JPH0511301U - Ｘ線イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 本考案は曲面上で使用できるＸ線イメージセ
ンサを得る。 【構成】 シンチレータ１０と、光検出器７とからなる
Ｘ線イメージセンサをフレキシブルな基板１に設けたも
の。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案はＸ線イメージセンサに関し、特に曲面等の不定形の表面上で使用する のに適したＸ線イメージセンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来のＸ線イメージセンサは、厚みが数ｍｍ程の平坦なガラス等の基板上にＸ 線を可視光に変換するシンチレータと、変換された可視光を検出する光検出器と を設け、必要に応じて前記基板上に、光検出器の信号を処理する信号処理回路を 設けたＸ線イメージセンサが知られている。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、従来のＸ線イメージセンサは基板が平面であるため、例えば曲 面に沿ってＸ線イメージセンサを設置することができなかった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案は前記課題を解決するためになされたものであって、本考案はＸ線を可 視光に変換するシンチレータと、変換された可視光を検出する光検出器とを基板 上に形成したＸ線イメージセンサにおいて、該基板がフレキシブルであることを 特徴とするＸ線イメージセンサを提供する。

【０００５】 本考案において用いることのできる基板としては可撓性のあるプラスチックフ ィルム、あるいは１００μｍ以下の厚みのガラス板を用いることができる。

【０００６】 また本考案においては、光検出器としてａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）フ ォトダイオードアレイを用いることが好ましい。

【０００７】 更にまた本考案においては、光検出器の出力の信号処理回路をフレキシブルな 基板上に設けることができる。

【０００８】

【作用】

本考案によれば、フレキシブルな基板を使用しているので、Ｘ線イメージセン サを作成後、曲面等の形状に変形使用できる。

【０００９】

【実施例】

以下に、図１及び図２に示した本考案の一実施例について説明する。

【００１０】 耐熱性で、且つ可撓性のあるプラスチックフィルム、または厚みが１００μｍ 以下のガラス基板１に下部電極２となる厚み１００ｎｍのクロム膜をスパッタリ ング法により成膜した後、その上に、４０ｎｍ厚みのＮ型ａ−Ｓｉ（アモルファ スシリコン）、１０００ｎｍ厚みのＩ型ａ−Ｓｉ、１４ｎｍ厚みのＰ型ａ−Ｓｉ をプラズマＣＶＤ法で連続に成膜し、更にその上に上部電極６となる厚み１００ ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法で成膜する。次にＩＴＯ膜パターニングして 上部電極６を形成した後、Ｎ型ａ−Ｓｉ層３、Ｉ型ａ−Ｓｉ層４、及びＰ型ａ− Ｓｉ層５をＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）して、光検出素子であ る多数のフォトダイオード７を形成し、更にクロム膜パターニングして下部電極 ２を形成した。その後、保護膜８となる厚み１μｍのａ−ＳｉＮ_X をプラズマＣ ＶＤ法で成膜した後パターニングして保護膜８を形成し、次いで取り出し電極と なる２μｍのアルミをスパッタリング法で成膜し、取り出し電極９，９′の形状 にパターニングする。

【００１１】 更にその後、フォトダイオード７上の露出した上部電極６上にＴｌをヘビード ープしたＣｓＩを１００μｍ厚で蒸着してシンチレータ１０を形成してＸ線イメ ージセンサを得る。

【００１２】 そして必要に応じて、シンチレータ１０の発光が外に洩れないように厚さ１０ ０ｎｍ厚のアルミの反射膜１１を成膜する。最後に黒色の樹脂膜１２をアルミの 反射膜１１上に形成する。黒色樹脂としてはシリコン樹脂、エポキシ樹脂が通常 用いられ、樹脂膜１２の厚みは１ｍｍ〜１０ｍｍが好ましく、本実施例ではエポ キシ樹脂を用い２ｍｍの膜厚とする。

【００１３】 また、他の実施例として図３に示す如く、ａ−Ｓｉフォトダイオードの夫々に 並べて、信号線（図省略）で接続された、フォトダイオードの信号を読むための ａ−Ｓｉ薄膜トランジスタ７′を設け、この薄膜トランジスタ７′からの信号線 （図省略）及び信号処理回路１３をフィルムまたは基板１上に設けることもでき る。

【００１４】

【考案の効果】

本考案によれば、図４に示す如く、所望の曲面型１４に沿わせて、Ｘ線イメー ジセンサの基板形状を変形できるので、曲面等の不定形の場所でもＸ線イメージ センサを使用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係るＸ線イメージセンサの断面図。

【図２】図１に示すＸ線イメージセンサの部分拡大断面
図。

【図３】本考案に係る他のＸ線イメージセンサの断面
図。

【図４】本考案に係るＸ線イメージセンサを曲面で使用
する際の断面図。

【符号の説明】

１ フィルム、または基板 ７ フォトダイオード １０ シンチレータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｔ 1/24 7204−2Ｇ Ｇ２１Ｋ 4/00 Ｚ 8805−2Ｇ Ｈ０１Ｌ 27/14

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｘ線を可視光に変換するシンチレータ
   と、変換された可視光を検出する光検出器とを基板上に
   形成したＸ線イメージセンサにおいて、該基板がフレキ
   シブルであることを特徴とするＸ線イメージセンサ。
2. 【請求項２】 光検出器がａ−Ｓｉフォトダイオードア
   レイからなる請求項１に記載のＸ線イメージセンサ。
3. 【請求項３】 光検出器の出力の信号処理回路をフレキ
   シブルな基板上に設けた請求項１又は請求項２に記載の
   Ｘ線イメージセンサ。