CN111466039B - 像素结构、显示设备、以及制造像素结构的方法 - Google Patents

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Abstract

一种像素结构，包括：基底基板和位于基底基板上的发光元件。发光元件包括：反射电极；发光层，其位于反射电极上；以及实质透明电极，其位于发光层的远离反射电极的一侧。反射电极具有反射脊部，其构造为反射横向地透过发光层的光以使其从像素结构的发光表面出射。反射脊部具有第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁，第一凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第二凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底。第一凹反射侧壁背对第二凹反射侧壁。

Description

像素结构、显示设备、以及制造像素结构的方法
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及像素结构、显示设备、以及制造像素结构的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。
发明内容
在一方面，本发明提供了一种像素结构，包括：基底基板；以及，发光元件，其位于基底基板上；发光元件包括：反射电极；发光层，其位于反射电极上；以及实质透明电极，其位于发光层的远离反射电极的一侧；其中，反射电极具有反射脊部，其构造为反射横向地透过发光层的光以使其从像素结构的发光表面出射；并且其中，反射脊部具有第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁，第一凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第二凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第一凹反射侧壁背对第二凹反射侧壁。
可选地，像素结构还包括：绝缘脊部，其位于反射电极的面对基底基板的一侧；其中，绝缘脊部具有第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁，第一凹绝缘侧壁从绝缘脊部的峰顶延伸至绝缘脊部的基底，第二凹绝缘侧壁从绝缘脊部的峰顶延伸至绝缘脊部的基底，第一凹绝缘侧壁背对第二凹绝缘侧壁；并且，所述反射电极位于第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁上，从而形成第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁。
可选地，第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁中的每一个的曲率半径在约400nm至约750nm的范围内。
可选地，反射脊部的峰顶的宽度比用于形成反射脊部的峰顶的工艺裕度的五倍小。
可选地，像素结构还包括：光学层，其位于反射脊部和发光层之间；其中，光学层在基底基板上的正投影与反射脊部在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，光学层具有远离反射脊部的凸面；并且，所述凸面的曲率半径在约500nm至约1500nm的范围内。
可选地，光学层具有第一凹侧壁和第二凹侧壁，第一凹侧壁从光学层的峰顶延伸至光学层的基底，第二凹侧壁从光学层的峰顶延伸至光学层的基底，第一凹侧壁背对第二凹侧壁。
可选地，反射脊部是连续相连的脊部。
可选地，反射脊部包括彼此间隔开的多个子脊部。
可选地，所述多个子脊部中的每一个具有沿着与基底基板的主表面实质上平行的平面的截面，所述截面的形状选自由以下各项构成的组：矩形、圆形、以及椭圆形。
可选地，像素结构还包括：像素限定层，其位于基底基板上并且限定像素孔；发光元件构造为发射光以通过像素孔从像素结构的发光表面出射；并且，反射脊部位于像素孔内。
可选地，反射脊部将像素孔划分为多个子区域。
在另一方面，本发明提供了一种显示设备，其包括：本文描述的像素结构或通过本文描述的方法制造的像素结构。
在另一方面，本发明提供了一种制造像素结构的方法，包括：在基底基板上形成发光元件；其中，形成发光元件包括：形成反射电极；在反射电极上形成发光层；以及在发光层的远离反射电极的一侧形成实质透明电极；其中，反射电极形成为具有反射脊部，所述反射脊部构造为反射横向地透过发光层的光以使其从像素结构的发光表面出射；并且其中，反射脊部形成为具有第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁，第一凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第二凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第一凹反射侧壁背对第二凹反射侧壁。
可选地，在形成反射电极之前，所述方法还包括：形成绝缘脊部；其中，绝缘脊部形成为具有第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁，第一凹绝缘侧壁从绝缘脊部的峰顶延伸至绝缘脊部的基底，第二凹绝缘侧壁从绝缘脊部的峰顶延伸至绝缘脊部的基底，第一凹绝缘侧壁背对第二凹绝缘侧壁；并且，反射电极形成在第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁上，从而形成第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁。
可选地，形成绝缘脊部包括：在基底基板上沉积绝缘材料层；在绝缘材料层上形成光刻胶层；利用具有与绝缘脊部对应的图案的掩膜板对光刻胶层曝光和显影；以及，利用各向同性刻蚀方法刻蚀绝缘材料层，从而形成第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁。
可选的，在形成反射电极之后并且在形成发光层之前，所述方法还包括：形成光学层；其中，光学层形成在反射脊部和发光层之间；并且，光学层在基底基板上的正投影与反射脊部在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，利用有机材料形成光学层；光学层形成为具有远离反射脊部的凸面；并且，所述凸面的曲率半径在约500nm至约1500nm的范围内。
可选地，利用无机材料形成光学层；并且，光学层形成为具有第一凹侧壁和第二凹侧壁，第一凹侧壁从光学层的峰顶延伸至光学层的基底，第二凹侧壁从光学层的峰顶延伸至光学层的基底，第一凹侧壁背对第二凹侧壁。
可选地，所述方法还包括：在基底基板上形成用于限定像素孔的像素限定层；其中，反射脊部形成在像素孔内。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。
图2是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。
图3是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。
图4是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。
图5是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。
图6A至图6F是根据本公开的一些实施例中的反射脊部的示意图。
图7A至图7F示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。
图8A至图8F示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。
显示面板的发光层通常包括第一电极、发光层和第二电极。例如，有机发光二极管包括阳极、阳极上的有机功能层、以及有机功能层上的阴极。通常，发光元件的折射率(例如，有机发光二极管的有机功能层的折射率)大大高于外部介质(例如，空气或钝化层)的折射率。结果，仅当所发射光的入射角在特定范围内时，从发光元件发射的光才可以从像素结构的发光表面出射。从发光元件发射的入射角在所述特定范围以外的光在发光元件和外部介质之间的界面上经历全反射。被全反射的光在发光元件内传播，发光元件起到引导所发射的光的波导的作用。然而，有机发光二极管中诸如有机功能层之类的发光元件并非是完美的波导。透过有机功能层的光易于在传播期间光损失，并且最终在有机功能层的边缘处消散。
图1是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。参照图1，在一些实施例中，像素结构包括：位于基底基板10上的反射脊部30，其用于防止从发光层22发射并横向地透过作为波导的发光层22的光的光损失。可以利用发光元件20的反射电极21形成反射脊部30。图1示出了子像素中的由像素限定层50所限定的像素孔。如图1所示，横向地透过作为波导的发光层22的光束被反射脊部30反射，并且光沿着一定方向从像素结构的发光表面射出像素结构。具体地，横向传播的光束被反射脊部30的侧壁反射，反射光向上传播穿过发光层22和实质透明电极23，并且从像素结构的发光表面(例如，实质透明电极23的外表面)射出像素结构。通过在像素孔中设置反射脊部，可以降低或防止由于在作为波导的发光层22中传播而导致的光损失。
反射脊部30可以布置在像素孔的任何适当位置，例如，布置在像素孔的边缘附近。可选地，反射脊部30可以将像素孔划分为若干个子区域。反射脊部30可以通过在绝缘脊部60上布置反射电极21而形成。
像素结构还包括：光学层40，其位于反射脊部30的远离基底基板10的一侧。由反射脊部30的侧壁反射的横向传播的光束向上传播穿过光学层40、发光层22、以及实质透明电极23，从而到像素结构的外部。如图1所示，包括反射脊部30(以及光学层40)导致显示面板的开口率的损失。具体地，开口率的损失出现在光学层40所占据的区域中。
为了降低开口率损失，可以制造更小的光学层。图2是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。参照图2，图2的光学层40制作得比图1的光学层40更薄，并且占据像素结构中的更小区域。因此，由于光学层40占据更小区域，降低了显示面板中的开口率损失。然而，更薄的光学层与其他问题关联。例如，当与像素结构中的其他层(比如发光层22)结合时，更薄的光学层可以起到波导的作用。如图2所示，横向透过作为波导的发光层22的光束被反射脊部30反射。反射光束继续在由光学层40和发光层22的组合所形成的波导内传播。光束在由光学层40和发光层22的组合所形成的波导内被全反射，并且继续横向地传播而不是从像素结构的发光表面出射。
因此，本公开特别提供了像素结构、显示设备和制造像素结构的方法，其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种像素结构。在一些实施例中，所述像素结构包括：基底基板和位于基底基板上的发光元件。发光元件包括：反射电极；发光层，其位于反射电极上；以及实质透明电极，其位于发光层的远离反射电极的一侧。反射电极具有反射脊部，其构造为反射横向地透过发光层的光以使其从像素结构的发光表面出射。反射脊部具有第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁，第一凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第二凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第一凹反射侧壁背对第二凹反射侧壁。可选地，发光元件是显示面板的子像素中的有机发光二极管，并且发光元件包括：反射电极(例如，反射阳极)、有机功能层、以及实质透明电极(例如，实质透明阴极)。可选地，有机功能层包括有机发光层并且可选地包括其他有机层，比如空穴传输层、空穴注入层、电子注入层、以及电子传输层。如本文使用的，术语“实质上透明”意即从其透过至少50％(例如，至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％)的在可见波长范围中的光。
图3是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。参照图3，在一些实施例中，像素结构包括：基底基板10；像素限定层50，其用于限定与子像素对应的像素孔；以及发光元件20，其位于子像素孔中。发光元件20包括：反射电极21；发光层22，其位于反射电极21上；以及实质透明电极23，其位于发光层22的远离反射电极21的一侧。在一些实施例中，反射电极21具有反射脊部30，其构造为反射横向地透过发光层22的光以使其从像素结构的发光表面出射。与图1和图2中的反射脊部30的结构相比，图3的反射脊部30具有凹侧壁，所述凹侧壁构造为将光向上反射以使其从像素结构的发光表面出射。如图3所示，横向地透过作为波导的发光层22的光束被反射脊部30的凹侧壁反射。凹侧壁的凹曲表面连续反射光束，光束的光路径实质上沿着凹侧壁的表面曲率。然后，光束被传播至位于反射脊部30的远离基底基板10的一侧的光学层40，穿过光学层40和发光层22之间的界面，并且沿着实质向上的方向射出像素结构。由于反射脊部30的结构，使得光束在靠近光学层40的峰顶的区域透过光学层40，其中，光学层40实质上水平地布置。因此，透过光学层40的光束沿着与光学层40和发光层22之间的界面实质上垂直并且与发光层22和实质透明电极23之间的界面实质上垂直的方向。由反射脊部30建立的光路径避免了在作为波导的光学层40内出现全反射或作为波导的光学层40与发光层22的组合内出现全反射。
此外，由于反射脊部30的形状，使得反射脊部30的宽度可以制作得相对较小，并且位于反射脊部30的顶部的光学层40也可以制作得相对较小。此外，由反射脊部30建立的特殊光路径避免了光学层40中的全反射。因为光由于反射脊部30所建立的光路径而未被光学层40全反射，光学层40的倾斜角度对光传播的影响很小或没有影响。因此，光学层40可以制作得比图1和图2中的那些光学层小得多。结果，与图1和图2中的光学层相比，因为光学层40所占据的区域小得多，所以大大降低了开口率的损失。
图4是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。参照图4，反射脊部30具有第一凹反射侧壁30w1和第二凹反射侧壁30w2，第一凹反射侧壁30w1从反射脊部30的峰顶30p延伸至反射脊部30的基底30b，第二凹反射侧壁30w2从反射脊部30的峰顶30p延伸至反射脊部30的基底30b，第一凹反射侧壁30w1背对第二凹反射侧壁30w2。在图4中，反射脊部30形成在位于反射电极21的面对基底基板10的一侧的绝缘脊部60上。绝缘脊部60具有第一凹绝缘侧壁60w1和第二凹绝缘侧壁60w2，第一凹绝缘侧壁60w1从绝缘脊部60的峰顶60p延伸至绝缘脊部60的基底60b，第二凹绝缘侧壁60w2从绝缘脊部60的峰顶60p延伸至绝缘脊部60的基底60b，第一凹绝缘侧壁60w1背对第二凹绝缘侧壁60w2。反射电极21布置在第一凹绝缘侧壁60w1和第二凹绝缘侧壁60w2上，从而形成第一凹反射侧壁30w1和第二凹反射侧壁30w2。
为了避免当光到达反射脊部30时的光衍射，第一凹反射侧壁30w1和第二凹反射侧壁30w2中的每一个可以制作成具有可见光波长范围内的曲率半径或大于可见光波长的曲率半径。可选地，第一凹反射侧壁30w1和第二凹反射侧壁30w2中的每一个的曲率半径在约400nm至约750nm的范围内，例如，在约400nm至约500nm的范围内，在约500nm至约600nm的范围内，以及在约600nm至约750nm的范围内。
为了进一步降低开口率损失，反射脊部30的峰顶30p的宽度w可以制作得尽可能小，例如，接近0。可选地，反射脊部30的峰顶30p的宽度w在足以避免峰顶30p由于工艺误差而破损的范围内。因此，可选地，反射脊部30的峰顶30p的宽度w在工艺裕度允许的情况下制作得尽可能小，以保持反射脊部30的峰顶30p的完整性。可选地，反射脊部30的峰顶30p的宽度w比用于形成反射脊部30的峰顶30p的工艺裕度的五倍小(例如，比工艺裕度的四倍小，比工艺裕度的三倍小，比工艺裕度的两倍小)。可选地，反射脊部30的峰顶30p的宽度w约等于用于形成反射脊部30的峰顶30p的工艺裕度。可选地，工艺裕度是刻蚀工艺(例如，湿法刻蚀工艺)中的工艺裕度。可选地，工艺裕度在约5nm至约10nm的范围内，例如，为约5nm。
光学层40布置在反射脊部30和发光层22之间。光学层40在基底基板10上的正投影与反射脊部30在基底基板10上的正投影至少部分地重叠。可选地，光学层40在基底基板10上的正投影覆盖反射脊部30在基底基板10上的正投影。可选地，光学层40在基底基板10上的正投影与绝缘脊部60在基底基板10上的正投影至少部分地重叠。可选地，光学层40在基底基板10上的正投影覆盖绝缘脊部60在基底基板10上的正投影。
在一些实施例中，参照图4，光学层40具有远离反射脊部30的凸面40s。可选地，凸面40s的曲率半径在约500nm至约1500nm的范围内，例如，为约1000nm。
图5是根据本公开的一些实施例中的像素结构的示意图。参照图5，光学层40具有第一凹侧壁40w1和第二凹侧壁40w2，第一凹侧壁40w1从光学层40的峰顶40p延伸至光学层40的基底40b，第二凹侧壁40w2从光学层40的峰顶40p延伸至光学层40的基底40b，第一凹侧壁40w1背对第二凹侧壁40w2。可选地，第一凹侧壁40w1覆盖第一凹反射侧壁30w1，并且第二凹侧壁40w2覆盖第二凹反射侧壁30w2。通过设置这种结构，光学层40可以制作得甚至更小，占据更小的区域，导致进一步降低开口率损失。
可以在子像素的像素孔中以任意适当图案形成反射脊部30。可选地，反射脊部30为网格或者具有将像素孔划分为多个子区域的图案。图6A至图6F是根据本公开的一些实施例中的反射脊部的示意图。参照图6A和图6B，在一些实施例中，反射脊部30为连续相连的脊部。参照图6C至图6F，在一些实施例中，反射脊部30包括彼此间隔开的多个子脊部。所述多个子脊部中的每一个具有沿与基底基板的主表面(参见图4中的基底基板的主表面的标记M)实质平行的平面的截面。该截面可具有任何适当形状。可选地，所述截面的形状选自由以下各项构成的组：矩形、圆形、以及椭圆形，如图6A至图6F所示。
由于在具有反射脊部30的区域中，实质透明电极23可以以较小厚度沉积在发光层22上，因此这些区域中的实质透明电极的导电性会受到影响。为了避免任何潜在导电性问题，具有非连续图案的反射脊部30可以确保实质透明电极23的在由反射脊部30的图案形成的所述多个子区域中的部分彼此良好地连接，从而保持实质透明电极23的不同部分处的均匀稳定的电压电平。
类似地，绝缘脊部60具有与反射脊部30的图案对应的图案。可选地，在一些实施例中，绝缘脊部60是连续相连的脊部。可选地，在一些实施例中，绝缘脊部60包括彼此间隔开的多个子脊部。所述多个子脊部中的每一个具有沿与基底基板的主表面实质平行的平面的截面。该截面可具有任何适当形状。可选地，所述截面的形状选自由以下各项构成的组：矩形、圆形、以及椭圆形。
类似地，光学层40具有与反射脊部30的图案对应的图案。可选地，在一些实施例中，光学层40是连续相连的脊部。可选地，在一些实施例中，光学层40包括彼此间隔开的多个子脊部。所述多个子脊部中的每一个具有沿与基底基板的主表面实质平行的平面的截面。该截面可具有任何适当形状。可选地，所述截面的形状选自由以下各项构成的组：矩形、圆形、以及椭圆形。
在一些实施例中，发光元件是有机发光二极管，其包括：反射电极(例如，反射阳极)、位于反射电极上的有机发光层、以及位于有机发光层的远离反射电极的一侧的实质透明电极(例如，实质透明阴极)。
在另一方面，本公开提供了一种制造像素结构的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上形成发光元件。形成发光元件的步骤包括：形成反射电极；在反射电极上形成发光层；以及在发光层的远离反射电极的一侧形成实质透明电极。可选地，反射电极形成为具有反射脊部，所述反射脊部构造为反射横向地透过发光层的光以使其从像素结构的发光表面出射；可选地，反射脊部形成为具有第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁，第一凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第二凹反射侧壁从反射脊部的峰顶延伸至反射脊部的基底，第一凹反射侧壁背对第二凹反射侧壁。
在一些实施例中，在形成反射电极之前，所述方法还包括：形成绝缘脊部。绝缘脊部形成为具有第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁，第一凹绝缘侧壁从绝缘脊部的峰顶延伸至绝缘脊部的基底，第二凹绝缘侧壁从绝缘脊部的峰顶延伸至绝缘脊部的基底，第一凹绝缘侧壁背对第二凹绝缘侧壁。反射电极形成在第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁上，从而形成第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁。
在一些实施例中，形成绝缘脊部的步骤包括：在基底基板上沉积绝缘材料层；在绝缘材料层上形成光刻胶层；利用具有与绝缘脊部对应的图案的掩膜板对光刻胶层曝光和显影；以及，利用各向同性刻蚀方法刻蚀绝缘材料层，从而形成第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁。
在一些实施例中，在形成反射电极之后并且在形成发光层之前，所述方法还包括：形成光学层。可选地，光学层形成在反射脊部和发光层之间。可选地，光学层在基底基板上的正投影与反射脊部在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
在一些实施例中，利用有机材料形成光学层。可选地，光学层形成为具有远离反射脊部的凸面。可选地，所述凸面的曲率半径在约500nm至约1500nm的范围内。
在一些实施例中，利用无机材料形成光学层。可选地，光学层形成为具有第一凹侧壁和第二凹侧壁，第一凹侧壁从光学层的峰顶延伸至光学层的基底，第二凹侧壁从光学层的峰顶延伸至光学层的基底，第一凹侧壁背对第二凹侧壁。
在一些实施例中，所述方法还包括：在基底基板上形成用于限定像素孔的像素限定层。可选地，反射脊部形成在像素孔内。
各种适当的反射导电材料和各种适当的制造方法可以用于制作反射电极。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积反射导电材料。适当反射导电材料的示例包括但不限于：金属材料，比如铜、铝、银、钼、铬、钕、镍、锰、钛、钽、以及钨。
各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法可以用于制作绝缘脊部。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积绝缘材料。适当绝缘材料的示例包括但不限于：聚酰亚胺、氧化硅(SiOy)、氮化硅(SiNy，例如，Si3N4)和氮氧化硅(SiOxNy)。
各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法可以用于制作所述像素限定层。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积绝缘材料。适当绝缘材料的示例包括但不限于：聚酰亚胺、氧化硅(SiOy)、氮化硅(SiNy，例如，Si3N4)和氮氧化硅(SiOxNy)。
各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法可以用于制作光学层。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积有机绝缘材料或无机绝缘材料。适当绝缘材料的示例包括但不限于：聚酰亚胺、氧化硅(SiOy)、氮化硅(SiNy，例如，Si3N4)和氮氧化硅(SiOxNy)。
各种适当的反射导电材料和各种适当的制造方法可以用于制作实质透明电极。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积实质透明导电材料。适当实质透明导电材料的示例包括但不限于：各种实质透明金属电极材料、实质透明金属氧化物电极材料、以及实质透明纳米碳管。实质透明金属材料的示例包括：银和镁/银合金或层叠件。实质透明金属氧化物材料的示例包括但不限于：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓和氧化铟镓锌。
图7A至图7F示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。参照图7A，在基底基板10上沉积绝缘材料层60’。参照图7B，在绝缘材料层60’上形成光刻胶层70，光刻胶层70形成为具有与绝缘脊部的图案对应的图案。参照图7B和图7C，利用各向同性刻蚀方法刻蚀绝缘材料层60’。由于刻蚀是实质上各向同性的，因此不仅在无光刻胶图案的区域中刻蚀绝缘材料层60’，而且还在光刻胶图案下方的区域中刻蚀绝缘材料层60’，从而形成绝缘脊部60。如图7C所示，绝缘脊部60形成为具有第一凹绝缘侧壁60w1和第二凹绝缘侧壁60w2，第一凹绝缘侧壁60w1从绝缘脊部60的峰顶60p延伸至绝缘脊部60的基底60b，第二凹绝缘侧壁60w2从绝缘脊部60的峰顶60p延伸至绝缘脊部60的基底60b，第一凹绝缘侧壁60w1背对第二凹绝缘侧壁60w2。
在刻蚀绝缘材料层60’时，使得绝缘脊部60的峰顶60p的宽度w’尽可能小，例如，接近0。可选地，使得绝缘脊部60的峰顶60p的宽度w’被制作为在足以避免峰顶60p由于工艺误差而破损的范围内。因此，可选地，绝缘脊部60的峰顶60p的宽度w’在工艺裕度允许的情况下制作得尽可能小，以保持绝缘脊部60的峰顶60p的完整性。可选地，绝缘脊部60的峰顶60p的宽度w比用于形成绝缘脊部60的峰顶60p的工艺裕度的五倍小(例如，比工艺裕度的四倍小，比工艺裕度的三倍小，比工艺裕度的两倍小)。可选地，绝缘脊部60的峰顶60p的宽度w约等于用于形成绝缘脊部60的峰顶60p的工艺裕度。可选地，工艺裕度是刻蚀工艺(例如，湿法刻蚀工艺)中的工艺裕度。可选地，工艺裕度在约5nm至约10nm的范围内，例如，为约5nm。
参照图7D，形成像素限定层50以限定子像素孔。在子像素孔中沉积反射电极21，反射电极21形成为覆盖绝缘脊部60。具体地，反射电极21形成在第一凹绝缘侧壁60w1和第二凹绝缘侧壁60w2上，从而形成具有第一凹反射侧壁30w1和第二凹反射侧壁30w2的反射脊部30。第一凹反射侧壁30w1从反射脊部30的峰顶30p延伸至反射脊部30的基底30b，第二凹反射侧壁30w2从反射脊部30的峰顶30p延伸至反射脊部30的基底30b，第一凹反射侧壁30w1背对第二凹反射侧壁30w2。
可选地，反射脊部30的峰顶30p的宽度w可以制作得尽可能小，例如，接近0。可选地，反射脊部30的峰顶30p的宽度w比用于形成反射脊部30的峰顶30p的工艺裕度的五倍小(例如，比工艺裕度的四倍小，比工艺裕度的三倍小，比工艺裕度的两倍小)。可选地，反射脊部30的峰顶30p的宽度w约等于用于形成反射脊部30的峰顶30p的工艺裕度。可选地，工艺裕度在约5nm至约10nm的范围内，例如，为约5nm。
参照图7E，在反射脊部30的远离基底基板10的一侧形成光学层40。光学层40形成为使得光学层40在基底基板10上的正投影与反射脊部30在基底基板10上的正投影至少部分地重叠(例如，光学层40在基底基板10上的正投影覆盖反射脊部30在基底基板10上的正投影)。可选地，利用有机材料形成光学层40。可选地，光学层40形成为具有远离反射脊部30的凸面40s。可选地，所述凸面形成为具有在约500nm至约1500nm的范围内的曲率半径。
参照图7F，在光学层40和反射电极21上形成发光层22，并且在发光层22的远离基底基板10的一侧形成实质透明电极23。
图8A至图8F示出了根据本公开的一些实施例中的制造像素结构的方法。图8A至图8D所示的处理与图7A至图7D所示的处理实质上相同。参照图8E，在形成反射电极21之后并且在形成发光层22之前，所述方法还包括：形成光学层40。可选地，在反射脊部30和发光层之间形成光学层40。可选地，利用无机材料形成光学层40。具体地，通过在反射电极21上沉积无机绝缘材料来形成光学层40。绝缘材料层可以制作得相对薄，并且对其构图以使其具有与反射脊部30对应的轮廓。
参照图8E，光学层40形成为具有第一凹侧壁40w1和第二凹侧壁40w2，第一凹侧壁40w1从光学层40的峰顶40p延伸至光学层40的基底40b，第二凹侧壁40w2从光学层40的峰顶40p延伸至光学层40的基底40b，第一凹侧壁40w1背对第二凹侧壁40w2。可选地，第一凹侧壁40w1覆盖第一凹反射侧壁30w1，并且第二凹侧壁40w2覆盖第二凹反射侧壁30w2。通过设置这种结构，光学层40可以制作得甚至更小，占据更小的区域，导致进一步降低开口率损失。
参照图8F，在光学层40和反射电极21上形成发光层22，并且在发光层22的远离基底基板10的一侧上形成实质透明电极23。
在另一方面，本公开提供了一种显示基板，其具有本文描述的或通过本文描述的方法制造的像素结构。在另一方面，本公开提供了一种显示面板，其具有本文描述的或通过本文描述的方法制造的像素结构。在另一方面，本公开提供了一种显示设备，其具有本文描述的或通过本文描述的方法制造的像素结构。可选地，所述显示设备为有机发光二极管显示设备。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (18)

1.一种像素结构，包括：
基底基板；以及，
发光元件，其位于所述基底基板上；所述发光元件包括：反射电极、位于所述反射电极上的发光层、以及位于所述发光层的远离所述反射电极的一侧的实质透明电极；
其中，所述反射电极具有反射脊部，所述反射脊部构造为反射横向地透过所述发光层的光以使所述光从所述像素结构的发光表面出射；并且
其中，所述反射脊部具有第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁，所述第一凹反射侧壁从所述反射脊部的峰顶延伸至所述反射脊部的基底，所述第二凹反射侧壁从所述反射脊部的峰顶延伸至所述反射脊部的基底，所述第一凹反射侧壁背对所述第二凹反射侧壁；
所述像素结构还包括：光学层，其位于所述反射脊部和所述发光层之间；
其中，所述光学层在所述基底基板上的正投影与所述反射脊部在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的像素结构，还包括：绝缘脊部，其位于所述反射电极的面对所述基底基板的一侧；
其中，所述绝缘脊部具有第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁，所述第一凹绝缘侧壁从所述绝缘脊部的峰顶延伸至所述绝缘脊部的基底，所述第二凹绝缘侧壁从所述绝缘脊部的峰顶延伸至所述绝缘脊部的基底，所述第一凹绝缘侧壁背对所述第二凹绝缘侧壁；并且
所述反射电极位于第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁上，从而形成第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述第一凹反射侧壁和所述第二凹反射侧壁中的每一个的曲率半径在约400nm至约750nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述反射脊部的峰顶的宽度比用于形成所述反射脊部的峰顶的工艺裕度的五倍小。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述光学层具有远离所述反射脊部的凸面；并且
所述凸面的曲率半径在约500nm至约1500nm的范围内。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述光学层具有第一凹侧壁和第二凹侧壁，所述第一凹侧壁从所述光学层的峰顶延伸至所述光学层的基底，所述第二凹侧壁从所述光学层的峰顶延伸至所述光学层的基底，所述第一凹侧壁背对所述第二凹侧壁。
7.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述反射脊部是连续相连的脊部。
8.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述反射脊部包括彼此间隔开的多个子脊部。
9.根据权利要求8所述的像素结构，其中，所述多个子脊部中的每一个具有沿着与所述基底基板的主表面实质上平行的平面的截面，所述截面的形状选自由以下各项构成的组：矩形、圆形、以及椭圆形。
10.根据权利要求1所述的像素结构，还包括：像素限定层，其位于所述基底基板上并且限定像素孔；
其中，所述发光元件构造为发射光以通过所述像素孔从所述像素结构的发光表面出射；并且
所述反射脊部位于所述像素孔内。
11.根据权利要求10所述的像素结构，其中，所述反射脊部将所述像素孔划分为多个子区域。
12.一种显示设备，包括权利要求1至11中任一项所述的像素结构。
13.一种制造像素结构的方法，包括：在基底基板上形成发光元件；
其中，形成发光元件包括：形成反射电极；在所述反射电极上形成发光层；以及在所述发光层的远离所述反射电极的一侧形成实质透明电极；
其中，所述反射电极形成为具有反射脊部，所述反射脊部构造为反射横向地透过所述发光层的光以使所述光从所述像素结构的发光表面出射；并且
其中，所述反射脊部形成为具有第一凹反射侧壁和第二凹反射侧壁，所述第一凹反射侧壁从所述反射脊部的峰顶延伸至所述反射脊部的基底，所述第二凹反射侧壁从所述反射脊部的峰顶延伸至所述反射脊部的基底，所述第一凹反射侧壁背对所述第二凹反射侧壁；
其中，在形成所述反射电极之后并且在形成所述发光层之前，还包括：形成光学层；
其中，所述光学层形成在所述反射脊部和所述发光层之间；并且所述光学层在所述基底基板上的正投影与所述反射脊部在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
14.根据权利要求13所述的方法，在形成反射电极之前，还包括：形成绝缘脊部；
其中，所述绝缘脊部形成为具有第一凹绝缘侧壁和第二凹绝缘侧壁，所述第一凹绝缘侧壁从所述绝缘脊部的峰顶延伸至所述绝缘脊部的基底，所述第二凹绝缘侧壁从所述绝缘脊部的峰顶延伸至所述绝缘脊部的基底，所述第一凹绝缘侧壁背对所述第二凹绝缘侧壁；并且
所述反射电极形成在所述第一凹绝缘侧壁和所述第二凹绝缘侧壁上，从而形成所述第一凹反射侧壁和所述第二凹反射侧壁。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述绝缘脊部包括：
在所述基底基板上沉积绝缘材料层；
在所述绝缘材料层上形成光刻胶层；
利用具有与所述绝缘脊部对应的图案的掩膜板对所述光刻胶层曝光和显影；以及
利用各向同性刻蚀方法刻蚀所述绝缘材料层，从而形成所述第一凹绝缘侧壁和所述第二凹绝缘侧壁。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，利用有机材料形成所述光学层；
所述光学层形成为具有远离所述反射脊部的凸面；并且
所述凸面的曲率半径在约500nm至约1500nm的范围内。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，利用无机材料形成所述光学层；并且
所述光学层形成为具有第一凹侧壁和第二凹侧壁，所述第一凹侧壁从所述光学层的峰顶延伸至所述光学层的基底，所述第二凹侧壁从所述光学层的峰顶延伸至所述光学层的基底，所述第一凹侧壁背对所述第二凹侧壁。
18.根据权利要求13所述的方法，还包括：在所述基底基板上形成用于限定像素孔的像素限定层；
其中，所述反射脊部形成在所述像素孔内。
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