JPH0515454U - Ｘ線イメージセンサ - Google Patents
Ｘ線イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0515454U JPH0515454U JP6060191U JP6060191U JPH0515454U JP H0515454 U JPH0515454 U JP H0515454U JP 6060191 U JP6060191 U JP 6060191U JP 6060191 U JP6060191 U JP 6060191U JP H0515454 U JPH0515454 U JP H0515454U
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- JP
- Japan
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- ray image
- thin film
- ray
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本考案はＸ線の照射により劣化の小さなＸ線
イメージセンサを提供する。 【構成】 Ｘ線イメージセンサのフォトダイオードの出
力信号読み取り用薄膜トランジスタを鉛等のＸ線吸収係
数の大きな金属層でシールドしたＸ線イメージセンサ。
イメージセンサを提供する。 【構成】 Ｘ線イメージセンサのフォトダイオードの出
力信号読み取り用薄膜トランジスタを鉛等のＸ線吸収係
数の大きな金属層でシールドしたＸ線イメージセンサ。
Description
【０００１】
本考案はフォトダイオードを用いたＸ線イメージセンサに関し、特に該フォト ダイオードの出力信号を読み出すのに薄膜トランジスタを用いたＸ線イメージセ ンサに関する。
【０００２】
従来、Ｘ線イメージセンサはＸ線を吸収して可視光を放射するシンチレータと 、変換された可視光を検出するフォトダイオードと、このフォトダイオードの出 力信号を読み出すためのスイッチング素子としての薄膜トランジスタとからなっ ている。
【０００３】
しかしながら、Ｘ線イメージセンサのスイッチング素子としての薄膜トランジ スタは可視光によるオフ電流の増加や、Ｘ線の照射による薄膜トランジスタの特 性の劣化が生じる欠点があった。
【０００４】
本考案は前記欠点を解決するためになされたものであって、Ｘ線を可視光に変 換するシンチレータと、変換された可視光を検出するフォトダイオードと、該フ ォトダイオードの出力信号を読み出すスイッチング素子としての薄膜トランジス タとを基板に設けたＸ線イメージセンサにおいて、該薄膜トランジスタのＸ線の 到来側にＸ線吸収係数の大きな金属層を設けたＸ線イメージセンサである。
【０００５】 本考案に用いることのできるＸ線吸収係数の大きな金属層としてはＡｌよりも 原子量の大きな鉛、タングステン、銀や金が用いられ、特に鉛を用いるのが好ま しい。
【０００６】 これらの金属層の厚みは、厚いほどＸ線遮蔽効果が高いがパターンニングのサ イズによって制限される。
【０００７】
鉛などのＸ線吸収係数の大きな金属膜を薄膜トランジスタ上に設けたことによ り、可視光の入射を阻止し、オフ電流を低減させるとともに、Ｘ線イメージセン サのスイッチング素子として用いた場合欠点となるＸ線照射による劣化を抑制す ることができる。
【０００８】
以下に本考案の一実施例を図１を引用して説明する。
【０００９】 ガラス基板１に厚みが１００nmのクロム膜をスパッタリングで成膜した後パタ ーニングして薄膜トランジスタ３のゲート電極４を形成する。その後、厚みが３ ００nmのａ−ＳｉＮｘのゲート絶縁膜５と、１００nmのａ−Ｓｉの活性層６と、 活性保護膜７となる１５nmのａ−ＳｉＮｘ膜とを夫々プラズマＣＶＤで連続して 成膜した後、パターニングして活性保護膜７を形成する。その後、薄膜トランジ スタ３の、コンタクト層８，８′となる厚み１００nmのＮ型ａ−Ｓｉをプラズマ ＣＶＤで、ソース電極９、ドレーン電極１０となる厚みが１５０nmのＣｒをスパ ッタリングで、フォトダイオード２となる４０nm厚のＮ型ａ−Ｓｉ１１、１００ ０nm厚のＩ型ａ−Ｓｉ１２、１４nm厚のＰ型ａ−Ｓｉ１３を順次プラズマＣＶＤ で、次いで透明導電膜１４となるＩＴＯ膜をスパッタリングで成膜する。次に、 透明導電膜１４、フォトダイオード２、ソース電極９、ドレイン電極１０の順に パターニングした後、コンタクト層８，８′にエッチングする。その後、厚みが １０００nmのａ−ＳｉＮｘをプラズマＣＶＤで成膜しパターニングして保護膜１ ５を形成する。更にＡｌをスパッタリングして成膜し、パターニングして取り出 し電極１６を形成する。そして、薄膜トランジスタ３上の保護膜１５上に厚みが １μm の鉛膜のスパッタリングで成膜し、リフトオフプロセスでパターニングし て鉛層１７を形成する。
【００１０】 次いで、ＴｌをヘビードープしたＣｓＩを１００μm 厚で蒸着してシンチレー タ１８を形成し、シンチレータ１８の発光が外に洩れないように厚みが１００nm のアルミの反射膜１９を成膜する。
【００１１】
本考案によれば、信号光とともに入射してくるＸ線を薄膜トランジスタ上の鉛 が比較的効率よくＸ線を吸収するため、薄膜トランジスタに入射するＸ線量を低 減させることができ、薄膜トランジスタのＸ線照射による特性劣化を抑制するこ とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案に係るＸ線イメージセンサの部分断面
図。
図。
１ ガラス基板 ２ フォトダイオード ３ 薄膜トラジスタ １７ Ｘ線吸収係数の大きな金属層 １８ シンチレータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/14
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｘ線を可視光に変換するシンチレータ
と、変換された可視光を検出するフォトダイオードと、
該フォトダイオードの出力信号を読み出す薄膜トランジ
スタとを基板に設けたＸ線イメージセンサにおいて、該
薄膜トランジスタのＸ線の到来側にＸ線吸収係数の大き
な金属層を設けたことを特徴とするＸ線イメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060191U JPH0515454U (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | Ｘ線イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060191U JPH0515454U (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | Ｘ線イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0515454U true JPH0515454U (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=13146932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6060191U Pending JPH0515454U (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | Ｘ線イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0515454U (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002333481A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-11-22 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 固体ｘ線検出器の電界効果トランジスタ光伝導効果により誘発されるオフセットを補正するための方法と装置 |
| JP2013131610A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Canon Inc | 撮像装置及び放射線撮像システム、並びに撮像装置の製造方法 |
| JP2014194410A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 撮像装置 |
| WO2023226739A1 (zh) * | 2022-05-27 | 2023-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构及其制作方法、探测基板、探测装置 |
-
1991
- 1991-08-01 JP JP6060191U patent/JPH0515454U/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002333481A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-11-22 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 固体ｘ線検出器の電界効果トランジスタ光伝導効果により誘発されるオフセットを補正するための方法と装置 |
| JP4569941B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2010-10-27 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 固体ｘ線検出器の電界効果トランジスタ光伝導効果により誘発されるオフセットを補正するための方法と装置 |
| JP2013131610A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Canon Inc | 撮像装置及び放射線撮像システム、並びに撮像装置の製造方法 |
| JP2014194410A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 撮像装置 |
| WO2023226739A1 (zh) * | 2022-05-27 | 2023-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构及其制作方法、探测基板、探测装置 |
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