JP4208790B2 - 放射線検出装置の製造方法 - Google Patents
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Description
1)モノマージアミン成分と酸二無水物との重縮合反応により生成されるポリイミド(図1(a)参照、例えば、非特許文献3参照)、
2)モノマージアミン成分と酸ジクロライドとの縮重合反応により生成されるポリアミド(図1(b)参照、例えば、非特許文献3参照)、
3)モノマージアミン成分とジイソシアナートとの重付加反応により生成されるポリ尿素(図1(c)参照、例えば、非特許文献3参照)、
4)モノマージアミン成分とジイソシアナートとの縮重合反応により生成されるポリアミドイミド、
5)モノマージアミン成分とジアルデヒドとの縮重合反応により生成されるポリアゾメチン(図1(d)参照、例えば、非特許文献3参照)、
6)ハイドロキノン成分とジフェニルメタンジイソシアネートとの重付加反応により生成されるポリウレタン(図1(e)参照、例えば、非特許文献4参照)、
7)ハイドロキノンとビフェニルカルボニルクロライドとの重縮合反応により生成されるポリエステル(図1(f)参照、例えば、非特許文献4参照)、
をそれぞれ例示できる。
101 基板
102 光電変換素子
103 配線
104 保護層
105 パッシベーション膜
106 ボンディングパッド部
110 蛍光体保護部材
111 蛍光体層(柱状結晶のCsI:Tl)
112 蛍光体保護層(パリレン)
113 反射層
114 反射層保護層(パリレン)
115 被覆樹脂
116 蛍光体保護層(蒸着重合ポリイミド)
117 反射層保護層(蒸着重合ポリ尿素)
118 蛍光体保護層(蒸着重合ポリ尿素)
121 蛍光体保護層(蒸着重合ポリイミド)
122 反射層
123 反射層
124 水分シール層
125 放射線透過窓
126 包囲壁
200 シンチレータパネル
201 支持基板(アモルファスカーボン基板)
202 反射層保護層
203 反射層
204 蛍光体下地層
211 蛍光体層(柱状結晶のCsI:Tl)
212 蛍光体保護層(蒸着重合ポリ尿素)
213 接着層
301 ヒーター(加熱手段)
Claims (4)
- 基板を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に配置された放射線を光に変換する蛍光体層と、前記蛍光体層を被覆し前記基板と密着する蛍光体保護層と、を有する放射線検出装置の製造方法であって、
前記蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着するように蒸着重合法によって有機膜からなる前記蛍光体保護層を形成する工程を有し、
前記蛍光体保護層を形成する工程は、重縮合または重付加反応で得られた2種の高分子材料のモノマーに対して前記基板上で重合反応を行うことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 - 前記蛍光体保護層を形成する工程は、該蛍光体保護層を形成しない部分を加熱手段により加熱しながら行うことを特徴とする請求項1記載の放射線検出装置の製造方法。
- 前記有機膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリ尿素、ポリアゾメチン、ポリウレタン、及びポリエステルを含む群より選ばれる一の物質であることを特徴とする請求項1記載の放射線検出装置の製造方法。
- 前記蛍光体層は、柱状結晶構造を有することを特徴とする請求項1記載の放射線検出装置の製造方法。
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