JP2014220492A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 同一基板上に設けられた抵抗素子及びトランジスタを有し、
   前記抵抗素子は、
   第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１のゲート絶縁層と、
   前記第１のゲート絶縁層上の前記第１のゲート電極と重畳する位置に設けられた第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層に電気的に接続された第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、
   を有し、
   前記トランジスタは、
   第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第２のゲート絶縁層と、
   前記第２のゲート絶縁層上の前記第２のゲート電極と重畳する位置に設けられた第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層に電気的に接続された第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、
   を有し、
   前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層は、同一の組成を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層よりも抵抗が高い
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記抵抗素子及び前記トランジスタは、前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極、並びに前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極上の層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上の前記第１の酸化物半導体層と重畳する位置に設けられた第３のゲート電極と、
   前記層間絶縁膜上の前記第２の酸化物半導体層と重畳する位置に設けられた第４のゲート電極と、を有する
   ことを特徴とする半導体装置。
3. 同一基板上に設けられた抵抗素子及びトランジスタを有し、
   前記抵抗素子は、
   第１のゲート電極と
   前記第１のゲート電極上の第１のゲート絶縁層と、
   前記第１のゲート絶縁層上の第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、
   前記第１のゲート絶縁層、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極上に設けられた第１の酸化物半導体層と、を有し、
   前記トランジスタは、
   第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第２のゲート絶縁層と、
   前記第２のゲート絶縁層上の第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、
   前記第２のゲート絶縁層、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極上に設けられた第２の酸化物半導体層と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層は、同一の組成を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層よりも抵抗が高い
   ことを特徴とする半導体装置。
4. 同一基板上に設けられた抵抗素子及びトランジスタを有し、
   前記抵抗素子は、
   第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、
   前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第３のゲート絶縁層と、
   前記第３のゲート絶縁層上の前記第１の酸化物半導体層と重畳する位置に設けられた第３のゲート電極と、を有し、
   前記トランジスタは、
   第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第２のゲート絶縁層と、
   前記第２のゲート絶縁層上の第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、
   前記第２のゲート絶縁層、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極上に設けられた第２の酸化物半導体層と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層は、同一の組成を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層よりも抵抗が高い
   ことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記抵抗素子を含む駆動回路部と、
   前記トランジスタを含む画素部と、を有することを特徴とする半導体装置。