第２の実施例を適用することが可能で
ある。第１の実施例の変形例として，以下に説明するも
のがある。図９において，光反射層を有する面２０３，
１０３の面に光反射層を形成することなく，本発明の目
的を達成しうる。これは図１４において，接着剤１２０
として黒色の遮光性，言い替えれば非透光性を有する接
着剤を使用することにより，シンチレータ素子長手方向
の両端部における隣接チャンネルへの光漏洩を極少とで
き，Ｘ線入射面においては特願昭５７−１５６７４８の
図３の構造をとることにより，Ｘ線入射面における光漏
洩を防止できるからである。つぎに仕切板１０４を挿入
する溝の深さが，光電変換素子のＰ層の深さより深く，
光電変換素子を形成する光導体基板の厚さの１／２以下
とする場合について説明したが，この溝の深さが，基板
１０９の内部まで達している第３の実施例を図１３に示
す。この場合多，チャンネル型光電変換素子は，不感帯
位置において１素子毎に溝により分断されることになる
ので，光電変換素子を形成している半導体基板と基板１
０９は，強固に連絡するよう接着させていることが要求
される。これに対して，電気絶縁性基板１０９上に直接
薄膜状に多チャンネル型光電変換素子を形成すれば，上
記要求はほとんど不要となる。非晶質シリコンで薄膜状
に光電変換素子を形成する方法は，よく知られている。
この第３の実施例においても，第１及び第２の実施例の
及びそれらの変形例が適用できるのは言うまでもない。
以上の第１，第２，第３の実施例とそれらの変形例につ
いて説明したが，これらいずれの方法によっても，単純
な製造工程により隣接チャンネル間の光漏洩を極めて少
なくできる。以上の実施例の説明で，信号の取り出し経
路手段については多数の従来例によりよく知られている
ので，省略した。また多素子光電変換素子については，
ＰＩＮタイプのシリコンフォトダイオードに限定して説
明したが種々のタイプの光電変換素子の場合についても
適用可能なことは言うまでもない。
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば，隣
接チャンネル間の光漏洩を極めて少なくでき，その製造
工程は，単純であり加工機の機械的精度のみによって多
チャンネル検出素子の性能が決まり，高感度の高性能な
多チャンネル検出器を低コストで製造できる。
接チャンネル間の光漏洩を極めて少なくでき，その製造
工程は，単純であり加工機の機械的精度のみによって多
チャンネル検出素子の性能が決まり，高感度の高性能な
多チャンネル検出器を低コストで製造できる。
【図１】本発明の第１の実施例の素子長手方向中心位置
での断面図。
での断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の素子長方向中心位置で
の断面図。
の断面図。
【図３】多チャンネル型シンチレータ素子体の従来例を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図４】多チャンネル型光電変換素子を示す斜視図。
【図５】多チャンネルシンチレータ素子体の製造方法の
従来例を示す斜視図。
従来例を示す斜視図。
【図６】コリメータを有する従来例の素子長手方向中心
位置での断面図。
位置での断面図。
【図７】コリメータを有する従来例の素子長手方向中心
位置での断面図。
位置での断面図。
【図８】本発明の実施例における蛍光体ブロックを示す
図。
図。
【図９】本発明の実施例におけるシンチレータ薄板を示
す図。
す図。
【図１０】本発明の実施例における，シンチレータ薄板
を多チャンネル型光電変換素子の面に光透過性接着剤に
より接着固定した状態を示す図。
を多チャンネル型光電変換素子の面に光透過性接着剤に
より接着固定した状態を示す図。
【図１１】本発明の実施例における，シンチレータ薄板
を多チャンネル型光電変換素子の面に光透過性接着剤に
より接着固定した状態を表わす素子長手方向に垂直な方
向での断面図。
を多チャンネル型光電変換素子の面に光透過性接着剤に
より接着固定した状態を表わす素子長手方向に垂直な方
向での断面図。
【図１２】本発明の実施例において，不感帯の中心位置
に形成された溝を表わす素子長手方向に垂直な方向での
断面図。
に形成された溝を表わす素子長手方向に垂直な方向での
断面図。
【図１３】本発明の第３の実施例において，溝の深さが
基板の内部まで達している状態を表わす素子長手方向に
垂直な方向での断面図。
基板の内部まで達している状態を表わす素子長手方向に
垂直な方向での断面図。
【図１４】本発明の実施例において，素子長手方向の両
端における隣接チャンネル間の光漏洩防止を説明するた
めの，素子長手方向に平行な方向での断面図。
端における隣接チャンネル間の光漏洩防止を説明するた
めの，素子長手方向に平行な方向での断面図。
【図１５】本発明の実施例において，散乱Ｘ線入射量を
低減すると同時に隣接チャンネル間の光漏洩を極少にす
る仕切板を説明するための，素子長手方向に平行な方向
での断面図。
低減すると同時に隣接チャンネル間の光漏洩を極少にす
る仕切板を説明するための，素子長手方向に平行な方向
での断面図。
【図１６】シンチレータ素子と同じ長さの仕切板を用い
たときに，両者の配列のわずかの誤差により端部で仕切
板がシンチレータ素子の間に引込んでしまうことを説明
するための，素子長手方向に平行な方向での断面図。
たときに，両者の配列のわずかの誤差により端部で仕切
板がシンチレータ素子の間に引込んでしまうことを説明
するための，素子長手方向に平行な方向での断面図。
【図１７】端部付近に仕切板が介在しない部分（距離
ｄ）とクロストーク量の関係の一例を示す図。
ｄ）とクロストーク量の関係の一例を示す図。
【図１８】本発明の実施例のシンチレータ素子と仕切板
とを配列する配列治具を示す図。
とを配列する配列治具を示す図。
１０１…Ｘ線入射側，１０２…シンチレータ，１０３…
光反射層，１０４…仕切板，１０５…接着層，１０６…
受光面，１０７…Ｉ層，１０８…Ｎ＋層，１０９…絶縁
性基板，１１０…光電変換素子，１１６…光電変換素
子，１２０…接着剤，１２１…配列治具，１３０…支持
体，１３１…溝，１４１…シンチレータ素子１４１，１
４０…仕切板１４０，１４５…多チャンネル型シンチレ
ータ素子体，１５０…薄板，１５１…シンチレータ，１
５２…光学グリース，１５３…フォトダイオード，１５
４…基板，１５５…受光面，１６０…コリメータ部材，
１６１…光反射層，１６２…シンチレータ，１６３…受
光素子，１６４…基板，１９０…仕切板挿入溝，２００
…蛍光体ブロック，２０１…入射Ｘ線，２０３…仕切
板，２０５…シンチレータ素子，３０１…Ｘ線コリメー
タ，３０２…蛍光。
光反射層，１０４…仕切板，１０５…接着層，１０６…
受光面，１０７…Ｉ層，１０８…Ｎ＋層，１０９…絶縁
性基板，１１０…光電変換素子，１１６…光電変換素
子，１２０…接着剤，１２１…配列治具，１３０…支持
体，１３１…溝，１４１…シンチレータ素子１４１，１
４０…仕切板１４０，１４５…多チャンネル型シンチレ
ータ素子体，１５０…薄板，１５１…シンチレータ，１
５２…光学グリース，１５３…フォトダイオード，１５
４…基板，１５５…受光面，１６０…コリメータ部材，
１６１…光反射層，１６２…シンチレータ，１６３…受
光素子，１６４…基板，１９０…仕切板挿入溝，２００
…蛍光体ブロック，２０１…入射Ｘ線，２０３…仕切
板，２０５…シンチレータ素子，３０１…Ｘ線コリメー
タ，３０２…蛍光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川口 文男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 高橋 哲彦 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 早川 孝之 千葉県柏市十余二２−１株式会社日立メ ディコ技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−46877（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−63880（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−204088（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−127670（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01T 1/20
Claims (9)
- 【請求項１】放射線が入射して蛍光を発するシンチレー
タ素子と前記蛍光を検出する光電変換素子とからなる検
出素子の複数が第１の方向に配列され，前記シンチレー
タ素子の間に仕切板が配置される多素子放射線検出器に
おいて，前記光電変換素子が不感帯を隔て形成される基
板は，前記仕切板が挿入される溝を前記不感帯の領域に
有し，前記仕切板の長さが，前記シンチレータ素子の前
記第１の方向と直交する第２の方向の長さより大であ
り，前記仕切板の先端が前記溝の内部まで挿入され，前
記シンチレータ素子の前記第２の方向での外部に前記仕
切板の両端部を露出させることを特徴とする多素子放射
線検出器。 - 【請求項２】放射線が入射して蛍光を発するシンチレー
タ素子と前記蛍光を検出するＰＩＮフォトダイオードと
からなる検出素子の複数が配列され，前記シンチレータ
素子の間に仕切板が配置される多素子放射線検出器にお
いて，前記ＰＩＮフォトダイオードが不感帯を隔て形成
される基板は，前記仕切板が挿入される溝を前記不感帯
の領域に有し，前記溝の深さが前記基板の厚さの１／２
以下であり，前記仕切板が前記溝の内部まで挿入される
ことを特徴とする多素子放射線検出器。 - 【請求項３】放射線が入射して蛍光を発するシンチレー
タ素子と前記蛍光を検出するＰＩＮフォトダイオードと
からなる検出素子の複数が第１の方向に配列され，前記
シンチレータ素子の間に仕切板が配置される多素子放射
線検出器において，前記ＰＩＮフォトダイオードが不感
帯を隔て形成される基板は，前記仕切板が挿入される溝
を前記不感帯の領域に有し，前記溝の深さが前記基板の
厚さの１／２以下であり，前記仕切板の長さが，前記シ
ンチレータ素子の前記第１の方向と直交する第２の方向
の長さより大であり，前記仕切板が前記溝の内部まで挿
入され，前記シンチレータ素子の前記第２の方向での外
部に前記仕切板の両端部を露出させることを特徴とする
多素子放射線検出器。 - 【請求項４】不感帯を隔て複数の光電変換素子が第１の
方向に配列して形成される基板に， 一面に光反射層が形
成されたシンチレータ薄板の前記光反射層が形成された
面と反対の面を，光透過性を有する接着剤で接着する第
１の工程と，前記第１の方向と直交する第２の方向での
前記シンチレータ薄板の長さより大なる長さを有し，前
記基板の内部まで達する溝を前記不感帯の領域に形成
し，前記溝により前記シンチレータ薄板を分離する第２
の工程と，前記第２の方向での前記シンチレータ薄板の
長さより大なる長さを有する仕切板を，前記シンチレー
タ薄板の前記第２の方向での外部に前記仕切板の両端部
を露出させて，前記溝の内部に挿入する第３の工程とを
有することを特徴とする多素子放射線検出器の製造方
法。 - 【請求項５】不感帯を隔て複数のＰＩＮフォトダイオー
ドが第１の方向に配列されて形成される基板に，一面に
光反射層が形成されたシンチレータ薄板の前記光反射層
が形成された面と反対の面を，光透過性を有する接着剤
で接着する第１の工程と，前記ＰＩＮフォトダイオード
の前記第１の方向と直交する第２の方向での前記シンチ
レータ薄板の長さより大なる長さを有する溝を，前記不
感帯の領域に形成し，前記溝により前記シンチレータ薄
板を分離する第２の工程と，前記第２の方向での前記シ
ンチレータ薄板の長さより大なる長さを有する仕切板
を，前記シンチレータ薄板の前記第２の方向での外部に
前記仕切板の両端部を露出させて，前記溝の内部に挿入
する第３の工程とを有することを特徴とする多素子放射
線検出器の製造方法。 - 【請求項６】放射線が入射して蛍光を発するシンチレー
タ素子と前記蛍光を検出する光電変換素子とからなる検
出素子の複数が第１の方向に配列され，前記シンチレー
タ素子の間に仕切板が配置される多素子放射線検出器に
おいて，前記シンチレータ素子の前記放射線が入射する
面に光反射層を有し，前記光電変換素子が不感帯を隔て
形成される基板は，前記仕切板が挿入される溝を前記不
感帯の領域に有し，前記仕切板の長さが，前記シンチレ
ータ素子の前記第１の方向と直交する第２の方向の長さ
より大であり，前記仕切板の先端が前記溝の内部まで挿
入され，前記シンチレータ素子の前記第２の方向での外
部に前記仕切板の両端部を露出させることを特徴とする
多素子放射線検出器。 - 【請求項７】請求項６に記載の多素子放射線検出器にお
いて、前記光反射層は二酸化チタンを含むことを特徴と
する多素子放射線検出器。 - 【請求項８】放射線が入射して蛍光を発するシンチレー
タ素子と前記蛍光を検出するＰＩＮフォトダイオードと
からなる検出素子の複数が配列され，前記シンチレータ
素子の間に仕切板が配置される多素子放射線検出器にお
いて，前記シンチレータ素子の前記放射線が入射する面
に光反射層を有し，前記ＰＩＮフォトダイオードが不感
帯を隔て形成される基板は，前記仕切板が挿入される溝
を前記不感帯の領域に有し，前記溝の深さが前記基板の
厚さの１／２以下であり，前記仕切板が前記溝の内部ま
で挿入されることを特徴とする多素子放射線検出器。 - 【請求項９】放射線が入射して蛍光を発するシンチレー
タ素子と前記蛍光を検出するＰＩＮフォトダイオードと
からなる検出素子の複数が第１の方向に配列され，前記
シンチレータ素子の間に仕切板が配置される多素子放射
線検出器において，前記シンチレータ素子の前記放射線
が入射する面に光反射層を有し，前記ＰＩＮフォトダイ
オードが不感帯を隔て形成される基板は，前記仕切板が
挿入される溝を前記不感帯の領域に有し，前記溝の深さ
が前記基板の厚さの１／２以下であり，前記仕切板の長
さが，前記シンチレータ素子の前記第１の方向と直交す
る第２の方向の長さより大であり，前記仕切板が前記溝
の内部まで挿入され，前記シンチレータ素子の前記第２
の方向での外部に前記仕切板の両端部を露出させること
を特徴とする多素子放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9083539A JP2840941B2 (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | 多素子放射線検出器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9083539A JP2840941B2 (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | 多素子放射線検出器及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63014443A Division JP2720159B2 (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-27 | 多素子放射線検出器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010235A JPH1010235A (ja) | 1998-01-16 |
| JP2840941B2 true JP2840941B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=13805320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9083539A Expired - Fee Related JP2840941B2 (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | 多素子放射線検出器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2840941B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6361735B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-03-26 | General Electric Company | Composite ceramic article and method of making |
| GB2392308B (en) * | 2002-08-15 | 2006-10-25 | Detection Technology Oy | Packaging structure for imaging detectors |
| JP5124226B2 (ja) | 2007-10-01 | 2013-01-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| JP2010249847A (ja) * | 2010-08-09 | 2010-11-04 | Hamamatsu Photonics Kk | Ｐｅｔ装置 |
| JP6748486B2 (ja) | 2016-06-08 | 2020-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出ユニット、光検出装置、及び、光検出ユニットの製造方法 |
-
1997
- 1997-04-02 JP JP9083539A patent/JP2840941B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1010235A (ja) | 1998-01-16 |
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