JP6997166B2 - 表示パネル - Google Patents

Description

本発明は、表示パネルに関するものである。

情報化社会が発展することによって、表示装置、照明装置などの多様な表示パネルに対する要求が多様な形態で増加している。表示パネル分野では、別途の光源が必要ではなくて軽量化及び薄型化で有利な有機発光表示パネルに対する需要が増加している。

しかし、有機発光表示パネルは、光を放出する有機発光層を含んでいるが、有機発光層から発光された光のうちで有機発光表示パネルの外部に出ることができずに有機発光表示装置内部に閉じこめられる光が存在して有機発光表示パネルの光抽出効率が低下して発光効率が低下する問題がある。

本発明の実施例の目的は、発光効率が向上された表示パネルを提供することにある。

一側面で、本発明の実施例による表示パネルは、オーバーコート層、第１電極、バンク層、有機発光層、第２電極及びトランジスターを含む。

オーバーコート層は、第１厚さを有する第１平坦領域、第１厚さより厚い第２厚さを有する第２平坦領域及び前記第１平坦領域と前記第２平坦領域との間の傾斜領域を含む。

第１電極は、オーバーコート層の第１平坦領域、オーバーコート層の傾斜領域及びオーバーコート層の第２平坦領域の少なくとも一部に位置する。

第１電極は、反射電極であり、前記オーバーコート層の傾斜領域上の傾斜面を有する。

バンク層は、第１平坦領域の一部、オーバーコート層の傾斜領域及びオーバーコート層の第２平坦領域の少なくとも一部を覆う。

有機発光層は、前記第１電極上に位置する。

第２電極は、有機発光層及びバンク層上に位置する。

トランジスターの少なくとも一部は、オーバーコート層の第１平坦領域と重畳する。

トランジスターは、第１電極とバンク層の下部のコンタクトホールを通じて接続され、前記第１平坦領域の外部に位置する少なくとも一つの端子を有する。

第１領域で基板の表面と平行な方向にバンク層の厚さが３．２μｍ以下であり得る。

第１領域でバンク層の厚さが０．１μｍ以上であり得る。

第１厚さと第２厚さの差が０．７μｍ以上であり得る。

第１厚さと第２厚さの差が１０μｍ以下であり得る。

第１領域は、多角形の形状であり得る。

第１領域は、八角形の形状であり得る。

バンク層は、可視光線に対して透明であり得る。

第１電極は、導電性金属酸化物層及び導電性金属酸化物層上の反射性金属層を含み得る。

バンク層は、第１領域でバンク層によって覆われていない第１電極の一部と接触することができる。

有機発光層は、第１領域から第２領域に延在することができる。

有機発光層は、傾斜領域と、有機発光層と傾斜領域内の第１電極の間のバンク層と、第２領域を通じて延在することができる。

有機発光層は、第１色相を発光する第１有機発光層及び第２色相を発光する第２有機発光層を含み得る。

第１有機発光層及び前記第２有機発光層は、それぞれ前記第１電極及び前記バンク層上に配置されることができる。

バンク層の一部は、前記第１電極の前記傾斜面の前記傾斜部分に位置し、一部のバンク層上の有機発光層の一部は、第１領域の第１電極と接触する前記有機発光層の他の部分よりも薄いことがあり得る。

他の側面で、本発明の実施例による表示パネルは、基板、オーバーコート層、第１電極、バンク層、有機発光層及び第２電極を含む。

オーバーコート層は、基板上に位置する。

第１電極は、光に対する反射性、かつ傾斜面を有し、オーバーコート層上に位置する。

バンク層は、第１電極の一部を覆いながら、第１電極の少なくとも他の一部を露出させる。

有機発光層は、第１電極上に位置する。

第２電極は、有機発光層及びバンク層上に位置する。

光の第１部分は、第２電極の平坦領域を通じて有機発光層から放出され、光の第２部分は、有機発光層から放出されて、第１部分とは離隔されて傾斜領域で反射される。

第１電極の一部がバンク層の下部のコンタクトホールを通じてトランジスターとコンタクトすることができる。

オーバーコート層は、有機発光層の下部で第１厚さを有し、有機発光層の下部ではない他の部分で前記第１厚さよりも厚い第２厚さを有し得る。

サブピクセルから放出された光の第１部分は、観察面で主領域を形成し、サブピクセルから放出された光の第２部分は、観察面で主領域周囲の補助領域を形成することができる。

補助領域は、一つまたは二つの色相のサブピクセルで形成されることができる。

補助領域は、不連続的であり得る。

補助領域は、閉曲線の形状を有し得る。

サブピクセルの補助領域の明るさ、形状及び色座標のうち、少なくとも一つは、前述したサブピクセルと同じサブピクセルで対応する主領域の明るさ、形状及び色座標のうち、少なくとも一つと異なることができる。

本発明の実施例による表示パネルは、サブピクセルのサブセットに接続される補助電極を更に含み、前述した補助電極は、前記有機発光層が存在する領域の外部に位置することができる。

本発明の実施例による表示パネルは、傾斜面と少なくとも一部が重畳するストレージキャパシターを更に含み得る。

本発明の実施例によれば、アノード電極が傾斜面を含んで、光効率が優秀な表示パネルを提供することができる。

本発明の実施例による表示装置の概略的なシステム構成図である。 本発明の実施例による表示装置のシステム具現例示図である。 本発明の実施例によるパネルがＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）パネルである場合、サブピクセルの構造を示した図面である。 本発明の実施例による表示パネルの断面図である。 本発明の実施例による表示パネルの有機発光層から放出された光が第２傾斜面で反射されることを示す図面である。 図４に示した表示パネルの一部分を拡大して示した図面である。 本発明の実施例による表示パネルに含まれることができる開口領域、非開口領域、第１発光領域及び第２発光領域を示す図面である。 本発明の実施例による表示パネルの断面図である。 図８に示した表示パネルの一部分を示した図面である。

以下、本実施例の一部実施例を例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付け加えるにおいて、等しい構成要素に対してはたとえ他の図面上に表示されても可能な限り等しい符号を有し得る。また、本実施例を説明するにおいて、関連される公知構成または機能に対する具体的な説明が本実施例の要旨を濁すことがあると判断される場合にはその詳細な説明は略することができる。

また、本実施例の構成要素を説明するにおいて、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであるだけで、その用語によって該当構成要素の本質、順番、順序または個数などが限定されない。ある構成要素が異なる構成要素に“連結”、“結合”または“接続”されると記載した場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結されるか、または接続されることができるが、各構成要素の間に他の構成要素が“介在”されるか、または各構成要素が異なる構成要素を通じて“連結”、“結合”または“接続”されることもできると理解されなければならないであろう。

他の構成要素上に位置するか、または形成されるという用語を使用することができる。

図１は、本発明の実施例による表示装置の概略的なシステム構成図である。

本発明の実施例による表示装置は、表示装置、照明装置、発光装置などを含み得る。以下では、説明の便宜のために、表示装置を中心に説明する。しかし、以下の説明は照明装置、発光装置などの他の多様な表示装置にも等しく適用されることができるであろう。

本発明の実施例による表示装置は、映像を表示するか、または光を出力するパネル（ＰＮＬ）と、このようなパネル（ＰＮＬ）を駆動するための駆動回路を含み得る。

パネル（ＰＮＬ）は、複数のデータライン（ＤＬ）及び複数のゲートライン（ＧＬ）が配置されて複数のデータライン（ＤＬ）及び複数のゲートライン（ＧＬ）によって定義される複数のサブピクセル（ＳＰ）がマトリックスタイプで配列されることができる。

パネル（ＰＮＬ）で複数のデータライン（ＤＬ）及び複数のゲートライン（ＧＬ）はお互いに交差して配置されることができる。例えば、複数のゲートライン（ＧＬ）は行（Ｒｏｗ）または列（Ｃｏｌｕｍｎ）で配列されることができるし、複数のデータライン（ＤＬ）は列（Ｃｏｌｕｍｎ）または行（Ｒｏｗ）で配列されることができる。以下では、説明の便宜のために、複数のゲートライン（ＧＬ）は行（Ｒｏｗ）で配置され、複数のデータライン（ＤＬ）は列（Ｃｏｌｕｍｎ）で配置されることで仮定する。

パネル（ＰＮＬ）には、サブピクセル構造などによって、複数のデータライン（ＤＬ）及び複数のゲートライン（ＧＬ）以外に、他の種類の信号配線が配置されることができる。駆動電圧配線、基準電圧配線、または共通電圧配線などがさらに配置されることができる。

パネル（ＰＮＬ）はＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）パネル、ＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）パネルなど多様なタイプのパネルであることができる。

パネル（ＰＮＬ）に配置される信号配線の種類は、サブピクセル構造、パネルタイプ（例：ＬＣＤパネル、ＯＬＥＤパネルなど）などによって変わることができる。そして、本明細書では信号配線は信号が印加される電極を含む概念であることがある。

パネル（ＰＮＬ）は画像（映像）が表示されるアクティブ領域（Ａ／Ａ）と、その外郭領域であり画像が表示されないノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）を含み得る。ここで、ノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）はベゼル領域とも言う。

アクティブ領域（Ａ／Ａ）には画像表示のための複数のサブピクセル（ＳＰ）が配置される。

ノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）にはデータドライバー（ＤＤＲ）が電気的に連結されるためのパッド部が配置され、このようなパッド部と複数のデータライン（ＤＬ）との間の連結のための複数のデータリンクラインが配置されることもできる。ここで、複数のデータリンクラインは複数のデータライン（ＤＬ）がノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）で延長された部分であるか、または複数のデータライン（ＤＬ）と電気的に連結された別途のパターンであることがある。

また、ノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）にはデータドライバー（ＤＤＲ）が電気的に連結されるパッド部を通じてゲートドライバー（ＧＤＲ）でゲート駆動に必要な電圧（信号）を伝達してくれるためのゲート駆動関連配線が配置されることができる。例えば、ゲート駆動関連配線は、クロック信号を伝達してくれるためのクロック配線、ゲート電圧（ＶＧＨ、ＶＧＬ）を伝達してくれるゲート電圧配線、スキャン信号生成に必要な各種制御信号を伝達してくれるゲート駆動制御信号配線などを含み得る。このようなゲート駆動関連配線は、アクティブ領域（Ａ／Ａ）に配置されるゲートライン（ＧＬ）と異なるように、ノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に配置される。

駆動回路は、複数のデータライン（ＤＬ）を駆動するデータドライバー（ＤＤＲ）と、複数のゲートライン（ＧＬ）を駆動するゲートドライバー（ＧＤＲ）と、データドライバー（ＤＤＲ）及びゲートドライバー（ＧＤＲ）を制御するコントローラー（ＣＴＲ）などを含み得る。

データドライバー（ＤＤＲ）は複数のデータライン（ＤＬ）にデータ電圧を出力することで複数のデータライン（ＤＬ）を駆動することができる。

ゲートドライバー（ＧＤＲ）は複数のゲートライン（ＧＬ）にスキャン信号を出力することで複数のゲートライン（ＧＬ）を駆動することができる。

コントローラー（ＣＴＲ）は、データドライバー（ＤＤＲ）及びゲートドライバー（ＧＤＲ）の駆動動作に必要な各種制御信号（ＤＣＳ、ＧＣＳ）を供給してデータドライバー（ＤＤＲ）及びゲートドライバー（ＧＤＲ）の駆動動作を制御することができる。また、コントローラー（ＣＴＲ）はデータドライバー（ＤＤＲ）に映像データ（ＤＡＴＡ）を供給することができる。

コントローラー（ＣＴＲ）は、各フレームで具現するタイミングによってスキャンを始めて、外部から入力される入力映像データをデータドライバー（ＤＤＲ）で使用するデータ信号形式に合うように切り替えて転換された映像データ（ＤＡＴＡ）を出力して、スキャンに合わせて適当な時間にデータ駆動を統制する。

コントローラー（ＣＴＲ）は、データドライバー（ＤＤＲ）及びゲートドライバー（ＧＤＲ）を制御するために、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、入力データイネーブル（ＤＥ：ＤａｔａＥｎａｂｌｅ）信号、クロック信号（ＣＬＫ）などのタイミング信号を外部（例：ホストシステム）から入力を受けて、各種制御信号を生成してデータドライバー（ＤＤＲ）及びゲートドライバー（ＧＤＲ）に出力する。

例えば、コントローラー（ＣＴＲ）は、ゲートドライバー（ＧＤＲ）を制御するために、ゲートスタートパルス（ＧＳＰ：ＧａｔｅＳｔａｒｔＰｕｌｓｅ）、ゲートシフトクロック（ＧＳＣ：ＧａｔｅＳｈｉｆｔＣｌｏｃｋ）、ゲート出力イネーブル信号（ＧＯＥ：ＧａｔｅＯｕｔｐｕｔＥｎａｂｌｅ）などを含む各種ゲート制御信号（ＧＣＳ：ＧａｔｅＣｏｎｔｒｏｌＳｉｇｎａｌ）を出力する。

また、コントローラー（ＣＴＲ）は、データドライバー（ＤＤＲ）を制御するために、ソーススタートパルス（ＳＳＰ：ＳｏｕｒｃｅＳｔａｒｔＰｕｌｓｅ）、ソースサンプリングクロック（ＳＳＣ：ＳｏｕｒｃｅＳａｍｐｌｉｎｇＣｌｏｃｋ）、ソース出力イネーブル信号（ＳＯＥ：ＳｏｕｒｃｅＯｕｔｐｕｔＥｎａｂｌｅ）などを含む各種データ制御信号（ＤＣＳ：ＤａｔａＣｏｎｔｒｏｌＳｉｇｎａｌ）を出力する。

コントローラー（ＣＴＲ）は、通常のディスプレイ技術で利用されるタイミングコントローラー（ＴｉｍｉｎｇＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）であるか、またはタイミングコントローラー（ＴｉｍｉｎｇＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を含んで他の制御機能もさらに遂行することができる制御装置であることができる。

コントローラー（ＣＴＲ）は、データドライバー（ＤＤＲ）と別途の部品に具現されることもできて、データドライバー（ＤＤＲ）と共に統合されて集積回路で具現されることができる。

データドライバー（ＤＤＲ）は、コントローラー（ＣＴＲ）から映像データ（ＤＡＴＡ）の入力を受けて複数のデータライン（ＤＬ）にデータ電圧を供給することで、複数のデータライン（ＤＬ）を駆動する。ここで、データドライバー（ＤＤＲ）はソースドライバーとも言う。

データドライバー（ＤＤＲ）は多様なインターフェースを通じてコントローラー（ＣＴＲ）と各種信号を取り交わすことができる。

ゲートドライバー（ＧＤＲ）は、複数のゲートライン（ＧＬ）にスキャン信号を順次に供給することで、複数のゲートライン（ＧＬ）を順次に駆動する。ここで、ゲートドライバー（ＧＤＲ）はスキャンドライバーとも言う。

ゲートドライバー（ＧＤＲ）は、コントローラー（ＣＴＲ）の制御によって、オン（Ｏｎ）電圧またはオフ（Ｏｆｆ）電圧のスキャン信号を複数のゲートライン（ＧＬ）に順次に供給する。

データドライバー（ＤＤＲ）は、ゲートドライバー（ＧＤＲ）によって特定ゲートラインが開かれれば、コントローラー（ＣＴＲ）から受信した映像データ（ＤＡＴＡ）をアナログ形態のデータ電圧に変換して複数のデータライン（ＤＬ）に供給する。

データドライバー（ＤＤＲ）は、パネル（ＰＮＬ）の一側（例：上側または下側）のみに位置することもできて、場合によっては、駆動方式、パネル設計方式などによってパネル（ＰＮＬ）の両側（例：上側と下側）にすべて位置することもできる。

ゲートドライバー（ＧＤＲ）は、パネル（ＰＮＬ）の一側（例：左側または右側）のみに位置することもできて、場合によっては、駆動方式、パネル設計方式などによってパネル（ＰＮＬ）の両側（例：左側と右側）にすべて位置することもできる。

データドライバー（ＤＤＲ）は一つ以上のソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ：ＳｏｕｒｃｅＤｒｉｖｅｒＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）を含んで具現されることができる。

各ソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）はシフトレジスター（ＳｈｉｆｔＲｅｇｉｓｔｅｒ）、ラッチ回路（ＬａｔｃｈＣｉｒｃｕｉｔ）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：ＤｉｇｉｔａｌｔｏＡｎａｌｏｇＣｏｎｖｅｒｔｅｒ）、出力バッファー（ＯｕｔｐｕｔＢｕｆｆｅｒ）などを含み得る。データドライバー（ＤＤＲ）は、場合によっては、一つ以上のアナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：ＡｎａｌｏｇｔｏＤｉｇｉｔａｌＣｏｎｖｅｒｔｅｒ）を更に含み得る。

各ソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）は、ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）タイプまたはＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）タイプでパネル（ＰＮＬ）のボンディングパッド（ＢｏｎｄｉｎｇＰａｄ）に連結されるか、またはパネル（ＰＮＬ）上に直接配置されることもできる。場合によっては、各ソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）はパネル（ＰＮＬ）に集積化されて配置されることもできる。また、各ソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）はＣＯＦ（ＣｈｉｐＯｎＦｉｌｍ）タイプで具現されることができる。この場合、各ソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）は回路フィルム上に実装され、回路フィルムを通じてパネル（ＰＮＬ）でのデータライン（ＤＬ）と電気的に連結されることができる。

ゲートドライバー（ＧＤＲ）は複数のゲート駆動回路（ＧＤＣ）を含み得る。ここで、複数のゲート駆動回路（ＧＤＣ）は複数のゲートライン（ＧＬ）とそれぞれ対応することができる。

各ゲート駆動回路（ＧＤＣ）はシフトレジスター（ＳｈｉｆｔＲｅｇｉｓｔｅｒ）、レベルシフタ（ＬｅｖｅｌＳｈｉｆｔｅｒ）などを含み得る。

各ゲート駆動回路（ＧＤＣ）はＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）タイプまたはＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）タイプでパネル（ＰＮＬ）のボンディングパッド（ＢｏｎｄｉｎｇＰａｄ）に連結されることができる。また、各ゲート駆動回路（ＧＤＣ）はＣＯＦ（ＣｈｉｐＯｎＦｉｌｍ）方式で具現されることができる。この場合、各ゲート駆動回路（ＧＤＣ）は回路フィルム上に実装され、回路フィルムを通じてパネル（ＰＮＬ）でのゲートライン（ＧＬ）と電気的に連結されることができる。また、各ゲート駆動回路（ＧＤＣ）はＧＩＰ（ＧａｔｅＩｎＰａｎｅｌ）タイプで具現されてパネル（ＰＮＬ）に内蔵されることができる。すなわち、各ゲート駆動回路（ＧＤＣ）はパネル（ＰＮＬ）に直接形成されることができる。

図２は、本発明の実施例によるパネル（ＰＮＬ）がＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）パネルである場合、サブピクセル（ＳＰ）の構造を示した図面である。

図２を参照すれば、ＯＬＥＤパネルであるパネル１１０での各サブピクセル（ＳＰ）は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）と、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を駆動する駆動トランジスター（ＤＲＴ）と、駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第１ノード（Ｎ１）と該当データライン（ＤＬ）の間に電気的に連結されたスイッチングトランジスター（Ｏ－ＳＷＴ）と、駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第１ノード（Ｎ１）と第２ノード（Ｎ２）との間に電気的に連結されたストレージキャパシター（Ｃｓｔ）などを含んで具現されることができる。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）はアノード電極、有機発光層及びカソード電極などでなされることができる。

図２は、本発明の実施例による表示装置のシステム具現例示図である。

図２を参照すれば、本発明の実施例による表示装置で、データドライバー（ＤＤＲ）は多様なタイプ（ＴＡＢ、ＣＯＧ、ＣＯＦなど）のうちＣＯＦ（ＣｈｉｐＯｎＦｉｌｍ）タイプで具現され、ゲートドライバー（ＧＤＲ）は多様なタイプ（ＴＡＢ、ＣＯＧ、ＣＯＦ、ＧＩＰなど）のうちＧＩＰ（ＧａｔｅＩｎＰａｎｅｌ）タイプで具現されることができる。

データドライバー（ＤＤＲ）は一つ以上のソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）で具現されることができる。図２は、データドライバー（ＤＤＲ）が複数のソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）で具現された場合を例示したものである。

データドライバー（ＤＤＲ）がＣＯＦタイプで具現された場合、データドライバー（ＤＤＲ）を具現した各ソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）は、ソース側回路フィルム（ＳＦ）上に実装されることができる。

ソース側回路フィルム（ＳＦ）の一側は、パネル（ＰＮＬ）のノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に存在するパッド部（パッドの集合体）と電気的に連結されることができる。

ソース側回路フィルム（ＳＦ）上には、ソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）とパネル（ＰＮＬ）を電気的に連結してくれるための配線が配置されることができる。

表示装置は、複数のソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）と異なる装置の間の回路的な連結のために、一つ以上のソース印刷回路基板（ＳＰＣＢ）と、制御部品と各種電気装置を実装するためのコントロール印刷回路基板（ＣＰＣＢ）を含み得る。

一つ以上のソース印刷回路基板（ＳＰＣＢ）にはソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）が実装されたソース側回路フィルム（ＳＦ）の他側が連結されることができる。

すなわち、ソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ）が実装されたソース側回路フィルム（ＳＦ）は、一側がパネル（ＰＮＬ）のノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）と電気的に連結され、他側がソース印刷回路基板（ＳＰＣＢ）と電気的に連結されることができる。

コントロール印刷回路基板（ＣＰＣＢ）には、データドライバー（ＤＤＲ）及びゲートドライバー（ＧＤＲ）などの動作を制御するコントローラー（ＣＴＲ）が配置されることができる。

また、コントロール印刷回路基板（ＣＰＣＢ）には、パネル（ＰＮＬ）、データドライバー（ＤＤＲ）及びゲートドライバー（ＧＤＲ）などで各種電圧または電流を供給してくれるか、または供給する各種電圧または電流を制御するパワー管理集積回路（ＰＭＩＣ：ＰｏｗｅｒＭａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ）などがさらに配置されることもできる。

ソース印刷回路基板（ＳＰＣＢ）とコントロール印刷回路基板（ＣＰＣＢ）は少なくとも一つの連結部材（ＣＢＬ）を通じて回路的に連結されることができる。ここで、連結部材（ＣＢＬ）は、一例で、可撓性印刷回路（ＦＰＣ：ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）、可撓性フラットケーブル（ＦＦＣ：ＦｌｅｘｉｂｌｅＦｌａｔＣａｂｌｅ）などであることができる。

一つ以上のソース印刷回路基板（ＳＰＣＢ）とコントロール印刷回路基板（ＣＰＣＢ）は一つの印刷回路基板で統合されて具現されることもできる。

ゲートドライバー（ＧＤＲ）がＧＩＰ（ＧａｔｅＩｎＰａｎｅｌ）タイプで具現された場合、ゲートドライバー（ＧＤＲ）に含まれた複数のゲート駆動回路（ＧＤＣ）はパネル（ＰＮＬ）のノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）上に直接形成されることができる。

複数のゲート駆動回路（ＧＤＣ）それぞれはパネル（ＰＮＬ）でのアクティブ領域（Ａ／Ａ）に配置された該当ゲートライン（ＧＬ）に該当スキャン信号（ＳＣＡＮ）を出力することができる。

パネル（ＰＮＬ）上に配置された複数のゲート駆動回路（ＧＤＣ）は、ノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に配置されたゲート駆動関連配線を通じて、スキャン信号生成に必要な各種信号（クロック信号、ハイレベルゲート電圧（ＶＧＨ）、ローレベルゲート電圧（ＶＧＬ）、スタート信号（ＶＳＴ）、リセット信号（ＲＳＴ）など）の供給を受けることができる。

ノン－アクティブ領域（Ｎ／Ａ）に配置されたゲート駆動関連配線は、複数のゲート駆動回路（ＧＤＣ）に最も隣接するように配置されたソース側回路フィルム（ＳＦ）と電気的に連結されることができる。

図３は、本発明の実施例によるパネル（ＰＮＬ）がＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）パネルである場合、サブピクセル（ＳＰ）の構造を示した図面である。

図３を参照すれば、ＯＬＥＤパネルであるパネル１１０での各サブピクセル（ＳＰ）は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）と、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を駆動する駆動トランジスター（ＤＲＴ）と、駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第１ノード（Ｎ１）と該当データライン（ＤＬ）との間に電気的に連結されたスイッチングトランジスター（Ｏ－ＳＷＴ）と、駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第１ノード（Ｎ１）と第２ノード（Ｎ２）との間に電気的に連結されたストレージキャパシター（Ｃｓｔ）などを含んで具現されることができる。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）はアノード電極、有機発光層及びカソード電極などでなされることができる。

図３の回路例示によれば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のアノード電極（ピクセル電極とも言う）は駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第２ノード（Ｎ２）と電気的に連結されることができる。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のカソード電極（共通電極とも言う）には基底電圧（ＥＶＳＳ）が印加されることができる。

ここで、基底電圧（ＥＶＳＳ）は、一例で、グラウンド電圧であるか、またはグラウンド電圧より高いか低い電圧であることができる。また、基底電圧（ＥＶＳＳ）は駆動状態によって可変されることができる。例えば、映像駆動時基底電圧（ＥＶＳＳ）とセンシング駆動時に基底電圧（ＥＶＳＳ）はお互いに異なるように設定されることができる。

駆動トランジスター（ＤＲＴ）は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に駆動電流を供給することで有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を駆動する。

駆動トランジスター（ＤＲＴ）は第１ノード（Ｎ１）、第２ノード（Ｎ２）及び第３ノード（Ｎ３）などを含み得る。

駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第１ノード（Ｎ１）はゲートノードであることができるし、スイッチングトランジスター（Ｏ－ＳＷＴ）のソースノードまたはドレインノードと電気的に連結されることができる。駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第２ノード（Ｎ２）はソースノードまたはドレインノードであることができるし、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のアノード電極（または、カソード電極）と電気的に連結されることができる。駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第３ノード（Ｎ３）はドレインノードまたはソースノードであることができるし、駆動電圧（ＥＶＤＤ）が印加されることができるし、駆動電圧（ＥＶＤＤ）を供給する駆動電圧ライン（ＤＶＬ：ＤｒｉｖｉｎｇＶｏｌｔａｇｅＬｉｎｅ）と電気的に連結されることができる。

ストレージキャパシター（Ｃｓｔ）は駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第１ノード（Ｎ１）と第２ノード（Ｎ２）との間に電気的に連結され、映像信号電圧に該当するデータ電圧（Ｖｄａｔａ）またはこれに対応する電圧を一フレーム時間（または、決まった時間） の間に維持してくれることができる。

スイッチングトランジスター（Ｏ－ＳＷＴ）のドレインノードまたはソースノードは該当データライン（ＤＬ）に電気的に連結され、スイッチングトランジスター（Ｏ－ＳＷＴ）のソースノードまたはドレインノードは駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第１ノード（Ｎ１）に電気的に連結され、スイッチングトランジスター（Ｏ－ＳＷＴ）のゲートノードは該当ゲートラインと電気的に連結されてスキャン信号（ＳＣＡＮ）の印加を受けることができる。

スイッチングトランジスター（Ｏ－ＳＷＴ）は該当ゲートラインを通じてスキャン信号（ＳＣＡＮ）をゲートノードに印加を受けてオン－オフが制御されることができる。

このようなスイッチングトランジスター（Ｏ－ＳＷＴ）はスキャン信号（ＳＣＡＮ）によってターン－オンされて該当データライン（ＤＬ）から供給されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第１ノード（Ｎ１）に伝達してくれることができる。

一方、ストレージキャパシター（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスター（ＤＲＴ）の第１ノード（Ｎ１）と第２ノード（Ｎ２）との間に存在する内部キャパシター（ＩｎｔｅｒｎａｌＣａｐａｃｉｔｏｒ）である寄生容量（例：Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）ではなく、駆動トランジスター（ＤＲＴ）の外部に意図的に設計した外部キャパシター（ＥｘｔｅｒｎａｌＣａｐａｃｉｔｏｒ）であることができる。

駆動トランジスター（ＤＲＴ）及びスイッチングトランジスター（Ｏ－ＳＷＴ）それぞれは、ｎタイプトランジスターである、またはｐタイプトランジスターであることができる。

図３に例示された各サブピクセル構造は、２Ｔ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１Ｃ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）構造として、説明のための例示であるだけで、１個以上のトランジスターをさらに含むか、または場合によって、１個以上のキャパシターをさらに含むこともできる。または、複数のサブピクセルそれぞれが等しい構造になっていることもあり、複数のサブピクセルのうちで一部は他の構造でなされていることもある。

図４は、本発明の実施例による表示パネルの断面図である。

図４を参照すれば、本発明の実施例による表示パネルは、基板（ＳＵＢ）、基板上に位置するオーバーコート層（ＯＣ）、オーバーコート層上に位置するアノード電極（ＡＮＯ）、反射電極上に位置するバンク層（ＢＮＫ）、反射電極上に位置する有機発光層（ＥＬ）及び有機発光層とバンク層上に位置するカソード電極（ＣＡＴ）を含み得る。

オーバーコート層（ＯＣ）は、トランジスターアレイ上にピクセルを形成するようにトランジスターアレイを平坦化する層を指称することができる。オーバーコート層は第１領域（Ａ１、以下「平坦領域」とも呼ばれることができる）、第２領域（Ａ２）及び傾斜領域（ＳＡ）を含み得る。傾斜領域（ＳＡ）に隣接し、上部平坦面を有する第２領域（Ａ２）の一部を「第２平坦領域」と呼ぶことができる。

第２領域（Ａ２）は第１領域（Ａ１）より厚さが厚くて、第１領域を取り囲む領域であり、傾斜領域（ＳＡ）は第１領域と第２領域との間に位置しながら、第１領域と第２領域を連結する第１傾斜面（Ｓ１）を含み得る。

第１領域の厚さと第２領域を区分するにおいて、前記各領域の厚さはトランジスター基板上に形成されたオーバーコート層の厚さを意味して、前記各領域の厚さは、例えば、各領域においてオーバーコート層（ＯＣ）のすぐ下に形成された保護膜（ＰＡＳ）と、オーバーコート層（ＯＣ）の真上に形成された電極（ＡＮＯ）の間で測定されたオーバーコート層の厚さで理解されることができるし、特に、コンタクトホールなどが導入された部分を除いた各領域で測定された一番厚い厚さで理解されることができる。

図４に示したように、第１領域の厚さ（Ｔ１）は第２領域の厚さ（Ｔ２）より薄いことがあって、よって、第１領域（Ａ１）はオーバーコート層の凹な部分を構成し、第２領域（Ａ２）はオーバーコート層の凸な部分を構成することができる。

第１領域（Ａ１）、第２領域（Ａ２）及び傾斜領域（ＳＡ）を含むオーバーコート層は、例えば、ハーフトンマスク（Ｈａｌｆ－ｔｏｎｅｍａｓｋ）を利用したフォトリソグラフィ工程を通じて形成されることができる。

第１領域（Ａ１）の形状は特別に制限されるものではないが、例えば、円形または四角形、五角形及び八角形などの多角形形状であることができる。第２領域（Ａ２）は前記第１領域（Ａ１）を取り囲みながら、前記形状を有する第１領域（Ａ１）の側面部を囲む側壁を形成することができる。

前記第１領域（Ａ１）と第２領域（Ａ２）は第１領域と第２領域の厚さの差によって形成された傾斜領域（ＳＡ）によって連結されることができるし、前記傾斜領域（ＳＡ）は第１傾斜面（Ｓ１）を含み得る。

したがって、オーバーコート層は凹に形成された第１領域（Ａ１）周りを凸に形成された第２領域（Ａ２）が囲みながら、第１領域（Ａ１）と第２領域（Ａ２）が所定の角度と高さを有する傾斜領域（Ｓ１）によって連結される形状を有し得る。

アノード電極（ＡＮＯ）は、オーバーコート層（ＯＣ）上に位置しながら、オーバーコート層の表面に沿って形成されることができる。

アノード電極（ＡＮＯ）がオーバーコート層（ＯＣ）の表面に沿って形成されるということは、反射電極が所定の工程偏差による厚さ偏差を考慮する時、均一であると見られる厚さでオーバーコート層上に形成されることを意味することができる。

前述したようにオーバーコート層は凹に形成された第１領域（Ａ１）周りを凸に形成された第２領域（Ａ２）が囲みながら、第１領域（Ａ１）と第２領域（Ａ２）が所定の角度と高さを有する傾斜面（Ｓ１）によって連結される形状を有し得る。反射電極が前記のようなオーバーコート層の表面に沿って形成される場合、反射電極もオーバーコート層と類似な形状を有するようになる。それで、反射電極は凹に形成された部分を所定の角度と高さを有する傾斜面（Ｓ１）が取り囲む形状を有し得る。

したがって、アノード電極（ＡＮＯ）がオーバーコート層（ＯＣ）の表面に沿って形成される場合、反射電極が前記第１傾斜面（Ｓ１）上に位置する第２傾斜面（Ｓ２）を含み得る。

第２傾斜面（Ｓ２）が第１傾斜面（Ｓ１）上に位置するということは、アノード電極（ＡＮＯ）がオーバーコート層（ＯＣ）の表面に沿って形成されるので、第２傾斜面（Ｓ２）が第１傾斜面（Ｓ１）に沿って形成されるということを意味することができる。

アノード電極（ＡＮＯ）は、コンタクトホールによってトランジスター（ＴＲ）のドレイン電極（Ｄ）またはソース電極（Ｓ）と電気的に連結されることができる。

アノード電極は、反射電極を含む電極であることができる。アノード電極はインジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）を含む導電性金属酸化物層及び銀を含む反射金属層を含み得る。例えば、アノード電極はオーバーコート層上に位置する第１ＩＴＯ層、前記第１ＩＴＯ層上に位置する銀を含む反射金属層及び前記反射金属層上に位置する第２ＩＴＯ層を含み得る。

バンク層（ＢＮＫ）は、アノード電極（ＡＮＯ）上に位置しながら、第２領域（Ａ２）、傾斜領域（Ｓ１）及び傾斜領域（Ｓ１）と連結される第１領域（Ａ１）の一部に位置して、第２傾斜面（Ｓ２）に沿って形成された第３傾斜面（Ｓ３）を含み得る。

バンク層（ＢＮＫ）がオーバーコート層（ＯＣ）の第１傾斜面（Ｓ１）に沿って形成された反射電極の第２傾斜面（Ｓ２）に沿って形成された第３傾斜面（Ｓ３）を含むので、バンク層は前述したオーバーコート層の凸部を構成する第２領域（Ａ２）及びオーバーコート層の第１傾斜領域（Ｓ１）上に形成されながら、オーバーコート層の凹部を構成する第１領域（Ａ１）を取り囲みながら位置することができる。

有機発光層（ＥＬ）は、バンク層（ＢＮＫ）が形成されないアノード電極（ＡＮＯ）の一部に位置するが、第１領域（Ａ１）上に位置することができる。

カソード電極（ＣＡＴ）は、有機発光層（ＥＬ）及びバンク層（ＢＮＫ）上に位置することができる。表示パネルは有機発光層から放出された光がカソード電極（ＣＡＴ）を通じて放出されるトップエミッション（Ｔｏｐｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式であることができる。よって、カソード電極（ＣＡＴ）は可視光線領域帯の光に対する透過率が優秀な透明電極であることができるし、バンク層（ＢＮＫ）は表示パネルの開口領域（ＯＰＮ）及び非開口領域（ＮＯＰ）を区分する層として機能することができる。

本発明の表示パネルは、前述したようにバンク層（ＢＮＫ）によって開口領域（ＯＰＮ）と非開口領域（ＮＯＰ）に区分されることができる。開口領域（ＯＰＮ）はバンク層が形成されない領域に対応することができるし、非開口領域（ＮＯＰ）はバンク層が形成された領域に対応することができる。

ある領域が他の領域に対応するということは、製品の製造過程で発生することができる誤差を除く時、ある領域と異なる領域が等しいと見られる関係を意味することができる。

オーバーコート層（ＯＣ）上にアノード電極（ＡＮＯ）、バンク層（ＢＮＫ）、有機発光層（ＥＬ）及びカソード電極（ＣＡＴ）が前述したように位置するので、アノード電極（ＡＮＯ）、有機発光層（ＥＬ）及びカソード電極（ＣＡＴ）が順に積層されたオーバーコート層の第１領域（Ａ１）内では発光が起こることがある。また、アノード電極（ＡＮＯ）、有機発光層（ＥＬ）及びカソード電極（ＣＡＴ）が順に積層されたオーバーコート層の第１領域（Ａ１）の一部はバンク層（ＢＮＫ）によって覆われていない開口領域（ＯＰＮ）であるので、バンク層（ＢＮＫ）の開口領域（ＯＰＮ）に露出されたアノード電極（ＡＮＯ）とカソード電極（ＣＡＴ）によって形成された電界によって有機発光層（ＥＬ）で光が放出されることができる。

反面、有機発光層（ＥＬ）とアノード電極（ＡＮＯ）との間にバンク層（ＢＮＫ）が存在する領域では、バンク層（ＢＮＫ）によって有機発光層（ＥＬ）で光が放出されなくなる。

本発明の実施例による表示パネルは、バッファ層（ＢＵＦ）、層間絶縁膜（ＩＮＦ）、保護層（ＰＡＳ）、トランジスター（ＴＲ）、ストレージキャパシター（Ｃ１、Ｃ２）、補助電極（ＡＥ、または補助配線と指称することがある）及びパッド領域を含み得る。

バッファ層（ＢＵＦ）は基板（ＳＵＢ）上に配置されることができるし、バッファ層（ＢＵＦ）上にはトランジスター（ＴＲ）及びストレージキャパシター（Ｃ１、Ｃ２）などが形成されることができる。

層間絶縁膜（ＩＮＦ）は、トランジスター（ＴＲ）のゲート電極（ＧＡＴＥ）、半導体層（ＡＣＴ）、ストレージキャパシターの第１ストレージキャパシター電極（Ｃ１）及びパッド領域の第１パッド電極（Ｐ１）上に位置することができる。

保護層（ＰＡＳ）は補助電極（ＡＥ）、前記ストレージキャパシター（Ｃ１、Ｃ２）及びトランジスター（ＴＲ）などの電気回路素子を保護するために形成されることができる。

トランジスター（ＴＲ）は、半導体層（ＡＣＴ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、ゲート電極（ＧＡＴＥ）、ソース電極（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）を含み得る。以下、本発明の具体的な例示によるトランジスターに対して説明するが、トランジスターの各構成要素の位置関係は本発明の分野で公知された他の方式に従うこともある。

半導体層（ＡＣＴ）はバッファ層（ＢＵＦ）上に形成されることができる。

ゲート絶縁膜（ＧＩ）は半導体層（ＡＣＴ）上に形成され、ゲート絶縁膜（ＧＩ）上にはゲート電極（ＧＡＴＥ）が形成されることで、ゲート絶縁膜（ＧＩ）が半導体層（ＡＣＴ）とゲート電極（ＧＡＴＥ）との間に位置することがある。

ソース電極（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）はそれぞれ半導体層（ＡＣＴ）の一端に接触するが、お互いに離隔されて配置されることができる。ドレイン電極（Ｄ）は、アノード電極（ＡＮＯ）とコンタクトホール（ＣＨ）によって連結されることができる。コンタクトホール（ＣＨ）を第１電極（ＡＮＯ）が有機発光層（ＥＬ）と接触する第１領域（Ａ１）の外側に位置する第２領域（Ａ２）内に位置させることにより、コンタクトホール（ＣＨ）の存在は、第１電極（ＡＮＯ）の平坦度に否定的な影響を及ぼさない。したがって、サブピクセルの発光品質は、コンタクトホール（ＣＨ）が第１領域（Ａ１）に位置する場合と比較して一定かつ安定的に維持される。
バンク層（ＢＮＫ）の少なくとも一部は、第１電極（ＡＮＯ）上のコンタクトホール（ＣＨ）に挿入される。バンク層（ＢＮＫ）の上部からコンタクトホール（ＣＨ）の底部までのバンク層（ＢＮＫ）の深さ（Ｔ３）は、オーバーコート層（ＯＣ）の厚さ（Ｔ１）及びオーバーコート層（ＯＣ）の厚さ（Ｔ２）よりも大きい。

前記トランジスター（ＴＲ）は、パネルに含まれる駆動トランジスター（ＤＲＴ）で機能して、パネルに含まれたＯＬＥＤを駆動することができる。トランジスター（ＴＲ）を第２領域（Ａ２）にのみ配置する代わりに、トランジスター（ＴＲ）の少なくとも一部を図４に示すように、第１領域（Ａ１）に配置することにより、第２領域（Ａ２）の空間は、トランジスター、ワイヤ、およびキャパシターのような他の回路の構成要素を収容するために利用されることができる。したがって、トランジスター（ＴＲ）のこのような配置は、サブピクセルの密集度を増加させることができる。

図４に示したように、アクティブ領域（Ａ／Ａ）にはストレージキャパシター（Ｃ１、Ｃ２）が配置されることができる。ストレージキャパシター（Ｃ１、Ｃ２）はゲート電極（ＧＡＴＥ）と同一層に配置された第１ストレージキャパシター電極（Ｃ１）とソース電極（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）と同一層に配置された第２ストレージキャパシター電極（Ｃ２）を含み得るが、本発明のストレージキャパシター（Ｃ１、Ｃ２）の構造がこれに限定されるものではない。ストレージキャパシター（Ｃ１、Ｃ２）は、少なくとも部分的に第１領域（Ａ１）に配置される。このような構造は、第２領域（Ａ２）に他の回路の構成要素を収容するための空間を第２領域（Ａ２）に確保してサブピクセルの密度を容易に増加させることができる。

また、図４に示されたように、アクティブ領域（Ａ／Ａ）にはアノード電極（ＡＮＯ）とコンタクトされる補助電極（ＡＥ）がさらに配置されることができる。

具体的に、補助電極（ＡＥ）は層間絶縁膜（ＩＮＦ）上に配置されることができる。そして、保護膜（ＰＡＳ）、絶縁膜（ＩＮＳ）及びバンク（ＢＮＫ）は補助電極（ＡＥ）を露出するホールを具備することができる。アノード電極（ＡＮＯ）は補助電極（ＡＥ）を露出する保護膜（ＰＡＳ）、絶縁膜（ＩＮＳ）及びバンク（ＢＮＫ）のホールを通じて補助電極（ＡＥ）とコンタクトされることができる。

例えば、有機発光表示パネルが大面積の表示パネルである場合、アノード電極（ＡＮＯ）の抵抗による電圧降下が起きて、パネル外郭部と中心部の輝度差が発生することがある。しかし、本発明の有機発光表示パネルではアノード電極（ＡＮＯ）とコンタクトされる補助電極（ＡＥ）を通じて電圧降下が発生されることを防止することができる。これに、本発明の実施例による有機発光表示パネルが大面積のパネルである場合、パネルの輝度差発生を防止することができる効果がある。

一方、図４では一つのサブピクセル（ＳＰ）に一つの補助電極（ＡＥ）が配置された構成を示したが、本発明がこれに限定されるものではない。例えば、複数のサブピクセル（ＳＰ）当たり一つの補助電極（ＡＥ）が配置されることもできる。他の実施例で、補助電極（ＡＥ）は、表示パネルの先端でのみサブピクセル（ＳＰ）と接続できる。

また、本発明の実施例による有機発光表示パネルが大面積のパネルではない場合、補助電極（ＡＥ）を含まないこともある。

また、本発明の実施例による表示パネルはノン－アクティブ領域に配置されるパッド領域を含み得る。パッド領域には複数のパッド電極（Ｐ１、Ｐ２）が配置されることができる。

例えば、パッド領域に配置された複数の絶縁膜（ＢＵＦ、ＧＩ）上に第１パッド電極（Ｐ１）が配置されることができる。第１パッド電極（Ｐ１）上には第１パッド電極（Ｐ１）の上面の一部を露出する層間絶縁膜（ＩＮＦ）が配置されることができる。そして、第１パッド電極（Ｐ１）と層間絶縁膜（ＩＮＦ）上には第１パッド電極（Ｐ１）とコンタクトする第２パッド電極（Ｐ２）が配置されることができる。

図４は、また、表示パネルから放出された光が捕捉される観察面（ＶＰ）を示す。観察面は、表示パネルから離隔して位置することができる。表示パネルから放出される光は、図７（ｂ）に示した。

図４には示さなかったが、第２パッド電極（Ｐ２）は各種回路フィルムなどと電気的に連結されることができる。

観察面（ＶＰ）が図４に示されている。観察面（ＶＰ）は、表示パネルから光が投射される平面である。観察面（ＶＰ）上に投射された光は、図７（ｂ）に示した。

図５は、本発明の実施例による表示パネルの有機発光層から放出された光が第２傾斜面で反射することを示す図面である。

図５を参照すれば、有機発光層（ＥＬ）から放出された光（Ｌ）は特定方向に指向性を持たないで多くの方向に放射される。特に、有機発光層（ＥＬ）から放出された光（Ｌ）のうち一部は、屈折率が高いある層（図示せず）で屈折率が低い層（図示せず）に進行する過程で全反射され、バンク層（ＢＮＫ）の第３傾斜面（Ｓ３）を向けて進行されることができる。

バンク層（ＢＮＫ）は可視光線波長帯の光に対して所定の透過率を有する材質で形成されることができる。よって、バンク層（ＢＮＫ）の第３傾斜面（Ｓ３）を向けて放出された光は、バンク層（ＢＮＫ）の第３傾斜面（Ｓ３）を通過してアノード電極（ＡＮＯ）の第２傾斜面（Ｓ２）に到逹することができる。

アノード電極（ＡＮＯ）の第２傾斜面（Ｓ２）に到逹した光は、第２傾斜面（Ｓ２）で反射されてバンク層の第３傾斜面（Ｓ３）を向けて進行し、表示パネルの外部に抽出されることができる。よって、本発明の表示パネルは前述したように、第１傾斜面（Ｓ１）上に形成された反射電極の第２傾斜面（Ｓ２）によって、有機発光層（ＥＬ）から放出された光が表示パネルの上部に向けて進行するようになるので、表示パネルの光効率が向上されることができる。

図６は、本発明の実施例による表示パネルの第１傾斜面（Ｓ１）、第２傾斜面（Ｓ２）及び第３傾斜面（Ｓ３）部分を拡大して示した図面である。

図６を参照すれば、第１領域（Ａ１）と第１傾斜面（Ｓ１）がなす角度がθ、第２傾斜面（Ｓ２）と第３傾斜面（Ｓ３）の距離がｄ、傾斜領域（ＳＡ）の高さがｈで表示されている。本発明の実施例による表示パネルは、前記θとｄ、またはθ、ｄ及びｈを調節して優秀な光効率を達成することができる。

第１領域（Ａ１）と第１傾斜面（Ｓ１）がなす角度であるθは、２７゜以上または４５゜以上であり得る。θの範囲の上限は、特別に制限されるものではないが、θが大きい値を有する場合オーバーコート層上に形成されるアノード電極（ＡＮＯ）にクラック及び断線が発生する可能性が高くなることがあるので、例えば、８５゜以下または８０゜以下であり得る。

θの範囲を前記のように調節することで、有機発光層から放出される光を第２傾斜面（Ｓ２）が効果的に反射することができるので、光効率が優秀な表示パネルを提供することができる。

第２傾斜面（Ｓ２）と第３傾斜面（Ｓ３）との距離であるｄは、第２傾斜面（Ｓ２）からオーバーコート層の第１領域（Ａ１）と平行な方向で測定された第３傾斜面（Ｓ３）までの距離で定義されることができる。前記ｄは３．２μｍ以下、２．６μｍ以下または２．０μｍ以下であり得る。前記ｄが小さいほど、表示パネルは開口領域（ＯＰＮ）が拡張されることができるし、第２傾斜面（Ｓ２）で反射されて抽出される光の光路を減らして光効率が向上されることができるので、ｄの下限は特別に制限されるものではないが、例えば、ｄの下限は０．１μｍ以上、０．３μｍ以上または０．５μｍ以上であり得る。

ｄの範囲を前記のように調節することで、開口領域が広いながらも光効率が優秀な表示パネルを提供することができる。

傾斜領域（ＳＡ）の高さであるｈは、傾斜領域（ＳＡ）が連結する第１領域（Ａ１）部分の厚さ（Ｔ１'）と第２領域部分の厚さ（Ｔ２'）の差を意味することがある。

前記ｈは、０．７μｍ以上１．２μｍ以上、１．４μｍ以上または２μｍ以上であり得る。前記ｈが大きいほど第２傾斜面（Ｓ２）が有機発光層（ＥＬ）から放出された光を効果的に反射して光効率を高めることができるので、ｈの上限は特別に制限されるものではないが、例えば、１０μｍ以下または５μｍ以下であり得る。

前記のようにｄ、θ及びｈを調節することで、本発明の表示パネルは向上された光効率を有するだけでなく、有機発光層が発光する時、第１発光領域と第２発光領域を含み得る。

図７は、本発明の実施例による表示パネルに含まれる開口領域、非開口領域、第１発光領域及び第２発光領域を示す図面である。

図７（ａ）は、特定の形状を有する開口領域（ＯＰＮ）及び非開口領域（ＮＯＰ）を含む表示パネルの顕微鏡写真であり、図７（ｂ）は、観察面（ＶＰ）からキャプチャーされた第１発光領域及び第２発光領域を含む表示パネルの画像を描写したものである。

図７を参照すれば、本発明の実施例による表示パネルは、有機発光層が発光する時、可視光線が放出される第１発光領域（ＬＥＡ１、以下、「主発光領域」とも呼ばれる）、可視光線が放出される第２発光領域（ＬＥＡ２）、第１非発光領域（ＮＥＡ１）及び第２非発光領域（ＮＥＡ２）を含み得る。

第１発光領域（ＬＥＡ１）は開口領域（ＯＰＮ）の形状に対応する形状を有し得る。ある構成要素の形状が他の構成要素の形状に対応するということは、ある構成要素の形状が他の構成要素と等しい形状を有するか、または模様は等しいが大きさは相異であるか、またはある構成要素の形状が他の構成要素の形状がどのような方法によって転写されて形成されたかを意味することができる。よって、第１発光領域（ＬＥＡ１）の形状は、実質的に開口領域（ＯＰＮ）に位置する有機発光層（ＥＬ）から放出された光によって開口領域（ＯＰＮ）が有する形状が転写されたものとして理解されることができる。

開口領域（ＯＰＮ）の形状は特別に制限されるものではないが、例えば、円形または四角形、五角形及び八角形などの多角形の形状であり得る。図７（ａ）を参照すれば、開口領域（ＯＰＮ）が八角形に対応する形状を有する。

第１発光領域（ＬＥＡ１）は、開口領域（ＯＰＮ）に対応する形状を有し得る。図７（ｂ）を参照すれば、第１発光領域（ＬＥＡ１）が図７（ａ）に示した開口領域（ＯＰＮ）の形状と対応する形状を有することが分かる。

第２発光領域（ＬＥＡ２、以下、「補助発光領域」とも呼ばれる）は、第１発光領域（ＬＥＡ１）と重畳されないか、または離隔され、第１発光領域（ＬＥＡ１）を取り囲みながら位置し、第１発光領域（ＬＥＡ１）の枠の形状に対応する形状を有し得る。図７（ｂ）に示したように、第２発光領域（ＬＥＡ２）は第１発光領域（ＬＥＡ１）の枠と模様は等しいが、大きさは相異であるので、第２発光領域（ＬＥＡ２）が第１発光領域（ＬＥＡ１）の枠形状に対応する形状を有すると言うことができる。第２発光領域（ＬＥＡ２）は、第１発光領域（ＬＥＡ１）の枠と等しい模様を有する閉曲線であることができる。または、第２発光領域（ＬＥＡ２）は前記閉曲線の一部分が断絶された模様を有し得る。

第１非発光領域（ＮＥＡ１）によってサブピクセルが区別されることができる。図７（ｂ）を参照すれば、第１非発光領域（ＮＥＡ１）によって第２発光領域（ＬＥＡ２）がお互いに離隔されることができる。すなわち、第１非発光領域（ＮＥＡ１）は、非開口領域（ＮＯＰ）において第２発光領域（ＬＥＡ２）の間にある領域であることができる。

実質的に発光が起きない領域であり得る第１非発光領域（ＮＥＡ１）は、非開口領域（ＮＯＰ）において前記第２発光領域（ＬＥＡ２）が形成されない一部に対応することができる。

第２非発光領域（ＮＥＡ２）は、一つのサブピクセルによって形成された第１発光領域（ＬＥＡ１）及び第２発光領域（ＬＥＡ２）を区分しながら、実質的に発光が起きない領域であることができる。

第２非発光領域（ＮＥＡ２）の形状は第１発光領域（ＬＥＡ１）及び第２発光領域（ＬＥＡ２）の形状によって決まることができる。例えば、第１発光領域（ＬＥＡ１）が八角形の形状であり、第２発光領域（ＬＥＡ２）も八角形模様の閉曲線である場合、第２非発光領域（ＮＯＰ２）は第１発光領域（ＬＥＡ１）と第２発光領域（ＬＥＡ２）によって八角形の形状を有し得る。

第２非発光領域（ＮＥＡ２）は、非発光という用語で表現したが、発光領域（ＬＥＡ１、ＬＥＡ２）の間に存在する特性上、写真上では少しの光が感知されることができるし、特に、サブピクセルから放出する可視光線の波長帯と類似な色相を有する光が感知されることができる。よって、第２非発光領域（ＮＥＡ２）は、発光がまったく起きない領域であるか、または第１発光領域（ＬＥＡ１）と第２発光領域（ＬＥＡ２）を区分する領域として前記二つの発光領域より弱い光が観察される領域で理解されなければならないであろう。

前記第２発光領域（ＬＥＡ２）は、前述のようにθ、ｄ、ｈの範囲を調節して具現されることができる。よって、本発明の実施例による表示パネルは、θ、ｄ、ｈの範囲を調節することで、優秀な光効率を有して、第１発光領域（ＬＥＡ１）と第２発光領域（ＬＥＡ２）を含み得る。

第２発光領域（ＬＥＡ２）は、図５を通じて説明した経路に沿う光によって形成されたものとして推測される。本発明の実施例による表示パネルは第１発光領域（ＬＥＡ１）だけでなく、第２傾斜面（Ｓ２）によって反射された光によって形成された第２発光領域（ＬＥＡ２）を含むので、向上された光効率を有し得る。

第２発光領域（ＬＥＡ２）は、第１発光領域（ＬＥＡ１）を取り囲んで位置することができる。これは第２発光領域（ＬＥＡ２）が第１領域（Ａ１）を取り囲んでいる傾斜領域（ＳＡ）に位置する第１傾斜面（Ｓ１）上に形成されたアノード電極（ＡＮＯ）の第２傾斜面（Ｓ２）で反射された光によって形成されたことが原因として推測される。

また、第２発光領域（ＬＥＡ２）は非開口領域（ＮＯＰ）に位置することができる。

本発明の実施例の表示パネルと異なりオーバーコート層が傾斜領域を含まないこともある。この場合、有機発光層から放出された光のうちで開口領域に向ける光のうちで一部だけが表示パネル外部に抽出され、バンク層が形成された非開口領域に向ける光は表示パネル内にトラップされることができる。それで、このような表示パネルは開口領域内のみで発光領域が観察される。

しかし、本発明の実施例による表示パネルは図５に示したように、有機発光層（ＥＬ）から放出された光（Ｌ）のうち非開口領域（ＮＯＰ）に向けられる光が第２傾斜面（Ｓ２）で反射されて表示パネル外部に抽出されるので、前記反射された光によってバンク層が形成されている非開口領域（ＮＯＰ）上に第２発光領域（ＬＥＡ２）が形成されることができる。

第１発光領域（ＬＥＡ１）と第２発光領域（ＬＥＡ２）を形成する光は、図５に示したように光路が相異であって、通過する層が相異であるので、色座標が実質的に相異であることがある。よって、第１発光領域から放出される可視光線の色座標と前記第１発光領域に隣接した前記第２発光領域から放出される可視光線の色座標が相異であることができる。図７（ｂ）で分かるように、第１発光領域と第２発光領域は表示パネルに含まれたサブピクセル領域の数によってそれぞれ複数で形成されることができる。それで、前記第１発光領域に隣接した前記第２発光領域は、等しいサブピクセル領域に含まれる発光領域で理解されなければならないし、複数の第２発光のうちで前記第１発光領域に隣接した第２発光領域を指称するものとして理解されなければならない。

図８は、本発明の実施例による表示パネルの断面図である。

図８を参照すれば、有機発光層（ＥＬ）は、バンク層（ＢＮＫ）が形成されないアノード電極（ＡＮＯ）の一部及びバンク層（ＢＮＫ）上に位置し、カソード電極（ＣＡＴ）は有機発光層（ＥＬ）上に位置することができる。

下記表１は比較例と実施例で測定した光効率に関する資料である。

実施例の表示パネルは図８に示した構造を有する。実施例の表示パネルは、表１に記載したθ、ｄ及びｈを有することを除いて、残りの部分は等しく製作したものなどである。比較例の表示パネルは第１傾斜面乃至第３傾斜面を含まないという点を除いて、実施例の表示パネルと等しい。

前記表１で、比較例の場合第１傾斜面乃至第３傾斜面を含まないので、所定のθ、ｈ及びｄ値を有することができない。実施例１乃至実施例４の場合、比較例より光効率が向上されたことが分かり、特に、ｄが３．２μｍ以下である実施例１及び実施例２の場合、実施例３及び実施例４より優秀な光効率を有することが分かる。特に、ｄが２．３μｍ以下である実施例１の場合、一番優秀な光効率を見せることが分かる。

有機発光層（ＥＬ）がバンク層（ＢＮＫ）が形成されない開口領域（ＯＰＮ）だけでなく、バンク層（ＢＮＫ）が形成された非開口領域（ＮＯＰ）にも形成される場合、発光が起こる有機発光層（ＥＬ）の面積をより極大化することができる。有機発光層（ＥＬ）を開口領域（ＯＰＮ）のみに形成しようとする場合、工程上の限界によって開口領域（ＯＰＮ）の周辺部で有機発光層（ＥＬ）が形成されないか、または不完全に形成されることができる。しかし、前記のように有機発光層（ＥＬ）がバンク層（ＢＮＫ）上にも形成される場合、前記工程上の限界による問題を解決することができる。

下記の表２はθ、ｄ及びｈによる第２発光領域の包含如何に関する資料である。

前記の比較例２、３及び実施例４乃至７は、前記記載したθとｈのみ相異であって、残り部分はすべて等しく製作され、図４に示した構造を有する表示パネルである。

前記の表２を参照すれば、θが大きい値を有しながらｈも大きい値を有する場合、反射電極の第２傾斜面が有機発光層から放出された光を効果的に反射することができるので、第２発光領域が形成されるということが分かる。

有機発光層（ＥＬ）が図８に示したように形成される場合、例えば、第１色相を発光する第１発光層及び第２色相を発光する第２発光層をアノード電極（ＡＮＯ）及びバンク層（ＢＮＫ）の前面に形成することができる。この場合、第１色相を発光する第１発光層と第２色相を発光する第２発光層をバンク層（ＢＮＫ）によって区別される相異な開口領域（ＯＰＮ）に別に形成する場合に要求される大型マスクを略することができるので、工程がより簡単になることができる。

図９は、図８に示した表示パネルの一部分を示した図面である。

図９を参照すれば、有機発光層（ＥＬ）はアノード電極（ＡＮＯ）上に形成された部分の厚さ（ｔ１）がバンク層（ＢＮＫ）の第３傾斜面（Ｓ３）上に形成された部分の厚さ（ｔ２）より厚いことがある。

前記有機発光層の厚さの差は、バンク層（ＢＮＫ）の第３傾斜面（Ｓ３）に起因することがある。有機発光層（ＥＬ）は、例えば、物理気相蒸着（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式である熱蒸着（ＴｈｅｒｍａｌＥｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）工程によって形成されることができるが、第３傾斜面（Ｓ３）と共に傾斜面上では熱蒸着工程の特性上蒸着された薄膜の厚さが薄くなることがある。

有機発光層の一部分の厚さが薄くなる場合、薄い厚さを有する有機発光層と隣接した電極にキャリアの密度が高くなることができるし、これは有機発光層の劣化を引き起こすことがある。しかし、本発明による表示パネルは、図９に示したように、有機発光層（ＥＬ）が薄い厚さ（ｔ２）を有する部分では反射電極（ＥＬ）と有機発光層（ＥＬ）との間にバンク層（ＢＮＫ）が存在するので、前述した問題を予防することができる。

以上の説明は、本発明の技術思想を例示的に説明したことに過ぎないものとして、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者なら本発明の本質的な特性から脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能であろう。よって、本発明に開示された実施例は本発明の技術思想を限定するためではなく説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は下の請求範囲によって解釈されなければならないし、それと同等な範囲内にあるすべての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。

ＯＣ オーバーコート層
ＡＮＯ アノード電極
ＥＬ 有機発光層
ＢＮＫ バンク層
ＣＡＴ カソード電極
Ｓ１ 第１傾斜面
Ｓ２ 第２傾斜面
Ｓ３ 第３傾斜面
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
ＳＡ 傾斜領域
ＯＰＮ 開口領域
ＮＯＰ 非開口領域
ＬＥＡ１ 第１発光領域
ＬＥＡ２ 第２発光領域
ＮＥＡ１ 第１非発光領域
ＮＥＡ２ 第２非発光領域

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に配置され、第１領域、前記第１領域を囲み前記第１領域よりも厚い第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間に位置して前記第１領域及び前記第２領域に接続される第１傾斜面を含む傾斜領域を含むオーバーコート層と、
   前記オーバーコート層上に前記オーバーコート層の表面に沿って形成されて配置され、前記第１傾斜面上に位置し第２傾斜面を含む反射電極と、
   前記反射電極上に配置され、前記第２領域、前記傾斜領域及び前記傾斜領域に接続される前記第１領域の一部上に位置し、前記第２傾斜面に沿って配置された第３傾斜面を含むバンク層と、
   前記反射電極上に配置された有機発光層と、
   前記有機発光層上に配置されたカソード電極と、を含む表示パネルが、
   前記バンク層によって覆われていない開口領域及び前記バンク層によって覆われている領域に対応する非開口領域である２つの領域を含み、
   前記有機発光層が発光を行うときに可視光を発光する第１発光領域と、
   前記有機発光層が発光を行うときに可視光を発光し、前記第１発光領域と重畳せず、前記第１発光領域を囲む第２発光領域と、
   少なくとも２つの前記第２発光領域の間に位置する第１非発光領域と、
   前記第１発光領域と前記第２発光領域との間に位置する第２非発光領域と、
   を含む表示パネル。
2. 前記第１傾斜面と前記第１領域との間の角度は、２７°以上８５°以下である請求項１に記載の表示パネル。
3. 前記第２傾斜面と前記第３傾斜面との間の距離は、０．１μｍ以上３．２μｍ以下である請求項１に記載の表示パネル。
4. 前記傾斜領域の高さは、０．７μｍ以上１０μｍ以下である請求項１に記載の表示パネル。
5. 前記第１発光領域は、前記開口領域に対応する形状を有し、
   前記第２発光領域は、前記第１発光領域のエッジの形状に対応する形状を有する請求項１に記載の表示パネル。
6. 前記第２発光領域は非開口領域に位置する請求項１に記載の表示パネル。
7. 前記第１発光領域から発光される可視光の色座標は、前記第１発光領域に隣接する前記第２発光領域から発光される可視光の色座標とは異なる請求項１に記載の表示パネル。
8. 前記第１非発光領域は、前記第２発光領域が存在しない非発光領域の部分に対応する請求項１に記載の表示パネル。
9. 前記有機発光層はバンク層によって覆われていない前記反射電極上に配置される請求項１に記載の表示パネル。

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