CN104022047B - 一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构 - Google Patents
一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构，所述封装方法包括以下步骤：1）提供一基板，对所述基板进行预处理使其适于辐射晶体生长；2）于所述基板上生长辐射晶体；3）于所述辐射晶体上涂覆有机材料层，并于所述有机材料层表面封装防水透光膜。本发明实现了一种高效率简单、封装效果及防水性能良好的封装方法及结构，大大减少了工艺步骤以及降低了生产成本，适用于工业生产。
Description
技术领域
本发明涉及医疗成像、分子成像及高能物理领域，特别是涉及一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构。
背景技术
在高能光子成像领域中一般都涉及到将高能光子信号装换成可以用常规处理电路来处理的探测器信号，以满足应用要求。这中常规信号一般都是将高能光子转换成可见光。而这种用于进行高能光子转换成可见光的物质一般都是辐射晶体。因此辐射晶体在高能成像领域至关重要。而一些性能的辐射晶体由于本身亦潮解等问题，如稀土卤系组成的辐射晶体，这类材料对水气比较敏感，非常容易潮解，因此封装问题是非常重要的。在辐射影像应用领域中，NaI、CsI、LaBr3辐射晶体易潮解。无论是以前的NaI、CsI等晶体，还是近年来新兴的La(镧)系组成的晶体中，这些晶体都非常易潮解，潮解后对闪烁晶体的性能大大下降甚至失去原有的功效。因此如何封装成为很重要的问题。
在通常的封装方案中，一种方式是在常规晶体表面CVD方式封装有机膜，对CsI辐射晶体面板典型的代表封装方式为Hamamatsu用CVD蒸镀聚对二甲苯(perlin)蒸镀，如专利申请号为99808601的公开文本。对于NaI、LaBr3等晶体的封装一般都为四周透明玻璃封装。辐射晶体面板传统工艺封装中，CVD方法进行聚对二甲苯生长时，其速度很慢，生长速度约100～2000埃每分钟，以此速度计算，专利申请99808601中的聚对二甲苯生长需要100～2000分钟，并且在封装工艺中，需进行两次CVD聚对二甲苯的生长以及一次SiO2的溅射生长，工艺步骤相当复杂。该类封装封住工艺比较繁琐，而且效果不佳，有些封装会对辐射晶体本身的性能带来影响。
因此，提供一种工艺步骤及结构简单，防水性能良好、成本较低的辐射晶体面板的封装方法及结构实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构，用于解决现有技术中易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构工艺步骤及结构复杂、防水性能不佳及成本过高等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法，包括以下步骤：
1)提供一基板，对所述基板进行预处理使其适于辐射晶体生长；
2)于所述基板上生长辐射晶体；
3)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层，并于所述有机材料层表面封装防水透光膜。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案，步骤1)预处理至少包括对所述基板进行清洗及干燥的步骤。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案，步骤2)采用真空生长的方式于所述基板上生长辐射晶体。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案，步骤3)于匀胶设备中于所述辐射晶体上涂覆有机材料层，所述有机材料层包括环氧树脂、硅胶、光学水泥中的一种或两种以上组合，所述有机材料层的厚度为5微米～500微米。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案，所述防水透光膜为有机膜或无机膜，步骤3)包括以下步骤：
3-1)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层；
3-2)提供一有机膜，于所述有机材料层表面贴合所述有机膜；
3-3)固化所述有机材料层。
或者包括步骤：
3-1)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层；
3-2)固化所述有机材料层；
3-3)提供一具有粘性的有机膜，于所述有机材料层表面贴合所述有机膜；
或者包括步骤：
3-1)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层；
3-2)固化所述有机材料层；
3-3)于所述有机材料层表面沉积所述无机膜。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案，所述基板包括支撑板或感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、硅积光电倍增管、非晶硅TFT及CMOS光电二极管。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法的一种优选方案，所述辐射晶体为包括CsI、CsI(Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、NaI、NaI(Tl)的卤系易潮解晶体。
本发明还提供一种易潮解性辐射晶体面板的封装结构，包括
基板；
辐射晶体，结合于所述基板表面；
有机材料层，结合于所述辐射晶体表面，并将所述辐射晶体封装于所述基板及有机材料层之间；
防水透光膜，结合于所述有机材料层表面。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装结构的一种优选方案，所述基板包括支撑板或感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、硅积光电倍增管、非晶硅TFT及CMOS光电二极管。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装结构的一种优选方案，所述辐射晶体为包括CsI、CsI(Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、NaI、NaI(Tl)的卤系易潮解晶体。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装结构的一种优选方案，所述有机材料层包括环氧树脂、硅胶、光学水泥中的一种或两种以上组合，所述有机材料层的厚度为5微米～500微米。
作为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装结构的一种优选方案，所述防水透光膜包括有机膜或无机膜。
如上所述，本发明提供一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法及结构，所述封装方法包括以下步骤：1)提供一基板，对所述基板进行预处理使其适于辐射晶体生长；2)于所述基板上生长辐射晶体；3)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层，并于所述有机材料层表面封装防水透光膜。本发明实现了一种高效率简单、封装效果及防水性能良好的封装方法及结构，大大减少了工艺步骤以及降低了生产成本，适用于工业生产。
附图说明
图1～图4显示为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法中各步骤所呈现的结构示意图。
图5显示为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法实施例1中的步骤流程示意图。
图6显示为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法实施例2中的步骤流程示意图。
图7显示为本发明的易潮解性辐射晶体面板的封装方法实施例3中的步骤流程示意图。
元件标号说明
10 基板
20 辐射晶体
30 有机材料层
40 防水透光膜
S11～S15 实施例1步骤
S23～S25 实施例2步骤
S33～S35 实施例3步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例1
如图1～图4及图5所示，本实施例提供一种易潮解性辐射晶体20面板的封装方法，包括以下步骤：
如图1及图5所示，首先进行步骤1)S11，提供一基板10，对所述基板10进行预处理使其适于辐射晶体20生长；
作为示例，所述基板10包括支撑板或感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、硅积光电倍增管、非晶硅TFT及CMOS光电二极管，所述基板10的厚度为0.1mm～3mm。
在本实施例中，所述基板10为碳基板，并且所述基板10的厚度为1mm。
作为示例，所述预处理至少包括对所述基板10进行清洗及干燥的步骤。
另外，需要说明的是，对于特定的基板可以适当加入合适的工艺，使表面处理适于晶体生长；如以碳基板作为基板时，需将基板依次进行喷砂、光学膜的生长、反光膜的生长等工艺过程，使其满足辐射晶体20生长并优化相关光学性质的处理。
如图2及图5所示，然后进行步骤2)S12，于所述基板10上生长辐射晶体20；
作为示例，采用真空生长的方式于所述基板10上生长辐射晶体20。
作为示例，所述辐射晶体20为包括CsI、CsI(Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、NaI、NaI(Tl)的卤系易潮解晶体。所述辐射晶体20的厚度为0.05mm～2mm。
在本实施例中，所述辐射晶体20为CsI，采用的生长方式为真空PVD方法，生长的厚度为1mm。
如图3～图4及图5所示，最后进行步骤3)S13～S15，于所述辐射晶体20上涂覆有机材料层30，并于所述有机材料层30表面封装防水透光膜40。
作为示例，于匀胶设备中于所述辐射晶体20上涂覆有机材料层30，所述有机材料层30包括环氧树脂、硅胶、光学水泥中的一种或两种以上组合，所述有机材料层30的厚度为5微米～500微米。在本实施例中，所述有机材料层30为环氧树脂，厚度为10微米。
在本实施例中，所述防水透光膜40为有机膜，具体包括以下步骤：
如图3及图5所示进行步骤3-1)S13，于所述辐射晶体20上涂覆有机材料层30；
如图4及图5所示进行步骤3-2)S14，提供一有机膜，于所述有机材料层30表面贴合所述有机膜。具体地，于真空设备中进行所述有机膜及有机材料层30的贴合，由于此过程中，所述有机材料层30还没固化，其表面具有一定的粘性，因此，所述有机膜表面不需要具有粘性，可以扩大所述有机膜种类的选择，适应性很强，且可以降低封装成本。当然，有粘性的有机膜也同样适用。另外，在真空设备中进行有机膜的贴合，可以保证有机材料层30及有机膜之间没有气泡产生，大大提高晶体面板的成像质量。
如图4及图5所示进行3-3)S15，固化所述有机材料层30。
另外，如果有必要，可以在固化后对晶体面板进行适当的检测，保证成品率。
如图4所示，本实施例还提供一种易潮解性辐射晶体20面板的封装结构，包括
基板10；
辐射晶体20，结合于所述基板10表面；
有机材料层30，结合于所述辐射晶体20表面，并将所述辐射晶体20封装于所述基板10及有机材料层30之间；
防水透光膜40，结合于所述有机材料层30表面。
作为示例，所述基板10包括支撑板或感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管、硅积光电倍增管、非晶硅TFT及CMOS光电二极管。
作为示例，所述辐射晶体20为包括CsI、CsI(Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、NaI、NaI(Tl)的卤系易潮解晶体。在本实施例中，所述辐射晶体20为CsI，厚度为1mm。
作为示例，所述有机材料层30包括环氧树脂、硅胶、光学水泥中的一种或两种以上组合，所述有机材料层30的厚度为5微米～500微米。在本实施例中，所述有机材料层30为环氧树脂，厚度为10微米。
作为示例，所述防水透光膜40包括有机膜或无机膜。在本实施例中，所述防水透光膜40为有机膜。
实施例2
如图1～4及图6所示，本实施例提供一种易潮解性辐射晶体20面板的封装方法，其基本步骤如实施例1，其中，步骤3)包括以下步骤：
步骤3-1)S23，于所述辐射晶体20上涂覆有机材料层30；
步骤3-2)S24，固化所述有机材料层30；
步骤3-3)S25，提供一具有粘性的有机膜，于所述有机材料层30表面贴合所述有机膜。
本实施例对所述有机材料层30先进行固化后在进行有机膜的贴合，因此需要有机膜具有一定的粘性。有机材料层30固化后再进行有机膜的贴合，可以保证有机材料层30在贴合过程中不容易变形，获得质量良好的有机材料层30。
如图4所示，本实施例还提供一种易潮解性辐射晶体20面板的封装结构，其基本结构如实施例1。
实施例3
如图1～4及图7所示，本实施例提供一种易潮解性辐射晶体20面板的封装方法，其基本步骤如实施例1，其中，步骤3)包括以下步骤：
步骤3-1)S33，于所述辐射晶体20上涂覆有机材料层30；
步骤3-2)S34，固化所述有机材料层30；
步骤3-3)S35，于所述有机材料层30表面沉积所述无机膜。
本步骤的防水透光膜40采用无机膜，包括SiO2等，不需要对有机材料层30表面进行贴合挤压，保证了其表面的平整性，提高了晶体面板的成像质量。
如图4所示，本实施例还提供一种易潮解性辐射晶体20面板的封装结构，其基本结构如实施例1。
如上所述，本发明提供一种易潮解性辐射晶体20面板的封装方法及结构，所述封装方法包括以下步骤：1)提供一基板10，对所述基板10进行预处理使其适于辐射晶体20生长；2)于所述基板10上生长辐射晶体20；3)于所述辐射晶体20上涂覆有机材料层30，并于所述有机材料层30表面封装防水透光膜40。本发明实现了一种高效率简单、封装效果及防水性能良好的封装方法及结构，大大减少了工艺步骤以及降低了生产成本，适用于工业生产。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (8)
1.一种易潮解性辐射晶体面板的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)提供一基板，对所述基板进行预处理使其适于辐射晶体生长；
2)于所述基板上生长辐射晶体；
3)于匀胶设备中于所述辐射晶体上涂覆有机材料层，所述有机材料层包括环氧树脂、硅胶、光学水泥中的一种或两种以上组合，并于所述有机材料层表面封装防水透光有机膜，所述有机材料层的厚度为5微米～10微米；
其中，步骤3)包括以下步骤：
3-1)于所述辐射晶体上涂覆有机材料层；
3-2)提供一有机膜，于真空中于所述有机材料层表面贴合所述有机膜，此过程中保持所述有机材料层没有固化；
3-3)固化所述有机材料层。
2.根据权利要求1所述的易潮解性辐射晶体面板的封装方法，其特征在于：步骤1)预处理至少包括对所述基板进行清洗及干燥的步骤。
3.根据权利要求1所述的易潮解性辐射晶体面板的封装方法，其特征在于：步骤2)采用真空生长的方式于所述基板上生长辐射晶体。
4.根据权利要求1所述的易潮解性辐射晶体面板的封装方法，其特征在于：所述基板包括支撑板或感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管及非晶硅TFT。
5.根据权利要求1所述的易潮解性辐射晶体面板的封装方法，其特征在于：所述辐射晶体为包括CsI、CsI(Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、NaI、NaI(Tl)的卤系易潮解晶体。
6.一种采用如权利要求1所述的封装方法进行封装得到的易潮解性辐射晶体面板的封装结构，其特征在于，包括
基板；
辐射晶体，结合于所述基板表面；
有机材料层，结合于所述辐射晶体表面，并将所述辐射晶体封装于所述基板及有机材料层之间，所述有机材料层包括环氧树脂、硅胶、光学水泥中的一种或两种以上组合，所述有机材料层的厚度为5微米～10微米；
防水透光有机膜，结合于所述有机材料层表面。
7.根据权利要求6所述的易潮解性辐射晶体面板的封装结构，其特征在于：所述基板包括支撑板或感光器件；所述支撑板包括玻璃基板、铝基板、碳基板、光纤板、塑料板、玻璃纤维板的一种或两种以上组成的复合结构；所述感光器件包括光电二极管、光电倍增管及非晶硅TFT。
8.根据权利要求6所述的易潮解性辐射晶体面板的封装结构，其特征在于：所述辐射晶体为包括CsI、CsI(Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、NaI、NaI(Tl)的卤系易潮解晶体。
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Address after: 1st floor, G3 building, 999 qujia Road, Qiandeng Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: PINGSENG HEALTHCARE (KUNSHAN) Inc. Address before: Kunshan City, Suzhou City Qiandeng Town Shipu Jiangsu province 215343 Li Yick Road No. 58 Patentee before: PINGSENG HEALTHCARE (KUNSHAN) Inc. |
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