JP2016038279A - シンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器 - Google Patents

シンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器 Download PDF

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Abstract

【課題】水分による蛍光体層の劣化を確実に防止し、さらに光電変換素子と貼り合わせの際に、エアーギャップを生ずることのないシンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器を提供すること。【解決手段】樹脂基板と、前記樹脂基板上に形成され、放射線を可視光に変換する蛍光体層と、前記樹脂基板の蛍光体層形成面と対向する面に接着層を介して貼り合わされた第1防湿保護体と、前記蛍光体層の表面から前記第1防湿保護体の接着面に対向する面の一部分までを、一体的に覆うように形成された第2防湿保護体と、を少なくとも備えたシンチレータパネルとする。またこのシンチレータパネルを備えて成る放射線検出器とする。【選択図】図2

Description

本発明は、医療診断や非破壊検査などに用いられる放射線検出器およびこの放射線検出器に用いられるシンチレータパネルに関する。
従来より、エックス線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。近年ではデジタルの放射線画像が直接得られるフラットパネル型放射線検出器(Flat Panel Detector:FPD)に代表されるデジタル方式の放射線検出器が登場している。
このようなデジタル方式は、デジタルの放射線画像が得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を表示することが可能であるため、必ずしも写真フィルム上への画像形成を必要としない。その結果、これらデジタル方式の放射線検出器は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。
またフラットパネル型放射線検出器(FPD)には、Gd22SやCsIなどのシンチレータによって放射線を光に変換後、フォトダイオードにより電荷へ変換するシンチレータ方式を採用したものがあり、このようなシンチレータ方式のFPDは、基板上に蛍光体層が形成されたシンチレータパネルと、薄膜トランジスタおよび電荷結合素子による光電変換素子部材と、を組み合わせて成るものである。
このようなFPDに用いられるシンチレータパネルは、基板上に形成された蛍光体層が吸湿性を有する場合、蛍光体層に水分が到達して劣化してしまわないよう、基板と蛍光体層とを覆うように防湿保護体が設けられている。
例えば特許文献1では、図5に示したように、樹脂基板102上に蛍光体層104が形成された後、蛍光体層104の表面から、樹脂基板102の蛍光体層形成面に対向する面の一部分までを覆うように第1防湿保護体106が設けられ、さらに樹脂基板102上の第1防湿保護体106が設けられた箇所以外の残りの箇所と、第1防湿保護体106上に、接着層108を介して第2防湿保護体110が形成されたシンチレータパネル100が開示されている。
また特許文献2では、図6に示したように、金属製の硬質基板202上に蛍光体層204が形成された後、蛍光体層204の表面から、硬質基板202の蛍光体層形成面に対向する面までを覆うように防湿保護体206が設けられたシンチレータパネル200が開示されている。
このシンチレータパネル200の防湿保護体206は、硬質基板202を、回転台上に複数本の支持針を介して支えるように設置し、この状態でCVD法を用いた蒸着装置内で回転台を回転させながら蒸着形成されたものである。
このようにシンチレータパネル100,200を構成することにより、蛍光体層104,204に水分が到達することを防止し、劣化を生ずることなく所望の機能を継続させることができる。
特開2006−38870号公報 特開2011−33563号公報
しかしながら特許文献1に開示されたシンチレータパネル100は、図7に示したように、第1防湿保護体106と第2防湿保護体110とで防湿を行っているものの、矢印で示したように樹脂基板102と第2防湿保護体110との間の接着層108から、樹脂基板102を通じて蛍光体層104に水分が到達してしまう場合があり、蛍光体層104への水分の到達を完全に防止することはできないものであった。
また、特許文献2に開示されたシンチレータパネル200は、防湿保護体206で硬質基板202と蛍光体層204とを覆っているため、蛍光体層204への水分の到達を確実に防止できるものの、図8に示したように、このシンチレータパネル200を光電変換素子部材210と貼り合わせて放射線検出器220を形成する際には、シンチレータパネル200に硬質基板202が用いられているため、光電変換素子部材210との貼り合わせにおいて、両者の間にエアー230が残ってしまい、両者の間にエアーギャップが生ずる場合があった。
なお、特許文献2のシンチレータパネル200において、硬質基板202の換わりに柔らかい樹脂基板に置き換えれば、光電変換素子部材210との貼り合わせの際に、シンチレータパネル200上の微細な凹凸に追随して光電変換素子部材210を貼り合わせることができ、両者の間にエアー230が残ってしまうことを防止できると考えられる。
しかしながら、この場合には今度は柔らかい樹脂基板であるため、CVD法を用いた蒸着装置内で防湿保護体206を形成する際に、樹脂基板を水平に真っ直ぐ保つことが困難となり、防湿保護体206を、樹脂基板が湾曲した状態で防湿保護体206を形成させてしまうこととなる。
このようにして得られたシンチレータパネル200と光電変換素子部材210とを貼り合わせると、シンチレータパネル200が光電変換素子部材210によって湾曲された状態から真っ直ぐな状態に戻され、場合によっては防湿保護体206が破損してしまい、蛍光体層204の防湿性の低下が生じる。
本発明はこのような現状に鑑みなされたものであって、蛍光体層に水分が到達してしまうことを確実に防止し、さらに光電変換素子部材と貼り合わせの際にエアーギャップを生ずることなく、防湿保護体の破損を生ずることのないシンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器を提供することを目的とする。
本発明の上記目的は以下の構成により達成される。
(1)
樹脂基板と、
前記樹脂基板上に形成され、放射線を可視光に変換する蛍光体層と、
前記樹脂基板の蛍光体層形成面と対向する面に接着層を介して貼り合わされた第1防湿保護体と、
前記蛍光体層の表面から前記第1防湿保護体の接着面に対向する面の一部分までを、一体的に覆うように形成された第2防湿保護体と、
を少なくとも備えることを特徴とするシンチレータパネル。
(2)
前記第2防湿保護体が、CVD法で形成されたポリパラキシリレン膜であることを特徴とする(1)に記載のシンチレータパネル。
(3)
前記第1防湿保護体が、可撓性を有することを特徴とする(1)または(2)に記載のシンチレータパネル。
(4)
前記第1防湿保護体が、
樹脂を主成分とした樹脂フィルムからなることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載のシンチレータパネル。
(5)
前記樹脂フィルム上に、さらに無機層が形成されていることを特徴とする(4)に記載のシンチレータパネル。
(6)
前記樹脂基板が、可撓性を有することを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載のシンチレータパネル。
(7)
(1)〜(6)のいずれかに記載のシンチレータパネルと、
前記シンチレータパネルの前記蛍光体層側に貼り付けられ、光電変換素子を二次元的に配列してなる光電変換素子部材と、
を少なくとも備えることを特徴とする放射線検出器。
本発明によれば、水分による蛍光体層の劣化を確実に防止し、さらに光電変換素子部材と貼り合わせの際に、エアーギャップを生ずることのないシンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器を提供することができる。
図1は本発明のシンチレータパネルを備えた放射線検出器の概略断面図である。 図2は本発明のシンチレータパネルの概略断面図である。 図3は本発明のシンチレータパネルの製造工程を説明するための工程図である。 図4は本発明のシンチレータパネルの製造工程を説明するための工程図である。 図5は従来のシンチレータパネルの概略断面図である。 図6は従来のシンチレータパネルの概略断面図である。 図7は従来のシンチレータパネルの概略断面図である。 図8は図5に示した従来のシンチレータパネルを備えた放射線検出器の概略断面図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を用いてより詳細に説明する。
本発明の放射線検出器およびこの放射線検出器に用いられるシンチレータパネルは、医療診断や非破壊検査などに用いられるものである。
<<放射線検出器60>>
図1に示したように、本発明の放射線検出器60は、大きく分けて、シンチレータパネル10と、このシンチレータパネル10の蛍光体層24側に貼り付けられ、光電変換素子を二次元的に配列してなる光電変換素子部材50と、からなり、シンチレータパネル10の蛍光体層24によって放射線を光に変換した後、この光を光電変換素子部材50で電荷へ変換し、デジタルの放射線画像を得るものである。
本発明においては、特にシンチレータパネル10が防湿効果を高めた特徴的な構成を有しており、以下このシンチレータパネル10について詳しく説明する。
<<シンチレータパネル10>>
図2に示したように、本発明のシンチレータパネル10は、樹脂基板20と、この樹脂基板20上に形成された反射層22と、反射層22上に、放射線を可視光に変換する蛍光体層24が設けられている。
そして、樹脂基板20の蛍光体層24形成面と対向する面に、接着層26を介して第1防湿保護体28が貼り合わされ、さらに蛍光体層24の表面から、第1防湿保護体28の接着面に対向する面の一部分までを、一体的に覆うように第2防湿保護体30が設けられ、これにてシンチレータパネル10が構成されている。
なお、樹脂基板20上に形成された反射層22は、必須の構成では無いものであるが、光電変換素子部材50と貼り合わされて放射線検出器60とした際に、放射線から変換された光を、効率的に光電変換素子部材50側に届けるため、備えてなることがより好ましい。
なお、上記した各部材の具体的な材質等については以下のとおりである。
<樹脂基板20>
樹脂基板20は、放射線透過性を有し、蛍光体層24を担持可能な樹脂基板20であれば特に限定されないものである。
このような樹脂基板20としては、厚さ10〜1000μm、更には30〜500μmの可撓性を有する高分子フィルムであることが好ましい。ここで「可撓性」とは、樹脂基板20を構成する4辺のうち1辺を固定したときに、固定辺より10cm離れた点で、樹脂基板20の自重による重力で、樹脂基板20が固定辺の位置に対して2mm以上垂れ下がる性質のことである。
このような可撓性を有する樹脂基板20としては、特にポリイミドまたはポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが、ヨウ化セシウムを原材料として気相堆積法にて柱状結晶の蛍光体層24を形成するのに好適である。
樹脂基板20の具体例としては、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリカーボネート、シンジオタクチックポリスチレン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンなどからなる高分子フィルムが挙げられる。
これらは単独で用いてもよく、積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、上述のように、ポリイミドまたはポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが特に好ましい。
<反射層22>
次いで反射層22としては、金属薄膜や白色顔料を樹脂中に分散含有させた顔料層が好ましく、これにより放射線検出器60としての感度を向上させることができる。ここで金属薄膜はAgやAl、Ni、Cr等の金属を蒸着、スパッタ法により樹脂基板20上に形成させることができる。また顔料層は、例えば白色顔料を樹脂中に分散含有させたものが用いられ、腐食等が無く耐久性の観点で好ましい。
反射層22の製造方法としては、例えば、以下の製造方法が挙げられる。
(1).有機溶剤中に樹脂及び白色顔料を分散させ、樹脂基板20上に塗布して乾燥させ、反射層22とする。
(2).溶融樹脂中に白色顔料を分散させ、樹脂基板20用の樹脂とともに共押し出しによりフィルム状に圧延かつもしくは延伸することで、樹脂基板20上に顔料を分散させて反射層22とする。
これら樹脂基板20上に顔料を分散させて反射層22とする製造方法の詳細に関しては、特開平6−226894号公報に示されているとおりである。
また白色顔料としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム等が挙げられる。中でも酸化チタン、炭酸カルシウムが好ましい。
顔料を分散する樹脂としては、例えばポリウレタン、ポリエステル(例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート)、塩化ビニル共重合体(例えば、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体等)、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体(ニトロセルロース等)、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。中でもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースが好ましい。
これらのうちでも、上記(1).の製造方法では、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー及びポリエステル系熱可塑性エラストマーが好ましい。
上記(2).の製造方法では、共押し出しのため、樹脂基板20と同じ樹脂であることが望ましく、中でもポリエチレンテレフタレートが好ましい。また反り防止、剥離防止のため、樹脂基板20の両面に顔料分散層(図示せず)を設けても良い。
また、反射層22として多数の気泡を含有する発泡性の樹脂(例えばポリエチレンテレフタレート)を樹脂基板20として用い、樹脂基板20と反射層22とを同時に兼ねた構造としても良い。
その他には、樹脂基板20と反射層22あるいは蛍光体層24との結合を強化するため、樹脂基板20表面にポリエステル又はゼラチンなどの高分子物質を塗布して接着性を付与する下塗り層(図示せず)を設けたり、カーボンブラックなどの光吸収物質からなる光吸収層(図示せず)などが設けられていても良い。
それらの構成は、目的や用途などに応じて任意に選択することができる。
なお、反射層22の反射率を変えることは、感度を所望の特性に調整できるため好ましい。反射率の調整としては着色された顔料を使用する方法が提案されているが、経時での色素の退色が発生しやすく好ましい手法ではない。
反射率の安定的な制御としては、白色顔料とカーボンブラック等の配合比率により調整する方法や、反射率の低い樹脂基板20と白色顔料による反射層22の膜厚を調整する方法が好ましい。
反射層22の厚みによる反射率調整としては、ポリイミド基板などの光を吸収する樹脂基板20と、顔料層の膜厚を調整することで、均一な反射率調整が可能となる。
なお反射層22の分光反射率は、市販の分光反射率測定装置(例えば日立自記分光光度計U−3210、同分光光度計U−4000型等)を用いて測定することができる。
<蛍光体層24>
蛍光体層24は、種々の公知の蛍光体材料によって形成することができるが、X線から可視光に対する変換率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成でき、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層24の厚さを厚くすることが可能である点で、ヨウ化セシウム(CsI)によって形成することが好ましい。
ただし、CsIのみでは発光効率が低いため、各種の賦活剤を添加することが好ましい。例えば特公昭54−35060号公報に開示されるように、CsIとヨウ化ナトリウム(NaI)を任意のモル比で混合したものが挙げられる。
また例えば特開2001−59899号公報に開示されるように、インジウム(In)、タリウム(Tl)、リチウム(Li)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、ナトリウム(Na)などの賦活物質を含有するCsIを蒸着することで蛍光体層24を形成することもできる。
さらに、タリウムを含有するCsIの蛍光体層24を形成するための母剤としては、賦活剤として1種類以上のタリウム化合物とヨウ化セシウムが好ましく用いられる。タリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Tl)は、400〜750nmまでの広い発光波長を有し光電変換素子部材50とのマッチングが良いことから好ましい。
なお、賦活剤である1種類以上のタリウム化合物は、種々のタリウム化合物(+Iと+IIIの酸化数の化合物)を使用することができる。好ましいタリウム化合物は、臭化タリウム(TlBr)、塩化タリウム(TlCl)、またはフッ化タリウム(TlF,TlF3)などである。
また、タリウム化合物の常温常圧下における融点は、発光効率の面から、400〜700℃の範囲内にあることが好ましい。また、タリウム化合物の分子量は、206〜300の範囲内にあることが好ましい。
蛍光体層24において、賦活剤の含有量は目的・性能等に応じて、最適量とすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、0.001mol%〜50mol%、さらには、0.1mol%〜10.0mol%であることが好ましい。
なお、蛍光体層24を形成するための母剤としては、上記したCsI:Tl以外にも各種のものが利用可能で有り、一例としては、下記一般式(1)で表されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有することが好ましい。
1X・aM2X’2・bM3X’’3:eA ・・・(1)
上記式において、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各原子から選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であり、X、X’、X’’はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、AはEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子であり、また、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を表す。
また、M1としては、少なくともCsを含んでいることが好ましく、Xとしては、少なくともIを含んでいることが好ましく、Aとしては、特にTlまたはNaであることが好ましい。また、eは1×10-4≦e≦0.1の範囲内の数値であることが好ましい。
また、下記一般式(2)で表される希土類賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体も、蛍光体層24を形成するための原材料として好ましい。
4FX:zLn ・・・(2)
上記式において、M4はBa、Sr及びCaの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属であり、LnはCe、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Nd、Er、Tm及びYbの各原子から選ばれる少なくとも1種の希土類元素を表す。Xは、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲンを表す。また、zは、0<z≦0.2の範囲内の数値を表す。
なお、M4としては、Baが半分以上を占めることが好ましい。Lnとしては、特にEuまたはCeであることが好ましい。
また、蛍光体層24を形成するための原材料としては、他に、LnTaO4:(Nb,Gd)系、Ln2SiO5:Ce系、LnOX:Tm系(Lnは希土類元素である)、Gd22S:Tb、Gd22S:Pr,Ce、ZnWO4、LuAlO3:Ce、Gd3Ga512:Cr,Ce、HfO2などを挙げることができる。
なお気相堆積法としては、例えば蒸着法、スパッタリング法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、イオンプレーティング法など種々の方法を用いることができるが、特に蒸着法が好ましい。
このような蛍光体層24の平均膜厚は、シンチレータパネル10の使用目的または蛍光体物質の種類によって異なるが、100〜700μmであることが好ましい。
<第1防湿保護体28>
第1防湿保護体28は、予め別途形成しておいた防湿保護体を、接着層26を介して樹脂基板20に接着されたものである。
第1防湿保護体28は蛍光体層24を防湿し、蛍光体層24の劣化を抑制するためのもので、透湿度の低いフィルムから構成される。
また第1防湿保護体28は、可撓性を有することが好ましく、「可撓性」とは、第1防湿保護体28を構成する4辺のうち1辺を固定したときに、固定辺より10cm離れた点で、第1防湿保護体28の自重による重力で、第1防湿保護体28が固定辺の位置に対して2mm以上垂れ下がる性質のことである。
可撓性を有する第1防湿保護体28の例としては、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム(PET)、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等の樹脂を主成分とした樹脂フィルムが挙げられる。
また、必要とされる防湿性にあわせて、これら樹脂フィルム上に無機層として金属酸化物などを蒸着した蒸着フィルムを複数枚積層した構成とすることもできる。この場合、樹脂フィルム上の無機層が、接着層26と接着される側に位置する。
第1防湿保護体28の厚さは、0.03〜1.0mmの範囲内であることが好ましい。
また第1防湿保護体28の透湿度(水蒸気透過率ともいう)は50g/m2・day以下であることが好ましく、さらに好ましくは10g/m2・day以下であり、特に好ましくは1g/m2・day以下である。
ここで、第1防湿保護体28の透湿度はJIS Z 0208により規定された方法を参照して測定することができる。
具体的に、本発明における透湿度は以下の方法で測定することができる。
40℃において、第1防湿保護体28を境界面とし、一方側を90%RH(相対湿度)、他方側を吸湿剤で乾燥状態に保つ。
この状態で24時間後、この第1防湿保護体28を通過した水蒸気の質量(g)(第1防湿保護体28を1m2に換算する)を、本発明における第1防湿保護体28の透湿度と定義する。
第1防湿保護体28の透湿度を上記の範囲に調整し、防湿性を向上させる観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルム上に、無機層としてアルミナ薄膜を蒸着することが好ましい。
<第2防湿保護体30>
第2防湿保護体30は、例えば蒸着法、スパッタリング法などにより、SiC、SiO2、SiN、Al23などの無機物質を積層して形成してもよいし、CVD法によりポリパラキシリレン膜を形成してもよい。本発明においては、CVD法によりポリパラキシリレン膜を形成することが好ましい。
ポリパラキシリレン膜としては、ポリパラキシリレンの他、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレンなどが含まれる。
第2防湿保護体30の厚さは、蛍光体層24の耐湿保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、3〜50μmが好ましく、さらには5〜20μmが好ましい。
また第2防湿保護体30のヘイズ率は、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性、作業性等を考慮し、3〜40%であることが好ましく、3〜10%であることがより好ましい。ヘイズ率は、日本電色工業株式会社NDH 5000Wにより測定した値を示す。
また第2防湿保護体30の光透過率は、光電変換効率、蛍光体発光波長などを考慮し、550nmで70%以上であることが好ましい。
第2防湿保護体30の透湿度は、蛍光体層24の保護性、潮解性等を考慮し、50g/m2・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定。以下同様。)以下が好ましく、さらには10g/m2・day(40℃・90%RH)以下が好ましい。
このようなシンチレータパネル10は、樹脂基板20にまずは接着層26を介して第1防湿保護体28が接着され、さらに蛍光体層24の表面から、第1防湿保護体28の接着面に対向する面の一部分までを、一体的に覆うように第2防湿保護体30が設けられるため、蛍光体層24への水分の侵入経路がなく、確実に蛍光体層24への水分の侵入を防止することができる。
また、蛍光体層24を形成する基板が樹脂基板20であるため、光電変換素子部材50と接着の際にも、シンチレータパネル10上の微細な凹凸に追随して光電変換素子部材50を貼り合わせることができ、従来生じていた両者の間のエアーギャップを防止し、画像鮮鋭性を向上させることができる。
以下、本発明のシンチレータパネル10の製造方法について説明する。
<<シンチレータパネルの製造方法>>
図3(a)に示したように、まず樹脂基板20を用意する。
次いで図3(b)に示したように樹脂基板20上に反射層22を形成し、この反射層22の上に図3(c)に示したように蛍光体層24を形成する。
次いで図3(d)に示したように樹脂基板20の蛍光体層形成面とは反対側の面に、接着層26を介して第1防湿保護体28を接着する。
そして図4(a)に示したように、この積層体を蒸着装置40の回転台42上に載せ、回転台42を、回転軸46を介して回転させながら蒸着源48を気化させることで、図4(b)に示したように蛍光体層24の表面から第1防湿保護体28の接着面に対向する面の一部分までを、一体的に覆うように第2防湿保護体30を蒸着形成する。この第2防湿保護体30の蒸着形成の方法は、いわゆるCVD法である。
そして、蒸着装置40より積層体を取り出すことで、図2に示したような本発明のシンチレータパネル10が得られる。
なお蒸着装置40の回転台42は、平坦面であるため、柔らかい樹脂基板20であっても湾曲することなく、真っ直ぐな状態で維持されることとなる。したがって形成された第2防湿保護体30は、光電変換素子部材50と貼り合わせの際に破損することがなく、蛍光体層への水分の侵入を防止することができる。
しかも本発明のシンチレータパネル10は、樹脂基板20を用いているため、光電変換素子部材50と貼り合わせの際にシンチレータパネル10と光電変換素子部材50との間にエアーギャップが生ずることを防止することができる。
以上、本発明のシンチレータパネル10およびこれを備えた放射線検出器60の好ましい形態について説明したが、本発明は上記の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能なものである。
10 シンチレータパネル
20 樹脂基板
22 反射層
24 蛍光体層
26 接着層
28 第1防湿保護体
30 第2防湿保護体
40 蒸着装置
42 回転台
46 回転軸
48 蒸着源
50 光電変換素子部材
60 放射線検出器
100 シンチレータパネル
102 樹脂基板
104 蛍光体層
106 防湿保護体
108 接着層
110 防湿保護体
200 シンチレータパネル
202 硬質基板
204 蛍光体層
206 防湿保護体
210 光電変換素子部材
220 放射線検出器
230 エアー

Claims (7)

  1. 樹脂基板と、
    前記樹脂基板上に形成され、放射線を可視光に変換する蛍光体層と、
    前記樹脂基板の蛍光体層形成面と対向する面に接着層を介して貼り合わされた第1防湿保護体と、
    前記蛍光体層の表面から前記第1防湿保護体の接着面に対向する面の一部分までを、一体的に覆うように形成された第2防湿保護体と、
    を少なくとも備えることを特徴とするシンチレータパネル。
  2. 前記第2防湿保護体が、CVD法で形成されたポリパラキシリレン膜であることを特徴とする請求項1に記載のシンチレータパネル。
  3. 前記第1防湿保護体が、可撓性を有することを特徴とする請求項1または2に記載のシンチレータパネル。
  4. 前記第1防湿保護体が、
    樹脂を主成分とした樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のシンチレータパネル。
  5. 前記樹脂フィルム上に、さらに無機層が形成されていることを特徴とする請求項4に記載のシンチレータパネル。
  6. 前記樹脂基板が、可撓性を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のシンチレータパネル。
  7. 請求項1〜6のいずれかに記載のシンチレータパネルと、
    前記シンチレータパネルの前記蛍光体層側に貼り付けられ、光電変換素子を二次元的に配列してなる光電変換素子部材と、
    を少なくとも備えることを特徴とする放射線検出器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017078648A (ja) * 2015-10-21 2017-04-27 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器
JP2019060876A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
US11536859B2 (en) 2017-09-27 2022-12-27 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, and radiation detector

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6487263B2 (ja) * 2015-04-20 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
JP7080630B2 (ja) * 2017-12-21 2022-06-06 キヤノン株式会社 シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器
JP7325295B2 (ja) * 2019-10-24 2023-08-14 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002277592A (ja) * 2001-03-19 2002-09-25 Konica Corp 放射線画像変換プレート及び、それを用いる放射線画像読み取り装置
JP2005214808A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Hamamatsu Photonics Kk 放射線イメージセンサおよびその製造方法
JP2008249335A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線用シンチレータパネル及び放射線画像撮影装置
JP2010032298A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Toshiba Corp シンチレータパネル
WO2010106884A1 (ja) * 2009-03-19 2010-09-23 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル
JP2012083186A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル、及びそれを用いた放射線像検出装置
JP2012141188A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp シンチレータパネル及びその製造方法
US20120288688A1 (en) * 2011-05-09 2012-11-15 Yun Bong Kug Scintillator panel and method of manufacturing the scintillator panel

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4317169B2 (ja) 1998-06-18 2009-08-19 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル
JP5577644B2 (ja) 2009-08-05 2014-08-27 コニカミノルタ株式会社 放射線画像検出装置およびその製造方法
JP5649872B2 (ja) * 2010-08-24 2015-01-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002277592A (ja) * 2001-03-19 2002-09-25 Konica Corp 放射線画像変換プレート及び、それを用いる放射線画像読み取り装置
JP2005214808A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Hamamatsu Photonics Kk 放射線イメージセンサおよびその製造方法
JP2008249335A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線用シンチレータパネル及び放射線画像撮影装置
JP2010032298A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Toshiba Corp シンチレータパネル
WO2010106884A1 (ja) * 2009-03-19 2010-09-23 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル
JP2012083186A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネル、及びそれを用いた放射線像検出装置
JP2012141188A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp シンチレータパネル及びその製造方法
US20120288688A1 (en) * 2011-05-09 2012-11-15 Yun Bong Kug Scintillator panel and method of manufacturing the scintillator panel

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017078648A (ja) * 2015-10-21 2017-04-27 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器
JP2019060876A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
US11536859B2 (en) 2017-09-27 2022-12-27 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, and radiation detector
US11953631B2 (en) 2017-09-27 2024-04-09 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, and radiation detector

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