CN107533142A - 放射线检测器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的放射线检测器具备：光检测面板，其具有受光部、及与受光部电连接的接合垫；闪烁器层，其以覆盖受光部的方式设置于光检测面板上；及保护层，其以覆盖闪烁器层的方式设置于光检测面板上。保护层的外缘部具有：在闪烁器层与接合垫之间的区域与光检测面板紧密附着的紧密附着部；及从紧密附着部朝光检测面板的相反侧以自立状态延伸的延伸部。

Description

放射线检测器及其制造方法
技术领域
本发明涉及放射线检测器及其制造方法。
背景技术
以往，以下的放射线检测器为众所皆知(例如参照专利文献1)，即，该放射线检测器具备：具有受光部及接合垫的光检测面板；以覆盖受光部的方式设在光检测面板上的闪烁器层；以覆盖闪烁器层的方式设在光检测面板上的保护层；及在闪烁器层与接合垫之间的区域保持保护层的外缘部的树脂构件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1日本专利第4445281公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在上述这种放射线检测器，由于通过树脂构件保持保护层的外缘部，故可确保闪烁器层的耐湿性。但是，由于树脂构件配置于闪烁器层与接合垫之间的区域，所以该区域会变宽广。当此区域变宽广时，会有妨碍既维持受光部的宽广又要缩小放射线检测器的尺寸、或既要维持放射线检测器的尺寸又要增大受光部的宽广的情况的担忧产生。另外，因用来将受光部与接合垫电连接的配线变长，所以，会有不易提升电气信号的传达速度或噪声变大的担忧产生
因此，本发明的目的在于既可确保闪烁器层的耐湿性，又可抑制闪烁器层与接合垫之间的区域变广的情况产生的放射线检测器及其制造方法。
用以解决技术问题的手段
本发明的一形态的放射线检测器，具备：光检测面板，其具有受光部及与受光部电连接的接合垫；闪烁器层，其以覆盖受光部的方式设在光检测面板上；及保护层，其以覆盖闪烁器层的方式设在光检测面板上,，保护层的外缘部具有：在闪烁器层与接合垫之间的区域紧密附着于光检测面板的紧密附着部；及从紧密附着部朝光检测面板的相反侧以自立状态延伸的延伸部。
在本发明的一形态的放射线检测器，其中，覆盖闪烁器层的保护层的外缘部具有与光检测面板紧密附着的紧密附着部。由此，可防止湿气通过保护层与光检测面板之间而朝闪烁器层进入的情况产生。且，保护部的外缘部具有从紧密附着部朝光检测面板的相反侧以自立状态延伸的延伸部。若保护层的外缘部不具有延伸部的话，保护层的外缘会成为包含于紧密附着部，在该情况，会变得无法确保特别是紧密附着部中保护层的外缘存在的部分与光检测面板之间的紧密附着性。其结果，湿气变得容易从紧密附着部与光检测面板的边界侵入到闪烁器层。相对于此，在上述放射线检测器，由于保护层的外缘部具有延伸部，保护层的外缘未包含于紧密附着部，所以可充分地确保紧密附着部与光检测面板的紧密附着性，可提升闪烁器层的耐湿性。因此，即使未如以往通过树脂构件保持保护层的外缘部，也可维持闪烁器层的耐湿性。且，由于不需要设置这样的树脂构件，该部分能够使闪烁器层与接合垫之间的区域缩窄。因此，若依据的一形态的放射线检测器，既可确保闪烁器层的耐湿性，又可抑制闪烁器层与接合垫之间的区域变广的情况产生。
在上述放射线检测器，也可为以下结构，即保护层具备：光反射膜；相对于光反射膜配置于闪烁器层侧的第1保护膜；及相对于光反射膜配置于闪烁器层的相反侧的第2保护膜。如此通过保护层包含有光反射膜，能够防止在闪烁器层所产生的光漏出至外部(受光部以外的部分)，可提升放射线检测器的灵敏度。
在上述放射线检测器，也可为以下结构，即光反射膜的外缘位于较保护层的外缘更内侧的位置，第1保护膜的外缘及第2保护膜的外缘位于保护层的外缘，第1保护膜的外缘部与第2保护膜的外缘部在较光反射膜的外缘更外侧的位置接合，并覆盖光反射膜的外缘部。例如，即使在光反射膜与第1保护膜的紧密附着性、或光反射膜与第2保护膜的紧密附着性不好的情况，因通过第1保护膜的外缘部与第2保护膜的外缘部将光反射膜的外缘部封住，所以，可确保这些膜彼此的紧密附着性。
在上述放射线检测器，也可为以下结构，即，光反射膜为由铝或银所构成的金属膜。或者，光反射膜为包含白色颜料的树脂膜。由此，能够将光反射膜的光反射性作成良好。
在上述放射线检测器，也可为以下结构，即延伸部的高度为80μm～250μm。由此，能够更确实地确保闪烁器层的耐湿性。
本发明的一形态的放射线检测器的制造方法，其特征为包含以下的工序：准备具有受光部及与受光部电连接的接合垫的光检测面板，并以覆盖受光部的方式在光检测面板上设置闪烁器层的工序；以覆盖接合垫的方式在光检测面板上设置掩模构件工序；以覆盖闪烁器层、闪烁器层与接合垫之间的区域、和掩模构件的方式在光检测面板上设置保护层工序；通过沿着掩模构件的闪烁器层侧的缘部照射激光而在掩模构件上切断保护层的工序；以及除去掩模构件的工序。
在本发明的一形态的放射线检测器的制造方法中，接合垫被掩模构件覆盖，且以覆盖闪烁器层、闪烁器层与接合垫之间的区域、和掩模构件的方式设置保护层。由此，形成为保护层具有在闪烁器层与接合垫之间的区域与光检测面板紧密附着的紧密附着部。另外，在掩模构件的边缘与光检测面板之间，通过掩模构件的厚度产生阶差，沿着该阶差也形成保护层。由此，形成为保护层具有自紧密附着部朝光检测面板的相反侧延伸的延伸部。而且，通过沿着掩模构件的闪烁器层侧的缘部照射激光，使得在掩模构件上保护层被切断，除去掩模构件。由此，接合垫露出，并且延伸部形成为自立状态。因此，所制造的放射线检测器具有：在闪烁器层与接合垫之间的区域与光检测面板紧密附着的紧密附着部；及从紧密附着部朝光检测面板的相反侧以自立状态延伸的延伸部。因此，若依据本发明的一形态的放射线检测器的制造方法，能够获得既可确保闪烁器层的耐湿性，又可抑制闪烁器层与接合垫之间的区域变广的情况产生的放射线检测器。
发明效果
依据本发明，既可维持闪烁器层的耐湿性，又可抑制闪烁器层与接合垫之间的区域变广的情况产生。
附图说明
图1为本发明的一实施方式的放射线检测器的平面图。
图2为沿着图1的II-II线的截面图。
图3为表示放射线检测器的制造工序的一例的第1图。
图4为表示放射线检测器的制造工序的一例的第2图。
图5为表示放射线检测器的制造工序的一例的第3图。
图6为表示放射线检测器的制造工序的一例的第4图。
图7为表示放射线检测器的制造工序的一例的第5图。
图8为放射线检测器的第1立体图。
图9为放射线检测器的第2立体图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。再者如果可以的情况，对相同的要件赋予相同的符号，并省略重复说明。另外，各图面的尺寸、形状并非一定与实物相同。
首先，参照图1及图2说明关于本实施方式的放射线检测器1的结构。放射线检测器1具备有光检测面板7。光检测面板7具有：基板2、受光部3、信号线4、接合垫5、及钝化膜6。基板2为形成有例如MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的硅基板。受光部3为包含以2维的方式排列于基板2的中央部的矩形状区域的多个光电变换元件3a。光电变换元件3a是使用例如发光二极管(PD：Photo Diode)、薄膜晶体管(TFT：ThinFilm Transistor)等所构成。信号线4设在基板2，将接合垫5与受光部3电连接。接合垫5用于将在受光部3所产生的电气信号传送至外部电路。
接合垫5沿着基板2的外缘中相邻接的2个边(图1中为上边及右边)，每预定间隔配置有多个。但，接合垫5的配置不限于此。例如，接合垫5可仅沿着基板2的外缘的一边，每预定间隔配置多个，或也可沿着基板2的外缘的所有的边(四边)，每预定间隔配置多个。各接合垫5是经由信号线4，与相对应的多个光电变换元件3a电连接。
钝化膜6形成于光电变换元件3a及信号线4上。钝化膜6使用例如氮化硅、氧化硅等。钝化膜6以接合垫5露出的方式形成。
闪烁器层8以覆盖受光部3的方式设在光检测面板7上。闪烁器层8使用柱状构造的多个闪烁器8a而构成。闪烁器8a接收放射线而产生光(闪烁光)。闪烁器8a的材料未特别限定，例如可为掺杂有发光效率好的铊(Tl)或钠(Na)的碘化铯(CsI)。闪烁器层8的高度为例如约600μm。再者，闪烁器层8的外缘部形成为随着朝向闪烁器层8的外侧，高度逐渐变低的锥形状。
如图2所示，保护层20以覆盖闪烁器层8的方式设在光检测面板7上。保护层20具有可使放射线透过且遮断湿气的性质。保护层20具备：光反射膜11；相对于光反射膜11，配置于闪烁器层8侧的第1保护膜10；及相对于光反射膜11，配置于闪烁器层8的相反侧的第2保护膜12。第1保护膜10及第2保护膜12为由例如聚对二甲苯树脂、聚氯代对二甲苯等所构成的有机膜。光反射膜11为由铝或银所构成的金属膜。作为一例，第1保护膜10的厚度约为20μm，光反射膜11的厚度约为200nm第2保护膜12的厚度约为10μm。在此情况，保护层20的厚度约为30.2μm。
保护层20具有主体部21和外缘部22。主体部21为覆盖闪烁器层8的部分。主体部21的第1保护膜10以具有上述厚度的方式设在闪烁器层8上。第1保护膜10可埋在柱状构造的多个闪烁器8a的各个之间且设在闪烁器层8上。外缘部22与主体部21连续地设在主体部21的外侧。
外缘部22具有紧密附着部23和延伸部24。紧密附着部23在闪烁器层8与接合垫5之间的区域A，与光检测面板7紧密附着。例如，紧密附着部23的闪烁器层8侧的第1保护膜10的一部分具有与光检测面板7的紧密附着面，由此紧密附着部23紧密附着于光检测面板7。通过增大紧密附着面(例如将紧密附着部的长度d1+d2予以增长)，可提高紧密附着部23与光检测面板7的紧密附着性。
紧密附着部23具有第1部分23a和第2部分23b。第1部分23a为位于主体部21侧的部分，具有由第1保护膜10、光反射膜11及第2保护膜12所构成的3层构造。第2部分23b为隔着第1部分23a而位于主体部21相反侧的部分，具有由第1保护膜10及第2保护膜12构成的2层构造。因此，光反射膜11的外缘11a位于较保护层20的外缘20a更内侧(闪烁器层8侧)的位置。在第1部分23a，第1保护膜10的外缘部10b与第2保护膜12的外缘部12b夹着光反射膜11。第2部分23b是位于较光反射膜11的外缘部11b更外侧(接合垫5侧)的位置。在第2部分23b，第1保护膜10的外缘部10b与第2保护膜12的外缘部12b接合。在第1保护膜10及第2保护膜12以相同材料构成的情况，第1保护膜10及第2保护膜12也可一体化。在紧密附着部23，第1保护膜10的外缘部10b与第2保护膜12的外缘部12b覆盖光反射膜11的外缘部11b。
延伸部24具有由第1保护膜10及第2保护膜12所构成的2层构造，从紧密附着部23朝光检测面板7的相反侧以自立状态延伸。延伸部24为位于保护层20中最外缘20a侧的部分。因此，第1保护膜10的外缘10a及第2保护膜12的外缘12a位于保护层20的外缘20a。延伸部24具有起立部24a和片部24b。起立部24a以紧密附着部23中与主体部21相反侧的部分作为基端，朝光检测面板7的相反侧以自立状态延伸。在此，所谓的“自立状态”是指起立部24a未通过某构件(例如树脂等)保持或支承，即可起立的状态。起立部24a的基端部分连接于紧密附着部23，但该部分以外的其他部分未与放射线检测器1的任一要件接触。
起立部24a以自立状态朝与光检测面板7正交的方向延伸(也即从光检测面板7直立)。但，起立部24a的延伸方向不限于此。起立部24a以自立状态朝与光检测面板7的面方向交叉的方向延伸即可。例如，起立部24a能以自光检测面板7直立的状态为基准，朝接合垫5侧倾斜，也可朝其相反侧(闪烁器层8侧)倾斜。另外，起立部24a不需要沿着平面延伸，例如可沿着曲面延伸。
片部24b从起立部24a的上部朝接合垫5侧突出。片部24b朝与光检测面板7的面方向平行的方向突出。但，片部24b的突出方向不限于此。片部24b朝与起立部24a的延伸方向不同的方向突出即可。例如，片部24b能以朝光检测面板7的面方向突出的状态为基准，朝接合垫7侧倾斜，也可朝其相反侧倾斜。另外，片部24b不需要沿着平面突出，例如可沿着曲面突出。
在图2中，长度d1及长度d2表示紧密附着部23的长度。具体而言，长度d1表示紧密附着部23的第1部分23a的长度，长度d2表示紧密附着部23的第2部分23b的长度。长度d1与长度d2的总计的长度为例如1000μm左右或以下。长度d3表示起立部24a的高度也即延伸部24的高度。长度d3为例如80～250μm。长度d4表示延伸部24的片部24b的长度。长度d4为例如300μm左右或以下。长度d5表示从紧密附着部23与延伸部24的边界到接合垫5为止的距离。为了使延伸部24与接合垫5不会相互干涉，长度d5设定为较长度d4长(长例如数十～数百μm左右)。
其次，说明关于放射线检测器1的作用效果。在放射线检测器1，覆盖闪烁器层8的保护层20的外缘部22具有与光检测面板7紧密附着的紧密附着部23。由此，可防止湿气通过保护层20与光检测面板7之间而朝闪烁器层8进入的情况产生。且，保护部20的外缘部22具有从紧密附着部23朝光检测面板7的相反侧以自立状态延伸的延伸部24。若保护层20的外缘部22不具有延伸部24的话，保护层20的外缘20a会成为包含于紧密附着部23，在该情况，会变得无法确保特别是紧密附着部23中保护层20的外缘20a存在的部分与光检测面板7之间的紧密附着性。其结果，湿气变得容易从紧密附着部23与光检测面板7的边界侵入到闪烁器层8。相对于此，在放射线检测器1，保护层20的外缘部22具有延伸部24，保护层20的外缘20a未包含于紧密附着部23。因此，可充分地确保紧密附着部23与光检测面板7的紧密附着性，比起不具有延伸部24的情况，能够使闪烁器层8的耐湿性提升。因此，即使未如以往通过树脂构件保持保护层20的外缘部，也可维持闪烁器层8的耐湿性。且，由于不需要设置这样的树脂构件(例如宽度900μm左右)，该部分能够使闪烁器层8与接合垫5之间的区域A缩窄。因此，若依据放射线检测器1，既可确保闪烁器层8的耐湿性，又可抑制闪烁器层8与接合垫5之间的区域变广的情况产生。另外，因区域A变窄，所以，该部分能够缩短将受光部3与接合垫5电连接的信号线4，能够提升电气信号的传达速度。另外，由于信号线4缩短，能够抑制噪声增大。
保护层20具有：作为光反射膜的光反射膜11；相对于光反射膜11，配置于闪烁器层8侧的第1保护膜10；及相对于光反射膜11，配置于闪烁器层8的相反侧的第2保护膜12。如此通过保护层20包含有光反射膜11，能够防止在闪烁器层8所产生的光漏出至外部(受光部3以外的部分)，可提升放射线检测器1的灵敏度。另外，通过在光反射膜11的两侧设置第1保护膜10及第2保护膜12，可保护例如光反射膜11。
光反射膜11的外缘11a位于较保护层20的外缘20a更内侧，第1保护膜10的外缘10a及第2保护膜12的外缘12a位于保护层20的外缘20a。另外，第1保护膜10的外缘部10b与第2保护膜12的外缘部12b在较光反射膜11的外缘11a更外侧的位置被接合，并覆盖光反射膜11的外缘部11b。例如，即使在光反射膜11与第1保护膜10的紧密附着性、或光反射膜11与第2保护膜12的紧密附着性差的情况，因通过第1保护膜10的外缘部10b与第2保护膜12的外缘部12b将光反射膜11的外缘部11b封住，所以，可确保这些膜彼此的紧密附着性。
由于光反射膜11是由铝或银所构成的金属膜，所以能够将光反射膜11的光反射性作成良好。
由于延伸部24的高度为80μm～250μm，所以能够更确实地确保闪烁器层8的耐湿性。
延伸部24具有：起立部24a；及从起立部24a的上部朝接合垫5侧突出的片部24b。如此，通过延伸部24不仅具有起立部24a也具有片部24b，可使保护层20的外缘20a充分地远离紧密附着部23，因此，能够更确实地确保紧密附着部23与光检测面板7的紧密附着性。即使在此情况，因片部24b的长度为例如300μm左右或以下，所以，比起以往设置树脂构件(如上述例如为宽度900μm左右)的情况，可缩窄闪烁器层8与接合垫5之间的区域A。
例如在配线工序，当将线材等的导电构件接合于接合垫5时，会有异物等从接合部分飞向闪烁器层8侧的可能性。即使在该情况，延伸部24可作为从异物等保护闪烁器层8使其不会受损的防护壁来发挥功能。由此，能够防止进行接合时闪烁器层8受到污染。
光检测面板7为昂贵的构件。在制造工序的检查中，放射线检测器1未达质量基准等的情况，并非将该放射线检测器1全部丢弃，而是考虑将光检测面板7进行再利用。在该情况，需要将设在光检测面板7上的闪烁器层8除去并将新的闪烁器层8设到光检测面板7上，因此必须除去保护层20。若依据本实施方式的放射线检测器1，保护部20的外缘部22具有从紧密附着部23朝光检测面板7的相反侧以自立状态延伸的延伸部24。由此，通过例如把持延伸部24并朝上拉起等，以延伸部24作为起点将保护层20从光检测面板7剥离，可较容易地除去保护层20。
其次，参照图3至图7，说明关于放射线检测器1的制造方法的各工序。首先，如图3(a)所示，准备依据图1、2进行了说明的光检测面板7。另外，如图3(b)所示，以覆盖受光部3的方式在光检测面板7上设置闪烁器层8。例如，在覆盖受光部3的光检测面板7上的区域，通过以蒸镀法使混合有Tl的CsI的柱状结晶成长来形成(层叠)闪烁器层8。
其次，如图4(a)所示，以覆盖接合垫5的方式在光检测面板7上设置掩模构件M1。作为掩模构件M1的例子，如UV硬化遮蔽带(以下称为UV带)。因接合垫5是以多个的方式沿着基板2的外缘的边进行配置，所以，使其配置方向与UV带的长度方向一致，且以覆盖接合垫5的方式将UV带的粘合面贴合于光检测面板7上即可。UV带的厚度可为例如110μm左右或以下。为了调节掩模构件M1的厚度，也可将多个UV带重叠设置。
另外，以覆盖闪烁器层8、区域A及掩模构件M1的方式在光检测面板7上设置保护层20。具体而言，首先，如图4(b)所示，形成第1保护膜10。例如，通过CVD法，以聚对二甲苯等被覆基板2的表面全体。其次，如图5(a)所示，在第1保护膜10上形成光反射膜11。例如，通过蒸镀法，将Al膜层叠于光反射膜11上。在此，也可使接合垫5不被光反射膜11所覆盖。在该情况，以掩模构件M2将接合垫5遮蔽后再蒸镀Al膜即可。掩模构件M2例如可使用UV带。另外，如图5(b)所示，形成第2保护膜12。例如，再次通过CVD法，以聚对二甲苯等被覆基板2的表面全体。
接着，如图6(a)所示，通过照射激光L，在掩模构件M1上切断保护层20。例如，通过使用于照射激光L的激光头(未图标)相对于载置有基板2的工作台(未图标)移动，让激光L沿着掩模构件M1的闪烁器层8侧的缘部进行扫描。
然后，除去掩模构件M1。具体而言，通过使作为UV带的掩模构件M1的粘合面的粘合力降低，来除去掩模构件M1。首先，如图6(b)所示，朝掩模构件M1进行UV(紫外线)照射。UV透过保护层20而到达掩模构件M1。通过掩模构件M1接受UV照射，其粘合面丧失粘合力。然后，如图7所示，除去掩模构件M1。被切断的保护层20中，覆盖掩模构件M1的部分也与掩模构件M1一同被除去。由此，接合垫5露出。
若依据以上所说明的放射线检测器1的制造方法，接合垫5被掩模构件M1覆盖，且以覆盖闪烁器层8、闪烁器层8与接合垫5之间的区域、和掩模构件M1的方式设置保护层20。由此，成为保护层20具有在闪烁器层8与接合垫5之间的区域A与光检测面板7紧密附着的紧密附着部23。另外，在掩模构件M1的边缘与光检测面板7之间，通过掩模构件M1的厚度产生阶差，沿着该阶差也形成保护层20。由此，成为保护层20具有自紧密附着部23朝光检测面板7的相反侧延伸的延伸部24。且，通过沿着掩模构件M1的闪烁器层8侧的缘部照射激光L，使得在掩模构件M1上保护层20被切断，除去掩模构件M1。由此，接合垫5露出，并且延伸部24形成自立状态而不会与掩模构件M1接触。另外，延伸部24具有沿着通过掩模构件M1的缘部的阶差所形成的起立部24a；及形成于进行了激光照射直到掩模构件M1的缘部为止之间的片部24b。如此所制造的放射线检测器1，因具有：在闪烁器层8与接合垫5之间的区域A，紧密附着于光检测面板7的紧密附着部23；及以自立状态从紧密附着部23朝光检测面板7的相反侧延伸的延伸部24(包含起立部24a及片部24b)，所以，如前面所说明，可维持闪烁器层8的耐湿性，并且能够缩窄闪烁器层8与接合垫5之间的区域A。
在此，也会有因激光L的照射，造成接合垫5受损的可能性。但，在上述的放射线检测器1的制造方法，在接合垫5被掩模构件M1覆盖的状态下，在掩模构件M1上切断保护层20。此时，掩模构件M1发挥作为用来吸收激光L的吸收层的作用。由此，即使激光L照射于接合垫5，也可防止接合垫5受损的情况产生。
在上述的放射线检测器1的制造方法，因通过照射激光L来切断保护层20，所以，可在保护层20的外缘部22，将紧密附着部23及延伸部24精度良好地予以整形。即使在接合垫5非沿着基板2的外缘的1边而是沿着多个边(例如2至4边)配置成预定间隔的情况，针对各边扫描激光L即可，因此，在外缘部22容易将紧密附着部23及延伸部24予以整形。
以上，说明了关于本发明的一实施方式，但，本发明不限于上述实施方式。例如，光反射膜11的外缘11a也可位于第1保护膜10的外缘10a及第2保护膜12的外缘12a，并且位于保护层20的外缘20a。
光反射膜11也可为包含白色颜料(氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化钇等)的树脂膜。在将包含白色颜料的树脂膜作成为光反射膜11的情况，通过在形成第2保护膜12后，进一步将金属膜(例如铝)及第3保护膜(与第1、第2保护膜相同材料)以此顺序加以层叠，即使是耐湿性差的树脂反射膜，也可获得与金属反射膜同等的耐湿性、及金属反射膜以上的光输出。如此，也可达到具有光反射性的光反射膜11。
在此，说明关于放射线检测器1的外观形状。图8为示意地表示放射线检测器1的角部分的立体图，图9为示意地表示从与图8不同的角度观看放射线检测器1的角部分的立体图。再者，在图9中，为了可看见被保护层20所覆盖的闪烁器层8，图示其截面，另外，通过虚线表示柱状构造的多个闪烁器8a。从图8及图9可得知，保护层20的外缘部22具有：在闪烁器层8与接合垫5之间的区域(图2等的区域A)与光检测面板7紧密附着的紧密附着部23；及从紧密附着部23朝光检测面板7的相反侧以自立状态延伸的延伸部24。也可如图8及图9所示，起立部24a朝接合垫5侧倾斜，片部24b也朝接合垫5侧倾斜。另外，起立部24a与片部24b的连接部分，并非折弯成直角，可为圆滑地弯曲。
符号说明
1：放射线检测器
3：受光部
5：接合垫
7：光检测面板
8：闪烁器层
10：第1保护膜
11：光反射膜
12：第2保护膜
20：保护层
22：外缘部
23：紧密附着部
24：延伸部
M1：掩模构件

Claims (7)

1.一种放射线检测器，其特征在于，
具备：
光检测面板，其具有受光部及电连接于所述受光部的接合垫；
闪烁器层，以覆盖所述受光部的方式设置于所述光检测面板上；及
保护层，以覆盖所述闪烁器层的方式设置于所述光检测面板上，
所述保护层的外缘部具有：
紧密附着部，在所述闪烁器层与所述接合垫之间的区域与所述光检测面板紧密附着；及
延伸部，从所述紧密附着部朝所述光检测面板的相反侧以自立状态延伸。
2.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述保护层具有：
光反射膜；
第1保护膜，相对于所述光反射膜配置于所述闪烁器层一侧；及
第2保护膜，相对于所述光反射膜配置于所述闪烁器层的相反侧。
3.如权利要求2所述的放射线检测器，其中，
所述光反射膜的外缘位于较所述保护层的外缘更内侧的位置，
所述第1保护膜的外缘及所述第2保护膜的外缘位于所述保护层的外缘，
所述第1保护膜的外缘部与所述第2保护膜的外缘部在较所述光反射膜的外缘更外侧的位置被接合并覆盖所述光反射膜的外缘部。
4.如权利要求2或3所述的放射线检测器，其中，
所述光反射膜为由铝或银构成的金属膜。
5.如权利要求2或3所述的放射线检测器，其中，
所述光反射膜为包含白色颜料的树脂膜。
6.如权利要求1至5中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述延伸部的高度为80μm～250μm。
7.一种放射线检测器的制造方法，其特征在于，
包括：
准备具有受光部及与所述受光部电连接的接合垫的光检测面板，并以覆盖所述受光部的方式在所述光检测面板上设置闪烁器层的工序；
以覆盖所述接合垫的方式在所述光检测面板上设置掩模构件的工序；
以覆盖所述闪烁器层、所述闪烁器层与所述接合垫之间的区域、及所述掩模构件的方式在所述光检测面板上设置保护层的工序；
通过沿着所述掩模构件的所述闪烁器层一侧的缘部照射激光而在所述掩模构件上切断所述保护层的工序；及
除去所述掩模构件的工序。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6487263B2 (ja) * 2015-04-20 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
KR102119733B1 (ko) * 2017-05-12 2020-06-17 주식회사 에이치앤아비즈 신틸레이터 패널
CN109659385A (zh) * 2017-10-10 2019-04-19 群创光电股份有限公司 感测装置
CN110323235A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 夏普株式会社 摄像面板
JP2019174365A (ja) * 2018-03-29 2019-10-10 シャープ株式会社 撮像パネル
JP7345385B2 (ja) 2019-12-25 2023-09-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
JP2021103122A (ja) 2019-12-25 2021-07-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1220732A (zh) * 1997-02-14 1999-06-23 浜松光子学株式会社 放射线检测元件及其制造方法
CN102655160A (zh) * 2011-03-01 2012-09-05 佳能株式会社 放射线检测装置、闪烁体板、制造方法和放射线检测系统

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3855035A (en) * 1972-06-22 1974-12-17 Varian Associates Image intensifier plate and method and compositions for manufacturing same
US3917950A (en) * 1974-04-08 1975-11-04 United States Steel Corp Fluoroscopic screen which is optically homogeneous
JPS6034709B2 (ja) * 1975-11-28 1985-08-10 株式会社日立メデイコ アンガ−形γカメラ
US5148029A (en) * 1991-09-23 1992-09-15 Siemens Gammasonics, Inc. Improved seal scintillation camera module and method of making it
US7019301B2 (en) * 1997-02-14 2006-03-28 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detection device and method of making the same
US6172371B1 (en) * 1998-06-15 2001-01-09 General Electric Company Robust cover plate for radiation imager
EP1118878B1 (en) * 1998-06-18 2005-08-17 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor, and method for producing the same
EP1156346B1 (en) * 1998-06-18 2006-10-04 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
US7034306B2 (en) * 1998-06-18 2006-04-25 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
JP4317154B2 (ja) * 1998-06-18 2009-08-19 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサ
CN1163762C (zh) * 1998-06-18 2004-08-25 浜松光子学株式会社 闪烁体面板和放射线图象传感器
CN100587519C (zh) * 1999-04-16 2010-02-03 浜松光子学株式会社 闪烁器面板和放射线图象传感器
CN1869732B (zh) * 2000-01-13 2010-11-17 浜松光子学株式会社 放射线图像传感器及闪烁器板
US7151263B2 (en) * 2000-05-19 2006-12-19 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detector and method of manufacture thereof
JP4283427B2 (ja) * 2000-08-03 2009-06-24 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器およびシンチレータパネル
JP4447752B2 (ja) * 2000-08-03 2010-04-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
USRE42281E1 (en) * 2000-09-11 2011-04-12 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them
WO2002023219A1 (fr) * 2000-09-11 2002-03-21 Hamamatsu Photonics K.K. Panneau de scintillateur, capteur d'images radiographiques et procedes de production
DE20021660U1 (de) * 2000-12-20 2002-05-02 Alanod Al Veredlung Gmbh Verbundmaterial
US6835936B2 (en) * 2001-02-07 2004-12-28 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, method of manufacturing scintillator panel, radiation detection device, and radiation detection system
US6847041B2 (en) * 2001-02-09 2005-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, radiation detector and manufacture methods thereof
US6803583B2 (en) * 2001-03-21 2004-10-12 M.E. Taylor Engineering Inc. Scintillator for electron microscope and method of making
US6720561B2 (en) * 2001-12-06 2004-04-13 General Electric Company Direct CsI scintillator coating for improved digital X-ray detector assembly longevity
US7126130B2 (en) * 2001-12-06 2006-10-24 General Electric Company Direct scintillator coating for radiation detector assembly longevity
JP4280507B2 (ja) * 2003-01-24 2009-06-17 キヤノン株式会社 放射線検出装置の製造方法
US7473903B2 (en) * 2003-02-12 2009-01-06 General Electric Company Method and apparatus for deposited hermetic cover for digital X-ray panel
JP4289913B2 (ja) * 2003-03-12 2009-07-01 キヤノン株式会社 放射線検出装置及びその製造方法
US7355184B2 (en) * 2003-04-07 2008-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus and method for manufacturing the same
US7112802B2 (en) * 2003-04-11 2006-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, radiation detecting apparatus, and radiation detection system
US7315027B2 (en) * 2003-10-22 2008-01-01 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system
US7193218B2 (en) * 2003-10-29 2007-03-20 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, method of producing the same, and radiation image pick-up system
US7067817B2 (en) * 2004-01-29 2006-06-27 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation image sensor and making method of same
JP4266898B2 (ja) * 2004-08-10 2009-05-20 キヤノン株式会社 放射線検出装置とその製造方法および放射線撮像システム
JP4208790B2 (ja) * 2004-08-10 2009-01-14 キヤノン株式会社 放射線検出装置の製造方法
CN101002110B (zh) * 2004-08-10 2010-12-08 佳能株式会社 放射线探测装置、闪烁体板及其制造方法和放射线探测系统
JP4886245B2 (ja) * 2005-08-26 2012-02-29 株式会社東芝 放射線検出器
US7910892B2 (en) * 2005-12-22 2011-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing X-ray detector and X-ray detector
JP4921180B2 (ja) * 2006-01-25 2012-04-25 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP4920994B2 (ja) * 2006-03-02 2012-04-18 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線検出装置及び放射線検出システム
JP5089195B2 (ja) * 2006-03-02 2012-12-05 キヤノン株式会社 放射線検出装置、シンチレータパネル、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法
US7405406B1 (en) * 2006-04-21 2008-07-29 Radiation Monitoring Devices, Inc. Two-sided scintillation detectors and related methods
EP1860463A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-28 Agfa HealthCare NV Radiation image phosphor or scintillator panel
DE102006038969B4 (de) * 2006-08-21 2013-02-28 Siemens Aktiengesellschaft Röntgenkonverterelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4764407B2 (ja) * 2007-11-20 2011-09-07 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
FR2948379B1 (fr) * 2009-07-21 2011-08-19 Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillateur en halogenure de terre rare revetu d'un absorbeur ou reflecteur de lumiere
JP5562134B2 (ja) * 2010-06-17 2014-07-30 キヤノン株式会社 放射線検出装置、その製造方法及び放射線撮像システム
JP5649872B2 (ja) * 2010-08-24 2015-01-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器の製造方法
JP5456013B2 (ja) * 2010-12-17 2014-03-26 富士フイルム株式会社 放射線撮像装置
JP5629593B2 (ja) * 2011-02-01 2014-11-19 株式会社東芝 放射線検出器
KR101266554B1 (ko) * 2011-05-09 2013-05-27 주식회사 아비즈알 신틸레이터 패널 및 신틸레이터 패널을 제조하는 방법
JP5911274B2 (ja) * 2011-11-28 2016-04-27 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮像システム
KR101925895B1 (ko) * 2011-12-29 2018-12-07 삼성디스플레이 주식회사 엑스선 검출용 패널 및 이의 제조방법
US8829454B2 (en) * 2012-02-27 2014-09-09 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
JP6200171B2 (ja) * 2012-06-04 2017-09-20 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び撮像システム
JP6071283B2 (ja) * 2012-07-04 2017-02-01 キヤノン株式会社 放射線検出装置及びその製造方法
JP5922518B2 (ja) * 2012-07-20 2016-05-24 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP2014081364A (ja) * 2012-09-27 2014-05-08 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
JP6092568B2 (ja) * 2012-10-11 2017-03-08 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP6298264B2 (ja) * 2012-10-31 2018-03-20 キヤノン株式会社 シンチレータ、放射線検出装置、および、それらの製造方法
US9116022B2 (en) * 2012-12-07 2015-08-25 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
JP6100045B2 (ja) * 2013-03-19 2017-03-22 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法
JP6200173B2 (ja) * 2013-03-21 2017-09-20 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
WO2014187502A1 (en) * 2013-05-24 2014-11-27 Teledyne Dalsa B.V. A moisture protection structure for a device and a fabrication method thereof
US20140374608A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection apparatus and method of manufacturing the same
JP2015096823A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
JP2016038279A (ja) * 2014-08-07 2016-03-22 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器
JP6488635B2 (ja) * 2014-10-23 2019-03-27 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP6512830B2 (ja) * 2015-01-09 2019-05-15 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置
JP6487263B2 (ja) * 2015-04-20 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1220732A (zh) * 1997-02-14 1999-06-23 浜松光子学株式会社 放射线检测元件及其制造方法
CN102655160A (zh) * 2011-03-01 2012-09-05 佳能株式会社 放射线检测装置、闪烁体板、制造方法和放射线检测系统

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