JP6573377B2 - 放射線撮像装置、その制御方法及びプログラム - Google Patents
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Description
本発明は、放射線撮像装置、その制御方法及びプログラムに関する。
放射線による医療画像診断や非破壊検査に用いる撮像装置として、半導体材料によって形成された平面検出器(Flat Panel Detector、以下FPD)を用いた放射線撮像装置が知られている。このような放射線撮像装置は、例えば医療画像診断において、静止画や動画などのデジタル撮像装置として用いられうる。
FPDに用いられる放射線の検出方式として、積分型のセンサ及びフォトンカウンティング型のセンサがある。積分型のセンサは、放射線の入射により発生した電荷の総量を計測する。一方、フォトンカウンティング型のセンサは、入射した放射線のエネルギ(波長)を識別し、複数のエネルギレベルの各々について放射線の検出回数をカウントする。即ち、フォトンカウンティング型のセンサは、エネルギ分解能を有するため、積分型のセンサに比べて診断能力を向上させることができる。
特許文献1には、CdTeを用いて放射線を各画素で直接検出する直接型のフォトカウンティング型のセンサが提案されている。また、特許文献2には、入射した放射線をシンチレータで光に変換し、放射線から変換された光を各画素で検出する間接型のフォトカウンティング型のセンサが提案されている。
直接型のセンサに用いられるCdTeの単結晶は、数cm角程度にしか成長させることができない。そのため、直接型のセンサは、大面積化が困難であり、非常に高価となる。また、アモルファスSeを成膜することにより大面積の直接型のセンサを実現する方法もあるが、当該方法により作製されたセンサは、動作が遅く、温度管理が必要などの難点がある。
一方、間接型のセンサは、大面積化が容易であり安価となるという利点がある。しかしながら、シンチレータで変換された光を検出するセンサは、光だけでなく放射線に対しても感度を有するため、シンチレータを透過した一部の放射線を検出してしまう場合がある。センサの光検出器で放射線を直接検出した場合に発生する信号電荷は、シンチレータで変換された光を光検出器で検出した場合に発生する信号電荷よりも10倍程度多い。放射線が直接入射した場合、光検出器で発生する信号電荷の量が多いため、信号電荷を受け電圧信号に変換する変換回路から出力される信号振幅が大きくなる。信号振幅が大きいため、変換回路の電圧信号が初期値に戻るまでの立下り時間が長くなる。大きな信号振幅の立下り時間中に光検出器で光を検出した場合、光検出器から入力し変換回路で変換された電圧信号は、大きな信号振幅の中に埋もれてしまう可能性がある。信号が埋もれてしまった場合、センサが光を検出できない可能性や放射線の有するエネルギの判別を誤る可能性があり、撮像画像の画質劣化の原因となりうる。
特許文献2には、信号振幅の大きさによって放射線を直接検出した信号と、シンチレータで変換された光を検出した信号とを弁別することが開示されている。しかし、放射線を検出した信号振幅の大きな信号の立下り期間中に光検出器で光を検出した場合、生成された信号が信号振幅の大きな信号の影響を受ける可能性について開示していない。
本発明は、間接型のフォトンカウンティング型のセンサにおいて、放射線が直接入射したことによって生成される信号の影響を抑制し、撮像画像の画質を向上するのに有利な技術を提供することを目的とする。
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る放射線撮像装置は、放射線を光に変換するシンチレータと、光を検出するための光検出器を有する複数の画素が配されたセンサパネルと、処理部と、を含む放射線撮像装置であって、処理部は、入射した光及び光に変換されずにシンチレータを透過した放射線によって光検出器で発生した信号に応じて検出信号を出力する変換部と、検出信号の大きさに基づいて透過した放射線が光検出器で検出されたことを判定し、光検出器で透過した放射線が検出されたと判定した場合、変換部をリセットするリセット制御部と、を含むことを特徴とする。
上記手段により、間接型のフォトンカウンティング型のセンサにおいて、放射線が直接入射したことによって生成される信号の影響を抑制し、撮像画像の画質を向上するのに有利な技術が提供される。
以下、本発明に係る放射線撮像装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。なお、本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子(光子を含む)の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども含みうる。
<第1実施形態>
本発明に係る第1実施形態の放射線撮像装置100(又は、「放射線撮像システム」と称されてもよい。)について説明する。図1は、本実施形態の放射線撮像装置100の構成例を示す。放射線撮像装置100は、例えば、被検体に放射線を照射する照射部101と、照射部101を制御する照射制御部102と、放射線が照射された被検体を撮像する撮像部104と、プロセッサ103とを含む。照射制御部102及びプロセッサ103はそれぞれ、CPUやメモリなどを有するコンピュータなどによって構成されうる。本実施形態において、照射制御部102及びプロセッサ103が別々に構成されているが、それに限られるものではなく、一体に構成されていてもよい。即ち、照射制御部102及びプロセッサ103が、それらの機能を有する1つのコンピュータで構成されていてもよい。
本発明に係る第1実施形態の放射線撮像装置100(又は、「放射線撮像システム」と称されてもよい。)について説明する。図1は、本実施形態の放射線撮像装置100の構成例を示す。放射線撮像装置100は、例えば、被検体に放射線を照射する照射部101と、照射部101を制御する照射制御部102と、放射線が照射された被検体を撮像する撮像部104と、プロセッサ103とを含む。照射制御部102及びプロセッサ103はそれぞれ、CPUやメモリなどを有するコンピュータなどによって構成されうる。本実施形態において、照射制御部102及びプロセッサ103が別々に構成されているが、それに限られるものではなく、一体に構成されていてもよい。即ち、照射制御部102及びプロセッサ103が、それらの機能を有する1つのコンピュータで構成されていてもよい。
撮像部104は、例えば、入射した放射線を光に変換するシンチレータ105と、センサパネル106とを含む。センサパネル106には、例えば、シンチレータ105によって放射線から変換された光を各々が検出する複数の画素201が、複数の行及び複数の列を形成するように配列されている。詳細は後述するが、画素201は、フォトンカウンティング方式の放射線撮像を行うための構成を有し、光の検出結果に基づいて、入射する放射線のフォトンの数を計測する。
プロセッサ103は、撮像部104との間で信号又はデータの授受を行い、具体的には、撮像部104を制御して放射線撮像を行い、それにより得られた信号を撮像部104から受ける。この信号は、放射線フォトンの計測値を含み、例えば、プロセッサ103は、該計測値に基づいて、例えばディスプレイ等の表示部(不図示)に放射線による撮像画像を表示させるための画像データを生成する。このとき、プロセッサ103は、該画像データに対して所定の補正処理を行ってもよい。また、プロセッサ103は、放射線照射を開始または終了するための信号を照射制御部102に供給する。
次に、センサパネル106の構成について図2を参照しながら説明する。図2は、センサパネル106の構成を示す図である。センサパネル106は、複数の画素201、垂直走査回路202、水平走査回路203、列信号線204、信号線205、出力線206、信号線207および列選択回路208を含みうる。複数の画素201の各々は、光の強度に関する複数のレベルの各々について、シンチレータ105で生じた光の検出回数をカウントするように構成されうる。各画素201は、信号線205を介して信号が供給されると、選択された検出回数のデータを、列信号線204を介して列選択回路208に出力する。
垂直走査回路202は、検出回数のデータが各画素201から出力されるように、信号を供給する信号線205を順番に切り替える。列選択回路208は、信号線207を介して信号が供給されたときに、各画素201から出力された検出回数のデータを出力線206にデータDATAとして出力する。また、水平走査回路203は、検出回数のデータを出力線206に出力する動作が複数の列選択回路208において順番に行われるように、信号を供給する信号線207を順番に切り替える。ここで、図2では、説明を簡単にするため、3行×3列の画素201が配列されたセンサパネル106を示したが、より多くの画素201が配列されたセンサパネル106が用いられてもよい。例えば、17インチのセンサパネル106(FPD)では、約2800行×約2800列の画素201が2次元アレイ状に配置されうる。
次に、画素201の構成について図3を参照しながら説明する。図3は、画素201の構成を示す図である。センサパネル106の各画素201は、例えば、光検出器301、処理部330、出力部305、基準電圧306を供給する基準電圧部を含みうる。また処理部330は、変換部302、比較部303、カウント部304、リセット制御部307を含みうる。光検出器301は、放射線がシンチレータ105に入射することによりシンチレータ105で生じた光を検出し、信号を生成する光電変換器である。光検出器301には、公知の光電変換素子、例えばフォトダイオードなどを用いてもよい。変換部302は、例えば微分回路であり、例えばフォトダイオードを用いた光検出器301で生成された信号である電荷を、検出信号である電圧信号に変換して比較部303及びリセット制御部307へ出力する電圧変換部である。放射線撮像装置100は、この検出信号が出力された回数に基づいて撮像画像を生成する。具体的には、比較部303は、変換部302から出力された電圧信号の電圧と基準電圧306とを比較し、比較結果に応じた比較結果信号として例えば2値の信号を生成する。例えば光検出器301で光が検出され変換部302から出力された電圧信号の電圧が基準電圧306の電圧以上である場合は、比較部303は、比較結果に応じた信号としてデジタル値「1」を出力する。一方で、変換部302から出力された電圧信号の電圧が基準電圧306よりも小さい場合は、比較部303は、比較結果に応じた信号としてデジタル値「0」を出力する。比較部303に供給される基準電圧306は、センサパネル106における全ての画素201に対して共通の値になるように設定されうる。カウント部304は、光検出器301で光が検出され、比較結果信号のうちデジタル値「1」が出力された回数をカウントし格納する。シンチレータ105に放射線が入射し光に変換されると、光検出器301で検出された光に応じて、変換部302を介して比較部303が2値のデジタル値の信号を生成する。カウント部304は、この信号のうちデジタル値「1」が出力された回数を格納する。出力部305は、出力部305に接続された信号線205を介して垂直走査回路202から信号が供給されたとき、カウント部304に格納された検出回数のデータDATAを、列信号線204を介して列選択回路208に供給する。その後、列選択回路208に信号線207を介して信号が供給されたとき、データDATAがプロセッサ103に出力され、プロセッサ103は、画像データを生成する。
図3に示す構成では、各画素201に2つの比較部303B、303Rが配され、それぞれの比較部303B、303Rには、互いに異なる値を有する基準電圧306B、306Rが供給される。また、それぞれの比較部303B、303Rの後段にそれぞれカウント部304B、304Rが配される。各画素201は、複数の比較部303、基準電圧306、カウント部304によって、異なる光の強度の信号が検出された回数をカウントし格納することができる。比較部303の数は、2つに限られるものではなく、1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。例えば比較部303及び基準電圧306の数を増やした場合、検出する光の強度に対する階調を多くすることが可能となる。また、カウント部304の数も1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。例えば比較部303の数に合わせてメモリの数を増減させてもよいし、また例えば1つのカウント部304に、複数の光の強度に応じた検出回数をそれぞれカウントし、まとめて格納してもよい。
リセット制御部307は、変換部302から入力する電圧信号から、光検出器301で放射線がシンチレータ105で変換された光が検出されたのか、シンチレータ105を透過した放射線が直接、光検出器301で検出されたのかを判定する。リセット制御部307は、光検出器301でシンチレータ105を透過した放射線が検出されたと判定した場合、即座に変換部302リセットする。例えば、リセット制御部307は、光検出器301でシンチレータ105を透過した放射線が検出されたと判定した場合のみ信号を出力し、この信号は変換部302のリセット用の端子に入力される。
図4(a)に、変換部302から出力される電圧信号の波形を示す。図4(a)の波形は、横軸を時間、縦軸を電圧とし、放射線から変換された光と、シンチレータ105を透過した放射線とがそれぞれ光検出器301に入射した場合の電圧信号の電圧変化を示している。例えば、フォトダイオードを用いた光検出器301が放射線を検出することによって発生する電荷量は、シンチレータ105で変換された光を検出することによって発生する電荷量よりも10倍程度多い。このため、光検出器301で生成された信号を電圧信号に変換する変換部302から出力される放射線が直接入射した場合の電圧は、光が入射した場合の電圧に比べ高く、電圧信号の振幅が大きくなる。例えば、放射線が直接入射した場合の電圧は、光が入射した場合の電圧の10倍程度の電圧を示す。このため、電圧信号の電圧が初期状態に戻るまでの立下り時間が長くなる。放射線による電圧信号の電圧が基準電圧306を上回る立下り時間Tのうち期間aの間に、光検出器301で光が検出され電圧信号に変換された場合、この電圧信号は放射線の入射による電圧信号に埋もれてしまう。このため、期間aの間に入射した放射線から変換された光を、比較部303で検出することは難しい。また、電圧信号の電圧が基準電圧306を下回る立下り時間Tのうち期間bの間に、光検出器301で光が検出され電圧信号に変換された場合、この電圧信号の電圧と、立下り中の放射線による電圧とが重畳する。このため、比較部303は、後から入射した光による電圧信号の値を、実際の値よりも高く判定する可能性がある。したがって、立下り時間Tの間に入射した放射線の計数やエネルギを判定することは難しい。そこで、本実施形態において、リセット制御部307は、光検出器301でシンチレータ105を透過した放射線が検出されたと判定した場合、即座に変換部302をリセットする。変換部302がリセットされると、図4(b)に示すように放射線の入射による電圧信号がリセットされ、出力電圧が初期値に戻る。このため、リセットしない場合と比較して、リセットされた後の期間tに入射した放射線から変換された光による電圧信号の計数とエネルギ判定とを正確に行うことができるようになる。
リセット制御部307は、変換部302から入力する電圧信号の大きさに基づいて、透過した放射線を検出する。リセット制御部307による透過した放射線の検出方法は、例えば電圧信号の電圧や幅を所定の基準と比較することによって検出してよい。例えば電圧信号の電圧と所定の電圧とを比較し、電圧信号の電圧が所定の電圧よりも大きい場合、透過した放射線が検出されたと判定する。この場合、所定の電圧は、光を検出するための基準電圧306よりも十分に高い値に設定する。上述したように、放射線が直接入射した場合の電圧は、光が入射した場合の電圧の10倍程度の値を示すため、例えば光を検出するための基準電圧306の10倍以上の値を所定の電圧としてよい。また、電圧信号の幅を監視し、電圧信号の立ち上がりから立下がりまでの時間が所定の時間以上となった場合、透過した放射線が検出されたと判定してもよい。また、これら電圧信号の電圧と幅との判定を組み合わせて用いてもよい。リセット制御部307の判定方法は、計測対象となる放射線のエネルギ帯域や、センサパネル106の回路の構成上の制限など、放射線撮像装置100の使用条件に応じて適宜選択すればよい。
次に、本実施形態における放射線撮像システムの駆動について説明する。図5は、撮像部104のセンサパネル106の駆動タイミングを示す図である。図5の波形は、横軸を時間として放射線の照射期間、及び、データDATAの読み出しの期間を表している。図5において、放射線照射期間は、照射部101によって被検体に放射線を照射し、センサパネル106に入射した放射線をシンチレータ105で光に変換し、光が検出された回数をカウントする期間である。また読出し期間は、放射線照射期間に得られたカウントされた回数のデータDATAをセンサパネル106から出力させる期間である。図5に示すように、センサパネル106は、放射線照射期間と読出し期間とを交互に行うことによって、動画を取得することが可能となる。また、例えば放射線照射期間と読出し期間とを1度行うことによって静止画を取得してもよい。
次に、図3に示すように構成された画素201における照射期間での動作について図6を参照しながら説明する。図6は、放射線照射期間における各画素201の動作を示す図である。図6の波形は、横軸を時間とした変換部302の出力、比較部303の出力、及び、カウント部304に格納された比較部303からデジタル値「1」が出力されカウントされた回数をそれぞれ表している。変換部302から出力された電圧信号の電圧が基準電圧306R以上である場合、比較部303Rから比較結果信号としてデジタル値「1」が出力され、カウント部304Rは比較部303Rからデジタル値「1」が出力されたことをカウントする。また、変換部302から出力された電圧信号の電圧が基準電圧306B以上である場合、比較部303R、303Bから比較結果信号としてデジタル値「1」が出力され、カウント部304R、304Bは、デジタル値「1」が出力されたことをカウントする。また、放射線が直接、光検出器301に入射した場合、振幅の大きい電圧信号が出力され、リセット制御部307は光検出器301で透過した放射線を検出したことを判定し、変換部302をリセットするための信号を出力する。リセット制御部307からの信号によって、図6に示す波形のように、変換部302がリセットされ、電圧信号がリセットされる。
本実施形態において、リセット制御部307からの信号によってリセットされるのは、変換部302に限られるものではない。図7は、画素201の構成の変形例を示す図である。図7に示すように、リセット制御部307の出力を変換部302だけでなく、光検出器301に接続してもよい。光検出器301でシンチレータ105を透過した放射線が検出されたと判定した場合、変換部302と光検出器301とを同時にリセットする。例えばフォトダイオードなどを用いた光検出器301に放射線が直接入射した場合、光が入射した場合と比べ、大量の電荷が発生するため光検出器301が飽和しやすい。光検出器301が飽和している間、該光検出器に光が入射しても、これを検出することができない。図7に示す構成では、リセット制御部307によって透過した放射線が光検出器301で検出されたと判定した場合、即座に変換部302だけでなく光検出器301のリセットが行われる。これによって、光検出器301において、即座に光の検出を再開することが可能となる。
また、リセット制御部307からの信号は、光検出器301及び変換部302をリセットすることに用いられるのに限られるものではない。図8は、画素201の構成の変形例を示す。図8に示すように、リセット制御部307の出力をカウント部304に接続してもよい。光検出器301にシンチレータ105を透過した放射線が入射すると、変換部302から出力される電圧信号は、光を検出したことによって出力される電圧信号の10倍程度の振幅となる。この場合、シンチレータ105に入射した放射線のエネルギにかかわらず電圧が基準電圧306を大きく上回り、図5に示すように比較部303R、303Bからデジタル値「1」が出力される。カウント部304R、304Bは、これをカウントし、格納される回数を1つ増加する。このときのカウントは、シンチレータ105で変換された光を検出したものと比較しエネルギの判定の信頼性が低く、このため撮像画像の画質の低下につながる可能性がある。そこで、リセット制御部307が放射線を検出し信号を出力した場合、リセット制御部307からの信号によって、カウント部はデジタル値「1」をカウントした回数を変更してもよい。例えば図8に示す構成において、リセット制御部307が放射線を検出し信号を出力した場合、全てのカウント部304でこの信号の入力とともにカウントした回数を1つ減算する処理を行うことによって、信頼性の低いカウントを除去することが可能となる。また例えばリセット制御部307内にメモリ部317を設置してもよい。リセット制御部307内のメモリ部317に光検出器301で放射線が検出されたと判定した回数を格納し、カウント部は、最終的に各画素201の全てのカウント部304のカウントした回数から判定した回数分の回数を減算する処理を行ってもよい。
ここで照射期間における上述の動作は、画素201の動作周波数と、照射部101の照射量とを、放射線フォトンを1個ずつ計測することができる値によってなされるとよい。例えば、画素201の動作周波数は、10kHzから数MHzの範囲内(例えば100kHz程度)で設定されてもよい。また、例えば照射部101の照射量は、管電圧を100kV程度とし、管電流を10mA程度としたときの値で設定されてもよい。
次に、図3に示すように構成された画素201における読み出し期間での動作について図9を参照しながら説明する。図9は、読み出し期間における各画素201の動作を示す図である。図9における波形は、横軸を時間とした信号線205への信号の供給、信号線207への信号の供給、および列選択回路208からの取得されたデータDATAの出力をそれぞれ表している。図9に示すように、複数の信号線205および複数の信号線207には、順番に信号が供給される。例えば、信号線205−0Rに信号の供給を開始すると、信号線205−0Rに接続された画素201の出力部305Rから特定の光の強度を表すレベルの比較結果信号が出力されたことをカウントしたデータが列選択回路208に供給される。そして、信号線205−0Rに信号を供給している期間において、複数の信号線207に順番に信号を供給し、複数の列選択回路208から出力線206にそれぞれのデータDATAを順番に出力させる。
本実施形態において、図1に示すようにプロセッサ103でセンサパネル106からの撮像画像を取得している。この撮像画像は、センサパネル106の各画素201に配置されたカウント部304の値を、出力線206を介して読み出したものである。取得した撮像画像はそのまま表示してもよいが、これに限定されるものではなく任意の画像処理を行ってもよい。例えば、直接線の成分のみを画像形成に用いる画像処理を行い、グリッドを用いずに散乱線を除去してもよい。また、各画素201のカウント値に対して演算処理を施すことで、放射線のエネルギスペクトルを推定してもよい。また、複数の画素201のカウント値から、照射部101の方向と距離を推定してもよい。また更に、被検体を透過する各エネルギの放射線フォトンの数と各エネルギにおける線減弱係数から、物質の組成や物性値を計算してもよい。例えば、被検体の実効原子番号を算出する処理を行ってもよい。また、例えば被検体が厚くなるほど高いエネルギの放射線フォトンが相対的に多く入射するビームハードニングを補正する処理を行ってもよい。
<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態の放射線撮像装置(放射線撮像システム)について説明する。前述の第1実施形態によるパイルアップの検出及びリセット制御部の機能は、画素201に配された処理部330を用いたものであったが、これらの機能は、例えばプロセッサ103においてプログラム上またはソフトウェア上で実現されてもよい。即ち、画素201を、シンチレータ105で変換された光に応じた信号を出力するための回路で構成し、パイルアップの検出及び比較結果信号の出力回数のカウントを画素201の外部で行ってもよい。
本発明に係る第2実施形態の放射線撮像装置(放射線撮像システム)について説明する。前述の第1実施形態によるパイルアップの検出及びリセット制御部の機能は、画素201に配された処理部330を用いたものであったが、これらの機能は、例えばプロセッサ103においてプログラム上またはソフトウェア上で実現されてもよい。即ち、画素201を、シンチレータ105で変換された光に応じた信号を出力するための回路で構成し、パイルアップの検出及び比較結果信号の出力回数のカウントを画素201の外部で行ってもよい。
図10は、本実施形態のセンサパネル106における画素の等価回路を示す図である。本実施形態のセンサパネル106における画素40は、光電変換素子401と、出力回路部402とを含みうる。光電変換素子401は、典型的にはフォトダイオードでありうる。出力回路部402は、増幅回路部404、クランプ回路部405、サンプルホールド回路部407、および選択回路部408を含みうる。
光電変換素子401は、電荷蓄積部を含み、該電荷蓄積部は、増幅回路部404のMOSトランジスタ404aのゲートに接続されている。MOSトランジスタ404aのソースは、MOSトランジスタ404bを介して電流源404cに接続されている。MOSトランジスタ404aと電流源404cとによってソースフォロア回路が構成されている。MOSトランジスタ404bは、そのゲートに供給されるイネーブル信号ENがアクティブレベルになるとオンしてソースフォロア回路を動作状態にするイネーブルスイッチである。
図10に示す例では、光電変換素子401の電荷蓄積部およびMOSトランジスタ404aのゲートが共通のノードを構成していて、このノードは、該電荷蓄積部に蓄積された電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部として機能する。即ち、電荷電圧変換部には、該電荷蓄積部に蓄積された電荷Qと電荷電圧変換部が有する容量値Cとによって定まる電圧V(=Q/C)が現れる。電荷電圧変換部は、リセットスイッチ403を介してリセット電位Vresに接続されている。リセット信号PRESがアクティブレベルになると、リセットスイッチ403がオンして、電荷電圧変換部の電位がリセット電位Vresにリセットされる。
クランプ回路部406は、リセットした電荷電圧変換部の電位に応じて増幅回路部404によって出力されるノイズをクランプ容量406aによってクランプする。つまり、クランプ回路部406は、光電変換素子401で光電変換により発生した電荷に応じてソースフォロア回路から出力された信号から、このノイズをキャンセルするための回路である。このノイズはリセット時のkTCノイズを含みうる。クランプは、クランプ信号PCLをアクティブレベルにしてMOSトランジスタ406bをオン状態にした後に、クランプ信号PCLを非アクティブレベルにしてMOSトランジスタ406bをオフ状態にすることによってなされる。クランプ容量406aの出力側は、MOSトランジスタ406cのゲートに接続されている。MOSトランジスタ406cのソースは、MOSトランジスタ406dを介して電流源406eに接続されている。MOSトランジスタ406cと電流源406eとによってソースフォロア回路が構成されている。MOSトランジスタ406dは、そのゲートに供給されるイネーブル信号EN0がアクティブレベルになるとオンしてソースフォロア回路を動作状態にするイネーブルスイッチである。
光電変換素子401で光電変換により発生した電荷に応じてクランプ回路部406から出力される信号は、光信号として、光信号サンプリング信号TSがアクティブレベルになることによってスイッチ407Saを介して容量407Sbに書き込まれる。電荷電圧変換部の電位をリセットした直後にMOSトランジスタ406bをオン状態とした際にクランプ回路部406から出力される信号は、クランプ電圧である。このノイズ信号は、ノイズサンプリング信号TNがアクティブレベルになることによってスイッチ407Naを介して容量407Nbに書き込まれる。このノイズ信号には、クランプ回路部406のオフセット成分が含まれる。スイッチ407Saと容量407Sbによって信号サンプルホールド回路407Sが構成され、スイッチ407Naと容量407Nbによってノイズサンプルホールド回路407Nが構成される。サンプルホールド回路部407は、信号サンプルホールド回路407Sとノイズサンプルホールド回路407Nとを含む。
駆動回路部41が行選択信号VSTをアクティブレベルに駆動すると、容量407Sbに保持された信号(光信号)がMOSトランジスタ408Saおよび行選択スイッチ408Sbを介して信号線45Sに出力される。また、同時に、容量407Nbに保持された信号(ノイズ)がMOSトランジスタ408Naおよび行選択スイッチ408Nbを介して信号線45Nに出力される。MOSトランジスタ408Saは、信号線45Sに設けられた不図示の定電流源とソースフォロア回路を構成する。同様に、MOSトランジスタ408Naは、信号線45Nに設けられた不図示の定電流源とソースフォロア回路を構成する。MOSトランジスタ408Saと行選択スイッチ408Sbとによって信号用選択回路部408Sが構成され、MOSトランジスタ408Naと行選択スイッチ408Nbによってノイズ用選択回路部408Nが構成される。選択回路部408は、信号用選択回路部408Sとノイズ用選択回路部408Nとを含む。
画素40は、隣接する複数の画素40の光信号を加算する加算スイッチ409Sを有してもよい。加算モード時には、加算モード信号ADDがアクティブレベルになり、加算スイッチ409Sがオン状態になる。これにより、隣接する画素の容量407Sbが加算スイッチ409Sによって相互に接続されて、光信号が平均化される。同様に、画素40は、隣接する複数の画素40のノイズを加算する加算スイッチ409Nを有していてもよい。加算スイッチ409Nがオン状態になると、隣接する画素の容量407Nbが加算スイッチ409Nによって相互に接続されて、ノイズが平均化される。加算部409は、加算スイッチ409Sと加算スイッチ409Nとを含む。
画素40は、感度を変更するための感度変更部405を有していてもよい。画素40は、例えば、第1感度変換スイッチ405aおよび第2感度変換スイッチ405a’、並びにそれらに付随する回路素子を含みうる。第1変更信号WIDEがアクティブレベルになると、第1感度変更スイッチ405aがオンして、電荷電圧変換部の容量値に第1付加容量405bの容量値が追加される。これによって画素40の感度が低下する。第2変更信号WIDE2がアクティブレベルになると、第2感度変更スイッチ405a’がオンして、電荷電圧変換部の容量値に第2付加容量405b’の容量値が追加される。これによって画素40の感度が更に低下する。このように画素40の感度を低下させる機能を追加することによって、より大きな光量を受光することが可能となり、ダイナミックレンジを広げることができる。第1変更信号WIDEがアクティブレベルになる場合には、イネーブル信号ENwをアクティブレベルにして、MOSトランジスタ404aに代えてMOSトランジスタ404a’をソースフォロア動作させてもよい。
以上のような画素回路からの出力は、不図示のAD変換器でデジタル値に変換された後、プロセッサ103に供給される。そして、プロセッサ103において、変換部302、比較部303、カウント部304、及び、リセット制御部307に相当する処理が、ソフトウェア上で行われる。
まず、プロセッサ103は、変換部302に相当する処理として、画素回路の出力の微分値を計算する。次に、プロセッサ103は、比較部303に相当する処理として、算出した微分値と基準電圧306に相当するデジタル値とを比較する。プロセッサ103は、当該微分値が基準電圧306に相当するデジタル値以上である場合はデジタル値「1」を出力し、当該微分値が基準電圧306に相当するデジタル値より小さい場合はデジタル値「0」を出力する。そして、カウント部304に相当する処理として、デジタル値「1」の出力された回数をカウントする。またリセット制御部307に相当する処理として、微分回路から光検出器301で放射線が検出されたと判定した場合、例えば光検出器301をリセットする。このとき、カウント部304に相当する処理としてカウント値の変更を行ってもよい。そして、プロセッサ103は、カウントされた回数に基づいて画像を生成する。これらの処理は、例えば、プロセッサ103のCPUにおいて実行されうる。また、検出回数を記憶する記憶領域は、プロセッサ103のメモリに確保される。基準電圧306に相当するデジタル値や、比較部303、カウント部304に相当する処理を行う機能は、例えば光の強度に関するレベルに応じて複数あってもよい。
<その他の実施形態>
本発明における変換部302、比較部303、カウント部304及びリセット制御部307を含む処理部330の各機能は、第1実施形態のようにセンサパネル106の各画素201に配置する形態であってもよい。また第2実施形態のようにソフトウェア上で全てを行う形態であってもよい。しかし、これらの実施形態に限定されるものではない。処理部330で行う処理の少なくとも一部、例えば変換部302および比較部303をセンサパネル106の各画素201に配置し、カウント部304及びリセット制御部307に相当する処理をソフトウェア上で行う形態にしてもよい。また、ソフトウェアではなく、センサパネル106の外部に設けられた回路で行う形態にしてもよい。この場合、例えば、当該回路はFPGAで構成されるとよい。
本発明における変換部302、比較部303、カウント部304及びリセット制御部307を含む処理部330の各機能は、第1実施形態のようにセンサパネル106の各画素201に配置する形態であってもよい。また第2実施形態のようにソフトウェア上で全てを行う形態であってもよい。しかし、これらの実施形態に限定されるものではない。処理部330で行う処理の少なくとも一部、例えば変換部302および比較部303をセンサパネル106の各画素201に配置し、カウント部304及びリセット制御部307に相当する処理をソフトウェア上で行う形態にしてもよい。また、ソフトウェアではなく、センサパネル106の外部に設けられた回路で行う形態にしてもよい。この場合、例えば、当該回路はFPGAで構成されるとよい。
また、本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェア(プログラム)を、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU等)がプログラムを読み出して実行する処理である。
以上、本発明に係る実施形態を示したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上述した各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。
100 放射線撮像装置、105 シンチレータ、106 センサパネル、201 画素、301 光検出器、302 変換部、307 リセット制御部、330 処理部
Claims (15)
- 放射線を光に変換するシンチレータと、前記光を検出するための光検出器を有する複数の画素が配されたセンサパネルと、処理部と、を含む放射線撮像装置であって、
前記処理部は、
入射した前記光及び光に変換されずに前記シンチレータを透過した放射線によって前記光検出器で発生した信号に応じて検出信号を出力する変換部と、
前記検出信号の大きさに基づいて前記透過した放射線が前記光検出器で検出されたことを判定し、前記光検出器で前記透過した放射線が検出されたと判定した場合、前記変換部をリセットするリセット制御部と、
を含むことを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記リセット制御部は、前記光検出器で前記透過した放射線が検出されたと判定した場合、前記光検出器をリセットすることを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。
- 前記放射線撮像装置は、前記検出信号が出力された回数に基づいて撮像画像を生成することを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線撮像装置。
- 前記変換部は、前記光検出器で発生した前記信号を電圧信号に変換する電圧変換部を含み、前記検出信号として前記電圧信号を出力することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記電圧変換部が、微分回路を含むことを特徴とする請求項4に記載の放射線撮像装置。
- 前記リセット制御部は、前記電圧信号の電圧が所定の電圧よりも大きい場合、前記光検出器で前記透過した放射線が検出されたと判定することを特徴とする請求項4又は5に記載の放射線撮像装置。
- 前記リセット制御部は、前記電圧信号の立ち上がりから立下がりまでの時間が所定の時間よりも長い場合、前記光検出器で前記透過した放射線が検出されたと判定することを特徴とする請求項4乃至6の何れか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記処理部は、撮像画像を生成するために、
前記電圧信号の電圧と基準電圧とを比較し、前記電圧信号の電圧が前記基準電圧の電圧以上の場合、比較結果信号を出力する比較部と、
前記比較結果信号の出力をカウントした回数を格納するカウント部と、を更に含むことを特徴とする請求項4乃至7の何れか1項に記載の放射線撮像装置。 - 前記所定の電圧が、前記基準電圧の10倍以上であることを特徴とする請求項6に従属する請求項8に記載の放射線撮像装置。
- 前記リセット制御部が前記光検出器で前記透過した放射線が検出されたと判定した場合、
前記カウント部は、カウントした前記回数を変更することを特徴とする請求項8又は9に記載の放射線撮像装置。 - 前記カウント部は、前記リセット制御部が前記透過した放射線が検出されたと判定した場合、カウントした前記回数を1つ減算することを特徴とする請求項10に記載の放射線撮像装置。
- 前記リセット制御部は、前記光検出器で前記透過した放射線が検出されたと判定した回数を格納するメモリ部を更に含み、
前記カウント部は、前記メモリ部に格納された前記判定した回数に応じてカウントした前記回数を減算することを特徴とする請求項10に記載の放射線撮像装置。 - 前記処理部のうち少なくとも一部が、前記複数の画素の各画素に配されていることを特徴とする請求項1乃至12の何れか1項に記載の放射線撮像装置。
- 放射線を光に変換するシンチレータと、前記光を検出するための光検出器を有する複数の画素が配されたセンサパネルと、を含む放射線撮像装置の制御方法であって、
入射した前記光及び光に変換されずに前記シンチレータを透過した放射線によって前記光検出器で発生した信号に応じて検出信号を出力する工程と、
前記検出信号と、所定の基準とを比較した結果に基づいて前記透過した放射線が前記光検出器で検出されたことを判定する工程と、
前記光検出器で前記透過した放射線が検出されたと判定した場合、前記検出信号をリセットする工程と、
を含むことを特徴とする制御方法。 - 請求項14に記載の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
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