JP3486515B2 - ガラス基板保持構造及び放射線撮影装置 - Google Patents
ガラス基板保持構造及び放射線撮影装置Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 123
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 113
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 81
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000002601 radiography Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 cesium iodide compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体薄膜素子が
形成されたガラス基板の保持構造及び対象物の放射線像
を得る放射線撮影装置に関するものである。
形成されたガラス基板の保持構造及び対象物の放射線像
を得る放射線撮影装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、対象物に放射線を照射し、対
象物を透過した放射線の強度分布を検出して対象物の放
射線画像を得る装置が、工業用の非破壊検査や医療診断
の場で広く一般に利用されている。このような対象物の
放射線画像は、放射線により蛍光を発する蛍光板又は増
感紙と銀塩フィルムを組み合わせて撮影される。即ち、
対象物を介して放射線を照射し、蛍光板により放射線を
可視光に変換して、銀塩フィルム上に潜像を形成した後
に、この銀塩フィルムを化学処理して放射線画像をアナ
ログ写真として撮影している。
象物を透過した放射線の強度分布を検出して対象物の放
射線画像を得る装置が、工業用の非破壊検査や医療診断
の場で広く一般に利用されている。このような対象物の
放射線画像は、放射線により蛍光を発する蛍光板又は増
感紙と銀塩フィルムを組み合わせて撮影される。即ち、
対象物を介して放射線を照射し、蛍光板により放射線を
可視光に変換して、銀塩フィルム上に潜像を形成した後
に、この銀塩フィルムを化学処理して放射線画像をアナ
ログ写真として撮影している。
【０００３】一方、近年のデジタル技術の進歩により、
放射線画像を電気信号に変換し、この電気信号を画像処
理した後に、可視画像としてＣＲＴ等に再生することに
より、高画質の放射線画像を得ている。この放射線画像
を電気信号に変換する装置としては、例えば蛍光板と銀
塩フィルムを組み合わせて撮影し、得られた放射線写真
フィルムに記録された放射線画像に光を照射し、放射線
写真フィルムを透過した光をＣＣＤ等で光電的に読み取
って、電気信号に変換するフィルムディジタイザがあ
る。
放射線画像を電気信号に変換し、この電気信号を画像処
理した後に、可視画像としてＣＲＴ等に再生することに
より、高画質の放射線画像を得ている。この放射線画像
を電気信号に変換する装置としては、例えば蛍光板と銀
塩フィルムを組み合わせて撮影し、得られた放射線写真
フィルムに記録された放射線画像に光を照射し、放射線
写真フィルムを透過した光をＣＣＤ等で光電的に読み取
って、電気信号に変換するフィルムディジタイザがあ
る。
【０００４】また、近年の半導体プロセス技術の進歩に
より、ガラス基板によりアモルファス半導体膜を挟持し
て、透明導電膜と導電膜から成る半導体薄膜による固体
光検出素子をマトリクス状に配列した固体光検出器の製
作が可能となり、この固体光検出器と放射線を可視光に
変換するシンチレータを積層した放射線検出手段が提案
されている。
より、ガラス基板によりアモルファス半導体膜を挟持し
て、透明導電膜と導電膜から成る半導体薄膜による固体
光検出素子をマトリクス状に配列した固体光検出器の製
作が可能となり、この固体光検出器と放射線を可視光に
変換するシンチレータを積層した放射線検出手段が提案
されている。
【０００５】この放射線検出手段に対象物を透過した放
射線を照射することにより、放射線がシンチレータで可
視光に変換され、この可視光が固体光検出素子の光電変
換部により電気信号として検出される。この電気信号は
各固体光検出素子から所定の読出方式により読み出さ
れ、Ａ／Ｄ変換されて放射線画像信号が得られる。そし
て、画像信号処理装置により種々の信号処理がなされた
後に、ＣＲＴ等の再生手段により放射線画像として再生
され、読影診断に利用されている。
射線を照射することにより、放射線がシンチレータで可
視光に変換され、この可視光が固体光検出素子の光電変
換部により電気信号として検出される。この電気信号は
各固体光検出素子から所定の読出方式により読み出さ
れ、Ａ／Ｄ変換されて放射線画像信号が得られる。そし
て、画像信号処理装置により種々の信号処理がなされた
後に、ＣＲＴ等の再生手段により放射線画像として再生
され、読影診断に利用されている。
【０００６】胸部疾患診断を目的とする胸部撮影は、現
在は増感紙とフィルムを組み合わせたスクリーンフィル
ム系を用いて行われているが、胸部撮影は大面積のフィ
ルムを必要とするために、一般的には１４インチ×１４
インチ又は１４インチ×１７インチという大型のフィル
ムが使用されている。従って、シンチレータと固体光検
出素子を組み合わせた放射線検出手段を用いて胸部撮影
を行う場合も、同様に１４インチ×１４インチ、１４イ
ンチ×１７インチ、又はそれ以上の大面積のガラス基板
にホトリソグラフィ法により固体光検出素子を形成し
て、放射線検出手段を作製する必要がある。
在は増感紙とフィルムを組み合わせたスクリーンフィル
ム系を用いて行われているが、胸部撮影は大面積のフィ
ルムを必要とするために、一般的には１４インチ×１４
インチ又は１４インチ×１７インチという大型のフィル
ムが使用されている。従って、シンチレータと固体光検
出素子を組み合わせた放射線検出手段を用いて胸部撮影
を行う場合も、同様に１４インチ×１４インチ、１４イ
ンチ×１７インチ、又はそれ以上の大面積のガラス基板
にホトリソグラフィ法により固体光検出素子を形成し
て、放射線検出手段を作製する必要がある。
【０００７】しかし、一般的にガラス基板には厚さ１．
１ｍｍの石英ガラスが使用されているが、軽量化のため
に更に薄い厚さ０．７ｍｍの石英ガラスが使用されるこ
ともあり、このように脆弱で肉薄のガラスで、１４イン
チ×１７インチ又はそれ以上の大面積の基板にアモルフ
ァス半導体膜を挟持して、透明導電膜と導電膜から成る
固体検出素子をマトリクス状に配列した放射線検出手段
を用いて、放射線撮影装置を具体化して医療現場で使用
するためには、耐環境性を十分考慮した実装形態、特に
脆弱なガラス基板を耐衝撃及び耐振動を考慮して確実に
保持する保持手段が必要となる。
１ｍｍの石英ガラスが使用されているが、軽量化のため
に更に薄い厚さ０．７ｍｍの石英ガラスが使用されるこ
ともあり、このように脆弱で肉薄のガラスで、１４イン
チ×１７インチ又はそれ以上の大面積の基板にアモルフ
ァス半導体膜を挟持して、透明導電膜と導電膜から成る
固体検出素子をマトリクス状に配列した放射線検出手段
を用いて、放射線撮影装置を具体化して医療現場で使用
するためには、耐環境性を十分考慮した実装形態、特に
脆弱なガラス基板を耐衝撃及び耐振動を考慮して確実に
保持する保持手段が必要となる。
【０００８】特に、放射線撮影装置を車両に搭載して、
検診場所を移動しながら検診を行う場合においては、車
の移動時の振動、特に悪路での振動や衝撃を受けても放
射線像検出手段としての性能を満足するためには、一層
の耐衝撃及び耐振動特性が要求される。
検診場所を移動しながら検診を行う場合においては、車
の移動時の振動、特に悪路での振動や衝撃を受けても放
射線像検出手段としての性能を満足するためには、一層
の耐衝撃及び耐振動特性が要求される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来例に
おいては、耐衝撃及び耐振動に優れた保持手段等の具体
的な提案がなく、その上にガラスは金属に比べると熱膨
張係数が極端に小さいために、熱変形による影響も十分
に考慮する必要がある。即ち、ガラス基板を金属製の取
付基板に固定すると、ガラスと取付基板は熱膨張係数が
極端に異なるために、環境温度の変化によりガラス基板
に応力が加わり、最悪の場合はガラス基板の破壊を招く
という問題が生ずる。
おいては、耐衝撃及び耐振動に優れた保持手段等の具体
的な提案がなく、その上にガラスは金属に比べると熱膨
張係数が極端に小さいために、熱変形による影響も十分
に考慮する必要がある。即ち、ガラス基板を金属製の取
付基板に固定すると、ガラスと取付基板は熱膨張係数が
極端に異なるために、環境温度の変化によりガラス基板
に応力が加わり、最悪の場合はガラス基板の破壊を招く
という問題が生ずる。
【００１０】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
高耐振動、高耐衝撃性、高耐温度特性を有しながら、薄
肉で大面積のガラス基板を確実に保持するガラス基板保
持構造及び放射線撮影装置を提供することにある。
高耐振動、高耐衝撃性、高耐温度特性を有しながら、薄
肉で大面積のガラス基板を確実に保持するガラス基板保
持構造及び放射線撮影装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１発明に係るガラス基板保持構造は、半導体薄膜素
子が形成されたガラス基板と、該ガラス基板の半導体薄
膜素子を有する面と反対の面の略外周部に配置された第
１の弾性部材と、該第１の弾性部材を前記ガラス基板と
の間に挟持するように配置された取付部材と、前記ガラ
ス基板、前記第１の弾性部材及び前記取付部材によって
囲まれた略密閉空間内の略中央部に配置され前記ガラス
基板と前記取付部材との間に介在した第２の弾性部材と
を有することを特徴とする。
の第１発明に係るガラス基板保持構造は、半導体薄膜素
子が形成されたガラス基板と、該ガラス基板の半導体薄
膜素子を有する面と反対の面の略外周部に配置された第
１の弾性部材と、該第１の弾性部材を前記ガラス基板と
の間に挟持するように配置された取付部材と、前記ガラ
ス基板、前記第１の弾性部材及び前記取付部材によって
囲まれた略密閉空間内の略中央部に配置され前記ガラス
基板と前記取付部材との間に介在した第２の弾性部材と
を有することを特徴とする。
【００１２】第２発明に係るガラス基板保持構造は、半
導体薄膜素子が形成されたガラス基板と、該ガラス基板
の半導体薄膜素子を有する面と反対の面の略外周部に配
置された第１の弾性部材と、該第１の弾性部材を前記ガ
ラス基板との間に挟持するように配置された取付部材
と、前記ガラス基板、前記第１の弾性部材及び前記取付
部材によって囲まれた第１の略密閉空間内の略中央部に
配置され前記ガラス基板と前記取付部材との間に介在し
た第２の弾性部材と、前記ガラス基板の前記半導体薄膜
素子を有する面の略外周部に配置された第３の弾性部材
と、該第３の弾性部材を前記ガラス基板との間に挟持す
るように配置された前面部材と、前記ガラス基板、前記
第３の弾性部材及び前記前面部材によって囲まれた第２
の略密閉空間とを有することを特徴とする。
導体薄膜素子が形成されたガラス基板と、該ガラス基板
の半導体薄膜素子を有する面と反対の面の略外周部に配
置された第１の弾性部材と、該第１の弾性部材を前記ガ
ラス基板との間に挟持するように配置された取付部材
と、前記ガラス基板、前記第１の弾性部材及び前記取付
部材によって囲まれた第１の略密閉空間内の略中央部に
配置され前記ガラス基板と前記取付部材との間に介在し
た第２の弾性部材と、前記ガラス基板の前記半導体薄膜
素子を有する面の略外周部に配置された第３の弾性部材
と、該第３の弾性部材を前記ガラス基板との間に挟持す
るように配置された前面部材と、前記ガラス基板、前記
第３の弾性部材及び前記前面部材によって囲まれた第２
の略密閉空間とを有することを特徴とする。
【００１３】第３発明に係るガラス基板保持構造は、半
導体薄膜素子が形成されたガラス基板を有する放射線像
検出手段と、前記ガラス基板の半導体薄膜素子を有する
面と反対の面の略外周部に配置された第１の弾性部材
と、該第１の弾性部材を前記ガラス基板との間に挟持す
るように配置された取付部材と、前記ガラス基板、前記
第１の弾性部材及び前記取付部材によって囲まれた略密
閉空間内の略中央部に配置され前記ガラス基板と前記取
付部材との間に介在した第２の弾性部材とを含むガラス
基板保持構造を有することを特徴とする。
導体薄膜素子が形成されたガラス基板を有する放射線像
検出手段と、前記ガラス基板の半導体薄膜素子を有する
面と反対の面の略外周部に配置された第１の弾性部材
と、該第１の弾性部材を前記ガラス基板との間に挟持す
るように配置された取付部材と、前記ガラス基板、前記
第１の弾性部材及び前記取付部材によって囲まれた略密
閉空間内の略中央部に配置され前記ガラス基板と前記取
付部材との間に介在した第２の弾性部材とを含むガラス
基板保持構造を有することを特徴とする。
【００１４】第４発明に係るガラス基板保持構造は、半
導体薄膜素子が形成されたガラス基板を有する放射線像
検出手段と、前記ガラス基板の半導体薄膜素子を有する
面と反対の面の略外周部に配置された第１の弾性部材
と、該第１の弾性部材を前記ガラス基板との間に挟持す
るように配置された取付部材と、前記ガラス基板、前記
第１の弾性部材及び前記取付部材によって囲まれた第１
の略密閉空間内の略中央部に配置され前記ガラス基板と
前記取付部材との間に介在した第２の弾性部材と、前記
ガラス基板の前記半導体薄膜素子を有する面の略外周部
に配置された第３の弾性部材と、該第３の弾性部材を前
記ガラス基板との間に挟持するように配置された前面部
材と、前記ガラス基板、前記第３の弾性部材及び前記前
面部材によって囲まれた第２の略密閉空間とを含むガラ
ス基板保持構造を有することを特徴とする。
導体薄膜素子が形成されたガラス基板を有する放射線像
検出手段と、前記ガラス基板の半導体薄膜素子を有する
面と反対の面の略外周部に配置された第１の弾性部材
と、該第１の弾性部材を前記ガラス基板との間に挟持す
るように配置された取付部材と、前記ガラス基板、前記
第１の弾性部材及び前記取付部材によって囲まれた第１
の略密閉空間内の略中央部に配置され前記ガラス基板と
前記取付部材との間に介在した第２の弾性部材と、前記
ガラス基板の前記半導体薄膜素子を有する面の略外周部
に配置された第３の弾性部材と、該第３の弾性部材を前
記ガラス基板との間に挟持するように配置された前面部
材と、前記ガラス基板、前記第３の弾性部材及び前記前
面部材によって囲まれた第２の略密閉空間とを含むガラ
ス基板保持構造を有することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明を図示の実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は実施例の放射線撮影装置の断面
図を示し、放射線撮影装置１はカバー部材２により内部
が遮光されており、カバー部材２の内部には周囲の取付
手段３を介して中央部に板体状の取付部材４が固定され
ている。取付部材４上には、第１の弾性部材５が貼付け
や接着等の手段により取り付けられており、第１の弾性
部材５上にはガラス基板６が同様に貼付けや接着等の手
段により固定されている。ガラス基板６の上面６ａに
は、ホトリソグラフィ法等により二次元状に半導体薄膜
素子７が形成されている。半導体薄膜素子７上には放射
線像を可視光に変換するシンチレータ８が接着等の手段
により密着しており、シンチレータ８はアルミニウム基
板９に蒸着等の手段によりＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：Ｔｌ
等の沃化セシウム化合物を柱状結晶に成長させたり、ポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）や紙等の基板上に
希土類蛍光体を塗布して形成されている。
詳細に説明する。図１は実施例の放射線撮影装置の断面
図を示し、放射線撮影装置１はカバー部材２により内部
が遮光されており、カバー部材２の内部には周囲の取付
手段３を介して中央部に板体状の取付部材４が固定され
ている。取付部材４上には、第１の弾性部材５が貼付け
や接着等の手段により取り付けられており、第１の弾性
部材５上にはガラス基板６が同様に貼付けや接着等の手
段により固定されている。ガラス基板６の上面６ａに
は、ホトリソグラフィ法等により二次元状に半導体薄膜
素子７が形成されている。半導体薄膜素子７上には放射
線像を可視光に変換するシンチレータ８が接着等の手段
により密着しており、シンチレータ８はアルミニウム基
板９に蒸着等の手段によりＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：Ｔｌ
等の沃化セシウム化合物を柱状結晶に成長させたり、ポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）や紙等の基板上に
希土類蛍光体を塗布して形成されている。
【００１６】これらガラス基板６、半導体薄膜素子７、
シンチレータ８、アルミニウム基板９により放射線像検
出手段１０が構成されている。なお、放射線像検出手段
１０は予め電荷をチャージしておき、放射線例えばＸ線
の入射により変化した電荷分布を検出するアモルファス
セレンから成る半導体薄膜二次元センサでもよい。
シンチレータ８、アルミニウム基板９により放射線像検
出手段１０が構成されている。なお、放射線像検出手段
１０は予め電荷をチャージしておき、放射線例えばＸ線
の入射により変化した電荷分布を検出するアモルファス
セレンから成る半導体薄膜二次元センサでもよい。
【００１７】図２は第１の弾性部材５の斜視図を示し、
この第１の弾性部材５は棒状の４個の部材からロの字形
状に配置されており、それぞれの部材同士の接合部は隙
間なく接合され、取付部材４、第１の弾性部材５、ガラ
ス基板６により第１の略密閉空間１１が形成されてい
る。
この第１の弾性部材５は棒状の４個の部材からロの字形
状に配置されており、それぞれの部材同士の接合部は隙
間なく接合され、取付部材４、第１の弾性部材５、ガラ
ス基板６により第１の略密閉空間１１が形成されてい
る。
【００１８】また、第１の弾性部材５には微小オリフィ
ス１２が設けられ、第１の略密閉空間１１内の空気と大
気が連通されている。なお、微小オリフィス１２は図２
に示すように第１の弾性部材５に貫通するように設けて
もよいし、棒状の第１の弾性部材５間の接合部に僅かに
隙間を形成するようにしてもよい。なお、第１の弾性部
材５は４本の棒状部材をロの字状に隙間なく接合してい
るが、図３に示すような継ぎ目のないロの字状に形成し
た１個の部材であってもよい。
ス１２が設けられ、第１の略密閉空間１１内の空気と大
気が連通されている。なお、微小オリフィス１２は図２
に示すように第１の弾性部材５に貫通するように設けて
もよいし、棒状の第１の弾性部材５間の接合部に僅かに
隙間を形成するようにしてもよい。なお、第１の弾性部
材５は４本の棒状部材をロの字状に隙間なく接合してい
るが、図３に示すような継ぎ目のないロの字状に形成し
た１個の部材であってもよい。
【００１９】また、第１の弾性部材５の材質は、低密度
で放射線の照射により散乱線の発生が少ない材質が好ま
しく、シリコンゲル、シリコンゴム、ネオスポンジ、ポ
リウレタン、モルトプレン等が好適である。このよう
に、第１の弾性部材５の材質に低散乱線を発生する物質
を使用することにより、矢印Ａ方向から放射線撮影装置
１に入射し、放射線検出手段１０を透過した放射線によ
り、第１の弾性部材５から発生する散乱線の内、再びシ
ンチレータ８に入射する後方散乱線の影響を少なくする
ことができる。
で放射線の照射により散乱線の発生が少ない材質が好ま
しく、シリコンゲル、シリコンゴム、ネオスポンジ、ポ
リウレタン、モルトプレン等が好適である。このよう
に、第１の弾性部材５の材質に低散乱線を発生する物質
を使用することにより、矢印Ａ方向から放射線撮影装置
１に入射し、放射線検出手段１０を透過した放射線によ
り、第１の弾性部材５から発生する散乱線の内、再びシ
ンチレータ８に入射する後方散乱線の影響を少なくする
ことができる。
【００２０】第１の弾性部材５の内側の略中心部には、
第１の弾性部材５と同様の材質から成る第２の弾性部材
１３が配置されており、第２の弾性部材１３の一方の面
は取付部材４に貼付けられ、他方の面はガラス基板６に
貼付けられて接着等の手段で固定されている。なお、第
２の弾性部材１３は図２に示すようにブロック状の形状
をしてるが、図４に示すように十字状の形状でもよい
し、図３に示した第１の弾性部材５と同様にロの字の形
状で、第１の弾性部材５よりも小さなものでもよい。な
お、この場合は第２の弾性部材１３にも第１の弾性部材
５と同様に微小オリフィス１２を設けることが好適であ
る。
第１の弾性部材５と同様の材質から成る第２の弾性部材
１３が配置されており、第２の弾性部材１３の一方の面
は取付部材４に貼付けられ、他方の面はガラス基板６に
貼付けられて接着等の手段で固定されている。なお、第
２の弾性部材１３は図２に示すようにブロック状の形状
をしてるが、図４に示すように十字状の形状でもよい
し、図３に示した第１の弾性部材５と同様にロの字の形
状で、第１の弾性部材５よりも小さなものでもよい。な
お、この場合は第２の弾性部材１３にも第１の弾性部材
５と同様に微小オリフィス１２を設けることが好適であ
る。
【００２１】必要に応じて、シンチレータ８、アルミニ
ウム基板９の略周辺部で、放射線像検出手段１０を挟ん
で第１の弾性部材５に略対応する位置に、第１の弾性部
材５と同様の材質から成る第３の弾性部材１４が貼付け
や接着等の手段により固定されており、この第３の弾性
部材１４上には放射線透過性に優れ、かつ機械的強度を
有する炭素繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）から成る前面部材
１５が配置されている。そして、アルミニウム基板９、
第３の弾性部材１４、前面部材１５により第２の略密閉
空間１６が形成されている。
ウム基板９の略周辺部で、放射線像検出手段１０を挟ん
で第１の弾性部材５に略対応する位置に、第１の弾性部
材５と同様の材質から成る第３の弾性部材１４が貼付け
や接着等の手段により固定されており、この第３の弾性
部材１４上には放射線透過性に優れ、かつ機械的強度を
有する炭素繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）から成る前面部材
１５が配置されている。そして、アルミニウム基板９、
第３の弾性部材１４、前面部材１５により第２の略密閉
空間１６が形成されている。
【００２２】また、取付部材４の下側には鉛板１７が配
置され、その下方のカバー部材２の底部に脚を立てて電
子回路１８が設けられており、放射線像検出手段１０と
電子回路１８はタブ１９を介して接続されている。な
お、鉛板１７は放射線像検出手段１０と電子回路１８間
に位置し、電子回路１８への放射線による影響を防止し
ている。
置され、その下方のカバー部材２の底部に脚を立てて電
子回路１８が設けられており、放射線像検出手段１０と
電子回路１８はタブ１９を介して接続されている。な
お、鉛板１７は放射線像検出手段１０と電子回路１８間
に位置し、電子回路１８への放射線による影響を防止し
ている。
【００２３】第３の弾性部材１４は第１の弾性部材５と
同様に、４個の弾性部材が放射線像検出手段１０のシン
チレータ８のアルミニウム基板９の略周辺部を囲うよう
に、その接合部を隙間なく接合して配置されており、ガ
ラス基板６と電子回路１８の端部を接合するタブ１９に
よりガラス基板６上の半導体薄膜素子７とタブ１９の接
合部に常時発生する応力は、第３の弾性部材１４により
緩和されるようになっている。更に、第３の弾性部材１
４をシンチレータ８のアルミニウム基板９上の第１の弾
性部材５と略対応する位置に配置し、第１の弾性部材５
と第３の弾性部材１４により放射線像検出手段１０を挟
持するように配置することにより、放射線像検出手段１
０に剪断力が働くことなく、安定性及び高信頼性を維持
しながら放射線像検出手段１０を保持するようになって
いる。
同様に、４個の弾性部材が放射線像検出手段１０のシン
チレータ８のアルミニウム基板９の略周辺部を囲うよう
に、その接合部を隙間なく接合して配置されており、ガ
ラス基板６と電子回路１８の端部を接合するタブ１９に
よりガラス基板６上の半導体薄膜素子７とタブ１９の接
合部に常時発生する応力は、第３の弾性部材１４により
緩和されるようになっている。更に、第３の弾性部材１
４をシンチレータ８のアルミニウム基板９上の第１の弾
性部材５と略対応する位置に配置し、第１の弾性部材５
と第３の弾性部材１４により放射線像検出手段１０を挟
持するように配置することにより、放射線像検出手段１
０に剪断力が働くことなく、安定性及び高信頼性を維持
しながら放射線像検出手段１０を保持するようになって
いる。
【００２４】上述の構成により、放射線像検出手段１０
を内部に保持した放射線撮影装置１で被検体を撮影する
場合には、撮影すべき被検体の撮影部位を前面部材１５
に接するように配置し、図示しない放射線発生源から被
検体に放射線を照射する。被検体を透過した放射線は前
面部材１５を透過し、更にアルミニウム基板９を透過し
シンチレータ８に入射する。放射線はシンチレータ８で
可視光に変換され、ガラス基板６に二次元配列された半
導体薄膜から成る光検出素子によって電気信号として検
出される。検出された電気信号はタブ１９を介して電子
回路１８へ導かれ、Ａ／Ｄ変換されてデジタル信号に変
換され、このデジタル信号は図示しないケーブルやコネ
クタを介して図示しないコントローラに送られ、更にＣ
ＲＴモニタへの表示され、医療用プリンタによりフィル
ムにプリントされる。
を内部に保持した放射線撮影装置１で被検体を撮影する
場合には、撮影すべき被検体の撮影部位を前面部材１５
に接するように配置し、図示しない放射線発生源から被
検体に放射線を照射する。被検体を透過した放射線は前
面部材１５を透過し、更にアルミニウム基板９を透過し
シンチレータ８に入射する。放射線はシンチレータ８で
可視光に変換され、ガラス基板６に二次元配列された半
導体薄膜から成る光検出素子によって電気信号として検
出される。検出された電気信号はタブ１９を介して電子
回路１８へ導かれ、Ａ／Ｄ変換されてデジタル信号に変
換され、このデジタル信号は図示しないケーブルやコネ
クタを介して図示しないコントローラに送られ、更にＣ
ＲＴモニタへの表示され、医療用プリンタによりフィル
ムにプリントされる。
【００２５】取付部材４とカバー部材２は、第１の弾性
部材５、第２の弾性部材１３、第３の弾性部材１４を、
それぞれ図１の上下方向に圧縮挟持するように構成され
ているために、この圧縮力により第１の弾性部材５、第
２の弾性部材１３、第３の弾性部材１４は変形して厚さ
が薄くなっている。
部材５、第２の弾性部材１３、第３の弾性部材１４を、
それぞれ図１の上下方向に圧縮挟持するように構成され
ているために、この圧縮力により第１の弾性部材５、第
２の弾性部材１３、第３の弾性部材１４は変形して厚さ
が薄くなっている。
【００２６】このとき、第１の弾性部材５と第２の弾性
部材１３に着目すると、放射線像検出手段１０が梁の役
目をして撓むために、第１の弾性部材５の単位面積当り
に加わる力と、第２の弾性部材１３の単位面積当りに加
わる力が異なり、この結果厚さ方向の変形量が異なり、
ガラス基板６が僅かに変形する。
部材１３に着目すると、放射線像検出手段１０が梁の役
目をして撓むために、第１の弾性部材５の単位面積当り
に加わる力と、第２の弾性部材１３の単位面積当りに加
わる力が異なり、この結果厚さ方向の変形量が異なり、
ガラス基板６が僅かに変形する。
【００２７】この問題を解決するために、第１の弾性部
材５に比べて第２の弾性部材１３の厚さ又は面積又は硬
度を変えることにより、放射線像検出手段１０を平面度
を保持することが可能となる。即ち、第２の弾性部材１
３には、第１の弾性部材５に対して厚さでは薄く、硬度
ではより硬い弾性部材を用いることにより、変形防止及
び耐振動性向上を図ることができる。
材５に比べて第２の弾性部材１３の厚さ又は面積又は硬
度を変えることにより、放射線像検出手段１０を平面度
を保持することが可能となる。即ち、第２の弾性部材１
３には、第１の弾性部材５に対して厚さでは薄く、硬度
ではより硬い弾性部材を用いることにより、変形防止及
び耐振動性向上を図ることができる。
【００２８】環境温度が変化した場合には、取付部材４
とガラス基板６はそれぞれ長手方向に伸縮し、それぞれ
の熱膨張係数が異なるためにその変化量に差が生ずる
が、第１の弾性部材５、第３の弾性部材１４が変形し
て、取付部材４とガラス基板６の変形量の差を吸収する
ので、ガラス基板６に応力が加わることがなく、環境温
度の変化によってガラス基板６が破損したり、ガラス基
板６に形成した半導体薄膜素子に不要な応力が加わるこ
とがない。
とガラス基板６はそれぞれ長手方向に伸縮し、それぞれ
の熱膨張係数が異なるためにその変化量に差が生ずる
が、第１の弾性部材５、第３の弾性部材１４が変形し
て、取付部材４とガラス基板６の変形量の差を吸収する
ので、ガラス基板６に応力が加わることがなく、環境温
度の変化によってガラス基板６が破損したり、ガラス基
板６に形成した半導体薄膜素子に不要な応力が加わるこ
とがない。
【００２９】また、前面部材１５には被検体が直接接触
するので、被検体による衝撃が前面部材１５に加わる場
合には、図１に示すように放射線像検出手段１０の放射
線の入射面側に、シンチレータ８のアルミニウム基板
９、第３の弾性部材１４、前面部材１５で構成される第
２の略密閉空間１６が存在し、また必要に応じて第２の
略密閉空間１６の放射線像検出手段１０を挟んだ反対側
には、取付部材４、第１の弾性部材５、ガラス基板６で
構成される第１の略密閉空間１１が存在するので、被検
体により前面部材１５に衝撃が加わっても、第１の略密
閉空間１１、第２の略密閉空間１６がそれぞれエアダン
パの役割を果たし、放射線像検出手段１０に加わる衝撃
が緩衝され、局所的な衝撃力は分散される。
するので、被検体による衝撃が前面部材１５に加わる場
合には、図１に示すように放射線像検出手段１０の放射
線の入射面側に、シンチレータ８のアルミニウム基板
９、第３の弾性部材１４、前面部材１５で構成される第
２の略密閉空間１６が存在し、また必要に応じて第２の
略密閉空間１６の放射線像検出手段１０を挟んだ反対側
には、取付部材４、第１の弾性部材５、ガラス基板６で
構成される第１の略密閉空間１１が存在するので、被検
体により前面部材１５に衝撃が加わっても、第１の略密
閉空間１１、第２の略密閉空間１６がそれぞれエアダン
パの役割を果たし、放射線像検出手段１０に加わる衝撃
が緩衝され、局所的な衝撃力は分散される。
【００３０】放射線撮影装置１が配置される環境に気圧
の変化がある場合には、第１の略密閉空間１１を形成す
る第１の弾性部材５及び第２の略密閉空間１６を形成す
る第３の弾性部材１４に、それぞれ微小オリフィス１２
が形成されているので、第１の略密閉空間１１及び第２
の略密閉空間１６内の気圧は常に外気と一定になり、従
って放射線像検出手段１０に環境の気圧変化による外部
応力が発生することはない。
の変化がある場合には、第１の略密閉空間１１を形成す
る第１の弾性部材５及び第２の略密閉空間１６を形成す
る第３の弾性部材１４に、それぞれ微小オリフィス１２
が形成されているので、第１の略密閉空間１１及び第２
の略密閉空間１６内の気圧は常に外気と一定になり、従
って放射線像検出手段１０に環境の気圧変化による外部
応力が発生することはない。
【００３１】放射線像検出手段１０に振動が加わる場合
には、周囲のカバー部材２を保持する平板部の面に垂直
方向の振動が加わると、平板部の中心には周辺部の１０
倍以上の加速度が加わり、その結果として１４×１７イ
ンチという大面積の中心部の変形量は数ｍｍを超えるこ
とになる。従って、この変形量が第１の弾性部材５の厚
さ又は第３の弾性部材１４の厚さを超えると、ガラス基
板６の中心部が取付部材４又は前面部材１５に衝突し
て、ガラス基板６が破損する。また、中心部の変形量が
大きい場合は、蛍光体であるＣｓＩの柱状構造が破壊さ
れる可能性もある。
には、周囲のカバー部材２を保持する平板部の面に垂直
方向の振動が加わると、平板部の中心には周辺部の１０
倍以上の加速度が加わり、その結果として１４×１７イ
ンチという大面積の中心部の変形量は数ｍｍを超えるこ
とになる。従って、この変形量が第１の弾性部材５の厚
さ又は第３の弾性部材１４の厚さを超えると、ガラス基
板６の中心部が取付部材４又は前面部材１５に衝突し
て、ガラス基板６が破損する。また、中心部の変形量が
大きい場合は、蛍光体であるＣｓＩの柱状構造が破壊さ
れる可能性もある。
【００３２】しかし、ガラス基板６の略中心部に第２の
弾性部材１３が接着等の手段で取り付けてあるので、ガ
ラス基板６を確実に保持できると同時に、ガラス基板６
の中心部の変形をほぼ周辺部と同じにすることができ、
放射線像検出手段１０の変形量を最小にすることができ
る。
弾性部材１３が接着等の手段で取り付けてあるので、ガ
ラス基板６を確実に保持できると同時に、ガラス基板６
の中心部の変形をほぼ周辺部と同じにすることができ、
放射線像検出手段１０の変形量を最小にすることができ
る。
【００３３】また、第１の弾性部材５、第２の弾性部材
１３と第１の略密閉空間、更には必要に応じて第３の弾
性部材１４と第２の略密閉空間１６とがダンパとして作
用するので、ガラス基板６やガラス基板６に形成された
半導体薄膜素子７及びシンチレータ８に、振動による外
部応力が必要以上に働くことを防ぐことができる。更
に、略密閉空間１１、１６を形成する弾性部材５、１
３、１４に微小オリフィス１２を設けることにより、外
気圧の変動に対しても放射線像検出手段１０を安定して
保持することができる。
１３と第１の略密閉空間、更には必要に応じて第３の弾
性部材１４と第２の略密閉空間１６とがダンパとして作
用するので、ガラス基板６やガラス基板６に形成された
半導体薄膜素子７及びシンチレータ８に、振動による外
部応力が必要以上に働くことを防ぐことができる。更
に、略密閉空間１１、１６を形成する弾性部材５、１
３、１４に微小オリフィス１２を設けることにより、外
気圧の変動に対しても放射線像検出手段１０を安定して
保持することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように第１発明に係るガラ
ス基板保持構造によれば、耐衝撃性、耐振動性を高いレ
ベルで維持してガラス基板を保持することができる。
ス基板保持構造によれば、耐衝撃性、耐振動性を高いレ
ベルで維持してガラス基板を保持することができる。
【００３５】第２発明に係るガラス基板保持構造によれ
ば、耐衝撃性、耐振動性を高いレベルで維持してガラス
基板を保持することができる。
ば、耐衝撃性、耐振動性を高いレベルで維持してガラス
基板を保持することができる。
【００３６】第３発明に係る放射線撮影装置によれば、
耐衝撃性、耐振動性を高いレベルで維持し、かつ環境温
度の変化に対しても安定的に放射線像検出手段を保持し
て、高精度の放射線撮影を行うことができる。
耐衝撃性、耐振動性を高いレベルで維持し、かつ環境温
度の変化に対しても安定的に放射線像検出手段を保持し
て、高精度の放射線撮影を行うことができる。
【００３７】第４発明に係る放射線撮影装置によれば、
耐衝撃性、耐振動性を高いレベルで維持し、かつ環境温
度の変化に対しても安定的に放射線像検出手段を保持し
て、高精度の放射線撮影を行うことができる。
耐衝撃性、耐振動性を高いレベルで維持し、かつ環境温
度の変化に対しても安定的に放射線像検出手段を保持し
て、高精度の放射線撮影を行うことができる。
【図１】本実施例の断面図である。
【図２】弾性部材の斜視図である。
【図３】弾性部材の変形例の斜視図である。
【図４】弾性部材の変形例の斜視図である。
１ 放射線撮影装置
２ カバー部材
４ 取付部材
５、１３、１４ 弾性部材
６ ガラス基板
８ シンチレータ
９ アルミニウム基板
１０ 放射線像検出手段
１１、１６ 略密閉空間
１２ 微小オリフィス
１５ 前面部材
１８ 電気回路
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体薄膜素子が形成されたガラス基板
と、該ガラス基板の半導体薄膜素子を有する面と反対の
面の略外周部に配置された第１の弾性部材と、該第１の
弾性部材を前記ガラス基板との間に挟持するように配置
された取付部材と、前記ガラス基板、前記第１の弾性部
材及び前記取付部材によって囲まれた略密閉空間内の略
中央部に配置され前記ガラス基板と前記取付部材との間
に介在した第２の弾性部材とを有することを特徴とする
ガラス基板保持構造。 - 【請求項２】 前記半導体薄膜素子は対象物の放射線像
を検出するための機能を有することを特徴とする請求項
１に記載のガラス基板保持構造。 - 【請求項３】 前記第１の弾性部材及び前記第２の弾性
部材のうちの少なくとも一方に、放射線による散乱線の
発生の少ない物質が使用されていることを特徴とする請
求項１又は２に記載のガラス基板保持構造。 - 【請求項４】 前記第１の弾性部材に少なくとも１個の
微小オリフィスが設けられたことを特徴とする請求項１
〜３の何れか１つの請求項に記載のガラス基板保持構
造。 - 【請求項５】 前記第１の弾性部材と前記第２の弾性部
材とは異なる機械的特性を有することを特徴とする請求
項１〜４の何れか１つの請求項に記載のガラス基板保持
構造。 - 【請求項６】 半導体薄膜素子が形成されたガラス基板
と、該ガラス基板の半導体薄膜素子を有する面と反対の
面の略外周部に配置された第１の弾性部材と、該第１の
弾性部材を前記ガラス基板との間に挟持するように配置
された取付部材と、前記ガラス基板、前記第１の弾性部
材及び前記取付部材によって囲まれた第１の略密閉空間
内の略中央部に配置され前記ガラス基板と前記取付部材
との間に介在した第２の弾性部材と、前記ガラス基板の
前記半導体薄膜素子を有する面の略外周部に配置された
第３の弾性部材と、該第３の弾性部材を前記ガラス基板
との間に挟持するように配置された前面部材と、前記ガ
ラス基板、前記第３の弾性部材及び前記前面部材によっ
て囲まれた第２の略密閉空間とを有することを特徴とす
るガラス基板保持構造。 - 【請求項７】 半導体薄膜素子が形成されたガラス基板
を有する放射線像検出手段と、前記ガラス基板の半導体
薄膜素子を有する面と反対の面の略外周部に配置された
第１の弾性部材と、該第１の弾性部材を前記ガラス基板
との間に挟持するように配置された取付部材と、前記ガ
ラス基板、前記第１の弾性部材及び前記取付部材によっ
て囲まれた略密閉空間内の略中央部に配置され前記ガラ
ス基板と前記取付部材との間に介在した第２の弾性部材
とを含むガラス基板保持構造を有することを特徴とする
放射線撮影装置。 - 【請求項８】 前記第１の弾性部材及び前記第２の弾性
部材のうちの少なくとも一方に、放射線による散乱線の
発生の少ない物質が使用されていることを特徴とする請
求項７に記載の放射線撮影装置。 - 【請求項９】 前記第１の弾性部材に少なくとも１個の
微小オリフィスが設けられたことを特徴とする請求項７
又は８に記載の放射線撮影装置。 - 【請求項１０】 前記第１の弾性部材と前記第２の弾性
部材とは異なる機械的特性を有することを特徴とする請
求項７〜９の何れか１つの請求項に記載の放射線撮影装
置。 - 【請求項１１】 半導体薄膜素子が形成されたガラス基
板を有する放射線像検出手段と、前記ガラス基板の半導
体薄膜素子を有する面と反対の面の略外周部に配置され
た第１の弾性部材と、該第１の弾性部材を前記ガラス基
板との間に挟持するように配置された取付部材と、前記
ガラス基板、前記第１の弾性部材及び前記取付部材によ
って囲まれた第１の略密閉空間内の略中央部に配置され
前記ガラス基板と前記取付部材との間に介在した第２の
弾性部材と、前記ガラス基板の前記半導体薄膜素子を有
する面の略外周部に配置された第３の弾性部材と、該第
３の弾性部材を前記ガラス基板との間に挟持するように
配置された前面部材と、前記ガラス基板、前記第３の弾
性部材及び前記前面部材によって囲まれた第２の略密閉
空間とを含むガラス基板保持構造を有することを特徴と
する放射線撮影装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35263296A JP3486515B2 (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | ガラス基板保持構造及び放射線撮影装置 |
| US08/989,029 US6025598A (en) | 1996-12-13 | 1997-12-11 | Radiation photographic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35263296A JP3486515B2 (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | ガラス基板保持構造及び放射線撮影装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10171047A JPH10171047A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3486515B2 true JP3486515B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=18425378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35263296A Expired - Fee Related JP3486515B2 (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | ガラス基板保持構造及び放射線撮影装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6025598A (ja) |
| JP (1) | JP3486515B2 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3815766B2 (ja) * | 1998-01-28 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | 二次元撮像装置 |
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1996
- 1996-12-13 JP JP35263296A patent/JP3486515B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-12-11 US US08/989,029 patent/US6025598A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10171047A (ja) | 1998-06-26 |
| US6025598A (en) | 2000-02-15 |
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