JP2001330678A - 放射線検出器 - Google Patents

放射線検出器

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JP2001330678A JP2000148294A JP2000148294A JP2001330678A JP 2001330678 A JP2001330678 A JP 2001330678A JP 2000148294 A JP2000148294 A JP 2000148294A JP 2000148294 A JP2000148294 A JP 2000148294A JP 2001330678 A JP2001330678 A JP 2001330678A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型・薄型化と撮像面積の大面積化を両立さ
せ、製作が容易な放射線検出器を提供する。 【解決手段】 基台1上には複数の光電変換素子21を
配置した受光部と、これら光電変換素子21に電気的に
接続されている電極パッド22とを備える固体撮像素子
2が載置されており、その受光部表面上にはシンチレー
タ3が形成されているが、基台1の固体撮像素子2を載
置する載置面の回りにはこの載置面より上方に突出して
その側壁で固体撮像素子2の位置決めを行う位置決め部
14〜16が設けられ、これらの頂面は、固体撮像素子
2の受光表面2aのほうが高くなる高さに形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線画像の撮像
に用いられる放射線検出器に関し、特に、口腔内に挿入
して用いられる歯科用等の小型の放射線検出器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】医療用のX線診断装置としてX線感光フ
ィルムに代えてCCDを用いたX線イメージセンサが普
及してきている。このような放射線イメージングシステ
ムにおいては、複数の画素を有する放射線検出素子を用
いて放射線による2次元画像データを電気信号として取
得し、この信号を処理装置により処理して、モニタ上に
表示している。
【0003】歯科用等の口腔内に挿入して用いる放射線
検出器としては、特開平10−282243号公報に開示されて
いる放射線検出器が知られている。この放射線検出器
は、シンチレータ付きのFOP(ファイバ光学プレー
ト)をCCDの受光面上に貼り付けたものであり、入射
する放射線をシンチレータで光に変換して、FOPによ
りCCDへと導いて検出する仕組みになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、歯科用等で
口腔内に挿入して用いる放射線検出器においては検出器
全体を小型化、薄型化する一方で、撮像面積はできるだ
け大きくとる必要がある。前述の装置においては、FO
Pが介在するため、薄型化には限界がある。そこで、国
際公開WO98/36291号公報に開示されているように、撮像
素子の受光面上に直接シンチレータを形成することによ
り薄型化する手法が考えられている。しかしながら、受
光部を受光面いっぱいに形成すると、受光部全体にシン
チレータを均一に形成するのが困難であり、端部分の出
力や解像度が悪化するため、大画面化が困難であった。
【0005】そこで本発明は、小型・薄型化と撮像面積
の大面積化を両立させ、製作が容易な放射線検出器を提
供することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係る放射線検出器は、(1)複数の光電変換素子
を配置した受光部と、これら光電変換素子に電気的に接
続されている電極パッドとを備える固体撮像素子と、
(2)この固体撮像素子の受光部表面上に形成されている
シンチレータと、(3)固体撮像素子を載置する載置面
と、この載置面に隣接し、載置面より上方に突出してそ
の側壁で固体撮像素子を位置決めする位置決め部とを有
している基台と、を備えており、位置決め部は、その上
面より固体撮像素子の受光表面が光入射側に突出するよ
う形成されていることを特徴とする。
【0007】本発明に係る放射線検出器は、まず、固体
撮像素子を基台の載置面上に基台に設けられている位置
決め部を利用して正確に位置決め固定される。こうして
固体撮像素子を位置決め固定した後で、固体撮像素子の
受光部表面上に蒸着等によりシンチレータを形成する。
この際に、受光部表面が光入射側に最も突出して配置さ
れているので、シンチレータ形成時に受光部上で邪魔に
なる突出物がなく、受光部全体にシンチレータを均一に
形成することが可能である。したがって、解像度を確保
して有効な受光部の面積を拡大することができる。そし
て、FOPを利用しない分薄型化が容易となる。
【0008】基台は、外部接続用の電極と、位置決め部
の上面に設けられて外部接続用電極と電気的に接続され
る電極パッドとをさらに有するとともに、固体撮像素子
の電極パッドと基台の電極パッドとを相互に接続する配
線をさらに備えていることが好ましい。このようにする
と、外部への接続ラインの取り回しが容易になる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の好適な実施の形態について詳細に説明する。説明の理
解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に
対しては可能な限り同一の参照番号を附し、重複する説
明は省略する。また、各図面における寸法、形状は実際
のものとは必ずしも同一ではなく、理解を容易にするた
め誇張している部分がある。
【0010】図1は、本発明に係る放射線検出器の一実
施形態を示す斜視図であり、図2はその拡大図、図3は
その断面図である。この実施形態の放射線検出器100
は、セラミック製の基台1上に固体撮像素子2を載置し
たものである。基台1は、表面中央部に固体撮像素子2
を載置して収容する凹部10を有し、凹部10を取り囲
む3辺にはそれぞれ凸部14〜16が設けられている。
そして、凸部15の頂面15a上には、凹部10との境
界に沿って複数の電極パッド11が配列されている。こ
れらの電極パッド11は、基台1の裏面に配置されてい
る外部接続用の電極端子12と基台1を貫通している配
線13によって電気的に接続されている。ここで、各凸
部14〜16の突出高さ(凹部10の底面10aから各
凸部14〜16の頂面14a〜16aの頂面までの距
離)は後述する固体撮像素子2の厚さより低く設定され
ている。
【0011】固体撮像素子2は、CCDイメージセンサ
からなり、光電変換素子21が配列されて受光部を形成
している。各光電変換素子21は図示していない信号ラ
インによって固体撮像素子2の一辺に配置された電極パ
ッド22のうち対応する電極パッド22と電気的に接続
されている。固体撮像素子2は基台1上にそれぞれの対
応する電極パッド11、22が近接するように載置され
ており、対応する電極パッド11、22同士は配線4に
よって電気的に接続されている。基台1の各凸部14〜
16の高さが前述したように設定されているので、固体
撮像素子2の入射面2aは、各凸部14〜16の頂面1
4a〜16aより高い位置に配置される。
【0012】固体撮像素子2の受光部上には、入射した
放射線を光電変換素子21が感度を有する波長帯の光に
変換する柱状構造のシンチレータ3が形成されている。
シンチレータ3には、各種の材料を用いることができる
が、発光効率が良いTlドープのCsI等が好ましい。
【0013】さらに、固体撮像素子2と基台1の表面を
覆う保護膜5が形成されている。この保護膜5は、X線
透過性で、水蒸気を遮断するものであり、基台1側から
電気絶縁性の第1の有機膜51、金属薄膜52、電気絶
縁性の第2の有機膜53が積層されて構成されている。
【0014】第1の有機膜51と第2の有機膜53に
は、ポリパラキシリレン樹脂(スリーボンド社製、商品
名パリレン)、特にポリパラクロロキシリレン(同社
製、商品名パリレンC)を用いることが好ましい。パリ
レンによるコーティング膜は、水蒸気及びガスの透過が
極めて少なく、撥水性、耐薬品性も高いほか、薄膜でも
優れた電気絶縁性を有し、放射線、可視光線に対して透
明であるなど有機膜51、53にふさわしい優れた特徴
を有している。また、金属薄膜52としては、金、銀、
アルミなどの金属薄膜が使用できる。この金属薄膜52
はシンチレータ3で発せられた光のうち、固体撮像素子
2側でなく、放射線入射面側に向かう光を反射すること
で検出器の検出感度を増大させるミラーの役目を果た
す。
【0015】電極パッド11、22と配線4部分の保護
膜5をさらに覆って包み込むようにして保護樹脂層6が
形成されている。この保護樹脂層6としては、保護膜5
との接着性が良好な樹脂、例えばアクリル系接着剤であ
る協立化学産業株式会社製WORLD ROCK No.801-SET2(70,
000cPタイプ)を用いることが好ましい。
【0016】次に、図4〜図16を用いて本発明に係る
放射線検出器の製造工程を具体的に説明する。最初に図
4に示されるような基台1を用意する。この基台1は、
前述したように裏面に外部接続用の電極端子12を表面
に電極パッド11が配列されており、表面側の3辺に沿
って凸部14〜16が配置され、それらに挟まれた部分
に凹部10が形成されている。
【0017】この凹部10に固体撮像素子2をその電極
パッド22が基台1の電極パッド11側を向くようにし
て光電変換素子21の受光面を表にして載置して図5に
示されるように固定する。このときに、凸部14〜16
を利用して固体撮像素子2の位置決めを行うことでその
固定作業が容易となる。このとき、固体撮像素子2の入
射面2aは、各凸部14〜16の頂面14a〜16aよ
り高い位置に配置されることになる。そして、電極パッ
ド11と電極パッド22とをワイヤボンディングにより
配線4で電気的に接続する(図6、図7参照)。
【0018】次に、こうして固体撮像素子2を載置して
いる基台1を蒸着基板ホルダー200にセットする。図
8、図9はセット後の断面図を示したものである。この
とき、基台1は、図8に示されるようにその対向する凸
部14、16を蒸着基板ホルダー200の200dによ
って支持することにより収容部200c内に収容、支持
される。このとき、図8、図9に示されるように、固体
撮像素子2の入射面2aは、蒸着基板ホルダー200の
蒸着側表面200a付近、好ましくは蒸着側表面200
aから蒸着室201側へ突出するように配置される。こ
れは、凸部14〜16の頂面14a〜16aが入射面2
aより低く形成されていることによって可能となる。そ
して、蒸着基板ホルダー200の凸部15側に設けられ
たカバー部200aによって電極パッド11、22と配
線4は覆われている。
【0019】この状態で蒸着基板ホルダー200を蒸着
装置内にセットして、真空蒸着法によって固体撮像素子
2の入射面2aの受光部上にTlをドープしたCsIを厚さ
約200μmの柱状結晶として成長させて、シンチレータ
3層を形成する(図10、図11参照)。蒸着基板ホル
ダー200に設置された固体撮像素子2の入射面2aの
受光部の周囲には、入射面2aより蒸着室201側に突
出した部分はカバー部200aを除いて存在しないの
で、カバー部200a側、つまり、電極パッド22側を
除いて周辺部分までほぼ均一な厚みのシンチレータ3層
を形成することが可能である。
【0020】CsIは、吸湿性が高く、露出したままにし
ておくと空気中の水蒸気を吸湿して溶解してしまうの
で、その保護のため、図12に示されるように、CVD
(化学的蒸着)法によりシンチレータ3が形成された固
体撮像素子2付の基台1全体を厚さ10μmのパリレンで
包み込み、第1の有機膜51を形成する。
【0021】具体的には、金属の真空蒸着と同様に真空
中で蒸着によるコーティングを行うもので、原料となる
ジパラキシリレンモノマーを熱分解して、生成物をトル
エン、ベンゼンなどの有機溶媒中で急冷しダイマーと呼
ばれるジパラキシリレンを得る工程と、このダイマーを
熱分解して、安定したラジカルパラキシリレンガスを生
成させる工程と、発生したガスを素材上に吸着、重合さ
せて分子量約50万のポリパラキシリレン膜を重合形成
させる工程からなる。
【0022】CsIの柱状結晶の間には隙間があるが、パ
リレンはこの狭い隙間にある程度入り込むので、第1の
有機膜51は、シンチレータ3層に密着し、シンチレー
タ3を密封する。また、この第1の有機膜51は、電極
パッド11、22の表面のみならず両者を繋ぐ配線4の
周囲にも形成され、配線4を被覆する。これにより配線
4の接着強度、機械的強度が増すので、その後の工程に
おいて配線4の取り扱いが容易になる。このパリレンコ
ーティングにより、凹凸のあるシンチレータ3層表面に
均一な厚さの精密薄膜コーティングを形成することがで
きる。また、パリレンのCVD形成は、金属蒸着時よりも
真空度が低く、常温で行うことができるため、加工が容
易である。
【0023】続いて、図13に示されるように、第1の
有機膜51の入射面側の表面に0.15μm厚さのAl膜を蒸
着法により積層することで金属薄膜52を形成する。こ
の金属薄膜52を形成する際には、シンチレータ3層の
前に適切なマスク(図示せず)を配置して、シンチレー
タ3層の直上部分の第1の有機膜51上にのみ金属薄膜
52を形成することが望ましい。しかしながら、マスク
を配置しても蒸着時には金属蒸気が僅かながらマスクの
外側へと回り込んでしまうことがある。このため、特
に、受光部と電極パッドとの間隔が狭い場合、金属薄膜
52をシンチレータ3層の直上部分だけに形成するのは
困難であり、配線4や電極パッド11、22上にまで金
属が蒸着されてしまうことがある。本発明によれば、配
線4と電極パッド11、22が第1の有機膜51で被覆
されているので、金属薄膜52が配線4と電極パッド1
1、22上に直接形成されることがなく、金属薄膜52
による配線4、電極パッド11、22の短絡を効果的に
防止できる。
【0024】また、金属薄膜52の蒸着時、マスクを配
置しない場合も、配線4や電極パッド11、22部分に
まで金属薄膜52が形成されることになるが、配線4と
電極パッド11、22は第1の有機膜51で被覆されて
いるので、短絡は防止されている。また、金属薄膜52
を第1の有機膜51を介して配線4と電極パッド11、
22を覆う幅広い領域に形成することで、耐湿性をより
向上させることができる。
【0025】そして、再度CVD法により、パリレンを基
板全体の表面に10μm厚さで被覆して第2の有機膜53
を形成する(図14参照)。この第2の有機膜53は、
金属薄膜52のハンドリング等による汚れやはく離、酸
化による劣化を防止するためのものである。こうして第
1の有機膜51、金属薄膜52、第2の有機膜53を積
層させてなる保護膜5が形成される。
【0026】金属薄膜52を第1の有機膜51を介して
配線4や電極パッド11、22上にも形成した場合、金
属薄膜52、第2の有機膜53は電極パッド11、22
の表面のみならず両者を繋ぐ配線4の周囲にも形成され
ており、第1の有機膜51と合わせて配線4を三重に被
覆していることになり、より配線4の機械的強度、接着
強度を上げることができる。また、上述したようにマス
クを用いて金属薄膜52を形成した場合は、配線4の周
囲や電極パッド11、22上には第1の有機膜51と第
2の有機膜53の二重被覆が形成されることになる。
【0027】続いて、電極パッド11、12の保護膜5
上に保護膜5で被覆されている配線4を包み込むように
樹脂を塗布して硬化させることで保護樹脂層6を形成す
る。配線4は、電極パッド11、12を覆う保護膜5上
に突出し、その周囲は、配線4上にまで金属薄膜52を
形成した場合は、有機膜51、53と金属薄膜52から
なる保護膜5により三重に被覆される(図16(a)参
照)。また、配線4上には金属薄膜52を形成していな
い場合には、有機膜51、53により二重に被覆される
(図16(b)参照)。いずれの場合も、図15、図1
6に示されるように被覆配線4の周囲に回り込み、配線
4をポッティングしている。これにより配線4がさらに
保護されるので、使用時の配線4の破損を効果的に防止
できる。この保護樹脂層6は必ずしも設ける必要はない
が、配線4の保護のためには設けることが好ましい。
【0028】この後で形成した保護膜5のうち基台1の
裏面の保護膜5を除去して基台1裏面に設けられている
外部接続用の電極端子12を露出させることで図1〜図
3に示される放射線検出器が得られる。
【0029】続いて、本実施形態の動作を図1〜図3に
より、説明する。入射面側から入射したX線(放射線)
は、保護膜5、すなわち、第2の有機膜53、金属薄膜
52、第1の有機膜51の全てを透過してシンチレータ
3に達する。このX線は、シンチレータ3で吸収され、
X線の光量に比例した光が放射される。放射された光の
うち、X線の入射方向に逆行した光は、第1の有機膜5
1を透過して、金属薄膜52で反射される。このため、
シンチレータ3で発生した光はほとんど全てが光電変換
素子2へと入射する。このため、効率の良い高感度の測
定が可能となる。
【0030】また、本発明に係る放射線検出器において
はシンチレータ3層を受光部全体にほぼ均一な高さで形
成することができるので、出力特性がほぼ均一となる有
効な画素面積を最大限に広くとることが可能となり、撮
像素子いっぱいに受光部を形成することができるので、
従来品と同一の受光部のものであれば、その分検出器自
体の大きさを小型化することが可能である。
【0031】各々の光電変換素子2では、光電変換によ
り、この可視光の光量に対応する電気信号が生成されて
一定時間蓄積される。この可視光の光量は入射するX線
の光量に対応しているから、つまり、各々の光電変換素
子2に蓄積されている電気信号は、入射するX線の光量
に対応することになり、X線画像に対応する画像信号が
得られる。光電変換素子2に蓄積されたこの画像信号を
図示していない信号ラインから電極パッド22、配線
4、電極パッド11、配線13を介して最終的には電極
端子12から順次出力することにより、外部へと転送
し、これを所定の処理回路で処理することにより、X線
像を表示することができる。
【0032】このような構成を採用することにより、放
射線検出器の厚みを2.5mm程度と従来良く用いられてき
たFOP(ファイバ光学プレート)付の放射線検出器の厚
み5.0mmの半分程度に薄くすることが可能となった。ま
た、撮像素子いっぱいに受光部を形成した固体撮像素子
の受光部にシンチレータを均一に形成できるので、撮像
素子の受光部を大面積化しかつ全体を小型化した放射線
検出器が実現できる。この結果、従来品(特開平10-282
243号公報)と同程度の受光部の面積を確保しつつ、放
射線検出器の入射面側面積を従来品の90%程度とコン
パクトにすることが可能となった。これは口腔内に挿入
して使用する歯科用の放射線検出器においては大きな利
点である。
【0033】以上の説明では、保護膜5を有する構成に
ついて説明してきたが、防湿構造のケースに入れて使用
するなど他の保護手段を用いる場合やシンチレータとし
て耐湿性材料を使用する場合には、保護膜5のない構成
であってもよい。また、保護膜5を有する場合であって
も、その構成には各種の構成が考えられ、有機膜あるい
は無機膜の1層構造でもこれらを組み合わせた多層構造
を採用してもよい。また、固体撮像素子2はアモルファ
スシリコン製のフォトダイオード(PD)アレイと薄膜
トランジスタ(TFT)で形成したものでもよいし、M
OS型のイメージセンサでもよい。
【0034】続いて、本発明に係る放射線検出器のその
他の実施形態について説明する。図17、図18に示さ
れる実施形態では、基台1にはその表面中央に設けられ
た凹部10を取り囲んで6つの凸部14〜19が設けら
れており、それらの頂面位置はいずれも凹部10に載置
した固体撮像素子2の入射面2aより低くなるよう設定
されている。
【0035】図19、図20に示される実施形態では、
凸部14、16が凸部15より低く設定されている点が
図1〜図3に示される実施形態と異なる。また、図2
1、図22に示される実施形態では、基台1の凸部15
に対向する辺に沿って凸部17が設けられている点が図
1〜図3に示される実施形態と異なる。
【0036】これらの実施形態においても、各凸部の頂
面が載置された固体撮像素子の受光部入射面より低くな
るよう設定されているので、基台1に固体撮像素子を載
置し、配線を施した後で受光部全体に均一なシンチレー
タ層を形成することができる。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、固
体撮像素子を載置する基台の載置面側に設けられた突出
部の高さが載置された固体撮像素子の入射表面より低く
なるよう設定されているので、固体撮像素子の位置決め
がこの突出部により簡単に行えるとともに、載置後に固
体撮像素子の受光部全体に均一なシンチレータ層を形成
することが可能であり、検出器の薄型化・小型化と同時
に大面積化を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る放射線検出器の実施形態を示す斜
視図である。
【図2】図1の部分拡大図である。
【図3】本発明に係る放射線検出器の実施形態を示す側
面図である。
【図4】図1の装置に用いられる基台の斜視図である。
【図5】図1の装置の製造工程を説明する側面図であ
る。
【図6】図5の工程の次の工程を説明する側面図であ
る。
【図7】図6の工程を説明する斜視図である。
【図8】図6の工程の次の工程で用いる蒸着基板ホルダ
ーの断面図である。
【図9】図8の蒸着基板ホルダーを別の側から見た断面
図である。
【図10】図6の工程の次の工程を説明する側面図であ
る。
【図11】図10の工程を説明する斜視図である。
【図12】図10の工程の次の工程を説明する側面図で
ある。
【図13】図11の工程の次の工程を説明する側面図で
ある。
【図14】図13の工程の次の工程を説明する側面図で
ある。
【図15】図14の工程の次の工程を説明する側面図で
ある。
【図16】図14における配線部分の拡大断面図を2つ
の実施形態についてそれぞれ示す図である。
【図17】本発明に係る放射線検出器の別の実施形態の
シンチレータ層形成前の斜視図である。
【図18】図17に対応する側面図である。
【図19】本発明に係る放射線検出器のさらに別の実施
形態のシンチレータ層形成前の斜視図である。
【図20】図19に対応する側面図である。
【図21】本発明に係る放射線検出器のさらに別の実施
形態のシンチレータ層形成前の斜視図である。
【図22】図21に対応する側面図である。
【符号の説明】
1…基台、2…固体撮像素子、3…シンチレータ、4、
13…配線、5…保護膜、6…保護樹脂層、10…凹
部、11、22…電極パッド、14〜19…凸部、20
…基板、21…光電変換素子、51、53…有機膜、5
2…金属薄膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮口 和久 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 Fターム(参考) 2G088 EE03 FF02 GG20 JJ05 JJ31 JJ33 JJ40 4C093 CA15 CA32 DA05 EB12 EB16 EB17 EB18 EB20 5C024 AX16 CX00 CX37 EX21 EX25 GY01 5F088 BA15 BA16 BB03 EA04 EA16 HA15 JA03 LA08

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の光電変換素子を配置した受光部
    と、前記光電変換素子に電気的に接続されている電極パ
    ッドとを備える固体撮像素子と、 前記固体撮像素子の受光部表面上に形成されているシン
    チレータと、 前記固体撮像素子を載置する載置面と、前記載置面に隣
    接し、前記載置面より上方に突出してその側壁で前記固
    体撮像素子を位置決めする位置決め部とを有している基
    台と、 を備えており、前記位置決め部は、その上面より前記固
    体撮像素子の受光表面が光入射側に突出するよう形成さ
    れている放射線検出器。
  2. 【請求項2】 前記基台は、外部接続用の電極と、前記
    位置決め部の上面に設けられて外部接続用電極と電気的
    に接続される電極パッドとをさらに有するとともに、前
    記固体撮像素子の電極パッドと前記基台の電極パッドと
    を相互に接続する配線をさらに備えている請求項1記載
    の放射線検出器。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006058168A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Hamamatsu Photonics Kk 放射線撮像素子および放射線撮像方法
WO2008062576A1 (fr) 2006-11-21 2008-05-29 Hamamatsu Photonics K.K. Procédé de radiographie et système de radiographie
JP2009133837A (ja) * 2007-11-05 2009-06-18 Canon Inc 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP2009283645A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板および多数個取り配線基板
JP2012177623A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置、及び放射線画像検出装置の製造方法
JP2012177624A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法
JP2021107805A (ja) * 2020-09-16 2021-07-29 株式会社ジョブ 放射線検出器およびその製造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001088568A1 (fr) * 2000-05-19 2001-11-22 Hamamatsu Photonics K.K. Detecteur de rayonnement et procede de fabrication de ce detecteur
DE60313364T2 (de) * 2002-12-10 2008-01-03 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Radiographisches gerät
US7473903B2 (en) * 2003-02-12 2009-01-06 General Electric Company Method and apparatus for deposited hermetic cover for digital X-ray panel
EP1607768A4 (en) * 2003-03-07 2015-08-26 Hamamatsu Photonics Kk SCINTILLING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING RADIATION IMAGE SENSOR
EP1695117A1 (en) * 2003-12-09 2006-08-30 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Shielding for an x-ray detector
EP2103958B1 (en) * 2004-05-11 2017-08-02 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation imaging device
JP5089195B2 (ja) * 2006-03-02 2012-12-05 キヤノン株式会社 放射線検出装置、シンチレータパネル、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法
EP2180343B1 (en) 2008-10-27 2018-07-25 Dental Imaging Technologies Corporation System and method of x-ray detection with a sensor
US9492129B2 (en) * 2008-10-27 2016-11-15 Dental Imaging Technologies Corporation Triggering of intraoral X-ray sensor using pixel array sub-sampling
US8366318B2 (en) 2009-07-17 2013-02-05 Dental Imaging Technologies Corporation Intraoral X-ray sensor with embedded standard computer interface

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59122988A (ja) 1982-12-29 1984-07-16 Shimadzu Corp 放射線計測素子
US5153438A (en) * 1990-10-01 1992-10-06 General Electric Company Method of forming an x-ray imaging array and the array
US5187369A (en) * 1990-10-01 1993-02-16 General Electric Company High sensitivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer
US5179284A (en) * 1991-08-21 1993-01-12 General Electric Company Solid state radiation imager having a reflective and protective coating
US5132539A (en) * 1991-08-29 1992-07-21 General Electric Company Planar X-ray imager having a moisture-resistant sealing structure
JPH0560871A (ja) 1991-09-04 1993-03-12 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出素子
US5208460A (en) * 1991-09-23 1993-05-04 General Electric Company Photodetector scintillator radiation imager having high efficiency light collection
DE69416460D1 (de) * 1993-07-01 1999-03-25 Gen Electric Anschmiegendes Aufbringen von einer dünnen Membrane auf eine unregelmässig geformte Oberfläche
JP2721476B2 (ja) 1993-07-07 1998-03-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出素子及びその製造方法
JPH10153664A (ja) * 1996-09-30 1998-06-09 Shimadzu Corp 2次元アレイ型放射線検出器
AU5878898A (en) * 1997-02-14 1998-09-08 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detection device and method of producing the same
AU5878798A (en) * 1997-02-14 1998-09-08 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detection device and method of producing the same
US7019301B2 (en) * 1997-02-14 2006-03-28 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detection device and method of making the same
JP3836208B2 (ja) 1997-04-09 2006-10-25 浜松ホトニクス株式会社 医療用小型x線画像検出装置
US6172371B1 (en) * 1998-06-15 2001-01-09 General Electric Company Robust cover plate for radiation imager
AU4168699A (en) * 1998-06-18 2000-01-05 Hamamatsu Photonics K.K. Method of organic film deposition
WO1999066346A1 (fr) 1998-06-18 1999-12-23 Hamamatsu Photonics K.K. Plaque de scintillateurs, capteur d'image radiologique et procede de fabrication
EP1684095B1 (en) * 1998-06-18 2013-09-04 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
DE19843984B4 (de) * 1998-09-25 2013-10-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Strahlungssensoren
DE19853605A1 (de) 1998-11-20 2000-05-25 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer Leuchtschicht
JP2001015723A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Canon Inc 放射線光変換装置、それを備える放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線光変換装置の製造方法
US6414315B1 (en) * 1999-10-04 2002-07-02 General Electric Company Radiation imaging with continuous polymer layer for scintillator
WO2001051951A1 (fr) 2000-01-13 2001-07-19 Hamamatsu Photonics K.K. Capteur d'image radiologique et panneau de scintillateur
KR100747800B1 (ko) 2000-01-13 2007-08-08 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 방사선 이미지 센서 및 신틸레이터 패널
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006058168A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Hamamatsu Photonics Kk 放射線撮像素子および放射線撮像方法
US7705317B2 (en) 2004-08-20 2010-04-27 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation imaging device and radiation imaging method
WO2008062576A1 (fr) 2006-11-21 2008-05-29 Hamamatsu Photonics K.K. Procédé de radiographie et système de radiographie
US7483514B2 (en) 2006-11-21 2009-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray imaging method and X-ray imaging system
JP2009133837A (ja) * 2007-11-05 2009-06-18 Canon Inc 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP2009283645A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板および多数個取り配線基板
JP2012177623A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置、及び放射線画像検出装置の製造方法
JP2012177624A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法
JP2021107805A (ja) * 2020-09-16 2021-07-29 株式会社ジョブ 放射線検出器およびその製造方法

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