JP2014194410A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】X線等の放射線を用いて画像を取得する撮像装置であり、シンチレータと重畳するマトリクス状に配置された画素回路を有する。該画素回路はオフ電流が極めて小さいスイッチング用のトランジスタ、および受光素子を有し、当該トランジスタおよび受光素子は金属材料等で形成された遮蔽層と重畳する構成を有する。当該構成とすることで、X線等の放射線照射に対して安定性が高く、電気特性の低下を抑制できる撮像装置を提供することができる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様であるX線等の放射線を用いる撮像装置について、図面を参照して説明する。
当該材料が開口部130に形成されていることで、遮蔽層160下部にある受光素子部にシンチレータ180内で散乱した光195が到達しやすいように屈折させることができる。また、開口部130は、シンチレータ180や透光性の接着層を有していてもよい。また、シンチレータ180と遮蔽層160との間に接着層を有していてもよい。また、開口部130に拡散板、レンズアレイ、回折格子、導波路(光ファイバー)、またはメタルの鏡などを設けてもよい。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した画素回路として用いることのできる回路について説明する。
本実施の形態では、実施の形態2で説明した画素回路の駆動方法の一例について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1および2で示した撮像装置の構成について、より詳細に説明する。m行n列のマトリクス状に配置された画素回路を有する撮像装置の構成の例について図17乃至図24を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1乃至4で説明した回路に用いることのできる、オフ電流の著しく小さいトランジスタおよび該トランジスタを構成する材料について説明する。
101 基板
110 画素回路
120 回路部
125 受光素子
127 ゲート絶縁膜
130 開口部
135 境界
140 回路
150 回路
160 遮蔽層
170 層間絶縁膜
180 シンチレータ
181 シンチレータ
190 放射線
195 光
200 回路
201 トランジスタ
202 トランジスタ
203 トランジスタ
204 トランジスタ
205 配線
210 回路
211 配線
212 配線
213 配線
214 配線
215 配線
216 配線
217 配線
218 配線
220 フォトダイオード
230 可変抵抗素子
240 トランジスタ
250 回路
260 回路
270 回路
280 回路
290 回路
301 信号
302 信号
303 信号
304 信号
305 信号
308 信号
315 半導体膜
316 半導体膜
317 半導体膜
501 信号
502 信号
503 信号
504 信号
505 信号
506 信号
507 信号
508 信号
509 信号
510 期間
511 期間
520 期間
521 期間
531 期間
610 期間
611 期間
612 期間
620 放射線照射期間
621 期間
622 期間
623 期間
631 期間
1211 導電膜
1212 導電膜
1213 導電膜
1214 導電膜
1215 導電膜
1218 導電膜
1219 導電膜
1220 導電膜
1221 導電膜
1222 導電膜
1223 導電膜
1224 導電膜
1225 導電膜
1226 導電膜
1227 導電膜
1228 ゲート絶縁膜
1229 導電膜
1230 導電膜
1231 導電膜
1232 ゲート電極
1250 半導体層
1260a 酸化物半導体膜
1260b 酸化物半導体膜
1270a 酸化物半導体膜
1270b 酸化物半導体膜
1270c 酸化物半導体膜
1281 絶縁膜
1282 絶縁膜
1283 絶縁膜
Claims (10)
- 基板上においてマトリクス状に複数配置された画素回路と、
前記基板と重畳するシンチレータと、
前記シンチレータと接して重なる遮蔽層と、
を有し、
前記画素回路は、受光素子、および当該受光素子と電気的に接続された回路部を有し、
前記遮蔽層は、前記画素回路が有する領域の一部と重なり、
前記受光素子および前記回路部は、前記遮蔽層と重なることを特徴とする撮像装置。 - 請求項1において、前記遮蔽層は、鉛、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、タンタル、ハフニウム、パラジウム、ロジウム、ルテニウムから選択された材料の単層または積層であることを特徴とする撮像装置。
- 基板の一方の面上においてマトリクス状に複数配置された画素回路と、
前記基板の他方の面と接して重畳するシンチレータと、
を有し、
前記画素回路は、受光素子および当該受光素子と電気的に接続された回路部を有し、
前記基板は、重金属を含むガラス基板であることを特徴とする撮像装置。 - 基板上においてマトリクス状に複数配置された画素回路と、
前記基板と重畳するシンチレータと、
を有し、
前記画素回路は、受光素子および当該受光素子と電気的に接続された回路部を有し、
前記シンチレータは、重金属を含むことを特徴とする撮像装置。 - 請求項3または4において、前記重金属は、鉛、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、タンタル、ハフニウム、パラジウム、ロジウム、ルテニウムから選択された一つ以上の材料であることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一項において、前記受光素子は、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタであることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一項において、前記受光素子は、フォトダイオードであることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一項において、前記受光素子は、一対の電極間に半導体層を有する可変抵抗素子であることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一項において、前記回路部は、
電荷蓄積部と、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
を有し、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記受光素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
少なくとも前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一項において、前記回路部は、
電荷蓄積部と、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
を有し、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記受光素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
少なくとも前記第1のトランジスタおよび前記第4のトランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されていることを特徴とする撮像装置。
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