JP2014194410A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 回路部を有する画素回路と、
   前記画素回路上方の絶縁膜と、
   前記絶縁膜上方のシンチレータと、
   前記シンチレータ上方の遮蔽層と、
   前記遮蔽層に設けられた開口部と、
   を有し、
   前記シンチレータは、放射線を光に変換し、前記光を発する機能を有し、
   前記回路部は、受光素子と、前記受光素子に電気的に接続されたトランジスタと、を有し、
   前記回路部は、前記遮蔽層と重なるように配置され、
   前記受光素子は、前記シンチレータから発せられた光であって、前記絶縁膜を通った光を検知する機能を有することを特徴とする撮像装置。
2. 回路部を有する画素回路と、
   前記画素回路上方の絶縁膜と、
   前記絶縁膜上方の遮蔽層と、
   前記遮蔽層に設けられた開口部と、
   前記遮蔽層上方のシンチレータと、
   を有し、
   前記シンチレータは、放射線を光に変換し、前記光を発する機能を有し、
   前記回路部は、受光素子と、前記受光素子に電気的に接続されたトランジスタと、を有し、
   前記回路部は、前記遮蔽層と重なるように配置され、
   前記受光素子は、前記シンチレータから発せられた光であって、前記開口部及び前記絶縁膜を通った光を検知する機能を有することを特徴とする撮像装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記遮蔽層は、鉛、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、タンタル、ハフニウム、パラジウム、ロジウム、ルテニウムから選択された材料を有することを特徴とする撮像装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体を有することを特徴とする撮像装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記受光素子は、フォトダイオードを有することを特徴とする撮像装置。
6. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記受光素子は、一対の電極と、前記一対の電極の間にある半導体層と、を有することを特徴とする撮像装置。