CN104412128A - 具有有机光电二极管的辐射探测器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及具有有机光电二极管的辐射探测器，并且涉及制造这样的辐射探测器的方法。将TFT背板(103、104)放置在闪烁体(101)与有机光电二极管层堆栈(105、106、107、108)之间。这蕴含使用透明的TFT电子器件，例如，具有背被打薄的玻璃的无定形硅或箔上的有机TFT。几何结构顺序使能够建立用于OPD的众多可能的堆栈，并且具有用于封装和生产的优点。

Description

具有有机光电二极管的辐射探测器

技术领域

本发明涉及一种用于检查装置的辐射探测器、包括辐射探测器的检查装置以及制造辐射探测器的方法。

背景技术

平板数字X射线探测器(FXD)通常用传感器板来建造，所述传感器板包括常被称为像素元件的探测器元件的矩阵，所述探测器元件的矩阵具有用于寻址和读出的光电二极管和薄膜电子器件。使用玻璃上的非晶硅薄膜技术(也被称为玻璃上的无定形硅薄膜技术)可以制作平板数字X射线探测器的传感器板。通常使用“无源像素”技术，仅仅包含开关薄膜晶体管(开关TFT)。

在这种情况下，放大可以发生在传感器板外部的电荷敏感放大器(CSA)中。如果使用“有源像素”技术，则在像素之内已经完成放大。

由闪烁体将X射线转换成可见光光子，随后由光电二极管探测所述可见光光子。

闪烁体可以被粘合到传感器板，或被直接沉积在传感器板上。X射线探测器中的已知层几何结构从顶部(X射线撞击处)至底部是闪烁体—光电二极管—玻璃上的薄膜晶体管电子器件。玻璃上的薄膜晶体管电子器件也可以被称为“背板”。

发明内容

可以具有提供不同的辐射探测器几何结构的需要，所述不同的辐射探测器的几何结构使能够使用建立光电二极管堆栈的更加常见的堆栈，并且所述不同的辐射探测器的几何结构也可以增加可能的光电二极管堆栈—TFT背板和CSA型组合的数目。

通过独立权利要求的主题可以解决这种需要。其他实施例被并入从属权利要求或以下的描述。

应当注意，以下描述的各方面和本发明的实施例都应用于辐射探测器以及检查装置。此外，以下描述的关于辐射探测器和/或检查装置特征也可以被实施为用于制造辐射探测器和/或检查装置的方法步骤。另一方面，以下描述的方法步骤得到也是本发明的部分的辐射探测器。

根据本发明的第一方面，提供一种用于检查装置的辐射探测器，其中，所述辐射探测器包括闪烁体、薄膜晶体管以及光敏层，所述薄膜晶体管是薄膜晶体管层的部分。所述闪烁体适于接收和吸收入射辐射(例如X射线或其他形式的辐射)，并且用于将所述入射辐射转换成可见光子或将入射高能光子转换成低能光子。

此外，薄膜晶体管层被布置在基板上，所述基板被布置在薄膜晶体管层与闪烁体之间。光敏层被布置在薄膜晶体管层的背离基板的侧面处。

换言之，根据本发明的实施例的辐射探测器包括在顶部的闪烁体，后跟基板，在所述基板上布置薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层继而后跟光敏层。

当然，可以具有被布置在闪烁体与基板或者在薄膜晶体管层与光敏层之间的其他元件或甚至层，例如，电极、电子传输层、空穴传输层和/或粘合层。

被布置在基板的背离闪烁体的侧面上的薄膜晶体管层已经可以被制备在基板上，例如通过将材料沉积到基板上，随后用光刻法或印刷技术，以便构造薄膜晶体管背板。

薄膜晶体管是薄膜晶体管层的元件。也可以具有被包括在该层中的读出和控制线。整个层也可以被指代为“背板”，所述“背板”用于读出来自光敏层的信号。

辐射探测器可以包括多个探测器元件，即，探测器像素。

由闪烁体产生的光子通常可以具有大于入射辐射的波长的波长。例如，光子可以是可见光光子或具有诸如红外光或紫外光的在可见光谱以上或以下的波长的光的光子。

光敏层可以包括一个或多个有机光电二极管，并且薄膜晶体管也可以是有机薄膜晶体管。

根据本发明的示范性实施例，阴极可以被布置在光敏层的背离薄膜晶体管层的侧面处。该阴极可以包括被构造的或未被构造的金属层，所述金属层充当针对从闪烁体发射的光子的反射镜。

该反射镜的功能也可以由玻璃基板提供，所述玻璃基板被布置在光敏层的背离薄膜晶体管层的侧面处。例如，玻璃基板的表面可以被涂上反射材料，例如铝或另一低逸出功材料。

低逸出功意味着相当容易提取电子。为了具有低暗电流，反向偏压二极管可以是有利的以具有与低逸出功材料的正接触和与高逸出功材料的负接触。

具有低逸出功的备选材料是铟、锌以及特定的氧化物。

根据本发明的另一方面，提供一种检查装置，所述检查装置包括以上和以下描述的辐射探测器。

具体地，检查装置可以被调整作为医学X射线成像系统。然而，检查装置也可以例如以行李检测系统的形式被调整，所述行李检测系统可以在机场中使用。

根据本发明的另一方面，提供一种制造辐射探测器，并且具体为以上和以下描述的辐射探测器中的一种的方法。所述方法包括以下步骤：提供基板；在所述基板上沉积薄膜晶体管层；并且在所述薄膜晶体管层上布置光电二极管堆栈。

例如，在基板上已经沉积和构造(即，制备)薄膜晶体管层之后，在薄膜晶体管层上沉积光电二极管堆栈。

换言之，首先，在基板上提供薄膜晶体管电子器件，并且然后在薄膜晶体管层上布置包括光敏层的光电二极管堆栈。因此，薄膜晶体管层被夹在其基板与光电二极管堆栈之间。在薄膜晶体管层上“布置”光电二极管堆栈可以包括沉积和光刻步骤。备选地，光电二极管堆栈可以被单独地制成，并且然后被附着到薄膜晶体管层。根据本发明的方面，与其他探测器相比，将用于平板X射线探测器的光电二极管堆栈和薄膜电子器件背板(即，薄膜晶体管层与其基板一起)的几何结构顺序反向。更具体地，薄膜晶体管背板被放置在闪烁体与光电二极管层堆栈之间。光电二极管层可以是有机光电二极管层。这蕴含使用透明的TFT电子器件，例如，具有(可能为背被打薄的)玻璃的无定形硅或箔上的有机TFT。可能的TFT材料是无定形硅和有机的、非晶金属氧化物；透明的基板材料是(被打薄的)玻璃或箔。原则上，TFT和基板材料的所有组合可以是可能的。

反向几何结构顺序使能够建立用于有机光电二极管(OPD)的更多可能的堆栈，并且具有用于封装和生产的优点。

参考以下描述的实施例，本发明的这些方面和其他方面将变得显而易见并且得到阐明。

附图说明

参考以下附图，以下将描述本发明的示范性实施例。

图1示出了根据本发明的示范性实施例的辐射探测器。

图2示出了根据本发明的另一示范性实施例的辐射探测器。

图3示出了根据本发明的另一示范性实施例的辐射探测器。

图4示出了根据本发明的另一示范性实施例的辐射探测器。

图5示出了根据本发明的示范性实施例的方法的流程图。

图6示出了根据本发明的另一示范性实施例的方法的流程图。

图7示出了根据本发明的示范性实施例的检查装置。

具体实施方式

附图中的图示是示意性的，并且不是按比例的。在不同的附图中，相似或相同的元件可以被提供具有相同的参考标记。

图1示出了根据本发明的示范性实施例的辐射探测器100的横截面视图。

光电二极管以及薄膜晶体管电子器件可以由诸如聚合物或有机小分子(如并五苯)的有机材料制成。而且，有机光电二极管(OPD)、有机薄膜晶体管(OTFT)以及闪烁体的组合能够被用作X射线探测器。OPD和OTFT能够通过各种基于溶液的方法(如，印刷、喷施或旋涂)来制造，而且还能够通过光刻处理来制造。

在无源像素型探测器中，电荷敏感放大器常常能够处理仅仅一种类型的电荷载体，或者电子或者空穴。在有源像素型探测器中，在像素单元中使用的晶体管的类型也确定能够被处理的电荷的极性。非晶硅电路通常包括n型晶体管，所述n型晶体管收集来自光电二极管的电子，而有机TFT电路(具有p型晶体管)在收集空穴方面可以更好。

当不存在来自闪烁体的光时，OPD必须被使用在反向偏压条件下以确保低暗电流，即，通过设备的低电流。

由在OPD堆栈中的不同材料层的顺序确定反向偏压方向。所述材料在特定类型的电荷载体的浓度和逸出功上不同，使电流能够优选地仅仅在一个方向上流动。正偏压电极的逸出功(WF)被优选低于负偏压电极的逸出功。

如果光电二极管被放置在薄膜电子器件的顶部，则电荷敏感放大器型或者TFT型的背板确定OPD堆栈的层几何结构以及反向偏压条件。

从生产的观点而言，OPD堆栈的层几何结构继而常常不能自由选择。边界条件是：

1、透明的OPD电极在闪烁体的方向上；

2、仅仅薄的透明(载体)层在OPD与闪烁体之间，以避免光传播和散射。该层的厚度应当远低于探测器的像素尺寸；

3、由于在处理期间太高的温度荷载和/或不匹配的化学，因此不是所有的层能够容易地被添加在特定的其他层的顶部；

4、电荷收集电极必须被构造，即，像素必须被彼此电隔离。

上述边界条件限制用于具有最佳性能的OPD的生产选项的数目，并且可以导致开发工作的增加。

TFT和OPD堆栈的示范性组合从底部至顶部是：玻璃板、TFT—ITO—像素—阳极(负偏压，高逸出功)、空穴传输层(PEDOT：PSS)、光敏层、顶部阴极(正偏压，低逸出功)。

该堆栈不能够与电子收集电荷敏感放大器一起使用，这是因为反向偏压条件要求负阳极极性，而电子收集电荷敏感放大器要求在阳极处的正偏压。

本发明的一个方面是将薄膜读出电子器件(“背板”)和OPD的几何结构顺序反向。在该情况下，由闪烁体产生的光将通过薄膜读出电子器件。

首先，在基板上提供薄膜读出电子器件(即，薄膜晶体管层，也被称为薄膜晶体管背板)，并且然后在薄膜晶体管层上附着或者沉积OPD。

薄膜电子器件(即，薄膜晶体管层)可以包括或者甚至由以下组成：a)在具有30μm或者甚至更小的厚度的非常薄的箔基板上制造的有机TFT背板，所述有机TFT背板对于光是透明的；b)由晶硅或有机非晶金属氧化物制成的薄的或被打薄的版本的背板。随后，将支撑玻璃打薄到大约30μm的厚度(或更小)，或者也在箔上制造无定形硅TFT。对于使用用于根据本发明的辐射探测器的薄膜电子器件来说，光透明度必须是足够的。

反向几何结构顺序可以具有使能够使用建立OPD的更加常见的堆栈的优点，并且使可能的OPD堆栈—TFT背板和CSA型组合的数目加倍。例如，背离TFT背板的电极不需要是光透明的。因此，可以使用诸如铝的金属层，所述金属层也充当针对在有机光敏层中不被吸收的光的反射镜。这可以提高外量子效率，并且因此提高X射线探测器的图像质量。

另一优点可以是：可以使用在OPD堆栈下面的更厚的玻璃板，这是因为没有运载图像信息的光可以必须穿过所述玻璃板。这些玻璃板不仅可以有益于在生产期间的处理(例如，闪烁体键合)，而且还可以提供OPD堆栈的鲁棒性封装，以保护OPD堆栈对抗环境条件。后者意味着可以不再要求用于保护OPD堆栈的光透明的薄膜封装层。这不仅可以节省显著的开发工作，而且还可以避免对OPD堆栈建立和由薄膜封装层造成的可能的额外的约束。

取决于在探测器的操作期间是否负偏压或正偏压透明电极(所述透明电极包括例如ITO材料)，可以在根据本发明的方面的辐射探测器中使用的OPD堆栈可以不同。如果负偏压ITO电极，则相对的正电极可以是具有低逸出功的材料，例如铝。这也被称为“正常”或“常规”堆栈OPD。

如果正偏压ITO，则相对的负电极可以包括更高逸出功材料。这可以被称为“反向堆栈”OPD。电极不仅可以由一种材料组成，而且还可以包括不同的透明氧化物或金属层的堆栈。

以下列出了由反向顺序几何结构(即，在闪烁体与OPD之间的TFT—背板)使能的一些选项。取决于TFT背板的类型和/或电荷敏感放大器的类型，对不同的几何结构进行区分。基本上，在电子与空穴收集电子器件之间进行区分，无论是否使用具有n/p—TFT型的“有源像素”或“无源像素”以及特定的CSA。

所有实施例的共同特征可以是在背板侧面上的OPD的像素化的电极和在另一侧面上的覆盖(未经构造的)电极。入射X射线通常从顶部进入，但原则上至少在一些实施例中(在所述一些实施例中，在另一侧面(即，底部)的电极能传送X射线)利用X射线的背侧照明也可以是可能的。

现在返回到图1，该图示出了“正常”OPD堆栈几何结构，根据所述“正常”OPD堆栈几何结构，闪烁体101后跟薄粘合层102，所述薄粘合层102将闪烁体101附着到薄膜晶体管层104的基板103。薄基板103和薄膜晶体管层104也被称为“电子收集电子器件”，并且薄膜晶体管层可以是具有n型TFT的薄的TFT背板，可能为有机TFT背板。

在电子收集电子器件103、104下面布置充当阴极(+)的像素化的透明或半透明的金属105，所述金属105后跟光敏层106。例如，在有机光电二极管形式的该光敏层之后布置空穴传输层107(即，PEDOT：PSS)。邻近于空穴传输层(HTL)107和在空穴传输层(HTL)107下面布置ITO层和/或金属层，所述ITO层和/或金属层在探测器的操作期间被负偏压(-)，见参考标记108，而半透明的金属层105在探测器的操作期间被正偏压(+)。

在ITO/金属层108下面可以提供玻璃基板109。

该玻璃基板可以提高辐射探测器100的稳定性，并且也可以提供反射镜功能以将来自闪烁体101的光子反射回光敏层106，因此增加辐射探测器的量子效率。

从图1中可以看到，负偏压被施加到底部电极108，所述底部电极108可以是ITO或另一高逸出功材料的覆盖层，并且正偏压被施加在经构造的透明的低逸出功材料(即上电极105)上。

图2示出了根据本发明的另一示范性实施例的辐射探测器。闪烁体101后跟电子收集电子器件102，所述电子收集电子器件102后跟像素化的ITO(+)层205，所述ITO(+)层205在探测器的操作期间被正偏压，后跟电子传输层(ETL，例如ZnO)207，所述电子传输层207跟光敏层106，所述光敏层106后跟担当阳极的金属208，所述金属208在探测器的操作期间被负偏压，后跟玻璃基板109，例如玻璃板。

OPD堆栈是(在探测器的操作期间)在底部金属层208上具有负偏压并且在经构造的ITO像素电极205上具有正偏压的所谓的“反向堆栈”，所述所谓的“反向堆栈”被布置在TFT背板与光敏层之间。

图3示出了根据本发明的另一示范性实施例的辐射探测器。应当注意，图1和图2示出了具有电子收集电子器件的实施例，而图3和图4示出了具有空穴收集电子器件的实施例。

堆栈被设计如下：提供闪烁体101，所述闪烁体101后跟薄粘合层102，所述薄粘合层102后跟薄基板103，在所述薄基板103上布置TFT电子器件304。TFT层可以是有机TFT层，并且可以被设计为空穴收集电子器件(p型)。空穴收集电子器件103、304后跟像素化的ITO(-)层305，所述ITO(-)层305后跟空穴透明层(例如PEDOT：PSS)307，所述空穴透明层307继而后跟光敏层106。在光敏层106之后，布置在探测器的操作期间具有正偏压的金属阴极308，所述金属阴极308后跟任选的玻璃基板109。

在探测器的操作期间，底部金属层308被正偏压，并且经构造的ITO像素电极305被负偏压。

图4示出了根据本发明的另一示范性实施例的辐射探测器，在所述辐射探测器中，闪烁体101后跟薄粘合层102，所述薄粘合层102后跟薄基板103，在所述薄基板103上布置p型薄膜晶体管背板304(也被称为空穴收集电子器件，其可以适于作为有机TFT)。

这后跟在探测器的操作期间担当阳极并且被负偏压的像素化的半透明的金属层405，所述金属层405后跟光敏层106，在所述光敏层106下面布置电子传输层(例如ZnO)407，所述电子传输层407后跟ITO层或金属层406，所述ITO层或金属层406在探测器的操作期间被正偏压。在下电极408下面可以布置玻璃基板109。

再一次，在探测器的操作期间，下、底部电极408被正偏压，而顶部电极405被负偏压。

如果ITO电极被正偏压(阴极处于反向偏压)，尤其在图4中描绘的实施例的情况下，由于光不需要穿过底部电极，因此ITO电极也能够被低逸出功金属(例如铝)调换。在这种情况下，铝也担当反射镜以反射已经穿过OPD的光。

面向TFT的像素化的、顶部电极可以已经是背板电子器件的部分。在该情况下，在TFT背板304与像素化的电极405之间的额外的传导互连可以不是必要的。

根据制造用于辐射探测器的OPD的示范性方法，首先提供ITO层，这是因为在平整表面(如玻璃或箔)上而不是在已经存在的光敏层上层的质量可以更好，。

换言之，在薄膜晶体管层304的顶部沉积和构造ITO层。

空穴和电子传输层(ETL，HTL)是任选层。没有它们也可以制造OPD，仅仅包括光敏层和两个电极，一个在顶部，并且一个在光敏层下面。如以上已经所述的，正偏压电极的逸出功可以必须低于负偏压电极的逸出功以确保低暗电流。

光敏层可以包括p型聚合物(例如P3HT)和n型分子(例如PCBM)的混合物，所述光敏层可以被布置为本体异质结(BHJ)或双层二极管。

在上侧，由(密封的)TFT背板提供OPD的封装。在OPD下面，就封装而言，玻璃板可以是有益的，所述玻璃板比薄膜密封更容易应用并且更具鲁棒性，如果OPD被直接放置在闪烁体下面，则将需要所述玻璃板。

为了确保适当且可靠的设备性能，在TFT背板与OPD堆栈结构之间建立良好的电接触可以是重要的。相信实现这的最好方式可以是在TFT背板上直接沉积OPD堆栈来代替在OPD处理之后在单独的基板上耦合OPD和TFT结构(这被称为间接沉积)。

如上所述，为了获得良好质量的ITO层，在TFT背板上沉积ITO层可以是必要的。该约束可以限制对于在图2和图3中描绘的实施例具有ITO的可能的几何结构的数目。为了实现在图2和图3中描绘的几何结构，取决于(有机)TFT背板是否基于箔基板或玻璃基板，可以使用以下的生产流程。

根据在图5中描绘的方法，在玻璃基板上附着箔上的例如有机TFT(步骤501)。在步骤502中，在TFT背板上沉积OPD堆栈。然后，在步骤503中，将玻璃基板109(见图2)附着到OPD堆栈，并且在步骤504中，将起初在其他玻璃基板或箔上已经布置了TFT背板的所述其他玻璃基板或箔从所述TFT背板分离。然后，在步骤505中，翻转TFT—OPD堆栈，并且在步骤507中，例如通过将闪烁体粘合到箔上的TFT上来将闪烁体附着到TFT—OPD堆栈。

图6示出了根据本发明的另一示范性实施例的方法的流程图，在所述流程图中，在步骤601中提供在玻璃基板上的(有机)TFT。然后，在步骤602中，在TFT背板上沉积OPD堆栈，之后，在步骤603中，将玻璃基板附着到OPD堆栈。然后，在步骤604中，将TFT侧面上的玻璃基板(来自步骤601的那一个)打薄到30μm或更少的厚度。

然后，在步骤605中，翻转TFT—OPD堆栈，并且在步骤606中，例如通过粘合将闪烁体附着到TFT—OPD堆栈。

例如通过蚀刻或磨削执行在步骤604中的玻璃基板的打薄。

图7示出了X射线成像系统700，所述X射线成像系统700包括X射线源712和X射线探测器100。例如，X射线成像系统700是CT成像系统，包括机架716，X射线源712和X射线探测器100被相对于彼此安装在所述机架716上，并且在所安装的位置处所述X射线源712和所述X射线探测器100能够共同移动而在机架上旋转。而且，示出了患者检查台718，对象(例如患者720)被布置在所述患者检查台718上。更进一步地，提供处理单元722、接口单元724以及显示单元726。

应当注意，尽管图7示出了CT成像系统，但是本发明也提供其他成像系统，例如C臂型成像系统。具体地，由本发明公开的辐射探测器可以被调整以用于如普通X射线摄影、乳房X射线摄影以及介入成像(例如，心血管介入成像)的应用。在计算机断层摄影探测器的情况下，辐射探测器可以包括被一起接合成弯曲的探测器的多个更小的探测器模块，或者可以包括能够被弯成合适的弯曲的多个柔性部件。

必须指出，已经参考不同的主题对本发明的实施例进行了描述。具体地，参考方法型权利要求对一些实施例进行了描述，而参考装置型的权利要求对其他实施例进行了描述。然而，除非另有说明，本领域技术人员将会从以上和以下的描述中推断出，除了属于一种类型的主题的特征的任意组合之外，涉及不同主题的特征之间的任意组合也被认为在本申请中公开。然而，所有的特征都能够被组合来提供多于特征的简单加合的协同效应。

尽管已经在附图和前面的描述中详细图示和描述了本发明，但是这样的图示和描述应当被认为是图示性或示范性的，而非限制性的。本发明不限于所公开的实施例。本领域技术人员通过研究附图、公开内容以及权利要求，在实践所要求保护的发明时能够理解和实现对所公开的实施例的其他变型。

在权利要求中，“包括”一词不排除其他元件或步骤，并且词语“一”或“一个”不排除多个。尽管在互不相同的从属权利要求中记载的特定措施，但是这并不指示不能有效地使用这些措施的组合。在权利要求中的任何附图标记都不应被解释为对范围的限制。

Claims (14)

1.一种用于检查装置(700)的辐射探测器(100)，所述辐射探测器(100)包括：

闪烁体(101)，其用于接收和吸收入射辐射，并且用于将所述入射辐射转换成光子；

在基板(103)上的薄膜晶体管(104、304)，所述基板(103)被布置在所述薄膜晶体管(104、304)与所述闪烁体(101)之间；

光敏层(106)，其被布置在所述薄膜晶体管(104、304)的背离所述基板(103)的侧面处。

2.根据权利要求1所述的辐射探测器(100)，

其中，所述薄膜晶体管(104、304)和所述基板(103)是光学透明的，用于允许从所述闪烁体(101)发射的光子穿过所述基板(103)和所述薄膜晶体管(104、304)并且到达所述光敏层(106)。

3.根据权利要求1或2所述的辐射探测器(100)，

其中，所述光敏层(106)包括有机光电二极管。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的辐射探测器(100)，

其中，所述薄膜晶体管(104、304)是有机薄膜晶体管。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的辐射探测器(100)，

其中，所述基板(103)是箔基板或玻璃基板中的至少一种。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的辐射探测器(100)，还包括：

所述光敏层(106)的阴极(108、208、308、408)，所述阴极被布置在所述光敏层(106)的背离所述薄膜晶体管(104、304)的侧面处；

其中，所述阴极(108、208、308、408)包括未被构造的金属层，所述未被构造的金属层充当针对从所述闪烁体(101)发射的光子的反射镜。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的辐射探测器(100)，还包括：

玻璃基板(109)，其被布置在所述光敏层(106)的背离所述薄膜晶体管(104、304)的侧面处。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的辐射探测器(100)，适于作为X射线探测器。

9.一种包括用于检查装置(700)的辐射探测器(100)的检查装置(700)，所述辐射探测器(100)包括：

闪烁体(101)，其用于接收和吸收入射辐射，并且用于将所述入射辐射转换成光子；

在基板(103)上的薄膜晶体管(104、304)，所述基板(103)被布置在所述薄膜晶体管(104、304)与所述闪烁体(101)之间；

光敏层(106)，其被布置在所述薄膜晶体管(104、304)的背离所述基板(103)的侧面处。

10.根据权利要求2至8中的任一项所述的检查装置。

11.根据权利要求9或10所述的检查装置，适于作为医学X射线成像系统。

12.一种制造辐射探测器(100)的方法，包括以下步骤：

提供基板(103)；

在所述基板(103)上沉积薄膜晶体管层(104、304)；

在所述薄膜晶体管层(104、304)上布置光电二极管堆栈(105、205、305、405、106、107、207、307、407、108、208、308、408)。

13.根据权利要求12所述的方法，

其中，在所述薄膜晶体管层(104、304)上沉积所述光电二极管堆栈(105、205、305、405、106、107、207、307、407、108、208、308、408)。

14.根据权利要求12或13所述的方法，还包括以下步骤：

在所述光电二极管堆栈(105、205、305、405、106、107、207、307、407、108、208、308、408)的背离所述薄膜晶体管层(104、304)的侧面处布置玻璃基板(109)。