JP2021107805A - 放射線検出器およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化を実現可能とする放射線検出器およびその製造方法を提供する。【解決手段】上面から入射する放射線を検出する放射線検出素子２と、平面視で放射線検出素子２よりも大きく形成され且つ放射線検出素子２の下面に接続されていて放射線検出素子２から得られる信号を処理して外部に電気信号を出力する半導体素子３とを備える放射線検出器１の製造方法において、半導体素子３の上面に放射線検出素子２が配置された後に、放射線検出素子２の側面２ａと半導体素子３の上面３ａとに接触する状態で放射線を遮蔽する遮蔽部材７が配置される。【選択図】図２

Description

本発明は、放射線を検出する放射線検出器およびその製造方法に関するものであり、詳しくは小型化を実現可能とする放射線検出器およびその製造方法に関するものである。

放射線検出器が種々提案されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１には、開口部を有する遮蔽部材が放射線検出素子の上方に配置された放射線検出器の構成が開示されている。

放射線検出素子の一部が遮蔽部材で覆われるため、平面視において放射線検出素子の周縁部には放射線が到達し難い状態となっていた。放射線検出素子の周縁部は放射線の検出に有効利用できなかった。放射線検出器を製造する際には、有効利用できない範囲を見込んで放射線検出素子の大きさが決定されていた。そのため平面視において放射線検出器を小型化することは困難であった。

上下方向において放射線検出素子から所定の間隔をあけて遮蔽部材が配置されていた。そのため上下方向において放射線検出器を小型化することは困難であった。

日本国特開２００６−３２２７４５号公報

本発明は上記の問題を鑑みてなされたものであり、その目的は小型化を実現可能とする放射線検出器およびその製造方法を提供することである。

上記の目的を達成するための放射線検出器は、上面から入射する放射線を検出する放射線検出素子と、平面視で前記放射線検出素子よりも大きく形成され且つ前記放射線検出素子の下面に接続されていて前記放射線検出素子から得られる信号を処理して外部に電気信号を出力する半導体素子とを備える放射線検出器において、放射線を遮蔽する遮蔽部材を備えていて、前記遮蔽部材が前記放射線検出素子の側面と前記半導体素子の上面とに接触する状態で配置される構成を有することを特徴とする。

上記の目的を達成するための放射線検出器の製造方法は、上面から入射する放射線を検出する放射線検出素子と、平面視で前記放射線検出素子よりも大きく形成され且つ前記放射線検出素子の下面に接続されていて前記放射線検出素子から得られる信号を処理して外部に電気信号を出力する半導体素子とを備える放射線検出器の製造方法において、前記半導体素子の上面に前記放射線検出素子が配置された後に、前記放射線検出素子の側面と前記半導体素子の上面とに接触する状態で放射線を遮蔽する遮蔽部材が配置されることを特徴とする。

本発明によれば、放射線検出素子の側面に接触する状態で遮蔽部材が配置されるので、放射線検出素子の上面の全域を検出領域として有効利用できる。放射線検出素子による検出範囲を大きくできるので、放射線検出器の小型化を実現するには有利である。

放射線検出器を斜視で例示する説明図である。 図１の放射線検出器をＡＡ矢視で例示する説明図である。 図１の放射線検出器を平面視で例示する説明図である。 図１の半導体素子を平面視で例示する説明図である。 放射線検出器の参考例を例示する説明図である。 図５の放射線検出器を平面視で例示する説明図である。 図２の放射線検出器の変形例を例示する説明図である。 図２の放射線検出器の変形例を例示する説明図である。

以下、放射線検出器およびその製造方法を図に示した実施形態に基づいて説明する。図中では放射線検出器の幅方向を矢印ｘ、この幅方向ｘを直角に横断する縦方向を矢印ｙ、上下方向を矢印ｚで示している。

図１および図２および図３に例示するように放射線検出器１は、上面から入射する放射線を検出する放射線検出素子２と、放射線検出素子２の下面に接続されていて放射線検出素子２から得られる信号を処理して外部の機構に電気信号を出力する半導体素子３を備えている。半導体素子３が電気信号を出力する外部の機構は、例えば半導体素子３の下方に配置される回路基板４で構成される。

放射線検出素子２は、上面から放射線が入射するとこれを電気信号に変換する機能を有していて、例えばＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）系半導体などの直接変換型半導体で構成される。この直接変換型半導体は、入射した放射線を光子とみなしてこの光子のエネルギに比例した電気信号を出力する構成を有している。放射線検出素子２は放射線を電気信号に変換する構成を有していればよい。この実施形態では放射線検出素子２は、直方体形状に形成されている。上下方向ｚの長さに対して幅方向ｘおよび縦方向ｙの長さが長い平板形状に放射線検出素子２は形成されている。放射線検出素子２は幅方向ｘおよび縦方向ｙに並べて配置される複数のピクセルを有していて、ピクセル毎に放射線の検出を可能としている。放射線検出素子２は例えば幅方向ｘに５０ｍｍ、縦方向ｙに５０ｍｍ、上下方向ｚに５ｍｍの大きさに構成される。放射線検出素子２の大きさは上記に限らず、例えば幅方向ｘに４．０ｍｍ、縦方向ｙに１６．０ｍｍ、上下方向ｚに１．５ｍｍの大きさなど、放射線検出器１の使用目的等に応じて適宜変更できる。

図２に例示するように半導体素子３は、複数のバンプ５を介して放射線検出素子２と電気的に接続されている。放射線検出素子２の下面と半導体素子３の上面３ａとが対向する状態で配置されている。半導体素子３は、具体的には光子計数型ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）で構成される。この光子計数型ＡＳＩＣは放射線検出素子２から得られる電気信号を増幅してデジタル化する構成を有している。

放射線検出素子２と半導体素子３の組み合わせは上記に限定されない。例えば放射線が入射すると発光するシンチレータで放射線検出素子２が構成されてもよい。この放射線検出素子２は放射線を光信号に変換する構成を有している。このとき半導体素子３は例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサや、フォトダイオードで構成される。ＣＭＯＳイメージセンサ等は放射線検出素子２から得られる光信号を電気信号に変換する構成を有している。放射線検出素子２の下面と半導体素子３の上面３ａとは光学的に接続される。また半導体素子３は例えば積分型の処理回路を搭載した積分型ＡＳＩＣで構成されてもよい。放射線検出素子２としてシンチレータまたは直接変換型半導体のいずれかが選択されて、これと組み合わせる状態で半導体素子３として積分型ＡＳＩＣまたは光子計数型ＡＳＩＣのいずれかが選択されてもよい。

図４に例示するように半導体素子３は、放射線検出素子２から得られる信号の処理を行なう処理領域３ｂと、この処理領域３ｂ以外の部分からなる補助領域３ｃとを有している。図４では説明のため処理領域３ｂと補助領域３ｃとの境界を破線で示している。処理領域３ｂは放射線検出素子２の各ピクセルから受けた信号を電気信号として出力するための回路で構成されている。補助領域３ｃは、具体的には処理領域３ｂから受ける信号を外部に転送するデータ転送用回路やＩ／Ｏドライバや内部回路用定電圧発生回路等で構成されている。補助領域３ｃは例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等で構成されている。

この実施形態では平面視において放射線検出素子２と同一となる大きさの処理領域３ｂを半導体素子３は有している。放射線検出素子２の各ピクセルに対応する回路が処理領域３ｂには形成されている。補助領域３ｃは半導体素子３の周縁部であり且つ放射線検出素子２の側面２ａよりも外側となる領域に形成されている。この実施形態では補助領域３ｃは放射線検出素子２に覆われない状態となる。そのため図２および図３に例示するように、平面視において半導体素子３の方が放射線検出素子２よりも大きく形成されている。補助領域３ｃは処理領域３ｂから受ける信号を、導電性ワイヤ６を介して外部である回路基板４に転送するデータ転送用回路を有している。

平面視における処理領域３ｂと放射線検出素子２の大きさが同一である構成に限定されない。放射線検出素子２の方が大きく形成されてもよい。例えば補助領域３ｃの一部を覆う大きさを放射線検出素子２が有していてもよい。この場合、補助領域３ｃを覆う部分は放射線検出素子２として機能しない。また処理領域３ｂの方が大きく形成されてもよい。例えば放射線検出素子２から一部がはみ出す大きさを処理領域３ｂが有していてもよい。この場合、放射線検出素子２に覆われていない部分は処理領域３ｂとして機能しない。

回路基板４はその上面が、半導体素子３の下面と対向する状態で配置されている。半導体素子３と回路基板４とは導電性ワイヤ６により電気的に接続されている。図２に例示するように導電性ワイヤ６は、例えば半導体素子３の上面と回路基板４の上面とを接続する状態に配置されている。回路基板４は半導体素子３の下方に配置される構成に限定されない。半導体素子３の側方に回路基板４が配置される構成であってもよい。

導電性ワイヤ６の配置状態は上記に限定されない。半導体素子３の下面と回路基板４とを接続する構成を導電性ワイヤ６が有していてもよい。ただし半導体素子３の上面に導電性ワイヤ６が接続される構成の方が、放射線検出器１の上下方向ｚの厚みを小さくするには有利である。この構成は放射線検出器１の薄型化には有利となる。

図２に例示するように放射線検出素子２の側面２ａと半導体素子３の上面３ａとに接触する状態で、遮蔽部材７が配置されている。この実施形態では半導体素子３の周縁部であり且つ放射線検出素子２の側面２ａよりも外側となる領域に遮蔽部材７が配置されている。半導体素子３の補助領域３ｃを覆う状態で遮蔽部材７が配置されているとも言える。上下方向ｚにおいて放射線検出素子２の上面よりも低い領域に遮蔽部材７が配置されることが望ましい。図２および図３では説明のため遮蔽部材７に斜線を付している。遮蔽部材７は放射線を遮蔽する物質で構成されている。図２では導電性ワイヤ６の一部であり遮蔽部材７に埋没している部分を説明のため破線で示している。

遮蔽部材７は例えば接着剤と放射線を遮蔽する粒子との混合物で構成される。接着剤と粒子との混合物は、塗布する際には流動性と比較的高い粘性とを有していて、その後硬化することで半導体素子３に放射線検出素子２を固定する構成を有していればよい。接着剤は、例えばエポキシ系樹脂接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤を利用できる。また接着剤は、紫外線を照射されることで硬化する光硬化性接着剤で構成されてもよい。

放射線を遮蔽する粒子は、例えばバリウム、タンタル、鉛、タングステン、ビスマスなどの重金属の粒子で構成される。また硫酸バリウム、五酸化タンタル、一酸化鉛、三酸化ビスマスなどの重金属の硫化物や酸化物で粒子が構成されてもよい。特に２０ＫｅＶ以下など放射線のエネルギが比較的低い場合は、二酸化ケイ素を主成分とするガラスや酸化アルミニウムなどの軽金属の酸化物等で放射線を遮蔽する粒子が構成されてもよい。また複数種の粒子の混合物で放射線を遮蔽する粒子を構成してもよい。

放射線検出器１の製造方法を以下に説明する。まず回路基板４の上面に半導体素子３が配置されて固定される。その後、半導体素子３と回路基板４とが導電性ワイヤ６で接続される。半導体素子３の上面３ａに放射線検出素子２が配置される。その際に半導体素子３の上面３ａと放射線検出素子２の下面とがバンプ５等により電気的に接続される。放射線検出素子２がシンチレータで構成される場合は、半導体素子３の上面３ａと放射線検出素子２の下面とが光学的に接続される。その後、図２に例示するように放射線検出素子２の側面２ａと半導体素子３の上面３ａとの間に流動性を有するペースト状の遮蔽部材７が配置される。

側面２ａと上面３ａとに同時に接触する状態でペースト状の一塊の遮蔽部材７が配置される。その後遮蔽部材７が硬化することで、放射線検出素子２の側面２ａと半導体素子３の上面３ａとが遮蔽部材７を介して相対的に固定される。遮蔽部材７は導電性ワイヤ６の一部を巻き込み内部に取り込む状態で配置される。導電性ワイヤ６を通過する信号への影響を抑制するため、遮蔽部材７は絶縁体で構成されることが望ましい。

上下方向ｚにおける遮蔽部材７の厚みは、放射線検出器１に照射される放射線の強度に応じて適宜調整される。照射される放射線を十分に遮蔽できる厚みとなる状態で、遮蔽部材７は半導体素子３の上面３ａに盛り付けられる。半導体素子３の上面３ａの少なくとも一部を覆う状態で遮蔽部材７は配置されていればよい。望ましくは半導体素子３の上面３ａのうち、放射線検出素子２で覆われていない部分の全体を覆う状態で遮蔽部材７を配置する。また遮蔽部材７は、半導体素子３の側面や回路基板４の上面に至る範囲に配置されてもよい。

放射線検出素子２の側面２ａと接触する一方で放射線検出素子２の上面とは接触しない状態で遮蔽部材７が配置される。望ましくは少なくとも側面２ａと接触する位置では上下方向ｚにおいて放射線検出素子２の上面よりも、遮蔽部材７は低い位置に配置される。この構成によれば放射線検出素子２に到達すべき放射線が遮蔽部材７により遮蔽される不具合を回避できる。放射線検出素子２の上面の全体を放射線の検出に利用できる。放射線検出素子２を構成する全てのピクセルを放射線の検出に有効利用できる。放射線検出器１は、平面視においてより小さい放射線検出素子２でより広い範囲の放射線を検出することが可能となる。放射線検出器１の小型化を実現するには有利である。

上下方向ｚにおいて放射線検出素子２の上面よりも低い位置に遮蔽部材７の全体が配置される場合は、放射線検出器１を上下方向ｚにおいて小型化するには有利である。放射線検出素子２の上面よりも高い位置に遮蔽部材７が配置される場合であっても、側面２ａと接触する位置では放射線検出素子２の上面よりも低い位置に遮蔽部材７が配置されることが望ましい。この構成によれば放射線検出器１の製造時に、放射線検出素子２の上面に遮蔽部材７が付着することを簡易かつ確実に防止できる。

図５に例示するように従来の放射線検出器１Ｘは、放射線検出素子２の周縁部が遮蔽部材７Ｘで覆われる構成であった。具体的には幅方向ｘに遮蔽部材７Ｘと重なる長さｄの部分を、放射線検出素子２は放射線の検出に利用できなかった。この放射線検出素子２は放射線の検出に利用できないピクセルが複数あった。そのため従来の放射線検出器１Ｘは、実際の検出に必要となる大きさよりも大きい放射線検出素子２を備えている必要があった。

図５に例示するように従来は遮蔽部材７Ｘが放射線検出素子２の一部を上方から覆う状態であった。そのため放射線検出素子２と遮蔽部材７Ｘとの接触を避けるため、上下方向ｚに一定の間隔ｈをあける必要があった。放射線検出器１Ｘを上下方向ｚに小さくする薄型化を実現することが困難であった。

これに対して本発明の放射線検出器１は、放射線検出素子２の側面２ａに遮蔽部材７が接触する状態である。放射線検出器１の薄型化を実現するには有利である。

放射線検出素子２の側面２ａに接触する状態で隙間なく遮蔽部材７を配置できる。遮蔽部材７による遮蔽効果を向上するには有利である。放射線検出素子２の側面２ａと遮蔽部材７との間の微細な隙間等から放射線が透過して半導体素子３に到達する不具合を回避しやすくなる。半導体素子３に到達する放射線により、半導体素子３の特性が徐々に変化する不具合を回避できる。半導体素子３の劣化や特性変化を回避できるので、放射線検出器１による検出精度を維持するには有利である。半導体素子３の特性が徐々に変化すると半導体素子３の劣化に気が付かず、誤った放射線画像等を取得し続ける不具合がある。

図６に例示するように従来は放射線検出素子２の周縁部を覆う遮蔽部材７Ｘの端部が、平面視において傾いて配置される状態（図６左方の遮蔽部材７Ｘ参照）や、真っ直ぐに加工されず凹凸を有する状態（図６右方の遮蔽部材７Ｘ参照）となっていた。そのため放射線検出素子２のピクセルごとの検出条件が異なることがあった。遮蔽部材７Ｘと放射線検出素子２との精密な位置合わせや、遮蔽部材７Ｘの端部を高精度でまっすぐに加工するには、放射線検出器１の製造コストが大幅に増加する不具合があった。図６では説明のため遮蔽部材７Ｘに覆われている放射線検出素子２等の一部を破線で示している。

本発明の放射線検出器１は、放射線検出素子２の全てのピクセルにおいて遮蔽部材７の影響を受けずに放射線を検出できる。放射線検出器１の製造コストを大幅に抑制しつつ、放射線の検出精度を向上するには有利である。

図７に例示するように遮蔽部材７は、例えば熱可塑性エラストマーに無機物を分散させてフィルム状に成形したフィルム状部材で構成されてもよい。フィルムを構成する樹脂材料に放射線を遮蔽する粒子を分散させてフィルム状部材を構成してもよい。フィルム状の遮蔽部材７は、幅方向ｘにおいて一端が放射線検出素子２の側面２ａと接触して、他端が半導体素子３の上面３ａと接触する状態で配置される（図７左方の遮蔽部材７参照）。その後、加熱されることで遮蔽部材７は変形して側面２ａおよび上面３ａに密着する状態となる（図７右方の遮蔽部材７参照）。放射線検出素子２および半導体素子３に対して遮蔽部材７は隙間なく配置される。放射線が半導体素子３に到達することを抑制するには有利である。

またフィルム状の遮蔽部材７により、放射線検出素子２を半導体素子３に固定できる。半導体素子３に放射線検出素子２を強固に固定するには有利である。

図７に例示するように放射線検出素子２の下面と半導体素子３の上面との隙間に接着剤を配置する構成としてもよい。放射線検出素子２と半導体素子３とをさらに強固に固定するには有利である。その際、放射線検出素子２と半導体素子３との隙間に気泡など接着剤以外の物質が混入しないように注意して製造する必要がある。

一方で図２に例示する実施形態のように放射線検出素子２と半導体素子３との隙間に接着剤を配置しない構成としてもよい。放射線検出素子２と半導体素子３との間は均質な空気の層が形成されることになる。放射線検出素子２から半導体素子３に伝達される電気的または光学的な信号に悪影響が発生する不具合を回避できる。隙間に接着剤を配置する際に気泡等の異物が混入すると、放射線検出素子２から半導体素子３に伝達される電気的または光学的な信号に悪影響が発生する。この影響は放射線検出器１の検出結果に影響がでるので望ましくない。

隙間に接着剤を配置しない構成とすることで、放射線検出器１の製造工程が簡易になり且つ検出精度への影響を排除できる。図２に例示する実施形態のように遮蔽部材７が接着剤と放射線を遮蔽する粒子との混合物で構成される場合も、隙間に遮蔽部材７が流れ込まない構成とすることが望ましい。遮蔽部材７が接着剤等で構成される場合は、その粘度を調整することで、隙間への遮蔽部材７の流れ込みを抑制できる。

例えば遮蔽部材７をエポキシ系樹脂接着剤と粉末状の酸化ビスマスの混合物で構成する場合、エポキシ系樹脂接着剤に対して体積比で二倍となる量の酸化ビスマスを混合することができる。この構成により塗布する際に放射線検出素子２と半導体素子３との隙間に遮蔽部材７が流れ込むことを防止できる。図３に例示するように平面視において放射線検出素子２の側面２ａより内側に遮蔽部材７が配置されない状態となる。つまり半導体素子３の処理領域３ｂの上面に遮蔽部材７が接触しない。放射線検出素子２から半導体素子３に伝達される電気的または光学的な信号への影響を抑制するには有利である。

図８に例示するように放射線検出器１が、放射線検出素子２の上方に配置されるカバー８を備える構成にしてもよい。このカバー８は放射線を遮蔽する部材で構成されている。放射線検出素子２の近傍には側面２ａに接触する状態で遮蔽部材７が配置されている。そのためカバー８は放射線検出素子２の周縁部の上面を覆う位置に配置する必要がない。例えば幅方向ｘにおいて、放射線検出素子２の側面２ａの近傍となる領域は遮蔽部材７により放射線が遮蔽されて、側面２ａから離れている領域はカバー８により放射線が遮蔽される。カバー８の設置により放射線の遮蔽効果を向上することができる。

放射線検出素子２の周縁部はカバー８で覆われないため、放射線検出素子２は上面の全域で効率よく放射線を検出できる。放射線検出器１の平面視における大きさを小型化するには有利である。放射線検出器１の上下方向ｚにおける大きさに対する制限が比較的緩く一方で遮蔽効果の向上が望まれる場合は、カバー８を設置する構成を採用することが望ましい。遮蔽部材７と接触する高さまでカバー８を下げて配置する構成としてもよい。例えば放射線検出素子２の上面とカバー８の上面の高さが同一となる状態で放射線検出器１が構成されてもよい。

導電性ワイヤ６と半導体素子３との接続部分に樹脂モールド９を配置する構成にしてもよい。複数配置されている導電性ワイヤ６どうしの絶縁性の向上および低容量性の確保に有利である。導電性ワイヤ６の間での信号干渉を抑制するには有利である。また半導体素子３に対する導電性ワイヤ６の固定を強固にするには有利である。

図８に例示する実施形態では樹脂モールド９の上方にカバー８が配置される構成となっている。樹脂モールド９を通過して半導体素子３に到達する放射線は、カバー８により遮蔽される。他方で樹脂モールド９を巻き込む状態で遮蔽部材７が配置される構成としてもよい。この場合は樹脂モールド９の上方に遮蔽部材７が配置される構成となる。

１ 放射線検出器
２ 放射線検出素子
２ａ 側面
３ 半導体素子
３ａ 上面
３ｂ 処理領域
３ｃ 補助領域
４ 回路基板
５ バンプ
６ 導電性ワイヤ
７ 遮蔽部材
８ カバー
９ 樹脂モールド
ｘ 幅方向
ｙ 縦方向
ｚ 上下方向
ｄ （重なる）長さ
ｈ （上下方向ｚの）間隔

上記の目的を達成するための放射線検出器は、上面から入射する放射線を検出する放射線検出素子と、平面視で前記放射線検出素子よりも大きく形成され且つ前記放射線検出素子の下面に接続されていて前記放射線検出素子から得られる信号を処理して外部に電気信号を出力する半導体素子とを備える放射線検出器において、放射線を遮蔽する遮蔽部材を備えていて、前記遮蔽部材が前記放射線検出素子の側面と前記半導体素子の上面とに接触する状態であり且つ前記遮蔽部材の上面が他の部材と接触しない状態で配置される構成を有するとともに、前記遮蔽部材が接着剤と放射線を遮蔽する粒子との混合物で構成されていて硬化することで前記半導体素子に前記放射線検出素子を固定する構成を有することを特徴とする。

上記の目的を達成するための放射線検出器の製造方法は、上面から入射する放射線を検出する放射線検出素子と、平面視で前記放射線検出素子よりも大きく形成され且つ前記放射線検出素子の下面に接続されていて前記放射線検出素子から得られる信号を処理して外部に電気信号を出力する半導体素子とを備える放射線検出器の製造方法において、前記半導体素子の上面に前記放射線検出素子が配置された後に、接着剤と放射線を遮蔽する粒子との混合物で構成されていて放射線を遮蔽する遮蔽部材が前記放射線検出素子の側面と前記半導体素子の上面とに接触する状態であり且つ前記遮蔽部材の上面が他の部材と接触しない状態で配置された後に、前記遮蔽部材が硬化して前記半導体素子に前記放射線検出素子を固定することを特徴とする。

Claims (9)

1. 上面から入射する放射線を検出する放射線検出素子と、平面視で前記放射線検出素子よりも大きく形成され且つ前記放射線検出素子の下面に接続されていて前記放射線検出素子から得られる信号を処理して外部に電気信号を出力する半導体素子とを備える放射線検出器において、
   放射線を遮蔽する遮蔽部材を備えていて、前記遮蔽部材が前記放射線検出素子の側面と前記半導体素子の上面とに接触する状態で配置される構成を有することを特徴とする放射線検出器。
2. 平面視で前記半導体素子の周縁部であり且つ前記放射線検出素子の側面よりも外側となる領域であり、上下方向において前記放射線検出素子の上面よりも低い領域に配置される構成を、前記遮蔽部材が有する請求項１に記載の放射線検出器。
3. 前記半導体素子が、前記放射線検出素子から得られる信号の処理を行なう処理領域と、この処理領域以外の部分からなる補助領域とを有していて、
   前記遮蔽部材が前記補助領域の上面に接触する状態で配置される構成を有する請求項１または２に記載の放射線検出器。
4. 前記遮蔽部材が前記補助領域の上面に接触して、前記処理領域の上面に接触しない構成を有する請求項３に記載の放射線検出器。
5. 前記遮蔽部材が、接着剤と放射線を遮蔽する粒子との混合物で構成されている請求項１〜４のいずれかに記載の放射線検出器。
6. 前記遮蔽部材が、エポキシ系樹脂接着剤と粉末状の酸化ビスマスとの混合物で構成されている請求項１〜５のいずれかに記載の放射線検出器。
7. 上面から入射する放射線を検出する放射線検出素子と、平面視で前記放射線検出素子よりも大きく形成され且つ前記放射線検出素子の下面に接続されていて前記放射線検出素子から得られる信号を処理して外部に電気信号を出力する半導体素子とを備える放射線検出器の製造方法において、
   前記半導体素子の上面に前記放射線検出素子が配置された後に、前記放射線検出素子の側面と前記半導体素子の上面とに接触する状態で放射線を遮蔽する遮蔽部材が配置されることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
8. 平面視で前記半導体素子の周縁部であり且つ前記放射線検出素子の側面よりも外側となる領域であり、上下方向において前記放射線検出素子の上面よりも低い領域に、前記遮蔽部材が配置される請求項７に記載の放射線検出器の製造方法。
9. 接着剤と放射線を遮蔽する粒子との混合物で前記遮蔽部材を構成して、前記遮蔽部材を前記放射線検出素子の側面と前記半導体素子の上面との間に配置した後に硬化させる請求項７または８に記載の放射線検出器の製造方法。

Images