JP2015039165A5 - 固体撮像装置及び表示装置 - Google Patents

Claims (6)

1. センサ回路と、中央演算処理装置と、制御回路と、を有し、
   前記センサ回路は、受光素子と、第１乃至第３のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、前記センサ回路内のノードと第１の配線との電気的な接続を制御する機能を有し、
   前記ノードに蓄積される電荷量は、前記受光素子における露光量により定まり、
   前記第２のトランジスタは、前記ノードの電位に従って導通状態または非導通状態が選択され、
   前記第３のトランジスタは、第２の配線と第３配線との間の電気的な接続を前記第２のトランジスタと共に制御する機能を有する固体撮像装置であって、
   第１の駆動方法で動作する期間と、第２の駆動方法で動作する期間と、を有し、
   前記中央演算処理装置は、前記受光素子が受けた光の強度に応じて前記第１の駆動方法または前記第２の駆動方法を選択する機能を有し、
   前記第１の駆動方法では、第１の電位と前記第１の電位よりも高い第２の電位とが、前記第１のトランジスタのゲートに交互に供給され、
   前記第２の駆動方法では、前記第１の電位よりも高く前記第２の電位よりも低い第３の電位が、前記第１のトランジスタのゲートに供給され、
   前記制御回路は、前記中央演算処理装置において選択された前記第１の駆動方法または前記第２の駆動方法に従って、前記第１のトランジスタのゲートに供給される電位を制御する機能を有する固体撮像装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域が形成される固体撮像装置。
3. 請求項２において、
   前記酸化物半導体膜がＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む固体撮像装置。
4. 画素部と、中央演算処理装置と、制御回路と、を有し、
   前記画素部は、発光素子と、受光素子と、第１乃至第３のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、前記画素部内のノードと第１の配線との電気的な接続を制御する機能を有し、
   前記ノードに蓄積される電荷量は、前記受光素子における露光量により定まり、
   前記第２のトランジスタは、前記ノードの電位に従って導通状態または非導通状態が選択され、
   前記第３のトランジスタは、第２の配線と第３配線との間の電気的な接続を前記第２のトランジスタと共に制御する機能を有する表示装置であって、
   第１の駆動方法で動作する期間と、第２の駆動方法で動作する期間と、を有し、
   前記中央演算処理装置は、前記受光素子が受けた光の強度に応じて前記第１の駆動方法または前記第２の駆動方法を選択する機能を有し、
   前記第１の駆動方法では、第１の電位と前記第１の電位よりも高い第２の電位とが、前記第１のトランジスタのゲートに交互に供給され、
   前記第２の駆動方法では、前記第１の電位よりも高く前記第２の電位よりも低い第３の電位が、前記第１のトランジスタのゲートに供給され、
   前記制御回路は、前記中央演算処理装置において選択された前記第１の駆動方法または前記第２の駆動方法に従って、前記第１のトランジスタのゲートに供給される電位を制御する機能を有する表示装置。
5. 請求項４において、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域が形成される表示装置。
6. 請求項５において、
   前記酸化物半導体膜がＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む表示装置。