CN109276268A - X射线探测装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种X射线探测装置及其制造方法，属于传感技术领域。包括：X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层；每个薄膜晶体管包括：源极和漏极；每个光电传感组件包括：层叠设置在第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个像素区域中，第一电极与源极电连接，且形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。本发明提高了根据X射线探测装置转换的电信号得到的X片的成像准确度。

Description

X射线探测装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及传感技术领域，特别涉及一种X射线探测装置及其制造方法。
背景技术
在医疗领域中，在对人体的待诊断部位拍X片时，X射线发射装置和X射线探测装置相对放置，待诊断部位放置在该X射线发射装置和X射线探测装置之间。X射线发射装置用于向待诊断部位发射X射线。X射线探测装置用于接收从待诊断部位透过的X射线，将该X射线转换为可见光，将该可见光转换为电信号，并将该电信号发送至信号读取集成电路(readout IC)，该信号读取集成电路可以根据该电信号形成影像画面，以得到该待诊断部位的X片。
相关技术中，X射线探测装置具有阵列排布的多个像素区域，每个像素区域中设置有：薄膜晶体管和金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal，MSM)型光电二极管，该光电二极管包括：有源层、高阻层、第一电极层和第二电极层。在每个像素区域中，光电二极管的第一电极层与薄膜晶体管电连接，第二电极层上加载有高压信号。当可见光照射到有源层上时，该高压信号和有源层中形成的光电流可使高阻层发生电子隧穿，使得第一电极层中产生遂穿电流。该第一电极层可通过薄膜晶体管向信号读取集成电路传输对应的电信号。
但是，该光电二极管的电学特性较差，导致根据该电信号得到的X片的成像准确度较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种X射线探测装置及其制造方法，可以解决根据X射线探测装置转换的电信号得到的X片的成像准确度较低的问题。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种X射线探测装置，所述X射线探测装置具有多个像素区域，所述X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管，所述光电传感组件层包括：多个光电传感组件，所述多个薄膜晶体管和所述多个光电传感组件均一一对应的分别设置在所述多个像素区域中；
每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；
每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极与所述源极电连接，且形成在所述第一电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在所述第二电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。
可选地，所述第一电极远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离与所述第二电极远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离相等。
可选地，所述遮挡层的厚度等于第一总厚度与第二总厚度的差；
其中，所述第一总厚度为位于所述第一电极与所述衬底基板之间的所有膜层的厚度总和，所述第二总厚度为位于所述第二电极与所述衬底基板之间的所有膜层中除所述遮挡层外的膜层的厚度总和。
可选地，所述位于所述第一电极与所述衬底基板之间的所有膜层包括：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述源极和公共电极，所述位于所述第二电极与所述衬底基板之间的所有膜层中除所述遮挡层外的膜层包括：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述漏极，所述遮挡层的厚度等于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述源极和所述公共电极的总厚度与所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述漏极的厚度的差。
可选地，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。
可选地，所述薄膜晶体管还包括：第二有源层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影。
可选地，对于每个所述像素区域，位于所述像素区域中的遮挡层上加载的所述预设电信号为所述像素区域中公共电极上加载的公共电极信号。
第二方面，提供了一种X射线探测装置，所述X射线探测装置具有多个像素区域，所述X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管，所述光电传感组件层包括：多个光电传感组件，所述多个薄膜晶体管和所述多个光电传感组件均一一对应的分别设置在所述多个像素区域中；
每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；
每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极与所述源极电连接；
所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。
第三方面，提供了一种X射线探测装置的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个像素区域的位置；
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括一一对应设置在所述多个像素区域中的多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；
在形成有所述薄膜晶体管层的衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一过孔；
在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成遮挡层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不重叠；
在形成有所述遮挡层的衬底基板上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔贯通；
在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成多个光电传感组件，所述多个光电传感组件一一对应设置在所述多个像素区域中，每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述源极电连接，且形成在所述第一电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在所述第二电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。
第四方面，提供了一种X射线探测装置的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个像素区域的位置；
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括一一对应设置在所述多个像素区域中的多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；
在形成有所述薄膜晶体管层的衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一过孔；
在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成遮挡层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不重叠；
在形成有所述遮挡层的衬底基板上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔贯通；
在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成多个光电传感组件，所述多个光电传感组件一一对应设置在所述多个像素区域中，每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述源极电连接；
其中，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明实施例提供的X射线探测装置及其制造方法，由于形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度相等，相较于相关技术，由于该高阻层具有较好的厚度均一性，减小了因形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度不同对光电传感组件的电学性能产生的影响，提高了光电传感组件的电学特性，提高了由光电传感组件转换得到的电信号的准确性，进而提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种X射线探测装置的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种MSM型光电传感器的工作原理示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种X射线探测装置的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的再一种X射线探测装置的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种X射线探测装置的俯视示意图；
图6是本发明实施例提供的又一种X射线探测装置的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种X射线探测装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种X射线探测装置，该X射线探测装置具有多个像素区域。如图1所示，该X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板001上的薄膜晶体管层、第一绝缘层003、遮挡层004、第二绝缘层005和光电传感组件层。该薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管002。该光电传感组件层包括：多个光电传感组件006。该多个薄膜晶体管002和该多个光电传感组件006均一一对应的分别设置在多个像素区域中。
每个薄膜晶体管002包括：源极0021和漏极0022。
每个光电传感组件006包括：层叠设置在第二绝缘层005上的电极层、高阻层0063和第一有源层0064，电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极0061和第二电极0062，每个像素区域中，第一电极0061与源极0021电连接。每个像素区域中可以设置有多个第一电极0061和多个第二电极0062，且第一电极0061和第二电极0062间隔设置。且每两个第一电极0061和第二电极0062的间距可以根据实际需要进行调节。
并且，形成在第一电极0061远离衬底基板001的表面的高阻层0063(为便于描述，本文简称其为第一子高阻层)的厚度与形成在第二电极0062远离衬底基板001的表面的高阻层0063(为便于描述，本文简称其为第二子高阻层)的厚度相等。其中，高阻层0063可以承受具有一定幅值(例如)的高电压，且具有特定厚度的高阻层0063在较高的电场下，能够发生电子隧穿。其中，该高电压的幅值范围可以为200伏至400伏，特定厚度的厚度范围可以为100纳米至200纳米。可选地，该高阻层0063可以由聚酰亚胺(Polyimide，PI)制成。第一电极0061和第二电极0062可以均由铝、钼、铜或其合金材料等金属材料制成。
需要说明的是，本文的两个膜层的厚度相等是指该两个膜层的厚度差小于预设阈值。也即是，当两个膜层的厚度差小于预设阈值时，可视为该两个膜层的厚度相等。其中，该第一预设阈值可以根据高阻层0063的电学特性和膜层的制造工艺等因素确定。例如，该第一预设阈值的取值规则可以为：当第一子高阻层的厚度与第二子高阻层的厚度的厚度差等于第一预设阈值时，该第一子高阻层的电学特性与第二子高阻层的电学特性的差异不会影响光电二极管的电学特性。示例地，该第一预设阈值的取值范围可以为该第一子高阻层和第二子高阻层中厚度较小的膜层厚度的[-10％，10％]。
综上所述，本发明实施例提供的X射线探测装置，由于形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度相等，相较于相关技术，由于该高阻层具有较好的厚度均一性，减小了因形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度不同对光电传感组件的电学性能产生的影响，提高了光电传感组件的电学特性，提高了由光电传感组件转换得到的电信号的准确性，进而提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。
其中，遮挡层004可以由能遮光的导电材料制成，例如，该遮挡层004可以由铝、钼、铜或其合金材料等金属材料制成。且源极0021和漏极0022也可以由铝、钼、铜或其合金材料等金属材料制成。
可选地，该光电传感组件006可以为MSM型光电传感器。图2为该MSM型光电传感器的工作原理示意图，如图2所示，其工作原理为：第二电极0062上加载有高电压，在无光照照射在第一有源层0064表面时，高阻层0063具有较高的电阻，高电压主要分配在该高阻层0063和该第一有源层0064上，在有光照(如图2中的虚线箭头所示)照射在第一有源层0064表面时，第一有源层0064中形成光电流，其电阻下降，大部分高电压分配在高阻层0063上，此时第二电极0062、高阻层0063和第一有源层0064形成金属-绝缘体-金属(metal-insulator-semiconductor，MIS)结构，该MIS结构在较高的电压下会发生电子隧穿(即弗洛尔-诺德海姆(Flower-Nordheim，FN)隧穿)，使第一电极0061中产生遂穿电流(如图2中的实线箭头所示)，实现第一电极0061的电荷采集。当第一子高阻层与第二子高阻层厚度相同时，该MSM型光电传感器具有较好的电学特性，能够实现较准确的电荷采集。
作为一种可实现方式，该第一电极0061远离衬底基板001的表面到衬底基板001的距离与第二电极0062远离衬底基板001的表面到衬底基板001的距离相等。
并且，当第一电极0061远离衬底基板001的表面到衬底基板001的距离与第二电极0062远离衬底基板001的表面到衬底基板001的距离相等时，该第一电极0061远离衬底基板001的表面与第二电极0062远离衬底基板001的表面的段差较小，通过一次构图工艺在该具有较小段差的膜层表面制造具有近似相同厚度的第一子高阻层和第二高阻层时，能够简化该第一子高阻层和该第二子高阻层的制造工艺。
进一步地，对于位于第二电极0062与衬底基板001之间的多个第一膜层中，以及位于第一电极0061与衬底基板001之间的多个第二膜层，由于该多个第一膜层与该多个第二膜层不同的膜层中仅遮挡层004位于该第二电极0062与衬底基板001之间，因此，该遮挡层004的厚度可以等于第一总厚度与第二总厚度的差，以减小膜层之间的段差，使得最终形成的第一子高阻层和第二子高阻层的厚度近似相等。其中，该第一总厚度为多个第二膜层的厚度总和，该第二总厚度为多个第一膜层中除遮挡层004外的膜层的厚度总和。且本文中的位于A与衬底基板001之间的C膜层均满足：该C膜层在衬底基板001上的正投影覆盖该A在衬底基板001上的正投影。
示例地，如图3所示，位于第一电极0061与衬底基板001之间的所有膜层可以包括：第一绝缘层003、第二绝缘层005、源极0021和公共电极007，位于第二电极0062与衬底基板001之间的所有膜层中除遮挡层004外的膜层可以包括：第一绝缘层003、第二绝缘层005和漏极0022，则遮挡层004的厚度可以等于第一绝缘层003、第二绝缘层005、源极0021和公共电极007的总厚度与第一绝缘层003、第二绝缘层005和漏极0022的厚度的差。
并且，由于该第一绝缘层003和第二绝缘层005均为通过一次构图工艺形成的整层结构，因此，该形成在第一电极0061与衬底基板001之间的第一绝缘层003的厚度近似等于形成在第二电极0062与衬底基板001之间的第一绝缘层003的厚度，该形成在第一电极0061与衬底基板001之间的第二绝缘层005的厚度近似等于形成在第二电极0062与衬底基板001之间的第二绝缘层005的厚度，相应的，该遮挡层004的厚度可以等于源极0021和公共电极007的总厚度与漏极0022的厚度的差。
可选地，如图4和图5所示，该遮挡层004在衬底基板001上的正投影可以覆盖漏极0022在衬底基板001上的正投影和第二电极0062在衬底基板001上的正投影，且该遮挡层004可以用于加载预设电信号。示例地，对于每个像素区域，位于该像素区域中的遮挡层004上加载的预设电信号可以为该像素区域中公共电极007上加载的公共电极信号。或者，位于该像素区域中的遮挡层004上加载的预设电信号的幅值可以与该像素区域中漏极0022上传输的电信号的幅值近似相等。例如，当该像素区域中漏极0022上传输的电信号的幅值为1伏时，该像素区域中的遮挡层004上加载的预设电信号的幅值也可以为1伏。且该漏极0022上传输的电信号的幅值可以根据光电传感组件006的参数和实际经验确定。
由于第二电极0062与漏极0022的设置位置的距离通常较小，通过设置遮挡层004在衬底基板001上的正投影覆盖漏极0022在衬底基板001上的正投影和第二电极0062在衬底基板001上的正投影，且向该遮挡层004加载预设电信号，使得遮挡层004能够减少第二电极0062上加载的电信号对漏极0022上传输的电信号形成的信号干扰，例如，能够减少第二电极0062上加载的具有较大幅值的电压信号(如200伏)对漏极0022上传输的具有较小幅值的电信号(如1伏)形成的信号干扰，提高从该漏极0022向信号读取集成电路传输的电信号的准确性，进而提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。并且，当该遮挡层004上加载的预设电信号为该像素区域中公共电极007上加载的公共电极信号时，能够较大程度地减少信号干扰。
其中，如图4所示，薄膜晶体管002通常还包括：第二有源层0023。在相关技术中，光可以照射到该第二有源层，且当光照射该第二有源层时，该第二有源层上会产生光电流，若此时薄膜晶体管处于关态，该光电流会引起该薄膜晶体管的关态电流偏大。在本发明实施例中，为了避免光照对该关态电流的影响，该遮挡层004在衬底基板001上的正投影还可以覆盖第二有源层0023在衬底基板001上的正投影，以对该第二有源层0023进行遮挡，使得光无法照射在该第二有源层0023上，以减小薄膜晶体管002的关态电流，降低该X射线探测装置的能耗。
需要说明的是，为了增强膜层与绝缘层之间的粘附性，上述由金属制成的膜层与绝缘层之间，以及，电极层与绝缘层之间还可以设置有钝化层。例如：源漏极0022图形和第一绝缘层003之间可以设置有第一钝化层，遮挡层004和第一绝缘层003之间可以设置有第二钝化层，遮挡层004和第二绝缘层005之间可以设置有第三钝化层，电极层与绝缘层之间还可以设置有第四钝化层类似的，电极层与第二绝缘层005之间可以设置有第四钝化层。
并且，为了向每个像素区域加载电信号，该X射线探测装置还可以包括信号线层。可选的，该电极层可以设置在第一有源层0064远离衬底基板001的一侧，且该信号线层和该第一有源层0064之间可以设置有第二钝化层。该信号线层可以由氧化铟锡(Indium TinOxide，ITO)等透明材料制成。
综上所述，本发明实施例提供的X射线探测装置，由于形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度相等，相较于相关技术，由于该高阻层具有较好的厚度均一性，减小了因形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度不同对光电传感组件的电学性能产生的影响，提高了光电传感组件的电学特性，提高了由光电传感组件转换得到的电信号的准确性，进而提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。
并且，通过设置遮挡层在衬底基板上的正投影覆盖漏极在衬底基板上的正投影和第二电极在衬底基板上的正投影，且遮挡层用于加载预设电信号，提高了从该漏极向信号读取集成电路传输的电信号的准确性，进一步提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。
本发明实施例还提供了另一种X射线探测装置，该X射线探测装置具有多个像素区域，如图6所示，该X射线探测装置可以包括：层叠设置在衬底基板001上的薄膜晶体管层、第一绝缘层003、遮挡层004、第二绝缘层005和光电传感组件层，薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管002，光电传感组件层包括：多个光电传感组件006，多个薄膜晶体管002和多个光电传感组件006均一一对应的分别设置在多个像素区域中。
每个薄膜晶体管002包括：源极0021和漏极0022。
每个光电传感组件006包括：层叠设置在第二绝缘层005上的电极层、高阻层0063和第一有源层0064，电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极0061和第二电极0062，每个像素区域中，第一电极0061与源极0021电连接。
遮挡层004在衬底基板001上的正投影覆盖漏极0022在衬底基板001上的正投影和第二电极0062在衬底基板001上的正投影，且遮挡层004用于加载预设电信号。
综上所述，本发明实施例提供的X射线探测装置，由于遮挡层在衬底基板上的正投影覆盖漏极在衬底基板上的正投影和第二电极在衬底基板上的正投影，且遮挡层用于加载预设电信号，相较于相关技术，能够减少第二电极上加载的电信号对漏极上传输的电信号形成的信号干扰，提高了从该漏极向信号读取集成电路传输的电信号的准确性，进而提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。
可选地，对于每个像素区域，位于该像素区域中的遮挡层004上加载的预设电信号可以为该像素区域中公共电极007上加载的公共电极信号。或者，位于该像素区域中的遮挡层004上加载的预设电信号的幅值可以与该像素区域中漏极0022上传输的电信号的幅值相等。
并且，薄膜晶体管002还包括：第二有源层0023，遮挡层004在衬底基板001上的正投影覆盖第二有源层0023在衬底基板001上的正投影。
进一步地，形成在第一电极0061远离衬底基板001的表面的高阻层0063的厚度与形成在第二电极0062远离衬底基板001的表面的高阻层0063的厚度可以相等。
作为一种可实现方式，第一电极0061远离衬底基板001的表面到衬底基板001的距离与第二电极0062远离衬底基板001的表面到衬底基板001的距离可以相等。
例如，遮挡层004的厚度可以等于第一总厚度与第二总厚度的差。其中，第一总厚度为位于第一电极0061与衬底基板001之间的所有膜层的厚度总和，第二总厚度为位于第二电极0062与衬底基板001之间的所有膜层中除遮挡层004外的膜层的厚度总和。
示例地，位于第一电极0061与衬底基板001之间的所有膜层包括：第一绝缘层003、第二绝缘层005、源极0021和公共电极007，位于第二电极0062与衬底基板001之间的所有膜层中除遮挡层004外的膜层包括：第一绝缘层003、第二绝缘层005和漏极0022，遮挡层004的厚度等于第一绝缘层003、第二绝缘层005、源极0021和公共电极007的总厚度与第一绝缘层003、第二绝缘层005和漏极0022的厚度的差。
需要说明的是，为描述的方便和简洁，在该本发明实施例中对该另一种X射线探测装置的相关技术特征的详细描述与原理，请相应参考前述对X射线探测装置对应技术特征的描述，此处不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的X射线探测装置，由于遮挡层在衬底基板上的正投影覆盖漏极在衬底基板上的正投影和第二电极在衬底基板上的正投影，且遮挡层用于加载预设电信号，相较于相关技术，能够减少第二电极上加载的电信号对漏极上传输的电信号形成的信号干扰，提高了从该漏极向信号读取集成电路传输的电信号的准确性，进而提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。
并且，由于形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度相等，相较于相关技术，由于该高阻层具有较好的厚度均一性，减小了因形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度不同对光电传感组件的电学性能产生的影响，提高了光电传感组件的电学特性，提高了由光电传感组件转换得到的电信号的准确性，进一步提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。
本发明实施例还提供了一种X射线探测装置的制造方法，该方法用于制造本发明实施例提供的X射线探测装置。如图7所示，该方法可以包括：
步骤701、在衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个像素区域的位置。
步骤702、在衬底基板上形成薄膜晶体管层。
其中，薄膜晶体管层包括一一对应设置在多个像素区域中的多个薄膜晶体管。且每个薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。当该薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，该形成薄膜晶体管的过程可以包括：依次在衬底基板上形成第二有源层、第一绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极图形。当该薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管时，该形成薄膜晶体管的过程可以包括：依次在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、第二有源层和源漏极图形。其中，源漏极图形可以包括源极和漏极。
可选地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition。缩写：PECVD)等方法在衬底基板上沉积一层具有一定厚度的半导体材料，得到半导体材质层，然后通过一次构图工艺对半导体材质层进行处理得到第二有源层。其中，一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。半导体材料可以为非晶硅或多晶硅(英文：polycrystalline silicon。缩写：P-Si)等材料。且该第二有源层的厚度可以根据实际需要确定。其中，形成薄膜晶体管中其他膜层的实现过程可以相应参考该形成第二有源层的实现过程。
步骤703、在形成有薄膜晶体管层的衬底基板上形成第一绝缘层。
可以采用涂覆等方法在形成有薄膜晶体管层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的第一绝缘材料，得到第一绝缘材质层，然后通过一次构图工艺对第一绝缘材质层进行处理得到第一绝缘层，且该绝缘层上形成有第一过孔。该第一绝缘层可以采用二氧化硅、氮化硅或者二氧化硅和氮化硅等材料的混合材料制成。且该第一绝缘层的厚度可以根据实际需要确定。
步骤704、在形成有第一绝缘层的衬底基板上形成遮挡层。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法形成有第一绝缘层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的遮光且导电的材料，得到遮挡材质层，然后通过一次构图工艺对遮挡材质层进行处理得到遮挡层。其中，该该遮挡层可以由铝、钼、铜或其合金材料等金属材料制成。
该遮挡层在衬底基板上的正投影与第一过孔在衬底基板上的正投影不重叠。并且，该遮挡层在衬底基板上的正投影可以覆盖漏极在衬底基板上的正投影和第二电极在衬底基板上的正投影，且遮挡层用于加载预设电信号。进一步地，遮挡层在衬底基板上的正投影还可以覆盖第二有源层在衬底基板上的正投影。其中，对于每个像素区域，位于该像素区域中的遮挡层上加载的预设电信号可以为该像素区域中公共电极上加载的公共电极信号。或者，位于该像素区域中的遮挡层上加载的预设电信号的幅值可以与该像素区域中漏极上传输的电信号的幅值近似相等。
该遮挡层的厚度可以根据实际需要确定。例如，该遮挡层的厚度可以等于第一总厚度与第二总厚度的差。其中，第一总厚度为位于第一电极与衬底基板之间的所有膜层的厚度总和，第二总厚度为位于第二电极与衬底基板之间的所有膜层中除遮挡层外的膜层的厚度总和。
示例地，位于第一电极与衬底基板之间的所有膜层包括：第一绝缘层、第二绝缘层、源极和公共电极，位于第二电极与衬底基板之间的所有膜层中除遮挡层外的膜层包括：第一绝缘层、第二绝缘层和漏极，遮挡层的厚度等于第一绝缘层、第二绝缘层、源极和公共电极的总厚度与第一绝缘层、第二绝缘层和漏极的厚度的差。
步骤705、在形成有遮挡层的衬底基板上形成第二绝缘层。
该步骤705的实现过程请相应参考步骤703的实现过程。其中，第二绝缘层上形成有第二过孔，该第二过孔与第一过孔贯通。
步骤706、在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成多个光电传感组件。
可以依次在形成有第二绝缘层的衬底基板上形成电极层、高阻层和第一有源层，得到一一对应设置在多个像素区域中的多个光电传感组件。
其中，可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法形成有第二绝缘层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的导电材料，得到电极材质层，然后通过一次构图工艺对电极材质层进行处理得到电极层。该电极层可以包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个像素区域中，第一电极通过第一过孔和第二过孔与源极电连接。
可以采用涂覆等方法在形成有电极层的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的聚酰亚胺，得到高阻材质层，然后通过一次构图工艺对高阻材质层进行处理得到高阻层。其中，形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。
可选地，在形成有高阻层的衬底基板上形成第一有源层的实现过程请相应参考形成第二有源层的实现过程，此处不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的X射线探测装置的制造方法，在通过该方法制造得到的光电传感组件中，形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度相等，相较于相关技术，由于该高阻层具有较好的厚度均一性，减小了因形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度不同对光电传感组件的电学性能产生的影响，提高了光电传感组件的电学特性，提高了由光电传感组件转换得到的电信号的准确性，提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。
并且，通过设置遮挡层在衬底基板上的正投影覆盖漏极在衬底基板上的正投影和第二电极在衬底基板上的正投影，且遮挡层用于加载预设电信号，提高了从该漏极向信号读取集成电路传输的电信号的准确性，进一步提高了根据该电信号得到的X片的成像准确度。
同时，相较于相关技术，该制造X射线探测装置的方法无需改变X射线探测装置中个各膜层的制造顺序，也不需要增加对膜层进行图像化时使用的掩膜版的数量，制造方法较简单且制造成本较低。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本公开的可选实施例，在此不再一一赘述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种X射线探测装置，其特征在于，所述X射线探测装置具有多个像素区域，所述X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管，所述光电传感组件层包括：多个光电传感组件，所述多个薄膜晶体管和所述多个光电传感组件均一一对应的分别设置在所述多个像素区域中；
每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；
每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极与所述源极电连接，且形成在所述第一电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在所述第二电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。
2.根据权利要求1所述的X射线探测装置，其特征在于，所述第一电极远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离与所述第二电极远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离相等。
3.根据权利要求2所述的X射线探测装置，其特征在于，所述遮挡层的厚度等于第一总厚度与第二总厚度的差；
其中，所述第一总厚度为位于所述第一电极与所述衬底基板之间的所有膜层的厚度总和，所述第二总厚度为位于所述第二电极与所述衬底基板之间的所有膜层中除所述遮挡层外的膜层的厚度总和。
4.根据权利要求3所述的X射线探测装置，其特征在于，所述位于所述第一电极与所述衬底基板之间的所有膜层包括：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述源极和公共电极，所述位于所述第二电极与所述衬底基板之间的所有膜层中除所述遮挡层外的膜层包括：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述漏极，所述遮挡层的厚度等于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述源极和所述公共电极的总厚度与所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述漏极的厚度的差。
5.根据权利要求1至4任一所述的X射线探测装置，其特征在于，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。
6.根据权利要求5所述的X射线探测装置，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：第二有源层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影。
7.根据权利要求5所述的X射线探测装置，其特征在于，对于每个所述像素区域，位于所述像素区域中的遮挡层上加载的所述预设电信号为所述像素区域中公共电极上加载的公共电极信号。
8.一种X射线探测装置，其特征在于，所述X射线探测装置具有多个像素区域，所述X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管，所述光电传感组件层包括：多个光电传感组件，所述多个薄膜晶体管和所述多个光电传感组件均一一对应的分别设置在所述多个像素区域中；
每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；
每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极与所述源极电连接；
所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。
9.一种X射线探测装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个像素区域的位置；
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括一一对应设置在所述多个像素区域中的多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；
在形成有所述薄膜晶体管层的衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一过孔；
在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成遮挡层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不重叠；
在形成有所述遮挡层的衬底基板上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔贯通；
在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成多个光电传感组件，所述多个光电传感组件一一对应设置在所述多个像素区域中，每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述源极电连接，且形成在所述第一电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在所述第二电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。
10.一种X射线探测装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个像素区域的位置；
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括一一对应设置在所述多个像素区域中的多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；
在形成有所述薄膜晶体管层的衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一过孔；
在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成遮挡层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不重叠；
在形成有所述遮挡层的衬底基板上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔贯通；
在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成多个光电传感组件，所述多个光电传感组件一一对应设置在所述多个像素区域中，每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述源极电连接；
其中，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。
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