CN112117357B - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。所述显示面板包括基板、位于基板一侧的第一电极和辅助电极、多个发光元件、第二电极以及导电挡墙，多个发光元件位于第一电极和辅助电极远离基板的一侧，发光元件的第一极与第一电极连接，第二电极位于多个发光元件背离基板的一侧，第二电极与发光元件的第二极连接，导电挡墙至少位于相邻发光元件之间，且电连接辅助电极和第二电极，导电挡墙朝向相邻发光元件的侧面包括反射电极，反射电极用于反射发光元件出射的光。本发明实施例提供的技术方案，降低了显示面板功耗，提高了显示面板的发光效率。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是新一代显示技术，相较于传统有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)，其具有诸多优势，成为显示领域新的研究热点，但现有技术中的常规微发光二极管存在功率较高，发光效率低的缺点。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以降低显示面板功耗，提高显示面板的发光效率。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
基板；
位于所述基板一侧的第一电极和辅助电极；
多个发光元件，所述多个发光元件位于所述第一电极和所述辅助电极远离所述基板的一侧；所述发光元件的第一极与所述第一电极连接；
第二电极，所述第二电极位于所述多个发光元件背离所述基板的一侧；所述第二电极与所述发光元件的第二极连接；
导电挡墙，所述导电挡墙至少位于相邻所述发光元件之间，且电连接所述辅助电极和所述第二电极；所述导电挡墙朝向相邻所述发光元件的侧面包括反射电极，所述反射电极用于反射所述发光元件出射的光。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述第一方面所述的显示面板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：
提供基板；
在所述基板上形成第一电极和辅助电极；
在所述基板上形成多个发光元件，发光元件的第一极与所述第一电极连接；
在至少相邻所述发光元件之间形成导电挡墙；
在多个所述发光元件远离所述基板的一侧形成第二电极，所述第二电极与多个所述发光元件的第二极连接；
其中，所述导电挡墙电连接所述辅助电极和所述第二电极；所述导电挡墙朝向相邻所述发光元件的侧面包括反射电极，所述反射电极用于反射所述发光元件出射的光。
本发明实施例提供的显示面板包括基板、位于基板一侧的第一电极和辅助电极、多个发光元件、第二电极以及导电挡墙，多个发光元件位于第一电极和辅助电极远离基板的一侧，发光元件的第一极与第一电极连接，第二电极位于多个发光元件背离基板的一侧，第二电极与发光元件的第二极连接，导电挡墙至少位于相邻发光元件之间，且电连接辅助电极和第二电极，导电挡墙朝向相邻发光元件的侧面包括反射电极，反射电极用于反射发光元件出射的光，其中，辅助电极上的驱动信号通过导电挡墙和第二电极施加于发光元件的第二极上，由于辅助电极至少位于相邻发光元件之间，辅助电极与发光元件之间的信号传输路径较短，驱动信号的压降小，能够以较小的驱动信号保证显示面板较大的亮度，降低显示面板功耗，提升显示面板的发光效率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图2是沿图1中虚线AB的剖面结构示意图；
图3是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图；
图4是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图；
图5是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图；
图6是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图；
图7是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图；
图8是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图；
图9是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图；
图10是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图；
图11是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图；
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视结构示意图；
图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视结构示意图；
图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视结构示意图；
图15是沿图14中虚线CD的剖面结构示意图；
图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图18是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图19-图24是本发明实施例提供的显示面板的制备过程图；
图25是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程示意图。
图26和图27是本发明实施例提供的显示面板的制备过程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种显示面板及其制备方法、显示装置的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
基板；
位于所述基板一侧的第一电极和辅助电极；
多个发光元件，所述多个发光元件位于所述第一电极和所述辅助电极远离所述基板的一侧；所述发光元件的第一极与所述第一电极连接；
第二电极，所述第二电极位于所述多个发光元件背离所述基板的一侧；所述第二电极与所述发光元件的第二极连接；
导电挡墙，所述导电挡墙至少位于相邻所述发光元件之间，且电连接所述辅助电极和所述第二电极；所述导电挡墙朝向相邻所述发光元件的侧面包括反射电极，所述反射电极用于反射所述发光元件出射的光。
本发明实施例提供的显示面板包括基板、位于基板一侧的第一电极和辅助电极、多个发光元件、第二电极以及导电挡墙，多个发光元件位于第一电极和辅助电极远离基板的一侧，发光元件的第一极与第一电极连接，第二电极位于多个发光元件背离基板的一侧，第二电极与发光元件的第二极连接，导电挡墙至少位于相邻发光元件之间，且电连接辅助电极和第二电极，导电挡墙朝向相邻发光元件的侧面包括反射电极，反射电极用于反射发光元件出射的光，其中，辅助电极上的阴极信号通过导电挡墙和第二电极施加于发光元件的第二极上，由于辅助电极至少位于相邻发光元件之间，辅助电极与发光元件之间的信号传输路径较短，阴极信号的压降小，能够以较小的阴极信号保证显示面板较大的亮度，降低显示面板功耗，提升显示面板的发光效率。
以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他实施方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示装置器件结构的示意图并非按照一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度以及高度的三维空间尺寸。
Micro LED显示面板中的发光元件通常采用垂直Micro LED，其第一极与阳极电连接，第二极与阴极电连接，其中，阳极在显示区中与像素驱动电路一一对应电连接，阴极为整层结构，在非显示区中与阴极信号线对应电连接。由于阴极采用方阻较大的ITO材料形成，远离阴极信号线的垂直Micro LED的第二极与阴极信号线之间的压降较大，为保证屏幕亮度，需采用大电压驱动垂直 Micro LED，导致显示面板功耗高，发光效率低。
为解决上述问题，本发明实施例提供了一种显示面板，通过设置辅助电极，减小LED的第二极与阴极信号线之间的压降，达到降低显示面板功耗，提高发光效率的效果。
具体的，图1是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图。图 2是沿图1中虚线AB的剖面结构示意图。如图2所示，显示面板包括基板100、位于基板100一侧的第一电极200和辅助电极300、多个发光元件400、第二电极500以及导电挡墙600，其中，多个发光元件400位于第一电极200和辅助电极300远离基板100的一侧，发光元件400的第一极410与第一电极200连接，第二电极500位于多个发光元件400背离基板100的一侧，第二电极500与发光元件400的第二极420连接，导电挡墙600至少位于相邻发光元件400 之间，且电连接辅助电极300和第二电极500，导电挡墙600朝向相邻发光元件400的侧面包括反射电极610，反射电极610用于反射发光元件400出射的光。
示例性的，发光元件400可以为Micro LED或OLED，本实施例对此不做具体限定。此外，辅助电极300可以为单层导电膜层或多个导电膜层的层叠结构，例如，可以为Ti/Al/Ti叠层结构，可选的，辅助电极300可以与显示面板中的固有导电膜层同层设置，此处辅助电极300的材料可以与同层膜层的材料相同。
可选的，导电挡墙600可以仅设置于相邻发光元件400之间，如图1所示，或者，导电挡墙600可以设置于相邻发光元件400之间以及非显示区20。继续参见图1，对于导电挡墙600仅设置于相邻发光元件400之间的情况，非显示区20可以设置有辅助电极300，第二电极500与该辅助电极300电连接，如图 2所示。可以理解的是，当第二电极500为阴极时，位于非显示区20且与第二电极500电连接的辅助电极300可替代现有技术中的阴极信号线，用于传输阴极信号，对应的，显示区10中的辅助电极300也用于传输阴极信号，此时，第一电极200为阳极，发光元件400的第一极为P电极，第二电极为N电极。
需要说明的是，图2仅以辅助电极300与第一电极200位于同层为例进行说明而非限定，在本实施例的其他实施方式中，辅助电极300也可以位于多个发光元件400靠近基板100一侧的任意膜层。
可选的，如图2所示，第二电极500和导电挡墙600背离衬底基板100的一侧可以包括封装结构901，封装结构901例如可以为封装薄膜，以避免外界水汽入侵至发光元件400位置处而影响发光元件400的性能。
还需要说明的是，各发光元件400均被辅助电极300围绕，发光元件400 的第二极420与相邻辅助电极300之间的信号传输路径短，对应的驱动信号的压降小，施加于辅助电极300上的驱动信号能够以较小压降传输至发光元件400 的第二极420，进而能够以较小的阴极信号保证显示面板较大的亮度，降低显示面板功耗，提升显示面板的发光效率。
此外，相邻发光元件400之间设置有导电挡墙600，导电挡墙600朝向相邻发光元件400的侧面包括反射电极610，使得反射电极610可改变相邻发光元件400出射的光的传播路径，具体光路见图2，进而避免如下问题发生：各发光元件400出射的光传播至相邻发光元件400的发光区，与相邻发光元件400 出射的不同颜色的光混色，导致相邻发光元件400出射的光偏色，影响显示面板的显示效果。
可以理解的是，当反射电极610具有导电性时，导电挡墙600可仅包括反射电极610，或者，如图2所示，导电挡墙600还可以包括除反射电极610外的其他结构，例如包括与第二电极500一体成型的第一膜层620。通常第二电极500采用ITO材料形成，由于ITO膜层为透明膜层，不会阻挡发光元件400 出射的光，因此，反射电极610可以位于第一膜层620靠近相邻发光元件400 的一侧，如图3所示，或者，反射电极610可以位于第一膜层620远离相邻发光元件400的一侧，如图2所示。
可选的，第一膜层620可与第二电极500在同一工艺步骤中形成，以简化显示面板的制备工艺。在此基础上，对于反射电极610位于第一膜层620远离相邻发光元件400一侧的结构，第二电极500先于反射电极610形成，且第二电极500整层覆盖平坦化层900的上表面，第二电极500远离平坦化层900的上表面平整，无高度差，进而反射电极610的沉积表面平整，成膜质量更佳。
示例性的，反射电极610对可见光的反射率a的取值范围可以为：a≥30％。
需要说明的是，反射电极610对可见光的反射率过低会导致相邻发光元件出射的光无法被其有效反射，存在大部分光线穿过反射电极610入射至相邻发光元件400的发光区，影响显示面板的显示效果。此外，常规显示面板的发光元件400出射的光通常包括红光、蓝光和绿光，实验证明，当反射电极610对可见光的反射率大于或等于30％时，能够有效反射发光元件400出射的红光、蓝光和绿光，进而提升显示面板的显示效果。
具体的，反射电极610可以采用导电率小于第二电极500的材料形成，例如可以为镁或银等。
图4是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图。图4所示显示面板结构与图2所示显示面板结构相似，不同的是，导电挡墙600朝向相邻发光元件 400的侧面P与对应辅助电极300朝向第二电极500的表面L之间的夹角α小于90°。
需要说明的是，导电挡墙600朝向相邻发光元件400的侧面P偏向显示面板的出光面，使得相邻发光元件400出射的光能够被反射电极610反射至显示面板的出光面，具体光路见图3，进而在避免相邻发光元件400出射的光混色的同时，提高了显示面板的发光效率。
图5是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图。在图1所示显示面板的基础上，导电挡墙600还包括接触电极630，接触电极630位于辅助电极610 靠近第二电极500的一侧，且与辅助电极300接触。
需要说明的是，显示面板的正常工作过程中，接触电极630与辅助电极300 并联，两者并联电阻相较于辅助电极300的电阻更小，有利于加速辅助电极300 上施加的驱动信号向相邻发光元件400的第二极420的传输，减小驱动信号在传输过程中的损耗。
还需要说明的是，图5仅以接触电极630与反射电极610接触为例进行说明而非限定，在本实施例的其他实施方式中，接触电极630也可与反射电极610 分立，仅与辅助电极300接触。
可选的，图6是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图。如图6所示，接触电极630与反射电极610一体成型，且材料相同。
需要说明的是，这样的设置方式使得接触电极630和反射电极610能够在同一工艺步骤中形成，无需为接触电极630单独设置对应的制备工艺步骤，有利于简化显示面板的制备工艺。
图7是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图。在本实施例的另一种实施方式中，如图7所示，接触电极630可以与第二电极500一体成型，且材料相同。
需要说明的是，这样的设置方式使得接触电极630和第二电极500能够在同一工艺步骤中形成，无需为接触电极630单独设置对应的制备工艺步骤，有利于简化显示面板的制备工艺。此外，发光元件400为Micro-LED时，第一电极200通常为ITO/Ag/ITO叠层结构，第二电极500的材料通常为ITO，一体成型的接触电极630和第二电极500的材料对应可以为ITO，使得接触电极630 与第一电极200接触的表面材料相同，接触电阻更低，利于驱动信号传输。
图8是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图。在本实施例的又一种实施方式中，如图8所示，接触电极630包括第一子电极631和第二子电极632，第一子电极631和第二子电极632沿第一方向Y层叠，第二电极500与反射电极610沿第一方向Y层叠。第一子电极631与第二电极500一体成型，且材料相同，第二子电极632与反射电极610一体成型，且材料相同。
在本实施例中，第二电极500与反射电极610沿第一方向Y层叠具体可以理解为：第二电极500先于反射电极610形成，如此，第二电极500和反射电极610的层叠顺序与第一子电极631和第二子电极632的层叠顺序相同，进而在结构上允许第一子电极631与第二电极500一体成型，且第二子电极632与反射电极610一体成型。
需要说明的是，第一子电极631与第二电极500一体成型，且材料相同，第二子电极632与反射电极610一体成型，且材料相同，这样的设置方式使得第一子电极631和第二电极500能够在同一工艺步骤中形成，第二子电极632 与反射电极610能够在同一工艺步骤中形成，进而无需为接触电极630单独设置对应的制备工艺步骤，有利于简化显示面板的制备工艺。
继续参见图5至图8，反射电极610和接触电极630可以形成凹槽结构。
如此，反射电极610和接触电极630的厚度均较小，便于采用薄膜沉积工艺形成反射电极610和接触电极630，使得两者形成工艺与显示面板其他膜层的形成工艺兼容。
可选的，在反射电极610和接触电极630形成凹槽结构的基础上，如图9 所示，显示面板还包括遮光层700，遮光层700位于导电挡墙600远离基板100 的一侧，遮光层700覆盖反射电极610，且遮光层700填充凹槽结构。
示例性的，遮光层700可以由黑色不透光材料形成。遮光层700和第二电极500远离衬底基板100的一侧可形成封装结构901。
需要说明的是，遮光层700具有遮光作用，能够避免反射电极610反射外界入射的光线，进而避免镜面效应产生，有利于显示面板显示效果的提升。
还需要说明的是，遮光层700填充凹槽结构的设置一方面有利于遮光层700 局部厚度的增大，增强其遮光效果，另一方面，能够提升显示面板远离基板一侧表面的平整度，便于后续封装。此外，反射电极610的厚度通常较小，发光元件400出射的光无法被反射电极610完全反射，少部分光线会穿过反射电极 610入射至相邻发光元件400的发光区，若相邻发光元件400正常发光，则穿过反射电极610的光线会和相邻发光元件400发出的光混色，降低相邻发光元件400出射的单色光的纯度，若相邻发光元件400处于暗态，对于发光元件400为Micro LED，穿过反射电极610的光的颜色为蓝色，相邻发光元件400的发光颜色为红色或绿色的情况，到达相邻发光元件400的发光区内的蓝色的光会激活该区内的发光元件400，导致纯蓝画面偏白。本实施例中遮光层700填充凹槽结构，能够阻挡穿过反射电极610的光线入射至相邻发光元件400的发光区，进而避免上述问题出现，有利于显示面板显示效果的提升。
图10是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图。如图10所示，在导电挡墙600还包括接触电极630，接触电极630位于辅助电极610靠近第二电极500的一侧，且与辅助电极300接触的基础上，导电挡墙600为金属挡墙，反射电极610和接触电极630与金属挡墙同材料。
需要说明的是，图10所示显示面板的结构的实质含义是：导电挡墙600为一整体结构，反射电极610和接触电极630无实际界限，且导电挡墙600位于第二电极500和辅助电极300之间，后于第二电极500形成。
还需要说明的是，图10所示导电挡墙600的结构简单，且由于为整块金属结构，其导电性良好，能够更好的实现驱动信号的传输，降低驱动信号传输损失。
图11是沿图1中虚线AB的又一种剖面结构示意图。如图11所示，显示面板还可以包括遮光层700，遮光层700位于导电挡墙600远离基板100的一侧，沿垂直于显示面板所在平面的方向Y，遮光层700覆盖反射电极610。
需要说明的是，遮光层700的设置适用于本实施例保护范围内的所有显示面板结构，不限于图11所示显示面板结构，例如可适用于图9所示显示面板结构。
还需要说明的是，遮光层700的设置有利于消除反射电极610导致的镜面效应，提升显示面板显示效果。
继续参见图3至图11，辅助电极300与第一电极200可以同层设置。
如此，一方面辅助电极300和第一电极200可采用同一制备工艺形成，无需分别设置专属工艺步骤，有利于显示面板制备工艺的简化，另一方面，辅助电极300和第一电极200仅占用一个膜层空间，有利于显示面板的薄化。此外，第一电极200相较于基板100与发光元件400之间的其他导电膜层，其更靠近第二电极500，使得在导电挡墙600的制备过程中，连通辅助电极300与第二电极500的通孔的深度较小，制备难度更低。
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视结构示意图。如图12 所示，辅助电极300为网格结构，发光元件400在辅助电极300所在膜层的垂直投影位于所述网格结构的网孔内。导电挡墙包括多个子导电挡墙601，子导电挡墙601与发光元件400一一对应，子导电挡墙601围绕对应发光元件400 设置。
需要说明的是，图12仅以子导电挡墙601的形状是矩形为例进行说明而非限定，在本实施例的其他实施方式中，子导电挡墙601还可以为其他形状，例如圆形，具体如图13所示。可以理解的是，为保证导电挡墙与辅助电极300良好接触，辅助电极300的网格结构具体根据导电挡墙的形状做适应性调整，例如图12和图13所示。
还需要说明的是，子导电挡墙601围绕对应发光元件400设置，防相邻发光元件400出射光混色效果好，且发光元件400向四周出射的光均可以被反射电极反射至显示面板的出光面，提升显示面板发光效率的效果好。
继续参见图12和图13，辅助电极300为网状结构，部分位于显示区10，剩余部分位于非显示区20，其中，网状结构的网格线线框较窄，为使得驱动信号能够更为均匀的传输至网状结构上，驱动信号可以直接施加于网状结构上。
图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视结构示意图。图15是沿图14中虚线CD的剖面结构示意图。如图15所示，沿垂直于显示面板的方向Y，辅助电极300位于第一电极200与多个发光元件400之间。
需要说明的是，辅助电极300与显示面板中固有膜层均异层设置，因此与其他膜层相互之间无直接影响，可自由设置辅助电极300形状，以更好的实现辅助电极300以及导电挡墙600的作用。
在本实施例的其他实施方式中，辅助电极300与显示面板中固有膜层均异层设置时，辅助电极300也可以设置于基板100与第一电极200之间的相邻膜层之间。
继续参见图14，辅助电极300包括位于显示区10的第一子辅助电极301 和位于非显示区20的第二子辅助电极302，第一子辅助电极301为整层结构，第二子辅助电极302为沿显示区10边缘延伸的条状结构，第一子辅助电极301 和第二子辅助电极302连接。具体的，第二子辅助电极302为条状结构，且位于非显示区20，便于和驱动信号线电连接，且对应的驱动信号线无需从显示区 10走线，不会影响显示区10的空间分配情况，因此，驱动信号可以直接施加于第二子辅助电极302上，进一步由第二子辅助电极302传输至第一子辅助电极301。
可选的，如图14和15所示，辅助电极300包括镂空结构320，发光元件 400在辅助电极300所在膜层的垂直投影位于所述镂空结构320内。
需要说明的是，本实施例对镂空结构320形状不做具体限定，在可容纳发光元件400的基础上，能够为任意形状。
还需要说明的是，具有镂空结构的辅助电极300一方面不会影响发光元件 400的正常工作，另一方面，辅助电极300面积更大，导电挡墙600尺寸可设置的更大，辅助电极300与相邻发光元件400的第二极之间的驱动信号传输路径更宽，电阻更低，驱动信号传输速度快且信号在传输过程中的损耗更低。
可选的，辅助电极300的导电率为m，第二电极500的导电率为n，反射电极610的导电率为p，m＞n，m＞p。
需要说明的是，受第二电极500和反射电极610功能限定，两者材料通常是固定的，例如第二电极500的材料通常为透明导电材料ITO，反射电极610 的材料通常为反射率较佳的不透光导电材料，因此，第二电极500和反射电极 610的导电率相对固定，而辅助电极300仅作为驱动信号传输部件，无其他作用，仅需提高导电率以实现更好的驱动信号传输即可，为此，设置辅助电极300 的导电率大于第二电极500和反射电极610的导电率。
图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图16所示，显示装置1包括本发明任意实施例提供的显示面板2。本发明实施例提供的显示装置1包括本发明任意实施例的显示面板2，具有本发明任意实施例提供的显示面板2的技术特征，其具有其所包括的显示面板2相同或相应的有益效果，此处不再赘述。
图17是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图。该制备方法用于制备本发明任意实施例提供的显示面板。如图17所示，显示面板的制备方法具体可以包括如下：
步骤11、提供基板。
需要说明的是，本实施例对基板类型不作具体限定，示例性的，基板可以为玻璃基板或柔性基板。
步骤12、在基板上形成第一电极和辅助电极。
需要说明的是，本实施例对第一电极和辅助电极的形成顺序不作具体限定，可根据显示面板的实际结构合理设置。
步骤13、在基板上形成多个发光元件，发光元件的第一极与第一电极连接。
示例性的，第一电极例如可以为阳极，发光元件例如可以为Micro LED，发光元件的第一极对应为Micro LED的P电极。
步骤14、在至少相邻发光元件之间形成导电挡墙。
步骤15、在多个发光元件远离基板的一侧形成第二电极，第二电极与多个发光元件的第二极连接，其中，导电挡墙电连接辅助电极和第二电极，导电挡墙朝向相邻发光元件的侧面包括反射电极，反射电极用于反射发光元件出射的光。
本发明实施例提供的技术方案，通过形成基板，基板包括第一电极和辅助电极，在基板上形成多个发光元件，发光元件的第一极与第一电极连接，在至少相邻发光元件之间形成导电挡墙，在多个发光元件远离基板的一侧形成第二电极，第二电极与多个发光元件的第二极连接，其中，导电挡墙电连接辅助电极和第二电极；导电挡墙朝向相邻发光元件的侧面包括反射电极，反射电极用于反射发光元件出射的光，使得辅助电极上的阴极信号通过导电挡墙和第二电极施加于发光元件的第二极上，由于辅助电极至少位于相邻发光元件之间，辅助电极与发光元件之间的信号传输路径较短，阴极信号的压降小，能够以较小的阴极信号保证显示面板较大的亮度，降低显示面板功耗，提升显示面板的发光效率。
图18是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程示意图。如图18所示，显示面板的制备方法具体可以包括如下：
步骤21、提供基板。
参见图19，提供基板100。
步骤22、在基板上形成第一电极和辅助电极。
参见图20，在基板100上形成第一电极200和辅助电极300。
步骤23、在基板上形成多个发光元件，发光元件的第一极与第一电极连接。
参见图21，在基板100上形成多个发光元件400，发光元件400的第一极 410与第一电极200连接。
步骤24、形成平坦化层，平坦化层围绕发光元件设置。
参见图22，形成平坦化层900，平坦化层900围绕发光元件400设置。
步骤25、在平坦化层上对应导电挡墙的位置形成通孔。
参见图23，在平坦化层900上对应导电挡墙的位置形成通孔800，通过贯穿平坦化层900露出辅助电极300的部分表面。
步骤26、采用喷墨打印技术在通孔内形成反射电极，反射电极构成导电挡墙。
参见图24，采用喷墨打印技术在通孔800内形成反射电极600，反射电极构成导电挡墙。
示例性的，导电挡墙为一整体型的金属结构，采用喷墨打印技术形成导电挡墙时的工艺简单，且形成的导电挡墙性能优良。
步骤27、在多个发光元件远离基板的一侧形成第二电极，第二电极与多个发光元件的第二极连接，其中，导电挡墙电连接辅助电极和第二电极，导电挡墙朝向相邻发光元件的侧面包括反射电极，反射电极用于反射发光元件出射的光。
在多个发光元件400远离基板100的一侧形成第二电极500，第二电极500 与多个发光元件400的第二极420连接，以获得图10所示显示面板。
图25是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程示意图。如图25所示，显示面板的制备方法具体可以包括如下：
步骤31、提供基板；
参见图19，提供基板100。
步骤32、在基板上形成第一电极和辅助电极。
参见图20，在基板100上形成第一电极200和辅助电极300。
步骤33、在基板上形成多个发光元件，发光元件的第一极与第一电极连接。
参见图21，在基板100上形成多个发光元件400，发光元件400的第一极 410与第一电极200连接。
步骤34、形成平坦化层，平坦化层围绕发光元件设置。
参见图22，形成平坦化层900，平坦化层900围绕发光元件400设置。
步骤35、在平坦化层上对应导电挡墙的位置形成通孔。
参见图26，在平坦化层900上对应导电挡墙的位置形成通孔800。
步骤36、采用薄膜沉积工艺在所述通孔内一体成型接触电极的第一子电极以及所述第二电极。
参见图27，采用薄膜沉积工艺在通孔800内一体成型接触电极630的第一子电极631以及第二电极500。
示例性的，薄膜沉积工艺例如可以为磁控溅射或电子束蒸发等工艺。
需要说明的是，薄膜沉积工艺可形成厚度较小的薄膜，且通过调节工艺参数可实现对形成的薄膜的性能的改变，易于获得具有较好性能的薄化膜层。由于第二电极500通常为厚度较小的透明导电薄膜，采用薄膜沉积工艺一体化成型第一子电极631和第二电极500能够保持第二电极500的原有性能。
步骤37、采用薄膜沉积工艺在通孔内一体成型接触电极的第二子电极以及反射电极，反射电极与接触电极构成导电挡墙。
采用薄膜沉积工艺在通孔内一体成型接触电极630的第二子电极632以及反射电极610，反射电极610与接触电极630构成导电挡墙600，以获得图7所示显示面板。
需要说明的是，采用薄膜沉积工艺一体成型的第二子电极632和反射电极 610为厚度较小的薄膜，其覆盖于一体化成型的第一子电极631和第二电极500 的上表面，可保留通孔内的凹槽结构，便于后续在凹槽结构内设置遮光层等结构。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板一侧的第一电极和辅助电极；
多个发光元件，所述发光元件为LED，所述多个发光元件位于所述第一电极和所述辅助电极远离所述基板的一侧；所述发光元件的第一极与所述第一电极连接；
第二电极，所述第二电极位于所述多个发光元件背离所述基板的一侧；所述第二电极与所述发光元件的第二极连接；
导电挡墙，所述导电挡墙至少位于相邻所述发光元件之间，且电连接所述辅助电极和所述第二电极；所述导电挡墙朝向相邻所述发光元件的侧面包括反射电极，所述反射电极用于反射所述发光元件出射的光；
所述导电挡墙朝向相邻所述发光元件的侧面与对应所述辅助电极朝向所述第二电极的表面之间的夹角小于90°。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反射电极对可见光的反射率a的取值范围为：a≥30％。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电挡墙还包括接触电极，所述接触电极位于所述辅助电极靠近所述第二电极的一侧，且与所述辅助电极接触。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述导电挡墙为金属挡墙，所述反射电极和所述接触电极与所述金属挡墙同材料。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述接触电极与所述反射电极一体成型，且材料相同。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述接触电极与所述第二电极一体成型，且材料相同。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述接触电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极和所述第二子电极沿第一方向层叠，所述第二电极与所述反射电极沿所述第一方向层叠；
所述第一子电极与所述第二电极一体成型，且材料相同；所述第二子电极与所述反射电极一体成型，且材料相同。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述反射电极和所述接触电极形成凹槽结构。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，还包括遮光层，所述遮光层位于所述导电挡墙远离所述基板的一侧；所述遮光层覆盖所述反射电极；
所述遮光层填充所述凹槽结构。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括遮光层，所述遮光层位于所述导电挡墙远离所述基板的一侧；沿垂直于所述显示面板所在平面的方向，所述遮光层覆盖所述反射电极。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极与所述第一电极同层设置。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述显示面板的方向，所述辅助电极位于所述第一电极与所述多个发光元件之间。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极为网格结构，所述发光元件在所述辅助电极所在膜层的垂直投影位于所述网格结构的网孔内；所述导电挡墙包括多个子导电挡墙，所述子导电挡墙与所述发光元件一一对应，所述子导电挡墙围绕对应所述发光元件设置。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括镂空结构，所述发光元件在所述辅助电极所在膜层的垂直投影位于所述镂空结构中。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极的导电率为m，所述第二电极的导电率为n，所述反射电极的导电率为p，m＞n，m＞p。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-15任一项所述的显示面板。
17.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上形成第一电极和辅助电极；
在所述基板上形成多个发光元件，所述发光元件为LED，发光元件的第一极与所述第一电极连接；
在至少相邻所述发光元件之间形成导电挡墙；
在多个所述发光元件远离所述基板的一侧形成第二电极，所述第二电极与多个所述发光元件的第二极连接；
其中，所述导电挡墙电连接所述辅助电极和所述第二电极；所述导电挡墙朝向相邻所述发光元件的侧面包括反射电极，所述反射电极用于反射所述发光元件出射的光；
所述导电挡墙朝向相邻所述发光元件的侧面与对应所述辅助电极朝向所述第二电极的表面之间的夹角小于90°。
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，在至少相邻所述发光元件之间形成导电挡墙包括：
形成平坦化层，所述平坦化层围绕所述发光元件设置；
在所述平坦化层上对应所述导电挡墙的位置形成通孔；
采用喷墨打印技术在所述通孔内形成反射电极，所述反射电极构成所述导电挡墙。
19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，在至少相邻所述发光元件之间形成导电挡墙；在多个所述发光元件远离所述基板的一侧形成第二电极，所述第二电极与多个所述发光元件的第二极连接包括：
形成平坦化层，所述平坦化层围绕所述发光元件设置；
在所述平坦化层上对应所述导电挡墙的位置形成通孔；
采用薄膜沉积工艺在所述通孔内一体成型接触电极的第一子电极以及所述第二电极；
采用薄膜沉积工艺在所述通孔内一体成型所述接触电极的第二子电极以及反射电极，所述反射电极与所述接触电极构成所述导电挡墙。
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