JP7378245B2 - 放射線検出装置、その制御方法及び放射線撮像システム - Google Patents

放射線検出装置、その制御方法及び放射線撮像システム Download PDF

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Description

本発明は、放射線検出装置、その制御方法及び放射線撮像システムに関する。
放射線によって形成される光学像を電気的に撮像する放射線撮像装置が知られている。放射線撮像装置は、放射線照射の開始に同期して放射線画像の撮像動作を実行する。同期の方式として、放射線源の制御装置から放射線撮像装置に同期信号を送る方式と、放射線撮像装置が自身に照射された放射線を検出する方式とが知られている。特許文献1は、センサ部で発生した電荷に起因した電気信号に基づいて放射線の照射開始を検出する放射線画像撮影装置を提案する。
特開2014-23957号公報
放射線が照射されているかどうかを判定するために、放射線量の評価値と閾値とを比較する方式が考えられる。放射線量の評価値は、放射線の照射だけでなくノイズによっても変化する。そのため、放射線量の評価値に含まれるノイズが大きいと、放射線が照射されていないにもかかわらず評価値が閾値を超えてしまい、誤検出となる。本発明の1つの側面は、放射線照射の誤検出を低減するための技術を提供することを目的とする。
上記課題に鑑みて、放射線検出装置であって、変換素子及びスイッチ素子をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイと、前記複数の画素の何れかのスイッチ素子が導通状態である間に前記画素アレイで発生した第1信号と、前記複数の画素のスイッチ素子が非導通状態である間に前記画素アレイで発生した第2信号とを取得する取得手段と、前記第1信号に基づいて、放射線量に相関を有する評価値を決定する評価値決定手段と、前記評価値に基づかず且つ前記第2信号に基づいて閾値を決定する閾値決定手段と、前記評価値と前記閾値との比較に基づいて前記画素アレイに放射線が照射されているかどうかを判定する判定手段と、を備えることを特徴とする放射線検出装置が提供される。
上記手段により、放射線照射の誤検出が低減する。
本発明の1つの実施形態の放射線撮像システムの構成を示す図。 本発明の1つの実施形態の放射線検出パネルの構成を示す図。 本発明の1つの実施形態の放射線撮像装置の動作を説明する図。 本発明の1つの実施形態の放射線撮像装置の動作を説明する図。 本発明の1つの実施形態の放射線検出動作を説明する図。 本発明の1つの実施形態の放射線検出動作を説明する図。 比較例における放射線照射の検出を説明する図。 比較例における放射線照射の検出を説明する図。 本発明の1つの実施形態の閾値決定動作を説明する図。 本発明の1つの実施形態の放射線照射の検出を説明する図。 本発明の1つの実施形態の放射線照射の検出を説明する図。 本発明の1つの実施形態の放射線検出動作を説明する図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものでない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
<第1実施形態>
図1を参照して、第1実施形態に係る放射線撮像システム100の構成例について説明する。放射線撮像システム100は、放射線で形成される光学像を電気的に撮像し、電気的な放射線画像(即ち、放射線画像データ)を得るように構成されている。放射線は、典型的には、X線でありうるが、α線、β線、γ線などであってもよい。放射線撮像システム100は、例えば、放射線撮像装置110、曝射制御部120、放射線源130およびコンピュータ140を備えうる。放射線源130は、曝射制御部120からの曝射指令(放射指令)に従って放射線の放射を開始する。放射線源130から放射された放射線は、不図示の被険体を通って放射線撮像装置110に照射される。
放射線撮像装置110は、放射線検出パネル111と、放射線検出パネル111を制御する制御部112とを含む。放射線撮像装置110は放射線を検出するため、放射線検出装置と呼ばれてもよい。制御部112は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、メモリに格納されたプログラムを実行する汎用プロセッサ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。制御部112は、サンプルホールド回路、オペアンプ等のアナログ回路を含んでもよい。
制御部112は、放射線検出パネル111を制御するほか、放射線検出パネル111から出力される信号を処理する。制御部112は、放射線検出パネル111から出力される検出信号に基づいて放射線の照射が開始されたと判定し、放射線検出パネル111に放射線画像の撮像動作を開始させる。
図2には、放射線検出パネル111の構成例が示されている。放射線検出パネル111は、画素アレイ210を備えている。画素アレイ210は、放射線を検出する複数の画素PIX、および、複数の列信号線Sig1~Sig3(総称してSIG)を有する。複数の画素PIXは、複数の画素行及び複数の画素列を構成するように配置されている。画素行とは、図2で横方向に並んだ画素PIXの集合のことである。画素列とは、図2で縦方向に並んだ画素PIXの集合のことである。図2では、記載の簡単化のために、画素アレイ210は、3行×3列の画素PIXで構成されているが、実際には、より多くの画素PIXが配列されうる。一例において、放射線検出パネル111は、17インチの寸法を有し、約3000行×約3000列の画素PIXを有しうる。
放射線検出パネル111はまた、画素アレイ210を駆動する駆動回路(行選択回路)220と、画素アレイ210の複数の列信号線Sigに現れる信号を検出する読出部230と、放射線の照射を検出する検出部240とを備えている。この例で、検出部240は、画素アレイ210を構成する複数の画素PIXの全部または一部に対してバイアス線Bs(導電線)を介してバイアス電位Vsを与えるバイアス回路を兼ねている。
バイアス回路を兼ねる検出部240は、差動増幅器241と、差動増幅器241の第1入力端子と差動増幅器241の出力端子との間に接続されたフィードバック抵抗242とを含みうる。差動増幅器241の第2入力端子には、バイアス電位Vsが供給される。イマジナリーショートにより差動増幅器241の第1入力端子と第2入力端子とは同一電位となる。したがって、バイアス線Bsの電位は、差動増幅器241によってバイアス電位Vsに駆動される。差動増幅器241の出力端子には、バイアス線Bsを流れる電流、即ちバイアス線Bsに現れる電気信号に応じた電位が出力される。バイアス線Bsを流れる電流は、放射線の照射に対して感度を有する信号である。言い換えると、バイアス線Bsを流れる電流は、放射線量に相関を有する。
放射線検出パネル111(具体的に、その画素アレイ210)に放射線が照射されると、それに応じた電流がバイアス線Bsを流れる。よって、差動増幅器241の出力端子には、画素アレイ210への放射線の照射量に相関がある電気信号が現れる。検出部240は、差動増幅器241の出力端子に出力される信号をA/D変換するA/D変換器243を含みうる。以下では、検出部240のA/D変換器243から出力され、制御部112に供給される信号を検出信号と呼ぶが、差動増幅器241の出力端子に出力される信号を検出信号として理解することもできる。また、差動増幅器241とA/D変換器243との間には、増幅回路および/またはフィルタなどの回路が配置されてもよい。A/D変換器243は、制御部112に設けられてもよい。
検出部240は、バイアス線Bsを流れる電流を検出することによって画素アレイ210に対する放射線の照射を検出するが、これは一例である。画素アレイ210に対する放射線の照射は、列信号線Sigの電位または列信号線Sigを流れる電流を検出することによって検出されてもよい。あるいは、画素アレイ210に対する放射線の照射は、複数の画素PIXの一部から読出部230によって信号を読み出すことによって検出されてもよい。あるいは、画素アレイ210に対する放射線の照射は、画素アレイ210の中または画素アレイ210の外に専用の放射線検出センサを配置し、この放射線検出センサによって検出されてもよい。
各画素PIXは、放射線を検出する変換素子Cと、変換素子Cと列信号線Sig(複数の列信号線Sigのうち変換素子Cに対応する列信号線Sig)とを接続するスイッチ素子SWとを含む。変換素子Cは、それに入射した放射線の量に対応する信号を列信号線Sigに出力する。変換素子Cは、例えば、ガラス基板やプラスチック基板等の絶縁性基板上に配置され、アモルファスシリコンを主材料とするMIS型フォトダイオードを含みうる。あるいは、変換素子Cは、PIN型フォトダイオードを含みうる。変換素子Cは、放射線を直接に電気信号に変換する直接型として構成されてもよいし、放射線を光に変換した後に、光を検出する間接型として構成されてもよい。間接型においては、シンチレータが複数の画素PIXによって共有されうる。
スイッチ素子SWは、例えば、制御端子(ゲート)と2つの主端子(ソース、ドレイン)とを有する薄膜トランジスタ(TFT)などのトランジスタで構成されうる。変換素子Cは、2つの主電極を有し、変換素子Cの一方の主電極は、スイッチ素子SWの2つの主端子のうちの一方に接続され、変換素子Cの他方の主電極は、バイアス線Bsに接続されている。バイアス線Bsを介して変換素子Cにバイアス電圧Vsが供給される。第1行の画素PIXは、スイッチ素子SWの制御端子がゲート線G1に接続され、第2行の画素PIXは、スイッチ素子SWの制御端子がゲート線G2に接続され、第3行の画素PIXは、スイッチ素子SWの制御端子がゲート線G3に接続されている。ゲート線G1、G2、G3・・・には、駆動回路220によってゲート信号Vg1、Vg2、Vg3・・・が供給される。
第1列の画素PIXのスイッチ素子SWの1つの主端子は、第1列の列信号線Sig1に接続されている。第2列の画素PIXのスイッチ素子SWの1つの主端子は、第2列の列信号線Sig2に接続されている。第3列の画素PIXのスイッチ素子SWの1つの主端子は、第3列の列信号線Sig3に接続されている。各列信号線Sig(Sig1、Sig2、Sig3・・・)は、容量CCを有する。
読出部230は、1つの列信号線Sigに1つの列増幅部CAが対応するように複数の列増幅部CAを有する。各列増幅部CAは、例えば、積分増幅器231、可変増幅器232、サンプルホールド回路233、バッファ回路234を含みうる。積分増幅器231は、それに対応する列信号線Sigに現れた信号を増幅する。積分増幅器231は、例えば、演算増幅器と、該演算増幅器の反転入力端子と出力端子との間に並列に接続された積分容量およびリセットスイッチとを含みうる。この演算増幅器の非反転入力端子には、基準電位Vrefが供給される。このリセットスイッチは、制御部112によって駆動されるリセット信号RCが活性化されることによってオンし、これにより、この積分容量がリセットされるとともに列信号線Sigの電位が基準電位Vrefにリセットされる。
可変増幅器232は、積分増幅器231からの設定された増幅率で増幅する。サンプルホールド回路233は、制御部112によって駆動されるサンプルホールド信号SHが活性化されることによって可変増幅器232からの信号をサンプルホールドする。サンプルホールド回路233は、例えば、サンプリングスイッチとサンプリング容量とによって構成されうる。バッファ回路234は、サンプルホールド回路233からの信号をバッファリング(インピーダンス変換)して出力する。このサンプリングスイッチは、制御部112から供給されるサンプリングパルスによって制御されうる。
読出部230はまた、複数の列信号線Sigのそれぞれに対応するように設けられた複数の列増幅部CAからの信号を所定の順序で選択して出力するマルチプレクサ235を含む。マルチプレクサ235は、例えば、シフトレジスタを含み、シフトレジスタは、制御部112から供給されるクロック信号に従ってシフト動作を行い、シフトレジスタによって複数の列増幅部CAからの1つの信号が選択される。検出部240はまた、マルチプレクサ235から出力される信号をバッファリング(インピーダンス変換)するバッファ236、および、バッファ236から出力される信号であるアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換器237を含みうる。AD変換器237の出力、即ち、放射線画像データは、コンピュータ140に供給される。
放射線撮像装置110の動作は、初期化動作、蓄積動作および読み出し動作を含む。初期化動作は、画素アレイ210の複数の画素PIXを行単位で初期化する動作である。蓄積動作は、画素アレイ210の各画素PIXにおいて放射線の照射によって発生する電荷を蓄積する動作である。読み出し動作は、画素アレイ210への放射線の照射によって画素アレイ210の各画素PIXに蓄積された電荷に応じた信号を画素アレイ210から読み出して画像(画像信号)として出力する動作である。
初期化動作から蓄積動作へは、検出部240から出力される検出信号に基づいて制御部112が放射線撮像装置110への放射線の照射が開始されたと判定することによって移行する。蓄積動作から読み出し動作へは、例えば、蓄積動作の開始から所定時間が経過したことに応じて移行する。
図3および図4を参照して、放射線撮像装置110が放射線を照射されているかどうかを判定する動作の例を説明する。制御部112は、ステップS310において、初期化動作を開始する。初期化動作では、制御部112は、第1行から最終行までのゲート線G(G1、G2、G3、・・・)を順にアクティブレベルにするとともにリセット信号RCをアクティブレベルにする動作を繰り返す。ここで、リセット信号RCがアクティブレベルにされると、積分増幅器231はボルテージフォロワ状態となり、基準電位Vrefが列信号線Sigに供給される。この状態で、ゲート線Gがアクティブレベルにされた行のスイッチ素子SWが導通状態となり、変換素子Cに蓄積されていた電荷が初期化される。図4において、Vg(0)、Vg(1)、Vg(2)、・・・、Vg(Ys)、Vg(Ys+1)、・・・Vg(Y-1)は、画素アレイ210の第1行から最終行のゲート線Gに供給される駆動信号を示している。本実施形態で、駆動回路220は、複数の画素行の何れかの画素行のスイッチ素子SWを導通状態にし、その後、複数の画素PIXのスイッチ素子SWを非導通状態にする初期化動作を繰り返し行う。1つの画素行のスイッチ素子SWを導通状態にし、その後、複数の画素PIXのスイッチ素子SWを非導通状態にすることを1回の初期化動作と呼ぶ。駆動回路220は、Vg(0)~Vg(Y-1)にかけてY回の初期化動作を実行し、その後、Vg(0)からさらに初期化動作を繰り返す。
初期化動作の期間において、検出部240は、画素アレイ210への放射線の照射量に相関を有する検出信号を出力する。初期化動作中に、ステップS320において、制御部112は、放射線の照射が開始されたかどうかを判定する。具体的には、制御部112は、検出部240から出力される検出信号に基づいて、画素アレイ210への放射線の照射が開始されたかどうかを判定する。
制御部112は、画素アレイ210への放射線の照射が開始されたと判定するまでは、初期化動作を継続する(ステップS370)。制御部112は、画素アレイ210への放射線の照射が開始されたと判定すると(ステップS320においてYES)、ステップS330において蓄積動作を開始する。即ち、放射線の照射の開始が検出されると(図4には、「照射開始検出」として示されている。)、制御部112は、初期化動作から蓄積動作に移行する。ステップS320における処理については後述する。
蓄積動作中に、制御部112は、ステップS340において、放射線の照射の終了を判定する。放射線の終了の判定方法は、特に限定されないが、例えば、蓄積動作の開始から所定時間が経過したことによって放射線の照射が終了したものと判定できる。あるいは、制御部112は、検出部240から出力される検出信号の瞬間値、積分値および微分値の少なくとも1つに基づいて画素アレイ210への放射線の照射が終了したことを判定できる。
制御部112は、画素アレイ210への放射線の照射が終了したと判定するまでは、蓄積動作を継続する(ステップS380)。制御部112は、画素アレイ210への放射線の照射が終了したと判定すると(ステップS340においてYES)、ステップS350において、読み出し動作を開始する。即ち、放射線の照射が終了したと判定されると(図4には、「照射終了検出」として示されている。)、制御部112は、蓄積動作から読み出し動作に移行する。読み出し動作では、画素アレイ210の先頭行の画素から最終行の画素まで順番に信号が読み出される。
図5及び図6を参照して、図3のステップS320の詳細について説明する。図5の動作は、画素アレイ210への放射線の照射の待機中に繰り返し行われる。図6において、Vg(Ys-2)、Vg(Ys-1)、Vg(Ys)、Vg(Ys+1)は、画素アレイ210の第(Ys-2)行から第(Ys+1)行のゲート線Gに供給される駆動信号を示している。
ステップS501で、制御部112は、放射線の照射開始を待機中に、検出信号を取得する。上述のように、この検出信号は、初期化動作を実行中に画素アレイ210で発生した信号である。例えば、検出信号は、初期化動作を実行中にバイアス線Bsを流れる電流に基づく信号である。
図6に示すように、初期化動作を反復中に、いずれかの画素行のスイッチ素子SWが導通状態になっている期間と、すべての画素行のスイッチ素子SWが非導通状態になっている期間とが交互に発生する。何れかのスイッチ素子SWが導通状態である間に、このスイッチ素子SWに接続された変換素子Cに蓄積された電荷量に比例した電流がバイアス線Bsに流れる。この電流に基づく検出信号をS信号と呼ぶ。特に、処理開始からy回目の初期化動作において発生したS信号をS[y]とする。また、スイッチ素子SWが非導通状態である間にバイアス線Bsに流れる電流に基づく検出信号をN信号と呼ぶ。特に、処理開始からy回目の初期化動作において発生したN信号をN[y]とする。
ステップS502で、制御部112は、S信号及びN信号に基づいて放射線量の評価値を決定する。この動作において、評価値決定部として機能する。例えば、制御部112は、S信号及びN信号に対して以下に示す加算処理と、CDS(相関二重サンプリング)処理と、フレーム補正との少なくとも何れかを施すことによって評価値を決定する。
加算処理について説明する。制御部112は、1回の初期化動作に対して複数のS信号及び複数のN信号を取得(例えば、サンプリング)してもよい。制御部112は、これらの複数のS信号の一部又は全部を加算又は平均化して得られる値を、この1回の初期化動作に応じた1つのS信号とする。同様に、制御部112は、これらの複数のN信号の一部又は全部を加算又は平均化して得られる値を、この1回の初期化動作に応じた1つのN信号とする。加算処理を行わない場合、すなわち、1回の初期化動作に対して1つのS信号及び1つのN信号を取得する場合に、制御部112は、このS信号及びN信号を後続の処理に使用する。
CDS処理について説明する。制御部112は、S信号からN信号を減算することによってS信号に含まれるノイズを低減してもよい。例えば、制御部112は、以下の式(1)に従って、y回目の初期化動作に応じた評価値X[y]を取得する。
X[y]=S[y]-N[y] …(1)
この式では、同じ1回の初期化動作で得られたS信号とN信号との差分をこの初期化動作の評価値X[y]とする。さらに、制御部112は、以下の式(2)に示すように、2つの異なる画素行に対する初期化動作で得られたN信号を用いて、1つのS信号を補正してもよい。
X[y]=S[y]-{N[y]+N[y-1]}/2 …(2)
さらに、制御部112は、互いに隣接しない2つ以上の画素行に対する初期化動作で得られたN信号を用いて、1つのS信号を補正してもよい。制御部112は、CDS処理を行わない場合に、N信号に基づかず且つS信号に基づいて放射線量の評価値を決定してもよい。
フレーム補正について説明する。S信号及びN信号に含まれるスイッチングノイズの大きさは画素行ごとに異なりうる。一方、同じ画素行のスイッチングノイズの大きさの再現性は高いことが知られている。そこで、制御部112は、ある1回の初期化動作に対して得られたS信号及びN信号から、同じ行に対して異なる時間に行われた初期化動作に対して得られたS信号及びN信号を減算することによって、スイッチングノイズを除去する。このような補正をフレーム補正と呼ぶ。
具体的に、制御部112は、以下の式(3)に従って評価値X[y]を決定する。以下の式(3)では、フレーム補正とともにCDSも実行される。
X[y]=[S[y]-{N[y]+N[y-1]}/2]-[S[y-Y]-{N[y-Y]+N[y-1-Y]}/2] …(3)
この式では、同じ画素行に対して1フレーム前(Y回前の初期化動作)で得られたS信号及びN信号を用いて現在得られたS信号及びN信号を補正している。1フレーム前のS信号及びN信号に代えて又はこれに加えて、他の時点で同じ画素行に対して取得されたS信号及びN信号が用いられてもよい。
ステップS503で、制御部112は、ステップS502で決定された評価値が閾値よりも大きいかどうかを判定する。制御部112は、評価値が閾値よりも大きい場合(ステップS503でYES)に処理をステップS504に遷移し、それ以外の場合に処理をステップS505に遷移する。ステップS504で、制御部112は、画素アレイ210に放射線が照射されていると判定する。この場合に、図3に示すように、処理はステップS330に遷移する。ステップS505で、制御部112は、画素アレイ210に放射線が照射されていないと判定する。図3に示すように、処理はステップS370に遷移し、その後、図5の動作が繰り返される。
図7及び図8を参照して、閾値が一定値である場合のステップS503の動作について説明する。図7及び図8の上側のグラフは、ステップS502で決定される放射線量の評価値の変動を示す。図7の下側のグラフは、放射線の照射量の変動を示す。図8の下側のグラフは、外来ノイズの変動を示す。図7のグラフでは、外来ノイズが発生しないとする。図8のグラフでは、放射線が照射されないとする。
図7及び図8に示すように、放射線量の評価値は、放射線撮像装置110自体が発生する電磁波や検出部240の内部雑音などによりバイアス線Bsに流れる電流の影響を受ける。この電流による影響は、システムノイズと呼ばれうる。システムノイズによる誤検出を回避するために、ステップS503の閾値は、放射線が照射されていない場合の評価値の平均値をμ、システムノイズの標準偏差をσとして、μ+3σ以上に設定される。図7及び図8において、評価値のグラフは、平均値μが0となり、閾値が1となるように正規化されている。このような閾値を用いれば、システムノイズによる誤検出を回避できる。一方、図7に示すように、放射線が照射されると、それに応じて評価値も大きくなり、その結果、評価値は閾値を超える。これによって、制御部112は、放射線が照射されていることを正しく検出できる。
図8は、評価値が外来ノイズの影響を受ける場合について説明する。外来ノイズとは、放射線撮像装置110の外部の事象に応じて評価値に発生するノイズのことである。外来ノイズを発生させる事象として以下のものがある。
・電磁波を発生させる機器(例えば、ブラウン管(CRT)等)の接近、
・機器(例えば、放射線源)の電源のオン/オフ、
・モータ(例えば、手術用の電動ドリル、放射線源の回転陽極のためのモータ)の駆動、
・強力な衝撃(例えば、衝突等)。
例えば、放射線源の中には、スイッチが押されると、それに応答して放射線管球内の陽極が回転を始めるものがあり、この際に発生する電磁波が外来ノイズを発生する。
図8に示すように、外来ノイズの影響で評価値が大きくなると、評価値が閾値を超えてしまうことがある。この場合に、放射線の照射が開始されていないにもかかわらず、制御部112は、放射線の照射されていると判定する。すなわち、誤検知が発生する。このような誤検出が発生すると、制御部112は蓄積動作(S330)に移行してしまい、再び初期化動作が開始されるまで放射線画像を撮像できない状態となる。この状態は、例えば、数秒程度になりうる。外来ノイズによる誤検出を軽減するために閾値を一律に大きくすると、微弱な放射線を検出できなくなる。
本発明者らは、放射線量の評価値及び上述のN信号について以下の知見を見出した。具体的に、放射線撮像装置110に放射線が照射されると、評価値は、上述の平均値μに対して正方向又は負方向に変化する。どちらの方向に変化するかは放射線撮像装置110の構成に依存する。本実施形態では、放射線の照射によって評価値が正方向に変換する(すなわち、評価値が大きくなる)とする。
放射線撮像装置110に外来ノイズが与えられると、評価値は、平均値μに対して正方向及び負方向の両方に変化する。外来ノイズが加わった評価値の正方向における波形と負方向における波形とはほぼ対象である。上述のS信号とN信号とは、平均値μに対して反対側に変化する。すなわち、S信号が正方向に変化する場合にN信号は負方向に変化し、S信号が正方向に変化する場合にN信号は負方向に変化する。評価値はS信号からN信号を減算することによって算出されるため、N信号が正方向に変化する場合に評価値は負方向に変化し、N信号が負方向に変化する場合に評価値は正方向に変化する。そこで、本実施形態で、制御部112は、評価値に基づかず且つN信号に基づいて閾値を決定し、この閾値と評価値との比較に基づいて画素アレイ210に放射線が照射されているかどうかを判定する。
図9を参照して、閾値を決定する動作の例を説明する。この動作は、図3のステップS320において、図5の動作(すなわち、放射線が照射されているかの判断)と並行して実行される。ステップS901で、制御部112は、放射線の照射開始を待機中に、N信号を取得する。制御部112は、図5のステップS501でN信号を取得しているため、このN信号を利用してもよい。これに代えて、制御部112は、別途N信号を取得してもよい。
ステップS902で、制御部112は、N信号に対して加算処理を行う。制御部112は、1回の初期化動作に対して複数のN信号を取得(例えば、サンプリング)してもよい。制御部112は、これらの複数のN信号の一部又は全部を加算又は平均化して得られる値を、この1回の初期化動作に応じた1つのN信号とする。これによって、N信号に含まれるシステムノイズを低減できる。加算処理を行う場合に、1回の初期化動作に対して取得された複数のN信号に基づいて1つの閾値が決定される。加算処理を行わない場合、すなわち、1回の初期化動作に対して1つのN信号を取得する場合に、制御部112は、このN信号を後続の処理に使用する。
ステップS903で、制御部112は、N信号に対してフレーム補正を行う。上述のように、フレーム補正とは、1つの画素行に対して異なる時間に行われた複数の初期化動作に対して取得された複数の検出信号(このステップでは複数のN信号)を用いてスイッチングノイズを低減する処理のことである。例えば、制御部112は、以下の式(4)に従ってN信号のフレーム補正を実行する。
N″[y]=N[y]‐N[y-Y] …(4)
この式では、1フレーム前のN信号(すなわち、N(y-Y))を用いてフレーム補正を行うが、それ以外のフレームのN信号を用いて現在のN信号に対してフレーム補正が行われてもよい。例えば、フレーム補正を行うために、Kフレーム前(K>1)のN信号が用いられてもよいし、Kフレーム前のN信号及び(K+1)フレーム前のN信号の平均値が用いられてもよい。
ステップS904で、制御部112は、N信号(N″[y])を積分する。これによって、積分回数とスイッチング周波数とに応じた周波数ノイズを拾うことが可能となる。N″[y]の積分値をT[m]とする(mは積分区間の識別子)。
ステップS905で、制御部112は、N″[y]の積分値T[m]に基づいて、外来ノイズのノイズレベルを決定する。時刻tにおける積分値T[m]をT[m](t)と表し、時刻tにおけるノイズレベルをT″[m](t)と表す。このとき、制御部112は、以下の式(5)に従ってノイズレベルを決定する。
T″[m](t)=|α[m]*T[m](t)| (T[m](t)<0の場合)、
=0 (T[m]≧0の場合) …(5)
ここで、α[m]は、放射線信号の信号処理形態に応じて事前に設定された係数である。
ステップS906で、制御部112は、ノイズレベルT″[m](t)に基づいて、ステップS503で使用される閾値TH″[m](t)を決定する。制御部112は、ノイズレベルT″[m](t)に基づいて標準の値の閾値(例えば、図7及び図8で使用した閾値)を変化させることによって、閾値TH″[m](t)を決定してもよい。例えば、標準の閾値をTH[m]とする。このとき、制御部112は、以下の式(6)に従って閾値TH″[m](t)を決定する。この動作において、制御部112は、閾値決定部として機能する。
TH″[m](t)=TH[m](t)+T″[m](t) …(6)
この閾値TH″[m](t)は、N信号に基づくが、評価値には基づかない。
放射線が照射される場合に時刻t+Δtの時間における閾値が標準の閾値になるように、制御部112は、TH[m](t)から一定の値を減算してもよいし、一定の値で除算してもよい。さらに、制御部112は、減算や除算した値と新たに計算した閾値との比較を行ってもよいし、T[m](t)>0の場合に閾値を標準の値としてもよい。さらに、制御部112は、時定数を有するように標準の閾値TH[m](t)を変化させることによって閾値TH″[m](t)を決定してもよい。また、制御部112は、所定の範囲内となるように閾値TH″[m](t)を決定してもよい。例えば、制御部112は、標準の閾値を下回らず、且つ標準の閾値の3倍を超えないように閾値TH″[m](t)を決定してもよい。
このように、N信号に基づいて閾値を決定し、この閾値と評価値との比較に基づいて放射線が照射されているかどうかを判定することによって、放射線照射の誤検出を低減できる。以下、図10及び図11を参照して、本実施形態の効果について説明する。図10及び図11を参照して、閾値をN信号に基づいて決定する場合のステップS503の動作について説明する。図10及び図11の上側のグラフは、ステップS502で決定される放射線量の評価値の変動を示す。これらのグラフにおいて、破線で閾値の値を示す。図10及び図11の中央のグラフは、ステップS901で取得されるN信号の変動を示す。図10の下側のグラフは、外来ノイズの変動を示す。図11の下側のグラフは、放射線の照射量の変動を示す。図10のグラフでは、放射線が照射されないとする。図11のグラフでは、外来ノイズが発生しないとする。
図10に示すように、外来ノイズが発生すると、N信号が負方向に変化するとともに、評価値が正方向に変化する。N信号の負方向への変化に応じて、ステップS906で決定される閾値TH″[m](t)は正方向に変化する。そのため、評価値が閾値TH″[m](t)を超えないため、制御部112は、放射線が照射されていないと判定する。すなわち、放射線照射の誤検出は発生しない。
図11に示すように、放射線が照射されると、N信号が正方向に変化するとともに、評価値が正方向に変化する。N信号が正方向へ変化した場合に、ステップS906で決定される閾値TH″[m](t)は標準の閾値となる。そのため、評価値が閾値TH″[m](t)を超え、制御部112は、放射線が照射されていると判定する。すなわち、放射線照射の誤検出は発生しない。
図12を参照して、ステップS302の別の詳細について説明する。この例で、制御部112は、複数個の積分区間について評価値を積分し、その積分値を閾値と比較する。何れかの積分区間で積分値が閾値を上回った場合に、制御部112は、放射線が照射されていると判定する。図12において、Sumは積分値の途中結果を示し、nは何個前に取得された評価値を加算するかを示し、mは処理中の積分区間が何個目であるかを示す。また、Mは処理対象の積分区間の個数を示し、W[m]は、m個目の積分区間に含むべき評価値の個数を示す。
ステップS1201で、制御部112は、変数Sum、n、mをそれぞれ0、0、1に初期化する。この処理を積分器のリセットと呼ぶ。ステップS1202で、制御部112は、評価値を積分する。具体的に、制御部112は、現在のSumにX[y-n]を加算する。ステップS1203で、制御部112は、nを1だけインクリメントする。
ステップS1204で、制御部112は、現時点の積分結果が、m個目の積分区間に含むべき個数の評価値を含んでいるかどうかを判定する。制御部112は、この個数の評価値を含んでいる場合(ステップS1204でYES)に処理をステップS1205に遷移し、それ以外の場合(ステップS1204でNO)に処理をステップS1202に遷移する。
ステップS1205及びS1206で、制御部112は、図9と同様の処理を行うことによって、ノイズレベルT[m]及び閾値T″[m]を決定する。上述の式(5)におけるα[m]は、積分区間ごとに定められてもよいし、一定の値でもよい。
ステップS1207で、制御部112は、評価値の積分値Sumと閾値T″[m]との比較に基づいて、放射線が照射されているかどうかを判定する。具体的に、制御部112は、Sum>T″[m]を満たす場合(ステップS1207でYES)に、処理をステップS1208に遷移し、放射線が照射されていると判定する。それ以外の場合に、制御部112は、処理をステップS1209に遷移する。
ステップS1209で、制御部112は、mを1だけインクリメントする。ステップS1210で、制御部112は、判定処理を終了すべきかどうかを判定する。具体的に、制御部112は、mが処理対象の積分区間の個数よりも大きいかどうかを判定する。制御部112は、判定処理を終了すべき場合に、処理をステップS1211に遷移し、放射線が照射されていないと判定する。それ以外の場合に、制御部112は、処理をステップS1202に遷移する。
本発明の上記の実施形態における制御部112等のユニットは、コンピュータがプログラムを実行することによって実現することもできる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したCD-ROM等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記のプログラムも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
100 放射線撮像システム、110 放射線撮像装置、112 制御部、210 画素アレイ

Claims (13)

  1. 放射線検出装置であって、
    変換素子及びスイッチ素子をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイと、
    前記複数の画素の何れかのスイッチ素子が導通状態である間に前記画素アレイで発生した第1信号と、前記複数の画素のスイッチ素子が非導通状態である間に前記画素アレイで発生した第2信号とを取得する取得手段と、
    前記第1信号に基づいて、放射線量に相関を有する評価値を決定する評価値決定手段と、
    前記評価値に基づかず且つ前記第2信号に基づいて閾値を決定する閾値決定手段と、
    前記評価値と前記閾値との比較に基づいて前記画素アレイに放射線が照射されているかどうかを判定する判定手段と、
    を備えることを特徴とする放射線検出装置。
  2. 前記複数の画素は、複数の画素行及び複数の画素列を構成するように配置されており、
    前記放射線検出装置は、前記複数の画素行の何れかの画素行のスイッチ素子を導通状態にし、その後、前記複数の画素のスイッチ素子を非導通状態にする初期化動作を繰り返し行う駆動回路を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
  3. 前記取得手段は、前記複数の画素行のうちの1つの画素行に対する1回の初期化動作に対して複数の前記第2信号を取得し、
    前記閾値決定手段は、前記複数の第2信号に基づいて1つの前記閾値を決定することを特徴とする請求項2に記載の放射線検出装置。
  4. 前記閾値決定手段は、前記複数の画素行のうちの1つの画素行に対して異なる時間に行われた複数の前記初期化動作に対して取得された複数の前記第2信号に基づいて、1つの前記閾値を決定することを特徴とする請求項2又は3に記載の放射線検出装置。
  5. 前記閾値決定手段は、前記第2信号の積分値に基づいて前記閾値を決定することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の放射線検出装置。
  6. 前記閾値決定手段は、前記第2信号に基づいて所定の値を変化させることによって前記閾値を決定することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の放射線検出装置。
  7. 前記閾値決定手段は、時定数を有するように前記所定の値を変化させることを特徴とする請求項6に記載の放射線検出装置。
  8. 前記閾値決定手段は、所定の範囲内となるように前記閾値を決定することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の放射線検出装置。
  9. 前記画素アレイは、前記複数の画素の変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス線を更に備え、
    前記第1信号及び前記第2信号は、前記バイアス線に流れる電流に基づくことを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の放射線検出装置。
  10. 前記判定手段は、前記画素アレイへの放射線の照射の待機中に、放射線が照射されているかの判定を繰り返し行うことを特徴とする請求項1乃至9の何れか1項に記載の放射線検出装置。
  11. 前記評価値決定手段は、前記第2信号にさらに基づいて前記評価値を決定することを特徴とする請求項1乃至10の何れか1項に記載の放射線検出装置。
  12. 請求項1乃至11の何れか1項に記載の放射線検出装置と、
    前記放射線検出装置に向けて放射線を照射する放射線源と
    を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
  13. 変換素子及びスイッチ素子をそれぞれ含む複数の画素を有する画素アレイを備える放射線検出装置の制御方法であって、
    前記複数の画素の何れかのスイッチ素子が導通状態である間に前記画素アレイで発生した第1信号と、前記複数の画素のスイッチ素子が非導通状態である間に前記画素アレイで発生した第2信号とを取得する工程と、
    前記第1信号に基づいて、放射線量に相関を有する評価値を決定する工程と、
    前記評価値に基づかず且つ前記第2信号に基づいて閾値を決定する工程と、
    前記評価値と前記閾値との比較に基づいて前記画素アレイに放射線が照射されているかどうかを判定する工程と、
    を有することを特徴とする制御方法。
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