JP4930329B2 - 生体認証装置 - Google Patents

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本発明は、生体認証装置に関する。
近年、ATMやマンション、携帯端末等において本人であることを確認する技術として、例えば、被験者の指先の指紋パターンを読み取る指紋読取装置等の生体認証技術が採用されている。指紋読取装置としては、例えば特許文献1,2に示すように、複数のフォトセンサがマトリクス状に配列された撮像装置を備えるものがある。
また、他の生体認証技術としては、被験者の手の静脈パターンを読み取る静脈認証装置が知られている。
特許第3019632号明細書 特許第3116950号明細書
しかし、従来の生体認証装置では、指紋パターンと静脈パターンとを同時に読み取ることはできなかった。
本発明の課題は、指紋パターンと静脈パターンとを同時に読み取ることができる生体認証装置を提供することである。
以上の課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、複数の受光素子がマトリクス状に形成され、被写体が載置される第1の受光面を有する第1の撮像装置と、複数の受光素子がマトリクス状に形成され、光を受光する第2の受光面を有する第2の撮像装置と、複数のレンズが、前記第2の撮像装置の前記複数の受光素子と同一のパターンピッチで、マトリクス状に形成されたレンズアレイと、を備え、前記第2の撮像装置は、前記第2の受光面を、前記第1の撮像装置の前記第1の受光面同一方向に向けた状態で前記第1の撮像装置の背面側に配置され、前記レンズアレイは、前記第1の撮像装置の背面と前記第2の撮像装置の前記第2の受光面との間に設けられて、前記複数のレンズの各々は前記第2の撮像装置の前記各受光素子に対応する位置に配置され、前記各受光素子は、受光部をなす半導体薄膜を有し、前記レンズアレイの前記各レンズの前記第1の撮像装置側の前側焦点面が前記第1の受光面に載置される前記被写体内となる位置あり、前記各レンズの前記第2の撮像装置側の後側焦点面が前記第2の撮像装置の前記各受光素子の前記半導体薄膜の位置にあることを特徴とする生体認証装置である。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の生体認証装置であって、前記第1の撮像装置の前記各受光素子と前記第2の撮像装置の前記各受光素子とは、同一のパターンピッチで、行方向及び列方向にマトリクス状に形成され、前記第2の撮像装置の前記各受光素子は、平面視して、前記第1の撮像装置の前記各受光素子に対し、行方向及び/または列方向に1/2ピッチずれた位置に形成されていることを特徴とする。
請求項に記載の発明は、複数の受光素子がマトリクス状に形成され、人体の特定部位を含む被写体が載置される第1の受光面を有し、前記被写体の指紋パターンを読み取る第1の撮像装置と、複数の受光素子がマトリクス状に形成され、光を受光する第2の受光面を有し、前記被写体の静脈パターンを読み取る第2の撮像装置と、複数のレンズが、前記第2の撮像装置の前記複数の受光素子と同一のパターンピッチで、マトリクス状に形成されたレンズアレイと、を備え、前記第2の撮像装置は、前記第2の受光面を、前記第1の撮像装置の前記第1の受光面と同一方向に向けた状態で、前記第1の撮像装置の背面側に配置され、前記レンズアレイは、前記第1の撮像装置の背面と前記第2の撮像装置の前記第2の受光面との間に設けられて、前記複数のレンズの各々は前記第2の撮像装置の前記各受光素子に対応する位置に配置され、前記各受光素子は、受光部をなす半導体薄膜を有し、前記レンズアレイの前記各レンズの前記第1の撮像装置側の前側焦点面が前記第1の受光面に載置される前記被写体内となる位置あり、前記各レンズの前記第2の撮像装置側の後側焦点面が前記第2の撮像装置の前記各受光素子の前記半導体薄膜の位置にあることを特徴とする。
請求項に記載の発明は、請求項に記載の生体認証装置であって、前記第1の撮像装置の前記各受光素子と前記第2の撮像装置の前記各受光素子とは、同一のパターンピッチで、行方向及び列方向にマトリクス状に形成され、前記第2の撮像装置の前記各受光素子は、平面視して、前記第1の撮像装置の前記各受光素子に対し、行方向及び/または列方向に1/2ピッチずれた位置に形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、指紋パターンと静脈パターンとを同時に読み取ることができる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
図1は本発明に係る生体認証装置1の撮像部2を示す概略図である。生体認証装置1は、図1に示すように、上部固体撮像デバイス20、下部固体撮像デバイス120、レンズアレイ60からなる撮像部2と、制御部50(図5参照)と、光源70(図6、図7参照)とから概略構成される。
図2は上部固体撮像デバイス20の平面図であり、図3は図2のIII部の拡大図であり、図4は図3のIV−IV矢視断面図である。上部固体撮像デバイス20は、透明基板10と、複数のダブルゲートトランジスタ3,3,・・・(受光素子)と、ボトムゲート絶縁膜12と、層間絶縁膜19と、保護絶縁膜21と、静電保護膜22と、等を備える。
透明基板10は略平板状であり、絶縁性を有し、赤外線を透過させる。透明基板10としては、石英ガラス等のガラス基板、または、ポリカーボネート等のプラスチック基板を用いることができる。
ダブルゲートトランジスタ3は、透明基板10の一方の面上にn行m列のマトリクス状に配列され、画素となる電気素子である。ここで、n、mは整数であり、図1ではn=m=4である。それぞれのダブルゲートトランジスタ3は透明基板10、ボトムゲート絶縁膜12、層間絶縁膜19、保護絶縁膜21の間に形成され、ボトムゲート電極11と、半導体膜13と、チャネル保護膜14と、不純物半導体膜15,16と、ドレイン電極17と、ソース電極18と、トップゲート電極23と、を具備する。
透明基板10上には、ボトムゲート電極11がダブルゲートトランジスタ3ごとにマトリクス状となって形成されている。横方向に配列された同一行の各ダブルゲートトランジスタ3のボトムゲート電極11は、透明基板10上に横方向に延在するn本のボトムゲートライン41と一体となって形成されている。ボトムゲート電極11及びボトムゲートライン41は、導電性及び遮光性を有し、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。
ボトムゲート電極11及びボトムゲートライン41上には、全てのダブルゲートトランジスタ3,3,・・・に共通したボトムゲート絶縁膜12が形成されている。ボトムゲート絶縁膜12は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
ボトムゲート絶縁膜12上には、半導体膜13がボトムゲート電極11と対向してダブルゲートトランジスタ3ごとにパターニングされて形成されている。半導体膜13は、平面視して略矩形状を呈しており、アモルファスシリコン又はポリシリコンで形成された層である。半導体膜13の中央部上には、チャネル保護膜14が形成されている。チャネル保護膜14は、パターニングに用いられるエッチャントから半導体膜13の表面を保護する機能を有し、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。半導体膜13に光が入射すると、光量に従った量の電子−正孔対がチャネル保護膜14と半導体膜13との界面付近を中心に発生するようになっている。
半導体膜13の一端部上には、不純物半導体膜15が一部チャネル保護膜14に重なるようにして形成されており、半導体膜13の他端部上には、不純物半導体膜16が一部チャネル保護膜14に重なるようにして形成されている。不純物半導体膜15,16は半導体膜13の両端部上に互いに離間して形成される。不純物半導体膜15,16は、n型の不純物イオンを含むアモルファスシリコン(n+シリコン)からなる。
不純物半導体膜15上には、ダブルゲートトランジスタ3ごとにパターニングされたドレイン電極17が形成されている。縦方向に配列された同一列の各ダブルゲートトランジスタ3のドレイン電極17は縦方向に延在するドレインライン43と一体に形成されている。
不純物半導体膜16上には、ダブルゲートトランジスタ3ごとにパターニングされたソース電極18が形成されている。縦方向に配列された同一列の各ダブルゲートトランジスタ3のソース電極18は縦方向に延在するソースライン42と一体に形成されている。
ドレイン電極17、ソース電極18、ドレインライン43及びソースライン42は、導電性及び遮光性を有しており、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。
全てのダブルゲートトランジスタ3,3,・・・のチャネル保護膜14、ドレイン電極17及びソース電極18並びにドレインライン43及びソースライン42上には、全てのダブルゲートトランジスタ3,3,・・・に共通した層間絶縁膜19が形成されている。層間絶縁膜19は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
層間絶縁膜19上には、ダブルゲートトランジスタ3ごとにトップゲート電極23が半導体膜13に対向するようにパターニングされて形成されている。横方向に配列された同一行の各ダブルゲートトランジスタ3のトップゲート電極23は横方向に延在するトップゲートライン44と一体に形成されている。
トップゲート電極23及びトップゲートライン44は、透光性を有した金属酸化物等といった透明導電体であり、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム)で形成されている。
全てのダブルゲートトランジスタ3,3,・・・のトップゲート電極23及びトップゲートライン44上には、共通の保護絶縁膜21が形成されている。保護絶縁膜21は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
以上のように構成されたダブルゲートトランジスタ3は、半導体膜13を受光部とした光電変換素子である。
静電保護膜22は、保護絶縁膜21を覆うように形成されており、ダブルゲートトランジスタ3を静電気から保護する。静電保護膜22は、透光性を有した金属酸化物等といった透明導電体であり、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム)で形成されている。
図5は生体認証装置1の上部固体撮像デバイス20と接続した部分の回路構成を示したブロック図である。図5に示すように、上部固体撮像デバイス20は、制御部50と接続されたトップゲートドライバ54、ボトムゲートドライバ51及びパラレル−シリアル変換回路53と接続される。ボトムゲートドライバ51、パラレル−シリアル変換回路53及びトップゲートドライバ54は生体認証装置1本体に設けられた制御部50により制御される。
ボトムゲートドライバ51、パラレル−シリアル変換回路53及びトップゲートドライバ54は、協同して上部固体撮像デバイス20を駆動するものである。ボトムゲートドライバ51はボトムゲートライン41に接続され、パラレル−シリアル変換回路53はドレインライン43に接続され、トップゲートドライバ54はトップゲートライン44に接続される。
トップゲートドライバ54は、シフトレジスタであり、所定の電圧のリセットパルスを各行のトップゲートライン44に順次印加する。
なお、全てのソースライン42は一括して接地されている。
ボトムゲートドライバ51は、シフトレジスタであり、トップゲートドライバ54が何れかの行のトップゲートライン44にリセットパルスを出力した後、所定のキャリア蓄積期間を経て、同じ行のボトムゲートライン41に所定の電圧のリードパルスを出力する。このキャリア蓄積期間において、半導体膜13に光が入射すると、入射した光量に従った量の電子−正孔対がチャネル保護膜14と半導体膜13との界面付近を中心に発生する。この場合、半導体膜13側にはキャリアとして正孔が発生し、チャネル保護膜14側に電子が発生する。
何れかの行のトップゲートライン44へのリセットパルスの入力が開始してから、同じ行のボトムゲートライン41へのリードパルスの入力が終了するまでの期間が、その行の選択期間である。
パラレル−シリアル変換回路53は、それぞれの行の選択期間において、リセットパルスが出力されてからリードパルスが出力されるまでの間に、全てのドレインライン43,43,…にプリチャージパルスを出力する。また、パラレル−シリアル変換回路53は、プリチャージパルスの出力後にドレインライン43,43,…の電圧を出力し、増幅器55により増幅して制御部50に出力する。
制御部50では、パラレル−シリアル変換回路53から入力された電気信号をA/D変換することで、固体撮像デバイス3の半導体膜13に生成されたキャリアの量に応じて二次元の光強度分布を画像データとして取得する。
下部固体撮像デバイス120は、上部固体撮像デバイス20と同様に、複数のダブルゲートトランジスタ103,103,・・・を備える。なお、下部固体撮像デバイス120の上部固体撮像デバイス20と同様の構成については、下2桁に同符号を付して説明を割愛する。
図1に示すように、ダブルゲートトランジスタ103,103,・・・のパターンピッチは、上部固体撮像デバイス20のダブルゲートトランジスタ3,3,・・・と同じである。ダブルゲートトランジスタ3,3,・・・とダブルゲートトランジスタ103,103,・・・とは、互い違いとなるように行方向及び/または列方向に1/2ピッチずらして形成される。ここで、パターンピッチとは、ダブルゲートトランジスタの中心Cの間隔をさす。1ピッチとは、あるダブルゲートトランジスタの中心Cと、行方向及び/または列方向に隣に位置するダブルゲートトランジスタの中心Cとの間隔をさし、例えば図2に示すように行方向の1ピッチはP1、列方向の1ピッチはP2である。即ち、ダブルゲートトランジスタ3,3、・・・の中心Cとダブルゲートトランジスタ103,103,・・・の中心Cとが行方向及び/または列方向に1/2ピッチずらして形成されている。
下部固体撮像デバイス120もまた、上部固体撮像デバイス20とは別のボトムゲートドライバ151(図示せず)、パラレル−シリアル変換回路153(図示せず)及びトップゲートドライバ154(図示せず)に接続される。ボトムゲートドライバ151、パラレル−シリアル変換回路153及びトップゲートドライバ154は図示しないが、ボトムゲートドライバ51、パラレル−シリアル変換回路53及びトップゲートドライバ54と同様に制御部50により制御される。
レンズアレイ60は複数のダブルゲートトランジスタ103,103,・・・と対応するようにマトリクス状に配列された複数のレンズ61,61,・・・を有する。各レンズ61,61,・・・は、ダブルゲートトランジスタ103,103,・・・の半導体膜113の位置を後側焦点面(結像面)としたときの前側焦点面(物体面)の位置から放射された赤外線を透過し、対応するダブルゲートトランジスタ103,103,・・・の半導体膜113に結像させる。このため、下部固体撮像デバイス120により取得される画像データは、ダブルゲートトランジスタ103,103,・・・の半導体膜113の位置を後側焦点面としたときの前側焦点面に沿った二次元の光強度分布である。なお、前側焦点面は上部固体撮像デバイス20の表面よりも数mm上方となる。
光源70は、近赤外光を放射し、上部固体撮像デバイス20上に配置された指80に照射する。光源70としては、LED等を用いることができる。
図6、図7は光源70の位置を示す模式図である。光源70の位置としては、図6に示すように、上部固体撮像デバイス20の上部に配置される指80の側方に配置してもよい。また、図7に示すように、上部固体撮像デバイス20の上方に光源70を配置してもよい。
以下、生体認証装置1による指紋パターンの検出方法について説明する。
図8は生体認証装置1による指紋パターンの検出方法を示す模式図である。まず、図8に示すように、上部固体撮像デバイス20の上部に指80を置く。次に、光源70を点灯させ、指80に光を照射しながら、制御部50によりボトムゲートドライバ51、パラレル−シリアル変換回路53及びトップゲートドライバ54を協同させて上部固体撮像デバイス20を駆動し、画像データを取得する。
ここで、ダブルゲートトランジスタ3の半導体膜13に入射する光は、光源70より指80に照射され、指80内で散乱し、指80の表面から放射される光である。よって、上皮の隆線81が上部に配置されたダブルゲートトランジスタ3の半導体膜13では、指80の表面と半導体膜13との距離が近いため、より多くのキャリアが生成し、取得された画像データでは高輝度となる。
一方、上皮の谷線82が上部に配置されたダブルゲートトランジスタ3の半導体膜13では指80の表面と半導体膜13との距離が遠いため、生成するキャリアが少なく、取得された画像データでは低輝度となる。したがって、取得された画像データには指紋が明暗のパターンとして再現される。
次に、生体認証装置1による静脈パターンの検出方法について説明する。
図9は生体認証装置1による静脈パターンの検出方法を示す模式図である。まず、図9に示すように、上部固体撮像デバイス20の上部に指80を置く。次に、光源70を点灯させ、指80に光を照射しながら、制御部50によりボトムゲートドライバ151、パラレル−シリアル変換回路153及びトップゲートドライバ154を協同させて下部固体撮像デバイス120を駆動し、画像データを取得する。
ここで、前側焦点面には、図9に示すように指80が配置される。このため、ダブルゲートトランジスタ103の半導体膜113に入射する光は、光源70より指80に照射され、指80内で散乱した近赤外線のうち、レンズアレイ6の各レンズ61,61,・・・の前側焦点面の位置から放射されたものである。
なお、ダブルゲートトランジスタ3,3,・・・とダブルゲートトランジスタ103,103,・・・とが、互い違いとなるように行方向及び/または列方向に1/2ピッチずらして形成されているので、図9に示すように、指80内で散乱した近赤外線のうち、レンズアレイ6の各レンズ61,61,・・・の前側焦点面の位置から放射されたものは、ダブルゲートトランジスタ3,3,・・・の間から上部固体撮像デバイス20を通過して各レンズ61,61,・・・に入射する。レンズ61,61,・・・で屈折した近赤外線は対応するダブルゲートトランジスタ103の半導体膜113に集光される。
前側焦点面の位置に静脈83がある場合には、静脈83中のヘモグロビンにより近赤外線が吸収されるので、静脈83がある部分に対応するダブルゲートトランジスタ103の半導体膜113では生成するキャリアが少なく、取得された画像データでは低輝度となる。一方、静脈83がない部分に対応するダブルゲートトランジスタ103の半導体膜113ではより多くのキャリアが生成し、取得された画像データでは高輝度となる。したがって、取得された画像データには静脈83が明暗のパターンとして再現される。
なお、ダブルゲートトランジスタ103の半導体膜113は指80の表面から充分に遠く、半導体膜113でのキャリア生成量における指80の表面から放射される光の寄与は少ないため、指紋パターンは検出されない。
このように、本発明に係る生体認証装置1では、上部固体撮像デバイス20により取得された画像データを指紋パターンとして指紋認証に用いることができ、下部固体撮像デバイス120により取得された画像データを静脈パターンとして静脈認証に用いることができる。
なお、上記実施形態においては指紋パターンの検出と静脈パターンの検出とを別々に説明したが、指紋パターンの検出と静脈パターンの検出とを同時に行ってもよい。
本発明に係る生体認証装置1の撮像部2を示す概略図である。 上部固体撮像デバイス20の平面図である。 図2のIII部の拡大図である。 図3のIV−IV矢視断面図である。 生体認証装置1の上部固体撮像デバイス20と接続した部分の回路構成を示したブロック図である。 光源70の位置を示す模式図である。 光源70の位置を示す模式図である。 生体認証装置1による指紋パターンの検出方法を示す模式図である。 生体認証装置1による静脈パターンの検出方法を示す模式図である。
符号の説明
1 生体認証装置
2 撮像部
3,103 ダブルゲートトランジスタ(受光素子)
20 上部固体撮像デバイス(撮像装置)
60 レンズアレイ
61 レンズ
120 下部固体撮像デバイス(撮像装置)

Claims (4)

  1. 複数の受光素子がマトリクス状に形成され、被写体が載置される第1の受光面を有する第1の撮像装置と、
    複数の受光素子がマトリクス状に形成され、光を受光する第2の受光面を有する第2の撮像装置と、
    複数のレンズが、前記第2の撮像装置の前記複数の受光素子と同一のパターンピッチで、マトリクス状に形成されたレンズアレイと、
    を備え、
    前記第2の撮像装置は、前記第2の受光面を、前記第1の撮像装置の前記第1の受光面同一方向に向けた状態で前記第1の撮像装置の背面側に配置され
    前記レンズアレイは、前記第1の撮像装置の背面と前記第2の撮像装置の前記第2の受光面との間に設けられて、前記複数のレンズの各々は前記第2の撮像装置の前記各受光素子に対応する位置に配置され、
    前記各受光素子は、受光部をなす半導体薄膜を有し、
    前記レンズアレイの前記各レンズの前記第1の撮像装置側の前側焦点面が前記第1の受光面に載置される前記被写体内となる位置あり、前記各レンズの前記第2の撮像装置側の後側焦点面が前記第2の撮像装置の前記各受光素子の前記半導体薄膜の位置にあることを特徴とする生体認証装置。
  2. 前記第1の撮像装置の前記各受光素子と前記第2の撮像装置の前記各受光素子とは、同一のパターンピッチで、行方向及び列方向にマトリクス状に形成され
    前記第2の撮像装置の前記各受光素子は、平面視して、前記第1の撮像装置の前記各受光素子に対し、行方向及び/または列方向に1/2ピッチずれた位置に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の生体認証装置。
  3. 複数の受光素子がマトリクス状に形成され、人体の特定部位を含む被写体が載置される第1の受光面を有し、前記被写体の指紋パターンを読み取る第1の撮像装置と、
    複数の受光素子がマトリクス状に形成され、光を受光する第2の受光面を有し、前記被写体の静脈パターンを読み取る第2の撮像装置と、
    複数のレンズが、前記第2の撮像装置の前記複数の受光素子と同一のパターンピッチで、マトリクス状に形成されたレンズアレイと、
    を備え、
    前記第2の撮像装置は、前記第2の受光面を、前記第1の撮像装置の前記第1の受光面と同一方向に向けた状態で、前記第1の撮像装置の背面側に配置され、
    前記レンズアレイは、前記第1の撮像装置の背面と前記第2の撮像装置の前記第2の受光面との間に設けられて、前記複数のレンズの各々は前記第2の撮像装置の前記各受光素子に対応する位置に配置され、
    前記各受光素子は、受光部をなす半導体薄膜を有し、
    前記レンズアレイの前記各レンズの前記第1の撮像装置側の前側焦点面が前記第1の受光面に載置される前記被写体内となる位置あり、前記各レンズの前記第2の撮像装置側の後側焦点面が前記第2の撮像装置の前記各受光素子の前記半導体薄膜の位置にあることを特徴とする生体認証装置。
  4. 前記第1の撮像装置の前記各受光素子と前記第2の撮像装置の前記各受光素子とは、同一のパターンピッチで、行方向及び列方向にマトリクス状に形成され
    前記第2の撮像装置の前記各受光素子は、平面視して、前記第1の撮像装置の前記各受光素子に対し、行方向及び/または列方向に1/2ピッチずれた位置に形成されていることを特徴とする請求項に記載の生体認証装置。
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