JP3235717B2 - 光電変換装置及びｘ線撮像装置 - Google Patents
光電変換装置及びｘ線撮像装置Info
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- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置及び
Ｘ線撮像装置に係わり、更に、詳しくは、光電変換素子
の複数を有する基板を複数枚配置して大面積の読取りを
可能にした光電変換装置及びＸ線撮像装置に関する。
Ｘ線撮像装置に係わり、更に、詳しくは、光電変換素子
の複数を有する基板を複数枚配置して大面積の読取りを
可能にした光電変換装置及びＸ線撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｘ線撮像装置等における画像など
の情報の読み取りは、縮小光学系とＣＣＤ型センサを用
いた読取り系が用いられている。
の情報の読み取りは、縮小光学系とＣＣＤ型センサを用
いた読取り系が用いられている。
【０００３】しかしながら、画像情報の読取りとして、
近年、水素化アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」
と記す。）に代表される非単結晶半導体を利用した光電
変換半導体材料の開発により、複数の光電変換素子を有
する光電変換部を大型の基板に形成し、情報源と等倍に
読取ることが可能ないわゆる密着型センサの開発がめざ
ましい。
近年、水素化アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」
と記す。）に代表される非単結晶半導体を利用した光電
変換半導体材料の開発により、複数の光電変換素子を有
する光電変換部を大型の基板に形成し、情報源と等倍に
読取ることが可能ないわゆる密着型センサの開発がめざ
ましい。
【０００４】特に、非単結晶半導体は光電変換部の光電
変換半導体材料のみならず、薄膜電界効果型トランジス
タ（以下「ＴＦＴ」と記す。）の半導体材料としても用
いることができる。そこで、信号処理部なども光電変換
部とともに大面積の基板上に形成することが考えられて
いる。また、光電変換素子の光電変換半導体層とＴＦＴ
の半導体層は共通に使用し得ることから、それらを同時
に形成することが可能である。
変換半導体材料のみならず、薄膜電界効果型トランジス
タ（以下「ＴＦＴ」と記す。）の半導体材料としても用
いることができる。そこで、信号処理部なども光電変換
部とともに大面積の基板上に形成することが考えられて
いる。また、光電変換素子の光電変換半導体層とＴＦＴ
の半導体層は共通に使用し得ることから、それらを同時
に形成することが可能である。
【０００５】更に、同じ基板上にコンデンサのような容
量素子を形成する場合、対向する電極間が絶縁されてい
れば、間に半導体層を有していても良い。このことは、
光電変換素子及び／又はＴＦＴを構成する膜の堆積順序
と容量素子を形成する膜の堆積順序とを共通にすること
が可能で、よって、各素子を構成する膜を夫々同一の工
程で同時に形成することを可能にする。
量素子を形成する場合、対向する電極間が絶縁されてい
れば、間に半導体層を有していても良い。このことは、
光電変換素子及び／又はＴＦＴを構成する膜の堆積順序
と容量素子を形成する膜の堆積順序とを共通にすること
が可能で、よって、各素子を構成する膜を夫々同一の工
程で同時に形成することを可能にする。
【０００６】これによって光電変換装置は高ＳＮ比化・
低コスト化を可能にするばかりか、低コストで大面積
で、高機能で特性の優れた光電変換装置とすることがで
きる。大面積にマトリクス状に光電変換素子を配した光
電変換装置をＸ線撮像装置の受光装置に適用することも
考えられている。
低コスト化を可能にするばかりか、低コストで大面積
で、高機能で特性の優れた光電変換装置とすることがで
きる。大面積にマトリクス状に光電変換素子を配した光
電変換装置をＸ線撮像装置の受光装置に適用することも
考えられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、大面
積、大受光面になるにつれて、製造時の微小なチリやほ
こり（たとえばアモルファスシリコン層を基板に堆積す
る時に薄膜堆積装置の壁などから剥れ落ちたゴミや工程
中に舞うほこり、あるいは金属層など各層を堆積する際
に基板などに付着している異物）を完全に除去すること
が難しくなる。そのため、大面積になる程、１つの基板
中に配線のショートやオープンのような配線の不具合や
光電変換素子などの各素子の不良が発生する可能性が高
くなる。
積、大受光面になるにつれて、製造時の微小なチリやほ
こり（たとえばアモルファスシリコン層を基板に堆積す
る時に薄膜堆積装置の壁などから剥れ落ちたゴミや工程
中に舞うほこり、あるいは金属層など各層を堆積する際
に基板などに付着している異物）を完全に除去すること
が難しくなる。そのため、大面積になる程、１つの基板
中に配線のショートやオープンのような配線の不具合や
光電変換素子などの各素子の不良が発生する可能性が高
くなる。
【０００８】従って、大面積になる程、歩留りは低下
し、その結果として光電変換装置のコストも増大する。
し、その結果として光電変換装置のコストも増大する。
【０００９】そこで、大面積の光電変換装置を複数の光
電変換ユニットを配列して作製することが考えられる。
このように複数の光電変換ユニットを配列することで、
１つ１つの基板の面積が小さくなるので結果として歩留
りが向上し、基板１枚あたりの不良による損失額を低減
することが可能になるので、より低コスト化を達成する
ことができる。
電変換ユニットを配列して作製することが考えられる。
このように複数の光電変換ユニットを配列することで、
１つ１つの基板の面積が小さくなるので結果として歩留
りが向上し、基板１枚あたりの不良による損失額を低減
することが可能になるので、より低コスト化を達成する
ことができる。
【００１０】また、このような構成とすることによっ
て、複数の基板の内の１つが不良となっても小さな基板
の交換で済ませることも可能になるため、より一層のコ
スト低減と、場合によってはメンテナンスコストの低減
も達成することができる。
て、複数の基板の内の１つが不良となっても小さな基板
の交換で済ませることも可能になるため、より一層のコ
スト低減と、場合によってはメンテナンスコストの低減
も達成することができる。
【００１１】しかしながら、上述したような複数枚の基
板を平面的に配置した光電変換装置においては、受光す
べき光（たとえばＸ線撮像装置の場合はＸ線源からのＸ
線が蛍光体に入射して発光された光など）が光電変換素
子基板内に入射したのち、基板の裏面や端面部分で反射
して光電変換素子の受光部などに入射し、光電変換装置
の解像度の低下などの光学的特性の悪化を招く場合があ
った。
板を平面的に配置した光電変換装置においては、受光す
べき光（たとえばＸ線撮像装置の場合はＸ線源からのＸ
線が蛍光体に入射して発光された光など）が光電変換素
子基板内に入射したのち、基板の裏面や端面部分で反射
して光電変換素子の受光部などに入射し、光電変換装置
の解像度の低下などの光学的特性の悪化を招く場合があ
った。
【００１２】［発明の目的］本発明の目的は、複数枚の
光電変換素子基板を貼り合わせて構成した大画面の光電
変換装置において、蛍光体層で発光した光のような受光
すべき光が、光電変換部以外の光電変換基板の裏面や、
複数枚の基板を貼り合わせた基板端部で反射して受光さ
れる問題を解決し、解像度等の光学特性を向上すること
にある。
光電変換素子基板を貼り合わせて構成した大画面の光電
変換装置において、蛍光体層で発光した光のような受光
すべき光が、光電変換部以外の光電変換基板の裏面や、
複数枚の基板を貼り合わせた基板端部で反射して受光さ
れる問題を解決し、解像度等の光学特性を向上すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ため、本発明は、光電変換素子を複数表面上に有する基
板を共通の基台上に複数具備し、前記基板上に光変換体
を有する光電変換装置において、前記基板の裏面と、隣
接する前記基板同士の隙間とに、光吸収体を設けること
により、前記光変換体で発光した光が前記裏面及び前記
隣接する基板同士の隙間で乱反射することを防止するこ
とを特徴とする。
ため、本発明は、光電変換素子を複数表面上に有する基
板を共通の基台上に複数具備し、前記基板上に光変換体
を有する光電変換装置において、前記基板の裏面と、隣
接する前記基板同士の隙間とに、光吸収体を設けること
により、前記光変換体で発光した光が前記裏面及び前記
隣接する基板同士の隙間で乱反射することを防止するこ
とを特徴とする。
【００１４】また、光電変換素子を複数表面上に有する
基板を共通の基台上に複数具備し、前記基板の裏面と、
隣接する前記基板同士の隙間とに、光吸収体を有する光
電変換手段と、Ｘ線を照射する為のＸ線照射手段と、Ｘ
線を受光して異なる波長の光を発生する光変換体と、を
有し、前記光吸収体は、前記光変換体で発光した光が前
記裏面及び前記隣接する基板同士の隙間で乱反射するこ
とを防止することを特徴とするＸ線撮像装置を、上記課
題を解決するための手段とするものである。
基板を共通の基台上に複数具備し、前記基板の裏面と、
隣接する前記基板同士の隙間とに、光吸収体を有する光
電変換手段と、Ｘ線を照射する為のＸ線照射手段と、Ｘ
線を受光して異なる波長の光を発生する光変換体と、を
有し、前記光吸収体は、前記光変換体で発光した光が前
記裏面及び前記隣接する基板同士の隙間で乱反射するこ
とを防止することを特徴とするＸ線撮像装置を、上記課
題を解決するための手段とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の好適な実施形態に
よる光電変換装置の一例を示す模式的平面図であり、図
２は図１のＸＹ線による断面を示している。
よる光電変換装置の一例を示す模式的平面図であり、図
２は図１のＸＹ線による断面を示している。
【００１６】１は複数の基板１−１、１−２、１−３、
１−４を有する光電変換素子アレイであり、各基板はそ
れぞれその表面に光電変換素子の群を有している。
１−４を有する光電変換素子アレイであり、各基板はそ
れぞれその表面に光電変換素子の群を有している。
【００１７】２は基台であり、複数の基板１−１、１−
２、１−３、１−４を支持している。
２、１−３、１−４を支持している。
【００１８】４つの基板はそれぞれ接着剤３により基台
２に固定されて貼り合わされている。
２に固定されて貼り合わされている。
【００１９】そして、本発明においては、接着剤３は遮
光部材又は反射防止部材として機能する。
光部材又は反射防止部材として機能する。
【００２０】例えば、図中上方、即ち、基板１−１、１
−２、１−３、１−４側から入射した光は基板裏面側に
ある接着剤３により吸収されるので、基板裏面で反射し
て基板表面側にある不図示の光電変換素子群に反射光が
入射しないように構成されている。
−２、１−３、１−４側から入射した光は基板裏面側に
ある接着剤３により吸収されるので、基板裏面で反射し
て基板表面側にある不図示の光電変換素子群に反射光が
入射しないように構成されている。
【００２１】また、図中上方から斜めに基板１−１、１
−２、１−３、１−４の側面に入射した光も、基板の側
面にある接着剤３で吸収されるので側面反射光を防止で
きる。
−２、１−３、１−４の側面に入射した光も、基板の側
面にある接着剤３で吸収されるので側面反射光を防止で
きる。
【００２２】これが反射防止機能である。
【００２３】又、装置の側面（端面）側から接着剤３を
通過して基板表面側の光電変換素子群に入射光が到達し
ないように接着剤３はその入射光を吸収するように構成
されている。同様に基台２の裏面から入射した光も基台
２の表面側の接着剤３を介して基板表面上の光電変換素
子群に到達しないように接着剤３はその入射光を吸収す
る。これが遮光機能である。
通過して基板表面側の光電変換素子群に入射光が到達し
ないように接着剤３はその入射光を吸収するように構成
されている。同様に基台２の裏面から入射した光も基台
２の表面側の接着剤３を介して基板表面上の光電変換素
子群に到達しないように接着剤３はその入射光を吸収す
る。これが遮光機能である。
【００２４】上記反射防止機能及び遮光機能を達成する
為に接着剤３は光電変換素子が受光すべき光を吸収する
光吸収材料で構成される。本発明に用いられる光吸収材
料は、全て波長の光を吸収するものである必要はなく、
光電変換素子によって受光され光電変換されるとノイズ
成分となるような光を吸収するものであればよい。
為に接着剤３は光電変換素子が受光すべき光を吸収する
光吸収材料で構成される。本発明に用いられる光吸収材
料は、全て波長の光を吸収するものである必要はなく、
光電変換素子によって受光され光電変換されるとノイズ
成分となるような光を吸収するものであればよい。
【００２５】例えば、Ｘ線撮像装置用の光電変換装置で
あれば、後述するように光変換体としての蛍光体が発す
る光を吸収すればよい。
あれば、後述するように光変換体としての蛍光体が発す
る光を吸収すればよい。
【００２６】よって、本発明に用いられる光吸収材料は
黒色材料又は光電変換素子が受光すべき光の補色関係に
ある色を呈している材料であればよい。
黒色材料又は光電変換素子が受光すべき光の補色関係に
ある色を呈している材料であればよい。
【００２７】又、上述した例では、接着剤が光吸収材料
となっている例を挙げたが、接着剤としての機能と光吸
収材料としての機能は互いに分離することも出来る。本
発明に用いられる光吸収体としては、金属酸化物等の無
機材料又は樹脂等の有機材料が挙げられる。
となっている例を挙げたが、接着剤としての機能と光吸
収材料としての機能は互いに分離することも出来る。本
発明に用いられる光吸収体としては、金属酸化物等の無
機材料又は樹脂等の有機材料が挙げられる。
【００２８】そして、有機材料からなる光吸収体を作成
する方法としては、染料を用いて直接樹脂を着色する方
法と樹脂に光を吸収する顔料を適宜混ぜる方法がある。
一般に手軽にできる方法として、樹脂に顔料を適宜混ぜ
合わせ、必要とする色相を作り出す方法が好適である。
する方法としては、染料を用いて直接樹脂を着色する方
法と樹脂に光を吸収する顔料を適宜混ぜる方法がある。
一般に手軽にできる方法として、樹脂に顔料を適宜混ぜ
合わせ、必要とする色相を作り出す方法が好適である。
【００２９】顔料の種類としては、有機顔料としてニト
ロ系色素、アゾ顔料、インダンスレン、チオインジゴペ
リノン、ペリレン、ジオキサジン、キナクリドン、フタ
ロシアニン、イソインドリノン、キノフタロン系などが
ある。
ロ系色素、アゾ顔料、インダンスレン、チオインジゴペ
リノン、ペリレン、ジオキサジン、キナクリドン、フタ
ロシアニン、イソインドリノン、キノフタロン系などが
ある。
【００３０】また無機顔料としてはカーボンブラック、
黄鉛、カドミ黄、クローバーミリオン（オレンジ）ベン
ガラ、シュ、鉛丹、カドミ赤、ミネラルバイオレット
（紫色）、コバルトブルー、コバルトグリーン、酸化ク
ロム、ビリジアン（緑）などがある。
黄鉛、カドミ黄、クローバーミリオン（オレンジ）ベン
ガラ、シュ、鉛丹、カドミ赤、ミネラルバイオレット
（紫色）、コバルトブルー、コバルトグリーン、酸化ク
ロム、ビリジアン（緑）などがある。
【００３１】これらの顔料を、蛍光体の発光波長にあわ
せ適宜選択することにより、このみの色相の光吸収体又
は黒色の光吸収体を作成することができる。
せ適宜選択することにより、このみの色相の光吸収体又
は黒色の光吸収体を作成することができる。
【００３２】更に、本発明の光吸収体に用いられる樹脂
としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂（メタクリル樹
脂）、シリコーン樹脂が挙げられる。
としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂（メタクリル樹
脂）、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００３３】エポキシ樹脂としては、実用上もっとも広
く用いられるビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの
縮合であるＢＡＥ型エポキシ樹脂が上げられる。またこ
の樹脂を主成分として、ビスフェノールＦやこれらの一
連の同族形とそのハロゲン化樹脂、ポリアルコール、ダ
イマ酸、トリマ酸、ノボラック型フェノール樹脂などに
エピクロルヒドリンでエポキシ基を導入した樹脂、ポリ
オレフィンに過酸化物でエポキシ基を導入した樹脂、脂
環式エポキシ樹脂と言われるエポキシ樹脂等が使われ
る。ＢＡＥ型エポキシ樹脂は、その用法、硬化剤別の硬
化物の性質がよく調べられており、十分なデータがそろ
っていて安心して使える材料である。
く用いられるビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの
縮合であるＢＡＥ型エポキシ樹脂が上げられる。またこ
の樹脂を主成分として、ビスフェノールＦやこれらの一
連の同族形とそのハロゲン化樹脂、ポリアルコール、ダ
イマ酸、トリマ酸、ノボラック型フェノール樹脂などに
エピクロルヒドリンでエポキシ基を導入した樹脂、ポリ
オレフィンに過酸化物でエポキシ基を導入した樹脂、脂
環式エポキシ樹脂と言われるエポキシ樹脂等が使われ
る。ＢＡＥ型エポキシ樹脂は、その用法、硬化剤別の硬
化物の性質がよく調べられており、十分なデータがそろ
っていて安心して使える材料である。
【００３４】また硬化剤としては、ジエチレントリアミ
ン、ｎ−アミノエチルピペラジン、ベンジルメチルアミ
ン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタ
ン、ジアミノジフェニルエタン、ポリアミド樹脂、ジシ
アンジアミド、三フッ化ホウ素モノエチルアミン、エチ
ルメチルイミダゾール、無水フタル酸、無水ヘキサヒド
ロフタル酸、無水メチルナジック酸、無水ピロメリット
酸、無水クロレンでデック酸等を、適宜塗布工程に応じ
た性質のエポキシ樹脂を得るために用いることができ
る。
ン、ｎ−アミノエチルピペラジン、ベンジルメチルアミ
ン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタ
ン、ジアミノジフェニルエタン、ポリアミド樹脂、ジシ
アンジアミド、三フッ化ホウ素モノエチルアミン、エチ
ルメチルイミダゾール、無水フタル酸、無水ヘキサヒド
ロフタル酸、無水メチルナジック酸、無水ピロメリット
酸、無水クロレンでデック酸等を、適宜塗布工程に応じ
た性質のエポキシ樹脂を得るために用いることができ
る。
【００３５】アクリル樹脂（メタクリル樹脂）として
は、重合形態の異なる３種類が知られている。モノマー
またはシラップを塊状重合により重合させた鋳込み重合
体。懸濁重合により得られる、粒状のもの。懸濁重合に
よりえた粉状体を押し出し機にかけて粒状化して得られ
るもの。これらのうち、塗布工程により適したものを適
宜選んで使用することができる。
は、重合形態の異なる３種類が知られている。モノマー
またはシラップを塊状重合により重合させた鋳込み重合
体。懸濁重合により得られる、粒状のもの。懸濁重合に
よりえた粉状体を押し出し機にかけて粒状化して得られ
るもの。これらのうち、塗布工程により適したものを適
宜選んで使用することができる。
【００３６】シリコーン樹脂としてはトリクロルシラン
とジクロルシランを用いたメチル系シリコーン樹脂とフ
ェニル系シリコーン樹脂、シリコーンアルキド樹脂があ
る。塗布工程により適したものを適宜選んで使用するこ
とができる。
とジクロルシランを用いたメチル系シリコーン樹脂とフ
ェニル系シリコーン樹脂、シリコーンアルキド樹脂があ
る。塗布工程により適したものを適宜選んで使用するこ
とができる。
【００３７】本発明に用いられる光吸収体を所定の位置
に配する方法としては、スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＤ法等が考えられるが、スパッタリングにより
無機光吸収層を基板に付与する方法が好適である。
に配する方法としては、スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＤ法等が考えられるが、スパッタリングにより
無機光吸収層を基板に付与する方法が好適である。
【００３８】一方、有機光吸収層を付与する方法として
は、スピンナー塗布、カーテンコート塗布、スクリーン
印刷、オフセット印刷のような転写法、ディスペンサー
による塗布等が挙げられる。
は、スピンナー塗布、カーテンコート塗布、スクリーン
印刷、オフセット印刷のような転写法、ディスペンサー
による塗布等が挙げられる。
【００３９】スパッタリング法について詳述する。
【００４０】図３は、スパッタ法にてガラス基板１０２
の裏面及び側面に金属酸化物の光吸収層３０１を設ける
ための成膜装置の説明図である。
の裏面及び側面に金属酸化物の光吸収層３０１を設ける
ための成膜装置の説明図である。
【００４１】図３に示すように、チャンバー内にガラス
基板１０２を加熱するヒーター２０１とガラス基板を保
持するホルダー２０２があり、またガラス基板の裏面及
び側面に光吸収層３０１として成膜するターゲット（Ｔ
ａ2 Ｏ3 ）１０５がある。ホルダー２０２は、光電変換
素子面１０１の反対面をターゲット１０５に向けてセッ
トする。
基板１０２を加熱するヒーター２０１とガラス基板を保
持するホルダー２０２があり、またガラス基板の裏面及
び側面に光吸収層３０１として成膜するターゲット（Ｔ
ａ2 Ｏ3 ）１０５がある。ホルダー２０２は、光電変換
素子面１０１の反対面をターゲット１０５に向けてセッ
トする。
【００４２】チャンバー内をポンプによって、真空度１
×１０-6まで真空引きを行い、この真空度に到達した
ら、Ａｒガスを流して５ｍＴｏｒｒにする。ヒーター２
０１に通電して基板１０２を加熱するとともに、電源Ｐ
Ｗより高周波電圧を供給して、ターゲット１０５と基板
１０２との間にグロー放電を起こして、光吸収層３０１
を基板の裏面及び側面（端面）に成膜する。
×１０-6まで真空引きを行い、この真空度に到達した
ら、Ａｒガスを流して５ｍＴｏｒｒにする。ヒーター２
０１に通電して基板１０２を加熱するとともに、電源Ｐ
Ｗより高周波電圧を供給して、ターゲット１０５と基板
１０２との間にグロー放電を起こして、光吸収層３０１
を基板の裏面及び側面（端面）に成膜する。
【００４３】次に図４を参照して、本発明に用いられる
光吸収層の塗装法・印刷法について説明する。ここでは
ガラス基板の裏面及び側面に光吸収層を設ける例を挙げ
ている。
光吸収層の塗装法・印刷法について説明する。ここでは
ガラス基板の裏面及び側面に光吸収層を設ける例を挙げ
ている。
【００４４】図４の（ａ）は、塗装法のスプレー２０３
を使って黒色樹脂１０６をガラス基板１０２の裏面及び
側面に塗布する様子を示している。
を使って黒色樹脂１０６をガラス基板１０２の裏面及び
側面に塗布する様子を示している。
【００４５】図４の（ｂ）は、ハケ２０４によって、黒
色の樹脂１０６をガラス基板１０２の裏面及び側面に塗
布する様子を示している。
色の樹脂１０６をガラス基板１０２の裏面及び側面に塗
布する様子を示している。
【００４６】図４の（ｃ）は、印刷法のスクリーン印刷
板２０４を使って黒色樹脂１０６をガラス基板１０２の
裏面に塗布する様子を示している。
板２０４を使って黒色樹脂１０６をガラス基板１０２の
裏面に塗布する様子を示している。
【００４７】複数の基板を１つの共通基台に貼り合わせ
る方法としては、上記のスパッタ法・印刷法・塗装法の
いずれかの方法でガラス基板の裏面及び側面に光吸収層
を設けた後に複数の基板を接着剤などで基台に貼り合わ
せる方法が挙げられる。
る方法としては、上記のスパッタ法・印刷法・塗装法の
いずれかの方法でガラス基板の裏面及び側面に光吸収層
を設けた後に複数の基板を接着剤などで基台に貼り合わ
せる方法が挙げられる。
【００４８】光吸収層が接着剤を兼ねる場合には、基台
表面に光吸収性接着剤を付与した後、その上に複数の基
板を載置して接着剤を硬化させる方法がある。
表面に光吸収性接着剤を付与した後、その上に複数の基
板を載置して接着剤を硬化させる方法がある。
【００４９】次に、本発明に用いられる光電変換素子の
構成について述べる。
構成について述べる。
【００５０】図５（ａ）〜（ｃ）は、ある光センサの構
成を示す図であり、図５（ａ）、（ｂ）は二種類の光セ
ンサの層構成を示し、図５（ｃ）は共通した代表的な駆
動方法を示している。図５（ａ）、（ｂ）共にフォト・
ダイオード型の光センサであり、図５（ａ）はＰＩＮ型
センサ、図５（ｂ）はショットキー型センサと称されて
いる。図５（ａ）、（ｂ）中、２１は絶縁基板、２２は
下部電極、２３はｐ型半導体層（以下ｐ層と記す）、２
４は真性半導体層（以下、ｉ層と記す）、２５はｎ型半
導体層（以下ｎ層と記す）、２６は透明電極である。図
５（ｂ）のショットキー型では下部電極２２の材料を適
当に選び、下部電極２２からｉ層２４に電子が注入され
ないようショットキーバリア層が形成されている。図５
（ｃ）において、１０は上記光センサを記号化して表わ
した光センサを示し、１１は電源、１２は電流アンプ等
の検出部を示している。光センサ１０中Ｃで示された方
向は図５（ａ）、（ｂ）中の透明電極２６側、Ａで示さ
れた方向が下部電極２２側であり、電源１１はＡ側に対
しＣ側に正の電圧が加わる様に設定されている。
成を示す図であり、図５（ａ）、（ｂ）は二種類の光セ
ンサの層構成を示し、図５（ｃ）は共通した代表的な駆
動方法を示している。図５（ａ）、（ｂ）共にフォト・
ダイオード型の光センサであり、図５（ａ）はＰＩＮ型
センサ、図５（ｂ）はショットキー型センサと称されて
いる。図５（ａ）、（ｂ）中、２１は絶縁基板、２２は
下部電極、２３はｐ型半導体層（以下ｐ層と記す）、２
４は真性半導体層（以下、ｉ層と記す）、２５はｎ型半
導体層（以下ｎ層と記す）、２６は透明電極である。図
５（ｂ）のショットキー型では下部電極２２の材料を適
当に選び、下部電極２２からｉ層２４に電子が注入され
ないようショットキーバリア層が形成されている。図５
（ｃ）において、１０は上記光センサを記号化して表わ
した光センサを示し、１１は電源、１２は電流アンプ等
の検出部を示している。光センサ１０中Ｃで示された方
向は図５（ａ）、（ｂ）中の透明電極２６側、Ａで示さ
れた方向が下部電極２２側であり、電源１１はＡ側に対
しＣ側に正の電圧が加わる様に設定されている。
【００５１】ここで動作を簡単に説明する。図５
（ａ）、（ｂ）に示されるように、矢印で示された方向
から光が入射され、ｉ層２４に達すると、光は吸収され
電子とホールが発生する。ｉ層２４には電源１１により
電界が印加されているため電子はＣ側、つまりｎ層２５
を通過して透明電極２６に移動し、ホールはＡ側つまり
下部電極２２に移動する。よって、光センサ１０に光電
流が流れたことになる。また、光が入射しない場合ｉ層
２４で電子もホールも発生せず、また、透明電極内２６
のホールはｎ層２５がホールの注入阻止層として働き、
下部電極２２内の電子は図５（ａ）のＰＩＮ型ではｐ層
２３が、図５（ｂ）のショットキー型ではショットキー
バリア層が、電子の注入阻止層として働き、電子、ホー
ル共に移動できず、電流は流れない。したがって光の入
射の有無で電流が変化し、これを図５（ｃ）の検出部１
２で検出すれば光センサとして動作する。
（ａ）、（ｂ）に示されるように、矢印で示された方向
から光が入射され、ｉ層２４に達すると、光は吸収され
電子とホールが発生する。ｉ層２４には電源１１により
電界が印加されているため電子はＣ側、つまりｎ層２５
を通過して透明電極２６に移動し、ホールはＡ側つまり
下部電極２２に移動する。よって、光センサ１０に光電
流が流れたことになる。また、光が入射しない場合ｉ層
２４で電子もホールも発生せず、また、透明電極内２６
のホールはｎ層２５がホールの注入阻止層として働き、
下部電極２２内の電子は図５（ａ）のＰＩＮ型ではｐ層
２３が、図５（ｂ）のショットキー型ではショットキー
バリア層が、電子の注入阻止層として働き、電子、ホー
ル共に移動できず、電流は流れない。したがって光の入
射の有無で電流が変化し、これを図５（ｃ）の検出部１
２で検出すれば光センサとして動作する。
【００５２】しかしながら、上記光センサでＳＮ比が高
く、低コストの光電変換装置を生産するのは困難であっ
た。以下その理由について説明する。
く、低コストの光電変換装置を生産するのは困難であっ
た。以下その理由について説明する。
【００５３】第一の理由は、図５（ａ）のＰＩＮ型、図
５（ｂ）のショットキー型は、共に２カ所に注入阻止層
が必要なところにある。図５（ａ）のＰＩＮ型において
注入阻止層であるｎ層２５は電子を透明電極２６に導く
と同時にホールがｉ層２４に注入するのを阻止する特性
が必要である。どちらかの特性を逸すれば光電流が低下
したり、光が入射しない時の電流（以下暗電流と記す）
が発生、増加することになりＳＮ比の低下の原因にな
る。この暗電流はそれ自身がノイズと考えられると同時
にショットノイズと呼ばれるゆらぎ、いわゆる量子ノイ
ズを含んでおりたとえ検出部１２で暗電流を差し引く処
理をしても、暗電流に伴う量子ノイズを小さくすること
はできない。通常この特性を向上させるためｉ層２４や
ｎ層２５の成膜の条件や、作成後のアニールの条件の最
適化を図る必要がある。しかし、もう一つの注入阻止層
であるｐ層２３についても電子、ホールが逆ではあるが
同等の特性が必要であり、同様に各条件の最適化が必要
である。通常、前者ｎ層の最適化と後者ｐ層の最適化の
条件は同一でなく、両者の条件を同時に満足させるのは
困難である。つまり、同一光センサ内に二カ所の注入阻
止層が必要なことは高ＳＮ比の光センサの形成を困難に
する。これは図５（ｂ）のショットキー型においても同
様である。
５（ｂ）のショットキー型は、共に２カ所に注入阻止層
が必要なところにある。図５（ａ）のＰＩＮ型において
注入阻止層であるｎ層２５は電子を透明電極２６に導く
と同時にホールがｉ層２４に注入するのを阻止する特性
が必要である。どちらかの特性を逸すれば光電流が低下
したり、光が入射しない時の電流（以下暗電流と記す）
が発生、増加することになりＳＮ比の低下の原因にな
る。この暗電流はそれ自身がノイズと考えられると同時
にショットノイズと呼ばれるゆらぎ、いわゆる量子ノイ
ズを含んでおりたとえ検出部１２で暗電流を差し引く処
理をしても、暗電流に伴う量子ノイズを小さくすること
はできない。通常この特性を向上させるためｉ層２４や
ｎ層２５の成膜の条件や、作成後のアニールの条件の最
適化を図る必要がある。しかし、もう一つの注入阻止層
であるｐ層２３についても電子、ホールが逆ではあるが
同等の特性が必要であり、同様に各条件の最適化が必要
である。通常、前者ｎ層の最適化と後者ｐ層の最適化の
条件は同一でなく、両者の条件を同時に満足させるのは
困難である。つまり、同一光センサ内に二カ所の注入阻
止層が必要なことは高ＳＮ比の光センサの形成を困難に
する。これは図５（ｂ）のショットキー型においても同
様である。
【００５４】また、図５（ｂ）のショットキー型におい
ては、片方の注入阻止層にショットキーバリア層を用い
ているが、これは下部電極２２とｉ層２４の仕事関数の
差を利用するもので、下部電極２２の材料が限定された
り、界面の局在準位の影響が特性に大きく影響し、条件
を満足させるのはさらに困難である。また、さらにショ
ットキーバリア層の特性を向上させるために、下部電極
２２とｉ層２４の間に１００オングストローム前後の薄
いシリコンや金属の酸化膜、窒化膜を形成することも報
告されているが、これはトンネル効果を利用し、ホール
を下部電極２２に導き、電子のｉ層２４への注入を阻止
する効果を向上させるもので、やはり仕事関数の差を利
用しているため下部電極２２の材料の限定は必要である
し、電子の注入の阻止とトンネル効果によるホールの移
動という逆の性質を利用するため酸化膜や窒化膜は１０
０オングストローム前後と非常に薄いところに限定さ
れ、かつ、厚さや膜質の制御は難しく生産性を低下させ
られる。
ては、片方の注入阻止層にショットキーバリア層を用い
ているが、これは下部電極２２とｉ層２４の仕事関数の
差を利用するもので、下部電極２２の材料が限定された
り、界面の局在準位の影響が特性に大きく影響し、条件
を満足させるのはさらに困難である。また、さらにショ
ットキーバリア層の特性を向上させるために、下部電極
２２とｉ層２４の間に１００オングストローム前後の薄
いシリコンや金属の酸化膜、窒化膜を形成することも報
告されているが、これはトンネル効果を利用し、ホール
を下部電極２２に導き、電子のｉ層２４への注入を阻止
する効果を向上させるもので、やはり仕事関数の差を利
用しているため下部電極２２の材料の限定は必要である
し、電子の注入の阻止とトンネル効果によるホールの移
動という逆の性質を利用するため酸化膜や窒化膜は１０
０オングストローム前後と非常に薄いところに限定さ
れ、かつ、厚さや膜質の制御は難しく生産性を低下させ
られる。
【００５５】また、注入阻止層が２カ所必要なことは、
生産性を低下させコストもアップする。これは注入阻止
層が特性上重要な為２か所中１か所でもゴミ等で欠陥が
生じた場合、光センサとしての良好な特性が得られない
からである。
生産性を低下させコストもアップする。これは注入阻止
層が特性上重要な為２か所中１か所でもゴミ等で欠陥が
生じた場合、光センサとしての良好な特性が得られない
からである。
【００５６】第二の理由を図６を用いて説明する。図６
は薄膜の半導体膜で形成した電界効果型トランジスタ
（ＴＦＴ）の層構成を示している。ＴＦＴは光電変換装
置を形成するうえで制御部の一部として利用することが
ある。図中図５と同一なものは同番号で示してある。図
６において、２７はゲート絶縁膜であり、６０は上部電
極である。形成法を順を追って説明する。絶縁基板２１
上にゲート電極（Ｇ）として働く下部電極２２、ゲート
絶縁膜２７、ｉ層２４、ｎ層２５、ソース、ドレイン電
極（Ｓ、Ｄ）として働く上部電極６０を順次成膜し、上
部電極６０をエッチングしてソース、ドレイン電極を形
成し、その後ｎ層２５をエッチングしてチャネル部を構
成している。ＴＦＴの特性はゲート絶縁膜２７とｉ層２
４の界面の状態に敏感で通常その汚染を防ぐために同一
真空内で連続に堆積する。
は薄膜の半導体膜で形成した電界効果型トランジスタ
（ＴＦＴ）の層構成を示している。ＴＦＴは光電変換装
置を形成するうえで制御部の一部として利用することが
ある。図中図５と同一なものは同番号で示してある。図
６において、２７はゲート絶縁膜であり、６０は上部電
極である。形成法を順を追って説明する。絶縁基板２１
上にゲート電極（Ｇ）として働く下部電極２２、ゲート
絶縁膜２７、ｉ層２４、ｎ層２５、ソース、ドレイン電
極（Ｓ、Ｄ）として働く上部電極６０を順次成膜し、上
部電極６０をエッチングしてソース、ドレイン電極を形
成し、その後ｎ層２５をエッチングしてチャネル部を構
成している。ＴＦＴの特性はゲート絶縁膜２７とｉ層２
４の界面の状態に敏感で通常その汚染を防ぐために同一
真空内で連続に堆積する。
【００５７】従来の光センサをこのＴＦＴと同一基板上
に形成する場合、この層構成が問題となりコストアップ
や特性の低下を招く。この理由は図５に示した従来の光
センサの構成が、図５（ａ）のＰＩＮ型が電極／ｐ層／
ｉ層／ｎ層／電極、図５（ｂ）のショットキー型が電極
／ｉ層／ｎ層／電極という構成であるのに対し、ＴＦＴ
は電極／絶縁層／ｉ層／ｎ層／電極という構成で両者が
異なるからである。これは同一プロセスで形成できない
ことを示し、プロセスの複雑化による歩留まりの低下、
コストアップを招く。また、ｉ層／ｎ層を共通化するに
はゲート絶縁膜２７やｐ層２３のエッチング工程が必要
となり、先に述べた光センサの重要な層である注入阻止
層のｐ層２３とｉ層２４が同一真空内で成膜できなかっ
たり、ＴＦＴの重要なゲート絶縁膜２７とｉ層２４の界
面がゲート絶縁膜のエッチングにより汚染され、特性の
劣化やＳＮ比の低下の原因になる。
に形成する場合、この層構成が問題となりコストアップ
や特性の低下を招く。この理由は図５に示した従来の光
センサの構成が、図５（ａ）のＰＩＮ型が電極／ｐ層／
ｉ層／ｎ層／電極、図５（ｂ）のショットキー型が電極
／ｉ層／ｎ層／電極という構成であるのに対し、ＴＦＴ
は電極／絶縁層／ｉ層／ｎ層／電極という構成で両者が
異なるからである。これは同一プロセスで形成できない
ことを示し、プロセスの複雑化による歩留まりの低下、
コストアップを招く。また、ｉ層／ｎ層を共通化するに
はゲート絶縁膜２７やｐ層２３のエッチング工程が必要
となり、先に述べた光センサの重要な層である注入阻止
層のｐ層２３とｉ層２４が同一真空内で成膜できなかっ
たり、ＴＦＴの重要なゲート絶縁膜２７とｉ層２４の界
面がゲート絶縁膜のエッチングにより汚染され、特性の
劣化やＳＮ比の低下の原因になる。
【００５８】また、前述した図５（ｂ）のショットキー
型の特性を改善するため下部電極２２とｉ層２４の間に
酸化膜や窒化膜を形成したものは膜構成の順は同一であ
るが先に述べたように酸化膜や窒化膜は１００オングス
トローム前後である必要がありゲート絶縁膜と共用する
ことは困難である。図７にゲート絶縁膜とＴＦＴの歩留
まりについて、我々が実験した結果を示す。ゲート絶縁
膜厚が１０００オングストローム以下で歩留まりは急激
に低下し、８００オングストロームで歩留まりは約３０
％、５００オングストロームで歩留まりは０％、２５０
オングストロームではＴＦＴの動作すら確認できなかっ
た。トンネル効果を利用した光センサの酸化膜や窒化膜
と、電子やホールを絶縁しなければならないＴＦＴのゲ
ート絶縁膜を共用化することは明らかに困難であり、こ
れをデータが示している。
型の特性を改善するため下部電極２２とｉ層２４の間に
酸化膜や窒化膜を形成したものは膜構成の順は同一であ
るが先に述べたように酸化膜や窒化膜は１００オングス
トローム前後である必要がありゲート絶縁膜と共用する
ことは困難である。図７にゲート絶縁膜とＴＦＴの歩留
まりについて、我々が実験した結果を示す。ゲート絶縁
膜厚が１０００オングストローム以下で歩留まりは急激
に低下し、８００オングストロームで歩留まりは約３０
％、５００オングストロームで歩留まりは０％、２５０
オングストロームではＴＦＴの動作すら確認できなかっ
た。トンネル効果を利用した光センサの酸化膜や窒化膜
と、電子やホールを絶縁しなければならないＴＦＴのゲ
ート絶縁膜を共用化することは明らかに困難であり、こ
れをデータが示している。
【００５９】またさらに、図示していないが電荷や電流
の積分値を得るのに必要となる素子である容量素子（以
下コンデンサと記す）を従来の光センサと同一の構成で
リークが少ない良好な特性のものを作るのは難しい。コ
ンデンサは２つの電極間に電荷を蓄積するのが目的なた
め電極間の中間層には必ず電子とホールの移動を阻止す
る層が必要であるのに対し、従来の光センサは電極間に
半導体層のみ利用しているため熱的にリークの少ない良
好な特性の中間層を得るのは難しいからである。
の積分値を得るのに必要となる素子である容量素子（以
下コンデンサと記す）を従来の光センサと同一の構成で
リークが少ない良好な特性のものを作るのは難しい。コ
ンデンサは２つの電極間に電荷を蓄積するのが目的なた
め電極間の中間層には必ず電子とホールの移動を阻止す
る層が必要であるのに対し、従来の光センサは電極間に
半導体層のみ利用しているため熱的にリークの少ない良
好な特性の中間層を得るのは難しいからである。
【００６０】このように光電変換装置を構成するうえで
重要な素子であるＴＦＴやコンデンサとプロセス的にま
たは特性的にマッチングが良くないことは複数の光セン
サを二次元に多数配置し、この光信号を順次検出するよ
うなシステム全体を構成するうえで工程が多くかつ複雑
になるため歩留まりが非常に悪く、低コストで高性能多
機能な装置を作るうえで重大な問題になる。
重要な素子であるＴＦＴやコンデンサとプロセス的にま
たは特性的にマッチングが良くないことは複数の光セン
サを二次元に多数配置し、この光信号を順次検出するよ
うなシステム全体を構成するうえで工程が多くかつ複雑
になるため歩留まりが非常に悪く、低コストで高性能多
機能な装置を作るうえで重大な問題になる。
【００６１】以下に述べる光電変換装置は、こうした問
題を解決できるものであり、本発明に好適に用いられ
る。
題を解決できるものであり、本発明に好適に用いられ
る。
【００６２】図１１は、本発明に用いられる光電変換装
置を示す全体回路図、図９（ａ）はその光電変換装置の
１画素に相当する各構成素子の平面図、図９（ｂ）は図
９（ａ）のＡ−Ｂ線断面図である。
置を示す全体回路図、図９（ａ）はその光電変換装置の
１画素に相当する各構成素子の平面図、図９（ｂ）は図
９（ａ）のＡ−Ｂ線断面図である。
【００６３】図８において、Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変換
素子で下部電極側をＧ、上部電極側をＤで示している。
Ｃ１１〜Ｃ３３は蓄積用コンデンサ、Ｔ１１〜Ｔ３３は
転送用ＴＦＴである。Ｖｓは読み出し用電源、Ｖｇはリ
フレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷｓ、Ｓ
Ｗｇを介して全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極に
接続されている。スイッチＳＷｓはインバータを介し
て、スイッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦ
に接続されており、リフレッシュ期間はスイッチＳＷｇ
がｏｎするよう制御されている。１画素は１個の光電変
換素子とコンデンサ、およびＴＦＴで構成され、その信
号出力は信号配線ＳＩＧにより検出用集積回路ＩＣに接
続されている。以前我々が提案した光電変換装置は計９
個の画素を３つのブロックに分け１ブロックあたり３画
素の出力を同時に転送しこの信号配線ＳＩＧを通して検
出用集積回路ＩＣによって順次出力に変換され出力され
る（Ｖｏｕｔ）。また１ブロック内の３画素を横方向に
配置し、３ブロックを順に縦に配置することにより各画
素を二次元的に配置している。
素子で下部電極側をＧ、上部電極側をＤで示している。
Ｃ１１〜Ｃ３３は蓄積用コンデンサ、Ｔ１１〜Ｔ３３は
転送用ＴＦＴである。Ｖｓは読み出し用電源、Ｖｇはリ
フレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷｓ、Ｓ
Ｗｇを介して全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極に
接続されている。スイッチＳＷｓはインバータを介し
て、スイッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦ
に接続されており、リフレッシュ期間はスイッチＳＷｇ
がｏｎするよう制御されている。１画素は１個の光電変
換素子とコンデンサ、およびＴＦＴで構成され、その信
号出力は信号配線ＳＩＧにより検出用集積回路ＩＣに接
続されている。以前我々が提案した光電変換装置は計９
個の画素を３つのブロックに分け１ブロックあたり３画
素の出力を同時に転送しこの信号配線ＳＩＧを通して検
出用集積回路ＩＣによって順次出力に変換され出力され
る（Ｖｏｕｔ）。また１ブロック内の３画素を横方向に
配置し、３ブロックを順に縦に配置することにより各画
素を二次元的に配置している。
【００６４】図中破線で囲んだ部分は大面積の同一絶縁
基板上に形成されているが、このうち第１画素に相当す
る部分の平面図を図９（ａ）に示す。また図（ａ）の破
線Ａ−Ｂで示した部分の断面図を図９（ｂ）に示す。Ｓ
１１は光電変換素子、Ｔ１１はＴＦＴ、Ｃ１１はコンデ
ンサ、およびＳＩＧは信号配線である。以前我々が提案
した光電変換装置においてはコンデンサＣ１１と光電変
換素子Ｓ１１は特別に素子を分離しておらず、光電変換
素子Ｓ１１の電極の面積を大きくすることによりコンデ
ンサＣ１１を形成している。これは光電変換素子とコン
デンサが同じ層構成であるから可能なことで以前我々が
提案した光電変換装置の特徴でもある。また、画素上部
にはパッシベーション用窒化シリコン膜ＳｉＮとヨウ化
セシウム等の蛍光体ＣｓＩが形成されている。上方より
Ｘ線（Ｘ−ｒａｙ）が入射すると蛍光体ＣｓＩにより光
（破線矢印）に変換され、この光が光電変換素子に入射
される。蛍光体はこのようにある波長の光を受光して別
の波長の光を発する光変換体として機能する。
基板上に形成されているが、このうち第１画素に相当す
る部分の平面図を図９（ａ）に示す。また図（ａ）の破
線Ａ−Ｂで示した部分の断面図を図９（ｂ）に示す。Ｓ
１１は光電変換素子、Ｔ１１はＴＦＴ、Ｃ１１はコンデ
ンサ、およびＳＩＧは信号配線である。以前我々が提案
した光電変換装置においてはコンデンサＣ１１と光電変
換素子Ｓ１１は特別に素子を分離しておらず、光電変換
素子Ｓ１１の電極の面積を大きくすることによりコンデ
ンサＣ１１を形成している。これは光電変換素子とコン
デンサが同じ層構成であるから可能なことで以前我々が
提案した光電変換装置の特徴でもある。また、画素上部
にはパッシベーション用窒化シリコン膜ＳｉＮとヨウ化
セシウム等の蛍光体ＣｓＩが形成されている。上方より
Ｘ線（Ｘ−ｒａｙ）が入射すると蛍光体ＣｓＩにより光
（破線矢印）に変換され、この光が光電変換素子に入射
される。蛍光体はこのようにある波長の光を受光して別
の波長の光を発する光変換体として機能する。
【００６５】次に図８と図１０を参照して光電変換装置
の動作について説明する。図１０は図８の装置の動作を
示すタイミングチャートである。
の動作について説明する。図１０は図８の装置の動作を
示すタイミングチャートである。
【００６６】はじめにシフトレジスタＳＲ１およびＳＲ
２により制御配線ｇ１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ２にＨｉが印加
される。すると転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３とスイッ
チＭ１〜Ｍ３がｏｎし導通し、全光電変換素子Ｓ１１〜
Ｓ３３のＤ電極はＧＮＤ電位になる（積分検出器Ａｍｐ
の入力端子はＧＮＤ電位に設計されているため）。同時
にリフレッシュ制御回路ＲＦがＨｉを出力しスイッチＳ
Ｗｇがｏｎし全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極は
リフレッシュ用電源Ｖｇにより正電位になる。すると全
光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３はリフレッシュモードにな
りリフレッシュされる。つぎにリフレッシュ制御回路Ｒ
ＦがＬｏを出力しスイッチＳＷｓがｏｎし全光電変換素
子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極は読み取り用電源Ｖｓにより
負電位になる。すると全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３は
光電変換モードになり同時にコンデンサＣ１１〜Ｃ３３
は初期化される。この状態でシフトレジスタＳＲ１およ
びＳＲ２により制御配線ｇ１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ２にＬｏ
が印加される。すると転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３の
スイッチＭ１〜Ｍ３がｏｆｆし、全光電変換素子Ｓ１１
〜Ｓ３３のＤ電極はＤＣ的にはオープンになるがコンデ
ンサＣ１１〜Ｃ３３によって電位は保持される。しかし
この時点ではＸ線は入射されていないため全光電変換素
子Ｓ１１〜Ｓ３３には光は入射されず光電流は流れな
い。この状態でＸ線がパルス的に出射され人体等を通過
し蛍光体ＣｓＩに入射すると光に変換され、その光がそ
れぞれの光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に入射する。この
光は人体等の内部構造の情報が含まれている。この光に
より流れた光電流は電荷としてそれぞれのコンデンサＣ
１１〜Ｃ３３に蓄積されＸ線の入射終了後も保持され
る。つぎにシフトレジスタＳＲ１により制御配線ｇ１に
Ｈｉの制御パルスが印加され、シフトレジスタＳＲ２の
制御配線ｓ１〜ｓ３への制御パルス印加によって転送用
ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３のスイッチＭ１〜Ｍ３を通して
ｖ１〜ｖ３が順次出力される。同様にシフトレジスタＳ
Ｒ１、ＳＲ２の制御により他の光信号も順次出力され
る。これにより人体等の内部構造の二次元情報がｖ１〜
ｖ９として得られる。静止画像を得る場合はここまでの
動作であるが動画像を得る場合はここまでの動作を繰り
返す。
２により制御配線ｇ１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ２にＨｉが印加
される。すると転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３とスイッ
チＭ１〜Ｍ３がｏｎし導通し、全光電変換素子Ｓ１１〜
Ｓ３３のＤ電極はＧＮＤ電位になる（積分検出器Ａｍｐ
の入力端子はＧＮＤ電位に設計されているため）。同時
にリフレッシュ制御回路ＲＦがＨｉを出力しスイッチＳ
Ｗｇがｏｎし全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極は
リフレッシュ用電源Ｖｇにより正電位になる。すると全
光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３はリフレッシュモードにな
りリフレッシュされる。つぎにリフレッシュ制御回路Ｒ
ＦがＬｏを出力しスイッチＳＷｓがｏｎし全光電変換素
子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極は読み取り用電源Ｖｓにより
負電位になる。すると全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３は
光電変換モードになり同時にコンデンサＣ１１〜Ｃ３３
は初期化される。この状態でシフトレジスタＳＲ１およ
びＳＲ２により制御配線ｇ１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ２にＬｏ
が印加される。すると転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３の
スイッチＭ１〜Ｍ３がｏｆｆし、全光電変換素子Ｓ１１
〜Ｓ３３のＤ電極はＤＣ的にはオープンになるがコンデ
ンサＣ１１〜Ｃ３３によって電位は保持される。しかし
この時点ではＸ線は入射されていないため全光電変換素
子Ｓ１１〜Ｓ３３には光は入射されず光電流は流れな
い。この状態でＸ線がパルス的に出射され人体等を通過
し蛍光体ＣｓＩに入射すると光に変換され、その光がそ
れぞれの光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に入射する。この
光は人体等の内部構造の情報が含まれている。この光に
より流れた光電流は電荷としてそれぞれのコンデンサＣ
１１〜Ｃ３３に蓄積されＸ線の入射終了後も保持され
る。つぎにシフトレジスタＳＲ１により制御配線ｇ１に
Ｈｉの制御パルスが印加され、シフトレジスタＳＲ２の
制御配線ｓ１〜ｓ３への制御パルス印加によって転送用
ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３のスイッチＭ１〜Ｍ３を通して
ｖ１〜ｖ３が順次出力される。同様にシフトレジスタＳ
Ｒ１、ＳＲ２の制御により他の光信号も順次出力され
る。これにより人体等の内部構造の二次元情報がｖ１〜
ｖ９として得られる。静止画像を得る場合はここまでの
動作であるが動画像を得る場合はここまでの動作を繰り
返す。
【００６７】この光電変換装置では光電変換素子のＧ電
極が共通に接続され、この共通の配線をスイッチＳＷｇ
とスイッチＳＷｓを介してリフレッシュ用電源Ｖｇと読
み取り用電源Ｖｓの電位に制御している為、全光電変換
素子を同時にリフレッシュモードと光電変換モードとに
切り換えることができる。このため複雑な制御なくして
１画素あたり１個のＴＦＴで光出力を得ることができ
る。
極が共通に接続され、この共通の配線をスイッチＳＷｇ
とスイッチＳＷｓを介してリフレッシュ用電源Ｖｇと読
み取り用電源Ｖｓの電位に制御している為、全光電変換
素子を同時にリフレッシュモードと光電変換モードとに
切り換えることができる。このため複雑な制御なくして
１画素あたり１個のＴＦＴで光出力を得ることができ
る。
【００６８】９個の画素を３×３に二次元配置し３画素
ずつ同時に、３回に分割して転送・出力したがこれに限
らず、例えば縦横１ｍｍあたり５×５個の画素を２００
０×２０００個の画素として二次元的に配置すれば４０
ｃｍ×４０ｃｍのＸ線検出器が得られる。これをＸ線フ
ィルムの代わりにＸ線発生器と組み合わせＸ線レントゲ
ン装置を構成すれば胸部レントゲン検診や乳ガン検診に
使用できる。するとフィルムと異なり瞬時にその出力を
ＣＲＴで写し出すことが可能で、さらに出力をディジタ
ルに変換しコンピュータで画像処理して目的に合わせた
出力に変換することも可能である。また光磁気ディスク
に保管もでき、過去の画像を瞬時に検索することもでき
る。また感度もフィルムより良く人体に影響の少ない微
弱なＸ線で鮮明な画像を得ることもできる。
ずつ同時に、３回に分割して転送・出力したがこれに限
らず、例えば縦横１ｍｍあたり５×５個の画素を２００
０×２０００個の画素として二次元的に配置すれば４０
ｃｍ×４０ｃｍのＸ線検出器が得られる。これをＸ線フ
ィルムの代わりにＸ線発生器と組み合わせＸ線レントゲ
ン装置を構成すれば胸部レントゲン検診や乳ガン検診に
使用できる。するとフィルムと異なり瞬時にその出力を
ＣＲＴで写し出すことが可能で、さらに出力をディジタ
ルに変換しコンピュータで画像処理して目的に合わせた
出力に変換することも可能である。また光磁気ディスク
に保管もでき、過去の画像を瞬時に検索することもでき
る。また感度もフィルムより良く人体に影響の少ない微
弱なＸ線で鮮明な画像を得ることもできる。
【００６９】図１１、図１２に２０００×２０００個の
画素を持つ光電変換装置の実装を示す平面図を示す。２
０００×２０００個の検出器を構成する場合、図８で示
した破線内の素子を縦・横に数を増せばよいが、この場
合制御配線もｇ１〜ｇ２０００と２０００本になり信号
配線ＳＩＧもｓｉｇ１〜ｓｉｇ２０００と２０００本に
なる。またシフトレジスタＳＲ１や検出用集積回路ＩＣ
も２０００本の制御・処理をしなければならず大規模と
なる。これをそれぞれ１チップの素子で行うことは１チ
ップが非常に大きくなり製造時の歩留まりや価格等で不
利である。そこで、シフトレジスタＳＲ１は例えば１０
０段ごと１個のチップに形成し、２０個（ＳＲ１−１〜
ＳＲ１−２０）を使用すれば良い。また検出用集積回路
も１００個の処理回路ごと１個のチップに形成し、２０
個（ＩＣ１〜ＩＣ２０）を使用する。
画素を持つ光電変換装置の実装を示す平面図を示す。２
０００×２０００個の検出器を構成する場合、図８で示
した破線内の素子を縦・横に数を増せばよいが、この場
合制御配線もｇ１〜ｇ２０００と２０００本になり信号
配線ＳＩＧもｓｉｇ１〜ｓｉｇ２０００と２０００本に
なる。またシフトレジスタＳＲ１や検出用集積回路ＩＣ
も２０００本の制御・処理をしなければならず大規模と
なる。これをそれぞれ１チップの素子で行うことは１チ
ップが非常に大きくなり製造時の歩留まりや価格等で不
利である。そこで、シフトレジスタＳＲ１は例えば１０
０段ごと１個のチップに形成し、２０個（ＳＲ１−１〜
ＳＲ１−２０）を使用すれば良い。また検出用集積回路
も１００個の処理回路ごと１個のチップに形成し、２０
個（ＩＣ１〜ＩＣ２０）を使用する。
【００７０】図１１には左側（Ｌ）に２０チップ（ＳＲ
１−１〜ＳＲ１−２０）と下側（Ｄ）に２０チップ実装
し、１チップあたり１００本の制御配線、信号配線を各
々ワイヤーボンディングでチップと接線している。外部
への接続は省略している。また、ＳＷｇ、ＳＷｓ、Ｖ
ｇ、Ｖｓ、ＲＦ等も省略している。検出集積回路ＩＣ１
〜ＩＣ２０からは２０本の出力（Ｖｏｕｔ）があるが、
これらはスイッチ等を介して１本にまとめたり、２０本
をそのまま出力し並列処理すればよい。そして、光電変
換素子は４つの基板１−１、１−２、１−３、１−４上
に形成され、この４つの基板が１つの共通の基台２上に
貼り合わされている。
１−１〜ＳＲ１−２０）と下側（Ｄ）に２０チップ実装
し、１チップあたり１００本の制御配線、信号配線を各
々ワイヤーボンディングでチップと接線している。外部
への接続は省略している。また、ＳＷｇ、ＳＷｓ、Ｖ
ｇ、Ｖｓ、ＲＦ等も省略している。検出集積回路ＩＣ１
〜ＩＣ２０からは２０本の出力（Ｖｏｕｔ）があるが、
これらはスイッチ等を介して１本にまとめたり、２０本
をそのまま出力し並列処理すればよい。そして、光電変
換素子は４つの基板１−１、１−２、１−３、１−４上
に形成され、この４つの基板が１つの共通の基台２上に
貼り合わされている。
【００７１】図１２には別の例を示す。左側（Ｌ）に１
０チップ（ＳＲ１−１〜ＳＲ１−１０）と右側（Ｒ）に
１０チップ（ＳＲ１−１１〜ＳＲ１−２０）と上側
（Ｕ）に１０チップ（ＩＣ１〜１０）、下側（Ｄ）に１
０チップ（ＩＣ１１〜２０）を実装している。この構成
は上・下・左・右側（Ｕ、Ｄ、Ｌ、Ｒ）にそれぞれ各配
線を１０００本ずつに振り分けているため、各辺の配線
の密度が小さくなり、また各辺のワイヤーボンディング
の密度も小さく、歩留まりが向上する。配線の振り分け
は左側（Ｌ）にｇ１，ｇ３，ｇ５，…，ｇ１９９９，右
側（Ｒ）にｇ２，ｇ４，ｇ６，…，ｇ２０００とし、つ
まり奇数番目の制御線を左側（Ｌ）、偶数番目の制御線
を右側（Ｒ）に振り分ける。こうすると各配線は等間隔
に引き出され配線されるので密度の集中なく歩留まりが
向上する。また、上側（Ｕ）下側（Ｄ）への配線も同様
に振り分ければよい。また、図示していないが別の例と
して配線の振り分けは左側（Ｌ）にｇ１〜ｇ１００，ｇ
２０１〜ｇ３００，…，ｇ１８０１〜ｇ１９００、右側
（Ｒ）にｇ１０１〜ｇ２００，ｇ３０１〜ｇ４００，
…，ｇ１９０１〜ｇ２０００を振り分け、つまり、１チ
ップごと連続な制御線を振り分け、これを左・右側（Ｌ
・Ｒ）交互に振り分ける。こうすると、１チップ内は連
続に制御でき、駆動タイミングが楽で回路を複雑にしな
くてよく安価なものが使用できる上・下側（Ｕ・Ｄ）に
ついても同様で、連続な処理が可能で安価な回路が使用
できる。この装置も光電変換素子は４つの基板１−１、
１−２、１−３、１−４上に形成され、この４つの基板
が１つの共通の基台２上に貼り合わされている。
０チップ（ＳＲ１−１〜ＳＲ１−１０）と右側（Ｒ）に
１０チップ（ＳＲ１−１１〜ＳＲ１−２０）と上側
（Ｕ）に１０チップ（ＩＣ１〜１０）、下側（Ｄ）に１
０チップ（ＩＣ１１〜２０）を実装している。この構成
は上・下・左・右側（Ｕ、Ｄ、Ｌ、Ｒ）にそれぞれ各配
線を１０００本ずつに振り分けているため、各辺の配線
の密度が小さくなり、また各辺のワイヤーボンディング
の密度も小さく、歩留まりが向上する。配線の振り分け
は左側（Ｌ）にｇ１，ｇ３，ｇ５，…，ｇ１９９９，右
側（Ｒ）にｇ２，ｇ４，ｇ６，…，ｇ２０００とし、つ
まり奇数番目の制御線を左側（Ｌ）、偶数番目の制御線
を右側（Ｒ）に振り分ける。こうすると各配線は等間隔
に引き出され配線されるので密度の集中なく歩留まりが
向上する。また、上側（Ｕ）下側（Ｄ）への配線も同様
に振り分ければよい。また、図示していないが別の例と
して配線の振り分けは左側（Ｌ）にｇ１〜ｇ１００，ｇ
２０１〜ｇ３００，…，ｇ１８０１〜ｇ１９００、右側
（Ｒ）にｇ１０１〜ｇ２００，ｇ３０１〜ｇ４００，
…，ｇ１９０１〜ｇ２０００を振り分け、つまり、１チ
ップごと連続な制御線を振り分け、これを左・右側（Ｌ
・Ｒ）交互に振り分ける。こうすると、１チップ内は連
続に制御でき、駆動タイミングが楽で回路を複雑にしな
くてよく安価なものが使用できる上・下側（Ｕ・Ｄ）に
ついても同様で、連続な処理が可能で安価な回路が使用
できる。この装置も光電変換素子は４つの基板１−１、
１−２、１−３、１−４上に形成され、この４つの基板
が１つの共通の基台２上に貼り合わされている。
【００７２】また図１１、図１２共にそれぞれ４枚の基
板上に図８の破線部の回路を形成した後、その基板上に
チップを実装してもよいし、基台２上に４つの回路基板
１−１〜１−４とチップを実装してもよい。また、チッ
プをフレキシブル基板上に実装して破線部の回路基板に
張り付け接線してもよい。
板上に図８の破線部の回路を形成した後、その基板上に
チップを実装してもよいし、基台２上に４つの回路基板
１−１〜１−４とチップを実装してもよい。また、チッ
プをフレキシブル基板上に実装して破線部の回路基板に
張り付け接線してもよい。
【００７３】またこのような非常に多くの画素をもつ大
面積の光電変換装置は従来の光センサを用いた複雑な工
程では不可能であったが、図８〜図１０の光電変換装置
の工程は各素子を共通な膜で同時に形成しているため工
程数が少なく、簡易的な工程ですむため高歩留まりが可
能で低コストで大面積・高性能の光電変換装置の生産を
可能としている。また、コンデンサと光電変換素子とが
同じ素子内で構成でき、実質上素子を半減することが可
能でさらに歩留まりを向上できる。
面積の光電変換装置は従来の光センサを用いた複雑な工
程では不可能であったが、図８〜図１０の光電変換装置
の工程は各素子を共通な膜で同時に形成しているため工
程数が少なく、簡易的な工程ですむため高歩留まりが可
能で低コストで大面積・高性能の光電変換装置の生産を
可能としている。また、コンデンサと光電変換素子とが
同じ素子内で構成でき、実質上素子を半減することが可
能でさらに歩留まりを向上できる。
【００７４】以上説明した光電変換装置によれば光電変
換装置内の光電変換素子は注入素子層が一カ所のみで光
の入射量を検出することができ、プロセスの最適化が容
易で、歩留まりの向上が図れ、製造コストの低減が可能
で、ＳＮ比の高い低コストの光電変換装置を提供するこ
とができる効果がある。また、第一の電極層／絶縁層／
光電変換半導体層においてトンネル効果や、ショットキ
ーバリアを利用していないため、電極材料は自由に選択
でき、絶縁層の厚さやその他の制御も自由度が高い。
換装置内の光電変換素子は注入素子層が一カ所のみで光
の入射量を検出することができ、プロセスの最適化が容
易で、歩留まりの向上が図れ、製造コストの低減が可能
で、ＳＮ比の高い低コストの光電変換装置を提供するこ
とができる効果がある。また、第一の電極層／絶縁層／
光電変換半導体層においてトンネル効果や、ショットキ
ーバリアを利用していないため、電極材料は自由に選択
でき、絶縁層の厚さやその他の制御も自由度が高い。
【００７５】また同時に形成する薄膜電解効果トランジ
スタ（ＴＦＴ）等のスイッチ素子または／および容量素
子とはマッチングが良く、同一膜構成のため共通な膜と
して同時に形成可能でかつ光電変換素子、ＴＦＴ共に重
要な膜構成は同一真空内で同時に形成可能であり、さら
に光電変換装置を高ＳＮ化、低コスト化することができ
る効果がある。またコンデンサも中間層に絶縁層を含ん
でおり良好な特性で形成でき複数の光電変換素子で得ら
れた光情報の積分値を簡単な構成で出力できる高機能の
光電変換装置が提供できる効果がある。また低コストで
大面積・高機能・高特性のファクシミリやＸ線レントゲ
ン装置を提供できるという効果もある。
スタ（ＴＦＴ）等のスイッチ素子または／および容量素
子とはマッチングが良く、同一膜構成のため共通な膜と
して同時に形成可能でかつ光電変換素子、ＴＦＴ共に重
要な膜構成は同一真空内で同時に形成可能であり、さら
に光電変換装置を高ＳＮ化、低コスト化することができ
る効果がある。またコンデンサも中間層に絶縁層を含ん
でおり良好な特性で形成でき複数の光電変換素子で得ら
れた光情報の積分値を簡単な構成で出力できる高機能の
光電変換装置が提供できる効果がある。また低コストで
大面積・高機能・高特性のファクシミリやＸ線レントゲ
ン装置を提供できるという効果もある。
【００７６】上述した本発明の光電変換装置と蛍光体と
Ｘ線源を備え、人体等を透過したＸ線を本発明の光電変
換装置で画像信号に変換するＸ線撮像装置の実施例を説
明するための模式図を、図１３に示す。
Ｘ線源を備え、人体等を透過したＸ線を本発明の光電変
換装置で画像信号に変換するＸ線撮像装置の実施例を説
明するための模式図を、図１３に示す。
【００７７】３１はＸ線源、３２は被写体、３３は被写
体から発生する散乱線を除去するためのグリッド、３４
は蛍光体、３５は基台、３６は本発明になる光電変換装
置である。
体から発生する散乱線を除去するためのグリッド、３４
は蛍光体、３５は基台、３６は本発明になる光電変換装
置である。
【００７８】Ｘ線源から発生したＸ線を被写体に当て、
透過するＸ線をセンサユニットで受ける。この時被写体
から発生する散乱線は、グリッドで取り除かれる。
透過するＸ線をセンサユニットで受ける。この時被写体
から発生する散乱線は、グリッドで取り除かれる。
【００７９】センサユニットに入った透過Ｘ線は、蛍光
体に吸収され、可視光に変換される。光電変換装置内で
画像信号として取り込まれ、外部の信号処理部（不図
示）で処理される。このとき本発明になる光電変換装置
を用いることにより、光電変換装置の基板に入った光は
基板裏面及び／又は端面の光吸収層で吸収され、解像度
の低下を、招くような現象は何等見られなかった。その
結果従来の光電変換装置を用いた場合に較べ、解像度の
優れたＸ線画像を得ることができた。
体に吸収され、可視光に変換される。光電変換装置内で
画像信号として取り込まれ、外部の信号処理部（不図
示）で処理される。このとき本発明になる光電変換装置
を用いることにより、光電変換装置の基板に入った光は
基板裏面及び／又は端面の光吸収層で吸収され、解像度
の低下を、招くような現象は何等見られなかった。その
結果従来の光電変換装置を用いた場合に較べ、解像度の
優れたＸ線画像を得ることができた。
【００８０】［第１の参考例］ 図１４の（ａ）は、本発明の第１の参考例に係わる光電
変換装置を説明する為の図である。
変換装置を説明する為の図である。
【００８１】光電変換素子４を搭載するガラス基板１
を、基台２上に図１４の（ｂ）に示すように、黒色接着
剤３を印刷法にて、前記ガラス基板１を貼り合わせる位
置（４ケ所）に塗布し、更にその上に図１４の（ａ）に
示すように、光電変換素子４を有する面の反対の面を貼
り合わせる。
を、基台２上に図１４の（ｂ）に示すように、黒色接着
剤３を印刷法にて、前記ガラス基板１を貼り合わせる位
置（４ケ所）に塗布し、更にその上に図１４の（ａ）に
示すように、光電変換素子４を有する面の反対の面を貼
り合わせる。
【００８２】この例では光吸収層である黒色接着剤３
は、基板１の裏面にのみ配されている。これは、基板１
の端面からの不要な光の入射が無視し得る場合に有効な
構成である。
は、基板１の裏面にのみ配されている。これは、基板１
の端面からの不要な光の入射が無視し得る場合に有効な
構成である。
【００８３】［第２の参考例］ 図１５の（ａ）は、本発明の第２の参考例に係わる光電
変換装置を説明する為の図である。
変換装置を説明する為の図である。
【００８４】光電変換素子４を搭載するガラス基板１
を、基台２上に、図１５の（ｂ）に示すように、接着剤
３をディスペンサにて前記ガラス基板１を貼り合わせる
位置に塗布し、更にその上に図１５の（ａ）に示すよう
に光電変換素子４面の反対の面を貼り合わせる。
を、基台２上に、図１５の（ｂ）に示すように、接着剤
３をディスペンサにて前記ガラス基板１を貼り合わせる
位置に塗布し、更にその上に図１５の（ａ）に示すよう
に光電変換素子４面の反対の面を貼り合わせる。
【００８５】光吸収層５は貼り合わせ前に、ガラス基板
１０２の裏面及び側面に付与しておく。
１０２の裏面及び側面に付与しておく。
【００８６】この装置は、基板１の端面に光吸収層５が
配されている為に、基板１の端面に不要な光が入射する
ことを防止できる。
配されている為に、基板１の端面に不要な光が入射する
ことを防止できる。
【００８７】［第１の実施形態］ 図１６は、本発明による光電変換装置の実施形態を示す
全体平面図であり、図１７は、図１６の断面構成を示す
模式断面図である。
全体平面図であり、図１７は、図１６の断面構成を示す
模式断面図である。
【００８８】図１６及び図１７において、光電変換素子
を搭載した基板１−１，１−２，１−３，１−４の４枚
を隙間間隔をあけて基台２に貼り合わせることにより１
つの大きな光電変換装置を構成している。
を搭載した基板１−１，１−２，１−３，１−４の４枚
を隙間間隔をあけて基台２に貼り合わせることにより１
つの大きな光電変換装置を構成している。
【００８９】光電変換装置１は、ａ−Ｓｉに代表される
光電変換半導体材料を用いた光電変換素子及び薄膜電界
効果型トランジスタを大面積の基板に形成し、情報源と
等倍の光学系で読み取るいわゆる密着型センサとなって
いる。これは、複数の素子を二次元的に等間隔で配置
し、光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に形
成した基板である。
光電変換半導体材料を用いた光電変換素子及び薄膜電界
効果型トランジスタを大面積の基板に形成し、情報源と
等倍の光学系で読み取るいわゆる密着型センサとなって
いる。これは、複数の素子を二次元的に等間隔で配置
し、光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に形
成した基板である。
【００９０】図１６及び図１７に示すように、４枚の基
板上に光電変換素子を製作し、その４枚の光電変換基板
を、隙間をあけて、基台２上に密着剤３を貼り合わせ、
光電変換基板の上面に蛍光体層４を設けて、大面積の光
電変換装置を構成している。
板上に光電変換素子を製作し、その４枚の光電変換基板
を、隙間をあけて、基台２上に密着剤３を貼り合わせ、
光電変換基板の上面に蛍光体層４を設けて、大面積の光
電変換装置を構成している。
【００９１】また、基板の裏面および端部および光電変
換基板を基台に貼り合わせて隙間に、蛍光体層４で発光
した光の波長に近似する波長を吸収し反射させない、即
ち所定の光を吸収し反射する波長を制御する反射防止膜
（光吸収層）５を設けたことにより、光電変換装置の解
像度等の光学特性を改良することが可能となった。
換基板を基台に貼り合わせて隙間に、蛍光体層４で発光
した光の波長に近似する波長を吸収し反射させない、即
ち所定の光を吸収し反射する波長を制御する反射防止膜
（光吸収層）５を設けたことにより、光電変換装置の解
像度等の光学特性を改良することが可能となった。
【００９２】これは、例えば、前記蛍光体層での発光し
た光の波長のピークが５４０ｎｍであれば、その波長に
近似する波長のみを吸収し、反射させない反射防止膜を
設けたことにより、光電変換装置の解像度等の光学特性
を改良することが出来る。
た光の波長のピークが５４０ｎｍであれば、その波長に
近似する波長のみを吸収し、反射させない反射防止膜を
設けたことにより、光電変換装置の解像度等の光学特性
を改良することが出来る。
【００９３】このような、反射防止膜としては、例え
ば、エポキシ系やアクリル系の高分子材料をスピンナー
や、転写や、印刷や、ハケで塗ることで形成することが
できる。
ば、エポキシ系やアクリル系の高分子材料をスピンナー
や、転写や、印刷や、ハケで塗ることで形成することが
できる。
【００９４】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、複数の素子を二次元的に等間隔で配置し、光電変換
半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に形成した複数の
光電変換装置基板を、隙間をあけて基台に貼り合わせて
大面積の蛍光体層付き光電変換装置を構成する光電変換
装置において、蛍光体層で発光した光が、前記光電変換
部以外の光電変換基板の裏面や端部で乱反射することを
防止するため、蛍光体層で発光した光の波長に近似する
波長を吸収し反射させない反射防止膜を設けたことによ
り、乱反射を防止し、光電変換装置の解像度等の光学特
性を改良できるという効果を得ることができる。
ば、複数の素子を二次元的に等間隔で配置し、光電変換
半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に形成した複数の
光電変換装置基板を、隙間をあけて基台に貼り合わせて
大面積の蛍光体層付き光電変換装置を構成する光電変換
装置において、蛍光体層で発光した光が、前記光電変換
部以外の光電変換基板の裏面や端部で乱反射することを
防止するため、蛍光体層で発光した光の波長に近似する
波長を吸収し反射させない反射防止膜を設けたことによ
り、乱反射を防止し、光電変換装置の解像度等の光学特
性を改良できるという効果を得ることができる。
【００９５】［第２の実施形態］ 図１８は、本発明による光電変換装置の実施形態を示す
全体の好適な一例を説明するための模式的平面図であ
り、図１９は、図１８の断面構成を示す模式的断面図で
ある。
全体の好適な一例を説明するための模式的平面図であ
り、図１９は、図１８の断面構成を示す模式的断面図で
ある。
【００９６】図１８及び図１９において、１は光電変換
ユニット、１−１，１−２，１−３，１−４は夫々光電
変換素子（不図示）をマトリクス状に配した光電変換ユ
ニット１の基板、２は基台、３は光電変換ユニット１と
基台２とを接合する接着剤、４は蛍光体層、５は吸収層
である。
ユニット、１−１，１−２，１−３，１−４は夫々光電
変換素子（不図示）をマトリクス状に配した光電変換ユ
ニット１の基板、２は基台、３は光電変換ユニット１と
基台２とを接合する接着剤、４は蛍光体層、５は吸収層
である。
【００９７】光電変換ユニット１の基板１−１，１−
２，１−３，１−４上にはアモルファスシリコンに代表
される非晶質半導体材料を光電変換半導体層として利用
した光電変換素子を有している。光電変換ユニット１か
ら外部へ読取信号を出力するために利用される薄膜電界
効果型トランジスタを該基板１−１，１−２，１−３，
１−４上に合わせて形成することは好ましい。光電変換
素子の複数は夫々２次元的に等間隔で配置されることが
望ましく、薄膜電界効果型トランジスタと組にして形成
されることが好ましい。
２，１−３，１−４上にはアモルファスシリコンに代表
される非晶質半導体材料を光電変換半導体層として利用
した光電変換素子を有している。光電変換ユニット１か
ら外部へ読取信号を出力するために利用される薄膜電界
効果型トランジスタを該基板１−１，１−２，１−３，
１−４上に合わせて形成することは好ましい。光電変換
素子の複数は夫々２次元的に等間隔で配置されることが
望ましく、薄膜電界効果型トランジスタと組にして形成
されることが好ましい。
【００９８】光電変換装置は図１８に示されるように、
４つの光電変換ユニット１を夫々縦横に２つずつ配置し
て基台２に接着剤３を用いて固定してある。光電変換ユ
ニット１の基台への固定は接着剤３による必要は必ずし
もないが、接着剤３による固定は固定後の光電変換ユニ
ット１の不要な移動やズレが生じ難いので好ましい。
尚、接着剤３が配される位置は基台２と光電変換ユニッ
ト１との間全てに設けることは必須ではない。少なくと
も光電変換ユニット１が固定的に基台２に固定されれば
どのように設けても良い。
４つの光電変換ユニット１を夫々縦横に２つずつ配置し
て基台２に接着剤３を用いて固定してある。光電変換ユ
ニット１の基台への固定は接着剤３による必要は必ずし
もないが、接着剤３による固定は固定後の光電変換ユニ
ット１の不要な移動やズレが生じ難いので好ましい。
尚、接着剤３が配される位置は基台２と光電変換ユニッ
ト１との間全てに設けることは必須ではない。少なくと
も光電変換ユニット１が固定的に基台２に固定されれば
どのように設けても良い。
【００９９】蛍光体層４は光電変換ユニット１の光電変
換素子に近接して設けられることが望ましい。これらを
近接して好ましくは密着して設けることによって光電変
換素子が受光する光を発する、情報源としての蛍光体層
からの光を等倍で読み取ることができる。
換素子に近接して設けられることが望ましい。これらを
近接して好ましくは密着して設けることによって光電変
換素子が受光する光を発する、情報源としての蛍光体層
からの光を等倍で読み取ることができる。
【０１００】基板１−１〜１−４の端面及び／または裏
面には蛍光体層４で発した光を吸収する吸収層５が設け
られている。
面には蛍光体層４で発した光を吸収する吸収層５が設け
られている。
【０１０１】吸収層５を基板１−１〜１−４の端面に設
けると、基板内に入った光が裏面で反射され、あるいは
直接に端面に照射され、その照射光が端面で反射されて
光電変換素子に再び入射することを防ぐあるいは入射さ
れる光量を低下することができる。
けると、基板内に入った光が裏面で反射され、あるいは
直接に端面に照射され、その照射光が端面で反射されて
光電変換素子に再び入射することを防ぐあるいは入射さ
れる光量を低下することができる。
【０１０２】つまり、光電変換ユニット１の基板１−１
〜１−４の夫々の端面近傍の光電変換素子への不要な光
入射を抑えＳ／Ｎ比を向上させることができる。
〜１−４の夫々の端面近傍の光電変換素子への不要な光
入射を抑えＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【０１０３】また、吸収層５を基板１−１〜１−４の裏
面に設けると、基板内に入った光が裏面で反射されるこ
とを防ぐことあるいは反射される光量を低下することが
できる。
面に設けると、基板内に入った光が裏面で反射されるこ
とを防ぐことあるいは反射される光量を低下することが
できる。
【０１０４】これによって、光電変換素子への不要な光
入射を抑えることができ、Ｓ／Ｎ比の向上や実質的解像
度の向上をはかることができる。
入射を抑えることができ、Ｓ／Ｎ比の向上や実質的解像
度の向上をはかることができる。
【０１０５】本発明における吸収層は蛍光体層４の発光
波長に合わせて吸収波長特性を設定してある。より詳細
には、蛍光体層４の発光波長の主となるピークの波長及
び必要に応じてその近傍の波長を吸収するようにしてお
り、一般的には蛍光体層４の発光色の補色とされる。
波長に合わせて吸収波長特性を設定してある。より詳細
には、蛍光体層４の発光波長の主となるピークの波長及
び必要に応じてその近傍の波長を吸収するようにしてお
り、一般的には蛍光体層４の発光色の補色とされる。
【０１０６】また、蛍光体４の発光波長の主となるピー
クの波長を色度図上でとり、色度図上で白色を示す白色
点Ｗを通過する直線をひき、Ｗ点の先の直線上に表われ
る色を透過する吸収体とすることも好ましい。蛍光体４
の発光波長によっては補色波長対を透過する吸収体を用
いることはより好ましい。
クの波長を色度図上でとり、色度図上で白色を示す白色
点Ｗを通過する直線をひき、Ｗ点の先の直線上に表われ
る色を透過する吸収体とすることも好ましい。蛍光体４
の発光波長によっては補色波長対を透過する吸収体を用
いることはより好ましい。
【０１０７】たとえば、蛍光体層４が発光した光の波長
の主ピークが５４０ｎｍであればその波長を含みその波
長に近似する波長を吸収するような吸収体、より具体的
には赤又は青あるいはマゼンタ色の吸収体とすることが
好ましい。
の主ピークが５４０ｎｍであればその波長を含みその波
長に近似する波長を吸収するような吸収体、より具体的
には赤又は青あるいはマゼンタ色の吸収体とすることが
好ましい。
【０１０８】また、吸収体を着色する色材としては、Ｘ
線により分解し難く、長期的に安定なものが好ましい。
線により分解し難く、長期的に安定なものが好ましい。
【０１０９】基板の端面又は裏面への光吸収体の付与
は、スピンナー塗布、カーテンコート塗布、スクリーン
印刷、オフセット印刷のような転写、ディスペンサーが
好適に用いられる。あるいは、台上にスピンナー塗布、
カーテンコート塗布、スクリーン印刷、転写、ディスペ
ンサーによって吸収体となる樹脂を付与した後、光電変
換ユニットを配置することによって結果として光電変換
ユニットの基板の裏面や端部に吸収体を付与してもよ
い。台上に付与する樹脂層を充分な厚さにしておけば、
光電変換ユニットを台に押し付けることによってそれぞ
れの基板の間にも樹脂が流れ込み、端面部にも吸収体を
付与することができる。台上から光電変換ユニットを取
りはずせば、吸収体が基体裏面と端面に付与される。
は、スピンナー塗布、カーテンコート塗布、スクリーン
印刷、オフセット印刷のような転写、ディスペンサーが
好適に用いられる。あるいは、台上にスピンナー塗布、
カーテンコート塗布、スクリーン印刷、転写、ディスペ
ンサーによって吸収体となる樹脂を付与した後、光電変
換ユニットを配置することによって結果として光電変換
ユニットの基板の裏面や端部に吸収体を付与してもよ
い。台上に付与する樹脂層を充分な厚さにしておけば、
光電変換ユニットを台に押し付けることによってそれぞ
れの基板の間にも樹脂が流れ込み、端面部にも吸収体を
付与することができる。台上から光電変換ユニットを取
りはずせば、吸収体が基体裏面と端面に付与される。
【０１１０】この場合、台を基台とし、樹脂を接着剤に
上記したような色材を混合したものを使用することによ
って吸収体層を別に設けずに吸収体層と接着剤とを共用
させることができる。
上記したような色材を混合したものを使用することによ
って吸収体層を別に設けずに吸収体層と接着剤とを共用
させることができる。
【０１１１】また、基板の端面にのみ吸収体を付与する
場合は、基台上に光電変換ユニットを固定した後、図２
０の模式的斜視図に示されるようにディスペンサーによ
り基板周囲に吸収体となる樹脂を注入すれば良い。
場合は、基台上に光電変換ユニットを固定した後、図２
０の模式的斜視図に示されるようにディスペンサーによ
り基板周囲に吸収体となる樹脂を注入すれば良い。
【０１１２】［第３の実施形態］ 図２１は、本発明の第３の実施形態に係る光電変換装置
の全体平面図である。
の全体平面図である。
【０１１３】図２１に示す光電変換装置において特徴的
な点は、４枚の基板の上に構成されている光電変換装置
１００、２００、３００、４００の各々４枚を光電変換
素子１画素分の間隔をあけて貼り合わせることによって
１つの大きな光電変換装置を構成している点である。
な点は、４枚の基板の上に構成されている光電変換装置
１００、２００、３００、４００の各々４枚を光電変換
素子１画素分の間隔をあけて貼り合わせることによって
１つの大きな光電変換装置を構成している点である。
【０１１４】光電変換装置１００の上には、光電変換素
子が１０００×１０００個配置され、制御配線ｇ１〜ｇ
１０００と１００信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００の
計２０００本の配線と接続されている。シフトレジスタ
ＳＲ１は１００段ごとに１個のチップに形成してあり、
基板１００の上には、ＳＲ１−１〜ＳＲ１−１０の計１
０個が配置され制御配線ｇ１〜ｇ１０００と接続されて
いる。
子が１０００×１０００個配置され、制御配線ｇ１〜ｇ
１０００と１００信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００の
計２０００本の配線と接続されている。シフトレジスタ
ＳＲ１は１００段ごとに１個のチップに形成してあり、
基板１００の上には、ＳＲ１−１〜ＳＲ１−１０の計１
０個が配置され制御配線ｇ１〜ｇ１０００と接続されて
いる。
【０１１５】また、検出用集積回路も１００個の処理回
路ごと１個のチップに形成し、ＩＣ１〜ＩＣ１０の計１
０個が配置され信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００と接
続されている。光電変換装置２００、３００、４００に
おいても基板１００と同様であり、光電変換素子は１０
０×１００個配置されており、１０００本の制御配線と
１０００本の信号配線により接続されている。またシフ
トレジスタ及び検出用集積回路も同様に１０個ずつ配置
されている。これらのシフトレジスタ及び検出用集積回
路は各基板毎に同じものを用いても異なるものを用いて
もよい。また、４枚の光電変換装置において同時に走査
することも可能であり、そのような場合は１／４の走査
時間に短縮することが可能となる。
路ごと１個のチップに形成し、ＩＣ１〜ＩＣ１０の計１
０個が配置され信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００と接
続されている。光電変換装置２００、３００、４００に
おいても基板１００と同様であり、光電変換素子は１０
０×１００個配置されており、１０００本の制御配線と
１０００本の信号配線により接続されている。またシフ
トレジスタ及び検出用集積回路も同様に１０個ずつ配置
されている。これらのシフトレジスタ及び検出用集積回
路は各基板毎に同じものを用いても異なるものを用いて
もよい。また、４枚の光電変換装置において同時に走査
することも可能であり、そのような場合は１／４の走査
時間に短縮することが可能となる。
【０１１６】図２１に示すように４枚の基板上に光電変
換素子を作製し、その４枚の光電変換装置基板を若干の
隙間をあけて貼り合わせて大面積の光電変換装置を構成
することにより、基板１枚あたりの歩留まりは高くな
り、同時に基板１枚あたりの不具合による損失額を小さ
くすることができる。具体的には、図２１の大面積の光
電変換装置における光電変換素子が配置してある面積
と、一枚の大面積基板上に設けられた光電変換装置にお
ける光電変換素子が配置してある面積が同じ場合、図２
１に示す各基板内のすべての制御配線とすべての信号配
線の合計の長さは一枚の大面積基板上に設けられた光電
変換装置内のすべての制御配線とすべての信号配線の合
計の長さの約１／４となる。
換素子を作製し、その４枚の光電変換装置基板を若干の
隙間をあけて貼り合わせて大面積の光電変換装置を構成
することにより、基板１枚あたりの歩留まりは高くな
り、同時に基板１枚あたりの不具合による損失額を小さ
くすることができる。具体的には、図２１の大面積の光
電変換装置における光電変換素子が配置してある面積
と、一枚の大面積基板上に設けられた光電変換装置にお
ける光電変換素子が配置してある面積が同じ場合、図２
１に示す各基板内のすべての制御配線とすべての信号配
線の合計の長さは一枚の大面積基板上に設けられた光電
変換装置内のすべての制御配線とすべての信号配線の合
計の長さの約１／４となる。
【０１１７】このような光電変換装置において制御配線
及び信号配線のショートまたはオープンはその配線に接
続されている光電変換素子のすべての出力信号が不正確
なものとなるため、光電変換装置としては使用不可能と
なってしまう。そのため、すべての制御配線及びすべて
の信号配線の合計の長さにほぼ比例して上記のような不
具合が生じ、歩留まりを下げるのである。
及び信号配線のショートまたはオープンはその配線に接
続されている光電変換素子のすべての出力信号が不正確
なものとなるため、光電変換装置としては使用不可能と
なってしまう。そのため、すべての制御配線及びすべて
の信号配線の合計の長さにほぼ比例して上記のような不
具合が生じ、歩留まりを下げるのである。
【０１１８】よって図２１に示す基板１枚あたりの配線
の不具合による歩留まりは、１枚の大面積基板上に多数
の光電変換素子を全て形成した光電変換装置の約４倍と
なる。また、図２１に示す基板１枚が不具合となり、使
用不可能になった場合の損失額は、基板の面積にほぼ比
例するため、１枚の大面積基板上に全光電変換素子を形
成した光電変換装置において不具合が発生し使用不可能
になった場合の損失額の約１／４となるのである。
の不具合による歩留まりは、１枚の大面積基板上に多数
の光電変換素子を全て形成した光電変換装置の約４倍と
なる。また、図２１に示す基板１枚が不具合となり、使
用不可能になった場合の損失額は、基板の面積にほぼ比
例するため、１枚の大面積基板上に全光電変換素子を形
成した光電変換装置において不具合が発生し使用不可能
になった場合の損失額の約１／４となるのである。
【０１１９】また、図２１のように基板と基板の間隔を
光電変換素子の画素の１．５画素分以下とすることによ
り、光電変換素子のない部分のデータは両隣の光電変換
素子の出力信号の平均値を用いることが可能となり、デ
ータの補正方法が非常に容易になるだけでなく、比較的
正確なデータを得ることが可能となる。
光電変換素子の画素の１．５画素分以下とすることによ
り、光電変換素子のない部分のデータは両隣の光電変換
素子の出力信号の平均値を用いることが可能となり、デ
ータの補正方法が非常に容易になるだけでなく、比較的
正確なデータを得ることが可能となる。
【０１２０】次に図２１の中央部の拡大図を図２２に示
す。
す。
【０１２１】図２２は４枚の基板が貼り合わせられる中
央部を示しているが、実際に中央部に存在するべき素子
のデータを補正し用いる時の方法について説明する。
央部を示しているが、実際に中央部に存在するべき素子
のデータを補正し用いる時の方法について説明する。
【０１２２】図２２における中央部素子アのデータを補
完する場合、両隣（左右）のデータを用いることができ
ないのである。又、同じように上下のデータを用いるこ
ともできない。
完する場合、両隣（左右）のデータを用いることができ
ないのである。又、同じように上下のデータを用いるこ
ともできない。
【０１２３】しかしながら、図２２におけるｐｘ４のデ
ータ及びｐｘ５のデータは各々両隣のデータの平均値を
用いて求めることができる。そして、ｐｘ４とｐｘ５の
平均値を用いることによりｐｘ１の位置のデータを補完
することが可能となる。同様にｐｘ２及びｐｘ３の位置
データは各々上下のデータを平均して補完することが可
能である。
ータ及びｐｘ５のデータは各々両隣のデータの平均値を
用いて求めることができる。そして、ｐｘ４とｐｘ５の
平均値を用いることによりｐｘ１の位置のデータを補完
することが可能となる。同様にｐｘ２及びｐｘ３の位置
データは各々上下のデータを平均して補完することが可
能である。
【０１２４】一般にデータを補完する場合、左右のデー
タ又は上下のデータの平均値を用いる場合だけでなく、
上・下・左・右及び斜め上・下・左・右の計８個の平均
を用いる場合や、その８個の中の数個のデータを用いる
場合、又は、前記データを用いた相乗平均を用いる場合
などいろいろな方法が知られている。
タ又は上下のデータの平均値を用いる場合だけでなく、
上・下・左・右及び斜め上・下・左・右の計８個の平均
を用いる場合や、その８個の中の数個のデータを用いる
場合、又は、前記データを用いた相乗平均を用いる場合
などいろいろな方法が知られている。
【０１２５】このようなデータ補完の一連の動作を、図
４のフローチャートを用いて説明すると、２次元画像入
力工程ＳＴＰ１→メモリへの格納工程ＳＴＰ２の画像処
理［補間］工程ＳＴＰ３→メモリへの格納工程ＳＴＰ４
→２次元画像出力工程ＳＴＰ５というフローチャートで
表わすことができる。
４のフローチャートを用いて説明すると、２次元画像入
力工程ＳＴＰ１→メモリへの格納工程ＳＴＰ２の画像処
理［補間］工程ＳＴＰ３→メモリへの格納工程ＳＴＰ４
→２次元画像出力工程ＳＴＰ５というフローチャートで
表わすことができる。
【０１２６】次に、このような方法の具体的な実施形態
を図２４の画像処理［補間］のフローチャート及び図２
５に示す光電変換装置の基板上のデータ配置イメージ図
を用いて説明する。
を図２４の画像処理［補間］のフローチャート及び図２
５に示す光電変換装置の基板上のデータ配置イメージ図
を用いて説明する。
【０１２７】ここでは例として、各基板１１０，２１
０，３１０，４１０上に縦３個×横３個の光電変換素子
が存在し、基板と基板の間には１個の光電変換素子が存
在する隙間があるとする。そうすると、必要となるデー
タ数は、（３＋１＋３）×（３＋１＋３）＝４９個とな
り、その各データを図２５に示すように、ＤＡＴ（１，
１），ＤＡＴ（１，２）・・・・・ＤＡＴ（１，７），
ＤＡＴ（２，１），・・・・・ＤＡＴ（７，７）という
名称で示すことにする。
０，３１０，４１０上に縦３個×横３個の光電変換素子
が存在し、基板と基板の間には１個の光電変換素子が存
在する隙間があるとする。そうすると、必要となるデー
タ数は、（３＋１＋３）×（３＋１＋３）＝４９個とな
り、その各データを図２５に示すように、ＤＡＴ（１，
１），ＤＡＴ（１，２）・・・・・ＤＡＴ（１，７），
ＤＡＴ（２，１），・・・・・ＤＡＴ（７，７）という
名称で示すことにする。
【０１２８】図２３のフローチャートにおける工程ＳＴ
Ｐ２において、各光電変換素子のデータがメモリ入力さ
れる。この時、図２５におけるＤＡＴ（ｍ，４）及びＤ
ＡＴ（４，ｎ）には相当するデータが発生しない為、空
の状態（φ）となる。
Ｐ２において、各光電変換素子のデータがメモリ入力さ
れる。この時、図２５におけるＤＡＴ（ｍ，４）及びＤ
ＡＴ（４，ｎ）には相当するデータが発生しない為、空
の状態（φ）となる。
【０１２９】そして、次に、図２４で示す画像処理［補
間］について説明する。
間］について説明する。
【０１３０】まず、各基板間のデータを補完するかどう
かを決める。補間する必要が無い場合は、データを空の
まま（φ）にしておく。補間する必要のある場合は、そ
のデータが補間するべきデータかどうかチェックする。
この場合、ｍ≠４、又はｎ≠４であれば、補間するべき
データではないので、光電変換素子より得られ、メモリ
に入力されていたデータそのものを用いることになる。
そして、データが補間するべきデータである場合、即
ち、この場合、ｍ＝４の場合は、補間されるべきデータ
の上下のデータの平均値を、又、ｎ＝４の場合は、補間
されるべきデータの両隣のデータの平均値を補間される
べきデータとして再びメモリに入力される（図２３の工
程ＳＴＰ４に対応）。ここで特にｍ＝４かつｎ＝４の場
合、即ち４枚の基板の中心のデータＤＡＴ（４，４）に
ついては、上下及び両隣のデータは（イ）のメモリ中に
は存在しない為、斜め右上、左上、右下、左下の４つデ
ータの平均値をメモリに入力することになる。
かを決める。補間する必要が無い場合は、データを空の
まま（φ）にしておく。補間する必要のある場合は、そ
のデータが補間するべきデータかどうかチェックする。
この場合、ｍ≠４、又はｎ≠４であれば、補間するべき
データではないので、光電変換素子より得られ、メモリ
に入力されていたデータそのものを用いることになる。
そして、データが補間するべきデータである場合、即
ち、この場合、ｍ＝４の場合は、補間されるべきデータ
の上下のデータの平均値を、又、ｎ＝４の場合は、補間
されるべきデータの両隣のデータの平均値を補間される
べきデータとして再びメモリに入力される（図２３の工
程ＳＴＰ４に対応）。ここで特にｍ＝４かつｎ＝４の場
合、即ち４枚の基板の中心のデータＤＡＴ（４，４）に
ついては、上下及び両隣のデータは（イ）のメモリ中に
は存在しない為、斜め右上、左上、右下、左下の４つデ
ータの平均値をメモリに入力することになる。
【０１３１】このように、必要とするデータの両隣及び
上下に存在するデータの平均値を用いることにより、容
易に補間可能となる。
上下に存在するデータの平均値を用いることにより、容
易に補間可能となる。
【０１３２】次に図２２のＥ−Ｆ（又はＧ−Ｈ）断面図
を図２６に示す。図２６において各基板は一枚の大きな
ガラス基板８０又は銅板８０に貼りつけられている。
又、４枚の基板各々の隙間は光吸収体としての黒い樹脂
９０で埋められており、蛍光体からの光の散乱によるク
ロストークを防いでいる。
を図２６に示す。図２６において各基板は一枚の大きな
ガラス基板８０又は銅板８０に貼りつけられている。
又、４枚の基板各々の隙間は光吸収体としての黒い樹脂
９０で埋められており、蛍光体からの光の散乱によるク
ロストークを防いでいる。
【０１３３】また、第１〜第３の実施形態の光電変換装
置は、図９に示すように、第一の電極層２、絶縁層７、
光電変換半導体層４、第１導電型のキャリアの注入を阻
止する半導体層５、及び第二の電極層６を積層した光電
変換素子と、前記光電変換半導体層に入射した信号光に
より発生した第１導電型のキャリアを前記光電変換半導
体層に留まらせ、前記第１導電型と異なる第２導電型の
キャリアを前記第二の電極層に導く方向に前記光電変換
素子に電界を与える光電変換手段と、前記光電変換素子
に電界を与えて、前記第１導電型のキャリアを前記光電
変換半導体層から前記第二の電極層に導く方向に前記光
電変換素子に電界を与えるリフレッシュ手段と、前記光
電変換手段による光電変換動作中に前記光電変換半導体
層に蓄積された前記第１導電型のキャリアもしくは前記
第二の電極層に導かれた前記第２導電型のキャリアを検
出する為の信号検出部と、を有している。
置は、図９に示すように、第一の電極層２、絶縁層７、
光電変換半導体層４、第１導電型のキャリアの注入を阻
止する半導体層５、及び第二の電極層６を積層した光電
変換素子と、前記光電変換半導体層に入射した信号光に
より発生した第１導電型のキャリアを前記光電変換半導
体層に留まらせ、前記第１導電型と異なる第２導電型の
キャリアを前記第二の電極層に導く方向に前記光電変換
素子に電界を与える光電変換手段と、前記光電変換素子
に電界を与えて、前記第１導電型のキャリアを前記光電
変換半導体層から前記第二の電極層に導く方向に前記光
電変換素子に電界を与えるリフレッシュ手段と、前記光
電変換手段による光電変換動作中に前記光電変換半導体
層に蓄積された前記第１導電型のキャリアもしくは前記
第二の電極層に導かれた前記第２導電型のキャリアを検
出する為の信号検出部と、を有している。
【０１３４】［第４の実施形態］ 図２７は、本発明の第４の実施形態に係る光電変換装置
の全体平面図である。
の全体平面図である。
【０１３５】図２７に示す光電変換装置において特徴的
な点は、４つの光電変換装置がすべて同一構成の光電変
換装置１００で構成されており、かつ各々の光電変換装
置４枚を同一平面内において９０°ずつ回転させ光電変
換素子１画素分の間隔をあけて貼り合わせることによっ
て１つの大きな光電変換装置を構成している点である。
な点は、４つの光電変換装置がすべて同一構成の光電変
換装置１００で構成されており、かつ各々の光電変換装
置４枚を同一平面内において９０°ずつ回転させ光電変
換素子１画素分の間隔をあけて貼り合わせることによっ
て１つの大きな光電変換装置を構成している点である。
【０１３６】光電変換装置１００の上には、光電変換素
子が１０００×１０００個配置され、制御配線ｇ１〜ｇ
１０００と１００信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００の
計２０００本の配線と接続されている。シフトレジスタ
ＳＲ１は１００段ごとに１個のチップに形成してあり、
基板１００の上には、ＳＲ１−１〜ＳＲ１−１０の計１
０個が配置され制御配線ｇ１〜ｇ１０００と接続されて
いる。
子が１０００×１０００個配置され、制御配線ｇ１〜ｇ
１０００と１００信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００の
計２０００本の配線と接続されている。シフトレジスタ
ＳＲ１は１００段ごとに１個のチップに形成してあり、
基板１００の上には、ＳＲ１−１〜ＳＲ１−１０の計１
０個が配置され制御配線ｇ１〜ｇ１０００と接続されて
いる。
【０１３７】また、検出用集積回路も１００個の処理回
路ごと１個のチップに形成し、ＩＣ１〜ＩＣ１０の計１
０個が配置され信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００と接
続されている。これらのシフトレジスタ及び検出用集積
回路は各基板毎に同じものを用いることができる。ま
た、４枚の光電変換装置において同時に走査することも
可能であり、そのような場合は１／４の走査時間に短縮
することが可能となる。
路ごと１個のチップに形成し、ＩＣ１〜ＩＣ１０の計１
０個が配置され信号配線ｓｉｇ１〜ｓｉｇ１０００と接
続されている。これらのシフトレジスタ及び検出用集積
回路は各基板毎に同じものを用いることができる。ま
た、４枚の光電変換装置において同時に走査することも
可能であり、そのような場合は１／４の走査時間に短縮
することが可能となる。
【０１３８】図２７に示すように４枚の基板上に同一パ
ターンの光電変換素子及び配線を形成し、同一のシフト
レジスタ及び検出用集積回路を実装し、その４枚の基板
を各々９０°ずつ回転させ若干の隙間をあけて貼り合わ
せて大面積の光電変換装置を構成することにより、部品
点数の大幅な削減が可能となる。また、検査工程も１種
類の装置で行うことが可能となり、検査工程の効率の向
上及びそれに伴うスループットの向上が可能となる。
ターンの光電変換素子及び配線を形成し、同一のシフト
レジスタ及び検出用集積回路を実装し、その４枚の基板
を各々９０°ずつ回転させ若干の隙間をあけて貼り合わ
せて大面積の光電変換装置を構成することにより、部品
点数の大幅な削減が可能となる。また、検査工程も１種
類の装置で行うことが可能となり、検査工程の効率の向
上及びそれに伴うスループットの向上が可能となる。
【０１３９】又、図には示していないが、図２７に示し
た光電変換装置と同様の考え方を用いて、４枚の基板上
に同一パターンの光電変換素子及び配線を２枚ずつ形成
し、同一のシフトレジスタ及び検出用集積回路を実装
し、その２枚の基板を各々１８０°ずつ回転させ、隙間
をあけて貼り合わせて大面積の光電変換装置を構成する
ことにより、部品点数の削減が可能となる、また、検査
工程も２種類の装置で行うことが可能となり、検査工程
の効率の向上及びそれに伴うスループットの向上が可能
となる。その結果、大面積の光電変換装置のコストを低
減することが可能となる。
た光電変換装置と同様の考え方を用いて、４枚の基板上
に同一パターンの光電変換素子及び配線を２枚ずつ形成
し、同一のシフトレジスタ及び検出用集積回路を実装
し、その２枚の基板を各々１８０°ずつ回転させ、隙間
をあけて貼り合わせて大面積の光電変換装置を構成する
ことにより、部品点数の削減が可能となる、また、検査
工程も２種類の装置で行うことが可能となり、検査工程
の効率の向上及びそれに伴うスループットの向上が可能
となる。その結果、大面積の光電変換装置のコストを低
減することが可能となる。
【０１４０】また、４枚の基板上に実装するシフトレジ
スタ及び検出用集積回路を双方向で駆動可能なものとす
ることにより、４枚の光電変換装置すべて同一の方向で
走査することが可能となる。その結果、読み取られた全
光電変換素子の信号を処理する回路が簡単なものとな
り、高速で信号を処理することが可能となる。
スタ及び検出用集積回路を双方向で駆動可能なものとす
ることにより、４枚の光電変換装置すべて同一の方向で
走査することが可能となる。その結果、読み取られた全
光電変換素子の信号を処理する回路が簡単なものとな
り、高速で信号を処理することが可能となる。
【０１４１】よって、低コストで高性能な大面積の光電
変換装置が可能となる。
変換装置が可能となる。
【０１４２】以上、説明した第３，４の実施形態の装置
においても、各基板１００の裏面及び隣接する基板同士
の隙間に光吸収体を設けることが望ましい。
においても、各基板１００の裏面及び隣接する基板同士
の隙間に光吸収体を設けることが望ましい。
【０１４３】また、図２６に示すように、前記光電変換
素子の上部に蛍光体を配置し、Ｘ線撮像装置を構成する
こともできる。
素子の上部に蛍光体を配置し、Ｘ線撮像装置を構成する
こともできる。
【０１４４】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、大
面積の光電変換装置を作製する時の基板１枚あたりの歩
留まりを向上させ、かつ基板１枚あたりの不具合による
損失額を小さくすることにより結果的に大面積の光電変
換装置のコストを低減することが可能となる。
面積の光電変換装置を作製する時の基板１枚あたりの歩
留まりを向上させ、かつ基板１枚あたりの不具合による
損失額を小さくすることにより結果的に大面積の光電変
換装置のコストを低減することが可能となる。
【０１４５】また、本実施の形態によれば、貼り合わせ
る基板間の隙間を光電変換素子１．５画素分以下とする
ことにより、光電変換素子のない部分のデータをできる
かぎり減らし、且つ光電変換素子のない部分のデータ補
間を容易にし、比較的正確なデータを得ることが可能と
なる。
る基板間の隙間を光電変換素子１．５画素分以下とする
ことにより、光電変換素子のない部分のデータをできる
かぎり減らし、且つ光電変換素子のない部分のデータ補
間を容易にし、比較的正確なデータを得ることが可能と
なる。
【０１４６】また、本実施の形態によれば、大面積の光
電変換装置を作製する時の検査工程の効率の向上及びそ
れに伴うスループットの向上及び部品点数の削減が可能
となり、結果的に大面積の光電変換装置のコストをさら
に低減することが可能となる。
電変換装置を作製する時の検査工程の効率の向上及びそ
れに伴うスループットの向上及び部品点数の削減が可能
となり、結果的に大面積の光電変換装置のコストをさら
に低減することが可能となる。
【０１４７】また、本実施の形態によれば、大面積の光
電変換装置において、すべての光電変換素子を同一方向
に走査し、信号処理を簡単な装置で高速に行うことが可
能となり、その結果、光電変換装置のコスト低減と性能
を向上させることが可能となる。
電変換装置において、すべての光電変換素子を同一方向
に走査し、信号処理を簡単な装置で高速に行うことが可
能となり、その結果、光電変換装置のコスト低減と性能
を向上させることが可能となる。
【図１】本発明の好適な実施形態による光電変換装置の
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のＸＹ線による断面図である。
【図３】本発明に用いられる光吸収体を形成する為の装
置の模式図である。
置の模式図である。
【図４】本発明に用いられる光吸収体を形成する方法を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図５】光電変換素子を説明する為の模式図である。
【図６】光電変換素子の別の例を示す断面図である。
【図７】ＴＦＴの歩留まりのゲート絶縁膜依存性を示す
図である。
図である。
【図８】本発明の光電変換装置の回路図である。
【図９】本発明に用いられる光電変換素子の構造を示す
模式図である。
模式図である。
【図１０】本発明の光電変換装置の駆動タイミングを示
す図である。
す図である。
【図１１】本発明の光電変換装置の一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１２】本発明の光電変換装置の別の例を示す平面図
である。
である。
【図１３】本発明のＸ線撮像装置を示す模式図である。
【図１４】本発明の光電変換装置の一例を示す図であ
る。
る。
【図１５】本発明の光電変換装置の別の例を示す図であ
る。
る。
【図１６】本発明の光電変換装置の別の例を示す平面図
である。
である。
【図１７】図１６の光電変換装置の断面図である。
【図１８】本発明の光電変換装置の別の例を示す平面図
である。
である。
【図１９】図１８の光電変換装置の断面図である。
【図２０】本発明の光電変換装置の製造方法の一工程を
示す図である。
示す図である。
【図２１】本発明の光電変換装置の別の例を示す平面図
である。
である。
【図２２】本発明の光電変換装置を示す図である。
【図２３】本発明に用いられる信号処理方法のフローチ
ャートを示す図である。
ャートを示す図である。
【図２４】本発明に用いられる信号処理方法のフローチ
ャートを示す図である。
ャートを示す図である。
【図２５】本発明に用いられる補間方法のフローチャー
トを示す図である。
トを示す図である。
【図２６】本発明のＸ線検出用光電変換装置を示す断面
図である。
図である。
【図２７】本発明の光電変換装置の別の例を示す平面図
である。
である。
１ 光電変換素子アレイ １−１、１−２、１−３、１−４ 基板 ２ 基台 ３ 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｎ 1/04 Ｈ０４Ｎ 9/07 Ａ 5/335 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｃ 9/07 Ｈ０４Ｎ 1/04 Ｅ (72)発明者 林 眞一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 高見 栄一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 望月 千織 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 小林 功 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 海部 紀之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 森下 正和 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 冨名腰 章 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 多胡 晃 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 田村 敏和 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−75087（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−235652（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−315581（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−188400（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−189970（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/14 - 27/148
Claims (38)
- 【請求項１】 光電変換素子を複数表面上に有する基板
を共通の基台上に複数具備し、前記基板上に光変換体を
有する光電変換装置において、 前記基板の裏面と、隣接する前記基板同士の隙間とに、
光吸収体を設けることにより、 前記光変換体で発光した光が前記裏面及び前記隣接する
基板同士の隙間で乱反射することを防止することを特徴
とする光電変換装置。 - 【請求項２】 前記光吸収体は、前記光電変換素子に入
射すると特性を低下させる光を吸収可能な材料からなる
請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項３】 前記光吸収体は、黒色、又は前記光電変
換素子が受光すべき光に対して補色関係にある色を呈し
ている、材料である請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項４】 前記光吸収体は、樹脂である請求項１記
載の光電変換装置。 - 【請求項５】 前記光吸収体は、染料又は顔料により着
色された樹脂である請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項６】 前記光吸収体は、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂又はシリコーン樹脂である請求項１記載の光電変
換装置。 - 【請求項７】 前記光吸収体は、接着機能をもつ請求項
１記載の光電変換装置。 - 【請求項８】 前記基板同士の間隔は、前記光電変換素
子の１．５画素分より小さい請求項１記載の光電変換装
置。 - 【請求項９】 前記光変換体は、蛍光体である請求項１
記載の光電変換装置。 - 【請求項１０】 前記光変換体は、全ての前記基板に共
通の層である請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項１１】 前記光変換体は、各基板毎に設けられ
ている請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項１２】 前記基板は、透明基板である請求項１
記載の光電変換装置。 - 【請求項１３】 前記基台は、透明な基台である請求項
１記載の光電変換装置。 - 【請求項１４】 前記基台は、その面積が前記複数の基
板の面積の和より大きい請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項１５】 光電変換素子を複数表面上に有する基
板を共通の基台上に複数具備し、前記基板の裏面と、隣
接する前記基板同士の隙間とに、光吸収体を有する光電
変換手段と、 Ｘ線を照射する為のＸ線照射手段と、 Ｘ線を受光して異なる波長の光を発生する光変換体と、
を有し、 前記光吸収体は、前記光変換体で発光した光が前記裏面
及び前記隣接する基板同士の隙間で乱反射することを防
止することを特徴とするＸ線撮像装置。 - 【請求項１６】 前記光吸収体は、前記光電変換素子に
入射すると特性を低下させる光を吸収可能な材料からな
る請求項１５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項１７】 前記光吸収体は、黒色、又は前記光電
変換素子が受光すべき光に対して補色関係にある色を呈
している、材料である請求項１５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項１８】 前記光吸収体は、樹脂である請求項１
５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項１９】 前記光吸収体は、染料又は顔料により
着色された樹脂である請求項１５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項２０】 前記光吸収体は、エポキシ樹脂、アク
リル樹脂又はシリコーン樹脂である請求項１５記載のＸ
線撮像装置。 - 【請求項２１】 前記光吸収体は、接着機能をもつ請求
項１５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項２２】 前記基板同士の間隔は、前記光電変換
素子の１．５画素分より小さい請求項１５記載のＸ線撮
像装置。 - 【請求項２３】 前記光変換体は、蛍光体である請求項
１５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項２４】 前記光変換体は、全ての前記基板に共
通の層である請求項１５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項２５】 前記光変換体は、各基板毎に設けられ
ている請求項１５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項２６】 前記基板は、透明基板である請求項１
５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項２７】 前記基台は、透明な基台である請求項
１５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項２８】 前記基台は、その面積が前記複数の基
板の面積の和より大きい請求項１５記載のＸ線撮像装
置。 - 【請求項２９】 前記光吸収層は、印刷法・塗装法で付
着させた黒色樹脂であることを特徴とする請求項１記載
の光電変換装置。 - 【請求項３０】 前記隙間の光電変換素子のない部分の
データを、両隣の光電変換素子の出力信号で補間する手
段を有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装
置。 - 【請求項３１】 同一構成の前記基板を、２次元的に縦
横２枚ずつ４枚、それぞれ平面上で９０°ずつ回転して
配置し、貼り合わせたことを特徴とする請求項１記載の
光電変換装置。 - 【請求項３２】 ２次元的に配列された光電変換素子を
搭載した基板を、２次元的に縦横２枚ずつ４枚貼り合わ
せ、前記貼り合わせる４枚の基板の中で隣り合わない２
枚の基板は各々同一の構成であり、かつ平面上で１８０
°回転した位置関係で配置されており、かつ、４枚の基
板を走査する方向が４枚とも同一であることを特徴とす
る請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項３３】 前記基板上には、 第一の電極層、絶縁層、光電変換半導体層、第１導電型
のキャリアの注入を阻止する半導体層、及び第二の電極
層を積層した光電変換素子と、 前記光電変換半導体層に入射した信号光により発生した
第１導電型のキャリアを前記光電変換半導体層に留まら
せ、前記第１導電型と異なる第２導電型のキャリアを前
記第二の電極層に導く方向に前記光電変換素子に電界を
与える光電変換手段と、 前記光電変換素子に電界を与えて、前記第１導電型のキ
ャリアを前記光電変換半導体層から前記第二の電極層に
導く方向に前記光電変換素子に電界を与えるリフレッシ
ュ手段と、 前記光電変換手段による光電変換動作中に前記光電変換
半導体層に蓄積された前記第１導電型のキャリアもしく
は前記第二の電極層に導かれた前記第２導電型のキャリ
アを検出する為の信号検出部と、 を有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装
置。 - 【請求項３４】 前記光吸収層は、印刷法・塗装法で付
着させた黒色樹脂であることを特徴とする請求項１５記
載のＸ線撮像装置。 - 【請求項３５】 前記隙間の光電変換素子のない部分の
データを、両隣の光電変換素子の出力信号で補間する手
段を有することを特徴とする請求項１５に記載のＸ線撮
像装置。 - 【請求項３６】 同一構成の前記基板を、２次元的に縦
横２枚ずつ４枚、それぞれ平面上で９０°ずつ回転して
配置し、貼り合わせたことを特徴とする請求項１５に記
載のＸ線撮像装置。 - 【請求項３７】 ２次元的に配列された光電変換素子を
搭載した基板を、２次元的に縦横２枚ずつ４枚貼り合わ
せ、前記貼り合わせる４枚の基板の中で隣り合わない２
枚の基板は各々同一の構成であり、かつ平面上で１８０
°回転した位置関係で配置されており、かつ、４枚の基
板を走査する方向が４枚とも同一であることを特徴とす
る請求項１５に記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項３８】 前記基板上には、 第一の電極層、絶縁層、光電変換半導体層、第１導電型
のキャリアの注入を阻止する半導体層、及び第二の電極
層を積層した光電変換素子と、 前記光電変換半導体層に入射した信号光により発生した
第１導電型のキャリアを前記光電変換半導体層に留まら
せ、前記第１導電型と異なる第２導電型のキャリアを前
記第二の電極層に導く方向に前記光電変換素子に電界を
与える光電変換手段と、 前記光電変換素子に電界を与えて、前記第１導電型のキ
ャリアを前記光電変換半導体層から前記第二の電極層に
導く方向に前記光電変換素子に電界を与えるリフレッシ
ュ手段と、 前記光電変換手段による光電変換動作中に前記光電変換
半導体層に蓄積された前記第１導電型のキャリアもしく
は前記第二の電極層に導かれた前記第２導電型のキャリ
アを検出する為の信号検出部と、 を有することを特徴とする請求項１５に記載のＸ線撮像
装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP24770996A JP3235717B2 (ja) | 1995-09-28 | 1996-09-19 | 光電変換装置及びｘ線撮像装置 |
| US08/710,948 US5793047A (en) | 1995-09-28 | 1996-09-24 | Photoelectric conversion apparatus and X-ray image pickup apparatus |
| TW85111748A TW390032B (en) | 1996-03-05 | 1996-09-25 | Photoelectric conversion apparatus and X-ray image pickup apparatus |
| DE69618518T DE69618518T2 (de) | 1995-09-28 | 1996-09-26 | Apparat zur photoelektrischen Umwandlung und Apparat zur Aufnahme eines Röntgenbildes |
| EP96115469A EP0766317B1 (en) | 1995-09-28 | 1996-09-26 | Photoelectric conversion apparatus and X-ray image pickup apparatus |
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|---|---|---|---|
| JP7-250511 | 1995-09-28 | ||
| JP25051195 | 1995-09-28 | ||
| JP58296 | 1996-01-08 | ||
| JP8-47417 | 1996-03-05 | ||
| JP4741796 | 1996-03-05 | ||
| JP8-582 | 1996-03-05 | ||
| JP24770996A JP3235717B2 (ja) | 1995-09-28 | 1996-09-19 | 光電変換装置及びｘ線撮像装置 |
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| JP3235717B2 true JP3235717B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=27453209
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP24770996A Expired - Fee Related JP3235717B2 (ja) | 1995-09-28 | 1996-09-19 | 光電変換装置及びｘ線撮像装置 |
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| EP (1) | EP0766317B1 (ja) |
| JP (1) | JP3235717B2 (ja) |
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