JP5665494B2 - 放射線検出装置及び放射線撮像システム - Google Patents

放射線検出装置及び放射線撮像システム Download PDF

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Description

本発明は放射線検出装置及び放射線撮像システムに関する。本明細書において放射線はX線、γ線などの電磁波も含む。
近年、放射線検出装置の半導体基板の大面積化が進んでいる。1枚の半導体基板の面積を大きくすると1枚当たりの歩留まりが低くなり、また1枚当たりの不具合による損失額も大きくなる。そこで、複数の半導体基板をアレイ状に配置することによって、半導体基板の大面積化を実現している。複数の半導体基板をアレイ状に配置する場合には、これらの半導体基板の高さが均一であることが望ましい。特許文献1では、シート状の多孔質ダンパー材を介して半導体基板の裏側の面と基台とを接着することによって、半導体基板の表側の面の高さを調整する。
特開2008−224429号公報
複数の半導体基板をアレイ状に配置する場合には、半導体基板の表側の面の高さが均一であるだけでなく、半導体基板の間隔も適正である必要がある。特許文献1に記載された技術では、半導体基板の表面に直交する方向にダンパー材が縮むことで半導体基板の面の高さの均一化が実現されるものの、それと同時に半導体基板に平行な方向にダンパー材が伸びることで、半導体基板の間隔が広くなってしまう。そこで、本発明は複数の半導体基板が配置される放射線検出装置において、半導体基板の間隔のズレを抑制する技術を提供することを目的とする。
上記課題に鑑みて、本発明の一つの側面に係る放射線検出装置は、光を検出する光電変換部が形成された第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有する複数の半導体基板と、前記複数の半導体基板の前記第1面の上に配置され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、基台の上に配置され、前記複数の半導体基板の前記第1面が同一平面内に位置するように前記複数の半導体基板の前記第2面を支持する部材と、を備え、前記部材の単体での測定における立方体の被検査物は、前記第1面に直交する方向に所定の力で圧縮した場合の前記第1面に平行な方向への伸び量が、前記第1面に平行な方向に前記所定の力で圧縮した場合の前記第1面に直交する方向への伸び量よりも小さいことを特徴とする。
本発明の別の側面に係る放射線検出装置は、光を検出する光電変換部が形成された第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有する複数の半導体基板と、前記複数の半導体基板の前記第1面の上に配置され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、基台の上に配置され、前記複数の半導体基板の前記第1面が同一平面内に位置するように前記複数の半導体基板の前記第2面を支持する部材と、を備え、前記部材は、前記第1面に直交する方向に所定の力で圧縮した場合の前記第1面に平行な方向への単位長さ当たりの伸び量が、前記第1面に平行な方向に前記所定の力で圧縮した場合の前記第1面に直交する方向への前記単位長さ当たりの伸び量よりも小さいことを特徴とする。
本発明の更に別の側面に係る放射線検出装置は、光を検出する光電変換部が形成された第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有する複数の半導体基板と、前記複数の半導体基板の前記第1面の上に配置され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、基台の上に配置され、前記複数の半導体基板の前記第1面が同一平面内に位置するように前記複数の半導体基板の前記第2面を支持する部材と、を備え、前記複数の半導体基板の前記第1面が同一平面内に位置するように前記複数の半導体基板を前記部材に取り付けた後の前記部材の長さを、前記複数の半導体基板を前記部材に取り付ける前の前記部材の長さで割った値を伸縮率とした場合に、前記第1面に平行な方向における前記伸縮率は、前記第1面に直交する方向における前記伸縮率よりも低いことを特徴とする。
上記手段により、複数の半導体基板が配置される放射線検出装置において、半導体基板の間隔のズレを抑制する技術が提供される。
本実施形態の放射線検出装置の一例の断面模式図。 基材の異方性について説明する図。 基材の伸び量の測定方法を説明する図。 基材の伸び量と重りの重さとの関係を説明する図。 本実施形態の放射線検出装置の別の例の断面模式図。 その他の実施形態の放射線撮像システムを説明する図。
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。
<第1実施形態>
図1を用いて本実施形態に係る放射線検出装置100の一例について説明する。図1は放射線検出装置100の断面模式図である。放射線検出装置100は基台110、伸縮性部材120、複数の半導体基板130及びシンチレータ板140を備えうる。シンチレータ板140はシンチレータ層141と支持基板142とを有しうる。シンチレータ層141は放射線検出装置100に向けて入射された放射線を光に変換する。シンチレータ層141は例えば支持基板142にCsIを蒸着することによって形成されうる。
半導体基板130は光電変換部が形成された面(第1面)を有し、シンチレータ層141によって変換された光を検出する。この光電変換部が形成された面の上(第1面の上)にシンチレータ板140が配置される。放射線検出装置100は複数の半導体基板130を含みうる。図1には例として2枚の半導体基板130が示されているが、この枚数に限定されない。複数の半導体基板130のそれぞれのシンチレータ板140側の面は同一平面内に位置するように固定されている。簡単のために図1には2枚の半導体基板130が示されているが、これに限定されない。半導体基板130のシンチレータ板140側の面とは反対側の面(第2面)は基台110に固定された伸縮性部材120により支持されている。
伸縮性部材120は基材121と、基材121を挟む接着層122、123とを有しうる。半導体基板130と基材121とは接着層123により接着され、基台110と基材121とは接着層122により接着される。すなわち、伸縮性部材120は接着部材としても機能する。基材121は接着層122、123で挟まれるかわりに粘着材で包まれてもよい。
以下、説明のために半導体基板130のシンチレータ板140側の面に平行な方向を単に平行方向151といい、この面に直交する方向を単に直交方向152という。基材121は伸び量に関して異方性を有する。基材121から立方体の被検査物を切り出して、単体で測定するとする。この被検査物を直交方向152に圧縮した場合の平行方向151への伸び量は、平行方向151に圧縮した場合の直交方向152への伸び量よりも小さい。これについて、図2を用いてより詳細に説明する。図2の上側の図は伸縮性部材120の上に半導体基板130aと半導体基板130bとをアライメントした状態を表す。この例では、半導体基板130aの厚さ(直交方向152の長さ)は半導体基板130bの厚さよりも長いとする。また、半導体基板130aと半導体基板130bとの間隔をa、伸縮性部材120の直交方向152の長さをbとする。この状態から、半導体基板130aと半導体基板130bとのそれぞれのシンチレータ板140側の面が同一平面内に位置するように半導体基板130aを伸縮性部材120に押し込む。その結果、図2の下側の図のように、半導体基板130aと半導体基板130bとの間隔がcとなり、伸縮性部材120のうち半導体基板130aの下に位置する部分の直交方向152の長さがdとなるとする。このとき、基材121は伸縮に関して異方性を有しているため、伸縮性部材120の平行方向151の伸び量(c−a)は、等方性を有する伸縮性部材を用いた場合の伸び量よりも小さくなる。伸縮性部材120の平行方向151の伸び量(c−a)は半導体基板130の間隔の許容誤差よりも小さいことが望ましい。また、伸縮性部材120の直交方向152の長さbは、半導体基板130の厚さのばらつきよりも大きいことが望ましい。
基材121は例えばポリオレフィン系樹脂、ポリエステル、不織布、化学繊維、ワイヤを格子状に織ったもの等で形成されうる。ポリオレフィン系樹脂の中では、比較的柔軟性が高いポリスチレン系樹脂が特に好ましい。このワイヤは例えば金属系ワイヤや樹脂系ワイヤでありうる。接着層122、123は例えばアクリル系、エポキシ系、ゴム系、ポリエステル系、ポリアミド系、ビニルアルキルエーテル系およびシリコーン系粘着剤の少なくとも何れかから選択されうる。更に、接着層123は、熱膨張性微小球を含む加熱剥離型粘着層を有する材料との組み合わせから選択されうる。それによって、例えば一部の半導体基板130を交換するために複数の半導体基板130から基材121を剥離することが容易になる。
続いて、基材121の平行方向151の伸び量の測定方法について図3を用いて説明する。直交方向152へ圧縮した場合の平行方向151への伸び量は、平行方向151へ伸張した場合の平行方向151への伸び量と相関を有する。そこで、以下では被検査物を伸張した場合の伸び量を測定する。基材121の直交方向152への伸び量も同様の測定方法で測定できる。まず、平行方向151の長さが120mmとなり、直交方向152の長さが10mmとなるように基材121から被検査物301を切り出す。次に、幅20mm、長さ10mmのPET(ポリエチレンテレフタレート)シート302a、302bを2個用意し、PETシート302bの重量を測定する。被検査物301の長さが10mmである端部のそれぞれから10mmまでの部分をPETシート302a、302bで挟み込む。この際、被検査物301とPETシート302a、302bとの中心線同士が一致するようにする。このようにPETシート302a、302bで被検査物301を挟み込むことにより、被検査物301の伸張可能な部分の長さ303は100mmとなる。次にPETシート302aを支持部材304から吊るし、この状態で長さ303を測定する。吊るした状態の長さ303から100mmを引いた値がPETシート302bの重さによる被検査物301の伸び量となる。次に、PETシート302bに様々な重さの重り305を吊るして被検査物301の伸び量を測定する。吊るした重り305に対して、長さ303から100mmを引いた値がPETシート302bの重さと重り305の重さとの合計値に対する被検査物301の伸び量となる。図4は、様々な材質の被検査物301に対して重さの合計値と伸び量との関係をグラフにしたものである。例えば、伸び量をdとし、重り305の重さをxとした場合に、d≦0.563exp(0.00253x)を満たすような基材121を選んで放射線検出装置100に用いてもよい。
本実施形態の変形例を図5を用いて説明する。図5において、図1で示されたものと同様の要素は同一の参照符号を付して説明を省略する。図5に示される半導体検出装置500はシンチレータ層141と半導体基板130との間に接着層510を有する。接着層510によりシンチレータ層141と半導体基板130とが接着される。
以上のように、本実施形態によれば、複数の半導体基板130を支持する伸縮性部材が伸縮について異方性を有するため、各半導体基板間の間隔のズレを抑制することが可能となる。
以下、第1実施形態の各種実施例を説明する。
<第1実施例>
本実施例では基材121の材料として、前述の材料のうち比較的硬度の高いPETを用い、その厚さを10μm以上500μm以下とする。さらに、接着層123の材料を熱膨張性微小球を含む加熱剥離型粘着層を有する材料から選択する。また、接着層122の厚さを10μm以上100μm以下とする。本実施例では基材121の材料として比較的硬度の高いものを用いているため、接着層123を加熱して半導体基板130を基材121から剥離する際に接着層123の平行方向151の伸縮が抑制される。そのため、半導体基板130同士の衝突が防止される。
<第2実施例>
図5を用いて説明された変形例についての実施例を説明する。半導体基板130はそれぞれ異なる厚さを有しうるため、シンチレータ板140と半導体基板130とを貼り合わせる際に、接着層510と半導体基板130との間に気泡が入る可能性がある。また、この気泡を取り除くために真空・加圧脱泡処理を行ったとしても、気泡が残留してしまう場合がある。残留気泡が存在すると、シンチレータ板140によって変換されて半導体基板130へ向かう光が反射や屈折により変化するため、出力画像の質が低下する。
そこで、本実施例では、基材121の材料として、前述の材料のうち比較的硬度の高いPETを用い、その厚さを10μm以上50μm以下とする。また、接着層123の材料としては、前述の材料を用いることができるが、半導体基板130の交換を容易にするために、熱膨張性微小球を含む加熱剥離型粘着層を有する材料から選択することが特に望ましい 。それにより、半導体基板130の直交方向152へのズレを接着層122、123が効率よく吸収することができる。その結果、半導体基板130の平行方向151へのズレが防止されるとともに、真空・加圧脱泡処理後における半導体基板130と接着層510との間の残留気泡が防止される。
<第3実施例>
本実施例も、図5を用いて説明された変形例についての実施例を説明する。本実施例では、接着層122として、伸縮性を有する粘着材で形成された伸縮性粘着層を用いる。この場合、伸縮性粘着層は、基材121と同様に伸縮に関して異方性を有することが好ましい。材料としては、例えば、伸縮性粘着層の基材にシート状のポリスチレンを用い、その両面に粘着層としてアクリル系粘着材を用いたダンパーシートなどが特に有用である。伸縮性粘着層の基材としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステルなども用いることができる。また、これに代えて、接着層122として非伸縮性の材料を用い、接着層122と基台110との間に伸縮性粘着層(不図示)を別に配置してもよい。これにより、基材121の材料としてPETを用い、その厚さが50μm以上500μm以下の場合にも、半導体基板130の平行方向151へのズレが防止され、かつ真空・加圧脱泡処理後における半導体基板130と接着層510との間の残留気泡が防止される。また、本実施例の場合も接着層123の材料としては、前述の実施例と同様であり、熱膨張性微小球を含む加熱剥離型粘着層を有する材料から選択することが特に望ましい。
<その他の実施形態>
図6は本発明に係るX線撮像装置のX線診断システム(放射線撮像システム)への応用例を示した図である。X線チューブ6050(放射線源)で発生したX線6060は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、シンチレータを上部に実装した光電変換装置6040(シンチレータを上部に実装した光電変換装置は放射線検出装置を構成する)に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ6080で観察できる。なお、放射線撮像システムは、撮像装置と、撮像装置からの信号を処理する信号処理手段とを少なくとも有する。
また、この情報は電話回線やインターネット等のネットワーク6090の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができる。その結果、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ6100により記録媒体となるフィルム6110に記録することもできる。

Claims (7)

  1. 光を検出する光電変換部が形成された第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有する複数の半導体基板と、
    前記複数の半導体基板の前記第1面の上に配置され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
    基台の上に配置され、前記複数の半導体基板の前記第1面が同一平面内に位置するように前記複数の半導体基板の前記第2面を支持する部材と、
    を備え、
    前記部材の単体での測定における立方体の被検査物は、前記第1面に直交する方向に所定の力で圧縮した場合の前記第1面に平行な方向への伸び量が、前記第1面に平行な方向に前記所定の力で圧縮した場合の前記第1面に直交する方向への伸び量よりも小さいことを特徴とする放射線検出装置。
  2. 光を検出する光電変換部が形成された第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有する複数の半導体基板と、
    前記複数の半導体基板の前記第1面の上に配置され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
    基台の上に配置され、前記複数の半導体基板の前記第1面が同一平面内に位置するように前記複数の半導体基板の前記第2面を支持する部材と、
    を備え、
    前記部材は、前記第1面に直交する方向に所定の力で圧縮した場合の前記第1面に平行な方向への単位長さ当たりの伸び量が、前記第1面に平行な方向に前記所定の力で圧縮した場合の前記第1面に直交する方向への前記単位長さ当たりの伸び量よりも小さいことを特徴とする放射線検出装置。
  3. 光を検出する光電変換部が形成された第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有する複数の半導体基板と、
    前記複数の半導体基板の前記第1面の上に配置され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
    基台の上に配置され、前記複数の半導体基板の前記第1面が同一平面内に位置するように前記複数の半導体基板の前記第2面を支持する部材と、
    を備え、
    前記複数の半導体基板の前記第1面が同一平面内に位置するように前記複数の半導体基板を前記部材に取り付けた後の前記部材の長さを、前記複数の半導体基板を前記部材に取り付ける前の前記部材の長さで割った値を伸縮率とした場合に、前記第1面に平行な方向における前記伸縮率は、前記第1面に直交する方向における前記伸縮率よりも低いことを特徴とする放射線検出装置。
  4. 前記部材は、不織布、化学繊維、及び格子状のワイヤの少なくともいずれかで形成された基材を含むことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の放射線検出装置。
  5. 前記部材は、前記複数の半導体基板を前記基材に接着する加熱剥離型粘着層をさらに有することを特徴とする請求項4に記載の放射線検出装置。
  6. 前記部材は、前記基材を前記基台に接着する粘着層をさらに有することを特徴とする請求項4又は5に記載の放射線検出装置。
  7. 請求項1乃至6の何れか1項に記載の放射線検出装置と、
    前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
    を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5680943B2 (ja) 2010-11-16 2015-03-04 キヤノン株式会社 シンチレータ、放射線検出装置および放射線撮影装置
JP5911274B2 (ja) 2011-11-28 2016-04-27 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP5997512B2 (ja) 2012-06-20 2016-09-28 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び撮像システム
JP6478538B2 (ja) 2014-09-10 2019-03-06 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP6573377B2 (ja) 2015-07-08 2019-09-11 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その制御方法及びプログラム
JP6573378B2 (ja) 2015-07-10 2019-09-11 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その制御方法及びプログラム
US9599723B2 (en) * 2015-08-18 2017-03-21 Carestream Health, Inc. Method and apparatus with tiled image sensors
JP6663210B2 (ja) 2015-12-01 2020-03-11 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及びその制御方法
US10641907B2 (en) 2016-04-14 2020-05-05 Moxtek, Inc. Mounted x-ray window
JP6706963B2 (ja) 2016-04-18 2020-06-10 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及び、放射線撮像装置の制御方法
JP6778118B2 (ja) 2017-01-13 2020-10-28 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP6877289B2 (ja) 2017-07-31 2021-05-26 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法
JP7030478B2 (ja) 2017-11-09 2022-03-07 キヤノン株式会社 撮影台および放射線撮影システム
CN108461527B (zh) * 2018-03-23 2020-06-23 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
WO2020027769A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 Moxtek, Inc. Mounted x-ray window
CN109276268A (zh) * 2018-11-21 2019-01-29 京东方科技集团股份有限公司 X射线探测装置及其制造方法
CN112474225B (zh) * 2020-11-18 2022-08-26 宁波市鄞州智伴信息科技有限公司 一种防辐射功能性面料生产用自控温烘干装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3805031B2 (ja) * 1995-10-20 2006-08-02 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP3486515B2 (ja) 1996-12-13 2004-01-13 キヤノン株式会社 ガラス基板保持構造及び放射線撮影装置
JP2002164525A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Canon Inc 光電変換装置
JP3921459B2 (ja) * 2003-07-11 2007-05-30 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 電気部品の実装方法及び実装装置
JP4594188B2 (ja) 2004-08-10 2010-12-08 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP4266898B2 (ja) 2004-08-10 2009-05-20 キヤノン株式会社 放射線検出装置とその製造方法および放射線撮像システム
US7514686B2 (en) 2004-08-10 2009-04-07 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus, scintillator panel, their manufacturing method and radiation detecting system
JP4208790B2 (ja) 2004-08-10 2009-01-14 キヤノン株式会社 放射線検出装置の製造方法
US7550055B2 (en) * 2005-05-31 2009-06-23 Applied Materials, Inc. Elastomer bonding of large area sputtering target
CN1873049A (zh) 2005-05-31 2006-12-06 应用材料股份有限公司 弹性连接一大面积靶的方法
CN100511693C (zh) 2005-08-31 2009-07-08 佳能株式会社 辐射检测设备、辐射成像设备和辐射成像系统
JP5159065B2 (ja) * 2005-08-31 2013-03-06 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP2007155662A (ja) 2005-12-08 2007-06-21 Canon Inc 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム
JP4692260B2 (ja) * 2005-12-12 2011-06-01 株式会社デンソー 半導体力学量センサ装置およびその製造方法
JP4579894B2 (ja) 2005-12-20 2010-11-10 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP4921180B2 (ja) 2006-01-25 2012-04-25 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP4920994B2 (ja) 2006-03-02 2012-04-18 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線検出装置及び放射線検出システム
JP5173234B2 (ja) * 2006-05-24 2013-04-03 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP4925173B2 (ja) * 2006-06-02 2012-04-25 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート、及びそれを用いた被切断体の加工方法
JP5049739B2 (ja) 2006-11-01 2012-10-17 キヤノン株式会社 放射線撮像装置
JP2008224429A (ja) 2007-03-13 2008-09-25 Canon Inc 放射線検出装置
JP5004848B2 (ja) 2007-04-18 2012-08-22 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP4834614B2 (ja) 2007-06-12 2011-12-14 キヤノン株式会社 放射線検出装置および放射線撮像システム
JP5441400B2 (ja) * 2008-12-19 2014-03-12 キヤノン株式会社 撮像装置、放射線撮像装置及びその製造方法

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