JP2014157357A5 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014157357A5
JP2014157357A5 JP2014040065A JP2014040065A JP2014157357A5 JP 2014157357 A5 JP2014157357 A5 JP 2014157357A5 JP 2014040065 A JP2014040065 A JP 2014040065A JP 2014040065 A JP2014040065 A JP 2014040065A JP 2014157357 A5 JP2014157357 A5 JP 2014157357A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
region
insulating film
contact hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2014040065A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014157357A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2014040065A priority Critical patent/JP2014157357A/ja
Priority claimed from JP2014040065A external-priority patent/JP2014157357A/ja
Publication of JP2014157357A publication Critical patent/JP2014157357A/ja
Publication of JP2014157357A5 publication Critical patent/JP2014157357A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (9)

  1. 第1の基板と、
    第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間の液晶層と、
    を有し、
    前記第1の基板は、
    前記第1の基板上の遮光機能を有する膜と、
    前記遮光機能を有する膜上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、
    前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜上の第3の絶縁膜と、
    前記第3の絶縁膜上の第2の導電膜と、
    前記第2の導電膜上のスペーサと、
    を有し、
    前記半導体膜は、多結晶シリコンであり、
    前記半導体膜は、チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つとを有し、
    前記チャネル形成領域は、前記遮光機能を有する膜および前記第1の導電膜と重なる領域を有し、
    前記ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つは、前記遮光機能を有する膜と重ならない領域を有し、
    前記第3の絶縁膜は、コンタクトホールを有し、
    前記第2の導電膜は、前記コンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続され、
    前記第2の導電膜上に、前記コンタクトホールに対応した凹部が設けられ、
    前記スペーサは、前記凹部と重なる領域を有し、
    前記スペーサは、前記半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 第1の基板と、
    第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間の液晶層と、
    を有し、
    前記第1の基板は、
    前記第1の基板上の遮光機能を有する膜と、
    前記遮光機能を有する膜上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、
    前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜上の第3の絶縁膜と、
    前記第3の絶縁膜上の第4の絶縁膜と、
    前記第4の絶縁膜上の第2の導電膜と、
    前記第2の導電膜上のスペーサと、
    を有し、
    前記半導体膜は、多結晶シリコンであり、
    前記半導体膜は、チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つとを有し、
    前記チャネル形成領域は、前記遮光機能を有する膜および前記第1の導電膜と重なる領域を有し、
    前記ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つは、前記遮光機能を有する膜と重ならない領域を有し、
    前記第3の絶縁膜は、第1のコンタクトホールを有し、
    前記第4の絶縁膜は、第2のコンタクトホールを有し、
    前記スペーサと前記第1のコンタクトホールと前記第2のコンタクトホールとは、重なる領域を有し、
    前記第2の導電膜は、前記第1のコンタクトホールおよび前記第2のコンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続され、
    前記第2の導電膜上に、前記第1のコンタクトホールおよび前記第2のコンタクトホールに対応した凹部が設けられ、
    前記スペーサは、前記凹部と重なる領域を有し、
    前記スペーサは、前記半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
  3. 第1の基板と、
    第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間の液晶層と、
    を有し、
    前記第1の基板は、
    前記第1の基板上の遮光機能を有する膜と、
    前記遮光機能を有する膜上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、
    前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜上の第3の絶縁膜と、
    前記第3の絶縁膜上の第2の導電膜と、
    前記第2の導電膜上のスペーサと、
    を有し、
    前記半導体膜は、多結晶シリコンであり、
    前記半導体膜は、チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つとを有し、
    前記チャネル形成領域は、前記遮光機能を有する膜および前記第1の導電膜と重なる領域を有し、
    前記ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つは、前記遮光機能を有する膜と重ならない領域を有し、
    前記第3の絶縁膜は、コンタクトホールを有し、
    前記第2の導電膜は、前記コンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続され、
    前記第2の導電膜の表面に、前記コンタクトホールにより生じた凹部を有し、
    前記スペーサは、前記凹部と重なる領域を有し、
    前記スペーサは、前記半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
  4. 第1の基板と、
    第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間の液晶層と、
    を有し、
    前記第1の基板は、
    前記第1の基板上の遮光機能を有する膜と、
    前記遮光機能を有する膜上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、
    前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜上の第3の絶縁膜と、
    前記第3の絶縁膜上の第4の絶縁膜と、
    前記第4の絶縁膜上の第2の導電膜と、
    前記第2の導電膜上のスペーサと、
    を有し、
    前記半導体膜は、多結晶シリコンであり、
    前記半導体膜は、チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つとを有し、
    前記チャネル形成領域は、前記遮光機能を有する膜および前記第1の導電膜と重なる領域を有し、
    前記ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つは、前記遮光機能を有する膜と重ならない領域を有し、
    前記第3の絶縁膜は、第1のコンタクトホールを有し、
    前記第4の絶縁膜は、第2のコンタクトホールを有し、
    前記スペーサと前記第1のコンタクトホールと前記第2のコンタクトホールとは、重なる領域を有し、
    前記第2の導電膜は、前記第1のコンタクトホールおよび前記第2のコンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続され、
    前記第2の導電膜の表面に、前記第1のコンタクトホールおよび前記第2のコンタクトホールにより生じた凹部を有し、
    前記スペーサは、前記凹部と重なる領域を有し、
    前記スペーサは、前記半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
  5. 第1の基板と、
    第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間の液晶層と、
    を有し、
    前記第1の基板は、
    前記第1の基板上の遮光機能を有する膜と、
    前記遮光機能を有する膜上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、
    前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜上の第3の絶縁膜と、
    前記第3の絶縁膜上の第2の導電膜と、
    前記第2の導電膜上のスペーサと、
    を有し、
    前記半導体膜は、多結晶シリコンであり、
    前記半導体膜は、チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つとを有し、
    前記チャネル形成領域は、前記遮光機能を有する膜および前記第1の導電膜と重なる領域を有し、
    前記ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つは、前記遮光機能を有する膜と重ならない領域を有し、
    前記第3の絶縁膜は、コンタクトホールを有し、
    前記第2の導電膜は、前記コンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続され、
    前記第2の導電膜上に、前記コンタクトホールに対応した凹部が設けられ、
    前記スペーサは、前記凹部に設けられた領域を有し、
    前記スペーサは、前記半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
  6. 第1の基板と、
    第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間の液晶層と、
    を有し、
    前記第1の基板は、
    前記第1の基板上の遮光機能を有する膜と、
    前記遮光機能を有する膜上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、
    前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜上の第3の絶縁膜と、
    前記第3の絶縁膜上の第4の絶縁膜と、
    前記第4の絶縁膜上の第2の導電膜と、
    前記第2の導電膜上のスペーサと、
    を有し、
    前記半導体膜は、多結晶シリコンであり、
    前記半導体膜は、チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つとを有し、
    前記チャネル形成領域は、前記遮光機能を有する膜および前記第1の導電膜と重なる領域を有し、
    前記ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つは、前記遮光機能を有する膜と重ならない領域を有し、
    前記第3の絶縁膜は、第1のコンタクトホールを有し、
    前記第4の絶縁膜は、第2のコンタクトホールを有し、
    前記スペーサと前記第1のコンタクトホールと前記第2のコンタクトホールとは、重なる領域を有し、
    前記第2の導電膜は、前記第1のコンタクトホールおよび前記第2のコンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続され、
    前記第2の導電膜上に、前記第1のコンタクトホールおよび前記第2のコンタクトホールに対応した凹部が設けられ、
    前記スペーサは、前記凹部に設けられた領域を有し、
    前記スペーサは、前記半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
  7. 第1の基板と、
    第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間の液晶層と、
    を有し、
    前記第1の基板は、
    前記第1の基板上の遮光機能を有する膜と、
    前記遮光機能を有する膜上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、
    前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜上の第3の絶縁膜と、
    前記第3の絶縁膜上の第2の導電膜と、
    前記第2の導電膜上のスペーサと、
    を有し、
    前記半導体膜は、多結晶シリコンであり、
    前記半導体膜は、チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つとを有し、
    前記チャネル形成領域は、前記遮光機能を有する膜および前記第1の導電膜と重なる領域を有し、
    前記ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つは、前記遮光機能を有する膜と重ならない領域を有し、
    前記第3の絶縁膜は、コンタクトホールを有し、
    前記第2の導電膜は、前記コンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続され、
    前記第2の導電膜の表面に、前記コンタクトホールにより生じた凹部を有し、
    前記スペーサは、前記凹部に設けられた領域を有し、
    前記スペーサは、前記半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
  8. 第1の基板と、
    第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間の液晶層と、
    を有し、
    前記第1の基板は、
    前記第1の基板上の遮光機能を有する膜と、
    前記遮光機能を有する膜上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、
    前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上の第1の導電膜と、
    前記第1の導電膜上の第3の絶縁膜と、
    前記第3の絶縁膜上の第4の絶縁膜と、
    前記第4の絶縁膜上の第2の導電膜と、
    前記第2の導電膜上のスペーサと、
    を有し、
    前記半導体膜は、多結晶シリコンであり、
    前記半導体膜は、チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つとを有し、
    前記チャネル形成領域は、前記遮光機能を有する膜および前記第1の導電膜と重なる領域を有し、
    前記ソース領域またはドレイン領域の少なくとも一つは、前記遮光機能を有する膜と重ならない領域を有し、
    前記第3の絶縁膜は、第1のコンタクトホールを有し、
    前記第4の絶縁膜は、第2のコンタクトホールを有し、
    前記スペーサと前記第1のコンタクトホールと前記第2のコンタクトホールとは、重なる領域を有し、
    前記第2の導電膜は、前記第1のコンタクトホールおよび前記第2のコンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続され、
    前記第2の導電膜の表面に、前記第1のコンタクトホールおよび前記第2のコンタクトホールにより生じた凹部を有し、
    前記スペーサは、前記凹部に設けられた領域を有し、
    前記スペーサは、前記半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
  9. 請求項1乃至8のいずれか一項において、
    前記第2の導電膜は、光を透過する機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
JP2014040065A 2000-09-29 2014-03-03 半導体装置 Withdrawn JP2014157357A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014040065A JP2014157357A (ja) 2000-09-29 2014-03-03 半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000298304 2000-09-29
JP2000298304 2000-09-29
JP2014040065A JP2014157357A (ja) 2000-09-29 2014-03-03 半導体装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011226588A Division JP2012027495A (ja) 2000-09-29 2011-10-14 半導体装置

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014041427A Division JP2014150262A (ja) 2000-09-29 2014-03-04 半導体装置
JP2015142543A Division JP2015228504A (ja) 2000-09-29 2015-07-17 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014157357A JP2014157357A (ja) 2014-08-28
JP2014157357A5 true JP2014157357A5 (ja) 2014-10-16

Family

ID=18780283

Family Applications (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011226588A Withdrawn JP2012027495A (ja) 2000-09-29 2011-10-14 半導体装置
JP2012280653A Expired - Lifetime JP5478703B2 (ja) 2000-09-29 2012-12-25 半導体装置
JP2014040065A Withdrawn JP2014157357A (ja) 2000-09-29 2014-03-03 半導体装置
JP2014041427A Withdrawn JP2014150262A (ja) 2000-09-29 2014-03-04 半導体装置
JP2015142543A Withdrawn JP2015228504A (ja) 2000-09-29 2015-07-17 半導体装置
JP2016145218A Withdrawn JP2016212433A (ja) 2000-09-29 2016-07-25 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2017092021A Expired - Lifetime JP6449370B2 (ja) 2000-09-29 2017-05-03 液晶表示装置
JP2018131620A Withdrawn JP2018194848A (ja) 2000-09-29 2018-07-11 液晶表示装置
JP2019065226A Expired - Lifetime JP6675026B2 (ja) 2000-09-29 2019-03-29 液晶表示装置
JP2019087397A Expired - Lifetime JP6682028B2 (ja) 2000-09-29 2019-05-07 液晶表示装置
JP2020034854A Withdrawn JP2020115542A (ja) 2000-09-29 2020-03-02 半導体装置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011226588A Withdrawn JP2012027495A (ja) 2000-09-29 2011-10-14 半導体装置
JP2012280653A Expired - Lifetime JP5478703B2 (ja) 2000-09-29 2012-12-25 半導体装置

Family Applications After (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014041427A Withdrawn JP2014150262A (ja) 2000-09-29 2014-03-04 半導体装置
JP2015142543A Withdrawn JP2015228504A (ja) 2000-09-29 2015-07-17 半導体装置
JP2016145218A Withdrawn JP2016212433A (ja) 2000-09-29 2016-07-25 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2017092021A Expired - Lifetime JP6449370B2 (ja) 2000-09-29 2017-05-03 液晶表示装置
JP2018131620A Withdrawn JP2018194848A (ja) 2000-09-29 2018-07-11 液晶表示装置
JP2019065226A Expired - Lifetime JP6675026B2 (ja) 2000-09-29 2019-03-29 液晶表示装置
JP2019087397A Expired - Lifetime JP6682028B2 (ja) 2000-09-29 2019-05-07 液晶表示装置
JP2020034854A Withdrawn JP2020115542A (ja) 2000-09-29 2020-03-02 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (5) US6509616B2 (ja)
JP (11) JP2012027495A (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100686228B1 (ko) * 2000-03-13 2007-02-22 삼성전자주식회사 사진 식각용 장치 및 방법, 그리고 이를 이용한 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US6509616B2 (en) * 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
TW525216B (en) * 2000-12-11 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, and manufacturing method thereof
SG111923A1 (en) 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6825496B2 (en) 2001-01-17 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4179800B2 (ja) * 2002-05-24 2008-11-12 ソニー株式会社 表示装置及びその製造方法
US7094684B2 (en) * 2002-09-20 2006-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI357616B (en) 2002-09-20 2012-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device and manufacturing method thereof
CN100388328C (zh) * 2002-11-25 2008-05-14 东芝松下显示技术有限公司 有机el显示屏
IL156945A0 (en) * 2003-07-15 2004-02-08 Itzhak Tavori Device and a method for orthopedic delivery of bone reconstruction medium
TWI248682B (en) * 2003-09-18 2006-02-01 Au Optronics Corp Control TFT for OLDE display
KR100987859B1 (ko) * 2003-11-03 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 다결정실리콘 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100611153B1 (ko) * 2003-11-27 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 소자
KR100659532B1 (ko) * 2003-11-28 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100617037B1 (ko) * 2003-12-29 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 이의 제조방법
JP4884660B2 (ja) * 2004-08-11 2012-02-29 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ装置の製造方法
JP2006245031A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
JP5117667B2 (ja) * 2005-02-28 2013-01-16 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネル
KR20060111267A (ko) * 2005-04-22 2006-10-26 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법
US20070054429A1 (en) * 2005-08-25 2007-03-08 Tsuan-Lun Lung Back panel manufacturing process
JP2007258453A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 薄膜トランジスタ、及びその製造方法
TWI752316B (zh) 2006-05-16 2022-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP2008147418A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ装置、画像表示装置およびその製造方法
JP5270392B2 (ja) * 2009-01-30 2013-08-21 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
CN102549637B (zh) * 2009-08-25 2014-07-16 夏普株式会社 显示面板、显示装置和其制造方法
KR101915251B1 (ko) * 2009-10-16 2018-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011052385A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20140374744A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015037686A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6296788B2 (ja) * 2013-12-25 2018-03-20 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP6350984B2 (ja) * 2014-04-24 2018-07-04 Tianma Japan株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
TWI726843B (zh) 2014-05-30 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
TWI563640B (en) * 2014-08-22 2016-12-21 Innolux Corp Array substrate of display panel
TWI578509B (zh) * 2015-07-23 2017-04-11 友達光電股份有限公司 畫素結構
JP6494580B2 (ja) * 2016-09-28 2019-04-03 シャープ ライフ サイエンス (イーユー) リミテッド 微小流体装置
CN108598172B (zh) * 2018-04-28 2019-08-13 武汉华星光电技术有限公司 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
CN108767016B (zh) * 2018-05-21 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
JP6868069B2 (ja) * 2018-09-19 2021-05-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板を用いたタッチセンサ付き液晶表示装置
JP7149602B2 (ja) * 2019-08-19 2022-10-07 株式会社ユニバーサルエンターテインメント 遊技機
JP7149603B2 (ja) * 2019-08-19 2022-10-07 株式会社ユニバーサルエンターテインメント 遊技機
WO2022153665A1 (ja) * 2021-01-12 2022-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918504A (en) * 1987-07-31 1990-04-17 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Active matrix cell
JP2727562B2 (ja) * 1988-04-27 1998-03-11 ソニー株式会社 表示装置
JP2776083B2 (ja) * 1991-08-23 1998-07-16 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3143996B2 (ja) * 1991-10-08 2001-03-07 ソニー株式会社 液晶表示装置
US5576858A (en) 1991-10-14 1996-11-19 Hosiden Corporation Gray scale LCD control capacitors formed between a control capacitor electrode on one side of an insulating layer and two subpixel electrodes on the other side
JP2564725B2 (ja) * 1991-12-24 1996-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Mos型トランジスタの作製方法
JPH05249478A (ja) * 1991-12-25 1993-09-28 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH05289109A (ja) * 1992-04-08 1993-11-05 Sony Corp 液晶表示装置
JP3254007B2 (ja) 1992-06-09 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状半導体装置およびその作製方法
US5807772A (en) 1992-06-09 1998-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming semiconductor device with bottom gate connected to source or drain
JP3587537B2 (ja) 1992-12-09 2004-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3529153B2 (ja) * 1993-03-04 2004-05-24 三星電子株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3474604B2 (ja) * 1993-05-25 2003-12-08 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタおよびその製法
JPH07335904A (ja) 1994-06-14 1995-12-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜半導体集積回路
TW264575B (ja) 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5923962A (en) 1993-10-29 1999-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JPH07302912A (ja) 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
DE19500380C2 (de) 1994-05-20 2001-05-17 Mitsubishi Electric Corp Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
CN1230919C (zh) 1994-06-02 2005-12-07 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器和电光元件
JP3312083B2 (ja) 1994-06-13 2002-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3253808B2 (ja) 1994-07-07 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JPH0926603A (ja) 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JPH0955508A (ja) * 1995-08-10 1997-02-25 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2990046B2 (ja) 1995-08-16 1999-12-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3143592B2 (ja) * 1995-09-14 2001-03-07 キヤノン株式会社 表示装置
JPH09105953A (ja) 1995-10-12 1997-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
TW329500B (en) 1995-11-14 1998-04-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Electro-optical device
JP3963974B2 (ja) 1995-12-20 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置
US5815226A (en) 1996-02-29 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of fabricating same
JPH09269511A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Seiko Epson Corp 液晶装置、その駆動方法及び表示システム
JPH1096955A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH10104663A (ja) 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
TW479151B (en) 1996-10-16 2002-03-11 Seiko Epson Corp Substrate for liquid crystal device, the liquid crystal device and projection-type display
JPH10198292A (ja) * 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JPH10209452A (ja) * 1997-01-17 1998-08-07 Sony Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US6088070A (en) * 1997-01-17 2000-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode
JP3856889B2 (ja) 1997-02-06 2006-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型表示装置および電子デバイス
JPH10325963A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Sharp Corp アクティブマトリクス型表示装置の製造方法
JPH112844A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Nec Corp 液晶表示パネル及びその製造方法
JP3980178B2 (ja) 1997-08-29 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 不揮発性メモリおよび半導体装置
JP3674260B2 (ja) * 1997-09-11 2005-07-20 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネルの製造方法、薄膜トランジスタアレイ基板、液晶表示パネル並びに液晶プロジェクタ
JP3919900B2 (ja) 1997-09-19 2007-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
US6433841B1 (en) * 1997-12-19 2002-08-13 Seiko Epson Corporation Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same
US6320204B1 (en) * 1997-12-25 2001-11-20 Seiko Epson Corporation Electro-optical device in which an extending portion of a channel region of a semiconductor layer is connected to a capacitor line and an electronic apparatus including the electro-optical device
TW556013B (en) * 1998-01-30 2003-10-01 Seiko Epson Corp Electro-optical apparatus, method of producing the same and electronic apparatus
JPH11352521A (ja) * 1998-04-07 1999-12-24 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3980167B2 (ja) * 1998-04-07 2007-09-26 株式会社日立製作所 Tft電極基板
JP3702096B2 (ja) * 1998-06-08 2005-10-05 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP3788093B2 (ja) * 1998-06-11 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 液晶パネル用基板、液晶パネル及びそれを用いた電子機器並びに液晶パネル用基板の製造方法
JP2001051292A (ja) 1998-06-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体表示装置
KR100451379B1 (ko) 1998-06-19 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법
JP3736122B2 (ja) 1998-06-23 2006-01-18 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器
JP2000058839A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
JP2000122071A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Toshiba Corp 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法
JP4220030B2 (ja) * 1998-10-13 2009-02-04 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示素子の製造方法
JP2000124462A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、および液晶装置の製造方法
JP3141860B2 (ja) 1998-10-28 2001-03-07 ソニー株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6277679B1 (en) 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
JP4531175B2 (ja) * 1998-12-03 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2000174282A (ja) 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2000180862A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Ricoh Microelectronics Co Ltd 液晶表示装置用スペーサ形成方法、液晶表示装置用スペーサ形成装置、及び、液晶表示装置
JP3107075B2 (ja) * 1998-12-14 2000-11-06 日本電気株式会社 液晶表示装置
US6469317B1 (en) 1998-12-18 2002-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4597295B2 (ja) * 1998-12-25 2010-12-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP4869464B2 (ja) * 1998-12-25 2012-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US6380558B1 (en) * 1998-12-29 2002-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
EP1020920B1 (en) 1999-01-11 2010-06-02 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a driver TFT and a pixel TFT on a common substrate
KR100312259B1 (ko) * 1999-02-05 2001-11-03 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 불량패턴 제거방법 및 액정표시장치 구조
JP2000231122A (ja) * 1999-02-12 2000-08-22 Sony Corp 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
US6281552B1 (en) 1999-03-23 2001-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having ldd regions
US6461899B1 (en) 1999-04-30 2002-10-08 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Oxynitride laminate “blocking layer” for thin film semiconductor devices
US6358759B1 (en) * 1999-07-16 2002-03-19 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic equipment
TW478014B (en) 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP4700156B2 (ja) 1999-09-27 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6524877B1 (en) 1999-10-26 2003-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method of fabricating the same
US6646692B2 (en) 2000-01-26 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating the same
US6825488B2 (en) 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7023021B2 (en) 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW521303B (en) 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
KR100686228B1 (ko) * 2000-03-13 2007-02-22 삼성전자주식회사 사진 식각용 장치 및 방법, 그리고 이를 이용한 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JP3979010B2 (ja) * 2000-03-17 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びプロジェクタ
TWI301915B (ja) 2000-03-17 2008-10-11 Seiko Epson Corp
US6580475B2 (en) 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6489222B2 (en) 2000-06-02 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6542205B2 (en) 2000-08-04 2003-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US6636284B2 (en) 2000-08-11 2003-10-21 Seiko Epson Corporation System and method for providing an electro-optical device having light shield layers
JP3830361B2 (ja) * 2000-08-11 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 Tftアレイ基板、電気光学装置及び投射型表示装置
KR100380141B1 (ko) * 2000-09-25 2003-04-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
US6509616B2 (en) * 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP2002333870A (ja) * 2000-10-31 2002-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置、el表示装置及びその駆動方法、並びに副画素の表示パターン評価方法
JP2002151698A (ja) 2000-11-14 2002-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4282219B2 (ja) * 2000-11-28 2009-06-17 三洋電機株式会社 画素暗点化方法
TW525216B (en) 2000-12-11 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, and manufacturing method thereof
SG111923A1 (en) * 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2002236542A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Sanyo Electric Co Ltd 信号検出装置
SG138468A1 (en) * 2001-02-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab A method of manufacturing a semiconductor device
JP3612494B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-19 株式会社日立製作所 表示装置
JP3608614B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
US6740938B2 (en) * 2001-04-16 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor provided with first and second gate electrodes with channel region therebetween
JP2002319679A (ja) 2001-04-20 2002-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US6828584B2 (en) 2001-05-18 2004-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JPWO2002095834A1 (ja) * 2001-05-18 2004-09-09 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及びアクティブマトリクス型表示装置及びそれらの製造方法
US6906344B2 (en) * 2001-05-24 2005-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with plural channels and corresponding plural overlapping electrodes
US6897477B2 (en) 2001-06-01 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device
US6952023B2 (en) * 2001-07-17 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7317205B2 (en) * 2001-09-10 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing a semiconductor device
TWI237141B (en) * 2001-09-25 2005-08-01 Hannstar Display Corp Manufacturing method for in-plane switching mode liquid crystal display (LCD) unit
US7045373B2 (en) * 2001-09-25 2006-05-16 Hannstar Display Corp. Manufacturing method for in-plane switching mode LCD unit with fewer masking process
US20030076282A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
JP4179800B2 (ja) * 2002-05-24 2008-11-12 ソニー株式会社 表示装置及びその製造方法
KR100846464B1 (ko) * 2002-05-28 2008-07-17 삼성전자주식회사 비정질실리콘 박막 트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법
KR100878239B1 (ko) * 2002-09-06 2009-01-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 기판
US7094684B2 (en) * 2002-09-20 2006-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI357616B (en) * 2002-09-20 2012-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device and manufacturing method thereof
KR100544436B1 (ko) * 2002-11-26 2006-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
TWI230292B (en) * 2002-12-09 2005-04-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same
KR100497095B1 (ko) * 2002-12-26 2005-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100484092B1 (ko) * 2002-12-26 2005-04-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
KR100503129B1 (ko) * 2002-12-28 2005-07-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
US7019805B2 (en) * 2002-12-31 2006-03-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device having a multi-domain structure and a manufacturing method for the same
TWI248682B (en) * 2003-09-18 2006-02-01 Au Optronics Corp Control TFT for OLDE display
KR100670140B1 (ko) * 2004-08-26 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 커패시터

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014157357A5 (ja) 液晶表示装置
JP2015018264A5 (ja)
JP2013190804A5 (ja)
JP2014170952A5 (ja) 液晶表示装置
JP2014241404A5 (ja)
JP2014032415A5 (ja) 液晶表示装置
JP2016139159A5 (ja)
JP2013236068A5 (ja) 半導体装置
JP2014197211A5 (ja)
JP2015014786A5 (ja) 半導体装置
JP2015073101A5 (ja) 半導体装置
JP2016195267A5 (ja)
JP2014225044A5 (ja) 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2015128163A5 (ja)
JP2014112720A5 (ja)
JP2015111706A5 (ja) 表示装置および電子機器
JP2013149961A5 (ja) 半導体装置
JP2014199404A5 (ja)
JP2013175716A5 (ja) 半導体装置
JP2013243355A5 (ja) 半導体装置
JP2013016831A5 (ja)
JP2011192979A5 (ja)
JP2015146053A5 (ja) 液晶表示装置
JP2013211537A5 (ja)
JP2013179097A5 (ja) 表示装置