TWI590166B - 凸紋印花成像之組合式感測器陣列 - Google Patents

凸紋印花成像之組合式感測器陣列 Download PDF

Info

Publication number
TWI590166B
TWI590166B TW103116495A TW103116495A TWI590166B TW I590166 B TWI590166 B TW I590166B TW 103116495 A TW103116495 A TW 103116495A TW 103116495 A TW103116495 A TW 103116495A TW I590166 B TWI590166 B TW I590166B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sensor array
sensor
layer
image
relief
Prior art date
Application number
TW103116495A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201504953A (zh
Inventor
佛雷德 佛萊伊
傑拉德 韋曼
Original Assignee
Ib韓國公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ib韓國公司 filed Critical Ib韓國公司
Publication of TW201504953A publication Critical patent/TW201504953A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI590166B publication Critical patent/TWI590166B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13Sensors therefor
    • G06V40/1318Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02Interferometers
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/1335Combining adjacent partial images (e.g. slices) to create a composite input or reference pattern; Tracking a sweeping finger movement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Description

凸紋印花成像之組合式感測器陣列
本發明揭露用以產生一凸紋印花影像之一個或多個技術及/或系統。
諸如指紋辨識裝置之身體部位凸紋影像掃描裝置(掃描器)係被使用於包括保全之各種用途中。人的某一身體部位可接觸該掃描器之一表面,在該處可捕捉該身體部位(例如,指紋)之影像。例如,該結果影像可與身體部位影像之資料庫比較,以核對那個人的身分。在一些應用中,可能期望掃描器之接觸表面有充分尺寸,以獲得較大的影像。諸如使用數位成像感測器之指紋辨識裝置的身體部位凸紋印花影像裝置可能具有一可用以容納該身體部位之有限區域。例如,技術、財務及實用考量可能阻止期望掃描區域有充分尺寸來容納一整個手印(例如,或兩個手印)。這些限制中的部分係因可用數位成像感測器之有限尺寸所造成。亦即,例如,當數位成像感測器之尺寸增加時,成本、複雜性、潛在製造問題、處理功率亦增加,此常常使它們對於某些應用是不可實行的。例如,如果需要一4指感測器,可以建構足夠大來容納4個手指之寬度及高度的單一陣列。此類型之較大數位成像感測器通常需要大的計算能力,以便處理從索引位址(例如,包括像素)所接收之信號成為一結果影像。較大感測器常常花費較長時間來處理一個影像、具有較 大的錯誤機率且需要先進計算演算法。
此處發明內容係以簡化方式介紹底下在實施方式中進一步說明的代表性概念。此發明內容並不打算識別所主張之標的的重要因素或基本特徵,亦不打算限制所主張之標的的範圍。
據此,特別揭露一種或多種技術及/或系統,其用以將兩個或兩個以上感測器陣列組合成一馬賽克成像陣列及以一電發光薄膜覆蓋該馬賽克成像陣列,以例如導致一具有比傳統掃描器大之凸紋印花掃描區域的成像器。
在一種用以產生一凸紋印花影像之系統的實施中,可配置一凸紋印花資料產生組件,以產生一第一組凸紋印花資料及一第二組凸紋印花資料。在此實施中,該第一組可包括由一第一感測器陣列所接收之來自一電發光層之光的第一讀數,以及該第二組可包括由一第二感測器陣列所接收之來自該電發光層之光的第二讀數。再者,該凸紋印花資料產生組件可包括該第一感測器陣列,該第一感測器陣列可配置成用以轉換所接收之光子成為一電信號、可操作地耦接於該第二感測器陣列,該第二感測器陣列亦可以配置成用以轉換所接收之光子成為一電信號。
該凸紋印花資料產生組件亦可包括該電發光層,該電發光層係配置在該第一感測器陣列與該第二感測器陣列之組合的上方。此外,一影像拼接組件可操作地耦接於該凸紋印花資料產生組件。在此,該影像拼接組件可配置成用以將該第一組與該第二組拼接在一起,導致一可以表示一凸紋印花影像之第三組資料。
為了達成前述及相關目的,下面敘述及所附圖式陳述 某些說明態樣及實施。這些只表示可以使用一個或多個態樣之不同方式中的一些方式。當考量結合所附圖式時,從下面詳細敘述將使該揭露之其它態樣、優點及新特徵變得顯而易知。
100‧‧‧身體部位凸紋印花辨識環境
102‧‧‧凸紋印花產生器
104‧‧‧感測器裝置
106‧‧‧電發光組件
108‧‧‧電連接
110‧‧‧透明電極
112‧‧‧發光層
114‧‧‧介電層
116‧‧‧距離
118‧‧‧凸紋物件
200‧‧‧實例實施(發光元件)
202‧‧‧發光層
204‧‧‧螢光粒子
206‧‧‧黏結劑材料
208‧‧‧活化粒子
210‧‧‧介電層
212‧‧‧透明電極
214‧‧‧電源
216‧‧‧電極接線
218‧‧‧接觸電極
242‧‧‧光子
244‧‧‧凸紋物件
246‧‧‧電流
250‧‧‧實例
252‧‧‧影像感測器部分
254‧‧‧發光組件
256‧‧‧感光層
258‧‧‧第一源極電極
260‧‧‧第一汲極電極
262‧‧‧光感測單元
264‧‧‧第一閘極電極
266‧‧‧切換單元
268‧‧‧第二源極電極
270‧‧‧第二汲極電極
272‧‧‧本質半導體層
274‧‧‧第二閘極電極
276‧‧‧凸紋物件
278‧‧‧接觸電極
280‧‧‧光子
282‧‧‧遮光層
284‧‧‧基板
300‧‧‧示範性系統
302‧‧‧凸紋印花資料產生組件
304‧‧‧影像拼接組件
306a‧‧‧第一感測器陣列
306b‧‧‧第二感測器陣列
308‧‧‧電發光層
350‧‧‧凸紋印花影像
352a‧‧‧第一組凸紋印花資料
352b‧‧‧第二組凸紋印花資料
400‧‧‧實例實施
402‧‧‧感測器陣列
404‧‧‧細縫
406‧‧‧組合式感測器陣列層
408‧‧‧電發光層
450‧‧‧實例實施
500‧‧‧實例實施
502‧‧‧感測器陣列(感測器陣列層)
504‧‧‧電發光層
506‧‧‧覆蓋層
508‧‧‧一發光面(LES)基板層
510‧‧‧陣列基板層
圖1係描述一實例身體部位凸紋印花辨識環境之組件圖,其中可以實施在此所述之一個或多個技術及/或一個或多個系統之一個或多個部分。
圖2A及2B描述實例實施,其中可以實施在此所述之一個或多個技術之一個或多個部分。
圖3係描述一用以產生一凸紋印花影像之示範性裝置的組件圖。
圖4A及4B係描述實例實施之組件圖,其中可以實施在此所述之系統的一個或多個部分。
圖5係描述一實例實施之組件圖,其中可以實施在此所述之系統的一個或多個部分。
圖6係描述一用以製造一產生一凸紋印花影像之系統的示範性方法之流程圖。
圖7係描述一實例實施之流程圖,其中可以實施在此所述之一個或多個技術的一個或多個部分。
現在參考該等圖式來說明所主張之標的物,其中相似元件符號在各處通常用以提及相似元件。在下面敘述中,為了說明,陳述許多特定細節,以便完全了解所主張。然而,顯而易見的是,可以在沒有這些特定細節下實施所主張之標的物。在其它例子 中,以方塊圖形式顯示結構及裝置,以便有助於描述所主張之標的物。
圖1係描述一實例身體部位凸紋印花辨識環境100之組件圖,其中可以實施在此所述之一個或多個技術及/或一個或多個系統之一個或多個部分。如該實例環境100所示,一實例身體部位凸紋印花辨識系統(例如,一指紋辨識系統)可以包括一凸紋印花產生器102。該實例身體部位凸紋印花辨識系統可以進一步包括一感測器裝置104。在一實施中,例如為了捕捉光學影像之數位處理,該感測器裝置104可以包括可將光學影像轉換成電子信號之影像感測器。做為一個實例,該感測器裝置104可以包括一主動像素感測器(APS),像一薄膜感測器(例如,薄膜光電晶體、薄膜光二極體)或互補式金屬氧化物半導體(CMOS)。做為另一實例,該感測器裝置104可以包括一電荷耦合裝置(CCD)或可將光子轉換成電信號之一些其它成像感測器。
在一實施中,該凸紋印花產生器102可以包括基於一電極(例如,單電極)的電發光組件106及/或一電連接108(例如,一像A/C源之電源),該電連接108可以在一凸紋物件118與該電發光組件106間提供電連接。再者,在一實施中,該基於電極的電發光組件106可以包括一透明電極110(例如,包括一氧化銦錫(ITO)材料,它可以附著至一聚合物基板)、一發光層112及/或一介電層114(例如,一允許電流通過之導電/絕緣層)。在一實施中,可以使該凸紋印花產生器102與該感測器裝置104彼此分隔一距離116或可以配置成使得該感測器裝置104與該凸紋印花產生器102接觸。做為一個實例,當啟動一凸紋印花辨識系統(例如,藉由將一手指 放置在一影像捕捉位置)時,朝個別方向發射由該發光層106所產生之光,例如,朝該感測器裝置104導引由該發光層106所產生之光。
圖2A及2B係描述實例實施200、250之組件圖,其中可以實施在此所述之一個或多個技術及/或一個或多個系統之一個或多個部分。該實例實施200可以包括可使用於一凸紋印花掃描器/感測器中之一發光元件(例如,圖1之102)的一部分,以及該實例實施250可以包括一凸紋印花掃描器/感測器之一部分。
在圖2A中,一發光元件200之一部分的實例實施可包括一發光層202,例如,一電發光層。在此實施200中,該發光層可由螢光粒子204及一黏結劑材料206所組成。在一實施例中,該等電發光粒子204像在經歷一電流246時可以包含活化粒子208。再者,在此實施中,當經歷該電流246時,該等活化粒子208可以發射光子242,例如,藉以產生光。
在圖2A中,該發光元件200之該部分的實例實施可包括一介電層210及一透明電極212。在此實例實施200中,該介電層210存在於該發光層202之上方且與其接觸。該透明電極212存在於該發光層202之下方且與其接觸。再者,該發光元件200之該部分的實例實施可包括一電源214,例如一交流(AC)電源,其具有一與該透明電極212電連接之電極接線216及一實質相鄰於該介電層210之一接觸表面(例如,上表面)的接觸電極218(例如,一物件接觸電極)。
在一實施中,一凸紋物件244可以接觸該介電層210之接觸表面及該接觸電極218。在此實施中,例如,在接觸該介電 層210及該物件接觸電極218後,可以在該接觸電極218與該透明電極212間立即產生一電路,藉以允許電流246在該兩個電極間流動。再者,在此實施中,與該介電層210之接觸表面接觸的該凸紋物件244之那些部分(例如,身體部位凸紋隆起部)可允許電流246從該接觸電極218傳送至該介電層210。此外,通過該介電層210之電流246可只是在該接觸之位置處活化該等螢光粒子204。在活化後,該等活化粒子208可以只在該凸紋物件244(例如,指紋隆起部)之該等部分的接觸位置處發射光子242。這樣一來,例如,當該凸紋物件244接觸該接觸電極218及該介電層210之接觸表面時,可以產生該凸紋物件244(例如,手指)之一受照凸紋印花(例如,指紋)。
如圖2B所示,一凸紋印花掃描器可包括一影像感測器部分252,例如,為了捕捉得之影像的後續數位處理,該影像感測器部分252可用以藉由將進來的光子轉換成一電子信號來捕捉一光學影像(例如,一指紋之影像)。在一實施中,該影像感測器部分252可以包括一薄膜感測器陣列。例如,一薄膜感測器陣列可用以偵測一發光組件254(例如,圖2A之發光元件200)所發射之光子。在此,做為一個實例,該影像感測器部分252可偵測該發光組件254所產生(例如,以凸紋印花之形式所產生)之光及藉由將該等偵測光子轉換成一電子信號,產生一使用光電流之影像。
在該實例實施250中,可在一光感測單元262之第一源極電極258與第一汲極電極260間形成一感光層256(例如,包括SiH、非晶矽)。當施加電荷至一第一閘極電極264時,該感光層256變成對光有反應,例如,當光子入射時,該感光層256變成導電。 做為一個實例,當光入射在該感光層256上超過一預定臨界光量時,該第一源極電極258與該第一汲極電極260可能變成電連接。因此,在此實例中,該感光層256可以接收從該發光組件254所產生之光(例如,包含一指紋圖案),此可能促使一電信號從該第一源極電極258傳送至該第一汲極電極260(例如,提供一表示所接收之光的電子信號)。
再者,該影像感測器部分252之一切換單元266可以包括一第二源極電極268、一第二汲極電極270及一本質半導體層272。做為一個實例,當施加負電荷至一第二閘極電極274時,該本質半導體層272可能變成導電,藉以允許在該光感測單元262所產生之電信號從該第二源極電極傳送至該第二汲極電極(例如,以及傳送至一用以轉換至一數位影像之電信號讀取組件)。這樣一來,例如,該切換單元266可以用以控制何時可以將一表示一特定光量之電信號傳送至一電信號讀取組件(例如,為了處理目的及/或用以減少對相鄰光感測單元之信號干擾)。
此外,在此實施250中,一遮光層282可以存在於該切換單元266之上方。做為一個實例,該遮光層282可以減輕光對該本質半導體層272之入侵,因為光會影響該本質半導體層272之導電率。該影像感測器部分252亦可以包括一由任何合適材料所製成之基板284,該影像感測器部分252之層可以形成於該基板284上。做為一個實例,當一凸紋物件276(例如,圖2A圖之244)與一接觸電極278及該發光組件254之接觸表面(例如,上表面)接觸時,一電流可以從該接觸電極278經由該凸紋物件276傳送至該發光組件254中。在此實例中,該發光組件254可能發出入射至該感光層 256之光子280,藉以允許一電信號(例如,表示所接收光子之數目)從該第一源極電極258傳送至該第二汲極電極270,以及傳送至一信號讀取組件。
在一態樣中,製造效率可能取決於從製造程序所生產之感測器陣列的尺寸。做為一個實例,當生產一感測器陣列(例如,晶片)時,通常使用一大的圓形矽晶圓來同時生產複數個晶片。例如,單一晶圓可以包括許多的晶片,其依據該晶片之尺寸配置成格子圖案。亦即,例如,同一尺寸矽晶圓可能包括比較小尺寸晶片少之較大尺寸晶片。再者,在此範例中,因為該晶圓係圓形的及該等感測器陣列通常是方形或矩形(例如,多邊形)的,所以在可能無法形成完整感測器陣列之晶圓的邊緣處浪費某些數量之感測器陣列材料。因此,在此態樣中,在同一尺寸晶圓上所產生之具有較大尺寸的感測器陣列可能比較小尺寸感測器陣列導致更多浪費材料。由於所產生之較大數量的廢料,此可能轉而導致所製造感測器陣列之每平方毫米需要較大的成本。
此外,在此態樣中,在感測器陣列製造期間,某一數量的製造缺陷會在一含有感測器陣列之晶圓上發生。亦即,例如,任何含有感測器陣列之既定晶圓會包括一預期數目之缺陷,該缺陷會造成該感測器陣列無效果,且被當做廢料丟棄。在此態樣中,例如,當相較於一包含缺陷之較小感測器陣列,一包含缺陷之較大感測器陣列將表示較大數量之被丟棄廢料。因此,相較於一包括較大感測器陣列之晶圓,一包括較小感測器陣列之晶圓可能因缺陷而導致較少的廢料。結果,例如,在使用包括該等相同缺陷之同一晶圓下,相較於較大感測器陣列,較小感測器陣列可能每平方毫米有較 少的成本。
結果,在此態樣中,為了改善像所生產感測器陣列之每平方毫米的成本及/或每一晶圓所生產之感測器陣列的數目之製造效率,製造商可能希望在使用感測器陣列之裝置中利用較小晶圓尺寸。然而,例如,一較小感測器陣列可能受限於僅有一凸紋物件之小部分的成像。亦即,做為一實例,一大感測器陣列能用以同時捕捉一凸紋物件之大部分(例如,手印或多個手指),而該較小感測器陣列可能受限於該凸紋物件之小部分(例如,一手指)的捕捉,但是該感測器陣列之尺寸的增加會以指數方式增加該感測器陣列之生產的成本。亦應該顯而易知,不使用大的單一陣列來容納一較大印花凸紋區域,而是例如使用較小陣列之組合來建立較大感測區域,以容納大的印花凸紋影像,依此可以提供一較高品質且較便宜的感測系統。
如在此所提供,可以設計一種可產生一凸紋印花影像之裝置,該凸紋印花影像可以由已拼接在一起之兩個或兩個以上子影像所組成。例如,由於製造無效率、縮放問題、控制器及/或讀取限制及潛在製造問題,可以有效地限制一用以捕捉一凸紋印花之影像的光感測器陣列之尺寸。此尺寸限制可能限制一可被一凸紋印花掃描器/讀取器掃描之凸紋印花物件的尺寸。為了緩解此問題,做為一個實例,可以組合(例如,可操作地耦合)兩個或兩個以上感測器陣列,以形成一較大組合式感測器陣列。在此實例中,該組合式感測器陣列能從一凸紋印花物件之一較大部分捕捉一凸紋印花。例如,為了指紋可以同時掃描人手之個別手指(例如,10個手指),以及可以將來自個別感測器陣列之結果影像拼接在一起,以形成該等 指紋及/或該(等)手紋的組合影像。
圖3係描述一用以產生一凸紋印花影像之示範性系統300的組件圖。在圖3中,該示範性系統300包括一配置成用以產生一第一組凸紋印花資料352a及一第二組凸紋印花資料352b之凸紋印花資料產生組件302。該第一組凸紋印花資料352a包括由一第一感測器陣列306a(例如,圖2B之250)所接收之來自一電發光層308(例如,圖2A之200)之光的第一讀數;該第二組凸紋印花資料352b包括由一第二感測器陣列306b所接收之來自該電發光層308之光的第二讀數。該凸紋印花資料產生組件302包括該第一感測器陣列306a及該電發光層308,其中該第一感測器陣列306a可操作地耦接於該第二感測器陣列306b,以及該電發光層308係配置在該第一感測器陣列306a及該第二感測器陣列306b之組合的上方。
該示範性系統300進一步包括一影像拼接組件304,該影像拼接組件304可操作地與該凸紋印花資料產生組件302耦接。該影像拼接組件304係配置成用以將該第一組凸紋印花資料352a與該第二組凸紋印花資料352b拼接在一起,導致一可以表示一凸紋印花影像350之第三組資料。這樣一來,例如,可以組合複數個感測器陣列,以構成一較大凸紋印花捕捉資料,以便可以捕捉一較大凸紋印花(例如,以同時讀取一個或多個手紋及或指紋)。做為另一個實例,該較大凸紋印花捕獲區域能實施滾動掃描(例如,使一個或多個手指在該掃描區域上從一側滾動至另一側),以便可以捕捉一更完整凸紋印花(例如,包含該指紋之較大部分)影像。可以將該對應感測器陣列所捕捉之個別影像拼接在一起,以形成一大凸紋印花影像。
做為一個實例,該影像拼接組件304可以藉由組合多個影像(分別包括相鄰及/或重疊視野)來實施一影像拼接方法,以產生一組合分段影像(例如,一全景或高解析影像)。在拼接方法之一實施中,可識別該等相鄰或重疊視野之共同特徵,以及可以決定該等視野之直接對齊,導致在該等視野中之相鄰及/或重疊像素間的絕對差之期望總和(例如,最小總和)。再者,在拼接之一實施中,可以使個別相鄰視野標準化,以便個別視野包括比較相似特徵及特性。此外,在拼接之一實施中,使用各種影像混合技術(例如,去重影(deghosting)、動作補償(motion compensation)、高動態範圍合併(high dynamic range merging)、拼接線調整(seam line adjustment)等),可以在該等相鄰視野之一邊界及/或重疊部分處將該等視野混合在一起。
圖4A及4B係描述實例實施400、450之組件圖,其中可以實施在此所述之系統的一個或多個部分。在該等實例實施400、450中,可以組合複數個感測器陣列402(例如,包括圖2B之250),以構成一組合式感測器陣列層406。在一實施中,例如為了偵測光,可以在細縫404處將兩個或兩個以上光感測器陣列402連結在一起(例如,成對(pairs)、四分部(quadrants)等),以產生該感測器陣列層406。例如,由於製造無效率、產品問題及/或輸出讀取限制,而對(例如,單一感測器陣列之)單片生產的尺寸可能有限制,此可藉由(例如,在該細縫404處)將兩個或兩個以上獨立陣列(例如,402)連結成一較大組合式感測器陣列層(例如,406)之方法來克服。
做為一個實例,該等個別感測器陣列402可以包括一 合適光感測組件,像一薄膜感測器(例如,包括一光電晶體及/或一光二極體)、一電荷耦合裝置(CCD)、一互補式金屬氧化物半導體(CMOS)或一些配置成用以將接收光子轉換成代表所接收之光的電信號之其它感測器。在此實例中,可以藉由膠合(gluing)、焊接(soldering)、鑲接(glazing)及/或熔接(welding)使一第一感測器陣列之第一側連結至一第二感測器陣列之第二側(例如,第一感測器陣列之左側連結至第二感測器陣列之右側)。做為一個實例,該連結方法可以利用一包括金屬、陶瓷、金屬填充鑲嵌玻璃(metal-filled glazing)、聚合物黏著劑、UV硬化黏合劑及/或焊料之黏著劑,其使該第一感測器陣列之基板與該第二感測器陣列之基板黏附,進而在該等陣列間形成一細縫(例如,404)。
在該等實例實施400、450中,可以在該組合式感測器陣列層406之上面配置一像發光感測器層之電發光層408(例如,包括圖2A之200)。如上所述,該電發光層408可以配置成用以從一凸紋印花物件接觸該電發光層408之位置處發射光子。亦即,例如,在一手指上所構成之摩擦隆起部(friction ridges)(例如,指紋)可接觸該電發光層408之表面,而該等凸紋印花之凹部可能無法接觸該電發光層408之表面。在此實例中,該電發光層可能僅在該等摩擦隆起部接觸該表面之那些位置處發射光子,藉此以該凸紋印花之形狀發射光。
再者,例如,在該電發光層408下面所配置之該組合式感測器陣列層406中的兩個或兩個以上組合式感測器陣列402可以接收該電發光層408所發射之光子。這樣一來,例如,該等個別感測器陣列402可針對已直接在上面接觸該電發光層408之表面的 該凸紋印花之部分來偵測光。此外,例如,可將由該等感測器陣列402所產生之個別組的影像資料拼接在一起,以產生一包括接觸該電發光層408之表面的該凸紋印花物件的整個部分之組合影像。
在一實施中,該第一組凸紋印花資料(包括由該第一感測器陣列所接收之來自該電發光層的光之第一讀數)可能來自該凸紋物件之第一部分(例如,一隻手之第一手指),以及該第二組凸紋印花資料(包括由該第二感測器陣列所接收之來自該電發光層的光之第二讀數)可能來自該凸紋物件之第二部分(例如,該隻手之第二手指)。在一實施中,該第一組凸紋印花資料可能來自一第一凸紋物件之一部分(例如,一第一隻手之一部分),以及該第二組凸紋印花資料可能來自一第二凸紋物件之一部分(例如,一第二隻手之一部分)。
在一實施中,該等感測器陣列之一個或多個感測器陣列可以配置成可選擇性地從該凸紋印花資料產生組件移除。再者,在一實施中,該凸紋印花資料產生組件可能配置成容納一替換感測器陣列,以做為一被移除感測器陣列之替換,其中該替換感測器陣列可實施相同於該被移除感測器陣列之功能。做為一實例,在圖4B中,該感測器陣列402可以選擇性地從該感測器陣列層406被移除,以及以另一相似感測器陣列來取代該感測器陣列402。例如,該等感測器陣列中之一可能受損,以及可以一未受損感測器陣列來取代。
在一實施中,在該感測器陣列層中之感測器陣列中之一個或多個感測器陣列可以配置成選擇性地被啟動及/或停用。做為一個實例,在只利用一凸紋印花掃描器之一部分(例如,相對於一 隻手之所有5根手指,用於一根或兩根手指)的情況下,可能啟動對應於該使用部分之那些感測器,而停用剩餘感測器。在此實例中,可能啟動及/或停用不同的感測器陣列,以適合一特定使用及/或一影像捕捉事件。
圖5係描述一實例實施500之組件圖,其中可以實施在此所述之系統的一個或多個部分。在一實施中,可以在一陣列基板層510上配置一感測器陣列(例如,或其像一薄膜電晶體(TFT)之部分)及/或感測器陣列層502。做為一個實例,該陣列基板510可以包括一像玻璃、石英、非晶矽及/或配置用以提供該感測器陣列一合適基板之合適聚合物(例如,像聚對酞酸乙二酯(polyethylene terephthalate)之熱塑性聚合物)、樹脂或塗層混合物/化合物(例如,或兩個或兩個以上材料之組合)之合適基板材料。再者,在一實施中,例如,可以在該陣列基板層510上形成個別感測器陣列及/或陣列層502,以便將該等感測器陣列及/或該陣列層502適當地黏附至該基板層510。
在一實施中,該陣列基板層510可以包括一可成形為一互補凸紋物件形狀(例如,一容納一根手指及/或一隻手之互補形狀)之基板。做為一個實例,可以使該凸紋印花資料產生組件(包括該等組合式感測器陣列及該電發光層(例如,以及基板))形成為一考量一凸紋物件之改良座位的形狀。亦即,例如,該凸紋印花資料產生組件可以包括一使該手或手指適當地就位之手或手指壓印;一用以、在更正常保持位置容納兩隻手之彎曲形狀(圓頂形狀);及/或其它與該凸紋物件成互補之形狀。
在一實施中,該電發光層504可以配置在一發光面 (LES)基板層508上。在一實施中,該LES基板層508可以包括一薄膜型透明基板,例如,其包括薄膜玻璃、石英、非晶矽及/或適用以構成基板之合適聚合物。在一實施中,該LES基板層508可以包括一黏著層(例如,黏著劑),其配置用以使該電發光層504(例如,及/或該薄膜型透明基板)黏附至該組合式感測器陣列層502。做為一個實例,該黏著層可包括一透明黏著劑(例如,包括環氧黏著劑(環氧(類)樹脂(Araldite))、聚乙烯丁醛膠(polyvinyl butyral paste)、乙二醇乙醚醋酸(ethylene glycol monoethyl ether acetate)、正丁基縮水甘油醚(n-butyl glycidyl ether)、消泡劑(defoamer)及阻燃劑(retardant)之混合物)。
在一實施中,該LES基板層508可以包括一個或多個之偏光層,其可定位於該電發光層504與該感測器陣列層502間。做為一個實例,可配置一偏光層,以傳送來自該電發光層504之垂直入射光至該感測器陣列層502(例如,及吸收其它光)。這樣一來,例如,到達該感測器陣列層502之光可能比沒有通過該偏光層之光被散射的少。
在一實施中,該LES基板層508可以包括一個或多個遮光圖案層,其可以定位在該電發光層504與該感測器陣列層502間(例如,取代該偏光層)。做為一個實例,該遮光圖案層可以包括一在該感測器陣列層502中之感測器的形狀周圍所形成之不透明(例如黑色)薄膜圖案。例如,該遮光圖案層可以包括只允許相對地垂直於該電發光層504之平面的入射光傳送至下面的感測器之複數個開口。
在一實施中,該LES基板層508可以一個或多個組 合及/或配置方式包括該等上述層中之一個或多個(例如,薄膜型透明基板、黏著層、一個或多個偏光層及/或一個或多個遮光圖案層)。在一實施中,如上所述,該LES基板層508可以包括一可成形為一互補凸紋物件形狀之基板。
在一實施中,在該電發光層504之上面可以配置一覆蓋層506(例如,且與其接觸)。做為一個實例,該覆蓋層506可以包括一可配置在該電發光層504上方之遮光層。例如,可以配置一遮光層,以減少該電發光層504所產生之光子的通過。亦即,例如,該遮光層可以由促使該電發光層504所發射之光子被反射回該感測器陣列層502的材料所構成。
做為另一個實例,該覆蓋層506可以包括一配置在該電發光層504上方之保護層。例如,該保護層可以配置成用以該電發光層504(例如,及/或其它配置在下面之層)不受可能的磨耗、衝擊及/或水的損壞。做為一個實例,該保護層可以由一像玻璃、聚合物及/或樹脂(例如,像三聚氰胺樹脂(melamine resin)之熱固性樹脂)之合適材料所構成。在一實施中,該覆蓋層506可以一個或多個組合及/或配置方式包括上述層後之一個或多個(例如,該遮光層及/或該保護層)。
圖6係描述一用以製造一產生一凸紋印花影像之系統的示範性方法600之流程圖。該示範性方法600開始於步驟602。在步驟604中,一第一影像感測器可操作地耦接於一第二影像感測器,導致一馬賽克影像感測器。在此,該馬賽克影像感測器係配置成用以產生一第一組凸紋印花資料及一第二組凸紋印花資料。該第一組可包括由該第一影像感測器所接收之來自一電發光層之光的 第一讀數。該第二組可包括由該第二影像感測器所接收之來自該電發光層之光的第二讀數。
在步驟606中,該電發光層係配置在該馬賽克影像感測器上/上方。在此,該電發光層係配置成用以朝該馬賽克影像感測器發射光子。在步驟608中,該馬賽克影像感測器可操作地耦接至一影像拼接組件。該影像拼接組件係配置成用以將該第一組與該第二組拼接在一起,以產生一表示一凸紋印花影像之第三組資料。已耦接該馬賽克影像感測器至該影像拼接組件後,該示範性方法600結束於步驟610。
圖7係描述一實例實施之流程圖,其中可以實施在此所述之一個或多個技術的一個或多個部分。在步驟702中,可以在一第一感測器陣列基板上方形成一第一感測器陣列,以產生該第一影像感測器,以及在步驟704中,可以在一第二感測器陣列基板上方形成一第二感測器陣列,以產生該第二影像感測器。做為一個實例,一薄膜感光感測器陣列可以被形成於一像玻璃、石英、非晶矽及/或配置用以提供該感測器陣列一合適基板之合適聚合物(例如,像聚對酞酸乙二酯(polyethylene terephthalate)之熱塑性聚合物)、樹脂或塗層混合物/化合物(例如,或兩個或兩個以上材料之組合)之合適基板材料上方。
在步驟710中,可以形成一電發光層基板。形成一電發光層可以包括在步驟712中,沉積一個或多個偏光層、在步驟714中,沉積一個或多個光圖案層及/或在步驟716中,(例如,在其它層間)沉積一個或多個黏著層。做為一個實例,該電發光層基板可以包括一薄膜型透明基板,其包含薄膜玻璃、石英、非晶矽及/或適 用以構成基板之合適聚合物。
再者,例如,該電發光層基板可以包括一個或多個偏光層,其可定位在該電發光層與該等感測器陣列中之一個或多個感測器陣列間。該(等)偏光層可配置成用以傳送來自該電發光層之垂直入射光至該等感測器陣列中之一個或多個感測器陣列。此外,該電發光層基板可以包括一個或多個遮光圖案層,其可以包括只允許相對地垂直於該電發光層之平面的入射光傳送至下面的感測器之複數個開口
在該實例實施700之步驟718中,可以在該電發光層基板上沉積該電發光層(例如,使用一黏者層)。在步驟708中,可以在該馬賽克影像感測器750上沉積該組合電發光層及電發光層基板。
在步驟720中,可以在該電發光層上方沉積一保護層。沉積該保護層可以包括在步驟722中,沉積一耐衝擊層、在步驟724中,沉積一耐液層及/或在步驟726中,沉積一耐磨層。在一實施中,該保護層可配置成用以保護該電發光層(例如,及/或下面所沉積之其它層)不受可能的磨耗、衝擊及/或水的損壞。做為一個實例,該保護層可以由一像玻璃、聚合物及/或樹脂(例如,像三聚氰胺樹脂(melamine resin)之熱固性樹脂)之合適材料所構成。在一實施中,該保護層可以一個或多個組合及/或配置方式包括上述層中之一個或多個層。
在一實施中,在步驟730中,該組合馬賽克影像感測器及電發光層(例如,及其它層及/或基板)可以成形為一互補凸紋物件形狀。做為一個實例,該電發光層基板及/或該感測器陣列基板可 以包括可形成為一期望構造之材料。例如,亦即,可以形成一手指及/或手容納形狀與該手指及/或手成互補(例如,成形為一容納壓印)。做為另一實例,可以在一為了凸紋印花成像可輕易地容納接收兩隻手之圓頂形狀上形成該組合馬賽克影像感測器及該電發光層。
在該實例實施700之步驟728中,該馬賽克影像感測器可以可操作地耦接於該影像拼接組件。該影像拼接組件可配置成用以將(例如,來自個別耦接感測器陣列之)數組影像拼接在一起,以產生一組包含一凸紋印花資料之資料。做為一個實例,可以使用複數個耦接感測器,使一隻在一手印掃描器之一表面上所放置之手成像,以個別捕捉該手之一部分的影像。可藉由該影像拼接組件來組合該等結果影像,導致一只包含該手之凸紋印花的組合影像。
該文字「示範性」在此係用以表示充當一實例、例子或範例。在此所述之做為「示範性」的任何態樣或設計沒有必要被解讀為具有超越其它態樣或設計之優點。更確切地說,該文字示範性之使用意欲以具體方式來呈現觀念。在此說明書中所使用之術語「或」意欲表示包容性的「或」,而不是排斥性的「或」。亦即,除非有其它具體指定,或者從上下文可清楚知道,否則「X利用A或B」意欲表示任何自然包容性排列。亦即,如果X利用A;X利用B;或X利用A及B,則在任何前述例子下滿足「X利用A或B」。再者,A及B中之至少一者及/或相似者通常表示A或B或者A和B兩者。此外,除非有其它具體指定或從上下文可清楚知道為單數形式,否則在此說明書及所附請求項中所使用之冠詞「一」(「a」及「an」)通常可以被解讀為表示“一個或多個”。
雖然以專屬於結構特徵及/或方法行為之語言來描述標的物,但是要了解到,在所附請求項中所界定之標的物沒有必要侷限於上面所述之特定特徵或行為。更明確地說,上面所述之特徵及行為係被揭露做為實施該等請求項之實例類型。當然,熟習該項技術者將認知到,可以在沒有脫離所主張標的物之範圍或精神的情況下對此構造實施許多的修改。
在此說明書中所使用之術語「組件」、「模組」、「系統」、「介面」等係用以意指一電腦相關實體,其為硬體、硬體與軟體之組合、軟體或執行中的軟體(software in execution)。例如,一組件可以是,但不侷限於,一在一處理器上執行之過程、一處理器、一物件、一可執行檔、一執行線程、一程式及/或一電腦。舉例來說,一在一控制器上執行之應用程式及該控制器可以是一組件。一個或多個組件可以存在於一執行過程或線程中及一組件可以被局部化於一電腦上及/或分配於兩個或兩個以上電腦間。
並且,雖然已表示及描述關於一個或多個實施之揭露,但是熟習該項技術者根據此說明書及所附圖式之研讀及了解將想到等效的變更及修改。該揭露包括所有這樣的修改及變更且只侷限於下面請求項之範圍。特別是關於上述組件(例如,元件、資源等)所實施之各種功能,即使在結構上沒有等同於在該揭露之所述示範性實施中實施功能之揭露結構,除非有其它表示,否則用以描述這樣的組件之術語意欲與實施該所述組件之特定功能的任何組件一致(亦即,在功能上係等效的)。
此外,雖然已揭露只關於數個實施中之一的該揭露之一特定特徵,但是當需要且對於任何給定或特定應用係有利時,可 以使這樣的特徵與其它實施之一個或多個特徵組合。再者,就在詳細敘述或請求項中使用術語「包括(includes)」、「具有(having)」、「具有(has)」、「具有(with)」或其變型來說,這樣的術語意欲以相似於術語「包括(comprising)」之方式為包容性的。
上面已描述該等實施。熟習該項技術者將顯而易知,在不脫離本發明之一般範圍的情況下上述方法及裝置可以包含變更及修改。只要這樣的修改及變更是在所附請求項或其均等物之範圍內,它意欲包含所有這樣的修改及變更在內。
100‧‧‧身體部位凸紋印花辨識環境
102‧‧‧凸紋印花產生器
104‧‧‧感測器裝置
106‧‧‧電發光組件
108‧‧‧電連接
110‧‧‧透明電極
112‧‧‧發光層
114‧‧‧介電層
116‧‧‧距離
118‧‧‧凸紋物件

Claims (20)

  1. 一種用以產生一凸紋印花影像之系統,包括:一凸紋印花資料產生組件,其配置成用以產生一第一組凸紋印花資料及一第二組凸紋印花資料,該第一組包括由一第一感測器陣列所接收之來自一電發光層之光的第一讀數,該第二組包括與該第一組被該第一感測器陣列接收實質上同時由一第二感測器陣列所接收之來自該電發光層之光的第二讀數,該凸紋印花資料產生組件包括:該第一感測器陣列,其配置成用以轉換所接收之光子成為一電信號、可操作地耦接於該第二感測器陣列,該第二感測器陣列配置成用以轉換所接收之光子成為一電信號;以及該電發光層,其配置在該第一感測器陣列與該第二感測器陣列之組合的上方;以及一影像拼接組件,其可操作地耦接於該凸紋印花資料產生組件、配置成用以將該第一組與該第二組拼接在一起,導致一表示一凸紋印花影像之第三組凸紋印花資料。
  2. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該第一組包括來自一凸紋物件之一第一部分的凸紋印花資料及該第二組包括來自一凸紋物件之一第二部分的凸紋印花資料。
  3. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該第一組包括來自一第一凸紋物件之至少一部分的凸紋印花資料及該第二組包括來自一第二凸紋物件之至少一部分的凸紋印花資料。
  4. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該凸紋印花資料產生組件進一步包括複數個感測器陣列,其中:個別感測器陣列係可操作地耦接至至少一其它感測器陣列及配置成 用以將所接收之光子轉換成為一電信號;以及該影像拼接組件係配置成用以將從個別感測器陣列所產生之凸紋印花影像資料拼接在一起,導致表示該凸紋印花影像之該第三組凸紋印花資料。
  5. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該第一感測器陣列及該第二感測器陣列包括下列中之一個或多個:一感光薄膜電晶體(TFT);一薄膜光二極體;一互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器;以及一電荷耦合裝置(CCD)影像感測器。
  6. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該凸紋印花資料產生組件包括一黏附在下列中之一個或多個之下方的感測器陣列基板:該第一感測器陣列;該第二感測器陣列;以及該第一感測器陣列與該第二感測器陣列之組合。
  7. 如申請專利範圍第6項之系統,其中,該感測器陣列基板係配置成形為一互補凸紋物件形狀。
  8. 如申請專利範圍第7項之系統,其中,該凸紋印花資料產生組件係以該互補凸紋物件形狀來配置。
  9. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該第一感測器陣列及該第二感測器陣列中之一個或多個係進一步配置成可選擇性地從該凸紋印花資料產生組件移除。
  10. 如申請專利範圍第8項之系統,其中,該凸紋印花資料產生組件係進一步配置成容納一第三感測器陣列,以做為一被移除感測器陣列 之替換,該第三感測器陣列係配置成用以實施相同於該被移除感測器陣列之功能。
  11. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該第一感測器陣列及該第二感測器陣列中之一個或多個係進一步配置成為下列中之一個或多個:選擇性地被啟動;以及選擇性地被停用。
  12. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該凸紋印花資料產生組件進一步包括在一電發光層基板上方所配置之該電發光層,該電發光層基板係配置在該第一感測器陣列及該第二感測器陣列之組合上方。
  13. 如申請專利範圍第12項之系統,其中,該電發光層基板包括下列中之一個或多個:一個或多個偏光層;一個或多個遮光圖案層,其配置成用以朝該第一感測器陣列及該第二感測器陣列中之一個或多個以一期望圖案引導入射光;以及一個或多個黏著層,其配置成用以使一第一層黏附至一第二層。
  14. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,該凸紋印花資料產生組件進一步包括一配置在該電發光層上方之保護層,該保護層包括下列中之一個或多個:一耐磨層;一耐液層;以及一耐衝擊層。
  15. 一種製造一用以產生一凸紋印花影像之系統的方法,包括:可操作地耦接一第一影像感測器及一第二影像感測器,導致一配置 成用以產生一第一組凸紋印花資料及一第二組凸紋印花資料之馬賽克影像感測器,該第一組包括由該第一影像感測器所接收之來自一電發光層之光的第一讀數,該第二組包括與該第一組被該第一感測器陣列接收實質上同時由該第二影像感測器所接收之來自該電發光層之光的第二讀數;沉積該電發光層於該馬賽克影像感測器上方,該電發光層係配置成用以朝該馬賽克影像感測器發射光子;以及可操作地耦接該馬賽克影像感測器至一影像拼接組件,該影像拼接組件係配置成用以將該第一組與該第二組拼接在一起,導致一表示一凸紋印花影像之第三組資料。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法,進一步包括下列中之一個或多個:形成一第一感測器陣列於一第一感測器陣列基板上方,導致該第一影像感測器;以及形成一第二感測器陣列於一第二感測器陣列基板上方,導致該第二影像感測器。
  17. 如申請專利範圍第15項之方法,進一步包括沉積該電發光層於一在該馬賽克影像感測器上方所配置之電發光層基板上,該電發光層基板包括下列中之一個或多個:一個或多個偏光層;一個或多個遮光圖案層,其配置成用以朝該第一影像感測器及該第二影像感測器中之一個或多個以一期望圖案引導入射光;以及一個或多個黏著層,其配置成用以使一第一層黏附至一第二層。
  18. 如申請專利範圍第15項之方法,進一步包括沉積一配置在該電 發光層上方之保護層,該保護層包括下列中之一個或多個:一耐磨層;一耐液層;以及一耐衝擊層。
  19. 如申請專利範圍第15項之方法,進一步包括以一互補凸紋物件形狀組合形成該馬賽克影像感測器及該電發光層。
  20. 一種用以產生一凸紋印花影像之裝置,包括:一凸紋印花資料產生組件,其配置成用以產生一第一組凸紋印花資料及一第二組凸紋印花資料,該第一組包括由一第一感測器陣列所接收之來自一電發光層之光的第一讀數,該第二組包括與該第一組被該第一感測器陣列接收實質上同時由一第二感測器陣列所接收之來自該電發光層之光的第二讀數,該凸紋印花資料產生組件包括:該第一感測器陣列,其配置成用以轉換所接收之光子成為一電信號及包括一在一第一感測器陣列基板上方所形成之第一薄膜感光感測器陣列;該第二感測器陣列,其可操作地耦接於該第一感測器陣列、配置成用以轉換所接收之光子成為一電信號及包括一在一第一感測器陣列基板上方所形成之第二薄膜感光感測器陣列;以及該電發光層,其配置在一電發光層基板上方,該電發光層基板係配置在該第一感測器陣列與該第二感測器陣列之組合的上方;一保護層,其配置在該電發光層上方;以及一影像拼接組件,其可操作地耦接於該凸紋印花資料產生組件、配置成用以將該第一組與該第二組拼接在一起,導致一表示一凸紋印花影像之第三組資料。
TW103116495A 2013-05-10 2014-05-09 凸紋印花成像之組合式感測器陣列 TWI590166B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/891,788 US9228824B2 (en) 2013-05-10 2013-05-10 Combined sensor arrays for relief print imaging

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201504953A TW201504953A (zh) 2015-02-01
TWI590166B true TWI590166B (zh) 2017-07-01

Family

ID=50928290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103116495A TWI590166B (zh) 2013-05-10 2014-05-09 凸紋印花成像之組合式感測器陣列

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9228824B2 (zh)
TW (1) TWI590166B (zh)
WO (1) WO2014183009A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8988539B1 (en) * 2013-09-27 2015-03-24 The United States Of America As Represented By Secretary Of The Navy Single image acquisition high dynamic range camera by distorted image restoration
JP6241230B2 (ja) * 2013-11-28 2017-12-06 富士通株式会社 生体情報判定装置及びプログラム
KR101967033B1 (ko) 2014-04-10 2019-04-08 아이비코리아 유한회사 터치-가동 디바이스용 생체인식 센서
CN109791961A (zh) * 2016-07-20 2019-05-21 Ib韩国有限公司 具有量子点的发光膜
JP6862153B2 (ja) * 2016-11-16 2021-04-21 ソニーモバイルコミュニケーションズ株式会社 情報処理装置および情報処理方法
CN106813781B (zh) * 2016-12-21 2019-06-18 北京空间机电研究所 一种红外探测器超大面阵复合拼接方法
CN106980850B (zh) * 2017-06-02 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路检测装置及其纹路检测方法
CN118256865A (zh) * 2018-07-10 2024-06-28 耐科思特生物识别集团股份公司 电子设备及其制造方法
KR20210156372A (ko) * 2020-06-17 2021-12-27 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서, 그의 제조 방법, 및 그를 포함한 표시 장치
US12046688B2 (en) * 2021-07-27 2024-07-23 HannsTouch Holdings Company Light sensing unit of light sensing device

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR920007329B1 (ko) 1990-05-30 1992-08-31 금성사 주식회사 지문인식기용 광학장치
US5335288A (en) 1992-02-10 1994-08-02 Faulkner Keith W Apparatus and method for biometric identification
US5650842A (en) 1995-10-27 1997-07-22 Identix Incorporated Device and method for obtaining a plain image of multiple fingerprints
US6111977A (en) 1997-04-17 2000-08-29 Cross Match Technologies, Inc. Hand-held fingerprint recognition and transmission device
US6856383B1 (en) 1997-09-05 2005-02-15 Security First Corp. Relief object image generator
US6501846B1 (en) * 1997-11-25 2002-12-31 Ethentica, Inc. Method and system for computer access and cursor control using a relief object image generator
FR2773897A1 (fr) 1998-01-22 1999-07-23 Sagem Dispositif de prise d'empreintes
US6178255B1 (en) 1998-04-28 2001-01-23 Cross Match Technologies, Inc. Individualized fingerprint scanner
KR100345283B1 (ko) 1998-05-15 2002-10-25 테스텍 주식회사 접촉발광소자와그의제조방법및이를이용한접촉입력장치
DE69923495D1 (de) 1998-05-15 2005-03-10 Testech Inc Eine auf Berührung reagierende lichtemittierende Vorrichtung, ein Verfahren zu deren Herstellung, und deren Verwendung in einem Berührungseingabegerät
KR100324130B1 (ko) 1998-07-28 2002-03-08 정문술 접촉발광소자를이용한신원확인장치
KR100302026B1 (ko) 1999-03-13 2001-09-26 정문술 지문을 이용한 카드조회장치 및 방법
KR100285130B1 (ko) 1999-03-13 2001-03-15 정문술 지문이미지의 자동 밝기 조정 장치
KR100302025B1 (ko) 1999-03-16 2001-09-26 정문술 지문을 이용한 원격 카드 조회 장치 및 방법
KR100290955B1 (ko) 1999-03-16 2001-05-15 정문술 접촉면의 가변이 가능한 접촉발광소자
KR100290954B1 (ko) 1999-03-16 2001-05-15 정문술 압착 날인 가이드
KR100309738B1 (ko) 1999-06-16 2001-11-01 정문술 지문 접촉 감지장치
KR100305519B1 (ko) 1999-06-16 2001-11-01 정문술 지문 접촉 감지장치
KR100349113B1 (ko) 2000-01-10 2002-08-17 테스텍 주식회사 지문 인식센서의 제조방법과 지문인식 시스템
KR100349415B1 (ko) 2000-01-13 2002-08-19 테스텍 주식회사 아이씨 카드
KR100345282B1 (ko) 2000-01-26 2002-07-25 테스텍 주식회사 발광휘도가 개선된 접촉발광소자의 제조 방법
KR100343065B1 (ko) 2000-06-24 2002-07-02 장대훈 지문인식 시스템
KR100350023B1 (ko) 2000-08-21 2002-08-24 테스텍 주식회사 지문이미지의 보정방법
KR100348520B1 (ko) 2000-08-21 2002-08-14 테스텍 주식회사 지문이미지의 보정방법
KR100378994B1 (ko) 2000-11-07 2003-04-07 테스텍 주식회사 패턴화된 플로팅 전극이 구비된 지문인식소자 및 그제조방법
KR100380836B1 (ko) 2000-12-13 2003-04-18 테스텍 주식회사 잠금장치
KR100460825B1 (ko) 2001-02-14 2004-12-09 테스텍 주식회사 지문이미지 취득방법
KR100466287B1 (ko) 2002-03-12 2005-01-13 테스텍 주식회사 지문이미지의 인증방법
KR100465136B1 (ko) 2002-03-12 2005-01-13 테스텍 주식회사 지문이미지의 영상처리방법
KR100467279B1 (ko) 2002-03-12 2005-01-24 테스텍 주식회사 지문이미지의 등록방법
KR100560347B1 (ko) 2002-03-29 2006-03-14 테스텍 주식회사 지문인식장치의 tft 지문입력기 제조방법
KR100436376B1 (ko) 2002-03-29 2004-06-19 테스텍 주식회사 접촉발광소자와 tft 지문입력기를 이용한 슬림형지문인식장치
KR100439633B1 (ko) 2002-08-20 2004-07-12 테스텍 주식회사 다층전극을 이용한 지문인식 센서모듈 및 그 제조방법
US7164782B2 (en) * 2003-04-18 2007-01-16 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. System and method for time-space multiplexing in finger-imaging applications
JP2006517311A (ja) * 2003-06-30 2006-07-20 モビソル 指紋認証機能を備えたポインティング装置とその指紋認証及びポインティング方法、並びにその指紋認証を用いた携帯端末機のサービス提供方法
WO2005067608A2 (en) 2004-01-07 2005-07-28 Identification International, Inc. Low power fingerprint capture system, apparatus, and method
KR100575144B1 (ko) 2004-03-10 2006-04-28 씨큐트로닉스 (주) 모바일기기용 광학 지문입력 장치
US8447077B2 (en) * 2006-09-11 2013-05-21 Validity Sensors, Inc. Method and apparatus for fingerprint motion tracking using an in-line array
US7508965B2 (en) 2004-06-01 2009-03-24 Lumidigm, Inc. System and method for robust fingerprint acquisition
US7379570B2 (en) 2005-01-19 2008-05-27 E-Pin International Tech Co., Ltd. Optical engine for fingerprint reader
EP1727366A1 (en) 2005-05-24 2006-11-29 Mobile Mentor NZ Limited A portable imaging device
US7552467B2 (en) 2006-04-24 2009-06-23 Jeffrey Dean Lindsay Security systems for protecting an asset
TWM322582U (en) * 2007-04-18 2007-11-21 Quanta Comp Inc Fingerprint identification system
US8275179B2 (en) 2007-05-01 2012-09-25 3M Cogent, Inc. Apparatus for capturing a high quality image of a moist finger
KR100879381B1 (ko) 2007-06-04 2009-01-20 테스텍 주식회사 프리즘을 이용한 광학식 지문획득장치
JP5132198B2 (ja) 2007-06-07 2013-01-30 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法、及びプログラム
CN101656299B (zh) 2008-08-22 2012-01-18 埃比克瑞亚有限公司 接触发光元件、其制造方法以及指纹识别装置
US20100142790A1 (en) 2008-12-04 2010-06-10 New Medical Co., Ltd. Image processing method capable of enhancing contrast and reducing noise of digital image and image processing device using same
US20120014569A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Ib Korea Ltd. Method and apparatus for slim type fingerprint recognition device
US8520114B2 (en) * 2011-06-01 2013-08-27 Global Oled Technology Llc Apparatus for displaying and sensing images

Also Published As

Publication number Publication date
TW201504953A (zh) 2015-02-01
WO2014183009A1 (en) 2014-11-13
US9228824B2 (en) 2016-01-05
US9563801B2 (en) 2017-02-07
US20160086011A1 (en) 2016-03-24
US20140331875A1 (en) 2014-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI590166B (zh) 凸紋印花成像之組合式感測器陣列
CN106022324B (zh) 一种纹路识别显示装置
US10614281B2 (en) Optical fingerprint imaging system and array sensor
CN110199250B (zh) 在显示屏幕上光学捕获指纹或其它影像的装置及方法
CN108734073B (zh) 一种检测装置及终端设备
US10410038B2 (en) Optical fingerprint module
CN109426774B (zh) 显示装置、显示面板及其制造方法、驱动方法
CN112070018B (zh) 指纹识别装置和电子设备
US20190034686A1 (en) Optical Fingerprint Module
EP3267483B1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, x-ray flat panel detector and camera system
JP6501911B2 (ja) 指紋認識素子及びタッチデバイス
US7875949B2 (en) Image sensor device with submicron structure
CN108447937B (zh) 一种感光组件、指纹识别面板及装置
WO2019024538A1 (zh) 指纹识别结构及其制作方法
TW201543373A (zh) 用於觸控裝置之生物辨識感測器
TWI611572B (zh) 三維影像感測器以及三維影像擷取裝置
WO2017004981A1 (zh) 非可见光平板检测器及其制备方法、影像设备
CN111653599B (zh) 指纹识别显示面板和显示装置
CN1595200A (zh) 放射线检测器
CN110197834A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板和指纹识别显示装置
KR20210069778A (ko) 광 센서 및 광 센서를 포함하는 표시 장치
KR20210013508A (ko) 광 센서, 광 센서의 제조 방법 및 광 센서를 포함하는 표시 장치
US10803279B2 (en) Photosensitive component, display device and fingerprint identification method
US11263420B2 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
JP4930329B2 (ja) 生体認証装置