CN102969322A - 放射线图像检测装置及其制造方法 - Google Patents

放射线图像检测装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102969322A
CN102969322A CN2012102702300A CN201210270230A CN102969322A CN 102969322 A CN102969322 A CN 102969322A CN 2012102702300 A CN2012102702300 A CN 2012102702300A CN 201210270230 A CN201210270230 A CN 201210270230A CN 102969322 A CN102969322 A CN 102969322A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
scintillator
image detection
pel array
radiological image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012102702300A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102969322B (zh
Inventor
中津川晴康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN102969322A publication Critical patent/CN102969322A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102969322B publication Critical patent/CN102969322B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20187—Position of the scintillator with respect to the photodiode, e.g. photodiode surrounding the crystal, the crystal surrounding the photodiode, shape or size of the scintillator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

本发明提供了一种放射线图像检测装置及其制造方法，所述放射线图像检测装置包含：放射线图像转换面板，传感器面板，以及密封剂。所述密封剂布置在所述放射线图像转换面板的基底与所述传感器面板的基底之间，并包围所述放射线图像转换面板中的闪烁体和所述传感器面板中的像素阵列以在所述密封剂的内侧形成隔离空间。所述闪烁体包含柱状部，所述柱状部包含通过以柱状形状生长荧光体的晶体而形成的柱状晶体群，并以与所述像素阵列紧密接触而不粘合到所述像素阵列上的方式布置由所述柱状晶体的一组尖端构造的表面。所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底两者都是柔性的，且所述隔离空间被减压。

Description

放射线图像检测装置及其制造方法
相关申请的交叉参考
本申请要求2011年8月30日提交的日本专利申请2011-188048号的权益，通过参考将其完整内容并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种放射线图像检测装置。
背景技术
近年来，已经将利用平板检测器(FPD)来检测放射线图像而产生数字图像数据的放射线图像检测装置付诸实际使用。放射线图像检测装置已经快速分布开来，因为与由光激励荧光体(积聚荧光体)构造的成像板相比，能够瞬间确认图像。可获得各种放射线图像检测装置，其中已知的一种是间接转换型。
间接转换型放射线图像检测装置包括当暴露在放射线下时用于产生荧光的闪烁体(scintillator)和用于检测所述闪烁体的荧光的像素阵列。将所述闪烁体和所述像素阵列分别布置在例如单独的基底上并通过胶粘剂层而将其相互粘合。通过所述闪烁体将所述放射线转换成光并通过像素阵列将所述闪烁体的荧光转换成电信号，结果，产生数字图像数据(参见例如，与US 2011/006213A1相对应的JP-A-2011-017683；以及JP-A-2011-033562)。
所述闪烁体典型地使用碱性卤化物荧光体如碘化铈(CsI)和碘化钠(NaI)通过气相沉积法形成并由通过将荧光体的晶体生长为柱形而形成的柱状晶体群构成。通过气相沉积法形成的荧光体的柱状晶体不含诸如粘合剂的杂质，且还通过光导效应抑制了荧光的散射，所述光导效应对在晶体生长方向上在柱状晶体中产生的荧光进行引导。因此，能够提高放射线图像检测装置的灵敏度和图像的锐度。
其中闪烁体和像素阵列在不使用胶粘剂层的条件下相互紧密接触的放射线图像检测装置也已经是已知的(参见例如JP-A-2010-261720)。在JP-A-2010-261720中所公开的放射线图像检测装置中，用于支撑闪烁体的基底是柔性的，放置闪烁体和像素阵列并还在用于支撑闪烁体的基底和用于支撑像素阵列的基底之间布置隔离空间。在对隔离空间减压时，用于支撑闪烁体的基底发生翘曲，并通过像素阵列对闪烁体进行压制。因此，降低了由胶粘剂层的厚度的不均匀性造成的图像品质的不均匀性。
发明内容
在由柱状晶体群形成的闪烁体中，柱状晶体的长度可能局部发生变化。在此情况中，在JP-A-2010-261720中所述的放射线图像检测装置中，仅通过用于支撑闪烁体的基底的翘曲不能吸收柱状晶体长度的局部变化，且可能在闪烁体与像素阵列之间局部产生间隙。所述间隙会造成由闪烁体产生的荧光的漫射，这会局部劣化图像的锐度。
考虑到上述问题而完成了本发明，本发明的目的是提供具有优异图像品质均匀性的放射线图像检测装置。
根据本发明的一个方面，提供一种放射线图像检测装置，其包括：放射线图像转换面板，所述放射线图像转换面板包括闪烁体和支撑所述闪烁体的基底，所述闪烁体包含在暴露于放射线时产生荧光的荧光体；传感器面板，所述传感器面板包括像素阵列和支撑所述像素阵列的基底，所述像素阵列以与所述闪烁体紧密接触的方式布置并检测从所述闪烁体产生的荧光；以及密封剂，所述密封剂布置在所述放射线图像转换面板的基底与所述传感器面板的基底之间并包围所述闪烁体和所述像素阵列以在所述密封剂内侧形成隔离空间。所述闪烁体包括柱状部，所述柱状部包括通过以柱状形状生长所述荧光体的晶体而形成的柱状晶体群。以与像素阵列紧密接触而不粘合到所述像素阵列上的方式布置由所述柱状晶体的一组尖端构造的表面。所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底两者都是柔性的。所述隔离空间被减压。
根据本发明的另一个方面，将闪烁体和像素阵列放入由用于支撑所述闪烁体的第一基底、用于支撑所述像素阵列和密封剂形成的空间中，并对所述空间进行减压，使得所述闪烁体与像素阵列紧密接触而不粘合到像素阵列上。通过将所述第一基底和所述第二基底两者都形成为柔性的，所述闪烁体和所述像素阵列可以以其完整形式相互紧密接触而不存在任何间隙。因此，能够提高图像品质的均匀性。
由于闪烁体与像素阵列不相互粘合，所以放射线图像转换面板和传感器面板可容易地相互分离。因此，当放射线图像转换面板和传感器面板中的一个发生损坏时，能够仅替换损坏的面板以将所述面板循环作为放射线图像检测装置重复利用。
附图说明
图1是示意性显示根据本发明示例性实施方案的放射线图像检测装置的构造的图。
图2是示意性显示图1的放射线图像检测装置的传感器面板的构造的图。
图3是示意性显示图1的放射线图像检测装置的传感器面板的构造的图。
图4是示意性显示图1的放射线图像检测装置的闪烁体的构造的图。
图5是沿线V-V截取的图4的闪烁体的横断面视图。
图6A～6C是示意性显示用于制造图1的放射线图像检测装置的方法的实例的图。
图7A～7C是示意性显示在图6的制造工艺期间闪烁体的行为的图。
图8A～8C是示意性显示在图6的制造工艺期间闪烁体的行为的图。
图9是示意性显示图1放射线图像检测装置的修改例的构造的图。
图10是沿线X-X截取的图9的闪烁体的横断面视图。
图11是示意性显示根据本发明另一个示例性实施方案的放射线图像检测装置的构造的图。
图12是示意性显示根据本发明还另一个示例性实施方案的放射线图像检测装置的构造的图。
具体实施方式
图1显示了根据本发明示例性实施方案的放射线图像检测装置的构造。
图1中所示的放射线图像检测装置1包括放射线图像转换面板2和传感器面板3。
放射线图像转换面板2包括柔性支撑基底10和闪烁体11，所述闪烁体11由在暴露于放射线时产生荧光的荧光体形成。所述闪烁体11布置在所述支撑基底10上。
所述传感器面板3包括柔性绝缘基底20和布置在所述绝缘基底20上的像素阵列21。像素阵列21的各个像素对由闪烁体11产生的荧光进行检测。
以使得闪烁体11和像素阵列21相互面对布置并通过密封剂4粘合的方式排列放射线图像转换面板2和传感器面板3。
将密封剂4布置在放射线图像转换面板2的支撑基底10与传感器面板3的绝缘基底20之间以包围所述闪烁体11和所述像素阵列21，并在其内侧形成隔离空间S。
与其外部相比，所述空间S处于减压状态。所述闪烁体11与所述像素阵列21紧密接触而不会因支撑基底10和绝缘基底20的变形而发生粘合。
放射线图像检测装置1是所谓的照射侧采集(ISS)型放射线图像检测装置，其中从放射线入射侧依次排列传感器面板3和放射线图像转换面板2。所述放射线透过传感器面板3的绝缘基底20和像素阵列21以入射到放射线图像转换面板2的闪烁体11上。以与像素阵列21相邻的方式布置大量产生荧光的闪烁体11的放射线入射侧，由此提高灵敏度。
图2和3显示了传感器面板3的构造。
通过以二维方式在绝缘基底20上排列多个像素22而形成像素阵列21，各像素22由光电转换元件23和开关器件24构成。
光电转换元件23包括接收闪烁体11的荧光以产生电荷的光电导层25以及分别布置在所述光电导层25正面和背面上的一对电极26、27。布置在光电导层25的闪烁体11侧的表面上的电极26是向光电导层25施加偏压的偏压电极，且布置在相反侧表面上的电极27是对由光电导层25产生的电荷进行收集的电荷收集电极。所述电荷收集电极27与开关器件24相连接，并通过开关器件24读出在电荷收集电极27中所收集的电荷。
所述绝缘基底20具有多个栅极线28和多个信号线(数据线)，所述栅极线28在二维排列的像素22的一个排列方向(行向)上延伸以启动各个像素22的开关器件24的开/关，且所述信号线(数据线)在与所述栅极线28正交的方向(列向)上延伸以通过打开的开关器件24将电荷读出。所述栅极线28和所述信号线29各自在布置在绝缘基底20边缘处的连接端部30处与连接电路31相连并通过连接电路31与电路板(未示出)相连，所述电路板具有栅极驱动器和信号处理单元。
根据通过栅极线28由栅极驱动器供应的信号，先后逐行将开关器件24打开。将通过打开的开关器件24读出的电荷传输到信号线29并作为电荷信号输入到信号处理单元中。因此，将电荷先后逐行读出并在信号处理单元中转换成电信号，由此产生数字图像数据。
所述绝缘材料20可由例如树脂材料制成。可期望将具有优异抗热性的树脂材料用于所述树脂材料，其可选自例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮、聚亚苯基硫醚、聚碳酸酯(PC)、纤维素三乙酸酯(TAC)、纤维素乙酸酯丙酸酯(CAP)、聚酰亚胺、多芳基化合物和双轴拉伸的聚苯乙烯(OPS)。所述树脂可含有有机或无机填料。可适当使用由芳族聚酰胺和生物纳米纤维制成的具有诸如低热膨胀和高强度的性能的柔性树脂基底，所述性能是通过形成为具有约0.1mm以下厚度的现有树脂材料或柔性玻璃基底所不能获得的。具体地，优选玻璃基底，因为其具有诸如低热膨胀和高强度的性能，并通常具有比树脂基底更优异的防潮性能或气体阻挡性能。
通过无定形硅光电二极管可构造光电转换元件23，其中例如将无定形硅的PN结薄膜或PIN结薄膜用于光电导层25。作为光电导层25，除了无定形硅之外，还可使用由有机化合物如喹吖啶酮等制成的有机光电转换膜。这是期望的，因为与使用无定形硅时相比，可在更低温度下形成膜，且从抗热性考虑，可选择更多种材料用于绝缘基底20。下面对有机光电转换膜进行说明。
通过例如薄膜晶体管(TFT)可构造开关器件24，其中将无定形硅用于有源层。作为TFT有源层的材料，除了无定形硅之外，还可使用无定形氧化物半导体材料、有机半导体材料等，期望所述材料的原因是与使用无定形硅的情况相比，能够在更低温度下形成膜，且从抗热性考虑，可选择更多种的材料以用于绝缘基底20。下面对所述无定形氧化物半导体材料或有机半导体材料进行说明。
光电转换元件23的阵列和开关器件24的阵列可在相同层上形成，且可从闪烁体11侧依次在不同层上形成开关器件24的阵列和光电转换元件23的阵列。然而，如同在所示实例中，优选从闪烁体11侧依次在不同层上先后形成光电转换元件23的阵列和开关器件24的阵列。所述光电转换元件23的阵列和开关器件24的阵列在不同层上形成，因此，会提高光电转换元件23的尺寸。由于光电转换元件23的阵列和开关器件24的阵列从闪烁体11侧上依次形成，所以可将光电转换元件23的阵列与闪烁体11相邻布置，由此提高灵敏度。
图4显示了放射线图像转换面板2的构造。
在ISS型放射线图像检测装置1中，支撑基底10布置在放射线入射侧的相反侧上，并通过堆叠多个柔性片状基础材料来构造。在本实例中，以第一基础材料13和第二基础材料14的两个层的方式构造支撑基底10。所述第一基础材料13的一个表面具有闪烁体11且其另一个表面粘合到第二基础材料14上。所述第二基础材料14对其上形成有闪烁体11的第一基础材料13进行增强，并通过密封剂4将所述闪烁体11粘合到传感器面板3的绝缘基底20上(参见图1)。
关于下述的闪烁体11的制造工艺，作为第一基础材料13，例如可使用具有优异抗热性的柔性树脂基底。作为树脂基底，可使用诸如传感器面板3的绝缘基底20的树脂基底。还可适当使用柔性玻璃基底。
所述第二基础材料14可在使用放射线图像检测装置1的温度范围内具有抗热性，并可以将柔性树脂基底或玻璃基底用作第二基础材料14。然而，从增强第一基础材料13考虑，第二基础材料14优选由比第一基础材料13更硬的材料制成。
其上形成有闪烁体11的第一基础材料13的表面具有反射膜15。所述反射膜15通过形成具有光反射性的金属薄膜如铝来形成。可以通过诸如例如沉积的手段在第一基础材料13的表面上形成金属薄膜。
通过以柱状形状生长荧光体的晶体而形成的柱状晶体43的群来构造闪烁体11。有时，可将多个邻近的柱状晶体结合以形成单个柱状晶体。在相邻的柱状晶体43之间存在间隙，且柱状晶体43相互独立存在。
闪烁体11与通过柱状晶体43的一组尖端构造的表面(荧光发射表面)中的像素阵列21紧密接触。在暴露于放射线时从闪烁体11产生的荧光从通过柱状晶体43的一组尖端构造的荧光发射表面向像素阵列21发射。
从各个柱状晶体43产生的荧光由于柱状晶体43与其附近的间隙之间的折射率差而在柱状晶体43内反复经历全反射，使得荧光的漫射受到抑制，并将荧光光学导向像素阵列21。因此，提高了图像的锐度。
在通过放射线暴露而从各个柱状晶体43产生的荧光中向像素阵列21的相反侧取向的荧光，通过反射膜15向像素阵列21侧反射。因此，荧光的使用效率提高，由此灵敏度提高。
柱状晶体43的各个尖端可以以尖锥形状形成。在柱状晶体的各个尖端以突出形状形成时，与平坦形状或凹入形状相比，光的提取效率和灵敏度可以提高。所述尖端的顶角θ优选为40°～80°。
作为形成通过柱状晶体群构造的闪烁体11的荧光体，例如，可使用碱性卤化物荧光体如铊掺杂的碘化铯(CsI:Tl)、铊掺杂的碘化钠(NaI:Tl)和钠掺杂的碘化铯(CsI:Na)。其中，CsI:Tl是优选的，因为其发射光谱适合于将无定形硅或喹吖啶酮用于光电导层25的光电二极管的光谱灵敏度的最大值(约550nm的无定形硅、约560nm的喹吖啶酮)。
通过保护膜12a对其上形成有反射膜15的第一基础材料13进行包覆，因为在如上所述的碱性卤化物荧光体中的卤素会腐蚀作为反射膜15的材料的金属。所述碱性卤化物荧光体具有潮解性且也通过保护膜12b对闪烁体11进行包覆。
作为保护膜12a、12b的材料，典型地使用聚对亚二甲苯基。然而，还可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或由聚合物化合物制成的膜，所述聚合物化合物具有低水蒸汽渗透性，例如聚酯、聚甲基丙烯酸酯、硝基纤维素、纤维素乙酸酯、聚丙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯。
图5显示了一种电子显微镜照片，其显示了在图4中的线IV-IV上截取的闪烁体13的截面。
从图5可清楚，应理解，相对于晶体的生长方向，各个柱状晶体43显示基本均一的截面直径，且柱状晶体43因各个柱状晶体43周围的空气间隙而相互独立地存在。从光导效应、机械强度和防止像素缺陷考虑，优选的是，各个柱状晶体43的晶体直径(柱状直径)为2μm～8μm。当柱状直径太小时，各个柱状晶体43的机械强度不足，从而存在柱状晶体43可能因冲击等发生损坏的担忧。当晶体直径太大时，用于各图像元件的柱状晶体43的数目下降，从而存在如下担忧：当与图像元件相对应的晶体中的一个晶体发生破裂时，图像元件极有可能产生缺陷。
此处，晶体直径是指在晶体生长方向上从上面观察到的柱状晶体43的最大直径。至于具体测量方法，通过从柱状晶体43的生长方向顶部在SEM(扫描电子显微镜)中进行观察来测量各个柱状晶体43的柱状直径。在放大倍率(约2000倍)下进行观察，利用所述观察，能够在每次投射(shot)中观察到100～200个柱状晶体43。对投射中所拍摄的所有晶体的柱状直径的最大值进行测量并求平均。使用由此得到的平均值。将柱状直径(μm)测量至两位小数，并根据JIS Z8401以两位小数的方式对平均值进行四舍五入。
可根据放射线的能量来设置柱状晶体43的长度(闪烁体11的厚度)，但从在闪烁体11中的放射线吸附和图像锐度考虑，可很好地优选设定在200μm～700μm的范围内。当闪烁体11的厚度太薄时，放射线可能不能被充分吸收且灵敏度可能劣化，且当其厚度太厚时，可能造成光漫射并由此图像的锐度也可能劣化，尽管存在柱状晶体43的光导效应。
可以通过气相沉积法来制造闪烁体11。当将CsI:Tl用作荧光体时，通过例如将电流传导至例如电阻加热坩埚中，在0.01Pa～10Pa的真空度下对CsI:Tl进行加热蒸发，在室温(20℃)～300℃范围内的第一基础材料13的温度下在第一基础材料13上以柱状形状沉积并生长CsI:Tl晶体。
在生长柱状晶体43的最后阶段对第一基础材料13的温度进行控制，从而对各个柱状晶体43的尖端的形状(顶锥角(顶角)θ)进行控制。通常，所述顶锥角在110℃下形成为170°，在140℃下形成为60°，在200℃下形成为70°，且在260℃下形成120°。
在如上所述的闪烁体11的制造工艺期间，柱状晶体43的长度可由于例如荧光体蒸汽的偏斜和晶体的异常生长而发生局部变化，由此可能在闪烁体11的荧光发射表面上形成不平坦。在下文中，对其中将所述不平坦吸收以使得闪烁体11以其完整的形式与像素阵列21紧密接触而不存在间隙的构造进行说明。
图6A～6C显示了制造放射线图像检测装置1的方法的实例。
首先，准备其上形成有闪烁体11的第一基础材料13、用于与所述第一基础材料13一起构造放射线图像转换面板2的支撑基底10的第二基础材料14以及传感器面板3。
将第一基础材料13沉积在传感器面板3上并在像素阵列21上压制闪烁体11的荧光发射表面(参见图6A)。当在闪烁体11的荧光发射表面上存在不平坦时，所述第一基础材料13发生变形以吸收所述不平坦。即，对于荧光发射表面的凸起部分，将第一基础材料13的与所述凸起部分重叠的区域与其周边区域提升以与传感器面板3分离，对于荧光发射表面的凹入部分，对第一基础材料13的与所述凹入部分重叠的区域与其周边区域进行压制以与传感器面板3紧密接触。
随后，向第一基础材料13和第二基础材料14的粘合表面中的任一个或两个表面上涂布胶粘剂5，将充当密封剂4的胶粘剂涂布到第二基础材料14和传感器面板3的绝缘基底20中的任一者或两者上，然后，使得第二基础材料14与第一基础材料13和绝缘基底20重叠(参见图6B)。
在将插入在第一基础材料13与第二基础材料14之间的胶粘剂5和作为密封剂4插入在第二基础材料14和绝缘基底20之间的胶粘剂固化之前，对由密封剂4形成的空间S进行减压。在对空间S进行减压时，第二基础材料14和绝缘基底20发生变形，由此减少了空间S的体积。通过第二基础材料14和绝缘基底20的变形将闪烁体11和像素阵列21相互压紧，并使得闪烁体11和像素阵列21两者相互紧密接触而无间隙，从而不会相互粘合(参见图6C)。
在此状态下，第一基础材料13和第二基础材料14通过插入其间的胶粘剂5而相互粘合，第二基础材料14和绝缘基底20通过插入其间的充当密封剂4的胶粘剂而相互粘合，由此得到放射线图像检测装置1。
图7A～7C和8A～8C示意性显示了第一基础材料13的变形和形成闪烁体11的柱状晶体43的群的行为。
根据第一基础材料13的变形，在变形区域中多个柱状晶体43的尖端之间的间隙扩大或减小。
如图7A～7C中所示，当在闪烁体11的荧光发射表面上存在凸起部分时(参见图7A)，闪烁体11的荧光发射表面被像素阵列21压缩覆盖。由此，当提升第一基础材料13时，多个柱状晶体43的尖端之间的间隙在变形区域的中心部分处变小。当柱状晶体43在其尖端处相互碰撞时，第一基础材料13的进一步变形受到限制。结果，在凸起部分周围，在闪烁体11与像素阵列21之间残留间隙(参见图7B)。因此，还形成绝缘基底20，其为柔性的从而通过对容纳闪烁体11和像素阵列21的空间S进行减压而沿闪烁体11的荧光发射表面发生变形。因此，闪烁体11与像素阵列21可以以其完整的形式相互紧密接触而无间隙且相互不会粘合(参见图7C)。
如图8A～8C所示，当在闪烁体11的荧光发射表面上存在凹入部分时，闪烁体11的荧光发射表面被像素阵列21压缩覆盖以使得第一基础材料13下沉，多个柱状晶体43的尖端之间的间隙在变形区域的边缘处变小。当柱状晶体43在尖端处相互碰撞时，第一基础材料13的进一步变形也受到限制。结果，在凹入部分中，在闪烁体11与像素阵列21之间残留间隙(参见图8B)。因此，还形成绝缘基底20，其为柔性的从而通过对容纳闪烁体11和像素阵列21的空间S进行减压而沿闪烁体11的荧光发射表面发生变形。因此，闪烁体11与像素阵列21可以相互紧密接触而无间隙且相互不会粘合(参见图8C)。
如上所述，在放射线图像检测装置1中，将闪烁体11和像素阵列21放入由用于支撑闪烁体11的支撑基底10、用于支撑像素阵列21的绝缘基底20和密封剂4形成的空间S中，并对空间S进行减压以使得闪烁体11与像素阵列21相互紧密接触而不相互粘合。通过利用柔性物质形成支撑基底10和绝缘基底20两者可使得闪烁体11和像素阵列21相互紧密接触。因此，能够提高图像品质的均匀性。
在ISS型放射线图像检测装置1中，沉积在放射线入射侧的相反侧上的支撑基底10可以为第一基础材料13和第二基础材料14的堆叠结构以增强放射线图像检测装置1，由此提高抗负荷性和抗冲击性而不会造成因放射线吸收而造成的灵敏度劣化。
在如上所述的制造方法中，利用闪烁体11形成的第一基础材料13发生变形并然后将第二基础材料14粘合到第一基础材料13和绝缘基底20上。结果，第一基础材料13会变形而不损害第一基础材料13的柔性。另外，在将第二基础材料14粘合到第一基础材料13和绝缘基底20上之后，可确保放射线图像检测装置1的抗负荷性和抗冲击性。
由于闪烁体11和像素阵列21不会相互粘合，所以放射线图像转换面板2与传感器面板3可容易地相互分离。当放射线图像转换面板2和传感器面板3中的任一者发生损坏时，可仅替换损害的面板以将所述面板作为放射线图像检测装置1进行重复利用。
从重复利用(返工)考虑，用于将第二基础材料14和绝缘基底20相互粘合的充当密封剂4的胶粘剂或用于将第一基础材料13和第二基础材料14相互粘合的胶粘剂5中的任一种胶粘剂都优选为其粘合强度会因能量照射而劣化的可拆除胶粘剂。照这样，放射线图像转换面板和传感器面板可更容易地相互分离，且闪烁体11和像素阵列21可相互紧密接触而无间隙并不会相互粘合，从而使得通过如上所述的制造方法能够将所述面板作为放射线图像检测装置1重复利用。
至于可拆除的胶粘剂，例如可使用通过对热塑性树脂进行加热和软化而形成的胶粘剂、与热膨胀性微胶囊或发泡剂混合的胶粘剂、通过紫外线照射可剥离的胶粘剂等。
图9显示了放射线图像检测装置1的修改例。
在图9中所示的放射线图像检测装置1A中，闪烁体11包括由柱状晶体43的群形成的柱状部40和非柱状部41。以非柱状部41和柱状部40的顺序在支撑基底10上重叠形成所述柱状部40和非柱状部41。
所述非柱状部41由荧光材料的比较小的粒状晶体42的群形成。在所述非柱状部41中可含有荧光材料的无定形材料。在所述非柱状部41中，粒状晶体以其相互不规则地粘合或重叠的状态存在。
所述非柱状部41具有分散在其中的细小空隙。由于存在空隙，所以可通过如上所述的放射线图像检测装置1中支撑基底10的反射膜15来替换所述非柱状部41。
所述非柱状部41的密度比柱状部40的密度大，且非柱状部41的孔隙率比柱状部40的孔隙率小。由于将非柱状部41插入在支撑基底10与柱状部40之间，所以可以提高支撑基底10与闪烁体11之间的粘合，由此防止闪烁体11从支撑基底10上剥离。
图10显示了电子显微镜照片，其显示了在图9中的线X-X上截取的闪烁体11的截面。
从图10可清楚，在非柱状部41中，晶体与粒状晶体42不规则地连结或相互叠置，从而与柱状部40相比，在晶体之间不存在可辨识的清晰的空气间隙。从粘合和光反射考虑，优选的是，形成非柱状部41的粒状晶体42的各晶体的直径为0.5μm～7.0μm。当晶体直径太小时，空隙比接近于零，从而存在光反射功能会劣化的担忧。当晶体直径太大时，平坦度会劣化，从而存在对支撑基底10的粘合会劣化的担忧。另外，从光反射考虑，优选的是，形成非柱状部31的粒状晶体42的形状基本为球形。
当连结晶体时，按如下对各个晶体的晶体直径进行测量。即，将通过连接相邻晶体之间产生的凹陷(凹入)而得到的直线作为晶体之间的边界。将相互连结的晶体分开以具有最小的多边形并测量多边形的晶体直径。以与柱状部40中的晶体直径相同的方式，获得了晶体直径的平均值。使用由此得到的平均值。
从对支撑基底10的粘合和光反射考虑，优选的是，非柱状部41的厚度为5μm～125μm。当非柱状部41的厚度太小时，存在不能获得对支撑基底10的充分粘合的担忧。当非柱状部41的厚度太大时，荧光在非柱状部41中的贡献和在非柱状部41中因光反射造成的漫射增大，从而存在图像锐度可能下降的担忧。
通过气相沉积法整体并连续地形成非柱状部41和柱状部40。具体地，在具有0.01～10Pa真空度的环境下，利用向其施加电力的电阻加热坩埚对CsI:Tl进行加热蒸发。由此，将CsI:Tl沉积在温度设定为室温(20℃)～300℃的第一基础材料13上。
在第一基础材料13上开始形成CsI:Tl晶相时，沉积比较小直径的晶体以形成非柱状部41。然后改变至少所述条件，即真空度或第一基础材料13的温度中的至少一个。由此，在形成非柱状部41之后连续形成柱状部40。具体地，提高真空度和/或第一基础材料13的温度，从而生长柱状晶体43的群。
图11显示了放射线图像检测装置1的另一种改进实例。
在图11中所示的放射线图像检测装置1B中，在柱状晶体43的尖端侧处在闪烁体11的柱状晶体43的群之间填充填料50。
闪烁体11的荧光发射表面由柱状晶体43的群构造，且从光的提取效率考虑，以尖锥状形成各柱状晶体43的尖端。因此，如果不存在填料50，则当闪烁体11被像素阵列21压缩覆盖时，可能将负荷集中在柱状晶体43的尖端上而使得尖端变形，并损伤像素阵列21。然而，负荷因存在填料50而分散，由此防止了柱状晶体43的尖端的变形和像素阵列21的损坏。
由于在柱状晶体43的群中填充有填料50，所以可防止保护膜12b进入到柱状晶体43之间。作为保护膜12b，例如，如上所述使用聚对亚二甲苯基。然而，由于保护膜12b的折射率比空气的折射率(1.0)大，所以当向柱状晶体43的群中引入保护膜12b时，在引入保护膜12b的部分处柱状晶体43与其周围介质之间的折射率之差下降，由此降低柱状晶体43的光导效应并劣化图像的锐度。然而，由于在柱状晶体43的群中填充有填料50，所以可防止保护膜12b进入到柱状晶体43的群中。
作为填料50，可适当使用能量可固化的树脂材料，其对于由闪烁体11产生的荧光是透明的并具有适当的流动性。具体地，可例示地有酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂和邻苯二甲酸二芳基酯树脂。
从通过保护膜12b抑制柱状晶体43的光导效应的降低考虑，可以优选将折射率比保护膜12b的折射率更小的填料用作填料50。例如，考虑到用作柱状晶体43的荧光体的CsI:Tl的折射率为1.79且用作保护膜12b的聚对亚二甲苯基的折射率为1.639，优选的是，填料50的折射率为1.6以下。作为填料50例示的上述材料的折射率可根据例如其等级而波动。松脂二烯树脂的折射率为1.58～1.66，脲树脂的折射率为1.54～1.56，三聚氰胺树脂的折射率为1.6～1.7，不饱和聚酯树脂的折射率为1.52～1.57，环氧树脂的折射率为1.55～1.61，且邻苯二甲酸二芳基酯树脂的折射率为1.51～1.52。
图12示意性显示了用于描述本发明另一个示例性实施方案的放射线图像检测装置的构造。与上述放射线图像检测装置1通用的部件由通用的标号表示，并省略其描述或对其简单进行描述。
图12中所示的放射线图像检测装置101包括放射线图像转换面板102和传感器面板103。
所述放射线图像转换面板102包括柔性支撑基底(第一基底)110和由通过放射线暴露产生荧光的荧光体形成的闪烁体11。所述闪烁体11布置在所述支撑基底110上。
传感器面板103包括柔性绝缘基底(第二基底)120和布置在所述绝缘基底120上的像素阵列21。像素阵列21的各个像素对由闪烁体11产生的荧光进行检测。
放射线图像转换面板102和传感器面板103以闪烁体11和像素阵列21相互对着的方式布置并通过密封剂4相互粘合。
将密封剂4布置在放射线图像转换面板102的支撑基底110与传感器面板103的绝缘基底120之间以包围所述闪烁体11和所述像素阵列21，并在其内侧形成隔离空间S。
与其外部相比，所述空间S处于减压状态。由于支撑基底110和绝缘基底120发生变形，所以所述闪烁体11与所述像素阵列21紧密接触而不会粘合到所述像素阵列21上。
放射线图像检测装置101是所谓的透射侧采集(PSS)型放射线图像检测装置，且从放射线入射侧依次排列放射线图像转换面板102和传感器面板103。所述放射线透过支撑基底110而入射到闪烁体11上。在入射放射线的闪烁体11中，产生荧光并通过像素阵列21对由其产生的荧光进行检测。
在PSS型放射线图像检测装置101中，以第一基础材料113和第二基础材料114两个层的方式来构造布置在放射线入射侧的相反侧上的绝缘基底120。所述第一基础材料113的一个表面具有像素阵列21且其另一个表面粘合到第二基础材料114上。所述第二基础材料114对其上形成有像素阵列21的第一基础材料113进行增强，并通过密封剂4将所述像素阵列21粘合到放射线图像转换面板102的支撑基底110上(参见图1)。
在放射线图像检测装置101中，将闪烁体11和像素阵列21放入由用于支撑闪烁体11的支撑基底110、用于支撑像素阵列21的绝缘基底120和密封剂4形成的空间S中，并且由于对空间S进行减压，所以闪烁体11与像素阵列21相互紧密接触而不粘合到所述像素阵列21上。闪烁体11和像素阵列21可以以其完整的形式紧密接触，因为支撑基底110和绝缘基底120两者都由柔性物质形成。因此，能够提高图像品质的均匀性。
在PSS型放射线图像检测装置101中，沉积在放射线入射侧的相反侧上的绝缘基底120可以为第一基础材料113和第二基础材料114的堆叠结构以增强放射线图像检测装置101，由此提高抗负荷性和抗冲击性而不造成因放射线吸收而造成的灵敏度劣化。
由于上述放射线图像检测装置能够在高灵敏度和高分辨率下检测放射线图像，所以能够将其安装并应用于以低放射线照射量检测尖锐图像而需要的用于医疗诊断目的的X射线成像装置如乳腺摄影装置；以及其他各种装置中。例如，可将放射线图像检测装置应用于无损检验用工业X射线成像装置、或用于检测电磁波之外的粒子射线(α射线、β射线、γ射线)的装置中。所述放射线图像检测装置具有宽范围的应用。
下面对能够用于传感器面板的构成元件的材料进行描述。
[光电转换元件]
可将在JP-A-2009-32854中公开的由OPC材料形成的膜(下文中称作OPC膜)用于上述光电转换元件23的光电导层25(参见图2)。所述OPC膜含有有机光电转换材料，吸收从荧光体中发射的光并根据所吸收的光产生电荷。含有有机光电转换材料的这种OPC膜在可见光范围内具有尖锐的吸收光谱。由此，由荧光体发射的光之外的电磁波难以被OPC膜吸收，但能够有效抑制由OPC膜所吸收的放射线如X射线产生的噪音。
优选的是，形成OPC膜的有机光电转换材料的吸收峰值波长更接近由荧光体发射的光的峰值波长，从而更有效地吸收由荧光体发射的光。理想地，有机光电转换材料的吸收峰值波长与由荧光体发射的光的峰值波长一致。然而，如果有机光电转换材料的吸收峰值波长与由荧光体发射的光的峰值波长之差小，则能够充分地吸收由荧光体发射的光。具体地，有机光电转换材料的吸收峰值波长与荧光体响应放射线所发射的光的峰值波长之差优选不大于10nm，更优选不大于5nm。
能够满足这种条件的有机光电转换材料的实例包括亚芳基类有机化合物、喹吖啶酮类有机化合物和酞菁类有机化合物。例如，喹吖啶酮在可见光范围内的吸收峰值波长为560nm。因此，当将喹吖啶酮用作有机光电转换材料并将CsI(Tl)用作荧光体材料时，能够将上述峰值波长之差设定在5nm范围以内，从而能够将在OPC膜中产生的电荷的量基本提高至最大。
设置在偏压电极26与电荷收集电极27中的有机层的至少一部分能够由OPC膜形成。更具体地，所述有机层能够由用于吸收电磁波的部分、光电转换部分、电子传输部分、电子空穴传输部分、电子阻挡部分、电子空穴阻挡部分、结晶防止部分、电极、层间接触改良部分等的堆叠体或混合物形成。
优选地，有机层含有有机p型化合物或有机n型化合物。有机p型半导体(化合物)为主要由电子空穴输送有机化合物表示的给体型有机半导体(化合物)，其是指具有易于提供电子的特性的有机化合物。更详细地，在用于相互接触的两种有机材料中，将具有较低电离电势的物质称作给体型有机化合物。因此，可以将任何有机化合物用作给体型有机化合物，只要所述有机化合物具有提供电子的特性即可。能够使用的给体型有机化合物的实例包括三芳基胺化合物、联苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯乙烯胺化合物、腙化合物、三苯基甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、菁化合物、部花青化合物、氧杂菁(oxonol)化合物、多胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚芳撑化合物、稠合芳族碳环化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、荧蒽衍生物)、具有含氮杂环化合物作为配体的金属络合物等。给体型有机半导体不限于此，而是可以将电离电势比用作n型(受体型)化合物的有机化合物低的任何有机化合物用作给体型有机半导体。
n型有机半导体(化合物)为主要由电子输送有机化合物表示的受体型有机半导体(化合物)，其是指具有易于接受电子的特性的有机化合物。更具体地，当以相互接触的方式使用两种有机化合物时，该两种有机化合物中具有较高电子亲合力的一种化合物为受体型有机化合物。因此，可以将任何有机化合物用作受体型有机化合物，只要所述有机化合物具有接受电子的特性即可。其实例包括稠合芳族碳环化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、荧蒽衍生物)，含有氮原子、氧原子或硫原子的5～7元杂环化合物(例如，吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、异喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、邻二氮杂菲、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、
Figure BDA00001954038700211
唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并哒嗪、三唑并嘧啶、四氮茚、
Figure BDA00001954038700213
二唑、咪唑并吡啶、吡咯烷(pyralidine)，吡咯并吡啶、噻二唑并吡啶、二苯并吖庚因、三苯并吖庚因等)，聚芳撑化合物、芴化合物、环戊二烯化合物、甲硅烷基化合物和具有含氮杂环化合物作为配体的金属络合物。受体型有机半导体不限于此。可将任何有机化合物用作受体型有机半导体，只要所述有机化合物的电子亲合力高于用作给体型有机化合物的有机化合物即可。
至于p型有机染料或n型有机染料，可使用任何已知染料。其优选实例包括菁染料、苯乙烯基染料、半菁染料、部花青染料(包括零-次甲基部花青(简单部花青)、三核部花青染料、四核部花青染料、若丹菁(rhodacyanine)染料、复合菁染料、复合部花青染料、alopolar染料、氧杂菁染料、半氧杂菁(hemioxonol)染料、方酸
Figure BDA00001954038700214
染料、克酮酸
Figure BDA00001954038700215
(croconium)染料、氮杂次甲基染料、香豆素染料、亚芳基染料、蒽醌染料、三苯基甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲碱染料、螺环化合物、金属茂染料、芴酮染料、俘精酸酐(flugide)染料、二萘嵌苯染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛染料、二苯基甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、二苯胺染料、喹吖啶酮染料、喹酞酮染料、吩
Figure BDA00001954038700216
嗪染料、酞苝染料、卟啉染料、叶绿素染料、酞菁染料、金属络合物染料和稠合芳族碳环染料(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、荧蒽衍生物)。
可以优选使用如下光电转换膜(感光层)，其在一对电极之间具有p型半导体层和n型半导体层，且p型半导体和n型半导体中的至少一种为有机半导体，并且在这些半导体层之间设置包含p型半导体和n型半导体的本体异质结结构层以作为中间层。包含在光电转换膜中的本体异质结结构层能够覆盖有机层的载流子扩散长度短这一缺陷。由此，能够提高光电转换效率。在JP-A-2005-303266中对本体异质结结构进行了详细说明。
从吸收源自荧光体层的光的观点来看，优选的是，光电转换膜更厚。考虑到不会对电荷分离带来任何贡献的比率，所述光电转换膜优选为30nm以上且300nm以下，更优选50nm以上且250nm以下，特别更优选80nm以上且200nm以下。
至于关于上述OPC膜的任意其他构造，例如参考JP-A-2009-32854中的描述。
[开关器件]
可将例如在JP-A-2009-212389中所公开的任意有机材料用于各开关器件24的有源层。尽管有机TFT可具有任意一种结构，但是最优选场效应晶体管(FET)结构。在FET结构中，在绝缘基底的上表面的一部分上设置栅极，并设置绝缘体层以覆盖所述电极并与电极之外的其他部分中的基底接触。此外，在绝缘体层的上表面上设置半导体有源层，并在半导体有源层的上表面的一部分上以相互隔开一定距离的方式布置透明源极和透明漏极。将这种构造称作顶部接触型器件。然而，也可以优选使用其中在半导体有源层下方布置源极和漏极的底部接触型器件。另外，可使用其中载流子在有机半导体膜的厚度方向上流动的垂直晶体管结构。
(有源层)
本文中提及的有机半导体材料为显示作为半导体的性能的有机材料。与由无机材料形成的半导体类似，有机半导体材料的实例包括传导作为载流子的电子空穴(空穴)的p型有机半导体材料(或简称作p型材料或称作电子空穴输送材料)以及传导作为载流子的电子的n型有机半导体材料(或简称作n型材料或称作电子输送材料)。在有机半导体材料中，许多p型材料通常显示良好的性能。另外，在大气下，作为晶体管，p型晶体管通常具有优异的运行稳定性。因此，本文中将对p型有机半导体材料进行说明。
有机薄膜晶体管的性能之一是载流子迁移率(也简称作迁移率)μ，其表示载流子在有机半导体层中的迁移率。尽管优选的迁移率随应用而变化，但通常优选更高的迁移率。所述迁移率优选为1.0×10-7cm2/Vs以上，更优选1.0×10-6cm2/Vs以上，进一步优选1.0×10-5cm2/Vs以上。通过在制造场效应晶体管(FET)器件时的性能或TOF(飞行时间)的测量，能够获得迁移率。
p型有机半导体材料可以为低分子量或高分子量材料，但优选低分子量材料。许多低分子量材料因能够应用各种提纯方法如升华提纯、重结晶、柱层析等而易于获得高纯度、或者因其具有固定的分子结构而易于形成高度有序的晶体结构，从而通常显示优异的性质。低分子量材料的分子量优选为100以上且5000以下，更优选150以上且3000以下，还更优选200以上且2000以下。
作为这种p型有机半导体材料，可例示地有酞菁化合物或萘菁化合物。如下显示其具体实例。M表示金属原子，Bu表示丁基，Pr表示丙基，Et表示乙基，且Ph表示苯基。
化合物1至15    化合物16至20
  化合物   M   R   n   R’   R”
  1   Si   OSi(n-Bu)3   2   H   H
  2   Si   OSi(i-Pr)3   2   H   H
  3   Si   OSi(OEt)3   2   H   H
  4   Si   OSiPh3   2   H   H
  5   Si   O(n-C8H17)   2   H   H
  7   Ge   OSi(n-Bu)3   2   H   H
  8   Sn   OSi(n-Bu)3   2   H   H
  9   Al   OSi(n-C6H13)3   1   H   H
  10   Ga   OSi(n-C6H13)3   1   H   H
  11   Cu   -   -   O(n-Bu)   H
  12   Ni   -   -   O(n-Bu)   H
  13   Zn   -   -   H   t-Bu
  14   V=O   -   -   H   t-Bu
  15   H2   -   -   H   t-Bu
  16   Si   OSiEt3   2   -   -
  17   Ge   OSiEt3   2   -   -
  18   Sn   OSiEt3   2   -   -
  19   Al   OSiEt3   1   -   -
  20   Ga   OSiEt3   1   -   -
(有源层之外的开关器件的构成元件)
形成栅极、源极或漏极的材料没有特别限制，只要其具有需要的导电性即可。其实例包括透明导电氧化物如ITO(铟掺杂的氧化锡)、IZO(铟掺杂的氧化锌)、SnO2、ATO(锑掺杂的氧化锡)、ZnO、AZO(铝掺杂的氧化锌)、GZO(镓掺杂的氧化锌)、TiO2、FTO(氟掺杂的氧化锡)等；透明导电聚合物如PEDOT/PSS(聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯)；碳材料如碳纳米管等。例如通过真空沉积法、溅射、溶液涂布法等，可将这些电极材料形成为膜。
用于绝缘层的材料没有特别限制，只要其具有需要的绝缘效果即可。其实例包括无机材料如二氧化硅、氮化硅、氧化铝等；和有机材料如聚酯(PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等)、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、环氧树脂、聚对苯二亚甲基树脂、酚醛清漆树脂、PVA(聚乙烯醇)、PS(聚苯乙烯)等。例如通过真空沉积法、溅射、溶液涂布法等，可将这些绝缘膜材料形成为膜。
至于关于上述有机TFT的任意其他构造，例如参考JP-A-2009-212389中的描述。
另外，例如，可将在JP-A-2010-186860中公开的无定形氧化物用于开关器件28的有源层。此处对在JP-A-2010-186860中公开的包含无定形氧化物的FET晶体管的有源层进行说明。所述有源层充当其中电子或空穴能够移动的FET晶体管的沟道层。
有源层被设置为包含无定形氧化物半导体。能够在低温下将无定形氧化物半导体形成为膜。由此，可优选在柔性基底上形成无定形氧化物半导体。用于有源层的无定形氧化物半导体优选为包含选自In、Sn、Zn和Cd中的至少一种元素的无定形氧化物，更优选为包含选自In、Sn和Zn中的至少一种元素的无定形氧化物，进一步优选包含选自In和Zn中的至少一种元素的无定形氧化物。
用于有源层的无定形氧化物的具体实例包括In2O3、ZnO、SnO2、CdO、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锡-氧化物(ITO)、镓-锌-氧化物(GZO)、铟-镓-氧化物(IGO)和铟-镓-锌-氧化物(IGZO)。
优选的是，将以氧化物半导体的多晶烧结体作为靶的气相成膜法用作用于形成有源层的方法。在气相成膜法中，溅射法或脉冲激光沉积(PLD)法是适合的。此外，从大量生产性考虑，优选溅射法。例如，在受控真空度和受控氧流量下通过RF磁控溅射沉积法而形成有源层。
通过已知的X射线衍射法，可以确认形成为膜的有源层为无定形膜。通过RBS(卢瑟福背散射光谱)法获得了有源层的组成比。
另外，有源层的电导率优选为低于102Scm-1且不低于10-4Scm-1，更优选低于102Scm-1且不低于10-1Scm-1。用于调节有源层的电导率的方法的已知实例包括利用氧缺陷的调节法、利用组成比的调节法、利用杂质的调节法和利用氧化物半导体材料的调节法。
至于关于上述无定形氧化物的任意其他构造，例如参考JP-A-2010-186860中的说明。
[绝缘基底]
作为绝缘基底20，例如可使用具有优异的透光率的塑料膜。作为塑料膜，可选择由如下制成的膜：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮、聚亚苯基硫醚、聚碳酸酯(PC)、纤维素三乙酸酯(TAC)、纤维素乙酸酯丙酸酯(CAP)、聚酰亚胺、多芳基化合物、双轴拉伸的聚苯乙烯(OPS)等。这种塑料膜可含有有机或无机填料。可适当使用具有诸如柔性、低热膨胀和高强度的性能的由例如芳族聚酰胺和生物纳米纤维制成的柔性基底，所述性能是通过现有玻璃或塑料所不能获得的。其中，可适当使用多芳基化合物(玻璃化转变温度：约193℃)、双轴拉伸的聚苯乙烯(分解温度：250℃)、聚酰亚胺(玻璃化转变温度：约300℃)和芳族聚酰胺(玻璃化转变温度：约315℃)，它们都具有抗热性。结果，可在绝缘基底上直接形成闪烁体。
(芳族聚酰胺)
所述芳族聚酰胺材料具有高抗热性即315℃的玻璃化转变温度、高刚性即10GPa的杨氏模量和高尺寸稳定性即-3ppm/℃～5ppm/℃的热膨胀率。因此，当使用由芳族聚酰胺材料制成的膜时，与使用常规树脂膜的情况相比，可以容易地以高品质形成半导体层。由于芳族聚酰胺材料的高抗热性，电极材料可在高温下固化并具有低电阻。芳族聚酰胺材料的膜能够应付包括焊接回流工艺的IC自动安装。由于由芳族聚酰胺材料制成的膜的热膨胀系数接近铟锡氧化物(ITO)、气体阻挡膜和玻璃基底的热膨胀系数，所以由芳族聚酰胺材料制成的膜在制造之后较少翘曲。所述膜难以断裂。本文中，从降低环境负载考虑，优选使用不含卤素的无卤素芳族聚酰胺材料(适用于JPCA-ES01-2003的规章)。所述芳族聚酰胺膜可与玻璃基底或PET基底堆叠，或者粘合到装置的壳体上。
通过因使用分子设计在芳族聚酰胺分子之间具有高内聚力(氢键强度)而将低溶解度的芳族聚酰胺溶于溶剂中，可以采用芳族聚酰胺以容易地成型为无色、透明且薄的膜并可以适当加以使用。通过用于控制单体单元的有序性以及芳环上的取代物种和位置的分子设计，能够实现具有良好溶解度的容易成型，并同时保持具有高线性的棒状分子结构，所述高线性导致芳族聚酰胺材料的高刚性或尺寸稳定性。通过分子设计可实现不含卤素。
还可以适当使用在膜的面内方向上具有最佳特性的芳族聚酰胺材料。通过控制在溶液流延、在膜成型期间根据芳族聚酰胺膜强度先后发生改变的垂直拉伸和水平拉伸中的各个工艺处的拉伸条件，可平衡在芳族聚酰胺膜的面内方向上的特征，所述膜在物理性质方面具有棒状分子结构并易于改变为各向异性。
具体地，在溶液流延工艺中，通过控制溶剂的干燥速度，将在面内厚度方向上的物理性质变为各向同性且使得含有溶剂的膜的强度、以及与铸件和鼓的剥离强度最佳化。在垂直拉伸工艺中，对随在拉伸期间先后发生改变的溶剂残渣变化的膜强度和拉伸条件进行精确控制。在水平拉伸工艺中，对随通过加热改变的膜强度变化而变化的水平拉伸条件和用于减轻膜残余应力的水平拉伸条件进行控制。通过使用芳族聚酰胺材料，可解决在成型之后芳族聚酰胺膜发生卷曲的问题。
由于仅有芳族聚酰胺具有棒状分子结构，所述棒状分子结构在如上所述便于成型的设计或用于平衡膜面内方向上的特征的设计方面具有尽可能高的线性，所以可将热膨胀系数保持为低。还可以通过改变制造膜时的拉伸条件来进一步降低热膨胀系数。
(生物纳米纤维)
可以使用纳米纤维以对透明的柔性树脂进行增强，因为与光波长相比足够小的组分不会造成光散射。在纳米纤维中，由细菌(醋杆菌属、木醋杆菌)制造的纤维素微纤维束具有50nm的宽度和约可见光波长1/10的尺寸，但具有高强度、高弹性和低热膨胀的特征。因此，可适当使用细菌纤维素和透明树脂的复合材料(可称作“生物纳米纤维”)。
通过在细菌纤维素片中浸渍并固化诸如例如丙烯酸类树脂和环氧树脂的透明树脂，可得到在500nm波长下展示约90%透光率并同时以约60～70%的高比例含有纤维的透明生物纳米纤维。利用生物纳米纤维，可实现可与硅晶体相比的低热膨胀系数(约3ppm～7ppm)、以及在钢水平上的强度(约460MPa)和高弹性(约30GPa)。关于上述生物纳米纤维的构造，例如，可参考日本特开2008-34556的公开内容。
如上所述，本说明书公开了如下(1)～(14)的放射线图像检测装置并公开了如下(15)～(18)的制造放射线图像检测装置的方法。
(1)一种放射线图像检测装置，包括：
放射线图像转换面板，其包括闪烁体和支撑所述闪烁体的基底，所述闪烁体包含在暴露于放射线时产生荧光的荧光体；
传感器面板，其包括像素阵列和支撑所述像素阵列的基底，所述像素阵列以与所述闪烁体紧密接触的方式布置并检测从所述闪烁体产生的荧光；和
密封剂，其布置在所述放射线图像转换面板的基底与所述传感器面板的基底之间并包围所述闪烁体和所述像素阵列以在所述密封剂内侧形成隔离空间，
其中所述闪烁体包括柱状部，所述柱状部包括通过以柱状形状生长所述荧光体的晶体而形成的柱状晶体群，
以与所述像素阵列紧密接触而不粘合到所述像素阵列上的方式布置通过所述柱状晶体的一组尖端构造的表面，
所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底两者都是柔性的，且
所述隔离空间被减压。
(2)上述(1)的放射线图像检测装置，其中
所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底中的一个基底是布置在放射线入射侧的相反侧上的第一基底，另一个基底是布置在所述放射线入射侧上的第二基底，且
所述第一基底包括堆叠的多个基础材料，所述基础材料包括具有其上布置有所述闪烁体或所述像素阵列的表面的第一基础材料。
(3)上述(2)的放射线图像检测装置，其中所述密封剂布置在所述多个基础材料中除了所述第一基础材料之外的另一个基础材料与所述第二基底之间。
(4)上述(3)的放射线图像检测装置，其中所述第一基础材料和所述多个基础材料中除了所述第一基础材料之外的所述另一个基础材料利用可拆除的胶粘剂相互粘合，所述可拆除的胶粘剂的粘合强度会因能量照射而下降。
(5)上述(1)～(4)中任一项的放射线图像检测装置，其中所述密封剂是可拆除的胶粘剂，所述可拆除的胶粘剂的粘合强度会因能量照射而下降。
(6)上述(1)～(5)中任一项的放射线图像检测装置，其中以尖锥形状形成所述柱状晶体的各个尖端。
(7)上述(6)的放射线图像检测装置，其中所述柱状晶体的各个尖端具有40°～80°的顶角。
(8)上述(6)或(7)的放射线图像检测装置，其中在所述柱状晶体的尖端之间填充有填料。
(9)上述(8)的放射线图像检测装置，其中所述闪烁体涂覆有防湿性保护膜，且
所述填料的折射率小于所述保护膜的折射率。
(10)上述(8)或(9)的放射线图像检测装置，其中所述填料是选自酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂和邻苯二甲酸二烯丙酯树脂中的至少一种树脂。
(11)上述(1)～(10)中任一项的放射线图像检测装置，其中所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底中的各种基底是柔性玻璃基底。
(12)上述(1)～(11)中任一项的放射线图像检测装置，其中所述像素阵列中的各个像素被设置为包括有机光电转换元件，所述有机光电转换元件包括有机光电转换膜的光电导层。
(13)上述(1)～(12)中任一项的放射线图像检测装置，其中所述放射线图像转换面板的基底是布置在放射线入射侧的相反侧上的第一基底，且所述传感器面板的基底是布置在所述放射线入射侧上的第二基底。
(14)上述(2)的放射线图像检测装置，其中所述放射线图像转换面板的基底是布置在放射线入射侧的相反侧上的第一基底，所述传感器面板的基底是布置在所述放射线入射侧上的第二基底，且所述闪烁体布置在所述第一基础材料的表面上。
(15)一种制造上述(1)的放射线图像检测装置的方法，包括：
使所述放射线图像转换面板与所述传感器面板重叠，同时使所述闪烁体与所述像素阵列相互面对并在要粘合的所述放射线图像转换面板的基底与所述传感器面板的基底之间设置所述密封剂；和
通过所述密封剂对在所述放射线图像转换面板的基底与所述传感器面板的基底之间形成的所述隔离空间进行减压以使得所述闪烁体与所述像素阵列相互紧密接触而不相互粘合。
(16)一种制造上述(1)的放射线图像检测装置的方法，其中所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底中的一个基底是布置在放射线入射侧的相反侧上的第一基底，另一个基底是布置在所述放射线入射侧上的第二基底，且所述第一基底包括堆叠的多个基础材料，所述基础材料包括其上布置有所述闪烁体或所述像素阵列的表面的第一基础材料，
所述方法包括：
使所述第一基础材料与所述第二基底重叠，同时使所述闪烁体与所述像素阵列相互面对；
使得所述多个基础材料中除了所述第一基础材料之外的另一个基础材料与所述第一基础材料和所述第二基底重叠，同时在所述第一基础材料与另一个基础材料之间设置胶粘剂并在所述另一个基础材料与所述第二基底之间设置所述密封剂；和
通过所述密封剂对在所述另一个基础材料与所述第二基底之间形成的所述隔离空间进行减压以使得所述闪烁体与所述像素阵列相互紧密接触而不相互粘合。
(17)上述(1)的方法，其中所述胶粘剂是可拆除的胶粘剂，所述可拆除的胶粘剂的粘合强度会因能量照射而下降。
(18)上述(15)～(17)中任一项的方法，其中所述密封剂是可拆除的胶粘剂，所述可拆除的胶粘剂的粘合强度会因能量照射而下降。

Claims (19)

1.一种放射线图像检测装置，包含：
放射线图像转换面板，其包含闪烁体和支撑所述闪烁体的基底，所述闪烁体包含在暴露于放射线时产生荧光的荧光体；
传感器面板，其包含像素阵列和支撑所述像素阵列的基底，所述像素阵列以与所述闪烁体紧密接触的方式布置，并检测从所述闪烁体产生的荧光；和
密封剂，其布置在所述放射线图像转换面板的基底与所述传感器面板的基底之间，并包围所述闪烁体和所述像素阵列以在所述密封剂的内侧形成隔离空间，
其中所述闪烁体包含柱状部，所述柱状部包含通过以柱状形状生长所述荧光体的晶体而形成的柱状晶体群，
以与所述像素阵列紧密接触而不粘合到所述像素阵列上的方式布置由所述柱状晶体的一组尖端构造的表面，
所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底两者都是柔性的，且
所述隔离空间被减压。
2.权利要求1的放射线图像检测装置，其中
所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底中的一个基底是布置在放射线入射侧的相反侧上的第一基底，另一个基底是布置在所述放射线入射侧上的第二基底，且
所述第一基底包含堆叠的多个基础材料，所述基础材料包含第一基础材料，在所述第一基础材料的表面上布置有所述闪烁体或所述像素阵列。
3.权利要求2的放射线图像检测装置，其中所述密封剂布置在所述多个基础材料中除了所述第一基础材料之外的另一个基础材料与所述第二基底之间。
4.权利要求3的放射线图像检测装置，其中所述第一基础材料和所述多个基础材料中除了所述第一基础材料之外的所述另一个基础材料利用可拆除的胶粘剂相互粘合，所述可拆除的胶粘剂的粘合强度通过能量照射而下降。
5.权利要求1的放射线图像检测装置，其中所述密封剂是可拆除的胶粘剂，所述可拆除的胶粘剂的粘合强度通过能量照射而下降。
6.权利要求1的放射线图像检测装置，其中以尖锥形状形成所述柱状晶体的各个尖端。
7.权利要求6的放射线图像检测装置，其中所述柱状晶体的各个尖端具有40°～80°的顶角。
8.权利要求6的放射线图像检测装置，其中在所述柱状晶体的所述尖端之间填充有填料。
9.权利要求8的放射线图像检测装置，其中所述闪烁体涂覆有防湿性保护膜，且
所述填料的折射率小于所述保护膜的折射率。
10.权利要求8的放射线图像检测装置，其中所述填料是选自酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂和邻苯二甲酸二烯丙酯树脂中的至少一种树脂。
11.权利要求1的放射线图像检测装置，其中所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底中的各个基底是柔性玻璃基底。
12.权利要求1的放射线图像检测装置，其中所述像素阵列中的各个像素被设置为包含有机光电转换元件，所述有机光电转换元件包含有机光电转换膜的光电导层。
13.权利要求1的放射线图像检测装置，其中所述放射线图像转换面板的基底是布置在放射线入射侧的相反侧上的第一基底，且所述传感器面板的基底是布置在所述放射线入射侧上的第二基底。
14.权利要求2的放射线图像检测装置，其中所述放射线图像转换面板的基底是布置在放射线入射侧的相反侧上的第一基底，所述传感器面板的基底是布置在所述放射线入射侧上的第二基底，且所述闪烁体布置在所述第一基础材料的表面上。
15.一种制造权利要求1的放射线图像检测装置的方法，包括：
使所述放射线图像转换面板与所述传感器面板重叠，同时使所述闪烁体与所述像素阵列相互面对，并在要粘合的所述放射线图像转换面板的基底与所述传感器面板的基底之间设置所述密封剂；以及
通过所述密封剂对在所述放射线图像转换面板的基底与所述传感器面板的基底之间形成的所述隔离空间进行减压，以使得所述闪烁体与所述像素阵列相互紧密接触而不相互粘合。
16.一种制造权利要求1的放射线图像检测装置的方法，其中所述放射线图像转换面板的基底和所述传感器面板的基底中的一个基底是布置在放射线入射侧的相反侧上的第一基底，另一个基底是布置在所述放射线入射侧上的第二基底，且所述第一基底包含堆叠的多个基础材料，所述基础材料包含第一基础材料，在所述第一基础材料的表面上布置有所述闪烁体或所述像素阵列，
所述方法包括：
使所述第一基础材料与所述第二基底重叠，同时使所述闪烁体与所述像素阵列相互面对；
使所述多个基础材料中除了所述第一基础材料之外的另一个基础材料与所述第一基础材料和所述第二基底重叠，同时在所述第一基础材料与所述另一个基础材料之间设置胶粘剂，并在所述另一个基础材料与所述第二基底之间设置所述密封剂；以及
通过所述密封剂对在所述另一个基础材料与所述第二基底之间形成的所述隔离空间进行减压，以使得所述闪烁体与所述像素阵列相互紧密接触而不相互粘合。
17.权利要求16的方法，其中所述胶粘剂是可拆除的胶粘剂，所述可拆除的胶粘剂的粘合强度通过能量照射而下降。
18.权利要求15的方法，其中所述密封剂是可拆除的胶粘剂，所述可拆除的胶粘剂的粘合强度通过能量照射而下降。
19.权利要求16的方法，其中所述密封剂是可拆除的胶粘剂，所述可拆除的胶粘剂的粘合强度通过能量照射而下降。
CN201210270230.0A 2011-08-30 2012-07-31 放射线图像检测装置及其制造方法 Active CN102969322B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011188048A JP2013050364A (ja) 2011-08-30 2011-08-30 放射線画像検出装置
JP2011-188048 2011-08-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102969322A true CN102969322A (zh) 2013-03-13
CN102969322B CN102969322B (zh) 2017-04-26

Family

ID=47742271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210270230.0A Active CN102969322B (zh) 2011-08-30 2012-07-31 放射线图像检测装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9255997B2 (zh)
JP (1) JP2013050364A (zh)
CN (1) CN102969322B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105319573A (zh) * 2014-06-03 2016-02-10 柯尼卡美能达株式会社 放射线图像检测装置及其制造方法
CN105374836A (zh) * 2014-08-08 2016-03-02 精材科技股份有限公司 半导体结构及其制造方法
CN105549062A (zh) * 2014-10-28 2016-05-04 柯尼卡美能达株式会社 闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法
CN106605157A (zh) * 2014-09-11 2017-04-26 通用电气公司 使用有机光电二极管的x射线系统和x射线检测器
CN107430202A (zh) * 2015-01-14 2017-12-01 通用电气公司 柔性x射线检测器及其制造方法
CN108618792A (zh) * 2017-03-22 2018-10-09 富士胶片株式会社 放射线图像摄影装置
CN110058291A (zh) * 2018-01-19 2019-07-26 西门子医疗有限公司 用于生产x射线探测器的组装方法、x射线探测器和x射线设备
CN110121780A (zh) * 2017-01-06 2019-08-13 卡尔斯特里姆保健公司 基于柔性聚酰亚胺的x射线检测器的分离和再附接
CN110612605A (zh) * 2017-05-15 2019-12-24 卡尔斯特里姆保健公司 柔性衬底模块及其制造方法
CN110998406A (zh) * 2017-07-12 2020-04-10 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 角度可变的照明时的闪烁
CN111492269A (zh) * 2017-12-14 2020-08-04 皇家飞利浦有限公司 用于辐射捕获设备的结构化表面零件、制造这样的零件的方法以及x射线探测器
CN114467019A (zh) * 2019-10-04 2022-05-10 京瓷株式会社 pH测定方法和pH测定装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012047487A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器
JP5657614B2 (ja) * 2011-08-26 2015-01-21 富士フイルム株式会社 放射線検出器および放射線画像撮影装置
JP2013174465A (ja) * 2012-02-23 2013-09-05 Canon Inc 放射線検出装置
JP6018854B2 (ja) * 2012-09-14 2016-11-02 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル、及び、放射線検出器
JP6133059B2 (ja) * 2013-01-09 2017-05-24 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネルの製造方法、シンチレータパネル、及び放射線検出器
WO2014171336A1 (en) 2013-04-15 2014-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
WO2015002281A1 (ja) * 2013-07-04 2015-01-08 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及びその製造方法
EP2857866B1 (en) * 2013-10-02 2019-06-19 Rayence Co., Ltd. X-ray sensor and method of manufacturing the same
US10712454B2 (en) * 2014-07-25 2020-07-14 General Electric Company X-ray detectors supported on a substrate having a metal barrier
US11156727B2 (en) * 2015-10-02 2021-10-26 Varian Medical Systems, Inc. High DQE imaging device
US10311290B1 (en) 2015-12-29 2019-06-04 Rogue Capital LLC System and method for generating a facial model
WO2018173894A1 (ja) * 2017-03-22 2018-09-27 富士フイルム株式会社 放射線検出器及び放射線画像撮影装置
US11340359B2 (en) * 2017-05-01 2022-05-24 Koninklijke Philips N.V. Multi-layer radiation detector
US10302782B1 (en) 2017-11-15 2019-05-28 Varex Imaging Corporation Flexible detector for x-ray imaging
US11054530B2 (en) * 2017-11-24 2021-07-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Substrate including scintillator materials, system including substrate, and method of use
JP6880309B2 (ja) * 2018-03-19 2021-06-02 富士フイルム株式会社 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040016886A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 General Electric Company Flexible imager and digital imaging method
JP2006337184A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 放射線検出装置
US20080206917A1 (en) * 2005-09-23 2008-08-28 Patrick Dast Production of a Radiation Detector
CN101346642A (zh) * 2006-07-18 2009-01-14 株式会社东芝 闪烁屏及放射线探测器
WO2010029779A1 (ja) * 2008-09-12 2010-03-18 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネルとその製造方法
US20110006213A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 Fujifilm Corporation Radiation image detection apparatus and manufacturing method of the same

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0511301U (ja) * 1991-07-26 1993-02-12 日本板硝子株式会社 Ｘ線イメージセンサ
WO2001051951A1 (fr) * 2000-01-13 2001-07-19 Hamamatsu Photonics K.K. Capteur d'image radiologique et panneau de scintillateur
DE10244178A1 (de) * 2002-09-23 2004-04-08 Siemens Ag Röntgendetektor aus einem Szintillator mit Fotosensorbeschichtung und Herstellungsverfahren
US6982424B2 (en) * 2003-06-02 2006-01-03 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc X-ray and CT image detector
WO2008029610A1 (fr) 2006-09-05 2008-03-13 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Écran scintillateur
WO2009031574A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. フラットパネルディテクタ
JP2010261720A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法
JP5369979B2 (ja) * 2009-08-05 2013-12-18 コニカミノルタ株式会社 放射線画像検出装置
JP2011133860A (ja) * 2009-11-30 2011-07-07 Fujifilm Corp 放射線撮像装置
JP5507415B2 (ja) * 2009-12-04 2014-05-28 富士フイルム株式会社 放射線撮像装置
JP5597039B2 (ja) * 2010-06-23 2014-10-01 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法
JP2012173128A (ja) * 2011-02-21 2012-09-10 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置及び放射線撮影装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040016886A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 General Electric Company Flexible imager and digital imaging method
JP2006337184A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 放射線検出装置
US20080206917A1 (en) * 2005-09-23 2008-08-28 Patrick Dast Production of a Radiation Detector
CN101346642A (zh) * 2006-07-18 2009-01-14 株式会社东芝 闪烁屏及放射线探测器
WO2010029779A1 (ja) * 2008-09-12 2010-03-18 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネルとその製造方法
US20110006213A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 Fujifilm Corporation Radiation image detection apparatus and manufacturing method of the same

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105319573B (zh) * 2014-06-03 2018-04-20 柯尼卡美能达株式会社 放射线图像检测装置及其制造方法
CN105319573A (zh) * 2014-06-03 2016-02-10 柯尼卡美能达株式会社 放射线图像检测装置及其制造方法
CN105374836A (zh) * 2014-08-08 2016-03-02 精材科技股份有限公司 半导体结构及其制造方法
CN106605157A (zh) * 2014-09-11 2017-04-26 通用电气公司 使用有机光电二极管的x射线系统和x射线检测器
CN105549062B (zh) * 2014-10-28 2018-08-24 柯尼卡美能达株式会社 闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法
CN105549062A (zh) * 2014-10-28 2016-05-04 柯尼卡美能达株式会社 闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法
CN107430202A (zh) * 2015-01-14 2017-12-01 通用电气公司 柔性x射线检测器及其制造方法
CN107430202B (zh) * 2015-01-14 2020-03-24 通用电气公司 柔性x射线检测器及其制造方法
CN110121780B (zh) * 2017-01-06 2023-04-18 卡尔斯特里姆保健公司 基于柔性聚酰亚胺的x射线检测器的分离和再附接
CN110121780A (zh) * 2017-01-06 2019-08-13 卡尔斯特里姆保健公司 基于柔性聚酰亚胺的x射线检测器的分离和再附接
CN108618792A (zh) * 2017-03-22 2018-10-09 富士胶片株式会社 放射线图像摄影装置
CN110612605B (zh) * 2017-05-15 2023-05-30 卡尔斯特里姆保健公司 数字射线照相图像传感器
CN110612605A (zh) * 2017-05-15 2019-12-24 卡尔斯特里姆保健公司 柔性衬底模块及其制造方法
CN110998406A (zh) * 2017-07-12 2020-04-10 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 角度可变的照明时的闪烁
CN110998406B (zh) * 2017-07-12 2023-03-24 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 角度可变的照明时的闪烁
CN111492269A (zh) * 2017-12-14 2020-08-04 皇家飞利浦有限公司 用于辐射捕获设备的结构化表面零件、制造这样的零件的方法以及x射线探测器
CN110058291A (zh) * 2018-01-19 2019-07-26 西门子医疗有限公司 用于生产x射线探测器的组装方法、x射线探测器和x射线设备
CN110058291B (zh) * 2018-01-19 2023-11-28 西门子医疗有限公司 用于生产x射线探测器的组装方法、x射线探测器和x射线设备
CN114467019A (zh) * 2019-10-04 2022-05-10 京瓷株式会社 pH测定方法和pH测定装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102969322B (zh) 2017-04-26
US20130048864A1 (en) 2013-02-28
US9255997B2 (en) 2016-02-09
JP2013050364A (ja) 2013-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102969322A (zh) 放射线图像检测装置及其制造方法
CN102670221B (zh) 放射图像检测设备及其制造方法
CN103299376B (zh) 放射线图像变换面板及其制造方法和放射线图像检测装置
CN102650699A (zh) 放射线图像检测装置及其制造方法
CN102621573A (zh) 放射线图像检测装置
Gelinck et al. X-ray imager using solution processed organic transistor arrays and bulk heterojunction photodiodes on thin, flexible plastic substrate
CN103384838A (zh) 放射线图像检测装置和放射线摄影装置
JP5460572B2 (ja) 放射線画像検出装置及びその製造方法
CN102681000B (zh) 放射图像检测设备及其制造方法
CN102650697B (zh) 放射图像检测设备
CN102650698A (zh) 放射图像检测设备和放射摄影成像盒
CN104412128A (zh) 具有有机光电二极管的辐射探测器
CN102670224A (zh) 放射线图像检测装置的维护方法
CN103299211B (zh) 放射线图像检测装置及其制造方法
CN102651380A (zh) 放射线图像检测装置及其制造方法
CN103282968B (zh) 放射线图像变换面板及其制造方法和放射线图像检测装置
US8941073B2 (en) Radiological image detection apparatus
CN102636802A (zh) 放射图像检测设备
JP2013015346A (ja) 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法並びに放射線画像検出装置
JP2012159305A (ja) 放射線画像変換パネル及び放射線画像検出装置
TWI546943B (zh) 用於高能射線之非直接式感測器以及感測模組
JP2012159306A (ja) 放射線画像変換パネル及び放射線画像検出装置
JP2012173127A (ja) 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法並びに放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法
JPWO2008155973A1 (ja) 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、イメージセンサおよび放射線画像検出器
JP2014167483A (ja) 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant