CN105549062A - 闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可以提供清晰性更优异放射线图像的闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法。一种闪烁器面板，其含有支持体和在所述支持体上所形成的闪烁器层，所述闪烁器层含有荧光体，所述荧光体为多个柱状晶体，位于所述闪烁器层的柱状晶体生长开始面的所述多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在，所述闪烁器层的、从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域中的放射线吸收率x为5.4～8.6％。

Description

闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法

技术领域

本发明涉及一种在形成放射线图像时所使用的闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法。

背景技术

目前，X射线图像那样的放射线图像在医疗现场被广泛用于症状的诊断。尤其是利用敏感纸-薄膜类的放射线图像，在慢长的历史中谋求高灵敏度化和高画质化，结果，制成了同时具有高可靠性和优异的性价比的拍摄系统，现在仍然在世界的医疗现场被使用。但是，这些图像信息为所谓的模拟图像信息，不能像目前正在发展的数字图像信息那样自由地进行图像处理或瞬时进行电子传送。

近年来，以计算机X线成像(computedradiography：CR)或平板型的放射线探测器(flatpaneldetector：FPD)等为代表的数字方式的放射线检测器出现。用这些放射线检测器直接得到数字的放射线图像，可以在利用了阴极管的面板或液晶面板等图像显示装置中直接显示图像，因此，不需要在照相薄膜上形成图像。其结果，这些数字方式的放射线检测器例如X射线检测器使利用银盐照相方式来形成图像的必要性降低，使医院或诊疗所中的诊断操作的便利性大幅度地提高。

作为与X射线图像有关的数字技术之一，计算机X线成像(CR)在现在医疗现场被接受。但是，CR中得到的X射线图像与利用银盐照相方式等的屏幕·薄膜系统的图像相比，清晰性不充分，空间分辨率也不充分，其画质水平没有达到屏幕·薄膜系统的画质水平。因此，作为更新的数字X射线图像技术，例如开发了使用薄膜晶体管(TFT)的平板X射线检测器(Flatpaneldetector，FPD)。

就上述FPD而言，其原理上，为了将X射线转换为可见光，使用具有荧光体层的闪烁器面板，所述荧光体层由具有将所照射的X射线转换为可见光而发光的特性的X射线荧光体制成，但在使用低照射量的X射线源的X射线摄影中，为了提高由闪烁器面板检测到的信号和噪音之比(SN比)，必需使用将X射线转变为可见光的转换率即发光效率高的闪烁器面板。通常，闪烁器面板的发光效率由荧光体层的厚度、荧光体的X射线吸收系数决定，但荧光体层的厚度越厚，通过X射线照射在荧光体层内产生的发光越容易在闪烁器层内发生散射，经由闪烁器面板得到的X射线图像的清晰性降低。因此，如果设定X射线图像的画质所需要的清晰性，那么，闪烁器面板中荧光体层的膜厚的限度自然而然地被确定。

在此，荧光体也称为闪烁器，荧光体层也称为闪烁器层。

另外，为了得到亮度高、可以提供清晰性优异的X射线图像的闪烁器面板，构成荧光体层的荧光体的形状也非常重要。在许多闪烁器面板中，作为构成闪烁器层的荧光体，采用具有柱状晶体形状的荧光体，通常，具有在基板或支持体等上配置多个这种柱状晶体而成的结构。这里，构成闪烁器层的柱状晶体均具有相对于基板或支持体等的主面垂直延伸的形状，从而可以使其中产生的荧光即发光沿着相对于基板或支持体等的主面垂直的方向有效地放出。在闪烁器层中采用了这种布局的闪烁器面板可以较高地维持上述亮度和清晰性，同时，也可以较高地维持相对于基板或支持体等垂直的方向上的强度。需要说明的是，“相对于基板或支持体等垂直的方向”以下有时称为“膜厚方向”。

近年来，进行了各种着眼于构成闪烁器层的荧光体的晶体形状的研究或尝试。

例如，专利文献1中，作为亮度高、可以得到清晰性优异的X射线图像的放射线转换面板，公开了在基板上设置含有形成了特定形状柱状晶体的荧光体母材的荧光体层而得到的放射线转换面板。专利文献1所记载的放射线转换面板中，荧光体层包含：由荧光体母材构成且膜厚在特定范围的第1荧光体层和含有荧光体母材及活化剂的第2荧光体层。而且，专利文献1教导：构成荧光体层的荧光体柱状晶体的距基板侧10μm的高度处的晶体直径和闪烁器层最表面的晶体直径之比在特定的范围时，清晰性优异。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开2010/032503号小册子

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，就专利文献1中所记载的放射线转换面板而言，在得到的放射线图像的清晰性方面存在改善的余地。

即，就专利文献1中所记载的放射线转换面板而言，在荧光体层柱状晶体中，限定了距离基板10μm的位置处的平均当量圆直径a和最表面的平均当量圆直径b之比，但对低于10μm的区域没有任何规定。因此，可以认为，在上述柱状晶体的低于10μm的区域内，如果更精密地控制柱状晶体的形状或特性等，则存在能够改善得到的放射线图像的清晰性的余地。

本发明的目的在于，提供一种可以提供清晰性更优异的放射线图像的闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法。

解决技术问题的技术方案

以下示出本发明的一个实施方式，但本发明不受这些实施方式的任何限定。

本发明的闪烁器面板的特征在于，包括支持体和形成在所述支持体上的闪烁器层，所述闪烁器层含有荧光体，所述荧光体为多个柱状晶体，位于所述闪烁器层的柱状晶体生长开始面的所述多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％。

另外，在本发明的闪烁器面板中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y的比(x/y)优选为0.12～0.22。

另外，在本发明的闪烁器面板中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y的比(x/y)更优选为0.17～0.22。

另外，在本发明的闪烁器面板中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％，从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y进一步优选为39.3～44.0％。

另外，在本发明的闪烁器面板中，所述闪烁器层的柱状晶体优选由气相沉积法形成。

本发明的第1放射线检测器的特征在于，包括上述闪烁器面板和光电转换元件面板。

本发明的第2放射线检测器的特征在于，包括光电转换元件面板和形成在该光电转换元件面板上的闪烁器层，所述闪烁器层含有荧光体，所述荧光体为多个柱状晶体，位于所述闪烁器层的柱状晶体生长开始面的所述多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％。

另外，在本发明的第2放射线检测器中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y的比(x/y)优选为0.12～0.22。

另外，在本发明的第2放射线检测器中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y的比(x/y)更优选为0.17～0.22。

另外，在本发明的第2放射线检测器中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％，从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y进一步优选为39.3～44.0％。

另外，在本发明的第2放射线检测器中，所述闪烁器层的柱状晶体优选利用气相沉积法形成。

本发明的闪烁器面板的制造方法的特征在于，在支持体温度为5～320℃、蒸镀速度为5～200nm/s、压力为10^-3～1Pa(绝对压力)的条件下，使荧光体蒸镀在准备形成闪烁器层的面上，所述准备形成闪烁器层的面是支持体的准备形成闪烁器层的面、或在支持体上设有至少1个层而形成的叠层体的准备形成闪烁器层的面，且根据接触角法(液滴法)测定的所述准备形成闪烁器层的面的表面能为20～65mJ/m²。

本发明的放射线检测器的制造方法的特征在于，将通过上述闪烁器面板的制造方法而制造的闪烁器面板与光电转换元件面板耦合。

另外，本发明的第2放射线检测器的制造方法的特征在于，在支持体温度为5～320℃、蒸镀速度为5～200nm/s、压力为10^-3～1Pa(绝对压力)的条件下使荧光体蒸镀在光电转换元件面板的准备形成闪烁器层的面上，根据接触角法(液滴法)测定的所述准备形成闪烁器层的面的表面能为20～65mJ/m²。

发明的效果

根据本发明，可以提供一种能够提供清晰性更优异放射线图像的闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法。

以下，进行详细说明。

在构成闪烁器面板或放射线检测器中所含的闪烁器层的荧光体柱状晶体的根部，如果柱状晶体发生熔合等时，根据其熔合程度，该根部的柱状晶体的放射线吸收率变大。而且，该根部的柱状晶体的放射线吸收率超过某种范围时，得到的放射线图像的清晰性降低。在专利文献1中所记载的放射线转换面板中，没有这种技术思想。

与此相对，由于使存在于上述柱状晶体根部的柱状晶体独立地存在，并将该根部的柱状晶体的放射线吸收率调整为特定的范围，因此，与专利文献1中所记载的放射线转换面板相比，可以使得到的放射线图像的清晰性提高。

另外，不仅在上述荧光体的柱状晶体的根部，而且在整个闪烁器层中，通过对每个特定厚度区域调整荧光体的柱状晶体的放射线吸收率，可以使得到的放射线图像的清晰性进一步提高。

闪烁器层的某个厚度区域的荧光体柱状晶体的放射线吸收率可以使用放射线辐射剂量计测定存在与不存在该膜厚的闪烁器层时的放射线辐射剂量，由其比值算出。

需要说明的是，如上所述，根部的柱状晶体的放射线吸收率与根部是独立地存在还是熔合有关。通常，放射线吸收率为5.4～8.6％时，根部独立地存在，在该范围以上时会观察到根部的熔合。

附图说明

图1是示出本发明的闪烁器面板及放射线检测器的例示结构的概略图，是与闪烁器面板及放射线检测器的厚度方向平行的面的剖面图。另外，图1A是说明支持体11和形成在该支持体11上的闪烁器层12的闪烁器面板10的图。另外，图1A也是表示闪烁器面板10的闪烁器层12中的厚度方向、柱状晶体120的高度的图。需要说明的是，闪烁器层的厚度方向、柱状晶体的高度在放射线检测器中也同样适用。图1B是说明光电转换元件面板20和形成在该光电转换元件面板20上的闪烁器层的第2放射线检测器31的图。

图2是示出本发明的闪烁器面板的例示结构的概略图，是与闪烁器面板及放射线检测器的厚度方向平行的面的剖面图。

图3是示出本发明的放射线检测器的例示结构的概略图，是与闪烁器面板及放射线检测器的厚度方向平行的面的剖面图。

图4是示出本发明中所使用的例示蒸镀装置之一的结构的概略图。

图5是示出与图4的构成不同的本发明中所使用的例示蒸镀装置之一的结构的概略图。

附图标记说明

11···支持体

12，12'···闪烁器层

120，120'···柱状晶体

121，121'··基底层以外的层

122，122'··基底层

13、13'··反射层

20···光电转换元件面板

30···第1放射线检测器

31···第2放射线检测器

40···蒸镀装置

41···真空容器

42···真空泵

43···蒸镀用基板

44···支架

45···旋转机构

46···旋转轴

47、47a、47b、47c···蒸镀源

48···开闭器

50···闪烁器层的厚度方向

60···柱状晶体的高度

80···柱状晶体的根部

90···柱状晶体的前端

91···柱状晶体生长开始面

92···柱状晶体生长结束面

93···相对于闪烁器层而言构成支持体侧的面

94···相对于闪烁器层而言构成非支持体侧的面

95···相对于闪烁器层而言构成光电转换元件面板侧的面

96···相对于闪烁器层而言构成非光电转换元件面板侧的面

具体实施方式

下面，对本发明的闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法详细地进行说明，但本发明不受这些说明的限定性解释。

[闪烁器面板]

本发明的闪烁器面板包括支持体和形成在所述支持体上的闪烁器层。

所述闪烁器层含有荧光体，所述荧光体为多个柱状晶体，位于所述闪烁器层的柱状晶体生长开始面的所述多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％。

闪烁器面板在获得被检测体的放射线图像时，在闪烁器层中吸收透过被检测体的放射线，产生发光。在该发光中含有被检测体的信息。通过将闪烁器面板与后述的光电转换元件面板耦合而制成放射线检测器，可以将该发光中所含的信息变为电信号而以放射线图像的形式获得。

作为放射线，从通用性等观点出发，优选X射线。需要说明的是，其在后述的放射线检测器中也是同样的。

以下，对本发明的闪烁器面板进行说明。

支持体

本发明的闪烁器面板包括支持体。

“支持体”为构成“闪烁器面板”的层之一，在形成闪烁器层时成为柱状晶体的基础。另外，支持体也具有保持闪烁器层的结构的作用。

但是，在本说明书中，在光电转换元件面板上直接形成闪烁器层而得到的放射线检测器的光电转换元件面板不称为支持体，从而与支持体相区别。

作为支持体的原材料，可列举可以透过X射线等放射线的各种玻璃、高分子、金属等的薄膜、片材、板等。作为支持体的原材料的具体例，可列举：石英、硼硅酸玻璃、化学强化玻璃等板玻璃；非晶碳板；蓝宝石、氮化硅、碳化硅等板状陶瓷；将硅、锗、镓砷、镓磷、镓氮等成形为板状而成的半导体；以及，纤维素乙酸酯薄膜、聚酯树脂薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰胺薄膜、聚酰亚胺薄膜、三乙酸酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等高分子薄膜(塑料薄膜)或碳纤维强化树脂片材等高分子片材(塑料片材)；铝片材、铁片材、铜片材等金属片材或具有该金属的氧化物的包覆层的金属片材；生物纳米纤维薄膜等。支持体既可以由1层上述原材料构成，也可以由同种或不同种的2层以上的上述原材料构成。

支持体优选为厚度50～500μm且具有挠性的薄膜或片材。

在此，“具有挠性”是指“其为挠性的”这样的意思，是指在120℃下的弹性模量(E120)在0.1～300GPa。

支持体的弹性模量(E120)更优选为1～100GPa。“弹性模量”是指：使用拉伸试验机，在根据JIS-C2318的样品的标线所示的变形和与其对应的应力显示出直线关系的区域内，求出应力相对于变形量的斜率而得到的值。其是被称为杨氏模量的值，将所述杨氏模量作为弹性模量。

作为具有挠性的支持体的原材料，在上述原材料中，特别优选厚度50～500μm的具有挠性的高分子薄膜及高分子片材。

作为具有挠性的高分子薄膜，具体而言，可列举：聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜(E120＝7GPa)、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(E120＝4GPa)、聚碳酸酯薄膜(E120＝2GPa)、聚酰亚胺薄膜(E120＝7GPa)、聚醚酰亚胺薄膜(E120＝3GPa)、芳族聚酰胺薄膜(E120＝12GPa)、聚砜薄膜(E120＝2GPa)、聚醚砜薄膜(E120＝2GPa)、生物纳米纤维薄膜等。需要说明的是，弹性模量的值在同种高分子薄膜中也可能发生变动，因此，不一定为括弧内的值，但括弧内的值是表示作为标准的一个例子的值。

上述高分子薄膜均具有高的耐热性，在可以耐受荧光体的蒸镀方面也是优选的。从耐热性特别优异、适用于将CsI(碘化铯)作为原材料用气相法形成荧光体(闪烁器)的柱状晶体的情形这一观点出发，特别优选聚酰亚胺薄膜。

具有挠性的高分子薄膜既可以是单独的高分子化合物的薄膜，也可以是上述高分子化合物的混合物的薄膜。

支持体既可以由1层具有挠性的高分子薄膜构成，也可以由同种或不同种的两层以上的具有挠性的高分子薄膜构成。

另外，支持体为生物纳米纤维薄膜的情况下，生物纳米纤维薄膜可以享有以下优点：(i)轻、(ii)具有铁的5倍以上的强度(高强度)、(iii)不易受热膨胀(低热膨胀性)、(iv)挠性(挠性优异)、(v)可以进行混合、涂布、成膜等各种各样的处理、(vi)植物纤维在废弃时对环境的负荷小等。

支持体可以处于调整反射率的目的而例如通过着色而赋予光吸收性或光反射性。即，支持体可以兼备作为反射层的功能。作为这种支持体，可列举例如在支持体中掺入了白色颜料或炭黑的白色PET或黑色PET。

闪烁器层

在本发明的闪烁器面板中，在上述支持体上形成有闪烁器层。

上述闪烁器层既可以直接形成在支持体上，也可以经由反射层等这些的闪烁器层或支持体以外的层而间接地形成在支持体上。

即，在本发明的闪烁器面板中，可以采用例如“支持体/闪烁器层”、“支持体/反射层/闪烁器层”等的层结构。

闪烁器层具有将从外部入射的X射线等放射线的能量转换为可见光等的光的作用。

在“荧光体”及“闪烁器”中含有“没有被活化剂活化的荧光体”及“已被活化剂活化的荧光体”。以下，“没有被活化剂活化的荧光体”也称为“荧光体(pure)”，已被活化剂活化的荧光体称为“活化荧光体”。

“光”是指在电磁波中以可见光线为中心从紫外区域至红外区域的波长区域的电磁波，具体而言，是指具有从300nm至800nm波长的电磁波。

作为荧光体母材化合物，只要是能够将从外部入射的X射线等放射线的能量高效地转换为光，且可形成柱状晶体的原材料即可，没有特别的限定。因此，只要满足该条件，就可以将现有公知的各种荧光体(pure)用作荧光体母材化合物。

在此，“荧光体母材化合物”是荧光体(pure)，并且是用于形成构成闪烁器层的荧光体的柱状晶体的原材料。

在这些荧光体母材化合物中，可以优选使用碘化铯(CsI)等的立方晶系卤化物荧光体、硫氧化钆(GOS)、钨酸镉(CWO)、硅酸钆(GSO)、锗酸铋(BGO)、硅酸镥(LSO)、钨酸铅(PWO)等，从提高得到的放射线图像的清晰性的观点出发，特别优选立方晶系卤化物荧光体。

另外，在立方晶系卤化物荧光体中，从将X射线转变为可见光的转换率比较高、容易通过蒸镀而形成柱状晶体、通过该晶体结构产生的光导向效果来抑制晶体内发光的散射、可以相应地使闪烁器层的厚度变厚的观点出发，特别优选CsI。

荧光体母材化合物不限于CsI等瞬时发光荧光体，根据闪烁器面板的用途，也可以是溴化铯(CsBr)等辉尽性荧光体。

在本发明的闪烁器面板中，闪烁器层可以含有活化剂。荧光体化合物利用该活化剂而被活化，可以实现高的发光效率。

作为含有活化荧光体的闪烁器层，可列举例如日本特公昭54-35060号公报中所公开的、含有以任意量的碘化钠(NaI)对CsI进行活化而得到的活化荧光体即CsI:Na的闪烁器层。另外，在含有活化荧光体的闪烁器层中，优选例如日本特开2001-59899号公报中所公开的、含有CsI:Tl、CsI:Eu、CsI:In、CsI:Li、CsI:K、CsI:Rb、CsI:Na等任一种活化荧光体或多种活化荧光体的闪烁器层。

另外，本发明中，有时将被活化剂活化的荧光体表示为“荧光体:活化剂的发光中心”。例如，被碘化铊等铊化合物活化的碘化铯表示为“CsI:Tl”。

在本发明的闪烁器面板中，特别优选以含有1种或2种以上的铊化合物的活化剂和荧光体为原材料的闪烁器层，更优选以含有1种或2种以上的铊化合物的活化剂和碘化铯为原材料的闪烁器层，从由该原材料形成的铊活化碘化铯(CsI:Tl)具有300nm～750nm范围的宽广的发光波长方面考虑，进一步优选以含有铊化合物的活化剂和碘化铯为原材料的闪烁器层，但不限于此。

作为铊化合物，可列举1价铊的化合物或3价铊的化合物，更具体而言，可列举例如：碘化铊(TlI)、溴化铊(TlBr)、氯化铊(TlCl)、氟化铊(TlF、TlF₃)等。其中，从荧光体、尤其是CsI的活化度优异的观点出发，优选碘化铊(TlI)。

另外，铊化合物的熔点优选在400～700℃的范围内。铊化合物的熔点为上述范围内时，在通过蒸镀所形成的闪烁器层中，活化剂被导入荧光体柱状晶体内，得到的活化荧光体的发光效率与荧光体(pure)的发光效率相比得以提高。需要说明的是，熔点通常为常压下的熔点，常压约为0.101MPa。

在本发明的闪烁器面板的闪烁器层中，活化剂的相对含量优选0.1～5摩尔％。

在此，闪烁器层中的活化剂的相对含量用摩尔％表示，是指将存在于闪烁器层原材料中的荧光体母材化合物的总量设为100摩尔％时，存在于闪烁器层原材料中的活化剂的总量的相对值。

如果举出荧光体母材化合物为CsI1mol、活化剂为TlI0.01mol的情况为例，则活化剂的摩尔量为荧光体母材化合物的摩尔量的100分之1，因此，将荧光体母材化合物设为100mol％时的活化剂的相对含量成为1mol％。

这样，闪烁器层中的活化剂的相对含量不是由构成闪烁器层中的荧光体的成分的量直接导出的，而是原材料换算值。

就活化剂的相对含量而言，使用切割机等从闪烁器层切取作为测定对象的区域之后，利用ICP发射光谱分析法(ICP-OES：Inductively-Coupled-PlasmaOpticalEmissionSpectrometry)进行测定。ICP发射光谱分析按照常规方法进行即可。作为ICP发射光谱分析器，可以使用例如SeikoInstruments株式会(株)制造的SPS3100等。

构成闪烁器层的荧光体为多个柱状晶体，该多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在。上述根部彼此是相互独立还是发生了熔合，可以通过用电子显微镜观察来确认。

“荧光体的柱状晶体的根部”是指荧光体柱状晶体的与闪烁器层的柱状晶体生长开始面连接的部分(参见图1A的附图标记80)。

另外，将闪烁器层的距离柱状晶体生长开始面5μm的厚度区域设为“闪烁器层的根部”。

将与闪烁器层的柱状晶体生长结束面相连接的部分称为“荧光体的柱状晶体的前端”(参见图1A的附图标记90)，将距离闪烁器层的柱状晶体结束面5μm的厚度区域称为“闪烁器层的前端部”。

在本发明的闪烁器面板中，通过柱状晶体的根部彼此独立，对闪烁器面板施加来自膜厚方向的按压时，施加于柱状晶体的荷重被分散，因此，柱状晶体不易变形，还会实现闪烁器面板的耐久性提高的效果。

需要说明的是，在构成闪烁器层的荧光体的柱状晶体的根部，柱状晶体发生熔合等时，根据其熔合程度，该根部的柱状晶体的放射线吸收率变大。而且，该根部的柱状晶体的放射线吸收率超过某种范围时，得到的放射线图像的清晰性降低。

在本发明的闪烁器面板中，所述闪烁器层中的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域、即根部的放射线吸收率x为5.4～8.6％，优选为6.7～8.6％。

这种根部的柱状晶体的放射线吸收率与根部是独立地存在还是发生了熔合有关。在该范围的放射线吸收率下，根部独立地存在，在该范围以上的放射线吸收率x下，可以观察到根部的熔合。

在本说明书中，“放射线吸收率”表示：在对吸收放射线的对象照射放射线时，照射的放射线的总能量(100％)中被上述对象吸收的放射线的能量的比例(％)。

根部的放射线吸收率在上述范围时，可以透过包含本发明的闪烁器面板和光电转换元件面板的放射线检测器提供清晰性更优异的放射线图像。

对于上述根部的放射线吸收率，可以使用放射线辐射剂量计测定存在或不存在闪烁器面板时的辐射剂量，由其比值求出。

在本发明的闪烁器面板中，放射线为X射线，所述闪烁器层的从所述基准面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y的比(x/y)优选为0.11～0.22，更优选为0.12～0.22，进一步优选为0.17～0.22。该比例(x/y)在上述范围时，可以透过含有本发明的闪烁器面板和光电转换元件面板的放射线检测器提供清晰性更为优异的放射线图像。

在本发明的闪烁器面板中，进一步优选所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域中的放射线吸收率x在上述范围，从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y为39.3～50％，更优选为39.3～44.0％，进一步优选为39.3～42.1％。该X射线吸收率x、X射线吸收率y在上述范围时，可以通过含有本发明的闪烁器面板和光电转换元件面板的放射线检测器提供清晰性更为优异的放射线图像。

上述根部等特定厚度区域的放射线吸收率x、放射线吸收率y、以及X射线吸收率x和X射线吸收率y的比(x/y)可以通过将直接形成闪烁器层的层的表面能控制在20～65mJ/m²来实现。另外，所述闪烁器层的柱状晶体优选利用气相沉积法形成的气相沉积物。除该表面能之外，通过蒸镀形成闪烁器层的情况下，可以通过调整蒸镀时直接形成闪烁器层的层的温度、蒸镀速度及真空度即蒸镀时的压力来实现。

表面能可以利用接触角法(液滴法)进行测定。其测定方法的详细如后述的实施例中所记载的那样。

闪烁器层既可以由1层构成，也可以由2层以上构成。闪烁器层由2层以上构成的情况下，包括作为基底层的层，既可以是在支持体上具有依次叠层基底层和其以外的层而成的结构，也可以是具有不含有基底层的结构。由含有基底层的2层以上构成闪烁器层的情况下，这些层只要荧光体母材化合物相同即可，可以由相同材质构成，或者也可以由不同的材质构成。即，闪烁器层：

(1)可以仅为由含有荧光体母材化合物和活化剂的原材料形成的1层，

(2)可以由基底层和与基底层不同的层构成，所述基底层由仅包含荧光体母材化合物的原材料形成，所述与基底层不同的层由含有荧光体母材化合物和活化剂的原材料形成，

(3)可以由基底层和与基底层不同的层构成，所述基底层由含有荧光体母材化合物和第1活化剂的原材料形成，所述与基底层不同的层由含有荧光体母材化合物和第2活化剂的原材料形成。

需要说明的是，在形成柱状晶体根部相互独立的闪烁器层时，从可以精度良好地再现的观点出发，优选不使用活化剂作为形成基底层的原材料。但是，并不是在所形成的基底层中不含有来自活化剂的成分，在闪烁器层形成后，有时来自活化剂的成分由于加热等从基底层以外的层移动至基底层等，从而在基底层中含有来自活化剂的成分。

另外，在本说明书中，“基底层”是指闪烁器层的一部分，是指构成闪烁器层的层中柱状晶体生长开始面侧的最外层。

在本发明中，闪烁器层优选包含(i)以荧光体母材化合物和活化剂为原材料的除基底层以外的层、和(ii)设置在支持体和该基底层以外的层之间且以荧光体母材化合物为原材料但不以活化剂为原材料、空隙率的值比该基底层以外的层高的基底层。

柱状晶体性因基底层的存在而变得良好，荧光体的发光量增加，得到的放射线图像的亮度也提高，另外，闪烁器面板的保存性提高，长期间稳定地得到亮度提高的放射线图像。

在此，空隙率是指：在将闪烁器层沿着柱状晶体生长开始面平行地切断而成的剖面中，空隙的总和截面积相对于荧光体柱状晶体的总和截面积及空隙的总和截面积的合计截面积的比率。

空隙率可以如下求出：将闪烁器面板的闪烁器层沿着柱状晶体生长开始面平行地切断，使用图像处理软件将其剖面的扫描型电子显微镜照片中荧光体的柱状晶体部分及空隙部进行2值化来求出。

将基底层的荧光体母材化合物的量设为100摩尔％时，基底层中的活化剂的相对含量优选0.01～1摩尔％，进一步优选0.3～0.7摩尔％。在放射线图像的亮度提高及闪烁器面板的保存性方面，非常优选基底层中的活化剂的相对含量在这种范围。

闪烁器层中荧光体的具有特定面指数的面基于X射线衍射光谱的取向度不限于闪烁器层的厚度方向的位置，从闪烁器层的发光效率等的观点出发，优选为80～100％的范围内。例如，铊活化碘化铯(CsI:Tl)的柱状晶体中的面指数可以为(100)、(110)、(111)、(200)、(211)、(220)、(311)等的中的任一个，但在本发明中通过X射线测定所利用的面指数优选为(200)。关于面指数，详细地记载于X射线分析入门(东京化学同人)的42～46页。

在此，闪烁器层的厚度方向如图1的箭头所示，是指与闪烁器层的主面垂直的方向。

另外，“特定面指数的面基于X射线衍射光谱的取向度”是指某种面指数的强度Ix在包括其它面指数的面在内的整体总强度I中所占的比例。例如，X射线衍射光谱中的(200)面的强度I200的取向度为“取向度＝I200/I”。

作为用于确定取向度的面指数的测定方法，可列举例如X射线衍射(XRD)。X射线衍射是通用性高的分析方法，对晶体物质照射特定波长的固有X射线产生满足Bragg式的衍射，由此可以得到关于物质鉴定、晶相结构等的信息。照射体系的靶材使用Cu、Fe、Co等，另外，虽然取决于装置能力，但一般而言，照射时的输出为0～50mA、0～50Kv左右。

在本发明的闪烁器面板中，从通过本发明的闪烁器面板而得到的放射线图像的亮度和清晰性的平衡良好方面考虑，闪烁器层的厚度优选为100～1000μm，更优选为100～800μm，进一步优选为120～700μm。

从得到的放射线图像的亮度的强度、清晰性的维持性方面考虑，基底层的膜厚优选为0.1μm～50μm，更优选为3μm～50μm，进一步优选为5μm～40μm。

另外，关于构成闪烁器层的柱状晶体的晶体直径，以闪烁器层的柱状晶体生长开始面为基准，高度1μm的位置处的柱状晶体的平均晶体直径h和高度3μm的位置处的柱状晶体的平均晶体直径i优选满足1≤(i/h)≤3的关系，更优选满足1≤(i/h)≤2的关系。(i/h)的值为3以下时，在闪烁器面板的膜厚方向施加按压时，不会导致按压过于集中于一点而使得柱状晶体发生变形，因此，在保持闪烁器层的强度、另外保持闪烁器面板的强度方面是有利的。另一方面，将(i/h)设为1以上，在制造工序上通常是比较容易的。

在此，如图1所示，“高度”是指所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面朝向柱状晶体生长结束面的垂直方向的距离。

另外，在闪烁器面板耐受来自膜厚方向的按压的强度方面考虑，更优选上述(i/h)在上述范围并且上述平均晶体直径i为3μm以下。此时，闪烁器面板中，闪烁器层即使不具有基底层，也能具有一定程度的强度，但具有基底层时，可以提供强度优异、亮度高、清晰性优异的放射线图像，这些性能均衡优异。

另外，从确保上述清晰性的观点出发，位于从闪烁器层的柱状晶体生长结束面朝向支持体侧低10μm的高度的面的平均晶体直径c优选10μm以下，更优选8μm以下。

需要说明的是，“平均晶体直径”具体而言为“平均当量圆直径”。该“平均当量圆直径”是如下得到的平均晶体直径：将含有柱状晶体的闪烁器层用铂钯、金、碳等导电性的物质涂敷之后，用扫描电子显微镜(SEM：ScanningElectronMicroscope)(日立制作所制造S-800)进行观察，对30根柱状晶体测定各个柱状晶体剖面的外接圆的直径即当量圆直径，并求出这些当量圆直径的平均值，得到平均晶体直径。

在此，高度1μm的位置处的所述柱状晶体的平均晶体直径h及高度3μm的位置处的所述柱状晶体的平均晶体直径i均为如下得到的平均晶体直径：用环氧树脂等对晶体内部进行适当的树脂填埋，通过研磨晶体膜表面削减至距离闪烁器层的柱状晶体生长开始面分别为1μm及3μm，观察得到的晶体面，得到平均晶体直径。

另外，柱状晶体的位于从闪烁器层的柱状晶体生长结束面朝向支持体侧低10μm的高度的剖面处的平均晶体直径j是如下得到的平均晶体直径：用环氧树脂等对晶体内部进行适当的树脂填埋，将柱状晶体从柱状晶体生长结束面削去10μm，观察得到的晶体面，得到平均晶体直径。

支持体及闪烁器层以外的构成闪烁器面板的层

本发明的闪烁器面板除支持体、闪烁器层之外，与现有公知的闪烁器面板同样，例如可以以调整其反射率的目的进一步含有反射层、遮光层、颜料层等，另外，除此之外，还可以含有反射层用保护层、耐湿保护膜等。

需要说明的是，如上所述，支持体可以兼备反射层，该情况下，闪烁器面板既可以仅含有发挥反射层作用的支持体作为反射层，也可以除发挥反射层作用的支持体以外含有另外的反射层。

(反射层)

以下的反射层的说明在发挥反射层作用的支持体以及与支持体另行设置的反射层中是共同的意义。

在本发明的闪烁器面板中可以含有反射层。反射层例如设置在支持体和闪烁器层之间、或支持体的非闪烁器层那一侧的面上。

作为这种闪烁器面板，可列举例如具有“支持体/反射层/闪烁器层”这样的层结构的闪烁器面板，该情况下，闪烁器面板的闪烁器层面贴附于光电转换元件面板面上。

作为反射层可列举含有粘合剂树脂和颜料的层。

形成反射层的粘合剂树脂只要不损害本发明的目的，就没有特别限制，既可以为容易获得的市售的粘合剂树脂，也可以为容易制造的粘合剂树脂。具体而言，可列举：由氯乙烯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丁二烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇缩丁醛、硝基纤维素等的纤维素衍生物或苯乙烯-丁二烯共聚物等构成的树脂、聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚酯树脂、各种合成橡胶类树脂、酚醛树脂、环氧树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、苯氧基树脂、硅树脂、氟树脂、丙烯酸类树脂以及尿素甲酰胺树脂等。在这些树脂中，从对于蒸镀形成的荧光体的柱状晶体及支持体的附膜性优异方面考虑，优选聚酯树脂、聚氨酯树脂等疏水性树脂。另外，粘合剂树脂既可以由1种树脂构成，也可以由2种以上的树脂的混合物构成。粘合剂树脂由具有玻璃化转变温度(Tg)的高分子化合物构成的情况下，采用玻璃化转变温度(Tg)为5℃以上的不同的2种以上的树脂的混合物时，从可以容易地控制由配合有粘合剂树脂等反射层用原材料的反射层形成用涂布液得到的涂膜的物性的观点出发，是特别优选的。该情况下，2种以上的树脂只要相互玻璃化转变温度不同即可，可以是全部或一部可以为同种树脂，也可以是不同种类的树脂。

作为形成反射层的粘合剂树脂中所配合的颜料，可列举例如：坚牢黄、二重氮黄、吡唑啉酮橙、色淀红4R、萘酚红等的不溶性偶氮颜料；固美透黄、固美透红等的缩合偶氮颜料；立索尔红、色淀红C、监视红(watchingred)、亮胭脂红6B、波尔多10B等的偶氮色淀颜料；萘酚绿B等的亚硝基颜料；萘酚黄S等的硝基颜料；酞菁蓝、坚牢天蓝、酞菁绿等的酞菁颜料；蒽嘧啶黄、芘酮橙、苝红、硫靛红、阴丹酮蓝等还原颜料；喹吖啶酮红、喹吖啶酮紫等的喹吖啶酮颜料；二噁嗪紫等的二噁嗪颜料；异吲哚酮黄等的异吲哚酮颜料；孔雀蓝色淀、碱蓝色淀等酸性染料色淀；若丹明色淀、甲基紫色淀、孔雀石绿色淀等的碱性染料色淀；炭黑等。

作为白色颜料，可列举：氧化铝、氧化钇、氧化锆、二氧化钛、硫酸钡、二氧化硅、氧化锌、碳酸钙等。

颜料相对于形成反射层的粘合剂树脂100重量份优选为0.01～10重量份。颜料的量在上述范围时，可得到充分着色的反射层，同时，可以防止过量颜料导致的粘合剂树脂的伸长率、强度等机械物性的降低。

另外，作为反射层的其它例子，可列举由各种金属膜或非晶碳板等具有光反射性或遮光性的原材料构成的层。

其中，优选由反射率高的金属构成的金属膜。作为构成这种金属膜的金属的特性，优选导电率为6.0S/m以上，更优选为30S/m以上。构成金属膜的金属既可以为1种单独构成，也可以为2种以上构成。作为反射率高的金属膜，可列举由包含选自Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Mg、Pt、Au中的至少1种金属的原材料构成的金属膜。在这些金属膜中，在反射率方面，特别优选由Al(40S/m)、Ag(67S/m)、Au(46S/m)构成的金属膜。

反射层既可以由1层构成，也可以由两层以上构成。

反射层的膜厚也因反射层的附着方法而不同，真空蒸镀的情况下，优选50nm～400nm，溅射蒸镀的情况下，优选20nm～200nm。

(遮光层)

在支持体和闪烁器层之间、或者在支持体的与闪烁器层相反的一侧的主面上可以设置遮光层。遮光层含有具有遮光性的材料。

作为具有遮光性的材料，从可以适当地调整支持体的反射率的观点出发，更优选含有选自铝、银、铂、钯、金、铜、铁、镍、铬及钴等中的1种或2种以上原子的金属材料或包含不锈钢在内的金属薄膜。其中，从可以对遮光层赋予优异的遮光性、耐腐蚀性的观点出发，特别优选以铝或银为主成分的金属材料。另外，遮光层既可以由1层上述金属薄膜构成，也可以由2层以上的上述金属薄膜构成。

在支持体上设置遮光层的情况下，从使遮光层和支持体的密合性提高的观点出发，还优选在支持体和遮光层之间设置中间层。作为构成中间层的原材料，除通常的易粘接性的聚合物、例如环氧树脂等之外，还可列举与遮光层的金属不同的金属、即不同种金属。作为不同种金属，可列举例如镍、钴、铬、钯、钛、锆、钼及钨。中间层可以单独含有这些不同种金属，也可以含有2种以上的这些不同种金属，其中，从遮光层的遮光性的观点出发，更优选单独含有镍、或单独含有铬、或含有这两者。从发光导出效率的观点出发，遮光层的厚度优选为0.005～0.3μm，更优选为0.01～0.2μm。

这种含有金属原材料的遮光层也发挥抗静电层的作用，因此，也可以出于防止本发明的闪烁器面板的带电的目的而优选使用。这种含有金属原材料的遮光层可以作为抗静电层取代添加有作为抗静电剂的金属原材料的反射层或与该反射层一同使用。该情况下，从本发明的闪烁器面板的抗静电的观点出发，将在支持体上设置含有金属原材料的遮光层而得到的叠层体制成样品，在含有金属原材料的遮光层的与支持体相反侧的表面测得的表面电阻值优选1.0×10¹²Ω/□以下，进一步优选1.0×10¹¹Ω/□以下，最优选1.0×10¹⁰Ω/□以下。

(颜料层)

在支持体和闪烁器层之间、或在支持体的与闪烁器层相反一侧的主面上可以设置颜料层。

颜料层只要是被颜料着色，且为光吸收性即可，没有特别限制，例如为含有颜料及粘合剂树脂的层。作为颜料层的颜料，可以使用现有公知的颜料。从吸收更容易发生光散射的红色长波光成分的观点出发，颜料优选蓝色的颜料。作为这种蓝色的颜料，可列举无机蓝色颜料或有机蓝色颜料。作为无机蓝色颜料，优选以群青蓝、酞菁化铁即普鲁士蓝等为成分的颜料。另外，作为有机蓝色颜料，优选以偶氮、酞菁等为成分的颜料。在这些有机蓝色颜料中，从颜料层的放射线耐久性、紫外线耐久性等的观点出发，优选以酞菁为成分的颜料。作为颜料层的粘合剂树脂，可列举例如与作为形成反射层的粘合剂树脂所列举的树脂同样的树脂等，其中，例如在对于蒸镀形成的荧光体的柱状晶体及支持体的附膜性优异方面，优选聚酯树脂、聚氨酯树脂等疏水性树脂，更优选聚酯树脂、聚氨酯树脂。颜料层的粘合剂树脂与形成反射层的粘合剂树脂同样，既可以由同种树脂构成，也可以由2种以上的树脂的混合物构成(关于粘合剂树脂的玻璃化转变温度，也与形成反射层的粘合剂树脂相同。下同)。就颜料层的颜料的量而言，从颜料层的光吸收性的观点出发，优选相对于粘合剂树脂100重量份为0.01～10重量份。

从切割性的观点出发，颜料层的厚度优选1～500μm。

(反射层用保护层)

在本发明的闪烁器面板含有反射层的情况下，为了防止闪烁器层中的荧光体导致的反射层腐蚀等，可以在反射层和闪烁器层之间设置反射层用保护层。

反射层用保护层通常为含有树脂的层，作为反射层用保护层中所含的树脂，在作为反射层及闪烁器层中的柱状晶体的保护层方面，优选玻璃化转变温度为30～100℃的聚合物。

作为反射层用保护层中所含的树脂的具体例，可列举与作为形成反射层的粘合剂树脂所列举的树脂同样的树脂等，特别优选聚酯树脂。反射层用保护层中所含的树脂与形成反射层的粘合剂树脂同样，既可以由同种树脂构成，也可以由2种以上的树脂的混合物构成。

从作为反射层及闪烁器层中的柱状晶体的保护层的观点出发，反射层用保护层的膜厚优选0.1μm以上，从确保反射层用保护层表面的平滑性的观点出发，优选3.0μm以下，更优选0.2～2.5μm。

(耐湿保护膜)

本发明的闪烁器面板优选用耐湿保护膜覆盖外周整体。耐湿保护膜具有对闪烁器面板整体进行防湿，抑制闪烁器层的劣化的作用。作为这种劣化，例如，闪烁器层的荧光体为潮解性的情况下，存在荧光体潮解而导致的闪烁器层的劣化等。

耐湿保护膜为赋予防湿性的膜，从防止闪烁器层的劣化方面考虑，耐湿保护膜的透湿度优选为50g/m²·day以下，进一步优选为10g/m²·day以下，特别优选为1g/m²·day以下。

在此，耐湿保护膜的透湿度如下所述，可以根据由JISZ0208规定的方法进行测定。

将耐湿保护膜设置于规定容器中，一边将容器内的温度保持在40℃，一边将所述耐湿保护膜作为界面，将一侧的空间保持在90％RH(相对湿度)，将另一侧的空间使用吸湿剂保持在干燥状态。将在该状态下在24小时内通过该耐湿保护膜的水蒸气的质量(g)(将保护膜换算为1m²)定义为耐湿保护膜的透湿度。

作为耐湿保护膜，可列举透湿度低的保护膜、或聚对二甲苯那样的耐湿膜等。

作为保护膜，可以使用例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。除PET薄膜之外，可列举：PET薄膜以外的聚酯薄膜、聚甲基丙烯酸酯薄膜、硝基纤维素薄膜、纤维素乙酸酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜等。

从将耐湿保护膜的透湿度调整为上述范围、提高耐湿保护膜的防湿性的观点出发，耐湿保护膜优选为在上述保护膜或耐湿膜上叠层多片由金属氧化物等蒸镀而成的蒸镀薄膜而得到的叠层薄膜或叠层膜。

作为这种叠层薄膜或叠层膜，优选在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜或聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上蒸镀氧化铝薄膜而成的蒸镀薄膜。

耐湿保护膜可以由含有热熔合性的树脂的热熔合层构成。

作为热熔合层中所含的热熔合性的树脂，只要是可用通常使用的脉冲热合机熔合的树脂，就没有特别限制，可列举例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)或聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)等。

耐湿保护膜的厚度优选为10～100μm。

[放射线检测器]

本发明的放射线检测器如图2所示，既可以是在具有闪烁器层12的上述闪烁器面板10上组合光电转换元件面板20而成的放射线检测器30，如图3所示，也可以是后述的闪烁器层12'和光电转换元件面板20一体化而成的放射线检测器31。

在本说明书中，将前者的放射线检测器30也称为“第1放射线检测器”，将后者的放射线检测器31也称为“第2放射线检测器”。

(第1放射线检测器)

本发明的第1放射线检测器含有上述闪烁器面板和光电转换元件面板。

本发明的第1放射线检测器例如是所谓的“分离型FPD”，其如下得到：将闪烁器层通过蒸镀等直接形成在支持体上而制作闪烁器面板，将得到的闪烁器面板与另行制作的光电转换元件面板耦合。

在第1放射线检测器中，从可以将在闪烁器层中产生的发光高有效地入射至光电转换元件面板等方面考虑，优选将闪烁器面板的闪烁器层面与光电转换元件面板的平面受光元件面直接贴合。

在闪烁器面板的外周整体上设置耐湿保护膜的情况下，从同样的观点出发，优选将设置于闪烁器层上的耐湿保护膜面和光电转换元件面板的平面受光元件面直接贴合。

关于闪烁器面板，前面已经说明。

光电转换元件面板

本发明的放射线检测器中所包含的光电转换元件面板具有如下功能：吸收在闪烁器层中产生的发光，将其转换为电荷的形式而转换为电信号，将发光中所含的信息以电信号的形式输出至放射线检测器的外部。光电转换元件面板只要能实现这种功能即可，没有特别限制，可以采用现有公知的光电转换元件面板。

光电转换元件面板是在面板中组装了光电转换元件的面板。光电转换元件面板的结构没有特别限制，通常，依次叠层有光电转换元件面板用基板、图像信号输出层和光电转换元件。

光电转换元件只要具有吸收闪烁器层中产生的光并转换为电荷的形式的功能即可，可以具有任意的具体结构，例如，可以采用由透明电极、由入射的光激发而产生电荷的电荷产生层和对电极构成的光电转换元件。这些透明电极、电荷产生层及对电极均可以采用现有公知的材料。另外，光电转换元件可以由适当的光传感器构成，例如，可以将多个光二极管二维地配置而成，或者，可以由CCD(ChargeCoupledDevices)、CMOS(Complementarymetal-oxide-semiconductor)传感器等的二维光传感器构成。

另外，图像信号输出层具有如下功能：蓄积光电转换元件中得到的电荷，同时输出基于所蓄积的电荷的信号。图像信号输出层只要具有这种功能即可，可以具有任意结构，例如，可以使用将光电转换元件中生成的电荷蓄积在每个像素的电荷蓄积元件即电容器和将所蓄积的电荷以信号的形式输出的图像信号输出元件即晶体管而构成。在此，作为优选的晶体管的例子，可列举TFT(薄膜晶体管)。

另外，基板作为光电转换元件面板的支持体发挥作用，可以采用与上述的本发明的闪烁器面板中所使用的支持体同样的基板。

这样，在本发明中，作为光电转换元件面板，可以使用各种构成的光电转换元件面板。例如，如后述的实施例中所使用的那样，可以使用在玻璃基板上形成多个光二极管和多个TFT元件而成的光电转换元件面板。

另外，光电转换元件面板可以进一步具备：用于存储基于转换为电信号的X射线等的放射线强度信息及位置信息的图像信号的存储部、供给为驱动光电转换元件面板20所需的电力的电源部、用于将图像信息导出至外部的通信用输出部等构成公知的放射线检测器的光电转换元件面板所具有的各种部件。

将第1放射线检测器的例子示于图2。如图2所示，在第1放射线检测器30中，通过组合上述闪烁器面板10和光电转换元件面板20，可以将从外部进入的X射线在构成闪烁器面板10的闪烁器层12中转换为光，可以将该光用构成光电转换元件面板20的光电转换元件转换为电信号。在此，在图2中，粗箭头表示X射线等放射线的例示入射方向。

为了高效地进行这种转换，第1放射线检测器30优选以构成闪烁器面板10的闪烁器层12、和构成光电转换元件面板20的光电转换元件(没有图示)面对面的形态组合上述闪烁器面板10和光电转换元件面板20。在此，作为闪烁器面板10，采用在支持体11和闪烁器层12之间具有反射层13的闪烁器面板时，对于来自闪烁器层12的发光中朝向光电转换元件面板20相反侧的光，也可以通过在反射层13中进行反射而导入至光电转换元件面板20，因此更为优选。

(第2放射线检测器)

本发明的第2放射线检测器包括光电转换元件面板和形成在所述光电转换元件面板上的闪烁器层。所述闪烁器层含有柱状晶体即荧光体，位于所述闪烁器层的柱状晶体生长开始面的多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域中的放射线吸收率x为5.4～8.6％。

本发明的第2放射线检测器是所谓的“直接蒸镀型FPD”，其在光电转换元件面板上直接设置有闪烁器层，不需要本发明第1放射线检测器中所说的闪烁器面板中所含的支持体。“直接蒸镀型FPD”不能进行光电转换元件面板和闪烁器层的分离。需要说明的是，在光电转换元件面板设有后述的中间树脂层时，闪烁器层可以直接设置在设于光电转换元件面板的中间树脂层上。

图1B表示本发明的第2放射线检测器的基本结构的一例。

第2放射线检测器在含有闪烁器层和光电转换元件面板，根据需要含有反射层、遮光层、颜料层方面与本发明的第1放射线检测器是共同的，另外，闪烁器层、光电转换元件面板、反射层、遮光层、颜料层自身也是共同的，但在形成闪烁器层的位置并非支持体上(图1A)而是光电转换元件面板上(图1B)这一点上不同。另外，第2放射线检测器设置反射层、遮光层、颜料层的位置也与本发明的第1放射线检测器不同，这些位置并非支持体和闪烁器层之间、或支持体的非闪烁器层侧的面上，而是闪烁器层和光电转换元件面板之间、或闪烁器层的柱状晶体生长结束面(非光电转换元件面板侧的面)上。

中间树脂层

在本发明的第2放射线检测器中，出于防止来自闪烁器层的成分污染光电转换元件面板的目的，可以在光电转换元件面板和闪烁器层之间含有中间树脂层。中间树脂层发挥光电转换元件面板的保护层的作用。

中间树脂层中所含的树脂优选为玻璃化转变温度为30～100℃的聚合物。

作为中间树脂层中所含的树脂，具体而言，可列举例如与作为形成反射层的粘合剂树脂所列举的树脂同样的树脂等，在这些树脂中，特别优选聚酯树脂。另外，中间树脂层中所含的树脂与形成反射层的粘合剂树脂同样，既可以由同种树脂构成，也可以由2种以上树脂的混合物构成。

另外，中间树脂层例如可以为通过蒸镀而制膜的聚对二甲苯膜等。

作为中间树脂层的膜厚，从闪烁器层中的荧光体的柱状晶体和光电转换元件面板的附膜性的观点出发，优选0.1μm以上，从确保中间树脂层的表面的平滑性的观点出发，优选3.0μm以下，更优选0.2～2.5μm的范围。

耐湿保护膜

优选在本发明的第1及第2放射线检测器上以覆盖外周整体的方式设置耐湿保护膜。

另外，从成本等的观点出发，优选在本发明的第1及第2放射线检测器中，设置耐湿保护膜，并且仅覆盖闪烁器层的不与除闪烁器层以外的层接触的那一面的整体。

耐湿保护膜具有对面板整体或者闪烁器层的不与除闪烁器层以外的层接触的那一面整体进行防湿，并抑制闪烁器层劣化的功能。

构成耐湿保护膜的材质、膜厚等分别与闪烁器面板中的耐湿保护膜的材质、膜厚相同。

[闪烁器面板的制造方法]

本发明的闪烁器面板只要不损害本发明的目的，对其制造方法没有特别限制，例如，以现有公知的闪烁器面板的制造方法为基础，设定蒸镀条件等条件使得闪烁器层中的多个柱状晶体相互独立，闪烁器层的特定区域的放射线吸收率为特定范围即可。

具体而言，例如可以在支持体上根据需要形成反射层或反射层用保护层、接着形成闪烁器层，进一步根据需要以覆盖得到的叠层体的外周整体等的方式设置耐湿保护膜，由此制造闪烁器面板。

闪烁器层的形成

在此，闪烁器层的形成方法只要是以下方法即可，其具体的方法没有特别限定：该方法能够将构成闪烁器层的荧光体制成柱状晶体形态，能够以柱状晶体的根部彼此可以以相互独立形态存在的方式形成柱状晶体，能够将闪烁器层的特定区域的放射线吸收率控制在特定范围。闪烁器层优选通过气相沉积法、特别是蒸镀法形成。

蒸镀法中使用的装置没有特别限定，例如，优选图4或图5所示的蒸镀装置40。

如图4或图5所示，蒸镀装置40具有箱状的真空容器41，在真空容器41的内部配置有蒸镀源47。该蒸镀源47贮藏在具备加热装置的容器中，通过使加热装置运转，可以对蒸镀源47加热，使之蒸发。蒸镀源47例如为荧光体母材化合物、或者含有荧光体母材化合物和活化剂的混合物。在此，蒸镀源47如图5所示，可以存在多个，配合构成闪烁器层的原材料的种类或数量等来改变蒸镀源的个数即可。开闭器48也同样。图5所示的蒸镀装置40是具备47a、47b、47c这3个蒸镀源作为蒸镀源47的蒸镀装置的一个例子。

含有活化剂的蒸镀源47优选填充于与填充有不含有活化剂的蒸镀源47的容器不同的容器中。在这种情况下，可以个别地调整含有活化剂的蒸镀源47的加热温度，可以对于含有活化剂的蒸镀源47来调整所设置的开闭器48的开放度，由此可以对柱状晶体的每个任意位置、特别是闪烁器层厚度方向的每个位置精度更好地控制活化剂的相对含量。

作为具备加热装置的容器，可以使用例如电阻加热坩埚等。在此，构成容器的材质可以为氧化铝等陶瓷，也可以为钽、钼等高熔点金属。

在真空容器41内的蒸镀源47的正上方，配置有保持蒸镀用基板43的支架44。在此，作为蒸镀用基板43，可以使用没有在支持体上叠层反射层或保护层等其它层的支持体本身，或者，也可以使用在支持体上形成有反射层、遮光层、颜料层或反射层用保护层等的叠层体。

在支架44上配置有加热器(没有图示)，通过使该加热器运转，可以对安装在支架44上的蒸镀用基板43进行加热。在加热蒸镀用基板43的情况下，通过将蒸镀用基板43的温度控制在适当的范围，将蒸镀荧光体母材化合物等而形成闪烁器层之前的蒸镀用基板43的表面的吸附物进行脱离、除去，或防止在与形成于该表面的闪烁器层之间形成杂质层，或强化与形成于该表面的闪烁器层的密合性，或可以调整形成于该表面的闪烁器层的膜质。

在支架44上配置有使该支架44旋转的旋转机构45。旋转机构45由连接于支架44的旋转轴46和成为其驱动源的发动机(没有图示)构成，使该发动机驱动时，旋转轴46可以旋转并使支架44在与蒸镀源47对向的状态下旋转。

在蒸镀装置40中，除上述结构之外，在真空容器41中配置有真空泵42。真空泵42对真空容器41内部进行排气并且向真空容器41内部导入气体，使该真空泵42运转，由此可以将真空容器41的内部维持在一定压力的气体氛围下。

闪烁器层可以通过如下方法形成，即，在具备加热装置的容器中填充荧光体母材化合物等的蒸发源，对装置内进行排气，同时将氩气等非活性的气体从导入口导入而将装置内调整为优选10^-3～1Pa左右(绝对压力)的减压环境，接着，使荧光体母材化合物等蒸发源加热蒸发，在根据需要叠层有反射层、反射层用保护层等的支持体即蒸镀用基板43的表面沉积荧光体的蒸镀晶体。在此，从将上述放射线吸收率设为规定的范围，另外使得到的放射线图像的清晰性提高等的观点出发，蒸镀速度优选为5～200nm/s。另外，在形成由荧光体母材化合物和活化剂的混合物构成的晶体时，可以使用图5所示的蒸镀装置40，在具备第1加热装置的容器中填充荧光体母材化合物，在具备第2加热装置的容器中填充活化剂，分别作为蒸发源47a及47b进行蒸镀。

另外，包含含有基底层的2层以上的层的闪烁器层可以通过如下方法形成，即，将基底层形成用荧光体母材化合物、根据需要使用的基底层形成用活化剂、用于形成基底层以外的层的荧光体母材化合物、用于形成基底层以外的层的活化剂分别或适当混合，分别填充于具备各个加热装置的容器中，调整各个蒸镀源的填充量，和/或一边将每个蒸镀源的开闭器48个别地开闭，一边进行蒸镀。

就柱状晶体的根部而言，通过变更构成蒸镀面的原材料的材质、或进行等离子体处理而使蒸镀面的表面能变化，由此可以制成独立的形状。

在蒸镀用基板43上所形成的闪烁器层的放射线吸收率x、放射线吸收率y、放射线吸收率x和放射线吸收率y的比(x/y)可以通过蒸镀时使各条件或蒸镀面的表面能在规定的范围内适当变化并进行调整而控制。

具体而言，如下所述。

形成在蒸镀面上的晶体的根部是否为柱状或是否独立，受到例如蒸镀面的表面能的影响。从根部为柱状、且形成根部独立的柱状晶体的观点出发，优选蒸镀面的表面能为20～65mJ/m²。

另外，形成在蒸镀用基板43上的柱状晶体的晶体直径可以通过改变蒸镀用基板43的温度来控制，越是提高蒸镀用基板43的温度，越可以使晶体直径变大。因此，形成根部相互独立的柱状晶体的情况下，必需降低形成闪烁器层的蒸镀用基板43在蒸镀开始时的温度，具体而言，优选设定为5℃～320℃。另外，为了适当地缩小高度3μm的位置处所述柱状晶体的平均晶体直径b相对于高度1μm的位置处所述柱状晶体的平均晶体直径a的比例(b/a)，优选适当地缩小蒸镀初期蒸镀用基板43的升温速度，例如，对于蒸镀用基板43的蒸镀开始时的温度而言，优选控制蒸镀用基板43的升温速度，使得：直到在蒸镀用基板43上蒸镀距根部为3μm厚度的荧光体(柱状晶体的高度达到3μm的时刻)的基板温度差为100℃以内。如果着眼于柱状晶体的高度，则蒸镀开始时是指柱状晶体的高度为0μm的时刻，直到在蒸镀用基板43上蒸镀距离根部为3μm厚度的荧光体是指直到柱状晶体的高度达到3μm。而后直到蒸镀结束的期间，优选将蒸镀用基板43的温度维持在150℃～320℃。需要说明的是，过度提高蒸镀初期的蒸镀用基板43的升温速度时，有时会在闪烁器层中产生柱状晶体的晶体直径不连续变化的部位，但在本发明的闪烁器面板中，即使产生这种部位，仍可以发挥闪烁器面板的作用。

在闪烁器层包含含有基底层的2层以上的层的方案中，为控制基底层的膜厚是指落入上述“闪烁器层”的项目中记载的优选范围，只要对填充于具备基底层蒸镀用加热装置的容器例如电阻坩埚中的荧光体母材化合物等的量进行调整、或调整对开闭器48进行开闭的时机或开放和封闭的时间来进行蒸镀即可。在此，在形成含有根部相互独立的柱状晶体的闪烁器层，能够制造提供亮度更高且清晰性更优异的X射线图像等放射线图像的放射线检测器方面，形成基底层期间，优选将蒸镀用基板43的温度设为5℃～320℃，更优选设为15℃～50℃，特别优选不对蒸镀用基板53进行加热而将蒸镀用基板53的温度设为15℃～室温(通常25℃)左右。

另外，基底层以外的层通过如下方法而形成，即，在具备加热装置的容器中填充荧光体母材化合物及活化剂的混合物，或者将荧光体母材化合物及活化剂分别填充于各自具有加热装置的容器中，采用与上述同样的蒸镀条件、方法在基底层上沉积蒸镀晶体。基底层以外的层的膜厚的调整可以通过调整填充于具有用于形成基底层以外的层的加热装置的容器中的荧光体母材化合物(及活化剂)的量、或调整对开闭器48进行开闭的时机或开放和封闭的时间来进行。

反射层的形成

反射层可以通过在所期望的层上例如在支持体上通过真空蒸镀、溅射蒸镀或镀敷反射层用原材料来直接附着而形成，但从生产率的观点出发，优选溅射蒸镀。

遮光层的形成

作为用遮光层包覆支持体的一个主面的整个面的方法，没有特别限制，可列举例如通过蒸镀、溅射而在支持体的一个主面整体上形成遮光层的方法、或将金属箔即遮光层贴合于支持体的一个主面整体的方法，但从遮光层对支持体的密合性的观点出发，最优选通过溅射而在支持体的一个主面上整体地形成遮光层的方法。

颜料层的形成

作为用颜料层包覆支持体的一个主面整体的方法，可以通过将含有上述颜料和溶剂等的颜料层形成用涂布液涂布在支持体的一个主面的整体上并使之干燥的方法来形成。

反射层用保护层的形成

从提高反射层用保护层对于反射层及闪烁器层的柱状晶体的粘接性、或提高闪烁器面板的生产率的观点出发，优选反射层用保护层通过在溶剂中溶解构成反射层用保护层原材料的树脂等，并涂布得到的涂料，使之干燥而形成。作为溶解于溶剂的树脂，从反射层用保护层对反射层及闪烁器层的柱状晶体的附膜性方面考虑，优选反射层项目中叙述的、玻璃化转变温度为30～100℃的聚合物。

作为形成反射层用保护层的涂布液中所使用的溶剂，可列举：甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇等低级醇；二氯甲烷、二氯乙烷等含氯原子的烃；丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁酮等酮；甲苯、苯、环己烷、环己酮、二甲苯等芳香族化合物；醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯等低级脂肪酸和低级醇形成的酯；二噁烷、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚等醚；以及它们的混合物。

耐湿保护膜的形成

耐湿保护膜按照现有公知的方法形成在闪烁器面板的规定区域即可。

耐湿保护膜为热熔合层的情况下，例如，用配置在未密封的闪烁器面板的上下的热熔合层用树脂薄膜夹持闪烁器面板，在减压氛围中使上下的树脂薄膜相接触的端部熔合并密封，由此可以在闪烁器面板的外周整体地形成耐湿保护膜。

另外，作为耐湿保护膜，在使用聚对二甲苯等耐湿膜的情况下，通过将包含形成有闪烁器层的支持体的闪烁器面板设置于CVD装置的蒸镀室，使其暴露于二对二甲苯升华而形成的蒸汽中，可以得到外周整体被聚对二甲苯膜包覆的闪烁器面板。

第1放射线检测器的制造方法

本发明的第1放射线检测器的制造方法只要不损害本发明的目的，就没有特别限制，可以采用基本上与现有公知的放射线检测器的制造方法同样的方法。

例如，可以在上述闪烁器面板上耦合光电转换元件面板，从而得到本发明的第1放射线检测器。

闪烁器面板的接合面相对于支持体而言是闪烁器层侧的最表面层，根据闪烁器面板的构成，可以是闪烁器层面，或者可以是设置于闪烁器层上的耐湿保护膜的面。

光电转换元件面板和闪烁器层可以经由中间树脂层而耦合。

以下，以闪烁器面板的接合面为闪烁器层、将闪烁器面板的闪烁器层面和光电转换元件面板面进行接合的情况为例列举说明。

在将上述闪烁器面板和光电转换元件面板进行耦合时，可以选择抑制在它们的接合面上产生的光扩散的贴合方法。通过抑制上述接合面上的光散射，可以抑制得到的放射线图像的清晰性的劣化。作为贴合方法，可列举例如使闪烁器面板的闪烁器层面和光电转换元件面板面通过任意加压装置进行密合的方法、或者，使用折射率为具有闪烁器面板的闪烁器的折射率值和光电转换元件面板的受光元件的折射率值的中间值的接合剂进行接合的方法等。

作为将闪烁器面板的闪烁器层面和光电转换元件面板面进行接合的接合剂，可列举例如粘接剂、光学润滑脂以及对闪烁器面板和光电转换元件面板具有粘合性的光学油等。

作为粘接剂，可列举例如：丙烯酸类粘接剂、环氧类粘接剂、硅类粘接剂等常温固化型(RTV型)粘接剂、或含有具有弹性的粘接树脂的橡胶类粘接剂。

作为丙烯酸类粘接剂，可以使用含有在主链或侧链上悬挂有硅成分的丙烯酸类聚合物的粘接剂。

作为硅粘接剂，可列举过氧化物交联型或加成缩合型的硅粘接剂，可以将这些硅粘接剂单独使用或混合使用。

作为橡胶类粘接剂，可列举：包括苯乙烯异戊二烯苯乙烯等嵌段共聚物、或聚丁二烯、聚丁烯等均聚物在内的合成橡胶类粘接剂、以及天然橡胶类粘接剂等。作为所市售的橡胶类粘接剂的例子，优选列举单组分型RTV橡胶KE420(信越化学工业(株)制造)等。

上述粘接剂既可以单独使用1种，也可以混合使用2种以上。例如，也可以混合使用丙烯酸类粘接剂或橡胶类粘接剂。

光学油只要透明性高且具有粘合性即可，可以使用包括市售品在内的公知的任何光学油。优选使用例如KF96H(100万CS：信越化学工业(株)制造)、CArgilleImmersionOilType37(CArgille(株)制造·折射液)等。

用粘接剂对闪烁器面板和光电转换元件面板进行贴合的情况下，通常，依次叠层闪烁器面板、粘接剂、光电转换元件面板，从相对于叠层体主面垂直的方向对得到的叠层体施加10～500g/cm²的压力直至粘接剂固化。通过加压从粘接剂层中除去气泡。使用热熔树脂作为粘接剂的情况下，一边从相对于叠层体主面垂直的方向对上述叠层体施加10～500g/cm²的压力，一边将该叠层体加热到比热熔树脂的溶融开始温度到10℃以上的温度，静置1～2小时后，缓慢地冷却。如果进行骤冷，存在由于热熔树脂的收缩应力而对光电转换元件面板中所含的受光元件带来不良影响的倾向。优选以20℃/hour以下的速度冷却至50℃以下。

另外，闪烁器面板和光电转换元件面板的接合面上的光扩散引起放射线图像清晰性的劣化这些问题可以通过对闪烁器面板的闪烁器层面及光电转换元件面板的受光元件面实施防散射加工来解决。防散射加工例如可以如下实施：在闪烁器面板的闪烁器层面上设置防光扩散层、或在闪烁器面板的闪烁器层面或光电转换元件面板的受光元件面的至少一面上设置防反射层、或将相互对置的闪烁器层面及光电转换元件面板的受光元件面的任一个或两者的表面粗度(Ra)调整为0.5μm以上、5.0μm以下。

另外，组合这些防散射加工和上述的已知的接合方法时，可以更有效地防止上述接合面的光散射，可以得到清晰性或其均匀性更优异的放射线图像。

在此，防光扩散层相对于波长550nm的光具有60％以上99％以下的光透射率，并具有以下功能：使以长的光程在防光扩散层中传播的发光的强度衰减。从闪烁器面板的闪烁器层内的发光位置直接朝向光电转换元件面板的受光元件的发光由于该发光在防光扩散层中的发光的光程短，因此，在防光扩散层中强度几乎不降低。在防光扩散层内按照与受光元件面接近平行的角度行进的散射光等在防光扩散层中的光程长，因此，可有效地在防光扩散层内被除去。防光扩散层根据其设置的位置，也可以发挥上述耐湿保护膜或反射层用保护层的作用。

作为上述防光扩散层，可列举例如树脂层，作为该树脂层中所含的树脂，可列举例如与作为形成反射层的粘合剂树脂所列举的树脂同样的树脂等。防光扩散层中所含的树脂与形成反射层的粘合剂树脂同样，既可以由同种树脂构成，也可以由2种以上的树脂的混合物构成。另外，防光扩散层可以是利用CVD法(化学气相成长法)所形成的由聚对二甲苯膜构成的层，防光扩散层是这种由聚对二甲苯膜构成的层时，从容易形成在闪烁器面板的闪烁器层面或受光元件面上、并具有耐湿保护膜或反射层用保护层的功能等观点出发，是特别优选的。该情况下，聚对二甲苯膜除防光散射层之外，还具有耐湿保护膜或反射层用保护层的作用，因此，可以不必另行设置耐湿保护膜或反射层用保护层。另外，聚对二甲苯膜也发挥防反射层的作用。

通过在防光扩散层中含有色料来调整防光扩散层的光透射率时，作为色料，从吸收在各波长的光中都更容易发生光散射的红色长波光的观点出发，优选吸收红色的长波光的蓝色着色料。作为蓝色着色料，可列举与作为颜料层的蓝色颜料所列举的颜料同样的颜料。

防反射层是指如下的层：防止在闪烁器面板的闪烁器层中产生的发光发生反射，由此，防止该发光在闪烁器面板的闪烁器层面-光电转换元件面板的受光元件面间反复反射而在闪烁器层面-受光元件面之间传播的现象，另外，防止在远离发光位置的位置上的受光元件部的像素区域被误检出。防反射层设置于闪烁器层面上时，是折射率比闪烁器层的折射率小的树脂层，设置于受光元件面上时，是折射率比受光元件折射率小的树脂层。作为防反射层的树脂层中所含的树脂，可列举与作为形成反射层的粘合剂树脂所列举的树脂同样的树脂等。防光扩散层中所含的树脂与形成反射层的粘合剂树脂同样，既可以由同种树脂构成，也可以由2种以上的树脂的混合物构成。另外，基于与防光扩散层是利用CVD法(化学气相成长法)所形成的由聚对二甲苯膜构成的层的方案中所叙述的观点同样的观点，防反射层优选利用CVD法(化学气相成长法)形成的由聚对二甲苯膜构成的层。

从可以发挥上述防光扩散层的功能的观点出发，防反射层对波长550nm的光的光透射率优选设计为60％以上99％以下。

将相互对置的闪烁器层面及光电转换元件面板面的任一个或两者的表面粗糙度调整为0.5μm以上5.0μm以下时，可以抑制光的入射面上的凹凸引起的光的正反射及全反射，因此，可以有效地防止在闪烁器层中产生的发光在闪烁器层面-受光元件面之间发生光扩散。在此，“表面粗糙度”为“算术平均粗糙度(Ra)”。

另外，对于设置于闪烁器层面上或光电转换元件面板上的防光扩散层或防反射层而言，更优选分别将它们与闪烁器面板面或光电转换元件面板面接触的面(表面)的算术平均粗度调整为0.5μm以上、5.0μm以下，这样对于上述防止光扩散而言可以得到复合效果，因此更为优选。

第2放射线检测器的制造方法

本发明的第2放射线检测器的制造方法在使用同样的闪烁器层、反射层、遮光层、颜料层或光电转换元件面板方面及这些形成方法方面等与第1放射线检测器的制造方法是共通的，但在将闪烁器层形成于光电转换元件面板上而非支持体上这一点上是不同的。另外，本发明的第2放射线检测器的制造方法中，形成反射层、遮光层、颜料层的位置也与本发明的第1放射线检测器的制造方法不同，这些位置不是支持体和闪烁器层之间、或支持体的非闪烁器层一侧的面上，而是闪烁器层的非光电转换元件面板一侧的面上。

需要说明的是，使用图4或图5所示的蒸镀装置来形成构成第2放射线检测器的闪烁器层时，使用光电转换元件面板作为蒸镀用基板即可，将光电转换元件面板面中的设有光电转换元件的侧的那一面作为被蒸镀面进行蒸镀即可。

此时，为了防止光电转换元件面板由于加热而受到损伤，可以引入以下方法：在将不形成闪烁器层121'的那一侧固定于支架54的状态下，一边对光电转换元件面板20进行冷却，一边将形成闪烁器层121'的那一侧的温度保持在150～320℃。其中，冷却光电转换元件面板20的具体方法没有特别限定，例如通过使水或致冷剂在设于支架54内部的配管(省略图示)中流动，和/或通过使用珀耳帖元件等，可以对光电转换元件面板20进行冷却。

中间树脂层优选如下形成：在溶剂中溶解树脂，涂布得到的涂布液并进行干燥。

作为用于制作中间树脂层的涂布液中所使用的溶剂，可以使用闪烁器面板制造方法项目中记载的与用于形成反射层用保护层的溶剂同样的溶剂。

另外，中间树脂层可以通过使用CVD装置等，在光电转换元件面板上将例如聚对二甲苯等进行成膜而形成。

实施例

通过以下的实施例，对本发明进一步具体地进行说明。需要说明的是，本发明只要不超过其要点，并不限定于以下实施例的记载。

[实施例1]

(支持体)

作为支持体，采用了厚度125μm的聚酰亚胺薄膜(宇部兴产(株)制造的UPILEX-125S)制成的支持体。另外，使用溅射装置在该支持体上沉积100nm的Al而形成反射层。另外，在支持体上的该反射层上叠层硅树脂，得到形成有反射层、反射层用保护层的支持体(层结构：支持体/反射层/反射层用保护层。以下称为“蒸镀用基板A”)。反射层用保护层的表面能为20mJ/m²。

需要说明的是，根据接触角法(液滴法)测定上述蒸镀用基板A的表面能。具体而言，将蒸镀用基板A设置在平坦的平面上，接着，准备多种濡湿张力不同的濡湿张力试验用混合液，将各濡湿张力试验用混合液滴加于蒸镀用基板A上，测定各濡湿张力试验用混合液能够润湿蒸镀用基板A表面的时间。而且，将能够至少润湿2秒蒸镀用基板A表面的濡湿张力试验用混合液中濡湿张力最小的濡湿张力试验用混合液的濡湿张力设为蒸镀用基板A的表面能。

(闪烁器层的形成)

在实施例1中，如下所示，使用图5所示的蒸镀装置40，将荧光体母材化合物即CsI填充于2个坩埚(第1、第2电阻加热坩埚)中，且从蒸镀开始至蒸镀结束，以CsI从第1、第2电阻加热坩埚持续蒸发的方式进行控制，由此，在蒸镀用基板A的反射层用保护层上依次形成构成基底层及基底层以外的闪烁器层的部分，在支持体的一个面上形成由2层构成的闪烁器层。具体而言，如下所述。

首先，将作为荧光体母材化合物的CsI填充于第1、第2电阻加热坩埚，将作为活化剂的TlI填充于第3的电阻加热坩埚，将各个内容物分别作为蒸镀源47a、47b、47c。另外，将作为蒸镀用基板43的上述蒸镀用基板A设置于可旋转的支架44上，将蒸镀用基板43和蒸镀源47a之间的间隔、蒸镀用基板43和蒸镀源47b之间的间隔、以及蒸镀用基板43和蒸镀源47c之间的间隔均调整为400mm。

接着，使用真空泵42，对蒸镀装置40的真空容器41内的空气进行暂时排气，在排气结束后，向真空容器41内导入Ar气，将蒸镀装置40的真空容器41内的真空度调整为0.5Pa(绝对压力)之后，以10rpm的速度使支架44和蒸镀用基板43一起旋转。

而且，将蒸镀用基板43进行加热，在蒸镀用基板43的温度成为50℃的时刻，将第1电阻加热坩埚进行加热而开始蒸镀，将荧光体母材化合物蒸镀在蒸镀用基板的准备形成闪烁器层的面上，形成构成闪烁器层的部分中由柱状晶体构成的10μm基底层。

这样形成基底层之后，将蒸镀用基板43的温度调整为190℃，开始第2电阻加热坩埚及第3的电阻加热坩埚的加热，形成构成基底层以外的闪烁器层的部分。此时，通过控制第3电阻加热坩埚的加热温度调整活化剂的蒸镀速度使得闪烁器层整体的活化剂浓度为0.4mol％，从而控制闪烁器层整体的活化剂浓度。

在闪烁器层的膜厚成为400μm时结束蒸镀，得到在蒸镀用基板43的准备形成闪烁器层的面上具有规定膜厚的闪烁器层的闪烁器面板。

接着，将如上所述得到的闪烁器面板与预先装在另行准备的PaxScan(Varian(株)制造的FPD：2520)上的闪烁器面板进行交换，并安装在PaxScan上，从而形成“闪烁器面板的支持体/闪烁器面板的反射层/闪烁器面板的反射层用保护层/闪烁器面板的闪烁器层/PaxScan的光电转换元件面板”这样的配置，得到放射线检测器。以下，也会将这种“放射线检测器”称为“FPD”。

对得到的闪烁器面板及放射线检测器进行后述的各种评价。将结果示于表1。

[实施例2]

形成基底层之后，将蒸镀用基板43的温度设为220℃，除此之外，通过与实施例1同样的方法得到闪烁器面板及放射线检测器，对得到的闪烁器面板及放射线检测器，进行各种评价。将结果示于表1。

[实施例3]

(闪烁器层的形成)

形成基底层之后，将蒸镀用基板43的温度设为230℃，除此之外，通过与实施例1同样的方法得到闪烁器面板及放射线检测器，对得到的闪烁器面板及放射线检测器，进行各种评价。将结果示于表1。

[实施例4]

使用聚酯树脂取代硅树脂作为反射层用保护膜，除此之外，通过与实施例1同样的方法得到闪烁器面板及放射线检测器，对得到的闪烁器面板及放射线检测器，进行各种评价。将结果示于表1。需要说明的是，在支持体上设有反射层用保护膜时反射层用保护层的表面能为35mJ/m²。

[实施例5]

使用聚乙烯醇缩丁醛取代硅树脂作为反射层用保护膜，除此之外，通过与实施例1同样的方法得到闪烁器面板及放射线检测器，对得到的闪烁器面板及放射线检测器，进行各种评价。需要说明的是，在支持体上设有反射层用保护膜时反射层用保护层的表面能为65mJ/m²。将结果示于表1。

[实施例6]

使用与实施例5同样的聚乙烯基醇缩丁醛取代硅树脂作为反射层用保护膜，且在形成基底层之后，将蒸镀用基板43的温度与实施例2同样地调整为220℃，除此之外，通过与实施例1同样的方法得到闪烁器面板及放射线检测器，对得到的闪烁器面板及放射线检测器，进行各种评价。将结果示于表1。

[比较例1]

使用氟树脂取代硅树脂作为反射层用保护膜，除此之外，通过与实施例1同样的方法得到闪烁器面板及放射线检测器，对得到的闪烁器面板及放射线检测器，进行各种评价。需要说明的是，在支持体上设有反射层用保护膜时反射层用保护层的表面能为15mJ/m²。将结果示于表1。

[比较例2]

使用与比较例1同样的氟树脂取代硅树脂作为反射层用保护膜，且在形成基底层之后，将蒸镀用基板43的温度与实施例2同样地调整为220℃，除此之外，通过与实施例1同样的方法得到闪烁器面板及放射线检测器，对得到的闪烁器面板及放射线检测器，进行各种评价。将结果示于表1。

[比较例3]

使用聚丙烯酸类树脂取代硅树脂作为反射层用保护膜，除此之外，通过与实施例1同样的方法得到闪烁器面板及放射线检测器，对得到的闪烁器面板及放射线检测器，进行各种评价。需要说明的是，在支持体上设有反射层用保护膜时反射层用保护层的表面能为75mJ/m²。将结果示于表1。

[比较例4]

使用与比较例3同样的聚丙烯酸类树脂取代硅树脂作为反射层用保护膜，且在形成基底层之后，将蒸镀用基板43的温度与实施例2同样地调整为220℃，除此之外，通过与实施例1同样的方法得到闪烁器面板及放射线检测器，对得到的闪烁器面板及放射线检测器，进行各种评价。将结果示于表1。

[实施例7～12、比较例5～8]

将蒸镀用基板A变更为形成有中间树脂层的光电转换元件面板(以下，称为“蒸镀用基板B”)，除此之外，通过与实施例1～6、比较例1～4的闪烁器层的形成方法同样的方法，在蒸镀用基板B上形成闪烁器层，由此得到放射线检测器，对得到的放射线检测器，进行各种评价。另外，将结果示于表1。

需要说明的是，实施例7～12、比较例5～8依次与实施例1～6、比较例1～4相对应。

另外，实施例7～12、比较例5～8中的蒸镀用基板B的中间树脂层的表面能依次与实施例1～6、比较例1～4中的表面能相同。需要说明的是，蒸镀用基板B的表面能的测定方法中除了将蒸镀用基板A变为蒸镀用基板B之外，与前述相同。

其中，实施例1～6的放射线检测器为本发明的第1放射线检测器，实施例7～12的放射线检测器为本发明的第2放射线检测器。

[闪烁器面板及放射线检测器的评价]

关于各实施例及比较例中得到的闪烁器面板及放射线检测器，对以下的项目进行测定、评价。

(闪烁器面板及放射线检测器的闪烁器层的特定区域的放射线吸收率和比例(x/y))

得到的闪烁器面板用后述的树脂包埋，将得到的包埋物的闪烁器层研磨至达到规定的厚度，制作测定用样品，通过对得到的测定用样品照射X射线，测定闪烁器面板的闪烁器层的特定厚度区域的X射线吸收率。

对得到的闪烁器面板或放射线检测器，将闪烁器层从蒸镀用基板A或蒸镀用基板B上剥下并用树脂包埋，使用研磨装置对得到的包埋物(以下，称为“样品”)从柱状晶体的柱状晶体生长结束面进行研磨。在样品膜厚为150μm时停止研磨，测定X射线吸收率(y)。接着，将样品从研磨面侧开始进一步研磨，在膜厚为5μm时停止研磨，测定X射线吸收率(x)。

(柱状晶体的根部的状态)

用SEM(扫描型电子显微镜)观察对进行上述研磨之前的样品中与其厚度方向平行的剖面，观察柱状晶体的根部的状态。具有相互独立的根部的情况评价为“○”。

(得到的X射线图像的亮度)

对放射线检测器照射管电压80kVp的X射线，将得到的图像数据的平均信号值作为发光量，评价得到的X射线图像的亮度。表1中，将基于比较例1的放射线检测器的发光量求出的X射线图像的亮度设为1.0，将得到的X射线图像的亮度低于其1倍的放射线检测器评价为“×”，将为1倍(同等)以上且低于1.2倍的放射线检测器评价为“△”，将1.2倍以上且低于1.3倍的放射线检测器评价为“○”，将1.3倍以上的放射线检测器评价为“◎”。

(得到的X射线图像的清晰性)

通过铅制的MTF图向放射线检测器的放射线入射面侧照射管电压80kVp的X射线，检测图像数据并记录于硬盘上。其后，用计算机分析硬盘上的记录，将该记录于硬盘上的X射线图像的调制传递函数MTF作为得到的X射线图像的清晰性的指标。调制传递函数MTF为空间频率1循环/mm下的MTF值。另外，MTF表示ModulationTransferFunction的缩写。

表1中的MTF值是对放射线检测器内的9个位置进行测定，评价其平均值(平均MTF值)而得到的。表1中，将比较例1的放射线检测器的平均MTF设为1.0，评价对象的放射线检测器的平均MTF值为1.2倍以上时，将由评价对象放射线检测器得到的X射线图像的清晰性评价为“◎”，同样地，1倍(同等)以上且低于1.2倍时，将X射线图像的清晰性评价为“○”，0.8倍以上且低于1倍时，将X射线图像的清晰性评价为△”，低于0.8倍时，将X射线图像的清晰性评价为“×”。

(综合评价)

所有项目均为现有同等以上时，评价为“○”，所有项目均为“◎”时，评价为“◎”，包含与现有相比较差的项目时，评价为“×”。

表1

蒸镀对象：蒸镀荧光体的对象

至5μm的X射线吸收率(x)：闪烁器层的从支持体侧主面直到高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x

至150μm的X射线吸收率(y)：闪烁器层的从支持体侧主面直到150μm的厚度区域的X射线吸收率y

x/y：闪烁器层的从支持体侧主面至高度5μm的厚度区域中的X射线吸收率x和闪烁器层的从支持体侧主面至150μm的厚度区域的X射线吸收率y的比(x/y)

根部的状态：柱状晶体的根部的状态。与是否形成柱状的晶体、柱状晶体是否相互独立有关的评价项目。

工业实用性

本发明的闪烁器面板、放射线检测器可以合适地用于各种类型的放射线图像拍摄系统、特别是X射线图像拍摄系统等。

Claims (14)

1.一种闪烁器面板，其包括支持体和形成在所述支持体上的闪烁器层，

所述闪烁器层含有荧光体，

所述荧光体为多个柱状晶体，

位于所述闪烁器层的柱状晶体生长开始面的所述多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在，

所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％。

2.如权利要求1所述的闪烁器面板，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y之比(x/y)为0.12～0.22。

3.如权利要求1所述的闪烁器面板，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y之比(x/y)为0.17～0.22。

4.如权利要求1所述的闪烁器面板，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％，从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y为39.3～44.0％。

5.如权利要求1～4中任一项所述的闪烁器面板，其中，所述闪烁器层的柱状晶体通过气相沉积法形成。

6.一种放射线检测器，其含有权利要求1～5中任一项所述的闪烁器面板和光电转换元件面板。

7.一种放射线检测器，其包括光电转换元件面板和形成在该光电转换元件面板上的闪烁器层，

所述闪烁器层含有荧光体，

所述荧光体为多个柱状晶体，

位于所述闪烁器层的柱状晶体生长开始面的所述多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在，

所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％。

8.如权利要求7所述的放射线检测器，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y之比(x/y)为0.12～0.22。

9.如权利要求7所述的放射线检测器，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y之比(x/y)为0.17～0.22。

10.如权利要求7所述的放射线检测器，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％，从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y为39.3～44.0％。

11.如权利要求7～10中的任一项所述的放射线检测器，其中，所述闪烁器层的柱状晶体通过气相沉积法形成。

12.一种闪烁器面板的制造方法，该方法包括，

在支持体温度为5～320℃、蒸镀速度为5～200nm/s、压力为10^-3～1Pa(绝对压力)的条件下，使荧光体蒸镀在支持体的准备形成闪烁器层的面上、或蒸镀在支持体上设有至少1个层而形成的叠层体的准备形成闪烁器层的面上，所述准备形成闪烁器层的面的根据接触角法(液滴法)测定的表面能为20～65mJ/m²。

13.一种放射线检测器的制造方法，该方法包括，将通过权利要求12所述的方法制造的闪烁器面板与光电转换元件面板耦合。

14.一种放射线检测器的制造方法，该方法包括，在支持体温度为5～320℃、蒸镀速度为5～200nm/s、压力为10^-3～1Pa(绝对压力)的条件下，使荧光体蒸镀在光电转换元件面板的准备形成闪烁器层的面上，所述准备形成闪烁器层的面的根据接触角法(液滴法)测定的表面能为20～65mJ/m²。