JP2015073101A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. プラスチック基板上に、ＥＬ素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量と、を有する画素を有し、
   前記プラスチック基板と対向する、プラスチック材でなるカバー材を有し、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記ＥＬ素子と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタは、第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域上の第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の前記ゲートとを有し、
   前記第１の半導体領域は、第２の半導体領域と同一の半導体層に含まれ、
   前記第２の半導体領域は、前記第１の絶縁膜を間に挟んで、第１の導電膜と重なる領域を有し、
   前記第１の導電膜は、前記容量の一方の端子として機能し、
   前記第１の導電膜は、前記第３の配線と直接接続され、
   前記第１の配線は、第１の方向に延びており、
   前記第２の配線は、第２の方向に延びており、
   前記第３の配線は、前記第１の方向に沿うように延びる部分を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第２の方向に沿うように延びる部分を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記半導体層は、多結晶半導体であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記ゲート電極は、モリブデンを有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の導電膜は、モリブデンを有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の配線はソース配線であり、前記第２の配線はゲート配線であることを特徴とする半導体装置。