JP2000009846A - シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シンチレータの耐湿性を向上させると共に解
像度を向上させることである。 【解決手段】 シンチレータパネル２のＦＯＰ１０の一
方の表面には柱状結晶構造のシンチレータ１２が形成さ
れている。この柱状結晶構造のシンチレータ１２の隙間
には、加熱発色処理を施したポリパラキシリレン１４が
充填され、シンチレータ１２が加熱発色処理を施したポ
リパラキシリレン１４により覆われている。また、この
加熱発色処理を施したポリパラキシリレン１４の表面に
は、耐湿性の保護膜としてのポリパラキシリレン膜１６
が設けられ、更に、このポリパラキシリレン膜１６の表
面に耐湿性の向上を目的とするＡｌ膜１８が形成されて
いる。
像度を向上させることである。 【解決手段】 シンチレータパネル２のＦＯＰ１０の一
方の表面には柱状結晶構造のシンチレータ１２が形成さ
れている。この柱状結晶構造のシンチレータ１２の隙間
には、加熱発色処理を施したポリパラキシリレン１４が
充填され、シンチレータ１２が加熱発色処理を施したポ
リパラキシリレン１４により覆われている。また、この
加熱発色処理を施したポリパラキシリレン１４の表面に
は、耐湿性の保護膜としてのポリパラキシリレン膜１６
が設けられ、更に、このポリパラキシリレン膜１６の表
面に耐湿性の向上を目的とするＡｌ膜１８が形成されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、医療用のＸ線撮
影等に用いられるシンチレータパネル、放射線イメージ
センサ及びその製造方法に関するものである。
影等に用いられるシンチレータパネル、放射線イメージ
センサ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】医療、工業用のＸ線撮影では、従来、Ｘ
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメー
ジングシステムが普及してきている。このような放射線
イメージングシステムにおいては、放射線検出素子によ
り２次元の放射線による画素データを電気信号として取
得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表
示している。
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメー
ジングシステムが普及してきている。このような放射線
イメージングシステムにおいては、放射線検出素子によ
り２次元の放射線による画素データを電気信号として取
得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表
示している。
【０００３】従来、放射線検出素子を構成するシンチレ
ータパネルとして、特公平５−３９５５８号公報に開示
されているシンチレータパネルが知られている。このシ
ンチレータパネルは、ＦＯＰ上に典型的なシンチレータ
材料であるＣｓＩからなる柱状構造のシンチレータを形
成している。この柱状構造を有するシンチレータにおい
ては、柱状構造を有するシンチレータの１本１本がライ
トガイドとしての役目をにない、放射線によって発生し
た光を光出射面まで導いているため解像度の劣化が低く
押さえられている。
ータパネルとして、特公平５−３９５５８号公報に開示
されているシンチレータパネルが知られている。このシ
ンチレータパネルは、ＦＯＰ上に典型的なシンチレータ
材料であるＣｓＩからなる柱状構造のシンチレータを形
成している。この柱状構造を有するシンチレータにおい
ては、柱状構造を有するシンチレータの１本１本がライ
トガイドとしての役目をにない、放射線によって発生し
た光を光出射面まで導いているため解像度の劣化が低く
押さえられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のシン
チレータは潮解性を有しているため、柱状構造のシンチ
レータの隙間に水分不透過性のポリパラキシリレンを充
填し、ポリパラキシリレンにより柱状構造のシンチレー
タを覆うことによりシンチレータを湿気から保護してい
る。
チレータは潮解性を有しているため、柱状構造のシンチ
レータの隙間に水分不透過性のポリパラキシリレンを充
填し、ポリパラキシリレンにより柱状構造のシンチレー
タを覆うことによりシンチレータを湿気から保護してい
る。
【０００５】しかしながら、柱状構造のシンチレータの
隙間にポリパラキシリレンを充填することにより、シン
チレータの屈折率とシンチレータの隙間の屈折率差が減
少して、柱状構造のシンチレータのライトガイドとして
の効果が低下し解像度の低下を招いていた。なお、特許
２５７１７７１号公報には、シンチレータの隙間をシン
チレータの屈折率以下の材料で被覆する技術が開示され
ており、また、特開平９−６１５３４号公報及び特開平
９−６１５３６号公報には、シンチレータの隙間を黒色
物質で被覆する技術が開示されている。
隙間にポリパラキシリレンを充填することにより、シン
チレータの屈折率とシンチレータの隙間の屈折率差が減
少して、柱状構造のシンチレータのライトガイドとして
の効果が低下し解像度の低下を招いていた。なお、特許
２５７１７７１号公報には、シンチレータの隙間をシン
チレータの屈折率以下の材料で被覆する技術が開示され
ており、また、特開平９−６１５３４号公報及び特開平
９−６１５３６号公報には、シンチレータの隙間を黒色
物質で被覆する技術が開示されている。
【０００６】この発明の課題は、シンチレータの耐湿性
を向上させると共に高解像度のシンチレータパネル、放
射線イメージセンサ及びその製造方法を提供することで
ある。
を向上させると共に高解像度のシンチレータパネル、放
射線イメージセンサ及びその製造方法を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のシンチレ
ータパネルは、基板上に形成された柱状構造のシンチレ
ータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部
を被覆するポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレー
タパネルにおいて、前記ポリパラキシリレン膜は、発色
処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴と
する。
ータパネルは、基板上に形成された柱状構造のシンチレ
ータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部
を被覆するポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレー
タパネルにおいて、前記ポリパラキシリレン膜は、発色
処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴と
する。
【０００８】この請求項１記載のシンチレータパネルに
よれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発
色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱状
構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラ
キシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分
が減少することによりシンチレータパネルの解像度を向
上させることができる。
よれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発
色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱状
構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラ
キシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分
が減少することによりシンチレータパネルの解像度を向
上させることができる。
【０００９】また、請求項２記載のシンチレータパネル
は、前記発色処理が加熱発色処理であることを特徴とす
る。
は、前記発色処理が加熱発色処理であることを特徴とす
る。
【００１０】また、請求項３記載のシンチレータパネル
は、請求項１又は請求項２記載のシンチレータパネルに
更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆
うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とする。
は、請求項１又は請求項２記載のシンチレータパネルに
更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆
うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とする。
【００１１】この請求項３記載のシンチレータパネルに
よれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更に
ポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿
性を向上させることができる。
よれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更に
ポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿
性を向上させることができる。
【００１２】また、請求項４記載の放射線イメージセン
サは、前記請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のシ
ンチレータパネルに更に撮像素子を備えることを特徴と
する。この請求項４記載の放射線イメージセンサによれ
ば、イメージセンサの解像度を向上させることができ
る。
サは、前記請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のシ
ンチレータパネルに更に撮像素子を備えることを特徴と
する。この請求項４記載の放射線イメージセンサによれ
ば、イメージセンサの解像度を向上させることができ
る。
【００１３】また、請求項５記載の放射線イメージセン
サは、請求項４記載の放射線イメージセンサの前記基板
が透光性の基板であり、前記撮像素子を前記基板の前記
シンチレータが形成されていない側に配置したことを特
徴とする。
サは、請求項４記載の放射線イメージセンサの前記基板
が透光性の基板であり、前記撮像素子を前記基板の前記
シンチレータが形成されていない側に配置したことを特
徴とする。
【００１４】また、請求項６記載の放射線イメージセン
サは、請求項４記載の放射線イメージセンサの前記基板
は放射線透過性の基板であり、前記撮像素子を前記基板
に形成されている前記シンチレータの先端部側に配置し
たことを特徴とする。
サは、請求項４記載の放射線イメージセンサの前記基板
は放射線透過性の基板であり、前記撮像素子を前記基板
に形成されている前記シンチレータの先端部側に配置し
たことを特徴とする。
【００１５】また、請求項７記載の放射線イメージセン
サは、撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシン
チレータと、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパ
ラキシリレン膜とを備える放射線イメージセンサにおい
て、前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポ
リパラキシリレン膜であることを特徴とする。
サは、撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシン
チレータと、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパ
ラキシリレン膜とを備える放射線イメージセンサにおい
て、前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポ
リパラキシリレン膜であることを特徴とする。
【００１６】この請求項７記載の放射線イメージセンサ
によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が
発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱
状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパ
ラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成
分が減少することにより放射線イメージセンサの解像度
を向上させることができる。
によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が
発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱
状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパ
ラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成
分が減少することにより放射線イメージセンサの解像度
を向上させることができる。
【００１７】また、請求項８記載の放射線イメージセン
サは、請求項７記載の放射線イメージセンサの前記発色
処理が加熱発色処理であることを特徴とする。
サは、請求項７記載の放射線イメージセンサの前記発色
処理が加熱発色処理であることを特徴とする。
【００１８】また、請求項９記載の放射線イメージセン
サは、請求項７又は請求項８記載の放射線イメージセン
サに更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜
を覆うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とす
る。
サは、請求項７又は請求項８記載の放射線イメージセン
サに更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜
を覆うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とす
る。
【００１９】この請求項９記載の放射線イメージセンサ
によれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更
にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐
湿性を向上させることができる。
によれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更
にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐
湿性を向上させることができる。
【００２０】また、請求項１０記載のシンチレータパネ
ルの製造方法は、基板上に柱状構造のシンチレータ形成
する第１の工程と、前記柱状構造のシンチレータを覆う
ポリパラキシリレン膜を形成する第２の工程と、前記ポ
リパラキシリレン膜を発色させる第３の工程とを備える
ことを特徴とする。
ルの製造方法は、基板上に柱状構造のシンチレータ形成
する第１の工程と、前記柱状構造のシンチレータを覆う
ポリパラキシリレン膜を形成する第２の工程と、前記ポ
リパラキシリレン膜を発色させる第３の工程とを備える
ことを特徴とする。
【００２１】この請求項１０記載のシンチレータパネル
の製造法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリ
レンを発色させることにより柱状構造の界面を透過した
蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸
収され、蛍光のクロストーク成分が減少するため、解像
度を向上させたシンチレータパネルを製造することがで
きる。
の製造法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリ
レンを発色させることにより柱状構造の界面を透過した
蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸
収され、蛍光のクロストーク成分が減少するため、解像
度を向上させたシンチレータパネルを製造することがで
きる。
【００２２】請求項１１記載のシンチレータパネルの製
造方法は、請求項１０記載のシンチレータパネルの製造
方法の前記第３の工程が加熱により前記ポリパラキシリ
レンを発色させる工程であることを特徴とする。
造方法は、請求項１０記載のシンチレータパネルの製造
方法の前記第３の工程が加熱により前記ポリパラキシリ
レンを発色させる工程であることを特徴とする。
【００２３】また、請求項１２記載のシンチレータパネ
ルの製造方法は、請求項１０又は請求項１１記載のシン
チレータパネルの製造方法に、更に、前記第３工程にお
いて発色させた前記ポリパラキシリレン膜上にポリパラ
キシリレン膜を形成する第４工程を備えることを特徴と
する。
ルの製造方法は、請求項１０又は請求項１１記載のシン
チレータパネルの製造方法に、更に、前記第３工程にお
いて発色させた前記ポリパラキシリレン膜上にポリパラ
キシリレン膜を形成する第４工程を備えることを特徴と
する。
【００２４】この請求項１２記載のシンチレータパネル
の製造方法によれば、発色させたポリパラキシリレン膜
上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シン
チレータの耐湿性を向上させたシンチレータパネルを製
造することができる。
の製造方法によれば、発色させたポリパラキシリレン膜
上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シン
チレータの耐湿性を向上させたシンチレータパネルを製
造することができる。
【００２５】また、請求項１３記載の放射線イメージセ
ンサの製造方法は、撮像素子の受光面上に柱状構造のシ
ンチレータを形成する第１の工程と、前記柱状構造のシ
ンチレータを覆うポリパラキシリレンを形成する第２の
工程と、前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第３の
工程とを備えることを特徴とする。
ンサの製造方法は、撮像素子の受光面上に柱状構造のシ
ンチレータを形成する第１の工程と、前記柱状構造のシ
ンチレータを覆うポリパラキシリレンを形成する第２の
工程と、前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第３の
工程とを備えることを特徴とする。
【００２６】この請求項１３記載の放射線イメージセン
サの製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキ
シリレン膜を発色させることにより柱状構造の界面を透
過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜に
より吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少するた
め、解像度を向上させた放射線イメージセンサを製造す
ることができる。
サの製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキ
シリレン膜を発色させることにより柱状構造の界面を透
過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜に
より吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少するた
め、解像度を向上させた放射線イメージセンサを製造す
ることができる。
【００２７】また、請求項１４記載の放射線イメージセ
ンサの製造方法は、請求項１３記載のシンチレータパネ
ルの製造方法の前記第３の工程が加熱により前記ポリパ
ラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とす
る。
ンサの製造方法は、請求項１３記載のシンチレータパネ
ルの製造方法の前記第３の工程が加熱により前記ポリパ
ラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とす
る。
【００２８】また、請求項１５記載の放射線イメージセ
ンサの製造方法は、請求項１３又は請求項１４記載の放
射線イメージセンサの製造方法に、更に、前記第３工程
において加熱し発色させた前記ポリパラキシリレン上に
ポリパラキシリレン膜を形成する第４工程を備えること
を特徴とする。
ンサの製造方法は、請求項１３又は請求項１４記載の放
射線イメージセンサの製造方法に、更に、前記第３工程
において加熱し発色させた前記ポリパラキシリレン上に
ポリパラキシリレン膜を形成する第４工程を備えること
を特徴とする。
【００２９】この請求項１５記載の放射線イメージセン
サの製造方法によれば、加熱し発色させたポリパラキシ
リレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するた
め、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメージ
センサを製造することができる。
サの製造方法によれば、加熱し発色させたポリパラキシ
リレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するた
め、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメージ
センサを製造することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照して、こ
の発明の第１の実施の形態の説明を行う。図１は実施の
形態にかかるシンチレータパネル２の断面図である。図
１に示すように、シンチレータパネル２のファイバオプ
ティカルプレート（以下、ＦＯＰという。）１０の一方
の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状結
晶構造のシンチレータ１２が形成されている。このシン
チレータ１２には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられてい
る。
の発明の第１の実施の形態の説明を行う。図１は実施の
形態にかかるシンチレータパネル２の断面図である。図
１に示すように、シンチレータパネル２のファイバオプ
ティカルプレート（以下、ＦＯＰという。）１０の一方
の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状結
晶構造のシンチレータ１２が形成されている。このシン
チレータ１２には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられてい
る。
【００３１】このＦＯＰ１０に形成された柱状結晶構造
のシンチレータ１２の隙間には、シンチレータ１２の表
面に成膜され加熱発色処理が施されたポリパラキシリレ
ンが充填されている。また、この加熱発色処理を施した
ポリパラキシリレン膜１４の表面には、耐湿性の保護膜
としてのポリパラキシリレン膜１６が設けられており、
更に、このポリパラキシリレン膜１６の表面に耐湿性の
向上を目的とするＡｌ膜１８が形成されている。このシ
ンチレータパネル２は、ＦＯＰ１０を介して図示しない
撮像素子（ＣＣＤ）等と結合することにより放射線イメ
ージセンサとして用いられる。また、Ａｌ膜１８上にＡ
ｌ膜１８の剥がれ防止するためのポリパラキシリレン膜
を形成してもよい。
のシンチレータ１２の隙間には、シンチレータ１２の表
面に成膜され加熱発色処理が施されたポリパラキシリレ
ンが充填されている。また、この加熱発色処理を施した
ポリパラキシリレン膜１４の表面には、耐湿性の保護膜
としてのポリパラキシリレン膜１６が設けられており、
更に、このポリパラキシリレン膜１６の表面に耐湿性の
向上を目的とするＡｌ膜１８が形成されている。このシ
ンチレータパネル２は、ＦＯＰ１０を介して図示しない
撮像素子（ＣＣＤ）等と結合することにより放射線イメ
ージセンサとして用いられる。また、Ａｌ膜１８上にＡ
ｌ膜１８の剥がれ防止するためのポリパラキシリレン膜
を形成してもよい。
【００３２】次に、図２及び図３を参照して、シンチレ
ータパネル２の製造工程について説明する。まず、ＦＯ
Ｐ１０の一方の表面に、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状
結晶を蒸着法によって成長させてシンチレータ１２を１
０μｍの柱径、３００μｍの厚さで形成する（図２
（ａ）参照）。
ータパネル２の製造工程について説明する。まず、ＦＯ
Ｐ１０の一方の表面に、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状
結晶を蒸着法によって成長させてシンチレータ１２を１
０μｍの柱径、３００μｍの厚さで形成する（図２
（ａ）参照）。
【００３３】次に、シンチレータ１２が形成されたＦＯ
Ｐ１０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ＣＶＤ法（気相化
学成長法）によりシンチレータ１２の隙間及び表面にポ
リパラキシリレン膜１４を成膜する。即ち、ＣＶＤ装置
の蒸着室内において、ポリパラキシリレンの原料を昇華
した蒸気中に露出させておくことにより、柱状結晶構造
のシンチレータ１２の隙間にポリパラキシリレン膜１４
を成膜し、柱状結晶構造のシンチレータ１２の隙間にポ
リパラキシリレン膜１４を成膜する（図２（ｂ）参
照）。
Ｐ１０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ＣＶＤ法（気相化
学成長法）によりシンチレータ１２の隙間及び表面にポ
リパラキシリレン膜１４を成膜する。即ち、ＣＶＤ装置
の蒸着室内において、ポリパラキシリレンの原料を昇華
した蒸気中に露出させておくことにより、柱状結晶構造
のシンチレータ１２の隙間にポリパラキシリレン膜１４
を成膜し、柱状結晶構造のシンチレータ１２の隙間にポ
リパラキシリレン膜１４を成膜する（図２（ｂ）参
照）。
【００３４】次に、柱状結晶構造のシンチレータ１２の
表面にポリパラキシリレン膜１４を成膜したＦＯＰ１０
をＣＶＤ装置の蒸着室から取り出し、真空中において２
５０℃で２時間、加熱することによりポリパラキシリレ
ン膜１４を発色させる。即ち、ポリパラキシリレンの構
造式は、
表面にポリパラキシリレン膜１４を成膜したＦＯＰ１０
をＣＶＤ装置の蒸着室から取り出し、真空中において２
５０℃で２時間、加熱することによりポリパラキシリレ
ン膜１４を発色させる。即ち、ポリパラキシリレンの構
造式は、
【化１】 で示されるが、ポリパラキシリレン膜１４を真空中にお
いて２５０℃で２時間、加熱することにより、ポリパラ
キシリレンのエチレン基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）の一部
がエテニレン基（−ＣＨ＝ＣＨ−）又は、エチニレン基
（−Ｃ≡Ｃ−）に変化することにより茶色に発色する。
いて２５０℃で２時間、加熱することにより、ポリパラ
キシリレンのエチレン基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）の一部
がエテニレン基（−ＣＨ＝ＣＨ−）又は、エチニレン基
（−Ｃ≡Ｃ−）に変化することにより茶色に発色する。
【００３５】次に、ポリパラキシリレン膜１４の加熱発
色処理が終了したＦＯＰ１０を、再度、ＣＶＤ装置の蒸
着室に入れて、ポリパラキシリレン膜１６を１０μｍの
厚さで成膜し（図３（ａ）参照）、その後、Ａｌ膜１８
を３００ｎｍの厚さで蒸着する（図３（ｂ）参照）。こ
こでＡｌ膜１８は、シンチレータ１２の耐湿性の向上を
目的とするものであるためシンチレータ１２を覆う範囲
で形成される。この工程を終了することによりシンチレ
ータパネル２の製造が終了する。
色処理が終了したＦＯＰ１０を、再度、ＣＶＤ装置の蒸
着室に入れて、ポリパラキシリレン膜１６を１０μｍの
厚さで成膜し（図３（ａ）参照）、その後、Ａｌ膜１８
を３００ｎｍの厚さで蒸着する（図３（ｂ）参照）。こ
こでＡｌ膜１８は、シンチレータ１２の耐湿性の向上を
目的とするものであるためシンチレータ１２を覆う範囲
で形成される。この工程を終了することによりシンチレ
ータパネル２の製造が終了する。
【００３６】この実施の形態にかかるシンチレータパネ
ル２によれば、柱状結晶構造のシンチレータ１２の表面
に形成されているポリパラキシリレン膜１４に加熱発色
処理が施されているため、シンチレータ１２の柱状結晶
構造の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリ
パラキシリレン膜１４により吸収され、蛍光のクロスト
ーク成分が減少することによりシンチレータパネル２の
解像度を向上させることができる。また、加熱発色処理
を施したポリパラキシリレン膜１４をポリパラキシリレ
ン膜で更に覆うためシンチレータの耐湿性を向上させる
ことができる。
ル２によれば、柱状結晶構造のシンチレータ１２の表面
に形成されているポリパラキシリレン膜１４に加熱発色
処理が施されているため、シンチレータ１２の柱状結晶
構造の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリ
パラキシリレン膜１４により吸収され、蛍光のクロスト
ーク成分が減少することによりシンチレータパネル２の
解像度を向上させることができる。また、加熱発色処理
を施したポリパラキシリレン膜１４をポリパラキシリレ
ン膜で更に覆うためシンチレータの耐湿性を向上させる
ことができる。
【００３７】次に、図４〜図６を参照して、この発明の
第２の実施の形態の説明を行う。図４は実施の形態にか
かる放射線イメージセンサ４の断面図である。図４に示
すように、放射線イメージセンサ４は、薄膜トランジス
タ＋フォトダイオードアレイ（以下フォトダイオードア
レイという）３０の受光部３０ｂに対応して設けられて
いる大結晶化されたシンチレータ３４を加熱発色処理を
施したポリパラキシリレン膜３６により覆い、更に、耐
湿性の向上を目的とするポリパラキシリレン膜３８で覆
った構造を有するものである。
第２の実施の形態の説明を行う。図４は実施の形態にか
かる放射線イメージセンサ４の断面図である。図４に示
すように、放射線イメージセンサ４は、薄膜トランジス
タ＋フォトダイオードアレイ（以下フォトダイオードア
レイという）３０の受光部３０ｂに対応して設けられて
いる大結晶化されたシンチレータ３４を加熱発色処理を
施したポリパラキシリレン膜３６により覆い、更に、耐
湿性の向上を目的とするポリパラキシリレン膜３８で覆
った構造を有するものである。
【００３８】次に、図５及び図６を参照して、この放射
線イメージセンサ４の製造工程について説明する。図５
（ａ）に示すように、放射線イメージセンサ４を構成す
るフォトダイオードアレイ３０は、基板３０ａ上に受光
部３０ｂが２００μｍのピッチでアレイ状に形成され、
各受光部３０ｂに対応してアモルファスシリコン薄膜ト
ランジスタのスイッチング素子３０ｃが設けられてい
る。
線イメージセンサ４の製造工程について説明する。図５
（ａ）に示すように、放射線イメージセンサ４を構成す
るフォトダイオードアレイ３０は、基板３０ａ上に受光
部３０ｂが２００μｍのピッチでアレイ状に形成され、
各受光部３０ｂに対応してアモルファスシリコン薄膜ト
ランジスタのスイッチング素子３０ｃが設けられてい
る。
【００３９】まず、このフォトダイオードアレイ３０の
受光部３０ｂ上にポリイミドにより凸パターン３２を形
成する（図５（ｂ）参照）。次に、ＴｌをドープしたＣ
ｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させて、受光部３
０ｂに対応したシンチレータ３４の固まりを形成し（図
５（ｃ）参照）、水蒸気を含む大気中に４０時間露出さ
せることにより、シンチレータ３４に水分を含有させ溶
かすことで大結晶化、好ましくは単結晶化させる（図５
（ｄ）参照）。
受光部３０ｂ上にポリイミドにより凸パターン３２を形
成する（図５（ｂ）参照）。次に、ＴｌをドープしたＣ
ｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させて、受光部３
０ｂに対応したシンチレータ３４の固まりを形成し（図
５（ｃ）参照）、水蒸気を含む大気中に４０時間露出さ
せることにより、シンチレータ３４に水分を含有させ溶
かすことで大結晶化、好ましくは単結晶化させる（図５
（ｄ）参照）。
【００４０】次に、シンチレータ３４が形成されたフォ
トダイオードアレイ３０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、
ポリパラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させ
ておくことにより、大結晶化したシンチレータ３４の表
面にポリパラキシリレン膜３６を成膜する（図６（ａ）
参照）。次に、シンチレータ３４の表面にポリパラキシ
リレン膜３６を成膜したフォトダイオードアレイ３０を
ＣＶＤ装置の蒸着室から取り出し、真空中において２５
０℃で１時間、加熱することによりポリパラキシリレン
膜３６を発色させる（図６（ｂ）参照）。即ち、第１の
実施の形態の場合と同様に、ポリパラキシリレンのエチ
レン基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）の一部がエテニレン基
（−ＣＨ＝ＣＨ−）又は、エチニレン基（−Ｃ≡Ｃ−）
に変化することにより茶色に発色する。
トダイオードアレイ３０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、
ポリパラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させ
ておくことにより、大結晶化したシンチレータ３４の表
面にポリパラキシリレン膜３６を成膜する（図６（ａ）
参照）。次に、シンチレータ３４の表面にポリパラキシ
リレン膜３６を成膜したフォトダイオードアレイ３０を
ＣＶＤ装置の蒸着室から取り出し、真空中において２５
０℃で１時間、加熱することによりポリパラキシリレン
膜３６を発色させる（図６（ｂ）参照）。即ち、第１の
実施の形態の場合と同様に、ポリパラキシリレンのエチ
レン基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）の一部がエテニレン基
（−ＣＨ＝ＣＨ−）又は、エチニレン基（−Ｃ≡Ｃ−）
に変化することにより茶色に発色する。
【００４１】次に、ポリパラキシリレン膜３６の加熱発
色処理が終了したフォトダイオードアレイ３０を、再
度、ＣＶＤ装置の蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン
膜３８を１０μｍの厚さで成膜する（図６（ｃ）参
照）。この工程を終了することにより放射線イメージセ
ンサ４の製造が終了する。
色処理が終了したフォトダイオードアレイ３０を、再
度、ＣＶＤ装置の蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン
膜３８を１０μｍの厚さで成膜する（図６（ｃ）参
照）。この工程を終了することにより放射線イメージセ
ンサ４の製造が終了する。
【００４２】この第２の実施の形態にかかる放射線イメ
ージセンサ４によれば、大結晶化したシンチレータ３４
の表面に形成されているポリパラキシリレン膜３６に加
熱発色処理が施されているため、シンチレータ３４の界
面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシ
リレン膜３６により吸収され、蛍光のクロストーク成分
が減少することにより放射線イメージセンサ４の解像度
を向上させることができる。また、加熱発色処理を施し
たポリパラキシリレン膜３６を更にポリパラキシリレン
膜３８で更に覆うためシンチレータ３４の耐湿性を向上
させることができる。
ージセンサ４によれば、大結晶化したシンチレータ３４
の表面に形成されているポリパラキシリレン膜３６に加
熱発色処理が施されているため、シンチレータ３４の界
面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシ
リレン膜３６により吸収され、蛍光のクロストーク成分
が減少することにより放射線イメージセンサ４の解像度
を向上させることができる。また、加熱発色処理を施し
たポリパラキシリレン膜３６を更にポリパラキシリレン
膜３８で更に覆うためシンチレータ３４の耐湿性を向上
させることができる。
【００４３】次に、図７〜図９を参照して、この発明の
第３の実施の形態の説明を行う。この第３の実施の形態
の説明においては、第２の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサ４の構成と同一の構成には、放射線イメー
ジセンサ４の説明の際に用いた符号と同一の符号を付し
て説明を行う。
第３の実施の形態の説明を行う。この第３の実施の形態
の説明においては、第２の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサ４の構成と同一の構成には、放射線イメー
ジセンサ４の説明の際に用いた符号と同一の符号を付し
て説明を行う。
【００４４】図７は実施の形態にかかる放射線イメージ
センサ６の断面図である。図７に示すように、放射線イ
メージセンサ６は、薄膜トランジスタ＋フォトダイオー
ドアレイ３０の受光部３０ａに対応して設けられている
大結晶化されたシンチレータ３４の先端部以外の部分を
加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜３６により
覆い、更に、シンチレータ３４を耐湿性を目的とするポ
リパラキシリレン膜３８及びＡｌ膜４０、Ａｌ膜４０の
剥がれ防止のためのポリパラキシリレン膜４２で覆った
構造を有するものである。
センサ６の断面図である。図７に示すように、放射線イ
メージセンサ６は、薄膜トランジスタ＋フォトダイオー
ドアレイ３０の受光部３０ａに対応して設けられている
大結晶化されたシンチレータ３４の先端部以外の部分を
加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜３６により
覆い、更に、シンチレータ３４を耐湿性を目的とするポ
リパラキシリレン膜３８及びＡｌ膜４０、Ａｌ膜４０の
剥がれ防止のためのポリパラキシリレン膜４２で覆った
構造を有するものである。
【００４５】次に、図８及び図９を参照して、この放射
線イメージセンサ６の製造工程について説明する。ま
ず、図５及び図６に示す第２の実施の形態にかかる放射
線イメージセンサ４の製造工程と同一の工程により、フ
ォトダイオードアレイ３０の受光部３０ｂ上に形成した
大結晶化したシンチレータ３４を加熱発色させたポリパ
ラキシリレン膜３６により被覆する（図８（ａ）参
照）。
線イメージセンサ６の製造工程について説明する。ま
ず、図５及び図６に示す第２の実施の形態にかかる放射
線イメージセンサ４の製造工程と同一の工程により、フ
ォトダイオードアレイ３０の受光部３０ｂ上に形成した
大結晶化したシンチレータ３４を加熱発色させたポリパ
ラキシリレン膜３６により被覆する（図８（ａ）参
照）。
【００４６】次に、シンチレータ３４の上端部に位置す
るポリパラキシリレン膜３６をレーザ照射により除去し
（図８（ｂ）参照）、このシンチレータ３４の上端部に
位置するポリパラキシリレン膜３６の除去処理が終了し
たフォトダイオードアレイ３０を、再度、ＣＶＤ装置の
蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン膜３８を１０μｍ
の厚さで成膜する（図８（ｃ）参照）。
るポリパラキシリレン膜３６をレーザ照射により除去し
（図８（ｂ）参照）、このシンチレータ３４の上端部に
位置するポリパラキシリレン膜３６の除去処理が終了し
たフォトダイオードアレイ３０を、再度、ＣＶＤ装置の
蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン膜３８を１０μｍ
の厚さで成膜する（図８（ｃ）参照）。
【００４７】次に、ポリパラキシリレン膜３８上に、真
空蒸着法により耐湿膜であるＡｌ膜４０を１００ｎｍの
厚さで形成し、更に、このＡｌ膜４０上にポリパラキシ
リレン膜３８の形成の場合と同様な方法で、Ａｌ膜４０
の剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜４２を
形成する。この工程を終了することにより放射線イメー
ジセンサ６の製造が終了する。
空蒸着法により耐湿膜であるＡｌ膜４０を１００ｎｍの
厚さで形成し、更に、このＡｌ膜４０上にポリパラキシ
リレン膜３８の形成の場合と同様な方法で、Ａｌ膜４０
の剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜４２を
形成する。この工程を終了することにより放射線イメー
ジセンサ６の製造が終了する。
【００４８】この第３の実施の形態にかかる放射線イメ
ージセンサ６によれば、大結晶化したシンチレータ３４
の側壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜
３６に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ
３４の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリ
パラキシリレン膜３６により吸収され、蛍光のクロスト
ーク成分が減少することにより放射線イメージセンサ６
の解像度を向上させることができる。また、シンチレー
タ３４をポリパラキシリレン膜３８及びＡｌ膜４０で覆
うためシンチレータ３４の耐湿性を向上させることがで
きる。
ージセンサ６によれば、大結晶化したシンチレータ３４
の側壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜
３６に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ
３４の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリ
パラキシリレン膜３６により吸収され、蛍光のクロスト
ーク成分が減少することにより放射線イメージセンサ６
の解像度を向上させることができる。また、シンチレー
タ３４をポリパラキシリレン膜３８及びＡｌ膜４０で覆
うためシンチレータ３４の耐湿性を向上させることがで
きる。
【００４９】次に、図１０を参照して、この発明の第４
の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ７の説明を
行う。この第４の実施の形態の説明においては、第３の
実施の形態にかかる放射線イメージセンサ６の構成と同
一の構成には、放射線イメージセンサ６の説明の際に用
いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ７の説明を
行う。この第４の実施の形態の説明においては、第３の
実施の形態にかかる放射線イメージセンサ６の構成と同
一の構成には、放射線イメージセンサ６の説明の際に用
いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
【００５０】この放射線イメージセンサ７は、加熱発色
したポリパラキシリレン膜３６を除去した後に、シンチ
レータ３４の上部に位置するポリパラキシリレン膜３８
上に、大結晶化したシンチレータ３４毎に対応させて反
射膜であるＡｌ膜３９を形成し、その上にＡｌ膜３９の
剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜４１、耐
湿性を向上させるためのＡｌ膜４０及びＡｌ膜４０の剥
がれを防止するためのポリパラキシリレン膜４２を順次
形成したものである。
したポリパラキシリレン膜３６を除去した後に、シンチ
レータ３４の上部に位置するポリパラキシリレン膜３８
上に、大結晶化したシンチレータ３４毎に対応させて反
射膜であるＡｌ膜３９を形成し、その上にＡｌ膜３９の
剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜４１、耐
湿性を向上させるためのＡｌ膜４０及びＡｌ膜４０の剥
がれを防止するためのポリパラキシリレン膜４２を順次
形成したものである。
【００５１】この放射線イメージセンサ７においては、
シンチレータ３４で発生した光の中でＡｌ膜３９の方向
に進行した光は、このＡｌ膜３９で反射されてフォトダ
イオードアレイ３０の受光部３０ｂの方向へ向かうため
受光部３０ｂに入射する光を増加させることができる。
シンチレータ３４で発生した光の中でＡｌ膜３９の方向
に進行した光は、このＡｌ膜３９で反射されてフォトダ
イオードアレイ３０の受光部３０ｂの方向へ向かうため
受光部３０ｂに入射する光を増加させることができる。
【００５２】なお、上述の各実施の形態における、ポリ
パラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモ
ノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレ
ン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパ
ラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエ
チルパラキシリレン、等を含む。
パラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモ
ノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレ
ン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパ
ラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエ
チルパラキシリレン、等を含む。
【００５３】また、上述の各実施の形態においては、ポ
リパラキシリレンを加熱することにより発色させている
が、これに限らず電子線、高エネルギの電磁波（紫外
線、Ｘ線）、中性子線を照射することによっても発色さ
せることがきる。
リパラキシリレンを加熱することにより発色させている
が、これに限らず電子線、高エネルギの電磁波（紫外
線、Ｘ線）、中性子線を照射することによっても発色さ
せることがきる。
【００５４】また、上述の各実施の形態においては、ポ
リパラキシリレンを真空中において加熱しているが、こ
れに限らず空気中において加熱するようにしてもよい。
リパラキシリレンを真空中において加熱しているが、こ
れに限らず空気中において加熱するようにしてもよい。
【００５５】また、上述の第１の実施の形態において
は、ポリパラキシリレンを２５０度で２時間加熱してお
り、また、第２の実施の形態においては、ポリパラキシ
リレンを２５０度で１時間加熱しているが、加熱温度及
び加熱時間はこれに限定されるものではなく、ポリパラ
キシリレンの発色の度合いに対応させて適宜選択可能で
ある。
は、ポリパラキシリレンを２５０度で２時間加熱してお
り、また、第２の実施の形態においては、ポリパラキシ
リレンを２５０度で１時間加熱しているが、加熱温度及
び加熱時間はこれに限定されるものではなく、ポリパラ
キシリレンの発色の度合いに対応させて適宜選択可能で
ある。
【００５６】また、上述の各実施の形態においては、シ
ンチレータとしてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられているが、
これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ
（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
ンチレータとしてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられているが、
これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ
（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
【００５７】また、上述の第１の実施の形態において
は、シンチレータを形成する基板としてＦＯＰ１０を用
いＦＯＰ１０側に撮像素子（ＣＣＤ）を配置することに
より放射線イメージセンサとして用いるが、シンチレー
タを形成する基板としてガラス製の基板を用いても良
い。この場合には、ガラス製の基板と撮像素子とをレン
ズを用いて結合させて放射線イメージセンサとして用い
る。
は、シンチレータを形成する基板としてＦＯＰ１０を用
いＦＯＰ１０側に撮像素子（ＣＣＤ）を配置することに
より放射線イメージセンサとして用いるが、シンチレー
タを形成する基板としてガラス製の基板を用いても良
い。この場合には、ガラス製の基板と撮像素子とをレン
ズを用いて結合させて放射線イメージセンサとして用い
る。
【００５８】また、Ａｌ製の基板、Ｃ（グラファイト）
製の基板、Ｂｅ製の基板等を用いてもよく、この場合に
はシンチレータ側に撮像素子（ＣＣＤ）を配置すること
により放射線イメージセンサとして用いる。
製の基板、Ｂｅ製の基板等を用いてもよく、この場合に
はシンチレータ側に撮像素子（ＣＣＤ）を配置すること
により放射線イメージセンサとして用いる。
【００５９】図１１は、Ａｌ製の基板５０に形成された
シンチレータ３４の先端部側に撮像素子５２を配置した
放射線イメージセンサ８である。この放射線イメージセ
ンサ８においては、大結晶化したシンチレータ３４の側
壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜３６
に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ３４
の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラ
キシリレン膜３６により吸収され、蛍光のクロストーク
成分が減少することにより放射線イメージセンサ８の解
像度を向上させることができる。
シンチレータ３４の先端部側に撮像素子５２を配置した
放射線イメージセンサ８である。この放射線イメージセ
ンサ８においては、大結晶化したシンチレータ３４の側
壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜３６
に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ３４
の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラ
キシリレン膜３６により吸収され、蛍光のクロストーク
成分が減少することにより放射線イメージセンサ８の解
像度を向上させることができる。
【００６０】また、上述の第２〜第４の実施の形態にお
いては、シンチレータを形成する基板としてフォトダイ
オードアレイ３０を用いているが、これに限らずＣＣ
Ｄ、ＭＯＳ型固体イメージセンサ等を用いるようにして
もよい。
いては、シンチレータを形成する基板としてフォトダイ
オードアレイ３０を用いているが、これに限らずＣＣ
Ｄ、ＭＯＳ型固体イメージセンサ等を用いるようにして
もよい。
【００６１】また、上述の第２の実施の形態において、
ポリパラキシリレン膜３８の上に更にＡｌ膜を形成する
ようにしても良い。この場合には、更に耐湿性の向上を
図ることができる。
ポリパラキシリレン膜３８の上に更にＡｌ膜を形成する
ようにしても良い。この場合には、更に耐湿性の向上を
図ることができる。
【００６２】
【発明の効果】この発明のシンチレータパネルによれ
ば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処
理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光のク
ロストーク成分を減少させることができ、シンチレータ
パネルの解像度を向上させることができる。また、発色
処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシ
リレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させ
ることができる。
ば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処
理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光のク
ロストーク成分を減少させることができ、シンチレータ
パネルの解像度を向上させることができる。また、発色
処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシ
リレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させ
ることができる。
【００６３】また、この発明の放射線イメージセンサに
よれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発
色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光
のクロストーク成分を減少させることができ、放射線イ
メージセンサの解像度を向上させることができる。ま
た、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリ
パラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を
向上させることができる。
よれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発
色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光
のクロストーク成分を減少させることができ、放射線イ
メージセンサの解像度を向上させることができる。ま
た、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリ
パラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を
向上させることができる。
【００６４】また、この発明のシンチレータパネルの製
造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレ
ン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分を
減少させ、解像度を向上させたシンチレータパネルを製
造することができる。また、発色させたポリパラキシリ
レン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するた
め、シンチレータの耐湿性を向上させたシンチレータパ
ネルを製造することができる。
造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレ
ン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分を
減少させ、解像度を向上させたシンチレータパネルを製
造することができる。また、発色させたポリパラキシリ
レン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するた
め、シンチレータの耐湿性を向上させたシンチレータパ
ネルを製造することができる。
【００６５】また、この発明の放射線イメージセンサの
製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリ
レン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分
を減少させ、解像度を向上させた放射線イメージセンサ
を製造することができる。また、発色させたポリパラキ
シリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成する
ため、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメー
ジセンサを製造することができる。
製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリ
レン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分
を減少させ、解像度を向上させた放射線イメージセンサ
を製造することができる。また、発色させたポリパラキ
シリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成する
ため、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメー
ジセンサを製造することができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態にかかるシンチレ
ータパネルの断面図である。
ータパネルの断面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態にかかるシンチレ
ータパネルの製造工程を示す図である。
ータパネルの製造工程を示す図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態にかかるシンチレ
ータパネルの製造工程を示す図である。
ータパネルの製造工程を示す図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの断面図である。
メージセンサの断面図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの製造工程を示す図である。
メージセンサの製造工程を示す図である。
【図６】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの製造工程を示す図である
メージセンサの製造工程を示す図である
【図７】この発明の第３の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの断面図である。
メージセンサの断面図である。
【図８】この発明の第３の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの製造工程を示す図である。
メージセンサの製造工程を示す図である。
【図９】この発明の第３の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの製造工程を示す図である。
メージセンサの製造工程を示す図である。
【図１０】この発明の第４の実施の形態にかかる放射線
イメージセンサの断面図である。
イメージセンサの断面図である。
【図１１】この発明の他の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサの断面図である。
メージセンサの断面図である。
２…シンチレータパネル、４，６，７，８…放射線イメ
ージセンサ、１０…ＦＯＰ、１２…シンチレータ、１４
…ポリパラキシリレン膜、１６…ポリパラキシリレン
膜、１８…Ａｌ膜、３０…フォトダイオードアレイ、３
０ｂ…受光部、３４…シンチレータ、３６，３８…ポリ
パラキシリレン膜。
ージセンサ、１０…ＦＯＰ、１２…シンチレータ、１４
…ポリパラキシリレン膜、１６…ポリパラキシリレン
膜、１８…Ａｌ膜、３０…フォトダイオードアレイ、３
０ｂ…受光部、３４…シンチレータ、３６，３８…ポリ
パラキシリレン膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 宏人 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 FF02 GG10 GG14 JJ09 JJ35 JJ37 LL15 LL21 MM04 5C037 GH04 GH05 GH18 GJ01
Claims (15)
- 【請求項１】 基板上に形成された柱状構造のシンチレ
ータと、 前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆す
るポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレータパネル
において、 前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパ
ラキシリレン膜であることを特徴とするシンチレータパ
ネル。 - 【請求項２】 前記発色処理は、加熱発色処理であるこ
とを特徴とする請求項１記載のシンチレータパネル。 - 【請求項３】 前記加熱発色処理を施したポリパラキシ
リレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を更に備えること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載のシンチレータ
パネル。 - 【請求項４】 前記請求項１〜請求項３の何れか一項に
記載のシンチレータパネルに更に撮像素子を備えること
を特徴とする放射線イメージセンサ。 - 【請求項５】 前記基板は透光性の基板であり、前記撮
像素子を前記基板の前記シンチレータが形成されていな
い側に配置したことを特徴とする請求項４記載の放射線
イメージセンサ。 - 【請求項６】 前記基板は放射線透過性の基板であり、
前記撮像素子を前記基板に形成されている前記シンチレ
ータの先端部側に配置したことを特徴とする請求項４記
載の放射線イメージセンサ。 - 【請求項７】 撮像素子の受光面上に形成された柱状構
造のシンチレータと、 前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆す
るポリパラキシリレン膜とを備える放射線イメージセン
サにおいて、 前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパ
ラキシリレン膜であることを特徴とする放射線イメージ
センサ。 - 【請求項８】 前記発色処理は、加熱発色処理であるこ
とを特徴とする請求項７記載の放射線イメージセンサ。 - 【請求項９】 前記加熱発色処理を施したポリパラキシ
リレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を更に備えること
を特徴とする請求項７又は請求項８記載の放射線イメー
ジセンサ。 - 【請求項１０】 基板上に柱状構造のシンチレータ形成
する第１の工程と、 前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆す
るポリパラキシリレン膜を形成する第２の工程と、 前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第３の工程と、 を備えることを特徴とするシンチレータパネルの製造方
法。 - 【請求項１１】 前記第３の工程は、加熱により前記ポ
リパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴と
する請求項１０記載のシンチレータパネルの製造方法。 - 【請求項１２】 前記第３工程において加熱し発色させ
た前記ポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリ
レン膜を形成する第４工程を備えることを特徴とする請
求項１０又は請求項１１記載のシンチレータパネルの製
造方法。 - 【請求項１３】 撮像素子の受光面上に柱状構造のシン
チレータを形成する第１の工程と、 前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆す
るポリパラキシリレン膜を形成する第２の工程と、 前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第３の工程と、 を備えることを特徴とする放射線イメージセンサの製造
方法。 - 【請求項１４】 前記第３の工程は、加熱により前記ポ
リパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴と
する請求項１３記載の放射線イメージセンサの製造方
法。 - 【請求項１５】 前記第３工程において加熱し発色させ
た前記ポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリ
レン膜を形成する第４工程を備えることを特徴とする請
求項１３又は請求項１４記載の放射線イメージセンサの
製造方法。
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004515790A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-05-27 | アグファ ゲーヴェルト アクチェンゲゼルシャフト | メモリ層，変換層，ｘ線情報の読出装置及びｘ線カセット |
| JP2003075593A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 放射線シンチレータならびに画像検出器およびその製造方法 |
| JP2006052984A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Canon Inc | 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム |
| JP4612815B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム |
| US7576335B2 (en) | 2005-11-22 | 2009-08-18 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Scintillator plate |
| DE102006022138A1 (de) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Siemens Ag | Szintillatorplatte |
| JP2010121997A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器 |
| JP2011128085A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Canon Inc | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 |
| JP2012141297A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-26 | Fujifilm Corp | 放射線撮像装置 |
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| EP4043928A4 (en) * | 2019-10-07 | 2023-11-01 | Canon Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | RADIATION DETECTION MODULE, RADIATION DETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE RADIATION DETECTION MODULE |
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