JP2015050011A - エレクトロルミネセンス装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子内で発光した光を有効利用すべく、光の取り出し効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】有機ＥＬ素子で発光した光の損失要因である導波光を有効利用することで、電流を増やすことなく光取り出し効率を高める。そのために、光反射面を有する第１の電極の下層に設けられる絶縁層に段差部を設け、該第１の電極の周縁領域がこの段差部にかかるように形成する。この段差部により第１の電極の周縁領域において第２の電極側に向けて屈曲した反射面が形成され、有機ＥＬ層を導波する光を当該反射面で反射させ、第２の電極側から放射させるようにする。
【選択図】図１

Description

本発明の一実施形態はエレクトロルミネセンス装置に関し、例えばトップエミッション型のエレクトロルミネセンス装置に適用して有効な技術に関する。

有機材料のエレクトロルミネセンスを利用したエレクトロルミネセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう。）は、有機材料を選択することにより、あるいは有機ＥＬ素子の構造を適当なものとすることにより、白色発光はもとより可視光帯域において各色の発光を実現できる。このため有機ＥＬ素子を用いてディスプレイや照明の用途に適したエレクトロルミネセンス装置の開発が進められている。

有機ＥＬ素子は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極と、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等で構成される有機エレクトロルミネセンス層（以下、「有機ＥＬ層」ともいう。）と、反射電極とが積層された構造になっており、有機ＥＬ層で発光した光は透明電極を通して放射される。有機ＥＬ層の厚さは１００ｎｍから２００ｎｍ程度であり、発光層で発光した光は立体角で表すと４πの全ての方向に広がる。そして、ガラス基板側にまっすぐに放射された光と、反射電極と有機ＥＬ層との界面で反射した光の一部が、ガラス基板側に放射される。

一方、有機ＥＬ層内で膜面と平行に放射された光は有機ＥＬ層の端面に向かい、透明電極側からは放射されない。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層を形成する材料の屈折率が高く（ｎ＝１．８〜１．９）、屈折率の異なる界面において特定の角度で入射する光は全反射する。例えば、有機ＥＬ層と透明電極との界面、およびガラス基板と空気との界面で全反射した光は、有機ＥＬ層内またはガラス基板内を導波して層内で吸収されるか、あるいはガラス基板端面から放射されて、発光した光を有効に利用することができない。

このように有機ＥＬ層内を導波してしまう光のために、有機ＥＬ層で発生した光の取り出し効率（有機ＥＬ層での発光量全体に占めるガラス基板側へ放射された光量の比率）は、２０％程度であると言われている。有機ＥＬ層で発生した光の取り出し効率を高くすることは、有機ＥＬ素子を用いて構成されるエレクトロルミネッセンス装置の消費電力を低減するために重要となる。

例えば、有機ＥＬ素子の透明電極とガラス基板との間に透明樹脂層を設け、この透明樹脂層内に屈折率が異なる錐状透明樹脂を埋め込むことで取り出し効率の改善を図る技術が開示されている（特許文献１参照）。また、凹凸表面を曲面形状とした特殊な表面を有する金属電極を発光デバイスの反射電極とすることで、取り出し効率の改善を図る技術が開示されている（特許文献２）。

特開２０１１−１２４１０３号公報 特開２００７−２８８１４３号公報

しかしながら、取り出し効率の改善を図るために、特許文献１で示すように有機ＥＬ素子の光放射側に特殊な光学調整フィルムを用いることはコスト高の要因となり好ましくない。また、特許文献２で示すように有機ＥＬ素子の反射電極として、特殊な凹凸表面をもつ金属電極を形成することも、製造工程が複雑になり好ましくない。

もちろん有機ＥＬ素子に流す電流を増やせば発光時の輝度を高めることできるが、その分消費電力も増加するので省エネルギーの観点から問題となる。また、有機ＥＬ素子に流す電流値を大きくするほど、有機ＥＬ素子の劣化が進み、エレクトロルミネセンス装置の寿命が短くなるという問題がある。

そこで、本発明の一形態は、有機ＥＬ素子内で発光した光を有効利用すべく、光の取り出し効率を向上させることを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の一実施形態は、有機ＥＬ素子で発光した光の損失要因である導波光を有効利用することで、電流を増やすことなく有機ＥＬ素子の光取り出し効率を高めることを要旨とする。

本発明の一実施形態によるエレクトロルミネセンス装置は、支持基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられた光反射面を有する第１の電極と、第１の電極の周縁領域を覆うバンク層と、第１の電極上に設けられたエレクトロルミネセンス層と、エレクトロルミネセンス層上に設けられた光透過性の第２の電極とを有し、絶縁層は、第１の電極の周縁領域において第２の電極側に向けて屈曲した傾斜面を含む段差部を有し、第１の電極は傾斜面に沿って設けられている。

このエレクトロルミネセンス装置によれば、第１の電極の周縁領域を絶縁層の段差部に沿うように設けることで、第２の電極側に向けて屈曲する光反射面を形成することができる。有機ＥＬ層で発光した光のうち、有機ＥＬ層と略平行に放射する平行放射成分の光を、第１の電極の周縁部に設けた光反射面反射させ、第２の電極側から放射させることができる。

本発明の一実施形態によるエレクトロルミネセンス装置は、支持基板上に、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタに接続される光反射面を有する第１の電極、第１の電極上に設けられたエレクトロルミネセンス層、エレクトロルミネセンス層上に設けられた光透過性の第２の電極を有する画素がマトリクス状に配列されたエレクトロルミネセンス装置であって、薄膜トランジスタ上において第１の画素電極と接するように設けられた絶縁層と、第１の電極の周縁領域を覆うバンク層を有し、絶縁層は、第１の電極の周縁領域において第２の電極側に向けて屈曲した傾斜面を含む段差部を有し、第１の電極は傾斜面に沿って設けられている。

このエレクトロルミネセンス装置によれば、有機ＥＬ層で発光した光のうち、平行放射成分の光を第１の電極の周縁部に設けた光反射面（第２の電極側に向けて屈曲した光反射面）で反射させ、第２の電極側から放射させることができる。第１の電極の周縁部に設けた当該光反射面は、隣接する画素へ平行放射成分の光が拡散するのを防ぐことができる。

このようなエレクトロルミネセンス装置において、絶縁層に設けられた段差部の高さは、エレクトロルミネセンス層の厚さよりも大きくすることが好ましい。あるいは、絶縁層に設けられた段差部の高さは、バンク層の厚さ以上にすることが好ましい。また、絶縁層に形成された段差部の上側表面に突起物をさらに設けてもよい。

絶縁層に設けられた段差部の高さを上記のようにすることで第１の電極の周縁領域における光反射面の面積を十分なものとすることができる。有機エレクトロルミネセンス層で発光した光のうち、平行放射成分の光が照射される面積が大きくなり、平行放射成分の反射光を増やすことができる。

このようなエレクトロルミネセンス装置において、絶縁層に設けられた段差部は、バンク層に埋設されるように設けられていることが好ましい。

第１の電極の周縁領域において段差部が形成された領域を、透光性のバンク層で覆うことで、有機エレクトロルミネセンス層の上に設けられる第２の電極が、第１の電極と短絡することを防ぐことができる。

本発明の一実施形態によるエレクトロルミネセンス装置の製造方法は、支持基板上に、略平坦な第１の主面と該第１の主面よりも高い位置に第２の主面を有し該第１の主面と該第２の主面との間に傾斜面が該第１の主面から該第２の主面に向かって広がる段差部を有する絶縁層を形成し、絶縁層の第１の主面から段差部の傾斜面に沿って光反射面を有する第１の電極を形成し、段差部および第１の電極の周縁領域を覆うバンク層を形成し、第１の電極上にエレクトロルミネセンス層を形成し、エレクトロルミネセンス層上に光透過性の第２の電極を形成する工程を有する。

このエレクトロルミネセンス装置の製造方法によれば、上記のような段差部を有する絶縁層を形成し、第１の電極の周縁領域を当該段差部に沿うように形成することで、第１の電極の周縁部に、有機エレクトロルミネセンス層で発光した平行放射成分の光に対する光反射面を形成することができる。

本発明の一実施形態によるエレクトロルミネセンス装置の製造方法は、支持基板上に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタ上に、略平坦な第１の主面と該第１の主面よりも高い位置に第２の主面を有し該第１の主面と該第２の主面との間に傾斜面が該第１の主面から該第２の主面に向かって広がる段差部を有する絶縁層を形成し、絶縁層に薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域を開口するコンタクトホールを形成し、絶縁層の第１の主面から段差部の傾斜面に沿って光反射面を有し、コンタクトホールにおいて薄膜トランジスタと電気的に接続する第１の電極を形成し、段差部および第１の電極の周縁領域を覆うバンク層を形成し、第１の電極上にエレクトロルミネセンス層を形成し、エレクトロルミネセンス層上に光透過性の第２の電極を形成する工程を有する。

このエレクトロルミネセンス装置の製造方法によれば、薄膜トランジスタが形成されるアクティブ駆動型の場合においても、絶縁層に段差部を形成し、第１の電極の周縁領域を当該段差部に沿うように形成することで、第１の電極の周縁部に、有機エレクトロルミネセンス層で発光した平行放射成分の光に対する光反射面を形成することができる。

このようなエレクトロルミネセンス装置の製造方法において、絶縁層における段差部を、当該絶縁層の表面を掘り下げて第１の主面とし、第１の主面より高い位置に第２の主面が存在するように形成してもよい。この製造方法によれば、絶縁層をエッチングすることで容易に段差部を形成することができる。

このようなエレクトロルミネセンス装置の製造方法において、絶縁層の上にさらに絶縁層を選択的に形成して段差部を形成してもよい。また、絶縁層に形成された段差部の上にさらに突起物を形成するようにしてもよい。この製造方法によれば、段差部の高さを後に形成する絶縁層（若しくは突起物）の膜厚により設定することができる。

このようなエレクトロルミネセンス装置の製造方法において、絶縁層における段差部の高さを、エレクトロルミネセンス層の厚さよりも大きくなるように形成することが好ましい。あるいは、絶縁層における段差部の高さを、バンク層の厚さ以上に形成することが好ましい。

絶縁層に設けられた傾斜面の高さを上記のように形成することで第１の電極の周縁領域における光反射面の面積を十分なものとすることができる。有機エレクトロルミネセンス層で発光した光のうち、平行放射成分の光が照射される面積が大きくなり、平行放射成分の反射光を増やすことができる。

本発明の一実施形態によれば、有機エレクトロルミネセンス層で発光した光の平行放射成分は、絶縁層の段差部に沿って設けられた第１の電極における周縁領域の光反射面で反射され、第２の電極側に放射させることができる。それにより、有機エレクトロルミネセンス層で発生した光の取り出し効率を高くすることができる。

本発明の一実施形態によれば、光の取り出し効率を高くすることにより、有機エレクトロルミネセンス素子に流す電流を増加させなくても、発光時の輝度を従来に比べて高くすることができる。それにより、有機ＥＬ素子の劣化を低減することができ、エレクトロルミネセンス装置の消費電力を低減することができる。

本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置を示し、（Ａ）はエレクトロルミネセンス装置の平面図を、（Ｂ）は同装置の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置において、有機ＥＬ層における平行放射成分が第１の電極の周縁領域で反射される態様を説明する図である。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置であって、段差部の形態が異なるものを示す図である。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置を示し、段差部の形態について変形例を説明する図である。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置であって、有機ＥＬ素子を含む画素をマトリクス状に配列させた構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置であって、（Ａ）は画素の平面図と、（Ｂ）は画素の断面図を示す。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置であって、有機ＥＬ素子を含む画素をマトリクス状に配列させた構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置であって、図７で示す画素の詳細を説明する平面図を示す。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置であって、図８で示す画素の等価回路を示す。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置であって、図７で示す画素の断面構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネセンス装置において、図７で示す画素同士が隣接する部分の断面構造を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の内容について、同一部分または同様な機能を有する部分については同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その場合において特段の事情が無い限り繰り返しの説明は省略する。

［実施の形態１］
図１および図２を参照して、本実施の形態に係るエレクトロルミネセンス装置について説明する。図１（Ａ）はエレクトロルミネセンス装置の発光領域おおびその周辺領域の平面構造を示し、同図において示すＡ−Ｂ線における断面構造を図１（Ｂ）に示す。

支持基板１０２に絶縁層１０４が設けられている。絶縁層１０４は一様な平坦表面を有しているわけではなく、段差部１０５を含んでいる。絶縁層１０４は段差部１０５において傾斜面を有しており、段差部１０５の内側領域と外側領域では、絶縁層１０４の表面高さが異なっている。絶縁層１０４における段差部１０５の内側領域を基準とすると、段差部１０５の外側領域の表面は高い位置にあり、一方、絶縁層１０４の外側領域を基準とすると段差部１０５の内側領域の表面は低い位置にあるとみることができる。

このような形態を有する絶縁層１０４は、支持基板１０２上に二酸化珪素（ＳｉＯ_２）や窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの絶縁性材料からなる絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などにより形成し、その後エッチング加工することにより作製することができる。段差部１０５は、当該絶縁膜上にレジスト材料でなるマスクを形成し、マスクを食刻させながら（マスクの端部を後退させながら）異方性エッチングをすることにより傾斜面に所定の角度を持たせることができる。

絶縁層１０４の上には、第１の電極１０６が設けられている。第１の電極１０６は、絶縁層１０４上において、段差部１０５の内側領域から、少なくとも段差部１０５の傾斜面にかけて形成されている。すなわち、第１の電極１０６は、内側領域に対して外側領域が屈曲したような形態を有している。第１の電極１０６の外側周縁部を基準とすると、内側領域は陥没した平表面を有しているとみることもできる。

バンク層１０８は、絶縁層１０４における段差部１０５を含み、第１の電極１０６の端部を覆うように形成されている。有機ＥＬ層１１０は、第１の電極１０６の表面からバンク層１０８の表面にかけて形成され、その上に第２の電極１１２が設けられている。有機ＥＬ層１１０は、低分子系または高分子系のいずれの有機材料で形成されていてもよい。例えば低分子系の有機材料を用いる場合には、有機ＥＬ層１１０は、発光性の有機材料を含む発光層に加え、発光層を挟むように正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。有機ＥＬ層１１０の厚さは、各層の膜厚を合計しても１００ｎｍから２００ｎｍ程度である。このため、第１の電極１０６の端部がそのまま露出していると、有機ＥＬ層１１０がこの端部を十分に被覆できないため、第２の電極１１２をこの上に形成すると第１の電極１０６と短絡してしまう。バンク層１０８はこのような欠陥の生成を防止するためのものであり、第１の電極１０６の端部を覆うとともに、有機ＥＬ層１１０がなるべく一様に形成されるように、表面が曲面形状をもつように形成されていることが望ましい。

このようなバンク層１０８は二酸化珪素（ＳｉＯ_２）や窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの無機絶縁性材料、またはアクリル樹脂やポリイミド樹脂などの有機絶縁性材料によって形成する。例えば、感光性の有機樹脂材料を用いれば、露光時間や現像時間などの適宜調節することにより、上端部が丸みを帯びた形状とすることができる。

第１の電極１０６は、絶縁層１０４の内側領域から段差部１０５にかけて形成されることで、外周端部が屈曲した構造を有している。このため、バンク層１０８は、第１の電極１０６が屈曲した領域、すなわち絶縁層１０４の段差部１０５を覆うように設けることで、有機ＥＬ層１１０の膜厚が薄くなって、第１の電極１０６と第２の電極１１２が段差部１０５のある領域で短絡しないようにしている。

有機ＥＬ層１１０および第２の電極１１２はこの順で第１の電極１０６上に形成され、これらの層はバンク層１０８上にまで延設されていてもよい。上述のように、バンク層１０８が段差部１０５を含む第１の電極１０６の端部を覆っていることにより、有機ＥＬ層１１０や第２の電極１１２を、第１の電極１０６が露出する面積よりも大きく形成しても、第１の電極１０６と第２の電極１１２が短絡することがない。

図１で示すエレクトロルミネセンス装置において、有機ＥＬ素子１１４は、第１の電極１０６、有機ＥＬ層１１０および第２の電極１１２が積層された構成を有しており、この３層が積層された領域が発光面となる。ここで、第１の電極１０６を光反射性の電極ととし、第２の電極１１２を光透過性の電極とすれば、有機ＥＬ層１１０で発光した光は第２の電極１１２から放射される上面放射型（トップエミッション型とも呼ばれる。）の構成となる。

有機ＥＬ素子１１４において、第１の電極１０６と第２の電極１１２は、一方が陽極（正孔を注入する側の電極）となり、他方が陰極（電子を注入する側の電極）としての機能を有している。陽極と陰極は、各種導電性材料で形成されるが、通常は陰極に対して陽極の方が仕事関数の高い材料で形成される。

有機ＥＬ素子をトップエミッション型とするために、第１の電極１０６を陽極とし、この陽極を反射電極とするには、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料を適用することができる。しかしながら、これらの金属は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）と比較して反射率が低いため、反射電極としてより反射率を高める構成として、有機ＥＬ層と接する側に仕事関数の高いインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）の層を設け、その下層側に光反射面となるアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）の層を設けた多層構造を適用すると好ましい。

第２の電極１１２を陰極とするには、例えば、アルミニウム（Ａｌ）に、カルシウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）を、あるいはリチウム（Ｌｉ）等のアルカリ金属を含有する材料を用いて形成すれば良い。そして、第２の電極１１２を陰極としつつ、光透過性を有するようにするには、上記の金属層を光が透過し得るように薄く形成するか、さらにその上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）や、インジウム・スズ・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電膜を積層させることが望ましい。

一方、第１の電極１０６を陰極とし、この陰極を反射電極とするには、上記の如くアルミニウム系または銀（Ａｇ）系の金属材料を用いればよい。また、第２の電極１１２を陽極とし、この陽極を光透過性の電極とするには、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）や、インジウム。ズス・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電膜を用いればよい。

このようなトップエミッション型としたエレクトロルミネセンス装置では、有機ＥＬ素子１１４における第１の電極１０６と第２の電極１１２の間に、発光閾値電流以上の適当な電流を供給すると有機ＥＬ素子１１４は発光する。有機ＥＬ層１１０内で発光した光は立体角で表すと４πの全ての方向に放射される。

図２は有機ＥＬ層１１０で発光して放射される光の放射経路を模式的に示す。有機ＥＬ層１１０で発光した光のうち、第２の電極１１２側に略垂直に放射された光（以下、垂直放射成分という。）は、第２の電極１１２を通して外部に放射される。また、第１の電極１０６側に放射された光は、第１の電極１０６の光反射面で反射され、反射光の略垂直成分は同様に外部に放射されると考えられる。

一方、有機ＥＬ層１１０で発光した光のうち、平行放射成分の光（すなわち、有機ＥＬ層１１０と略平行に放射する光、および有機ＥＬ層１１０と第１の電極１０６または第２の電極１１２との界面で全反射した光）は、通常であれば第２の電極１１２側から放射されずに失われてしまう。しかしながら、本実施の形態で示すエレクトロルミネセンス装置においては、有機ＥＬ層１１０の膜厚よりも高く形成された絶縁層１０４の段差部１０５にまで反射電極としての第１の電極１０６が延設されていることより、この部分で反射され、第２の電極１１２側へ放射させることが可能となる。すなわち、第１の電極１０６の外周部における屈曲部分は、有機ＥＬ層１１０内を導波した光を反射させる機能を有している。

このような機能を発現させるために、第１の電極１０６の端部および絶縁層１０４の段差部１０５を覆うバンク層１０８は、光透過性を有していることが望ましい。絶縁層１１０４の段差部１０５は有機ＥＬ層１１０内を導波した光の反射面を形成するためのものであることから、この光反射面で反射される平行放射成分の光量は、段差部１０５の高さが大きいほど多くなる。したがって、絶縁層１０４に形成される段差部１０５の高さは、有機ＥＬ層１１０の厚さより大きいことが好ましい。例えば、この段差部１０５の高さをｄ１とすると、ｄ１の値は有機ＥＬ層１１０の膜厚ｄ３よりも十分に大きな値とし、ｄ３に対してｄ１が１０倍以上の値を有することが望ましい。

段差部１０５によって形成された第１の電極１０６の光反射面で反射した導波光を有効に第２の電極１１２側から放射させるために、バンク層１０８層における光吸収損失を低減するために、バンク層１０８の厚さをｄ２とすると、ｄ２の値はｄ１の値よりも小さくすることが望ましい。すなわち絶縁層に設けられた段差部の高さは、バンク層の厚さ以上であることが好ましい。

光を外部に効率的に取り出すためには、絶縁層１０４における段差部１０５の傾斜角は３０度から６０度、好ましくは４５度前後の角度とすればよい。さらに、段差部１０５は図示するような直線状の傾斜面に限定されず、断面構造でみると二次曲線のような湾曲した傾斜面となっていてもよい。

このように、図１で示すエレクトロルミネセンス装置によれば、有機ＥＬ層１１０で発光した光のうち平行放射成分は、絶縁層１０４の段差部１０５に沿って設けられた第１の電極１０６の光反射面で反射され、第２の電極１１２側に放射される。これにより、有機ＥＬ層１１０で発生した光の取り出し効率を高くすることができる。このような光反射面を、第１の電極１１０の外周全体に渡って設けることで、光の取り出し効率をより高めることができる。

（変形例）
図３は、第１の電極１０６の下層側にある絶縁層の構成が、図１で示すものと異なっているエレクトロルミネセンス装置を示す。図３において、支持基板１０２上に第１の絶縁層１０４ａが設けられ、この第１の絶縁層１０４ａに積層される形で第２の絶縁層１０４ｂが設けられている。第２の絶縁層１０４ｂを第１の絶縁層１０４ａから突出するように設けることで、段差部１０５を形成している。第２の絶縁層１０４ｂの側面をテーパー状にすれば、段差部１０５が傾斜面を持った構造とすることができる。

第１の絶縁層１０４ａと第２の絶縁層１０４ｂの材質を変えることによって、第２の絶縁層１０４ｂの形状、すなわち段差部１０５の高さや傾斜面の角度などの形状制御が容易となる。例えば、第１の絶縁層１０４ａを窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）で形成し、第２の絶縁層１０４ｂを二酸化珪素（ＳｉＯ_２）で形成すれば、第２の絶縁層１０４ｂを比較的選択性よくエッチング加工することができる。なお、絶縁材料の選択はこの逆の組み合わせであっても良い。また、第２の絶縁層１０４ｂを、バンク層１０８と同様に有機樹脂材料で形成してもよい。

このように、第１の絶縁層１０４ａの上に第２の絶縁層１０４ｂを設け、この第２の絶縁層１０４ｂを選択的に加工することで段差部１０５の形状制御が容易となる。その他の構成については、図１および図２を参照して説明したものと同様であり、図３で示すエレクトロルミネセンス装置においても同様の作用・効果を奏することができる。

第１の電極１０６の下層側に設ける絶縁層１０４における段差部１０５の形態は、図１や図３に示すものに限定されず、有機ＥＬ層１１０を導波する光を反射できるようにするものであれば他の形態であってもよい。図４は絶縁層１０４における段差部１０５の形態について、他の一例を示す。

図４（Ａ）は、段差部１０５を連続的に傾斜角が変化する曲面構造とした一例を示す。このように段差部１０５の形態を曲面状とすることで、この面に沿って形成される第１の電極１０６の光反射面も曲面形状となり、光の反射（散乱）方向を光入射位置によって変化させることができる。また、上面が曲面形状となっているため、バンク層１０８の厚さを薄くしても、段差部１０５を十分に被覆することができる。

図４（Ｂ）は、段差部１０５の傾斜面の角度が途中で変化した形態を示し、下段側の傾斜角と上段側の傾斜角が異なっている。図４（Ｂ）に示す例では、下段側の傾斜角が大きく（垂直に近く）、上段側の傾斜角が小さくなっている。このような段差部１０５の構成によっても、この面に沿って形成される第１の電極１０６における光反射面の角度も変化することになるので、光入射位置によって光の反射（散乱）方向を変化させることができる。

図４（Ｃ）は、段差部１０５を多段構造としたものである。このような構造とすることによって、段差部１０５の高さを高くすることができる。それによって、この段差部１０５の面に沿って形成される第１の電極１０６における光反射面の面積を大きくすることができ、有機ＥＬ層１１０の導波光が横方向に漏れてしまうのを最大限防ぐことができる。

図４（Ａ）〜（Ｃ）で示す段差部１５０の構成は、図１および図３で示すエレクトロルミネセンス装置に適用することができる。

［実施の形態２］
図５および図６を参照して、本実施の形態に係るエレクトロルミネセンス装置について説明する。本実施の形態では、複数の有機ＥＬ素子１１４を用いたエレクトロルミネセンス装置の一態様について例示する。

図５はエレクトロルミネセンス装置１００の平面図を示し、有機ＥＬ素子を含む画素がマトリクス状に配列された画素領域１１６を有している。画素領域１１６では、第１の電極１０６がストライプ状（若しくは帯状）に形成されている。有機ＥＬ層１１０と第２の電極１１２もストライプ状（若しくは帯状）に形成されており、このストライプは第１の電極１１０６と交差するように設けられている。そして、第１の電極１０６と、有機ＥＬ層１１０および第２の電極１１２の交差部に有機ＥＬ素子１１４が形成されている。

バンク層１０８は、第１の電極１０６の端部を覆うように設けられており、さらに隣接する有機ＥＬ素子同士を分離するように、第１の電極１０６上を横切って有機ＥＬ層１１０と第２の電極１１２によるストライプパターンが延びる方向にも形成されている。段差部を形成する絶縁層は、バンク層１０８に埋設されるように設けられている。第１の電極１０６は支持基板１０２の周縁領域に設けられた端子１１８ａに接続され、第２の電極１１２は端子１１８ｂに接続されている。この両端子間に発光閾値電流以上の適当な電流を供給すると、第１の電極１０６と第２の電極１１２が交差する位置にある有機ＥＬ素子１１４が発光する。

この画素領域１１６における画素１１５の詳細を図６に示す。図６（Ａ）は画素１１５の平面図であり、同図中に示すＡ−Ｂ線に対応する断面図を図６（Ｂ）に示す。支持基板１０２上に絶縁層１０４が設けられている。絶縁層１０４は有機ＥＬ素子１１４が形成される領域が開口するようなパターンを有している。絶縁層１０４の表面は、その膜厚分だけ支持基板１０２の表面から高くなっているため、絶縁層１０４に開口部が形成されることにより、そこに段差部１０５が形成される。

ストライプ状に延びる第１の電極１０６は、支持基板１０２上において、絶縁層１０４の段差部１０５に沿うように形成されている。第１の電極１０６は光反射性の電極であり、支持基板１０２の上平面における領域を主面とすると、段差部１０５において屈曲して当該主面とは異なる方向に光反射面を有している。

バンク層１０８は、絶縁層１０４を覆うように設けられている。すなわち、バンク層１０８は段差部１０５および第１の電極１０６の当該屈曲した光反射面を埋設するように設けられている。バンク層１０８の上には、ストライプ状に延びる第１の電極１０６と交差する方向に延びる第２のバンク層１０９が設けられている。図６（Ｂ）を参照すれば、第２のバンク層１０９は、バンク層１０８と接する領域の幅よりも上面部の幅の方が広くなるような所謂くさび型の形状を有していることが好ましい。

有機ＥＬ層１１０および第２の電極１１２は、第２のバンク層１０９と略平行な方向に延びるように、ストライプ状の形態をもって設けられている。第２のバンク層１０９は前述のような形態を有することにより、有機ＥＬ層１１０および第２の電極１１２のストライプパターンを、隣接するもの同士が絶縁されるように素子分離層としての機能を有している。

有機ＥＬ素子１１４は、第１の電極１０６、有機ＥＬ層１１０および第２の電極１１２が重畳する領域に形成される。第１の電極１０６を光反射性の電極であり、第２の電極１１２が光透過性の電極であれば、第２の電極１１２側に光が放射されることとなる。図５で示すように、このような有機ＥＬ素子１１４を画素としてマトリクス状に配列させれば、トップエミッション型のエレクトロルミネセンス装置が得られる。

図６（Ｂ）で模式的に示されるように、第１の電極１０６と第２の電極１１２間に発光閾値電流以上の適当な電流が流れるようにバイアスを印加すると、有機ＥＬ素子１１４は発光する。有機ＥＬ層１１０で発光した光は立体角で表すと４πの全ての方向に放射される。有機ＥＬ層１１０で発光した光のうち、垂直放射成分の光は、第２の電極１１２を通して外部に放射される。また、第１の電極側に放射された光は、第１の電極１０６の光反射面で反射され、反射光の略垂直成分は同様に外部に放射される。

有機ＥＬ層１１０で発光した光のうち、平行放射成分の光は、第１の電極１０６の屈曲部分（段差部１０５に沿って形成される部分）における光反射面で反射され、第２の電極１１２側へ放射させることが可能となる。このため、従来では外部への放射光として利用できなかった平行放射成分の光を有効利用できるため、光の取り出し効率を向上させることができる。

また、隣接する有機ＥＬ素子１１４の間に、このような段差部１０５と第１の電極１０６による光反射面が形成されることにより、有機ＥＬ層１１０内で発生する平行放射成分の光が隣の素子領域へ漏洩光として伝搬することを防ぐことができる。それにより、エレクトロルミネセンス装置の画素領域で画像を表示する場合に、隣接する画素間で発光した光が混ざり合う混色の問題を解消することができる。

このような有利な効果を得るために、段差部１０５の高さは有機ＥＬ層の厚さよりも大きくすることが望ましい。バンク層１０８層における光吸収損失を低減するために、バンク層１０８の厚さは段差部１０５の高さよりも小さくすることが望ましい。なお、この第１の電極１０６の屈曲部分における光反射面において平行放射成分の光を効率的に取り出すために、傾斜角は３０度から６０度、好ましくは４５度前後の角度とすることが好ましい。さらに、段差部１０５は図示するような直線状の傾斜面に限定されず、断面構造でみると二次曲線のような湾曲した傾斜面となっていてもよい。

図５で示すエレクトロルミネセンス装置において、ストライプ状に複数本で配設される有機ＥＬ層１１０を単色の発光材料を用いてモノクロ表示させるようにしてもよいし、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色で発光する画素を配設して、若しくはこれに白色（Ｗ）発光の画素をさらに設けてカラー表示をさせるように構成することもできる。

本実施の形態に係るエレクトロルミネセンス装置は、有機ＥＬ層１１０で発光した光のうち平行放射成分は、絶縁層１０４の段差部１０５に沿って設けられた第１の電極１０６の光反射面で反射され、第２の電極１１２側に放射される。これにより、有機ＥＬ層１１０で発生した光の取り出し効率を高くすることができる。このため、有機ＥＬ素子に流す電流を増加させなくても、発光時の輝度を従来に比べて高くすることができる。それにより、有機ＥＬ素子の劣化を低減することができ、エレクトロルミネセンス装置の消費電力を低減することができる。

［実施の形態３］
図７乃至図１０を参照して、薄膜トランジスタを駆動スイッチとして用いたアクティブ駆動型のエレクトロルミネセンス装置の一態様を説明する。

図７は、アクティブ駆動型のエレクトロルミネセンス装置の構成を示すブロック図である。エレクトロルミネセンス装置１００は、支持基板１０２に、画素１１５が行および列方向にマトリクス状に配列された画素領域１１６、ゲート信号線駆動回路１２０、およびデータ信号線駆動回路１２２が設けられている。

ゲート信号線駆動回路１２０から出力される信号はゲート信号線１２１に与えられ、データ信号線駆動回路１２２から出力されるデータ信号はデータ信号線１２３に与えられる。ゲート信号線１２１とデータ信号線１２３は画素領域１１６で交差するように設けられ、マトリクス状に配列された画素１１５のそれぞれに信号を与える。画素１１５には、ゲート信号線１２１とデータ信号線１２３から信号を与えられる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタによって発光または非発光の状態が制御される有機ＥＬ素子が設けられている。

また、画素領域１１６には、有機ＥＬ素子へ電流を供給する電源線１２４と、各画素における有機ＥＬ素子の一方の電極に対して共通電位を与えるコモン線１２６が設けられている。コモン線１２６は、画素領域１１６またはその近傍に設けられるコモンコンタクト１２７において有機ＥＬ素子の一方の電極と接続される。支持基板１０２の端部に設けられる入力端子１１８には、ゲート信号線駆動回路１２０とデータ信号線駆動回路１２２へ送る信号が入力される複数の端子の他に、電源線１２４と接続する電源入力端子、コモン線１２６にコモン電位を与えるコモン入力端子などが含まれている。

図７で示すエレクトロルミネセンス装置において、各画素に配設される有機ＥＬ素子の発光色を単色としてモノクロ表示させるようにしてもよいし、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色で発光する有機ＥＬ素子を各画素に配設して、若しくはこれに白色（Ｗ）発光の画素をさらに設けてカラー表示をさせるように構成することもできる。

図８は、画素１１５の一例を示す平面図である。画素１１５は、選択トランジスタ１３０、駆動トランジスタ１３６、容量素子１４２を有している。選択トランジスタ１３０は、半導体層１３１と重なるゲート電極１３２を有し、ゲート電極１３２はゲート信号線１２１と接続されている。また、ソース・ドレイン電極１３３はデータ信号線１２３と接続され、もう一方のソース・ドレイン電極１３４は駆動トランジスタ１３８のゲート電極１３７と接続されている。駆動トランジスタ１３６は、ゲート電極１３８と重なる半導体層１３７を有し、ソース・ドレイン電極１３９は電源線１２４と接続され、もう一方のソース・ドレイン電極１４０は第１の電極１０６と接続されている。容量素子１４２は、ゲート電極１３７と同じ層で形成される容量電極１４３と、絶縁層を挟んで容量電極１４３と重なる電源線１２４とによって形成され、電源線１２４に沿って延びるように設けられている。

図９は、図８で示す画素の等価回路を示す。選択トランジスタ１３０は、ゲーと信号線１２１に選択信号が与えられたとき、この選択信号と同期してデータ信号線１２３から与えられるデータ信号を駆動トランジスタ１３６のゲート電位として与え、容量素子１４２はそのゲート電位を保持する。電源線１２４に接続される駆動トランジスタ１３６は、当該ゲート電位に基づくドレイン電流を有機ＥＬ素子１１４に供給する。有機ＥＬ素子１１４はこのドレイン電流に基づく輝度で発光をする。

なお、図８で示す画素のレイアウトおよび図９で示す画素の等価回路は一例であり、本発明のエレクトロルミネセンス装置はこのような画素および回路構成に限定されない。例えば、駆動トランジスタ１３６の閾値電圧を補償する回路や、有機ＥＬ素子の発光を強制的に終了させるスイッチングトランジスタをさらに付加してもよい。

図８は画素１１４の平面構造を示すが、第１の電極１０６の周縁部には、当該電極の内側領域における略平坦面に対して上部に突出するように光反射面が設けられている。そして、この光反射面を覆うように光透過性のバンク層１０８が設けられている。この構造を図８において示すＡ−Ｂ線に対応した断面構造を図１０に、またＣ−Ｄ線に対応した断面構造を図１１に示す。なお、図８では、画素の略全面に設けられる有機ＥＬ層や第２の電極については省略されているが、図１０および図１１ではこれらも含めて示す。

図１０において、駆動トランジスタ１３６は絶縁ゲート型の構造を有し、半導体層１３７とゲート電極１３８との間にゲート絶縁層１４４が設けられている。なお、図１０で示す薄膜トランジスタはトップゲート型の構造を示すが、これに限定されず、例えばボトムゲート型のトランジスタであっても本実施の形態に係るエレクトロルミネセンス装置において、同様に適用することができる。

駆動トランジスタ１３６の半導体層１３７を形成する材料に限定はないが、例えば多結晶シリコン膜であればゲート電極１３８をマスクとしてセルフアライン的にソース領域およびドレイン領域を形成することができる。このときソース領域およびドレイン領域に添加されたｎ型不純物またはｐ型不純物を活性化するには４５０℃〜５５０℃程度の熱処理を必要としている。そのためにゲート電極１３８は本来耐熱性のある金属材料で形成することが好ましく、例えばモリブデン、タングステン、タンタル若しくはこれらの複数種の元素を用いた合金材料で形成している。容量電極１４３はゲート電極１３８と同じ導電層を使って形成される。

ゲート電極１３８の上層には層間絶縁膜１４５が設けられる。ソース・ドレイン電極１３９、１４０は層間絶縁膜１４５に設けられたコンタクトホールによって半導体層１３７のソース領域、ドレイン領域と接続される。図８の平面図で示すように、ソース・ドレイン電極１３９は電源線１２４から連続するように形成されている。一方、ソース・ドレイン電極１４０は絶縁層１０４上に設けられる第１の電極１０６と、絶縁層１０４に設けられたコンタクトホールを介して接続されている。

第１の電極１０６は絶縁層１０４の表面形状に沿うように形成されている。絶縁層１０４は第１の電極１０６の周縁領域が上方に屈曲するように段差部１０５を有している。換言すれば、絶縁層１０４は略平坦な第１の主面１０４ｃと、この第１の主面１０４ｃよりも高い位置にある第２の主面１０４ｄに向けて上方に開く傾斜面を有している。そして、第１の電極１０６は、少なくとも第１の主面１０４ｃからこの段差部１０５にかけて形成されている。

第１の電極１０６を有機ＥＬ素子の陽極とし、この陽極を反射電極とするには、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料を適用することができる。しかしながら、これらの金属は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）と比較して反射率が低いため、反射電極としてより反射率を高める構成として、有機ＥＬ層と接する側に仕事関数の高いインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）の層を設け、その下層側に光反射面となるアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）の層を設けた多層構造を適用すると好ましい。

バンク層１０８は、絶縁層１０４における段差部１０５を含み、第１の電極１０６の周縁領域を覆うように設けられている。有機ＥＬ層１１０は、第１の電極１０６の表面からバンク層１０８の表面にかけて形成され、その上に第２の電極１１２が設けられている。

有機ＥＬ層１１０は、低分子系または高分子系のいずれの有機材料で形成されていてもよい。例えば低分子系の有機材料を用いる場合には、有機ＥＬ層１１０は、発光性の有機材料を含む発光層に加え、発光層を挟むように正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。有機ＥＬ層１１０の厚さは、各層の膜厚を合計しても１００ｎｍから２００ｎｍ程度である。このため、第１の電極１０６の端部がそのまま露出していると、有機ＥＬ層１１０がこの端部を十分に被覆できないため、第２の電極１１２をこの上に形成すると第１の電極１０６と短絡してしまう。バンク層１０８はこのような欠陥の生成を防止するためのものであり、第１の電極１０６の端部を覆うとともに、有機ＥＬ層１１０がなるべく一様に形成されるように、表面が曲面形状をもつように形成されていることが望ましい。

第２の電極１１２は複数の画素に渡って連続するように形成されており、駆動トランジスタ１３６によって個別の電位が与えられる第１の電極１０６に対して、複数の画素間で共通の電位が与えられる電極となっている。第２の電極１１２上に設けられるパッシベーション膜１３２は、例えば窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの絶縁性材料で形成されている。パッシベーション膜１４６上には、支持基板１０２と対向するように対向基板１４８が設けられている。また、パッシベーション膜１４６と対向基板１４８との間には封止樹脂層が介在していてもよい。

図１１は、画素が隣の画素と隣接する部分の構成を示す断面図を示す。第１の電極１０６の周縁領域に第２の電極１１２側に屈曲した光反射面を有していることにより、有機ＥＬ層１１０で発光した光のうち、平行放射成分の光が有機ＥＬ層１１０内を導波して隣接する画素に伝搬することを防いでいる。それにより、エレクトロルミネセンス装置の画素領域で画像を表示する場合に、隣接する画素間で発光した光が混ざり合う混色の問題を解消することができる。

有機ＥＬ層１１０で発生した平行放射成分の光が、第１の電極１０６の周縁領域に設けられる光反射面で反射される量は、この光反射面の面積が大きいほど多くなる。したがって、第１の電極１０６の光反射面の面積が大きくなるように段差部１０５の高さは、有機ＥＬ層１１０の膜厚よりも大きいことが好ましい。さらには、有機ＥＬ層１１０と第２の電極１１２との合計膜厚よりも大きいことが好ましい。また、段差部１０５における傾斜面の傾斜角は３０度から６０度、好ましくは４５度前後の角度とすることが好ましい。さらに、段差部１０５は図示するような直線状の傾斜面に限定されず、断面構造でみると二次曲線のような湾曲した傾斜面となっていてもよい。なお、段差部の形態は、図４で示す形態のものと適宜置き換えてもよい。

本実施の形態におけるエレクトロルミネセンス装置によれば、画素１１４において有機ＥＬ層１１０で発光した光のうち、平行放射成分の少なくとも一部は、第１の電極の周縁部に設けられた光反射面で反射され、光透過性の第２の電極側から放射される。各画素において、光反射性の第１の電極にこのような反射構造を設けることにより、各画素において光の取り出し効率が向上するので、エレクトロルミネセンス装置全体としてみた場合にも、光の取り出し効率が向上することとなる。したがって、同じ輝度で画素領域を発光させる場合にも、消費電力を低減することができる。また、第１の電極にこのような反射構造を設けることにより、従来に比べて少ない駆動電流で高い輝度が得られるので、有機ＥＬ素子の劣化を低減することができる。

１００ エレクトロルミネセンス装置
１０２ 支持基板
１０４ 絶縁層
１０５ 段差部
１０６ 第１の電極
１０８ バンク層
１０９ 第２のバンク層
１１０ 有機ＥＬ層
１１２ 第２の電極
１１４ 有機ＥＬ素子
１１５ 画素
１１６ 画素領域
１１８ 入力端子
１２０ ゲート信号線駆動回路
１２１ ゲート信号線
１２２ データ信号線駆動回路
１２３ データ信号線
１２４ 電源線
１２６ コモン線
１２７ コモンコンタクト
１３０ 選択トランジスタ
１３１ 半導体層
１３２ ゲート電極
１３３ ソース・ドレイン電極
１３４ ソース・ドレイン電極
１３６ 駆動トランジスタ
１３７ 半導体層
１３８ ゲート電極
１３９ ソース・ドレイン電極
１４０ ソース・ドレイン電極
１４２ 容量素子
１４３ 容量電極
１４４ ゲート絶縁層
１４５ 層間絶縁膜
１４６ パッシベーション膜
１４８ 対向基板

Claims (13)

1. 支持基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた光反射面を有する第１の電極と、
   前記第１の電極の周縁領域を覆うバンク層と、前記第１の電極上に設けられたエレクトロルミネセンス層と、前記エレクトロルミネセンス層上に設けられた光透過性の第２の電極とを有し、
   前記絶縁層は、前記第１の電極の周縁領域において前記第２の電極側に向けて屈曲した傾斜面を含む段差部を有し、前記第１の電極の周縁領域は前記段差部の傾斜面に沿って設けられていることを特徴とするエレクトロルミネセンス装置。
2. 支持基板上に、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続される光反射面を有する第１の電極、前記第１の電極上に設けられたエレクトロルミネセンス層、前記エレクトロルミネセンス層上に設けられた光透過性の第２の電極を有する画素がマトリクス状に配列されたエレクトロルミネセンス装置であって、
   前記薄膜トランジスタ上において前記第１の画素電極と接するように設けられた絶縁層と、前記第１の電極の周縁領域を覆うバンク層を有し、
   前記絶縁層は、前記第１の電極の周縁領域において前記第２の電極側に向けて屈曲した傾斜面を含む段差部を有し、前記第１の電極の周縁領域は前記段差部の傾斜面に沿って設けられていることを特徴とするエレクトロルミネセンス装置。
3. 前記絶縁層に設けられた前記段差部の高さは、前記エレクトロルミネセンス層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエレクトロルミネセンス装置。
4. 前記絶縁層に設けられた前記段差部の高さは、前記バンク層の厚さ以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス装置。
5. 前記絶縁層に設けられた前記段差部の上側表面に、突起物がさらに設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス装置。
6. 前記絶縁層に設けられた前記段差部は、前記バンク層に埋設されるように設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス装置。
7. 支持基板上に、略平坦な第１の主面と該第１の主面よりも高い位置に第２の主面を有し該第１の主面と該第２の主面との間に傾斜面が該第１の主面から該第２の主面に向かって広がる段差部を有する絶縁層を形成し、
   前記絶縁層の前記第１の主面から前記段差部の傾斜面に沿って光反射面を有する第１の電極を形成し、
   前記段差部および前記第１の電極の周縁領域を覆うバンク層を形成し、
   前記第１の電極上にエレクトロルミネセンス層を形成し、
   前記エレクトロルミネセンス層上に光透過性の第２の電極を形成することを特徴とするエレクトロルミネセンス装置の製造方法。
8. 支持基板上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタ上に、略平坦な第１の主面と該第１の主面よりも高い位置に第２の主面を有し該第１の主面と該第２の主面との間に傾斜面が該第１の主面から該第２の主面に向かって広がる段差部を有する絶縁層を形成し、
   前記絶縁層に前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域を開口するコンタクトホールを形成し、
   前記絶縁層の前記第１の主面から前記段差部の傾斜面に沿って光反射面を有し、前記コンタクトホールにおいて前記薄膜トランジスタと電気的に接続する第１の電極を形成し、
   前記段差部および前記第１の電極の周縁領域を覆うバンク層を形成し、
   前記第１の電極上にエレクトロルミネセンス層を形成し、
   前記エレクトロルミネセンス層上に光透過性の第２の電極を形成することを特徴とするエレクトロルミネセンス装置の製造方法。
9. 前記絶縁層において、前記第２の主面から前記絶縁層を掘り下げて開口溝の底面を前記第１の主面とし、前記段差部を形成することを特徴とする請求項７または請求項８に記載のエレクトロルミネセンス装置の製造方法。
10. 前記絶縁層において、前記第１の主面の上にさらに絶縁層を選択的に形成して前記第２の主面とし、前記段差部を形成することを特徴とする請求項７または請求項８に記載のエレクトロルミネセンス装置の製造方法。
11. 前記絶縁層の前記第２の主面の上に、さらに突起物を形成することを特徴とする請求項７または請求項８に記載のエレクトロルミネセンス装置の製造方法。
12. 前記絶縁層における段差部の高さを、前記エレクトロルミネセンス層の厚さよりも大きくなるように形成することを特徴とする請求項７乃至請求項１１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス装置の製造方法。
13. 前記絶縁層における段差部の高さを、前記バンク層の厚さ以上に形成することを特徴とする請求項７乃至請求項１２のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセンス装置の製造方法。
    

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