JPWO2009028275A1

JPWO2009028275A1 - シンチレータパネル

Info

Publication number: JPWO2009028275A1
Application number: JP2009530021A
Authority: JP
Inventors: 美香坂井; 庄子　武彦; 武彦庄子
Original assignee: Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Current assignee: Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority date: 2007-08-28
Filing date: 2008-07-22
Publication date: 2010-11-25
Also published as: WO2009028275A1

Abstract

放射線画像の画像欠陥のないシンチレータパネルを提供する。本発明のシンチレータパネルは、グラファイトシート基板上に金属反射層及びシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって、当該グラファイトシート基板がポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜で被覆されていることを特徴とする。

Description

本発明は、被写体の放射線画像を形成する際に用いられるシンチレータパネルに関する。

従来、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、今なお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送が出来ない。

そして、近年では、コンピューテッドラジオグラフィ（ｃｏｍｐｕｔｅｄｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ｆｌａｔｐａｎｅｌｄｅｔｅｃｔｏｒ：ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。

Ｘ線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そして、更に新たなデジタルＸ線画像技術として、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）が開発されている（例えば、非特許文献１、２参照）。

放射線を可視光に変換するために、放射線により発光する特性を有するＸ線蛍光体で作られたシンチレータパネルが使用されるが、低線量の撮影においてのＳＮ比を向上するためには、発光効率の高いシンチレータパネルを使用することが必要になってくる。一般にシンチレータパネルの発光効率は、シンチレータ層（蛍光体層）の厚さ、蛍光体のＸ線吸収係数によって決まるが、蛍光体層の厚さは、厚くすればするほど、蛍光体層内での発光光の散乱が発生し、鮮鋭性は低下する。そのため、画質に必要な鮮鋭性を決めると、膜厚が決定する。

なかでもヨウ化セシウム（ＣｓＩ）はＸ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であった。

しかしながら、ＣｓＩのみでは発光効率が低いために、例えば、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものを、蒸着を用いて基板上にナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）として堆積、又近年ではＣｓＩとヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を任意のモル比で混合したしたものを、蒸着を用いて基板上にタリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）として堆積したものをＸ線蛍光体として使用している。

また他の光出力を増大する手段としては、シンチレータを形成する基板を反射性とする方法（例えば特許文献１参照）、基板上に反射層を設ける方法（例えば特許文献２参照）、基板上に設けられた反射性金属薄膜と、金属薄膜を覆う透明有機膜上にシンチレータを形成する方法（例えば特許文献３参照）などが提案されている。

従来、気相法によるシンチレータの製造方法としては、アルミやアモルファスカーボンなど剛直な基板上に蛍光体層を形成し、その上にシンチレータの表面全体を保護層で被覆させることが一般的である（例えば特許文献４参照）。しかしながら、自由に曲げることのできないこれらの基板上に蛍光体層を形成した場合、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、基板の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、フラットパネルデテイクタの受光面内で均一な画質特性が得られないという欠点がある。この問題は近年のフラットパネルデテイクタの大型化に伴い深刻化してきている。

この問題を回避するために撮像素子上に直接、蒸着でシンチレータを形成する方法や、鮮鋭性は低いが、可とう性を有する医用増感紙などをシンチレータパネルの代用として用いることが一般的に行われている。また、保護層としてポリパラキシリレン等の柔軟な保護層を使用した例が示されている（例えば特許文献５参照）。

しかしながら、基板として使用しているアルミやアモルファスカーボンなどは剛直であり、基板の凹凸や反りなどの影響により、シンチレータパネル面と平面受光素子面の均一接触は達成し難い。また基板としてグラファイト板を使用する例も示されている（例えば特許文献６参照）がこれも剛直な基板でありシンチレータパネル面と平面受光素子面の均一接触は達成し難い。

上記の問題を解決するためには柔軟性を有する基板、特にグラファイトシートを使用することが有効である。しかし、基板であるグラファイトシートからグラファイト粉末が離脱しやすく、蒸着前の基板に付着してしまう。蒸着などの気相堆積法により基板上にＣｓＩ結晶を形成する場合に、グラファイトの粉末やごみ等があると状結晶の成長過程で蛍光体結晶が局所的に異常に成長することがあり、この異常成長した結晶（「異常結晶」、又は「ｈｉｌｌｏｃｋ」ともいう。）の結晶サイズがパネル読み取り時の画素サイズや画像再生時の画像サイズを越えてしまうと、表示された放射線画像上でも画像欠陥（又は画像欠損）として確認できるようになり、各種の診断や検査に支障を来たすことが問題であった。
特公平７−２１５６０号公報特公平１−２４０８８７号公報特開２０００−３５６６７９号公報特許第３５６６９２６号公報特開２００２−１１６２５８号公報特開２００１−３３５９７号公報ＰｈｙｓｉｃｓＴｏｄａｙ，１９９７年１１月号２４頁のジョン・ローランズ論文"ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＵｓｈｅｒｉｎＤｉｇｉｔａｌＸ−ｒａｙＩｍａｇｉｎｇ" ＳＰＩＥの１９９７年３２巻２頁のエル・イー・アントヌクの論文"ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆａＨｉｇｈＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎ，ＡｃｔｉｖｅＭａｔｒｉｘ，Ｆｌａｔ−ＰａｎｅｌＩｍａｇｅｒｗｉｔｈＥｎｈａｎｃｅｄＦｉｌｌＦａｃｔｏｒ"

本発明は、上記問題・状況に鑑み成されたものであり、その解決課題は、放射線画像の画像欠陥のないシンチレータパネルを提供することである。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を加えた結果、ポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜で被覆されているグラファイトシート基板上にシンチレータ層を形成することで画像欠陥のないシンチレータプレートを提供できることを見出し、本発明に至った。

すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．グラファイトシート基板上に金属反射層及びシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって、当該グラファイトシート基板がポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜で被覆されていることを特徴とするシンチレータパネル。

２．前記シンチレータパネルの全面が保護層で覆われていることを特徴とする前記１に記載のシンチレータパネル。

３．前記金属反射層が金属薄膜からなることを特徴とする前記１又は２に記載のシンチレータパネル。

４．前記金属反射層とシンチレータ層の間に絶縁層を有することを特徴とする前記１乃至３のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。

５．前記金属薄膜が、アルミ、銀、クロム、ニッケル、白金、及び金から選択される金属を含有することを特徴とする前記３又は４に記載のシンチレータパネル。

６．前記シンチレータ層が、ヨウ化セシウムとタリウムを含む添加剤とを原材料として気相法にて形成されたことを特徴とする前記１乃至５のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。

本発明の上記手段により、放射線画像の画像欠陥のないシンチレータパネルを提供することができる。

放射線用シンチレータパネル１０の概略構成を示す断面図。放射線用シンチレータパネル１０の拡大断面図。蒸着装置６１の概略構成を示す図。放射線画像検出器１００の概略構成を示す一部破断斜視図。撮像パネル５１の拡大断面図。

符号の説明

１基板
２シンチレータ（蛍光体）層
３金属反射層
４ポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜
５保護層
１０放射線用シンチレータパネル
６１蒸着装置
６２真空容器
６３ボート（被充填部材）
６４ホルダ
６５回転機構
６６真空ポンプ
１００放射線画像検出器

本発明のシンチレータパネルは、グラファイトシート基板上に金属反射層及びシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって、当該グラファイトシート基板がポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜で被覆されていることを特徴とする。この特徴は、請求の範囲第１項乃至第６項に係る発明に共通する技術的特徴である。

なお、本願において、「シンチレータ」とは、Ｘ線等の入射された放射線のエネルギーを吸収して、波長が３００〜８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に電磁波（光）を発光する蛍光体をいう。

また、「グラファイトシート基板」とは、後で詳述するように、当該基板の主たる構成要素としてグラファイトシートを含有する基板をいう。

以下、本発明とその構成要素、及び発明を実施するための最良の形態・態様等について詳細な説明をする。

（シンチレータパネルの構成と好ましい態様）
本発明のシンチレータパネルは、可とう性を有するグラファイトシート基板上に金属反射層及びシンチレータ層を設けて成るシンチレータパネルであって、当該該グラファイトシート基板がポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜で被覆されていることを特徴とする。

なお、本発明のシンチレータパネルにおいては、その全面が保護層で覆われている態様が好ましい。また、金属反射層が金属薄膜からなること、当該金属薄膜が、アルミ、銀、クロム、ニッケル、白金、及び金から選択される金属を含有することが好ましい。

更に、金属反射層とシンチレータ層の間に絶縁層を有する態様が好ましい。また、シンチレータ層が、ヨウ化セシウムとタリウムを含む添加剤とを原材料として気相法にて形成されることが好ましい。

以下、各構成要素等について詳細な説明する。

（グラファイトシート基板）
本発明に係る「グラファイトシート基板」とは、上述のように、当該基板の主たる構成要素としてグラファイトシートを含有する基板をいう。

ここで、「グラファイトシート」とは、原料の高分子フィルム、例えば、ポリフェニレンオキサジアゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスオキサゾール、ポリチアゾール、芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミドから選択され、円筒状グラファイト質炭素に巻き付け不活性ガス中あるいは真空中摂氏１８００度以上の温度で加熱して炭化（グラファイト化）し、炭化（グラファイト化）後にローラーなどで圧延することにより、炭素原子同士の結合面がシートの面にほぼ平行にしたものをいう。このグラファイトシートは、柔軟性をも有するものである。もちろん、ほぼ同等の特性を有するものが得られれば、特にこれらの態様に限定されるものではない。

本発明のシンチレータパネルの作製に際しては、グラファイトシート基板の厚さは、可とう性等の観点から、５０〜５００μｍの範囲にすることが好ましい。また、市場での入手容易性等を考慮すると、より好ましい厚さは、５０〜３００μｍである。

なお、３００μｍ以上の厚さのグラファイトシート基板は、インジウムなどの柔らかい金属を間に挟んだ複数枚のグラファイトフィルムを圧延処理し、その金属が両側のグラファイトシート表面の微細な凹凸に入り込むことによりグラファイトシート同士が接合されるようにして製造することができる（例えば特開平１１−２４０７０６号公報参照。）。

なお、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、基板の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、フラットパネルデテイクタの受光面内で均一な画質特性が得られないという点に関しては、グラファイトシート基板を、厚さ５０〜５００μｍとすることでシンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し、フラットパネルデテイクタの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られる。

〈ポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜による被覆〉
本発明に係るグラファイトシート基板は、その表面をポリイミド系樹脂膜またはポリパラキシリレン膜で被覆されていることを特徴とする。

（１）ポリイミド系樹脂膜
「ポリイミド系樹脂」とは、イミド環構造を有する樹脂の総称であるが、本発明において用いることができるポリイミド系樹脂としては，グラファイトシートの耐熱性能を損なわない為に、ポリイミド及び／又はポリアミドイミドを主成分とする樹脂であれば特に制約は無く，使用する耐熱温度条件によっては，その温度で耐熱性を持つように，より安価なその他高分子樹脂とポリイミド及び／またはポリアミドイミドを適宜混合しても構わない。代表例として、ポリイミド樹脂、ポリ（イミド・イソインドロキナゾリンジオンイミド）樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂などが挙げられる。

ポリイミド系樹脂は、テトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフルオロメタン二無水物等の少なくとも１種を用い、ジアミン成分としては〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、３，３‘−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）パーフルオロプロパン等の少なくとも１種を用いて重合反応させたものを用いることが好ましい。

基板上にポリイミド系樹脂膜を設ける場合に、ポリイミド系樹脂に代えてポリイミド系樹脂前駆体を用いてもよい。ポリイミド系樹脂前駆体は、加熱により熱可塑性ポリイミド系樹脂に転化される。熱可塑性ポリイミド系樹脂前駆体の一例として、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニルとピロメリット酸無水物からなるポリアミド酸等が挙げられる。

ポリイミド系樹脂及びポリイミド系樹脂前駆体は、それぞれ単独でも、２種以上を混合して用いてもよく、ポリイミド系樹脂膜とポリイミド系樹脂前駆体を用いた樹脂膜とを設けてもよい。また、異なるポリイミド系樹脂からなる複数の膜が形成されていてもよい。

また，ポリイミド系樹脂膜で被覆する方法としては，グラファイトシート表面に直接当該樹脂を塗布することが好ましい。この理由は，一般的にグラファイトシート表面は凹凸があり，樹脂を張り合わせる方法では完全にその凹凸を埋めることが困難で，且つ，密着力が弱く界面に空隙が発生する欠点を持ち，これを防止するために，グラファイトシートに直接樹脂を塗布させることが好ましい。

塗布方法としては，初めに当該樹脂を溶媒に溶かしたものを用いるか、当該樹脂の前駆体溶液を使用することが，出来上がりの膜厚を均一にさせる点で好ましい。この場合には，溶剤を蒸発させる工程が必要である。

ポリイミド系樹脂又はポリイミド系樹脂前駆体溶液に用いられる溶媒には、通常、有機溶媒が用いられる。有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルカプロラクタム、プチロラクタム、テトラヒドロフラン、ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス２−（２−メトキシエトキシ）エチルエーテル、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、シクロヘキサノン、ピリジン、ピコリン等が挙げられる。これらの溶媒は単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して用いることもできる。

また，塗布する方法としては，ディップコート，スプレーコート，スピンコート，ロールコート，ダイコート，コンマコート，バーコート，カーテンコートなどその他一般的なコーティング方法が適用出来る。また，塗膜の乾燥方法は，一般的な熱風式乾燥機や，ＩＲヒーター炉などが用いられ，空気中や不活性ガス中など特に制約はない。

例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの反応により得られるポリイミド前駆体溶液は、スピン塗布により基板表面上に塗布され、最終温度２００〜４００℃で熱処理し、硬化されてポリイミド系樹脂被膜とされる。

（２）ポリパラキシリレン膜
本発明においてポリパラキシリレン膜を形成するために用いることができるポリパラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等を含む。

なお、市販のポリパラキシリレンも使用できる。代表的なものとしては、米国ユニオンカーバイド社製のパリレンＮ（ポリパラキシリレン）、パリレンＣ（ポリモノクロロパラキシリレン）、及びパリレンＤ（ポリジクロロパラキシリレン）（パリレンは登録商標）等が挙げられる。

ポリパラキシリレン膜でグラファイトシート基板を被覆する方法としては、ＣＶＤ法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎの略で「化学蒸着法」ともいわれる。）によりポリパラキシリレン膜を形成できる。

（金属反射層）
本発明に係る金属反射層は、ポリイミド系樹脂又はポリパラキシリレン膜で被覆されているグラファイトシート基板とシンチレータ層の間に存在する。金属薄膜の例としては、アルミ、銀、クロム、ニッケル、白金、及び金から選択される金属及びその合金からなる金属薄膜があげあげられるが、シンチレータパネルの光出力向上の観点から、反射率の高いアルミ又は銀が好ましい。一般に、グラファイトシート基板上に反射層を設けることで光出力さらに向上できるが、グラファイトシート表面が非常に反応性に乏しいことから、高反射率のアルミや銀などの金属薄膜との接着性が悪く、シンチレータ形成後のアニール処理により、剥がれが発生する。しかし、本発明に係るポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜でグラファイトシート基板を被覆することで金属薄膜を確実に形成することが出来る。

金属薄膜は、真空蒸着、スパッタ蒸着、又はメッキにより直接付着することができるが、生産性の観点からスパッタ蒸着が好ましい。膜厚に関しては、付着方法によるが、真空蒸着の場合は５０〜４００ｎｍ、スパッタ蒸着の場合は２０〜２００ｎｍが好ましい。また、シンチレータ層により金属薄膜が腐食するのを防ぐために、シンチレータ層と反射層の間に絶縁層があることが好ましい。

〈絶縁層〉
本発明のシンチレータパネルにおいては、金属反射層とシンチレータ層の間に絶縁層を設けることが好ましい。

絶縁層は、金属反射層とシンチレータ層を電気的に絶縁するものであれば、既知のいかなるものも使用可能であるが、溶剤に溶解した樹脂を塗布、乾燥して形成することが好ましい。ガラス転位点が３０〜１００℃のポリマーであることが蒸着結晶と基板との膜付の点で好ましく、具体的には、ポリウレタン樹脂、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル樹脂、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられるが、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。さらに付け加えると、本発明に係る絶縁層として前記ポリパラキシリレン膜を使用することも出来る。グラファイトシートの被覆膜と絶縁層を同一にすることで工程設備が共用できるメリットがある。

絶縁層の膜厚としては接着性の点で０．１μｍ以上が好ましく、絶縁層表面の平滑性確保の点で３．０μｍ以下が好ましい。より好ましくは絶縁層の厚さが０．２〜２．５μｍの範囲である。

絶縁層作製に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。

（シンチレータ層）
シンチレータ層（「蛍光体層」ともいう。）を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ層（蛍光体層）の厚さを厚くすることが可能であることから、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が好ましい。

但し、ＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているようなＣｓＩを蒸着で、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質を含有するＣｓＩが好ましい。

なお、本発明においては、特に、１種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとを原材料とすることが好ましい。すなわち、タリリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）は４００ｎｍから７５０ｎｍまでの広い発光波長をもつことから好ましい。

本発明に係る１種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋IIIの酸化数の化合物）を使用することができる。

本発明において、好ましいタリウム化合物は、ヨウ化タリウム（ＴｌＩ）、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）、塩化タリウム（ＴｌＣｌ）等である。

また、本発明に係るタリウム化合物の融点は、４００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。７００℃以内を超えると、柱状結晶内での添加剤が不均一に存在してしまい、発光効率が低下する。なお、本発明での融点とは、常温常圧下における融点である。

本発明のシンチレータ層において、当該添加剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、０．００１〜５０ｍｏｌ％、更に０．１〜１０．０ｍｏｌ％であることが好ましい。

ここで、ヨウ化セシウムに対し、添加剤が０．００１ｍｏｌ％未満であると、ヨウ化セシウム単独使用で得られる発光輝度と大差なく、目的とする発光輝度を得ることができない。また、５０ｍｏｌ％を超えるとヨウ化セシウムの性質・機能を保持することができない。

（保護層）
本発明に係る保護層は、シンチレータ層の保護を主眼とするものである。すなわち、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。

当該保護層は、種々の材料を用いて形成することができる。例えば、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を形成する。即ち、シンチレータ及び基板の表面全体にポリパラキシリレン膜を形成し、保護層とすることができる。

また、別の態様の保護層として、シンチレータ層上に高分子保護フィルムを設けることもできる。

上記高分子保護フィルムの厚さは、空隙部の形成性、シンチレータ（蛍光体）層の保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、１２〜１００μｍが好ましく、更には２０〜６０μｍが好ましい。また、ヘイズ率が、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性、作業性等を考慮し、３〜４０％が好ましく、更には３〜１０％が好ましい。ヘイズ率は、日本電色工業株式会社ＮＤＨ５０００Ｗにより測定した値を示す。必要とするヘイズ率は、市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。

保護フィルムの光透過率は、光電変換効率、シンチレータ発光波長等を考慮し、５５０ｎｍで７０％以上あることが好ましいが、９９％以上の光透過率のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に９９％〜７０％が好ましい。

保護フィルムの透湿度は、シンチレータ層の保護性、潮解性等を考慮し５０ｇ／ｍ²・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳＺ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には１０ｇ／ｍ²・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳＺ０２０８に準じて測定）以下が好ましいが、０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以下の透湿度のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に、０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、５０ｇ／ｍ²・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳＺ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には０．１ｇ／ｍ²・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、１０ｇ／ｍ²・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳＺ０２０８に準じて測定）以下が好ましい。

（シンチレータパネルの作製方法）
本発明のシンチレータパネルの作製方法の典型的例について、図を参照しながら説明する。なお、図１は、放射線用シンチレータパネル１０の概略構成を示す断面図である。図２は、放射線用シンチレータパネル１０の拡大断面図である。図３は、蒸着装置６１の概略構成を示す図面である。

〈蒸着装置〉
図３に示す通り、蒸着装置６１は箱状の真空容器６２を有しており、真空容器６２の内部には真空蒸着用のボート６３が配されている。ボート６３は蒸着源の被充填部材であり、当該ボート６３には電極が接続されている。当該電極を通じてボート６３に電流が流れると、ボート６３がジュール熱で発熱するようになっている。放射線用シンチレータパネル１０の製造時においては、ヨウ化セシウムと賦活剤化合物とを含む混合物がボート６３に充填され、そのボート６３に電流が流れることで、上記混合物を加熱・蒸発させることができるようになっている。

なお、被充填部材として、ヒータを巻回したアルミナ製のるつぼを適用してもよいし、高融点金属製のヒータを適用してもよい。

真空容器６２の内部であってボート６３の直上にはグラファイトシート基板１を保持するホルダ６４が配されている。ホルダ６４にはヒータ（図示略）が配されており、当該ヒータを作動させることでホルダ６４に装着した基板１を加熱することができるようになっている。基板１を加熱した場合には、基板１の表面の吸着物を離脱・除去したり、基板１とその表面に形成されるシンチレータ層（蛍光体層）２との間に不純物層が形成されるのを防止したり、基板１とその表面に形成されるシンチレータ層２との密着性を強化したり、基板１の表面に形成されるシンチレータ層２の膜質の調整をおこなったりすることができるようになっている。

ホルダ６４には当該ホルダ６４を回転させる回転機構６５が配されている。回転機構６５は、ホルダ６４に接続された回転軸６５ａとその駆動源となるモータ（図示略）から構成されたもので、当該モータを駆動させると、回転軸６５ａが回転してホルダ６４をボート６３に対向させた状態で回転させることができるようになっている。

蒸着装置６１では、上記構成の他に、真空容器６２に真空ポンプ６６が配されている。真空ポンプ６６は、真空容器６２の内部の排気と真空容器６２の内部へのガスの導入とをおこなうもので、当該真空ポンプ６６を作動させることにより、真空容器６２の内部を一定圧力のガス雰囲気下に維持することができるようになっている。

〈シンチレータパネル〉
次に、本発明に係るシンチレータパネル１０の作製方法について説明する。
当該放射線用シンチレータパネル１０の作製方法においては、上記で説明した蒸発装置６１を好適に用いることができる。蒸発装置６１を用いて放射線用シンチレータパネル１０を作製する方法について説明する。

《基板の作製》
厚さが５０〜５００μｍグラファイトシート基板を使用し、表面をポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜で被覆する。

《金属反射層の形成》
ポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜で被覆されたグラファイトシート基板の一方の表面に金属薄膜としてスパッタ蒸着で金属薄膜（アルミ、銀）を形成する。

《絶縁層の形成》
絶縁層は、有機溶剤に高分子結合材を分散・溶解した組成物を塗布、乾燥して形成する。高分子結合材としては、接着性、導電性金属反射層の耐腐食性の観点でポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の疎水性樹脂が好ましい。

《シンチレータ層の形成》
上記のように反射層及び絶縁層３を設けたグラファイト基板１をホルダ６４に取り付けるとともに、ボート６３にヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む粉末状の混合物を充填する（準備工程）。この場合、ボート６３と基板１との間隔を１００〜１５００ｍｍに設定し、その設定値の範囲内のままで後述の蒸着工程の処理をおこなうのが好ましい。

準備工程の処理を終えたら、真空ポンプ６６を作動させて真空容器６２の内部を排気し、真空容器６２の内部を０．１Ｐａ以下の真空雰囲気下にする（真空雰囲気形成工程）。ここでいう「真空雰囲気下」とは、１００Ｐａ以下の圧力雰囲気下のことを意味し、０．１Ｐａ以下の圧力雰囲気下であるのが好適である。

その後。アルゴン等の不活性ガスを真空容器６２の内部に導入し、当該真空容器６２の内部を０．１Ｐａ以下の真空雰囲気下に維持する。次に、ホルダ６４のヒータと回転機構６５のモータとを駆動させ、ホルダ６４に取付け済みの基板１をボート６３に対向させた状態で加熱しながら回転させる。

この状態において、電極からボート６３に電流を流し、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む混合物を７００〜８００℃程度で所定時間加熱してその混合物を蒸発させる。その結果、基板１の表面に無数の柱状結晶体２ａが順次成長して所望の厚さのシンチレータ層２が形成される（蒸着工程）。これにより、本発明に係る放射線用シンチレータパネル１０を製造することができる。

《保護層の形成》
前記シンチレータ層２を形成するヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、吸湿性が高く、露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解する。そこで、これを防止するために、例えば、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレンをシンチレータパネル全面に５μｍ〜３０μｍ厚さに被覆することで保護層５を形成する。ＣｓＩの柱状結晶には隙間があり、ポリパラキシリレンがこの狭い隙間に入り込むので、保護層がヨウ化セシウム（ＣｓＩ）に密着する。

（放射線画像検出器）
以下に、上記放射線用シンチレータパネル１０の一適用例として、図４及び図５を参照しながら、当該放射線用シンチレータプレート１０を具備した放射線画像検出器１００の構成について説明する。なお、図４は放射線画像検出器１００の概略構成を示す一部破断斜視図である。また、図５は撮像パネル５１の拡大断面図である。

図４に示す通り、放射線画像検出器１００には、撮像パネル５１、放射線画像検出器１００の動作を制御する制御部５２、書き換え可能な専用メモリ（例えばフラッシュメモリ）等を用いて撮像パネル５１から出力された画像信号を記憶する記憶手段であるメモリ部５３、撮像パネル５１を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電力供給手段である電源部５４、等が筐体５５の内部に設けられている。筐体５５には必要に応じて放射線画像検出器１００から外部に通信を行うための通信用のコネクタ５６、放射線画像検出器１００の動作を切り換えるための操作部５７、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部５３に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部５８、等が設けられている。

ここで、放射線画像検出器１００に電源部５４を設けるとともに放射線画像の画像信号を記憶するメモリ部５３を設け、コネクタ５６を介して放射線画像検出器１００を着脱自在にすれば、放射線画像検出器１００を持ち運びできる可搬構造とすることができる。

図５に示すように、撮像パネル５１は、放射線用シンチレータパネル１０と、放射線用シンチレータパネル１０からの電磁波を吸収して画像信号を出力する出力基板２０と、から構成されている。

放射線用シンチレータパネル１０は、放射線照射面側に配置されており、入射した放射線の強度に応じた電磁波を発光するように構成されている。

出力基板２０は、放射線用シンチレータパネル１０の放射線照射面と反対側の面に設けられており、放射線用シンチレータパネル１０側から順に、隔膜２０ａ、光電変換素子２０ｂ、画像信号出力層２０ｃ及び基板２０ｄを備えている。

隔膜２０ａは、放射線用シンチレータパネル１０と他の層を分離するためのものである。

光電変換素子２０ｂは、透明電極２１と、透明電極２１を透過して入光した電磁波により励起されて電荷を発生する電荷発生層２２と、透明電極２１に対しての対極になる対電極２３とから構成されており、隔膜２０ａ側から順に透明電極２１、電荷発生層２２、対電極２３が配置される。

透明電極２１とは、光電変換される電磁波を透過させる電極であり、例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いて形成される。

電荷発生層２２は、透明電極２１の一面側に薄膜状に形成されており、光電変換可能な化合物として光によって電荷分離する有機化合物を含有するものであり、電荷を発生し得る電子供与体及び電子受容体としての導電性化合物をそれぞれ含有している。電荷発生層２２では、電磁波が入射されると、電子供与体は励起されて電子を放出し、放出された電子は電子受容体に移動して、電荷発生層２２内に電荷、すなわち、正孔と電子のキャリアが発生するようになっている。

ここで、電子供与体としての導電性化合物としては、ｐ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｐ型導電性高分子化合物としては、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフルオレン、ポリ（ｐ−フェニレン）又はポリアニリンの基本骨格を持つものが好ましい。

また、電子受容体としての導電性化合物としては、ｎ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｎ型導電性高分子化合物としては、ポリピリジンの基本骨格を持つものが好ましく、特にポリ（ｐ−ピリジルビニレン）の基本骨格を持つものが好ましい。

電荷発生層２２の膜厚は、光吸収量を確保するといった観点から、１０ｎｍ以上（特に１００ｎｍ以上）が好ましく、また電気抵抗が大きくなりすぎないといった観点から、１μｍ以下（特に３００ｎｍ以下）が好ましい。

対電極２３は、電荷発生層２２の電磁波が入光される側の面と反対側に配置されている。対電極２３は、例えば、金、銀、アルミニウム、クロムなどの一般の金属電極や、透明電極２１の中から選択して用いることが可能であるが、良好な特性を得るためには仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするのが好ましい。

また、電荷発生層２２を挟む各電極（透明電極２１及び対電極２３）との間には、電荷発生層２２とこれら電極が反応しないように緩衝地帯として作用させるためのバッファー層を設けてもよい。バッファー層は、例えば、フッ化リチウム及びポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（４−スチレンスルホナート）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル［１，１０］フェナントロリンなどを用いて形成される。

画像信号出力層２０ｃは、光電変換素子２０ｂで得られた電荷の蓄積および蓄積された電荷に基づく信号の出力を行うものであり、光電変換素子２０ｂで生成された電荷を画素毎に蓄積する電荷蓄積素子であるコンデンサ２４と、蓄積された電荷を信号として出力する画像信号出力素子であるトランジスタ２５とを用いて構成されている。

トランジスタ２５は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いるものとする。このＴＦＴは、液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系のものでも、有機半導体を用いたものでもよく、好ましくはプラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴである。プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴとしては、アモルファスシリコン系のものが知られているが、その他、米国ＡｌｉｅｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社が開発しているＦＳＡ（ＦｌｕｉｄｉｃＳｅｌｆＡｓｓｅｍｂｌｙ）技術、即ち、単結晶シリコンで作製した微小ＣＭＯＳ（Ｎａｎｏｂｌｏｃｋｓ）をエンボス加工したプラスチックフィルム上に配列させることで、フレキシブルなプラスチックフィルム上にＴＦＴを形成するものとしても良い。さらに、Ｓｃｉｅｎｃｅ，２８３，８２２（１９９９）やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，７７１４８８（１９９８）、Ｎａｔｕｒｅ，４０３，５２１（２０００）等の文献に記載されているような有機半導体を用いたＴＦＴであってもよい。

このように、本発明に用いられるトランジスタ２５としては、上記ＦＳＡ技術で作製したＴＦＴ及び有機半導体を用いたＴＦＴが好ましく、特に好ましいものは有機半導体を用いたＴＦＴである。この有機半導体を用いてＴＦＴを構成すれば、シリコンを用いてＴＦＴを構成する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷技術やインクジェット技術を活用してＴＦＴを形成できるので、製造コストが安価となる。さらに、加工温度を低くできることから熱に弱いプラスチック基板上にも形成できる。

トランジスタ２５には、光電変換素子２０ｂで発生した電荷を蓄積するとともに、コンデンサ２４の一方の電極となる収集電極（図示せず）が電気的に接続されている。コンデンサ２４には光電変換素子２０ｂで生成された電荷が蓄積されるとともに、この蓄積された電荷はトランジスタ２５を駆動することで読み出される。すなわちトランジスタ２５を駆動させることで放射線画像の画素毎の信号を出力させることができる。

基板２０ｄは、撮像パネル５１の支持体として機能するものであり、基板１と同様の素材で構成することが可能である。

次に、放射線画像検出器１００の作用について説明する。

まず、放射線画像検出器１００に対し入射された放射線は、撮像パネル５１の放射線用シンチレータパネル１０側から基板２０ｄ側に向けて放射線を入射する。

すると、放射線用シンチレータパネル１０に入射された放射線は、放射線用シンチレータパネル１０中のシンチレータ層２が放射線のエネルギーを吸収し、その強度に応じた電磁波を発光する。発光された電磁波のうち、出力基板２０に入光される電磁波は、出力基板２０の隔膜２０ａ、透明電極２１を貫通し、電荷発生層２２に到達する。そして、電荷発生層２２において電磁波は吸収され、その強度に応じて正孔と電子のペア（電荷分離状態）が形成される。

その後、発生した電荷は、電源部５４によるバイアス電圧の印加により生じる内部電界により正孔と電子はそれぞれ異なる電極（透明電極膜及び導電層）へ運ばれ、光電流が流れる。

その後、対電極２３側に運ばれた正孔は画像信号出力層２０ｃのコンデンサ２４に蓄積される。蓄積された正孔はコンデンサ２４に接続されているトランジスタ２５を駆動させると、画像信号を出力すると共に、出力された画像信号はメモリ部５３に記憶される。

以上の放射線画像検出器１００によれば、上記放射線用シンチレータパネル１０を備えているので、光電変換効率を高めることができ、放射線画像における低線量撮影時のＳＮ比を向上させるとともに、画像ムラや線状ノイズの発生を防止することができる。

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

〔実施例１〕
〈シンチレータパネルの作製〉
（基板の作製）
厚さ２００μｍのグラファイトシート基板を使用し、表面をポリイミド樹脂膜で被覆した。なお、ポリイミド樹脂による被覆は、スピンコーターを用いたスピン塗布によって行った。すなわち、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸ニ無水物と芳香族ジアミンとの重縮合反応によって得られる溶剤可溶性ポリイミドの樹脂濃度２０質量％のＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）溶液（新日本理化株式会社製リカコートＰＮ−２０）を加えて１０質量％溶液に希釈し、ポリイミド樹脂溶液を調製したポリイミド樹脂溶液を５００ｒｐｍ×５秒のプレスピンの後、２０００ｒｐｍ×１０秒の条件でスピンコートを行った。スピンコート塗布した基板を、最終温度３００℃で熱処理し、硬化させポリイミド系樹脂被膜を得た。

（金属反射層の形成）
ポリイミド樹脂で被覆したグラファイトシート基板の一方の表面に金属薄膜として厚さ１００ｎｍの銀薄膜をスパッタ蒸着で形成した。

（絶縁層の形成）
バイロン６３０（東洋紡社製：高分子ポリエステル樹脂）１００質量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）９０質量部
トルエン９０質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて１５時間分散し、塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記グラファイトシート基板のスパッタ面に乾燥膜厚が１．０μｍになるようにバーコーターで塗布した後、１００℃で８時間乾燥することで絶縁層を作製した。

（基板の断裁）
絶縁層を作製したグラファイト基板を、基板ホルダ６４に合わせて断裁し、セットした。

（シンチレータ層の形成）
基板の絶縁層側に蛍光体（ＣｓＩ：０．００３Ｔｌ）を図３に示した蒸着装置を使用して蒸着させ、シンチレータ層（蛍光体層）を形成した。

即ち、先ず上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボ（ボード）に充填し、また回転する基板ホルダの金属製の枠に基板を設置し、基板と蒸発源との間隔を４００ｍｍに調節した。

続いて蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で基板を回転しながら基板の温度を２００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボ（ボード）を加熱して蛍光体を蒸着し、シンチレータ層の膜厚が４５０μｍとなったところで蒸着を終了させ、シンチレータ層が形成された基板を得た。

（アニール処理）
上記シンチレータ層が形成された基板を２５ｃｍ×２０ｃｍサイズに断裁し、得られた２枚のうち１枚に対し窒素雰囲気下で３５０℃２時間のアニール処理を実施した。

（保護層の作製）
上記シンチレータ層が形成された２枚の基板を両者ともＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ポリパラキシリレンの原料が昇華した蒸気中に露出させておくことにより、シンチレータと基板の全面表面が１０μｍの厚さのポリパラキシリレン膜で被服された２５ｃｍ×２０ｃｍのサイズのシンチレータパネル２枚を得た。

上記の手順にて、同様のシンチレータパネルを５０枚作製した。

〔実施例２〕
基板の作製において厚さ２００μｍのグラファイトシート基板を使用し、表面をポリイミド系樹脂膜の代わりにポリパラキシリレン膜で被覆した以外は、実施例１と同様にして、同様のシンチレータパネルを５０枚作製した。

なお、ポリパラキシリレン膜による被覆は、ＣＶＤ装置の蒸着室にグラファイトシート基板を入れ、ポリパラキシリレンの原料（前記パリレンＣ）が昇華した蒸気中でＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を成膜する方法によって行った。

〔比較例〕
ポリイミド樹脂でグラファイトシートを被覆しないこと以外は実施例１と同様にして５０枚作製した。

〈評価〉
得られたシンチレータパネルを、ＰａｘＳｃａｎ（Ｖａｒｉａｎ社製ＦＰＤ：２５２０）にセットし、シンチレータパネル全面で画像に影響を与える画像欠陥を数えた。５０枚のシンチレータプレート中の平均画像欠陥数を実施例１、実施例２、及び比較例について調べ評価した。評価結果を表１に示す。

表１に示した結果から明らかなように、本発明に係る実施例は比較例に比べ画像欠陥が顕著に少なく、優れていることが分かる。

Claims

グラファイトシート基板上に金属反射層及びシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって、当該グラファイトシート基板がポリイミド系樹脂膜又はポリパラキシリレン膜で被覆されていることを特徴とするシンチレータパネル。
前記シンチレータパネルの全面が保護層で覆われていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のシンチレータパネル。
前記金属反射層が金属薄膜からなることを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載のシンチレータパネル。
前記金属反射層とシンチレータ層の間に絶縁層を有することを特徴とする請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
前記金属薄膜が、アルミ、銀、クロム、ニッケル、白金、及び金から選択される金属を含有することを特徴とする請求の範囲第３項又は第４項に記載のシンチレータパネル。
前記シンチレータ層が、ヨウ化セシウムとタリウムを含む添加剤とを原材料として気相法にて形成されたことを特徴とする請求の範囲第1項乃至第５項のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。