JP3785710B2 - El表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、EL表示装置においては、図11に示すように、ガラス基板1の一主面上に下部電極2、下部絶縁層3、発光層4、上部絶縁層5、上部電極6が順に積層されたEL素子を有している。このEL素子は防湿のためにシリコンオイル7とガラス基板8で覆われており、全体として薄膜ELパネルを構成している。下部電極2と上部電極6はストライプ状の電極パターンで直交配置されており、下部電極2と上部電極6に電圧を印加することで下部電極2と上部電極6の交差する部分が発光する。電圧を印加する電極を適当に選択することで画像表示を行うことができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
図12に、上記従来構造のパネル内での光の経路を示す。但し、この図ではシリコンオイル7と上部のガラス基板8は省略されている。ここで、EL素子の一般的な構成として、発光層4としてZnSを用い、下部絶縁層3としてSiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 の多層膜、下部電極2にITOを用いた場合、発光層4からパネル外側に行くほど屈折率が小さくなっている。従って、発光層4の回りには、低屈折率な層が形成されることになるため、発光層4から出た光のうち各層の界面に臨界角以上で入射した光(経路c、d、e、f)は全反射され、パネル面に対して垂直方向に近い角度で発光した光(経路a、b)のみがパネルの外に取り出される。
【0004】
このため、発光層4からの光のうち外部に取り出せる光は、高々10〜20%程度であり、その他はEL素子内部で全反射を繰り返しながら減衰し、外部には取り出されない。このように従来のEL素子では、光の利用効率が極めて低いという問題がある。
このような上記問題を解決するものとして、特開平3−46791号公報に示されるものがある。この公報に示されるものでは、図13に示すように、同一画素中で発光層4を多数に分割し、発光層4の側面をテーパ状に加工し、また発光層4と下部絶縁層3、発光層4と上部絶縁層5の間に低屈折率絶縁層3a、5aをそれぞれ設けて、全反射により発光層4中を横方向に進行する光をテーパ部4aでパネル前面方向に反射させて光を取り出すようにしている。
【0005】
しかしながら、発光層4の膜厚は現実的な駆動電圧を確保するために一般的には1μm以下となっており、このような薄い膜厚の場合、発光層4の側面をテーパ状に加工して光学的な反射面に加工することは極めて難しい。また、このような構造では、たとえ、発光層4から光が出ても、透明絶縁層3/透明電極2、透明電極2/透明基板1、透明基板1/空気20の各界面では、臨界角より大きな角度の光は全反射されパネル内に閉じこめられてしまうことになる。その結果、図14の光の配向パターンに示すように、発光層4からの光のうち図中の斜線部分の光はパネル内に閉じこめられ、パネル外に取り出すことができなくなる。
【0006】
本発明は、上記問題に鑑みたもので、基板の断面形状に工夫をこらすことで、上述したような光の閉じこめを抑制し、高輝度なEL表示装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明においては、基板(1)の一主面にテーパ状の凹部(10)を複数形成し、下部電極(2)、下部絶縁層(3)、発光層(4)、上部絶縁層(5)、上部電極(6)の各界面が凹部(10)のテーパ面(10a)に平行になるように形成したことを特徴としている。
【0008】
従って、発光層(4)からの光をテーパ面(10a)に沿って外部に取り出すことができるため、光の閉じ込めを抑制し、発光輝度を高めることができる。また、請求項1に記載の発明では、凹部(10)を下部電極(2)と上部電極(6)が交差する領域内に設けているから、画素の発光輝度を高めることができ、また、凹部(10)が下部電極(2)と上部電極(6)の電極パターンのそれぞれの端部に重ならないようにしているから、それぞれの電極パターンを良好に形成することができる。
【0009】
上述した凹部(10)を、請求項2に記載の発明のように、発光層(4)の膜厚より深く形成すれば、上述した効果を良好に得ることができる。また、請求項3に記載の発明のように、テーパ面(10a)に沿って形成された反射膜にて発光層(4)からの光を反射し、基板(1)の一主面側および他の主面側のいずれか一方から光を取り出すようにすれば、反射膜での光反射を利用することができるので発光輝度を一層高めることができ、その場合、請求項5に記載の発明のように、テーパ角を広い範囲で設定することができる。
【0010】
なお、テーパ面(10a)に沿って形成された反射膜としては、請求項4に記載の発明のように、下部電極(2)又は上部電極(6)とすることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態を示すELパネルの平面パターンを示し、図2は図1におけるAA’断面を示している。
絶縁性透明基板としてのガラス基板1上には下部電極2および上部電極6が互いに直交する電極パターンで形成されており、下部電極2と上部電極6の交差する一画素の領域内に複数(図1に示す例では4つ)の凹部10が、機械加工もしくはエッチングによりガラス基板1の表面に形成されている。この凹部10におけるテーパ面10aは、光学的に反射面として十分機能する程度の大きさとなっている。
【0012】
ガラス基板1の上には、ガラス基板1の表面の凹凸形状を再現するように、高反射率材料の下部電極2、下部絶縁層3、発光層4、上部絶縁層5が順次積層されている。また、上部絶縁層5の上には、透明な上部電極6がガラス基板1の凹部10により生じた凹凸を埋め込むように形成されている。さらに、上部電極6の上には、上部電極6や上部絶縁層5に存在するピンホールからの水分の侵入を防ぐため、ガラス基板8を設けてシリコンオイル7を封入している。
【0013】
従って、上記構成によれば、ガラス基板1に形成された凹部10において、下部電極2、下部絶縁層3、発光層4、上部絶縁層5、上部電極6の各界面がテーパ面10aに平行に形成された構造になる。
次に、図1に示すELパネルの製造方法について図3乃至図5に示す工程図を参照して説明する。
〔図3(a)の工程〕
まず、ガラス基板1上に感光性のポリイミド樹脂(例えば、日立化成製PL−2215シリーズのもの)をスピンコートしてポリイミド層1aを形成する。そして、図示しないポジマスクを用いて、下部電極2と上部電極6の交差する領域内に複数の凹部が形成できるように露光した後、現像、ポストアニールを経てテーパ角が約45度となる凹部を形成する。このときのテーパ角は、現像やポストアニール条件である程度制御可能である。
【0014】
但し、凹部がこの後に形成する下部電極2や上部電極6のパターニングの際のホト工程の妨げとならないように、凹部が下部電極2や上部電極6の電極パターンの端部にかからないように配置されている。なお、ポリイミド層1aは、最終的にガラス基板1に形成したい凹部の深さより20〜40%程度厚く形成するのが望ましい。これは、この後に行うエッチバックの際にポリイミド層1aとガラス基板1のエッチングレートの差を補正するためである。
【0015】
この後、イオンミーリング装置によりアルゴンイオン1bでポリイミド層1aが無くなるまでエッチバックを行う。上記手段でエッチングを行った場合、エッチングレートがガラス基板1とポリイミド層1aであまり大きくないため、エッチバック終了後には、ガラス基板1の表面には、ポリイミド層1aに設けた凹部が比較的良く再現され転写される。また、イオンミーリングはRIE等の反応性ガスを用いた異方性エッチングのように化学反応を用いないため、ガラス基板1に安価な無アルカリガラスを用いてもエッチング面が荒れることもない。なお、ポリイミド樹脂の代わりにBMR(東京応化製のもの)等の厚塗りが可能なフォトレジストを用いることもできる。
【0016】
上述した図3(a)の工程により、ガラス基板1に、テーパ面10aを有する凹部10が複数形成される。
〔図3(b)の工程〕
ガラス基板1の表面に、下部電極2となる高反射率材料を200nm前後の膜厚で形成し、エッチングによりストライプ状の下部電極2を形成する。下部電極材料としては、Al、Ag等の高反射率な材料を用いることができる。但し、Alのように比較的低い温度(450度前後)でヒロックが発生するような材料を用いた場合、工程中の熱処理(発光層のアニールで400〜600度)でヒロックが発生し、その表面の荒れにより絶縁層に高電界がかかる部分が生じ素子の信頼性が低下する可能性がある。この場合、例えばCuを微量添加することでヒロックの発生を抑制できる。
【0017】
下部電極2を形成した後、下部絶縁層3として例えばSiO2 、Si3 N4 、Ta2 O4 、Al2 O3 等の材料を形成する。このとき、これらの膜を複数積層することで、耐圧特性と下地の膜への密着性を良好にすることができる。なお、下部絶縁層3のトータル膜厚は300nnm前後に設定する。また、これらの膜の成膜方法は、CVD法等の凹凸に対する被覆性の優れた成膜手段を用いる必要がある。スパッタ法ではガラス基板1の凹凸により絶縁層の膜厚が均一にならず薄い部分が生じ、その部分に高電界が加わり絶縁破壊が発生する可能性があるからである。
【0018】
次に、ZnSを母材としてCVD法により発光層4を形成する。ZnSには必要な発光波長に応じてMnやTbをドーパントとして添加する。発光層4の膜厚は500nm前後に設定する。この後、上部絶縁層4を、下部絶縁層3と同一構造で同一の成膜方法で形成する。
〔図4(a)の工程〕
次に、上部絶縁層5の上にSiNを50nm程度形成した後、SiO2 を約500nm形成する。但し、上部絶縁層5の表面にSiNが露出している場合はSiNを形成する必要はない。この工程で形成された膜は、上部電極形6を形成する時のエッチングストッパ9となる。
〔図4(b)の工程〕
次に、エッチングストッパ9となる部分以外を希フッ酸によるウエットエッチング、またはCF4 等のガスを用いたドライエッチングで取り去る。このとき、SiO2 のエッチングレートに比べ下地のSiN層のエッチングレートが極度に小さいため、上部絶縁層5すなわちSiN層が露出した時点でエッチングは停止するので上部絶縁層5をエッチングしてしまうことはない。
〔図4(c)の工程〕
次に、上部電極6として透明導電膜を形成する。透明導電膜材料としては例えばITOが用いられる。ITOはスパッタ法でガラス基板1に設けた凹凸の深さより厚く成膜する。
〔図5(a)の工程〕
上部電極6を形成した後、化学機械研磨等の方法を用いて上部電極6の表面を研磨して平坦化する。研磨はエッチングストッパ9のSiO2 が露出した時点で終了する。そして、上部電極6をストライプ状にパターニングして、EL素子が完成する。
〔図5(b)の工程〕
最後に、上部電極6や上部絶縁層5に存在するピンホールから侵入する水分から発光層4を保護するため、シリコンオイル7とガラス基板8でEL素子を封入する。
【0019】
次に、上記したELパネルの動作を図6、図7を用いて説明する。
下部電極2、上部電極6間に電圧が印加され発光層4が発光すると、発光した光のうち膜面に対して垂直に近い方向に進む光21は、上部絶縁層5、上部電極6を通過し、さらに上部絶縁層5、発光層4、下部絶縁層3を通過して、下部電極2で反射される。従って、光21は、パネル面に対して垂直方向を中心に配向され、その光の配向パターンは、図7の21aのようになる。
【0020】
一方、膜面に対して比較的低角で発生した光22は、発光層4、絶縁層5、電極6のいずれかの界面で全反射を繰り返しながら、発光層4、上部絶縁層5中を伝搬し、最終的にはテーパ状の凹部10の端面で上部絶縁層5を透過して上部電極6に達する。そして、その光22は、パネル面の垂直方向に対してテーパ角だけずれた方向を中心に配向する。この場合、光の配向パターンは図7の22aのようになる。
【0021】
従って、いずれの経路の光も上部電極6に達した時点でパネル面の垂直方向に配向されているので、この後、通過するシリコンオイル7やガラス基板8の界面で全反射されること無くパネル外部に取り出される。
(第2実施形態)
図8に、本発明の第2実施形態を示す。
【0022】
本実施形態においては、表面が凹凸に加工されたガラス基板1の表面に、透明な下部電極2がストライプ状に形成され、その上に下部絶縁層3、発光層4、上部絶縁層5が順次積層されている。また、上部絶縁層5の上に、Al、Ag等の高反射率な導電性材料にて構成された上部電極6が、下部電極2と直交するようにストライプ状に形成されている。さらに、第1実施形態と同様、防湿のためにガラス基板8によりシリコンオイル7が封入されている。
【0023】
本実施形態においては、光を第1実施形態とは反対の方向、すなわちガラス基板1側から取り出すようにしている。その他は、第1実施形態とほぼ同様の動作をする。図9に本実施形態のEL素子の光の取り出し効率とテーパ角の関係の計算結果を示す。テーパ角が約10度から60度の範囲で光取り出し効率が大幅に改善されていることが分かる。この光取り出し効率とテーパ角の関係は、第1実施形態でも同様である。
【0024】
なお、本実施形態においては、上部電極6に高反射率材料を用いているため、その電極形成後に熱工程が無くなり、第1実施形態のようなヒロックの問題が生じないというというメリットがある。
(第3実施形態)
第1、第2実施形態では、下部電極2、上部電極6のうちのいずれかに高反射率な金属材料を用いたが、図10に示すように下部電極2、上部電極6ともに透明電極にしても光の取り出し効率を向上させることができる。
【0025】
この場合、発光層4から出た光がテーパ面10aで反射してパネル表面に垂直に配向する効果がなくなるため、発光層4から出た光をパネル表面に垂直方向に配向させ、発光層4中を全反射しながら伝搬して出射する光をなるべく多くし、さらにこの光をパネル表面に垂直方向に配向させるのが望ましい。
このため、発光層4に平行に形成されている下部電極2、下部絶縁層3、上部絶縁層5、上部電極6として、できる限る低屈折率な材料を用い、さらにテーパ面10aをパネル表面に対して垂直に形成する必要がある。このようにしても、光の取り出し効率は第1、第2実施形態に比べパネル裏面に抜ける光の分だけ低下するが、画素が非点灯時に透明になるメリットが得られる。また、シリコンオイル7に黒色色素を添加すれば黒表示が可能となる。
【0026】
以上述べた種々の実施形態によれば、発光層4で発光した光の多くをパネル外部に取り出すことが可能となり、高輝度なELパネルを得ることができる。計算では光の取り出し効率が従来構造に対し2〜3倍程度向上し、高輝度化と低消費電力化(従来と同程度の輝度とした場合)を図ることができる。
なお、本発明は上述した種々の実施形態に限定されるものでなく、特許請求の範囲に記載した範囲内で適宜変更が可能である。例えば、第1、第2実施形態において、下部電極2又は上部電極6を高反射率材料で形成するものを示したが、それらを透明電極としそれとは別に高反射率材料の反射膜を設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るELパネルの平面パターンを示す図である。
【図2】図1中のAA’断面の構造を示す図である。
【図3】図1に示すELパネルの製造工程を示す図である。
【図4】図3に続くELパネルの製造工程を示す図である。
【図5】図4に続くELパネルの製造工程を示す図である。
【図6】図1に示すELパネルの動作を説明するための図である。
【図7】図6中の2つの光経路に対する光の配向パターンを示す図である。
【図8】本発明の第2実施形態に係るELパネルの断面構造を示す図である。
【図9】図8に示すEL素子の光取り出し効率とテーパ角との関係を示す図である。
【図10】本発明の第3実施形態に係るELパネルの断面構造を示す図である。
【図11】従来のELパネルの断面構造を示す図である。
【図12】図11に示すEL素子内の光の経路を示す図である。
【図13】他の従来技術の断面構造を示す図である。
【図14】図13に示すものの光の配向パターンを示す図である。
【符号の説明】
1…ガラス基板、2…下部電極、3…下部絶縁層、4…発光層、
5…上部絶縁層、10…凹部、10a…テーパ面。
Claims (5)
- 基板(1)の一主面上に、下部電極(2)、下部絶縁層(3)、発光層(4)、上部絶縁層(5)、上部電極(6)が積層形成されてなるEL表示装置において、
前記基板の一主面にはテーパ状の凹部(10)が複数形成されており、前記下部電極(2)、前記下部絶縁層(3)、前記発光層(4)、前記上部絶縁層(5)、前記上部電極(6)の各界面が前記凹部(10)のテーパ面(10a)に平行に形成されており、 前記下部電極(2)と前記上部電極(5)は、互いに直交する電極パターンで形成されており、前記凹部(10)は、前記下部電極(2)と前記上部電極(6)が交差する領域内に設けられ、かつ前記下部電極(2)と前記上部電極(6)の電極パターンのそれぞれの端部に重ならないように配置されていることを特徴とするEL表示装置。 - 前記凹部(10)は、前記発光層(4)の膜厚より深く形成されていることを特徴とする請求項1に記載のEL表示装置。
- 前記テーパ面(10a)に沿って形成された反射膜にて前記発光層(4)からの光を反射し、前記基板(1)の一主面側および他の主面側のいずれか一方から光を取り出すように構成されていることを特徴とする請求項1又は2にEL表示装置。
- 前記反射膜は前記下部電極(2)および前記上部電極(6)のいずれか一方であることを特徴とする請求項3に記載のEL表示装置。
- 前記凹部(10)のテーパー角は、10度から60度の範囲にあることを特徴とする請求項3又は4に記載のEL表示装置。
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