JP6561284B2 - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 147
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- -1 fluororesin Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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Description
α=90−φ/2 (2)
また、有機EL層20より出射された光のうち、第4絶縁膜19の側面19bに入射する光を入射光Lciと定義し、第4絶縁膜19の側面19bにより反射される光を反射光Lcrと定義する。
αz(n1、n2)=arcsin(n2/n1) (3)
により表される。
α>αz(n1、n2)=arcsin(n2/n1) (4)
となる。なお、第2電極21は、10nm程度と非常に薄く、上記全反射条件に対して寄与が小さいため、ここでは無視したが、厚さが20nm程度となる場合には考慮する必要がある。以下では、一例として、n1=1.8、n2=1.5であるとする。この場合、臨界角度αzは、αz≒56°となる。したがって、入射光Lciがz軸方向へ全反射されるために第4絶縁膜19の側面19bのテーパー角αが満たすべき条件は、(4)式より
α>56°
となる。
α>αz(n1、n2)+γ/2=arcsin(n2/n1)+γ/2(5)
となる。したがって、一例として、γ=20°の場合、
α>66°
となる。
45°≦αm≦αz (6)
となる。上述したように、例えばn1=1.8、n2=1.5においては、αz≒56°であるので、第1電極18の側面18bのテーパー角αmは、
45°≦αm≦56°
となる。
45°+γ/2≦αm≦αz+γ/2 (7)
となる。したがって、一例として、γ=20°の場合、第1電極18の側面18bのテーパー角αmは、
55°≦αm≦66°
となる。
55°≦α≦80°
において、光の反射率がほぼ1であり、第4絶縁膜19の側面19bと同一の材料による光の反射が、z軸方向の輝度の増加に寄与していることがわかる。
50°≦αm≦80°
において、金属面による光の反射が、z軸方向の輝度の増加に寄与していることがわかる。
α>51°
となる。また、第1電極18の側面18bのテーパー角αmが満たすべき条件は、(6)式より、
45°≦αm≦51°
となる。
α>63°
となる。また、第1電極18の側面18bのテーパー角αmが満たすべき条件は、(6)式より、
45°≦αm≦63°
となる。
70°≦α≦80°
となる。また、第1電極18の側面18bのテーパー角αmは、より好ましくは、
55°≦αm≦80°
となる。
有機EL層20の発光部22aと、発光部22aから出射された反射する反射面との位置関係が周期性を持つ場合、特定の角度の反射光の強度が強められ、又は弱められることにより、モアレ(干渉縞)が発生することがある。
図8(a)(b)に示すように、サブ画素領域において、第3絶縁膜17に設けられた凹部17aの底面17cの中心と、第4絶縁膜19に設けられた孔19aの中心(すなわち、有機EL層20の底面20cの中心)とは、相対的にずらされて形成されている。すなわち、サブ画素領域において、第3絶縁膜17に設けられた複数の凹部17aのうち、一の凹部17aに対して、当該凹部17aに対応する有機EL層20の底面20cが第1の方向に相対的にずれて配置された場合に、第3絶縁膜17の他の凹部17aの少なくとも一つに対して、当該凹部17aに対応する有機EL層20の底面20cは、第1の方向と異なる方向にずれて配置されている。
第1、第2の実施形態において、発光部22aは、円形状の平面形状を持つ。しかし、発光部22aの平面形状は、円形状に限定されるものではない。図9(a)(b)は、第3の実施形態を示すものである。
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、第1の底面と傾斜した第1の側面とを含み、前記第1の側面により構成される第1の開口部の面積が前記第1の底面の面積より大きい少なくとも1つの凹部を含む第1の絶縁膜と、
前記少なくとも1つの凹部上に前記凹部に沿って設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の底面に対応する前記第1の電極の一部に接触された第2の底面と、傾斜した第2の側面とを含み、前記第2の側面により構成される第2の開口部の面積が前記第2の底面の面積より大きい、前記第2の絶縁膜内に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第2の電極と、
を具備し、
前記凹部の深さは、前記発光層の膜厚より深く、前記第2の絶縁膜の膜厚は前記凹部の深さより厚く、
前記第1の絶縁膜の少なくとも1つの凹部は、少なくとも1つの溝であることを特徴とする表示装置。 - 基板と、
前記基板上に設けられ、第1の底面と傾斜した第1の側面とを含み、前記第1の側面により構成される第1の開口部の面積が前記第1の底面の面積より大きい少なくとも1つの凹部を含む第1の絶縁膜と、
前記少なくとも1つの凹部上に前記凹部に沿って設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の底面に対応する前記第1の電極の一部に接触された第2の底面と、傾斜した第2の側面とを含み、前記第2の側面により構成される第2の開口部の面積が前記第2の底面の面積より大きい、前記第2の絶縁膜内に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第2の電極と、
を具備し、
前記凹部の深さは、前記発光層の膜厚より深く、前記第2の絶縁膜の膜厚は前記凹部の深さより厚く、
前記第1の絶縁膜の少なくとも1つの凹部は、少なくとも2つの交差した溝により構成されていることを特徴とする表示装置。 - 第1、第2のサブ画素を含む表示装置であって、
前記第1、第2のサブ画素は、それぞれ、
基板と、
前記基板上に設けられ、第1の底面と傾斜した第1の側面とを有し、前記第1の側面により構成される第1の開口部の面積が前記第1の底面の面積より大きい少なくとも1つの凹部を有する第1の絶縁膜と、
前記少なくとも1つの凹部上に前記凹部に沿って設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の底面に対応する前記第1の電極の一部に接触された第2の底面と、傾斜した第2の側面とを含み、前記第2の側面により構成される第2の開口部の面積が前記第2の底面の面積より大きい、前記第2の絶縁膜内に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第2の電極と、
を具備し、
前記凹部の深さは、前記発光層の膜厚より深く、前記第2の絶縁膜の膜厚は前記凹部の深さより厚く、
前記第1、第2のサブ画素は、第1の絶縁膜の前記少なくとも1つの凹部は、第1の凹部と第2の凹部を含み、前記第1の凹部内の前記発光層の第3の底面の位置は、前記第1の凹部の第4の底面の中央部から第1の方向にずれて配置され、前記第2の凹部内の前記発光層の第5の底面の位置は、前記第2の凹部の第6の底面の中央部から、前記第1の方向と異なる第2の方向にずれて配置されることを特徴とする表示装置。 - 第1、第2のサブ画素を含む表示装置であって、
前記第1、第2のサブ画素は、それぞれ、
基板と、
前記基板上に設けられ、第1の底面と傾斜した第1の側面とを有し、前記第1の側面により構成される第1の開口部の面積が前記第1の底面の面積より大きい少なくとも1つの凹部を有する第1の絶縁膜と、
前記少なくとも1つの凹部上に前記凹部に沿って設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の底面に対応する前記第1の電極の一部に接触された第2の底面と、傾斜した第2の側面とを含み、前記第2の側面により構成される第2の開口部の面積が前記第2の底面の面積より大きい、前記第2の絶縁膜内に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第2の電極と、
を具備し、
前記凹部の深さは、前記発光層の膜厚より深く、前記第2の絶縁膜の膜厚は前記凹部の深さより厚く、
前記第1のサブ画素は、第1の絶縁膜の前記少なくとも1つの凹部は、第1の凹部と第2の凹部を含み、前記第1の凹部内の前記発光層の第3の底面の位置は、前記第1の凹部の第4の底面の中央部から第1の方向にずれて配置され、前記第2の凹部内の前記発光層の第5の底面の位置は、前記第2の凹部の第6の底面の中央部から、前記第1の方向と異なる第2の方向にずれて配置され、
前記第2のサブ画素は、第1の絶縁膜の前記少なくとも1つの凹部は、前記第1の凹部と対応する第3の凹部と、前記第2の凹部と対応する第4の凹部とを含み、前記第3の凹部内の前記発光層の第7の底面の位置は、前記第3の凹部の第8の底面の中央部から前記第2の方向にずれて配置され、前記第4の凹部内の前記発光層の第9の底面の位置は、前記第4の凹部の第10の底面の中央部から、前記第1の方向にずれて配置されることを特徴とする表示装置。 - 第1、第2のサブ画素を含む表示装置であって、
前記第1、第2のサブ画素は、それぞれ、
基板と、
前記基板上に設けられ、第1の底面と傾斜した第1の側面とを有し、前記第1の側面により構成される第1の開口部の面積が前記第1の底面の面積より大きい少なくとも1つの凹部を有する第1の絶縁膜と、
前記少なくとも1つの凹部上に前記凹部に沿って設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の底面に対応する前記第1の電極の一部に接触された第2の底面と、傾斜した第2の側面とを含み、前記第2の側面により構成される第2の開口部の面積が前記第2の底面の面積より大きい、前記第2の絶縁膜内に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第2の電極と、
を具備し、
前記凹部の深さは、前記発光層の膜厚より深く、前記第2の絶縁膜の膜厚は前記凹部の深さより厚く、
前記第1のサブ画素は、第1の絶縁膜の前記少なくとも1つの凹部は、第1の凹部を含み、前記第1の凹部内の前記発光層の第3の底面の位置は、前記第1の凹部の第4の底面の中央部から第1の方向にずれて配置され、
前記第2のサブ画素は、第1の絶縁膜の前記少なくとも1つの凹部は、第2の凹部を含み、前記第2の凹部内の前記発光層の第5の底面の位置は、前記第2の凹部の第6の底面の中央部から前記第1の方向と異なる第2の方向にずれて配置されることを特徴とする表示装置。 - 前記第2の絶縁膜は、前記第1の底面と平行する面となす角度がαである傾斜した第3の側面を含み、
前記発光層の屈折率がn1であり、前記第2の絶縁膜の屈折率がn2である場合に、前記角度αは、
α>arcsin(n2/n1)
を満たすことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の表示装置。 - 前記第1の電極は、前記第1の底面と平行する面となす角度がαmである傾斜した第4の側面を含み、
前記角度αmは、
45°≦αm≦arcsin(n2/n1)
を満たすことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。 - 前記角度αは、
70°≦α≦80°
を満たすことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。 - 前記角度αmは、
55°≦αm≦80°
を満たすことを特徴とする請求項7に記載の表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016013513A JP6561284B2 (ja) | 2016-01-27 | 2016-01-27 | 表示装置 |
US15/416,376 US10068952B2 (en) | 2016-01-27 | 2017-01-26 | Display device having a recess portion in an insulating film and a light emitting layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016013513A JP6561284B2 (ja) | 2016-01-27 | 2016-01-27 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019110441A Division JP6804591B2 (ja) | 2019-06-13 | 2019-06-13 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017135243A JP2017135243A (ja) | 2017-08-03 |
JP6561284B2 true JP6561284B2 (ja) | 2019-08-21 |
Family
ID=59360704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016013513A Active JP6561284B2 (ja) | 2016-01-27 | 2016-01-27 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10068952B2 (ja) |
JP (1) | JP6561284B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI674671B (zh) * | 2013-05-28 | 2019-10-11 | 日商新力股份有限公司 | 顯示裝置及電子機器 |
CN107579166B (zh) * | 2017-08-31 | 2024-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板制作方法 |
KR102418513B1 (ko) | 2017-10-31 | 2022-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
KR102087103B1 (ko) | 2018-12-17 | 2020-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 |
KR102075728B1 (ko) | 2018-12-17 | 2020-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
KR20210054390A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치표시장치 |
WO2023095857A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3785710B2 (ja) * | 1996-12-24 | 2006-06-14 | 株式会社デンソー | El表示装置 |
JP2003017273A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2005340011A (ja) | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4645587B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 表示素子および表示装置 |
JP4623138B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
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KR102146070B1 (ko) * | 2013-07-01 | 2020-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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JP2015122248A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP2015138612A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
KR102178863B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2020-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 표시 장치 |
-
2016
- 2016-01-27 JP JP2016013513A patent/JP6561284B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-26 US US15/416,376 patent/US10068952B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10068952B2 (en) | 2018-09-04 |
JP2017135243A (ja) | 2017-08-03 |
US20170213882A1 (en) | 2017-07-27 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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