JP2004064087A - 可撓性イメージャ及びデジタル画像形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 可撓性イメージャは、可撓性基板(101)と、該可撓性基板(101)上に配置された光センサ・アレイ(110)と、シンチレータ(190)とを含む。シンチレータ(190)は、入射する放射線(75)を光子に変換し、光センサ・アレイ(110)に光学的に結合されている。光センサ・アレイ(110)は光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成する。被写体(200)を画像化するためのデジタル画像形成方法は、可撓性デジタルイメージャ(100)を、被写体(200)が該可撓性デジタルイメージャ(100)と放射線源(300)との間に位置決めされるように該被写体に適合させるステップを含む。
【選択図】 図1
Description
100 可撓性イメージャ
101 可撓性基板
106 背面層
108 加熱素子
110 光センサ・アレイ
190 シンチレータ
195 カバー層
Claims (41)
- 入射する放射線(75)によって照射された被写体(200)を画像化するための可撓性イメージャ(100)であって、
可撓性基板(101)と、
前記可撓性基板上に配置された光センサ・アレイ(110)と、
前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ(190)と、
を備え、
前記光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されている、
ことを特徴とするイメージャ。 - 前記可撓性基板(101)がポリマーを含むことを特徴とする、請求項1に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 前記可撓性基板(101)がフレキシブル有機ポリマーを含むことを特徴とする、請求項2に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 前記可撓性基板(101)がポリイミドを含むことを特徴とする、請求項3に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 前記可撓性基板(101)が約2ミルから約10ミルまでの厚さにされていることを特徴とする、請求項2に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 前記可撓性基板(101)が約3ミルから約8ミルまでの厚さにされていることを特徴とする、請求項5に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 前記可撓性基板(101)の背面(107)上に配置された背面層(106)を更に備えることを特徴とする、請求項1に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 前記背面層(106)が複数の加熱素子(108)を備えることを特徴とする、請求項7に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 前記光センサ・アレイ(110)が、複数の光センサ(120)と、複数のTFT(134)を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ(TFT)アレイ(130)とを備え、
前記TFTの各々は、各光センサが前記光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように前記光センサの1つとそれぞれ電気的に接続され、
前記TFT(134)の各々は、ゲート電極(138)と、前記ゲート電極の上に配置された半導体領域(139)と、前記半導体領域に接触しかつ該領域の上に配置されたソース電極(137)及びドレイン電極(136)とを備え、
前記半導体領域(139)の各々は、真性アモルファス・ケイ素(a−Si)層(103)と、前記真性a−Si層の上に配置されたドープ処理アモルファス・ケイ素層(104)とを備える、
ことを特徴とする、請求項1に記載の可撓性イメージャ(100)。 - 前記アドレス指定可能なTFTアレイ(130)が、前記可撓性基板(101)と前記複数の光センサ(120)との間に位置され、前記光センサの各々は、アモルファス−ケイ素・光ダイオード(120)を含み、前記可撓性イメージャが更に、
前記可撓性基板(101)と前記アドレス指定可能なTFTアレイ(130)との間に配置された被覆層(105)と、
前記シンチレータ(190)の上に配置されたカバー層(195)と、
を備える、
ことを特徴とする、請求項9に記載の可撓性イメージャ(100)。 - 前記光センサ・アレイ(110)が、複数の光センサ(120)と、複数のTFT(134)を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ(TFT)アレイ(130)とを備え、
前記TFTの各々は、各光センサが前記光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように前記光センサの1つとそれぞれ電気的に接続され、
前記TFT(134)の各々は、ゲート電極(138)と、有機半導体を含み前記ゲート電極の上に配置された半導体領域(139)と、前記半導体領域に接触するソース電極(137)及びドレイン電極(136)とを備える、
ことを特徴とする、請求項1に記載の可撓性イメージャ(100)。 - 前記半導体領域が、前記ソース及びドレイン電極(137、136)の上に配置され、前記複数の光センサ(120)が、前記可撓性基板(101)と前記アドレス指定可能なTFTアレイ(130)との間に位置され、前記TFT(134)が光学的に透明なものにされ、前記可撓性イメージャが更に、前記シンチレータ(190)の上に配置されたカバー層(195)を備えることを特徴とする、請求項11に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 前記シンチレータ(190)がヨウ化セシウムを含むことを特徴とする、請求項1に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 前記シンチレータ(190)が蛍光体スクリーン(190)を含むことを特徴とする、請求項1に記載の可撓性イメージャ(100)。
- 入射する放射線(75)によって照射された被写体(200)を画像化するための可撓性デジタルイメージャ(100)であって、
可撓性基板(101)と、
前記可撓性基板上に配置された光センサ・アレイ(110)と、
を備え、
前記光センサ・アレイは、複数の光センサ(120)と、複数のTFT(134)を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ(TFT)アレイ(130)とを備え、前記光センサは、複数の列(211)と少なくとも1つの行(212)とを形成するように配列され、前記TFTの各々は、各光センサが前記光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように前記光センサの1つとそれぞれ電気的に接続され、
前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ(190)が設けられ、
前記光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されている、
ことを特徴とするイメージャ。 - 前記可撓性基板(101)がフレキシブル有機ポリマーを含み、約3ミルから約8ミルまでの厚さにされていることを特徴とする、請求項15に記載の可撓性デジタルイメージャ(100)。
- 前記可撓性基板(101)の背面(107)上に配置された背面層(106)を更に備え、前記背面層が複数の加熱素子(108)を備えることを特徴とする、請求項15に記載の可撓性デジタルイメージャ(100)。
- 前記光センサ(120)が1つの行(212)を形成するように配列されていることを特徴とする、請求項15に記載の可撓性デジタルイメージャ(100)。
- 前記光センサ(120)が複数の行(212)を形成するように配置されていることを特徴とする、請求項15に記載の可撓性デジタルイメージャ(100)。
- 前記TFT(134)の各々は、ゲート電極(138)と、前記ゲート電極の上に配置された半導体領域(139)と、前記半導体領域に接触しかつ該領域の上に配置されたソース電極(137)及びドレイン電極(136)とを備え、
前記半導体領域(139)の各々が、真性アモルファス・ケイ素(a−Si)層(103)と、前記真性a−Si層の上に配置されたドープ処理アモルファス・ケイ素層(104)とを備えることを特徴とする、請求項15に記載の可撓性デジタルイメージャ(100)。 - 前記アドレス指定可能なTFTアレイ(130)が前記可撓性基板(101)と前記光センサ(120)との間に位置され、前記光センサの各々は、アモルファス−ケイ素・光ダイオード(120)を含み、前記可撓性デジタルイメージャが更に、前記可撓性基板(101)と前記アドレス指定可能なTFTアレイ(130)との間に配置された被覆層(105)を備えることを特徴とする、請求項20に記載の可撓性デジタルイメージャ(100)。
- 前記TFT(134)の各々は、ゲート電極(138)と、有機半導体を含み前記ゲート電極の上に配置された半導体領域(139)と、前記半導体領域に接触するソース電極(137)及びドレイン電極(136)とを備えることを特徴とする、請求項15に記載の可撓性デジタルイメージャ(100)。
- 前記半導体領域が前記ソース及びドレイン電極(137、136)の上に配置され、前記複数の光センサ(120)が前記可撓性基板(101)と前記アドレス指定可能なTFTアレイ(130)との間に位置され、前記TFT(134)が光学的に透明なものとされていることを特徴とする、請求項22に記載の可撓性デジタルイメージャ(100)。
- 被写体(200)を画像化するためのデジタル画像形成方法であって、
可撓性デジタルイメージャ(100)を、前記被写体(200)が該可撓性デジタルイメージャと放射線源(300)との間に位置決めされるように該被写体に適合させるステップと、
前記放射線源を作動させて前記被写体を放射線(75)を曝すステップと、
前記可撓性デジタルイメージャを用いて画像を集めるステップと、
を含むことを特徴とするデジタル画像形成方法。 - 前記可撓性デジタルイメージャ(100)が、線形配列で配置された複数の光センサ(120)を備えることを特徴とする、請求項24に記載のデジタル画像形成方法。
- 前記可撓性デジタルイメージャ(100)が、二次元(2D)配列で配置された複数の光センサ(120)を備えることを特徴とする、請求項24に記載のデジタル画像形成方法。
- 前記放射線源(300)が、前記可撓性デジタルイメージャをX線(75)に曝すように構成されたX線源(300)を含むことを特徴とする、請求項24に記載のデジタル画像形成方法。
- 前記被写体(200)が航空機の一部であることを特徴とする、請求項24に記載のデジタル画像形成方法。
- 前記被写体(200)が航空機胴体であり、前記適合させるステップが、前記航空機胴体の少なくとも一部の周りを前記可撓性イメージャで包むステップを含むことを特徴とする、請求項28に記載のデジタル画像形成方法。
- 前記被写体(200)が航空機翼であり、前記適合させるステップが、前記航空機翼の少なくとも一部の周りを前記可撓性イメージャで包むステップを含むことを特徴とする、請求項28に記載のデジタル画像形成方法。
- 拡がった放射線ビーム(75)を放射するように構成された放射線源(300)を用いて被写体(200)を画像化するためのデジタル画像形成方法であって、
円柱状構造(196)をもつシンチレータ(190)を備えた可撓性デジタルイメージャ(100)を、該円柱状構造が前記拡がった放射線ビームと平行に位置合わせされるように屈曲させるステップと、
前記被写体が前記放射線源と前記可撓性イメージャとの間になるように、前記可撓性デジタルイメージャを位置決めするステップと、
前記放射線源(300)を作動させて、前記被写体を前記拡がった放射線ビーム(75)に曝すステップと、
前記可撓性デジタルイメージャを用いて画像を集めるステップと、
を含むことを特徴とするデジタル画像形成方法。 - 前記放射線源(300)と前記可撓性デジタルイメージャ(100)との間の距離を、前記シンチレータ(190)の円柱状構造(196)が前記拡がった放射線ビーム(75)と位置合わせされるように調整するステップを更に含むことを特徴とする、請求項31に記載のデジタル画像形成方法。
- 被写体(200)を画像化するためのデジタル画像形成方法であって、
前記被写体の中に少なくとも1つの可撓性デジタルイメージャ(100)を埋め込むステップと、
放射線源(300)を作動させて、該放射線源と前記可撓性デジタルイメージャとの間に位置決めされた前記被写体の一部を、拡がった放射線ビーム(75)に曝すステップと、
前記可撓性デジタルイメージャを用いて画像を集めるステップと、
を含むことを特徴とするデジタル画像形成方法。 - 前記被写体(200)が、航空機構造体の一部を含むことを特徴とする、請求項33に記載のデジタル画像形成方法。
- 前記被写体(200)が航空機胴体(200)を含み、前記埋め込むステップが、前記可撓性デジタルイメージャを、前記航空機胴体と断熱層(232)との間に埋め込むステップを含むことを特徴とする、請求項34に記載のデジタル画像形成方法。
- 前記被写体(200)が航空機翼(200)を含み、前記埋め込むステップが、前記可撓性デジタルイメージャを、前記航空機翼の中に組み込むステップを含むことを特徴とする、請求項34に記載のデジタル画像形成方法。
- 前記被写体(200)がパイプライン(200)の一部を含むことを特徴とする、請求項33に記載のデジタル画像形成方法。
- 前記埋め込むステップが、前記被写体(200)の中に複数の可撓性デジタルイメージャ(100)を埋め込むステップを含むことを特徴とする、請求項33に記載のデジタル画像形成方法。
- 入射する放射線(75)によって照射された被写体(200)を画像化するための線形配列コンピュータ断層撮影(CT)スキャナ(100)であって、
可撓性基板(101)と、
前記可撓性基板上に配置された線形光センサ・アレイ(110)と、
を備え、
前記光センサ・アレイは、行(212)に配列された複数の光センサ(120)と、複数のTFT(134)を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ(TFT)アレイ(130)とを備え、前記TFTの各々は、各光センサが前記線形光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように、線形光センサ・アレイ(110)の1つとそれぞれ電気的に接続され、
前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記線形光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ(190)が設けられ、
前記線形光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されている、
ことを特徴とする線形配列CTスキャナ。 - 前記光センサ(120)の各々が、前記入射する放射線(75)に対して位置合わせされるように、隣接する前記光センサの1つに対して所定の角度をなして配向され、前記可撓性基板(110)と前記線形光センサ・アレイ(110)とが、固定構成で配置されていることを特徴とする請求項39に記載の線形配列CTスキャナ。
- 前記線形光センサ・アレイ(110)及び前記可撓性基板(101)は、前記光センサ(120)の各々が隣接する前記光センサの1つに対して所定の角度をもって配置されるように調整可能に構成されていることを特徴とする、請求項39に記載の線形配列CTスキャナ。
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Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013509A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | General Electric Co <Ge> | 巻付け式配線を備えた高密度パッケージ |
JP2006073272A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nissan Motor Co Ltd | 機能性薄膜素子、機能性薄膜素子の製造方法及び機能性薄膜素子を用いた物品 |
JP2006108307A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2006303481A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置 |
JP2006303482A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2007101256A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | X線撮像装置及びx線ct装置 |
JP2007163467A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
JP2007180844A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Canon Inc | 画像読取装置および画像形成装置 |
JP2009130209A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Fujifilm Corp | 放射線撮像素子 |
JP2009177179A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Palo Alto Research Center Inc | 3次元の湾曲センサまたはディスプレイバックプレーンの設計およびアドレッシング |
JP2009205155A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置 |
JP2009537836A (ja) * | 2006-05-24 | 2009-10-29 | エアバス・フランス | 放射散逸の解析による部品の非破壊検査装置 |
JP2010075439A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置及び放射線画像撮影システム |
JP2010078551A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置 |
JP2010075605A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置 |
JP2010085259A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置及び放射線撮影システム |
JP2010085121A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置及び放射線画像撮影システム |
JP2010085266A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置及び放射線撮影システム |
JP2011030664A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影方法 |
JP2011095248A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Fujifilm Corp | 可搬型放射線撮影装置 |
US8034652B2 (en) | 2005-03-25 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
WO2011148943A1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
WO2011148960A1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及びその組立方法 |
JP2012142600A (ja) * | 2004-11-10 | 2012-07-26 | Canon Inc | センサ及び非平面撮像装置 |
JP2013504057A (ja) * | 2009-09-08 | 2013-02-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 印刷された光検出器アレイを備えた撮像測定システム |
JP2013050364A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置 |
US8530841B2 (en) | 2009-05-18 | 2013-09-10 | Nec Corporation | Infrared sensor, electronic device, and manufacturing method of infrared sensor |
WO2014069818A1 (ko) * | 2012-10-30 | 2014-05-08 | 삼성테크윈 주식회사 | 엑스레이 검출기 및 엑스레이 검출 시스템 |
US8803101B2 (en) | 2011-02-21 | 2014-08-12 | Fujifilm Corporation | Radiological image detection apparatus and radiation imaging apparatus |
JP2014529728A (ja) * | 2011-08-02 | 2014-11-13 | アルマ・マテール・ストゥディオルム・ウニベルシータ・ディ・ボローニャAlma Mater Studiorum Universita Di Bologna | 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 |
JP2015517672A (ja) * | 2012-05-22 | 2015-06-22 | ザ・ボーイング・カンパニーTheBoeing Company | 再構成可能な検出システム |
JP2017529520A (ja) * | 2014-07-25 | 2017-10-05 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 周囲を囲む金属バリアを有している基板上に支持されたx線検出器 |
KR20180001946A (ko) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | 국민대학교산학협력단 | 신틸레이터 패널과 그 제조 방법 |
JP2018508758A (ja) * | 2015-01-14 | 2018-03-29 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 可撓x線検出器およびその製造方法 |
WO2018131638A1 (ja) * | 2017-01-15 | 2018-07-19 | 一般財団法人 総合研究奨励会 | 光検出器アレイ |
CN108618794A (zh) * | 2017-03-22 | 2018-10-09 | 富士胶片株式会社 | 放射线检测器以及放射线图像摄影装置 |
JP2020003426A (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | シャープ株式会社 | 非破壊検査装置、及び、非破壊検査方法 |
JP2020122782A (ja) * | 2019-01-04 | 2020-08-13 | ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company | 再構成可能な後方散乱検出器 |
WO2020218033A1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
DE10136756C2 (de) * | 2001-07-27 | 2003-07-31 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung mit einem flexiblen Festkörper-Röntgendetektor |
US7235790B2 (en) * | 2004-02-17 | 2007-06-26 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Methods and apparatus for radiation detection |
KR100669802B1 (ko) * | 2004-12-04 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 상기 박막트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치 |
GB0504415D0 (en) * | 2005-03-03 | 2005-04-06 | E2V Tech Uk Ltd | Non-planar x-ray sensor |
WO2006101274A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-09-28 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device |
US7563026B2 (en) * | 2005-09-08 | 2009-07-21 | Schick Technologies, Inc. | Flexible intra-oral x-ray imaging device |
GB2432721B (en) * | 2005-11-25 | 2011-06-22 | Seiko Epson Corp | Electrochemical cell structure and method of fabrication |
GB2432722A (en) * | 2005-11-25 | 2007-05-30 | Seiko Epson Corp | Electrochemical cell and method of manufacture |
GB2432723B (en) * | 2005-11-25 | 2010-12-08 | Seiko Epson Corp | Electrochemical cell and method of manufacture |
JP4650433B2 (ja) * | 2007-01-25 | 2011-03-16 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネル |
US7625502B2 (en) * | 2007-03-26 | 2009-12-01 | General Electric Company | Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same |
US7708968B2 (en) | 2007-03-26 | 2010-05-04 | General Electric Company | Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same |
US7608829B2 (en) * | 2007-03-26 | 2009-10-27 | General Electric Company | Polymeric composite scintillators and method for making same |
WO2008148225A1 (de) * | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Hafner, Georg | Vorrichtung und verfahren zur zerstörungsfreien prüfung von gegenständen |
US8309952B2 (en) * | 2007-08-28 | 2012-11-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
KR101393633B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2014-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출 패널, 엑스레이 검출기 및 엑스레이검출기의 구동 방법 |
JP5142943B2 (ja) * | 2007-11-05 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム |
US7824949B2 (en) * | 2007-12-21 | 2010-11-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Structure and method for flexible sensor array |
DE102007062708A1 (de) * | 2007-12-27 | 2009-07-02 | Robert Bosch Gmbh | Bildaufnehmer, sowie Verfahren und Verwendung |
US7649205B2 (en) * | 2008-05-30 | 2010-01-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Self-aligned thin-film transistor and method of forming same |
US7973311B2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-07-05 | Palo Alto Research Center Incorporated | Isolated sensor structures such as for flexible substrates |
US9991311B2 (en) * | 2008-12-02 | 2018-06-05 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same |
US8581228B2 (en) | 2009-01-22 | 2013-11-12 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Corner cube enhanced photocathode |
US20100210930A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Saylor Stephen D | Physiological Blood Gas Detection Apparatus and Method |
EP2422220A2 (en) * | 2009-04-22 | 2012-02-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Imaging measurement system with a printed organic photodiode array |
US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
WO2011081938A2 (en) * | 2009-12-15 | 2011-07-07 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Radiation detection system and method of making a radiation detection system |
US8693613B2 (en) * | 2010-01-14 | 2014-04-08 | General Electric Company | Nuclear fuel pellet inspection |
CN102770783B (zh) * | 2010-02-26 | 2016-01-20 | 富士胶片株式会社 | 放射线成像装置 |
US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
EP2583312A2 (en) | 2010-06-18 | 2013-04-24 | Sionyx, Inc. | High speed photosensitive devices and associated methods |
JP5595804B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-09-24 | 株式会社東芝 | X線ct装置 |
CN102466808B (zh) * | 2010-11-09 | 2014-06-18 | 北京大基康明医疗设备有限公司 | 非晶硅碘化铯数字x射线平板探测器 |
WO2012147034A1 (en) | 2011-04-27 | 2012-11-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Energy application apparatus |
US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
US20130016203A1 (en) | 2011-07-13 | 2013-01-17 | Saylor Stephen D | Biometric imaging devices and associated methods |
JP5895504B2 (ja) | 2011-12-15 | 2016-03-30 | ソニー株式会社 | 撮像パネルおよび撮像処理システム |
US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
CN104412128A (zh) * | 2012-06-20 | 2015-03-11 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有有机光电二极管的辐射探测器 |
JP5947155B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2016-07-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線像変換パネル |
US9935152B2 (en) | 2012-12-27 | 2018-04-03 | General Electric Company | X-ray detector having improved noise performance |
WO2014127376A2 (en) | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Sionyx, Inc. | High dynamic range cmos image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
KR101532310B1 (ko) * | 2013-02-18 | 2015-06-29 | 삼성전자주식회사 | 2차원 소재 적층 플렉서블 광센서 |
US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
WO2014209421A1 (en) | 2013-06-29 | 2014-12-31 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
CN105723243B (zh) * | 2013-11-15 | 2019-07-09 | 皇家飞利浦有限公司 | 柔性基底上的双面有机光探测器 |
US9917133B2 (en) | 2013-12-12 | 2018-03-13 | General Electric Company | Optoelectronic device with flexible substrate |
US20150164447A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-18 | General Electric Company | Method and system for integrated medical transport backboard digital x-ray imaging detector |
US10381224B2 (en) | 2014-01-23 | 2019-08-13 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
WO2017034644A2 (en) | 2015-06-09 | 2017-03-02 | ARIZONA BOARD OF REGENTS a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
EP3117204B1 (en) * | 2014-03-13 | 2021-06-16 | General Electric Company | Curved digital x-ray detector for weld inspection |
JP2017518638A (ja) | 2014-05-13 | 2017-07-06 | アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・フォー・アンド・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティArizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University | 電子デバイスを提供する方法およびその電子デバイス |
JP2015230175A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像検出装置及びその製造方法 |
US9689997B2 (en) | 2014-09-04 | 2017-06-27 | General Electric Company | Systems and methods for modular imaging detectors |
WO2016070385A1 (zh) * | 2014-11-06 | 2016-05-12 | Ge 医疗系统环球技术有限公司 | 医疗诊断用x射线探测器 |
US10446582B2 (en) * | 2014-12-22 | 2019-10-15 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Method of providing an imaging system and imaging system thereof |
US9741742B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-08-22 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device |
US20180017684A1 (en) * | 2015-02-06 | 2018-01-18 | Teledyne Dalsa, Inc. | Articulated segmented x-ray detector system and method |
WO2017131366A1 (ko) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 숭실대학교산학협력단 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101876436B1 (ko) | 2016-01-25 | 2018-07-13 | 숭실대학교산학협력단 | 발광 소자 및 제조방법 |
JP6154518B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-06-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線像変換パネル |
CN109661595B (zh) * | 2016-09-23 | 2023-05-30 | 深圳帧观德芯科技有限公司 | 半导体x射线检测器的封装 |
GB201621750D0 (en) * | 2016-12-20 | 2017-02-01 | Univ York | Charged Particle Detector |
CN110168406A (zh) * | 2017-01-02 | 2019-08-23 | 皇家飞利浦有限公司 | X射线探测器和x射线成像装置 |
JP2020529607A (ja) | 2017-08-03 | 2020-10-08 | ザ・リサーチ・ファウンデーション・フォー・ザ・ステイト・ユニヴァーシティ・オブ・ニューヨーク | 非対称反射スクリーンによるデュアルスクリーンデジタル放射線撮像 |
GB2565314A (en) * | 2017-08-09 | 2019-02-13 | Lightpoint Medical Ltd | Scintillator products, apparatuses and methods for use in autoradiographic imaging |
KR102051957B1 (ko) * | 2017-11-13 | 2019-12-04 | 주식회사 토비스 | 곡면 디텍터의 제조방법 |
KR102466811B1 (ko) * | 2017-12-12 | 2022-11-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디지털 엑스레이 검출기용 패널 및 그 제조 방법 |
CN108363090B (zh) * | 2018-02-02 | 2024-04-16 | 奕瑞新材料科技(太仓)有限公司 | 基于可弯曲光电二极管的探测器模块及探测器系统 |
US11802979B2 (en) | 2018-05-23 | 2023-10-31 | The Research Foundation For The State University Of New York | Flat panel x-ray imager with scintillating glass substrate |
JP7268454B2 (ja) * | 2019-04-03 | 2023-05-08 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線撮影装置 |
US11852756B2 (en) * | 2019-12-19 | 2023-12-26 | Carestream Health, Inc. | Radiographic detector readout |
KR102468969B1 (ko) * | 2021-01-20 | 2022-11-18 | 연세대학교 산학협력단 | 이차원 소재 기반 능동배열 유연 방사선 검출기 |
US20220326165A1 (en) * | 2021-04-07 | 2022-10-13 | Jst Power Equipment, Inc. | Rapid x-ray radiation imaging system and mobile imaging system |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01242983A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Hitachi Ltd | 放射線検出器 |
JPH0511301U (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | 日本板硝子株式会社 | X線イメージセンサ |
JPH08222717A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Seiichiro Fukushima | 撮像装置 |
JPH08248139A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
JPH1123722A (ja) * | 1997-07-01 | 1999-01-29 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
JP2001298583A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Minolta Co Ltd | イメージセンサ |
JP2001296365A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | X線撮影センサ |
JP2001330680A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器及びこれを用いたx線ct装置 |
JP2002502128A (ja) * | 1998-02-02 | 2002-01-22 | ユニアックス コーポレイション | X−yアドレス指定可能な電気的マイクロスイッチアレイとこれを使用したセンサマトリックス |
JP2002162474A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sharp Corp | 電磁波検出器およびその製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3775612A (en) * | 1970-12-14 | 1973-11-27 | Monroe X Ray Co | Pipeline x-ray inspection machine |
US4045675A (en) * | 1976-07-12 | 1977-08-30 | General Electric Company | Solid state radiation detector system |
US4180737A (en) * | 1978-02-06 | 1979-12-25 | General Electric Company | X-ray detector |
US4262202A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-14 | General Electric Company | Scintillator detector array |
US4870279A (en) * | 1988-06-20 | 1989-09-26 | General Electric Company | High resolution X-ray detector |
JP3190458B2 (ja) * | 1992-10-15 | 2001-07-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 歯科用x線画像処理装置 |
US5587591A (en) * | 1993-12-29 | 1996-12-24 | General Electric Company | Solid state fluoroscopic radiation imager with thin film transistor addressable array |
US6278127B1 (en) * | 1994-12-09 | 2001-08-21 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising an organic thin film transistor adapted for biasing to form a N-type or a P-type transistor |
US5574291A (en) * | 1994-12-09 | 1996-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer |
TW293172B (ja) * | 1994-12-09 | 1996-12-11 | At & T Corp | |
US5831283A (en) | 1995-11-30 | 1998-11-03 | International Business Machines Corporation | Passivation of copper with ammonia-free silicon nitride and application to TFT/LCD |
US5757878A (en) * | 1996-08-16 | 1998-05-26 | Analogic Corporation | Detector arrangement for x-ray tomography system |
US5969376A (en) * | 1996-08-23 | 1999-10-19 | Lucent Technologies Inc. | Organic thin film transistor having a phthalocyanine semiconductor layer |
US6107117A (en) * | 1996-12-20 | 2000-08-22 | Lucent Technologies Inc. | Method of making an organic thin film transistor |
US6031234A (en) * | 1997-12-08 | 2000-02-29 | General Electric Company | High resolution radiation imager |
JP2000269504A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
US6265243B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-07-24 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating organic circuits |
US6335539B1 (en) * | 1999-11-05 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure |
US6867418B2 (en) * | 2000-01-13 | 2005-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image sensor and scintillator panel |
US6614872B2 (en) * | 2001-01-26 | 2003-09-02 | General Electric Company | Method and apparatus for localized digital radiographic inspection |
US7104686B2 (en) | 2001-05-30 | 2006-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiographic apparatus |
DE10136756C2 (de) | 2001-07-27 | 2003-07-31 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung mit einem flexiblen Festkörper-Röntgendetektor |
JP2003050280A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Konica Corp | 放射線画像検出器 |
JP3610348B2 (ja) | 2001-08-27 | 2005-01-12 | キヤノン株式会社 | カセッテ型撮像装置及び放射線撮影装置 |
US6636581B2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-10-21 | Michael R. Sorenson | Inspection system and method |
US6563120B1 (en) * | 2002-03-06 | 2003-05-13 | Ronan Engineering Co. | Flexible radiation detector scintillator |
-
2002
- 2002-07-25 US US10/064,549 patent/US7078702B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-07-24 DE DE10333821A patent/DE10333821A1/de not_active Withdrawn
- 2003-07-24 JP JP2003278693A patent/JP4524082B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01242983A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Hitachi Ltd | 放射線検出器 |
JPH0511301U (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | 日本板硝子株式会社 | X線イメージセンサ |
JPH08222717A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Seiichiro Fukushima | 撮像装置 |
JPH08248139A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
JPH1123722A (ja) * | 1997-07-01 | 1999-01-29 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
JP2002502128A (ja) * | 1998-02-02 | 2002-01-22 | ユニアックス コーポレイション | X−yアドレス指定可能な電気的マイクロスイッチアレイとこれを使用したセンサマトリックス |
JP2001298583A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Minolta Co Ltd | イメージセンサ |
JP2001296365A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | X線撮影センサ |
JP2001330680A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器及びこれを用いたx線ct装置 |
JP2002162474A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sharp Corp | 電磁波検出器およびその製造方法 |
Cited By (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013509A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | General Electric Co <Ge> | 巻付け式配線を備えた高密度パッケージ |
JP2006073272A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nissan Motor Co Ltd | 機能性薄膜素子、機能性薄膜素子の製造方法及び機能性薄膜素子を用いた物品 |
JP4534673B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-09-01 | 日産自動車株式会社 | 機能性薄膜素子、機能性薄膜素子の製造方法及び機能性薄膜素子を用いた物品 |
JP2006108307A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2012142600A (ja) * | 2004-11-10 | 2012-07-26 | Canon Inc | センサ及び非平面撮像装置 |
JP2006303481A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置 |
JP2006303482A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
US8034652B2 (en) | 2005-03-25 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
JP2007101256A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | X線撮像装置及びx線ct装置 |
JP2007163467A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
JP2007180844A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Canon Inc | 画像読取装置および画像形成装置 |
JP2009537836A (ja) * | 2006-05-24 | 2009-10-29 | エアバス・フランス | 放射散逸の解析による部品の非破壊検査装置 |
JP2009130209A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Fujifilm Corp | 放射線撮像素子 |
JP2009177179A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Palo Alto Research Center Inc | 3次元の湾曲センサまたはディスプレイバックプレーンの設計およびアドレッシング |
JP2009205155A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置 |
JP2010075439A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置及び放射線画像撮影システム |
JP2010085121A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置及び放射線画像撮影システム |
JP2010075605A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置 |
JP2010078551A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置 |
JP2010085259A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置及び放射線撮影システム |
JP2010085266A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置及び放射線撮影システム |
US8530841B2 (en) | 2009-05-18 | 2013-09-10 | Nec Corporation | Infrared sensor, electronic device, and manufacturing method of infrared sensor |
JP2011030664A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影方法 |
JP2013504057A (ja) * | 2009-09-08 | 2013-02-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 印刷された光検出器アレイを備えた撮像測定システム |
JP2011095248A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Fujifilm Corp | 可搬型放射線撮影装置 |
WO2011148960A1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及びその組立方法 |
WO2011148943A1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
JP2011247686A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置 |
US8803101B2 (en) | 2011-02-21 | 2014-08-12 | Fujifilm Corporation | Radiological image detection apparatus and radiation imaging apparatus |
JP2014529728A (ja) * | 2011-08-02 | 2014-11-13 | アルマ・マテール・ストゥディオルム・ウニベルシータ・ディ・ボローニャAlma Mater Studiorum Universita Di Bologna | 電離放射線のイントリンジックな直接検出器およびその検出器の製造方法 |
US9255997B2 (en) | 2011-08-30 | 2016-02-09 | Fujifilm Corporation | Radiological image detection apparatus |
JP2013050364A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置 |
JP2015517672A (ja) * | 2012-05-22 | 2015-06-22 | ザ・ボーイング・カンパニーTheBoeing Company | 再構成可能な検出システム |
WO2014069818A1 (ko) * | 2012-10-30 | 2014-05-08 | 삼성테크윈 주식회사 | 엑스레이 검출기 및 엑스레이 검출 시스템 |
JP2017529520A (ja) * | 2014-07-25 | 2017-10-05 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 周囲を囲む金属バリアを有している基板上に支持されたx線検出器 |
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KR20180001946A (ko) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | 국민대학교산학협력단 | 신틸레이터 패널과 그 제조 방법 |
KR101955994B1 (ko) * | 2016-06-28 | 2019-03-08 | 국민대학교산학협력단 | 신틸레이터 패널과 그 제조 방법 |
US10991764B2 (en) | 2017-01-15 | 2021-04-27 | Signtle Inc. | Photodetector array |
WO2018131638A1 (ja) * | 2017-01-15 | 2018-07-19 | 一般財団法人 総合研究奨励会 | 光検出器アレイ |
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