JP2002299044A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＬ表示装置における開口率とコントラスト
の向上。 【解決手段】 有機ＥＬ表示装置において、素子基板１
００には、有機ＥＬ素子及びこれを駆動するＴＦＴなど
のスイッチ素子が形成され、有機ＥＬ素子は、第１電極
４０と第２電極４２との間に少なくとも発光層を含む発
光素子層３０を備え、第１電極４０より上層に形成され
る第２電極４２から発光層３４で得られた光を射出す
る。素子基板１００の素子形成面側には、これと所定距
離隔てて透明封止部材２００が配置され、この素子基板
１００と透明封止部材２００との間隙には、各発光画素
を他の発光画素から遮光する遮光部材７０が配置されて
いる。
の向上。 【解決手段】 有機ＥＬ表示装置において、素子基板１
００には、有機ＥＬ素子及びこれを駆動するＴＦＴなど
のスイッチ素子が形成され、有機ＥＬ素子は、第１電極
４０と第２電極４２との間に少なくとも発光層を含む発
光素子層３０を備え、第１電極４０より上層に形成され
る第２電極４２から発光層３４で得られた光を射出す
る。素子基板１００の素子形成面側には、これと所定距
離隔てて透明封止部材２００が配置され、この素子基板
１００と透明封止部材２００との間隙には、各発光画素
を他の発光画素から遮光する遮光部材７０が配置されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機エレクトロ
ルミネッセンス表示装置などのエレクトロルミネッセン
ス表示装置、特に基板上に形成された素子の上方より光
を射出するタイプの表示装置に関する。
ルミネッセンス表示装置などのエレクトロルミネッセン
ス表示装置、特に基板上に形成された素子の上方より光
を射出するタイプの表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、発光分子として有機発光材料や無
機発光材料などを用いて構成されるエレクトロルミネッ
センス（以下ＥＬ）素子を用いた表示装置が注目されて
いる。特に有機発光材料はその発光色の種類が多く次世
代カラーディスプレイとして期待されている。
機発光材料などを用いて構成されるエレクトロルミネッ
センス（以下ＥＬ）素子を用いた表示装置が注目されて
いる。特に有機発光材料はその発光色の種類が多く次世
代カラーディスプレイとして期待されている。
【０００３】図４は、アクティブマトリクス型の有機Ｅ
Ｌ表示装置の１画素当たりの回路構成を示している。図
示するようにアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装
置は、基板上に複数本のゲートラインＧＬが行方向に延
び、複数本のデータラインＤＬ及び電源ラインＶＬが列
方向に延びている。そして、データラインＤＬ及び電源
ラインＰｖＬと、ゲートラインＧＬとで囲まれた領域付
近が１画素相当領域となり、この１画素領域には有機Ｅ
Ｌ素子３と、スイッチング用ＴＦＴ（第１ＴＦＴ）１、
ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ（第２ＴＦＴ）２及び保持容量Ｃ
scが設けられている。
Ｌ表示装置の１画素当たりの回路構成を示している。図
示するようにアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装
置は、基板上に複数本のゲートラインＧＬが行方向に延
び、複数本のデータラインＤＬ及び電源ラインＶＬが列
方向に延びている。そして、データラインＤＬ及び電源
ラインＰｖＬと、ゲートラインＧＬとで囲まれた領域付
近が１画素相当領域となり、この１画素領域には有機Ｅ
Ｌ素子３と、スイッチング用ＴＦＴ（第１ＴＦＴ）１、
ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ（第２ＴＦＴ）２及び保持容量Ｃ
scが設けられている。
【０００４】第１ＴＦＴ１は、ゲートラインＶＬとデー
タラインＤＬとに接続されており、ゲート電極にゲート
信号（選択信号）を受けてオンする。このときデータラ
インＤＬに供給されている表示データ信号に応じた電荷
が第１ＴＦＴ１と第２ＴＦＴ２との間に接続された保持
容量Ｃscに保持される。第２ＴＦＴ２のゲート電極に
は、上記保持容量Ｃscで保持している電荷に応じた電圧
（データ信号に応じた電圧）が印加され、第２ＴＦＴ２
は、ゲート電圧に応じた電流を電源ラインＰｖＬから有
機ＥＬ素子３に供給する。
タラインＤＬとに接続されており、ゲート電極にゲート
信号（選択信号）を受けてオンする。このときデータラ
インＤＬに供給されている表示データ信号に応じた電荷
が第１ＴＦＴ１と第２ＴＦＴ２との間に接続された保持
容量Ｃscに保持される。第２ＴＦＴ２のゲート電極に
は、上記保持容量Ｃscで保持している電荷に応じた電圧
（データ信号に応じた電圧）が印加され、第２ＴＦＴ２
は、ゲート電圧に応じた電流を電源ラインＰｖＬから有
機ＥＬ素子３に供給する。
【０００５】図５は、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子
３及び上記第２ＴＦＴ付近における概略断面構成を示し
ている。なお、図５に示さない第１ＴＦＴは第２ＴＦＴ
とほぼ同様の構造である。
３及び上記第２ＴＦＴ付近における概略断面構成を示し
ている。なお、図５に示さない第１ＴＦＴは第２ＴＦＴ
とほぼ同様の構造である。
【０００６】ガラスなどの透明基板１０上には第２ＴＦ
Ｔの能動層１２が形成され、これをゲート絶縁膜１４が
覆い、ゲート絶縁膜１４上には、図４に示す第１ＴＦＴ
のソース領域及び保持容量Ｃscの下側電極に電気的に接
続されるゲート電極２０が形成されている。このゲート
電極２０の上層には層間絶縁膜１６が形成され、能動層
のソース及びドレイン領域に対応する位置においてそれ
ぞれ層間絶縁膜１６及びゲート絶縁膜１４を貫通するコ
ンタクトホールが形成されている。第２ＴＦＴのソース
領域１２ｓはこのコンタクトホールを介してソース電極
を兼用する電源ラインＰｖＬに接続され、ドレイン領域
１２ｄはコンタクトホールを介してドレイン電極に接続
されている。さらに電源ラインＰｖＬ及びドレイン電極
を覆う基板全面には第１平坦化絶縁層１８が形成され、
この第１平坦化絶縁層１８の上に有機ＥＬ素子３が形成
されている。
Ｔの能動層１２が形成され、これをゲート絶縁膜１４が
覆い、ゲート絶縁膜１４上には、図４に示す第１ＴＦＴ
のソース領域及び保持容量Ｃscの下側電極に電気的に接
続されるゲート電極２０が形成されている。このゲート
電極２０の上層には層間絶縁膜１６が形成され、能動層
のソース及びドレイン領域に対応する位置においてそれ
ぞれ層間絶縁膜１６及びゲート絶縁膜１４を貫通するコ
ンタクトホールが形成されている。第２ＴＦＴのソース
領域１２ｓはこのコンタクトホールを介してソース電極
を兼用する電源ラインＰｖＬに接続され、ドレイン領域
１２ｄはコンタクトホールを介してドレイン電極に接続
されている。さらに電源ラインＰｖＬ及びドレイン電極
を覆う基板全面には第１平坦化絶縁層１８が形成され、
この第１平坦化絶縁層１８の上に有機ＥＬ素子３が形成
されている。
【０００７】有機ＥＬ素子３は、ＩＴＯ（Indium Tin O
xide）等からなり画素毎に個別に形成された透明電極
（陽極）５０と、発光素子層及び各画素共通で形成され
た金属電極（陰極）６０が第１平坦化絶縁層１８の上に
この順に積層されて構成されている。なお、透明電極５
０は、第１平坦化絶縁層１８に形成されたコンタクトホ
ールを介して第２ＴＦＴのドレイン電極に接続されてい
る。発光素子層は、例えば正孔輸送層５２、発光層５４
及び電子輸送層５６がこの順に積層されて構成されてい
る。
xide）等からなり画素毎に個別に形成された透明電極
（陽極）５０と、発光素子層及び各画素共通で形成され
た金属電極（陰極）６０が第１平坦化絶縁層１８の上に
この順に積層されて構成されている。なお、透明電極５
０は、第１平坦化絶縁層１８に形成されたコンタクトホ
ールを介して第２ＴＦＴのドレイン電極に接続されてい
る。発光素子層は、例えば正孔輸送層５２、発光層５４
及び電子輸送層５６がこの順に積層されて構成されてい
る。
【０００８】なお、以上各画素を構成するＴＦＴ、保持
容量及び有機ＥＬ素子、さらに必要な配線が形成されて
素子基板が構成される。そして、素子基板上の各素子の
保護と、発光素子層に含まれる有機材料の水分による劣
化を防ぐため、従来より、発光素子層の素子形成面側は
金属製の封止部材９０が設けられている。この封止部材
９０は、素子基板の画素領域周辺に素子基板と接着さ
れ、この封止部材９０と素子基板との間の封止空間９２
には、乾燥窒素が封入されている。
容量及び有機ＥＬ素子、さらに必要な配線が形成されて
素子基板が構成される。そして、素子基板上の各素子の
保護と、発光素子層に含まれる有機材料の水分による劣
化を防ぐため、従来より、発光素子層の素子形成面側は
金属製の封止部材９０が設けられている。この封止部材
９０は、素子基板の画素領域周辺に素子基板と接着さ
れ、この封止部材９０と素子基板との間の封止空間９２
には、乾燥窒素が封入されている。
【０００９】有機ＥＬ素子３は、その陽極５０に第２Ｔ
ＦＴを介して電源ラインＰｖＬからデータ信号電圧に応
じた電流が供給される。これにより発光素子層には陽極
５０から正孔が注入され、陰極６０から電子が注入さ
れ、注入された正孔と電子とが発光素子層内を移動し、
発光層５４で再結合し、発生した再結合エネルギにより
発光層内の発光分子が励起される。そして、基底状態に
戻る際に、発光層５４から光が放射される。
ＦＴを介して電源ラインＰｖＬからデータ信号電圧に応
じた電流が供給される。これにより発光素子層には陽極
５０から正孔が注入され、陰極６０から電子が注入さ
れ、注入された正孔と電子とが発光素子層内を移動し、
発光層５４で再結合し、発生した再結合エネルギにより
発光層内の発光分子が励起される。そして、基底状態に
戻る際に、発光層５４から光が放射される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の有機ＥＬ素子３
においては、陰極６０としては、例えばＡｌなど仕事関
数の小さな金属材料が用いられており、不透明である。
一方、陽極５０には、上述のように発光素子層への正孔
注入が可能な仕事関数の大きい導電材料としてＩＴＯ等
が用いられるため透明である。従って、発光層５４から
の光は、陰極６０からは射出されず、陽極５０側から透
明基板１０を通って外部に射出される。
においては、陰極６０としては、例えばＡｌなど仕事関
数の小さな金属材料が用いられており、不透明である。
一方、陽極５０には、上述のように発光素子層への正孔
注入が可能な仕事関数の大きい導電材料としてＩＴＯ等
が用いられるため透明である。従って、発光層５４から
の光は、陰極６０からは射出されず、陽極５０側から透
明基板１０を通って外部に射出される。
【００１１】ここで、配線及びＴＦＴ形成領域は上記発
光層からの光を遮ってしまうので、透明電極１０側から
光を放射する場合には、この配線、ＴＦＴの形成領域が
各画素の発光領域を制限することになる。従って、各画
素の発光面積、つまり画素あたりの発光領域の占める割
合である開口率がＴＦＴ形成面積の制約を受けるという
問題がある。
光層からの光を遮ってしまうので、透明電極１０側から
光を放射する場合には、この配線、ＴＦＴの形成領域が
各画素の発光領域を制限することになる。従って、各画
素の発光面積、つまり画素あたりの発光領域の占める割
合である開口率がＴＦＴ形成面積の制約を受けるという
問題がある。
【００１２】そこで、図５に示す有機ＥＬ素子３の陰極
側から光を射出可能な構成の研究が始まっている。
側から光を射出可能な構成の研究が始まっている。
【００１３】しかし、このような陰極側から光を射出す
る構成とした場合には、隣接画素間で配線やＴＦＴなど
によって光が遮られることがないが故に、隣接画素間で
の光漏れの問題がより顕著となると考えられる。特に、
有機ＥＬ素子は全方向に光を発する点光源に近い自発光
素子であるため、近接画素間での発光光の漏れを防止す
る必要がある。
る構成とした場合には、隣接画素間で配線やＴＦＴなど
によって光が遮られることがないが故に、隣接画素間で
の光漏れの問題がより顕著となると考えられる。特に、
有機ＥＬ素子は全方向に光を発する点光源に近い自発光
素子であるため、近接画素間での発光光の漏れを防止す
る必要がある。
【００１４】上記課題を解決するために、本発明は、開
口率が高く、かつ隣接画素間での光漏れ防止が可能なＥ
Ｌ表示装置を実現することを目的とする。
口率が高く、かつ隣接画素間での光漏れ防止が可能なＥ
Ｌ表示装置を実現することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明は、ＥＬ表示装置において、基板上に、第１
電極と第２電極との間に少なくとも発光層を含む発光素
子層を備え、基板側に形成された前記第１電極より上層
に形成される前記第２電極側から前記発光層からの光を
射出するＥＬ素子を有する発光画素が複数配置された素
子基板と、前記素子基板の素子形成面側に所定距離隔て
て配置される透明封止部材と、を有する。さらに、前記
基板と前記透明封止部材との間隙には、各発光画素を他
の発光画素から遮光する遮光部材が設けられている。
にこの発明は、ＥＬ表示装置において、基板上に、第１
電極と第２電極との間に少なくとも発光層を含む発光素
子層を備え、基板側に形成された前記第１電極より上層
に形成される前記第２電極側から前記発光層からの光を
射出するＥＬ素子を有する発光画素が複数配置された素
子基板と、前記素子基板の素子形成面側に所定距離隔て
て配置される透明封止部材と、を有する。さらに、前記
基板と前記透明封止部材との間隙には、各発光画素を他
の発光画素から遮光する遮光部材が設けられている。
【００１６】このように素子基板の上側に位置する第２
電極側から発光光を射出可能な素子構成とし、さらに素
子封止用の基板として透明封止部材を採用することで、
この透明封止部材から外部に光を射出することができ、
ＥＬ素子を画素毎に制御するための配線やスイッチ素子
などに制約されることなく、発光層からの光を効率的に
外部に射出でき、開口率の向上を図ることができる。さ
らに、基板と、この基板の素子形成面側に配置される透
明封止部材との間隙に画素間を遮光する遮光部材を設け
ることにより、第２電極側から射出される光が遮光部材
により他の画素領域から射出されてしまうことを防止で
きる。従って、表示イメージの画素間でのにじみ防止、
カラー表示装置では混色防止ができる。
電極側から発光光を射出可能な素子構成とし、さらに素
子封止用の基板として透明封止部材を採用することで、
この透明封止部材から外部に光を射出することができ、
ＥＬ素子を画素毎に制御するための配線やスイッチ素子
などに制約されることなく、発光層からの光を効率的に
外部に射出でき、開口率の向上を図ることができる。さ
らに、基板と、この基板の素子形成面側に配置される透
明封止部材との間隙に画素間を遮光する遮光部材を設け
ることにより、第２電極側から射出される光が遮光部材
により他の画素領域から射出されてしまうことを防止で
きる。従って、表示イメージの画素間でのにじみ防止、
カラー表示装置では混色防止ができる。
【００１７】本発明の他の態様では、上記ＥＬ表示装置
において、前記透明封止部材の前記エレクトロルミネッ
センス素子との対向面側の各発光画素対応位置には、色
要素を備え、前記遮光部材は、該色要素の他の色要素と
の間隙に前記透明基板に向かって突設されていることを
特徴とする。
において、前記透明封止部材の前記エレクトロルミネッ
センス素子との対向面側の各発光画素対応位置には、色
要素を備え、前記遮光部材は、該色要素の他の色要素と
の間隙に前記透明基板に向かって突設されていることを
特徴とする。
【００１８】素子基板と透明封止部材との設定間隙及び
透明封止部材に形成される色要素（カラーフィルタや色
変換フィルタなど）は、素子基板上に形成されるＥＬ素
子やそのスイッチ素子などの厚さと比較して非常に大き
な値である。従って、素子層と遮光部材や色要素とで
は、各製造装置の精度や特性にもかなり差があり、遮光
部材や色要素は透明封止部材側に形成することとすれ
ば、素子基板と透明封止基板とをそれぞれ別の最適な製
造ラインで並列して製造でき、製造効率の点で有利とな
る。また、素子基板側に遮光部材や色要素を形成する場
合には、第２電極上にこれらを形成することになるが、
有機ＥＬ素子等においては発光素子層の薬液耐性が低か
ったり吸湿して劣化するなどの性質があるため、発光素
子層形成後には多くの成膜工程にさらされないことが望
ましいことが多い。このような場合にも、本発明では遮
光部材及び色要素を素子基板とは別に製造できる透明封
止部材上に形成するので、このような制約は受けず、Ｅ
Ｌ素子に遮光部材や色要素の製造プロセスが悪影響を及
ぼすことがない。
透明封止部材に形成される色要素（カラーフィルタや色
変換フィルタなど）は、素子基板上に形成されるＥＬ素
子やそのスイッチ素子などの厚さと比較して非常に大き
な値である。従って、素子層と遮光部材や色要素とで
は、各製造装置の精度や特性にもかなり差があり、遮光
部材や色要素は透明封止部材側に形成することとすれ
ば、素子基板と透明封止基板とをそれぞれ別の最適な製
造ラインで並列して製造でき、製造効率の点で有利とな
る。また、素子基板側に遮光部材や色要素を形成する場
合には、第２電極上にこれらを形成することになるが、
有機ＥＬ素子等においては発光素子層の薬液耐性が低か
ったり吸湿して劣化するなどの性質があるため、発光素
子層形成後には多くの成膜工程にさらされないことが望
ましいことが多い。このような場合にも、本発明では遮
光部材及び色要素を素子基板とは別に製造できる透明封
止部材上に形成するので、このような制約は受けず、Ｅ
Ｌ素子に遮光部材や色要素の製造プロセスが悪影響を及
ぼすことがない。
【００１９】本発明の他の態様では、上記ＥＬ表示装置
において、前記遮光部材は、少なくとも前記透明封止部
材との対向面が黒色を呈する。上述のように本発明のＥ
Ｌ表示装置は、透明封止部材側からＥＬ素子の発する光
を外部に射出する構成であり、この透明封止部材側が観
察面となる。そこで、この観察面から透明封止部材を透
過して視認される遮光部材の上面（透明封止部材との対
向面）が黒色を呈していることで、発光画素間位置にそ
れぞれブラックマトリクスが配置されることとなる。よ
って、隣接画素間での発光輝度、発光色の差異を鮮明に
表すことが容易となり、表示コントラストの一層の向上
に寄与する。
において、前記遮光部材は、少なくとも前記透明封止部
材との対向面が黒色を呈する。上述のように本発明のＥ
Ｌ表示装置は、透明封止部材側からＥＬ素子の発する光
を外部に射出する構成であり、この透明封止部材側が観
察面となる。そこで、この観察面から透明封止部材を透
過して視認される遮光部材の上面（透明封止部材との対
向面）が黒色を呈していることで、発光画素間位置にそ
れぞれブラックマトリクスが配置されることとなる。よ
って、隣接画素間での発光輝度、発光色の差異を鮮明に
表すことが容易となり、表示コントラストの一層の向上
に寄与する。
【００２０】本発明の他の態様では、上記ＥＬ表示装置
において、前記遮光部材の側面の少なくとも一部は反射
機能を有する。
において、前記遮光部材の側面の少なくとも一部は反射
機能を有する。
【００２１】側面が反射機能を有すれば、発光層から第
２電極を透過して放射される光をこの反射部材で反射す
れば、損失なく発光層からの光をその画素の光として外
部に射出することができる。
２電極を透過して放射される光をこの反射部材で反射す
れば、損失なく発光層からの光をその画素の光として外
部に射出することができる。
【００２２】本発明の他の態様では、上記ＥＬ表示装置
において、前記遮光部材は、各発光画素領域を取り囲む
ように形成されている。
において、前記遮光部材は、各発光画素領域を取り囲む
ように形成されている。
【００２３】上述のように発光層が点光源と同等に機能
する場合には特に各発光画素領域を取り囲むことで、全
方位について隣接画素に光が漏れることを防止できる。
する場合には特に各発光画素領域を取り囲むことで、全
方位について隣接画素に光が漏れることを防止できる。
【００２４】本発明の他の態様では、上記ＥＬ表示装置
において、前記第１基板と前記素子基板との層間に、各
発光画素を個別に制御するスイッチ素子が形成されてい
る。
において、前記第１基板と前記素子基板との層間に、各
発光画素を個別に制御するスイッチ素子が形成されてい
る。
【００２５】このように発光画素を個別に制御するスイ
ッチ素子を備えるいわゆるアクティブマトリクス型表示
装置とすれば、各画素の表示品質が高い。また、上述の
ようにスイッチ素子などが素子基板上に形成されていて
も、発光層からの光をスイッチ素子の形成位置と反対側
に位置する第２電極側から射出するため、開口率の減少
がなく、高輝度で品質の高い表示が可能となる。
ッチ素子を備えるいわゆるアクティブマトリクス型表示
装置とすれば、各画素の表示品質が高い。また、上述の
ようにスイッチ素子などが素子基板上に形成されていて
も、発光層からの光をスイッチ素子の形成位置と反対側
に位置する第２電極側から射出するため、開口率の減少
がなく、高輝度で品質の高い表示が可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いてこの発明の好
適な実施の形態（以下実施形態という）について説明す
る。
適な実施の形態（以下実施形態という）について説明す
る。
【００２７】図１は、この発明の実施形態に係るＥＬ表
示装置の断面構造を示している。このＥＬ表示装置は本
実施形態において例えば有機材料を用いた有機ＥＬ素子
を各画素に備えたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示
装置である。各画素についての回路構成は、上述の図４
に示す等価回路と同じであり、１画素は、有機ＥＬ素子
３と、これを制御するための第１及び第２ＴＦＴと、保
持容量Ｃscを備える。また、図１において、第１平坦化
絶縁層１８より下側に形成された素子構成は、従来と同
様の構成を採用可能であり、例えば第２ＴＦＴは、図５
と同様で、図示されない第１ＴＦＴもこの第２ＴＦＴと
同様の構成である。図１において、図５と共通する部分
については同一符号を付し説明を省略する。もちろん、
各膜の材質やＴＦＴのトップゲート構造をボトムゲート
構造にするなど、異なる構造を採用することもできる。
示装置の断面構造を示している。このＥＬ表示装置は本
実施形態において例えば有機材料を用いた有機ＥＬ素子
を各画素に備えたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示
装置である。各画素についての回路構成は、上述の図４
に示す等価回路と同じであり、１画素は、有機ＥＬ素子
３と、これを制御するための第１及び第２ＴＦＴと、保
持容量Ｃscを備える。また、図１において、第１平坦化
絶縁層１８より下側に形成された素子構成は、従来と同
様の構成を採用可能であり、例えば第２ＴＦＴは、図５
と同様で、図示されない第１ＴＦＴもこの第２ＴＦＴと
同様の構成である。図１において、図５と共通する部分
については同一符号を付し説明を省略する。もちろん、
各膜の材質やＴＦＴのトップゲート構造をボトムゲート
構造にするなど、異なる構造を採用することもできる。
【００２８】図１に示すように、第１平坦化絶縁層１８
の上には、各画素毎に個別パターンの第１電極４０が形
成されており、コンタクトホールを介して第２ＴＦＴの
ドレイン電極と接続されている。第１電極４０の上に
は、発光素子層３０が積層され、さらにその上に各画素
共通の多層構造の第２電極４２が形成されている。発光
素子層３０は、少なくとも発光分子を含有する発光層を
備え、本実施形態では、一例として、正孔輸送層３２と
発光層３４と電子輸送層３６の３層構造から構成してい
る。図１では、正孔輸送層３２と電子輸送層３６とが全
画素共通で形成され、発光層３４が各画素ごと独立し、
かつ第１電極４０より多少大きなパターンに形成された
例を示している。この発光層３４は、カラー表示装置の
場合には、それぞれ発光すべき光の色により、それぞれ
所望の異なる発光材料が用いられることとなる。
の上には、各画素毎に個別パターンの第１電極４０が形
成されており、コンタクトホールを介して第２ＴＦＴの
ドレイン電極と接続されている。第１電極４０の上に
は、発光素子層３０が積層され、さらにその上に各画素
共通の多層構造の第２電極４２が形成されている。発光
素子層３０は、少なくとも発光分子を含有する発光層を
備え、本実施形態では、一例として、正孔輸送層３２と
発光層３４と電子輸送層３６の３層構造から構成してい
る。図１では、正孔輸送層３２と電子輸送層３６とが全
画素共通で形成され、発光層３４が各画素ごと独立し、
かつ第１電極４０より多少大きなパターンに形成された
例を示している。この発光層３４は、カラー表示装置の
場合には、それぞれ発光すべき光の色により、それぞれ
所望の異なる発光材料が用いられることとなる。
【００２９】また、第１電極４０同士の間隙部分にはこ
の第１電極４０のエッジを覆う第２平坦化絶縁層２６が
形成されている。発光素子層３０は、実際には非常に薄
いため、この第２平坦化絶縁層２６により、発光素子層
３０を挟んで対向する第１及び第２電極４０，４２が第
１電極４０のエッジ付近で短絡することを防止する。
の第１電極４０のエッジを覆う第２平坦化絶縁層２６が
形成されている。発光素子層３０は、実際には非常に薄
いため、この第２平坦化絶縁層２６により、発光素子層
３０を挟んで対向する第１及び第２電極４０，４２が第
１電極４０のエッジ付近で短絡することを防止する。
【００３０】本実施形態において特徴的なことは、ま
ず、第１電極４０よりも上層に形成される第２電極４２
が光透過性であることである。図５と同様に第１電極４
０は陽極を構成しており、発光素子層の正孔輸送層３２
に対して正孔の注入可能な仕事関数の大きいＩＴＯ等の
透明導電性材料が用いられている。第２電極４２は、陰
極を構成するため、仕事関数の小さく電子注入の容易な
材料を用いることが必要である。しかし、その一方で、
光透過機能を発揮しなければならず、陽極と同じＩＴＯ
などが材料として考えられるが、ＩＴＯなどの金属酸化
物は、電子注入能力が高くない。従って、本実施形態に
おいては、第２電極４２を金属層４４と透明導電層４６
との積層構造とし、電子輸送層３６との界面に接する位
置に金属層４４を設け、その材料としては、発光素子層
３０の電子輸送層３６に対して効率的に電子注入するこ
とのできる仕事関数の小さい金属を用い、かつこれらの
金属材料は通常遮光性であるが、光を透過できる程度の
薄膜として形成している。この金属層４４には、例えば
Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどが用いられる。金属層４４の上層
にＩＴＯなどの透明導電層４６を形成し、この２層で陰
極を構成している。なお、遮光性の金属材料を用いて第
２電極（陰極）４２を構成することも可能であり、この
場合には、第２電極４２は、１画素領域あたりに複数の
開口部が形成されている構成を採用すればよい。
ず、第１電極４０よりも上層に形成される第２電極４２
が光透過性であることである。図５と同様に第１電極４
０は陽極を構成しており、発光素子層の正孔輸送層３２
に対して正孔の注入可能な仕事関数の大きいＩＴＯ等の
透明導電性材料が用いられている。第２電極４２は、陰
極を構成するため、仕事関数の小さく電子注入の容易な
材料を用いることが必要である。しかし、その一方で、
光透過機能を発揮しなければならず、陽極と同じＩＴＯ
などが材料として考えられるが、ＩＴＯなどの金属酸化
物は、電子注入能力が高くない。従って、本実施形態に
おいては、第２電極４２を金属層４４と透明導電層４６
との積層構造とし、電子輸送層３６との界面に接する位
置に金属層４４を設け、その材料としては、発光素子層
３０の電子輸送層３６に対して効率的に電子注入するこ
とのできる仕事関数の小さい金属を用い、かつこれらの
金属材料は通常遮光性であるが、光を透過できる程度の
薄膜として形成している。この金属層４４には、例えば
Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどが用いられる。金属層４４の上層
にＩＴＯなどの透明導電層４６を形成し、この２層で陰
極を構成している。なお、遮光性の金属材料を用いて第
２電極（陰極）４２を構成することも可能であり、この
場合には、第２電極４２は、１画素領域あたりに複数の
開口部が形成されている構成を採用すればよい。
【００３１】以上のように積層構造の第２電極４２から
発光素子層３０に電子を注入し、第１電極４０から発光
素子層３０に正孔を注入することで、本実施形態の有機
ＥＬ素子３は、発光層内で発光分子に起因した色の光が
放射され、これの光が光透過性の第２電極４２を通して
射出される。
発光素子層３０に電子を注入し、第１電極４０から発光
素子層３０に正孔を注入することで、本実施形態の有機
ＥＬ素子３は、発光層内で発光分子に起因した色の光が
放射され、これの光が光透過性の第２電極４２を通して
射出される。
【００３２】なお、図１には明示していないが、第１電
極（陽極）４０として透明電極を採用する場合におい
て、この透明電極を透過して基板１０側へ光が漏れない
ように第１電極４０の下層や、基板１０の外表面等に反
射層を設けることが好ましい。
極（陽極）４０として透明電極を採用する場合におい
て、この透明電極を透過して基板１０側へ光が漏れない
ように第１電極４０の下層や、基板１０の外表面等に反
射層を設けることが好ましい。
【００３３】素子基板１００は、上記有機ＥＬ素子３、
第１及び第２ＴＦＴ、保持容量Ｃsc及びこれらの駆動に
必要な配線などが形成されて構成されている。そして、
本実施形態では、素子の保護のためと、第２電極４２を
透過する光を外部に射出するため、素子基板１００の素
子形成面側には透明封止部材２００が対向配置される。
また、この透明封止部材２００は、図１では示していな
いが、素子基板１００と画素部周辺領域において素子基
板１００とＵＶ硬化樹脂などを用いて接着されている。
透明封止部材２００には、第２電極４２を通して射出さ
れる光を透過できるよう、ガラスなどの透明基板８０が
用いられている。
第１及び第２ＴＦＴ、保持容量Ｃsc及びこれらの駆動に
必要な配線などが形成されて構成されている。そして、
本実施形態では、素子の保護のためと、第２電極４２を
透過する光を外部に射出するため、素子基板１００の素
子形成面側には透明封止部材２００が対向配置される。
また、この透明封止部材２００は、図１では示していな
いが、素子基板１００と画素部周辺領域において素子基
板１００とＵＶ硬化樹脂などを用いて接着されている。
透明封止部材２００には、第２電極４２を通して射出さ
れる光を透過できるよう、ガラスなどの透明基板８０が
用いられている。
【００３４】［遮光部材］本実施形態において特徴的な
遮光部材７０について説明する。この遮光部材７０は、
素子基板１００の素子形成面と透明封止部材２００との
間隙（封止空間）８４に配置されており、発光画素を他
の発光画素から遮光している。この遮光部材７０は、画
素間を遮光する位置に配置されれば、どのような手段で
素子基板１００と透明封止部材２００との間に存在して
いても良いが、本実施形態では、透明基板８０の素子と
の対向面上に、素子基板１００に向かって突出するよう
に形成されている。図２は、透明基板８０上に形成され
た遮光壁７０及び後述する色要素８２を素子基板側から
観察した場合の構成を示している。また、図３は、透明
封止部材２００を表示装置の観察面（図１では上面）か
ら見た場合の透過図である。
遮光部材７０について説明する。この遮光部材７０は、
素子基板１００の素子形成面と透明封止部材２００との
間隙（封止空間）８４に配置されており、発光画素を他
の発光画素から遮光している。この遮光部材７０は、画
素間を遮光する位置に配置されれば、どのような手段で
素子基板１００と透明封止部材２００との間に存在して
いても良いが、本実施形態では、透明基板８０の素子と
の対向面上に、素子基板１００に向かって突出するよう
に形成されている。図２は、透明基板８０上に形成され
た遮光壁７０及び後述する色要素８２を素子基板側から
観察した場合の構成を示している。また、図３は、透明
封止部材２００を表示装置の観察面（図１では上面）か
ら見た場合の透過図である。
【００３５】遮光部材７０には、例えば黒色樹脂材料が
用いることができる。この場合、透明基板８０にこの黒
色樹脂材料を封止部材２００と素子基板１００の第２電
極４２との距離にほぼ等しい厚さに塗布又は印刷する。
そして、これを硬化させ、画素対応領域をエッチング除
去するなどにより、所望のパターンの壁、特に図１及び
２に示されるように発光画素領域取り囲むような壁を容
易に形成することができる。遮光部材７０として以下で
は、遮光壁を例に説明するが、もちろん、発光画素領域
を完全に取り囲む構成でなくともよく、隣接画素との距
離が近い領域にのみ壁状に或いは柱状に形成されていて
も良い。但し、発光画素領域を完全取り囲むパターンと
した方が、遮光機能及び光の利口効率は向上する。ま
た、後述するように色要素８２が各発光画素対応領域に
形成される場合には、この色要素８２と遮光壁７０とは
いずれを先に形成しても良い。
用いることができる。この場合、透明基板８０にこの黒
色樹脂材料を封止部材２００と素子基板１００の第２電
極４２との距離にほぼ等しい厚さに塗布又は印刷する。
そして、これを硬化させ、画素対応領域をエッチング除
去するなどにより、所望のパターンの壁、特に図１及び
２に示されるように発光画素領域取り囲むような壁を容
易に形成することができる。遮光部材７０として以下で
は、遮光壁を例に説明するが、もちろん、発光画素領域
を完全に取り囲む構成でなくともよく、隣接画素との距
離が近い領域にのみ壁状に或いは柱状に形成されていて
も良い。但し、発光画素領域を完全取り囲むパターンと
した方が、遮光機能及び光の利口効率は向上する。ま
た、後述するように色要素８２が各発光画素対応領域に
形成される場合には、この色要素８２と遮光壁７０とは
いずれを先に形成しても良い。
【００３６】透明封止部材２００と素子基板１００の第
２電極４２との距離は、２０μｍ程度以下であり、遮光
壁７０は、この距離に応じて例えば２μｍ〜１０μｍ程
度の厚さ（高さ）に形成される。遮光壁７０を透明封止
部材２００と素子基板の第２電極４２との離間距離とほ
ぼ等しい高さとすることで、第２電極４２を通過して射
出した光が隣接画素領域に到達することを確実に防止で
きる。また、遮光壁７０を封止部材２００と第２電極４
２との離間距離とほぼ等しい高さとすることで、これら
の間のスペーサとしても機能させることができる。そし
てスペーサとして機能することで、封止部材２００が外
圧によりたわんで第２電極４２に接触するといったこと
を防止し、表示装置としての強度を向上し、また内部素
子の損傷を未然に防止することが可能となる。
２電極４２との距離は、２０μｍ程度以下であり、遮光
壁７０は、この距離に応じて例えば２μｍ〜１０μｍ程
度の厚さ（高さ）に形成される。遮光壁７０を透明封止
部材２００と素子基板の第２電極４２との離間距離とほ
ぼ等しい高さとすることで、第２電極４２を通過して射
出した光が隣接画素領域に到達することを確実に防止で
きる。また、遮光壁７０を封止部材２００と第２電極４
２との離間距離とほぼ等しい高さとすることで、これら
の間のスペーサとしても機能させることができる。そし
てスペーサとして機能することで、封止部材２００が外
圧によりたわんで第２電極４２に接触するといったこと
を防止し、表示装置としての強度を向上し、また内部素
子の損傷を未然に防止することが可能となる。
【００３７】ここで、遮光壁７０は、透明封止部材２０
０に形成する方が、素子基板１００に形成するよりも製
造工程の効率化の点で優れる。図１では、表現を容易と
するため、ほぼ同等の縮尺で記載しているが、実際に
は、遮光壁７０の高さ、即ち素子基板の第２電極４２と
透明封止部材２００との間隙は、素子基板１００上に形
成される有機ＥＬ素子やそのスイッチ素子のトータルの
厚さと比較して、１桁以上大きい。また、後述するよう
に色要素についても、有機ＥＬ素子などと比較して非常
に厚い。このため、素子基板側の各素子と、遮光壁や色
要素とでは、各製造装置の精度や特性にもかなり差があ
る。よって、これら厚くする必要のある遮光壁７０や色
要素８２は透明封止部材側に形成することにより、素子
基板１００と透明封止部材２００とをそれぞれ別ライン
で並列して製造できるのである。さらに、有機ＥＬ素子
３の発光素子層３０は吸湿による劣化が起きたり耐薬品
性が低い場合があったりするが、遮光壁７０を透明封止
部材２００側に形成すれば、発光素子層３０の上には第
２電極形成工程しか必要ない。よって、後工程による発
光素子層３０の劣化の問題も発生しない。
０に形成する方が、素子基板１００に形成するよりも製
造工程の効率化の点で優れる。図１では、表現を容易と
するため、ほぼ同等の縮尺で記載しているが、実際に
は、遮光壁７０の高さ、即ち素子基板の第２電極４２と
透明封止部材２００との間隙は、素子基板１００上に形
成される有機ＥＬ素子やそのスイッチ素子のトータルの
厚さと比較して、１桁以上大きい。また、後述するよう
に色要素についても、有機ＥＬ素子などと比較して非常
に厚い。このため、素子基板側の各素子と、遮光壁や色
要素とでは、各製造装置の精度や特性にもかなり差があ
る。よって、これら厚くする必要のある遮光壁７０や色
要素８２は透明封止部材側に形成することにより、素子
基板１００と透明封止部材２００とをそれぞれ別ライン
で並列して製造できるのである。さらに、有機ＥＬ素子
３の発光素子層３０は吸湿による劣化が起きたり耐薬品
性が低い場合があったりするが、遮光壁７０を透明封止
部材２００側に形成すれば、発光素子層３０の上には第
２電極形成工程しか必要ない。よって、後工程による発
光素子層３０の劣化の問題も発生しない。
【００３８】また遮光壁７０は、少なくともその側面
（７２）が反射機能を備える、つまり反射側面を有する
ことが好ましい。図１では、黒色樹脂材料からなる遮光
壁側面に別途反射層７２を形成した構成を示している。
もちろん遮光壁７０自体が金属などの反射材料であれ
ば、その壁面に別部材の反射部材を設ける必要はない。
いずれの場合においても、遮光壁７０の側面（壁面）が
反射機能を備えることで、図１に示すように有機ＥＬ素
子の発光層３４で発生し、第２電極４２を透過して射出
された光の内、遮光壁７０の側面７２に向かって進む光
はこの側面７２で吸収されずに反射され、その画素領域
からの光として透明封止部材２００から射出される。従
って、発光層３４からの光の利用効率を増大させること
ができる。
（７２）が反射機能を備える、つまり反射側面を有する
ことが好ましい。図１では、黒色樹脂材料からなる遮光
壁側面に別途反射層７２を形成した構成を示している。
もちろん遮光壁７０自体が金属などの反射材料であれ
ば、その壁面に別部材の反射部材を設ける必要はない。
いずれの場合においても、遮光壁７０の側面（壁面）が
反射機能を備えることで、図１に示すように有機ＥＬ素
子の発光層３４で発生し、第２電極４２を透過して射出
された光の内、遮光壁７０の側面７２に向かって進む光
はこの側面７２で吸収されずに反射され、その画素領域
からの光として透明封止部材２００から射出される。従
って、発光層３４からの光の利用効率を増大させること
ができる。
【００３９】次に、遮光壁７０は、少なくともその透明
基板８０との対向面７４が黒色を呈することが好まし
い。遮光壁７０を上述のように黒色樹脂材料などを用い
て形成すれば、容易に実現できる。また、遮光壁７０材
料としては特に黒色材料を用いない場合においても図１
に示すように透明基板８０との対向面（接面）７４に黒
色層を形成することで対応することもできる。いずれの
場合においても、図３に示すように観察面側から見たと
きには、遮光壁７０はその透明基板８０側の面が、各画
素を分離するブラックマトリクスとして機能し、コント
ラスト向上に寄与できる。
基板８０との対向面７４が黒色を呈することが好まし
い。遮光壁７０を上述のように黒色樹脂材料などを用い
て形成すれば、容易に実現できる。また、遮光壁７０材
料としては特に黒色材料を用いない場合においても図１
に示すように透明基板８０との対向面（接面）７４に黒
色層を形成することで対応することもできる。いずれの
場合においても、図３に示すように観察面側から見たと
きには、遮光壁７０はその透明基板８０側の面が、各画
素を分離するブラックマトリクスとして機能し、コント
ラスト向上に寄与できる。
【００４０】なお、以上では遮光壁７０を透明封止部材
２００側に形成した場合について説明しているが、素子
基板１００側にも形成した構成が採用できる。例えば第
２平坦化絶縁層２６の形成領域に透明封止部材２００に
向かって遮光壁７０を突出させる。このような構成にお
いては、第２電極４２は、行又は列方向に近接する画素
間においてこの遮光壁７０により分離され、この遮光壁
７０に沿って行又は列方向に帯状に延び、複数の画素領
域の周辺で互いに電気的に接続され共通電圧が印加され
る構成とすることができる。
２００側に形成した場合について説明しているが、素子
基板１００側にも形成した構成が採用できる。例えば第
２平坦化絶縁層２６の形成領域に透明封止部材２００に
向かって遮光壁７０を突出させる。このような構成にお
いては、第２電極４２は、行又は列方向に近接する画素
間においてこの遮光壁７０により分離され、この遮光壁
７０に沿って行又は列方向に帯状に延び、複数の画素領
域の周辺で互いに電気的に接続され共通電圧が印加され
る構成とすることができる。
【００４１】［色要素］図１及び図２に示すように本実
施形態では、透明封止部材２００の各発光画素に対応す
る位置には、色要素８２を設けることができる。この色
要素８２は、それぞれカラー表示を行う場合のＲ，Ｇ，
Ｂ等のカラーフィルタ層の他、入射光を所望の波長の光
に変換する色変換フィルタ層などを採用することができ
る。ここで、有機ＥＬ素子は、発光素子層が比較的高抵
抗であるため、基本的には第１電極４０と第２電極４２
とが発光素子層を挟んで対向する部分のみが発光する。
従って、本実施形態における発光領域は、画素毎に個別
に形成されている第１電極４０のパターンとほぼ等しく
なる。このような場合に、透明封止部材に形成する色要
素は、素子の発光面積より多少大きいパターンとするこ
とで、隣接画素への光漏れをより確実に防止することが
できる。
施形態では、透明封止部材２００の各発光画素に対応す
る位置には、色要素８２を設けることができる。この色
要素８２は、それぞれカラー表示を行う場合のＲ，Ｇ，
Ｂ等のカラーフィルタ層の他、入射光を所望の波長の光
に変換する色変換フィルタ層などを採用することができ
る。ここで、有機ＥＬ素子は、発光素子層が比較的高抵
抗であるため、基本的には第１電極４０と第２電極４２
とが発光素子層を挟んで対向する部分のみが発光する。
従って、本実施形態における発光領域は、画素毎に個別
に形成されている第１電極４０のパターンとほぼ等しく
なる。このような場合に、透明封止部材に形成する色要
素は、素子の発光面積より多少大きいパターンとするこ
とで、隣接画素への光漏れをより確実に防止することが
できる。
【００４２】また、通常発光色ごとに異なる材料を用い
て発光素子層を構成する必要があるが、これらカラーフ
ィルタや色変換フィルタ層などを封止部材２００の素子
対向面側に形成する場合、発光素子層３０は例えば全画
素において白色発光としてもよい。また全画素同一の発
光素子層３０とする場合において、白色発光には限ら
ず、他の例えばＲ，Ｇ，Ｂ単色発光でもよい。とりわけ
色要素として、色変換フィルタ層を採用した場合、この
フィルタ層により発光色を所望の色に変換することが可
能であれば、他のいかなる発光色の発光素子層を採用し
ても良い。もちろん、Ｒ，Ｇ，Ｂ用の各画素において、
それぞれ発光素子層３０が対応するＲ，Ｇ，Ｂを発光す
ることとし、対応して配置される色要素によって各色の
色純度を高める構成であってもよい。
て発光素子層を構成する必要があるが、これらカラーフ
ィルタや色変換フィルタ層などを封止部材２００の素子
対向面側に形成する場合、発光素子層３０は例えば全画
素において白色発光としてもよい。また全画素同一の発
光素子層３０とする場合において、白色発光には限ら
ず、他の例えばＲ，Ｇ，Ｂ単色発光でもよい。とりわけ
色要素として、色変換フィルタ層を採用した場合、この
フィルタ層により発光色を所望の色に変換することが可
能であれば、他のいかなる発光色の発光素子層を採用し
ても良い。もちろん、Ｒ，Ｇ，Ｂ用の各画素において、
それぞれ発光素子層３０が対応するＲ，Ｇ，Ｂを発光す
ることとし、対応して配置される色要素によって各色の
色純度を高める構成であってもよい。
【００４３】また、単色表示装置にはこの色要素８２は
必須の構成ではない。そして、このような単色表示装置
の場合であっても、上述の遮光壁７０が画素間に存在す
ることで画素間での光漏れを防止するという効果を得る
ことができる。
必須の構成ではない。そして、このような単色表示装置
の場合であっても、上述の遮光壁７０が画素間に存在す
ることで画素間での光漏れを防止するという効果を得る
ことができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＥＬ素子基板の上側に位置する第２電極側から発光光を
射出可能で、かつ素子封止用に透明部材を採用すること
で、透明封止部材から外部に光を射出できる。従って、
ＥＬ素子を制御するための配線やスイッチ素子などに制
約されずに、発光層からの光を効率的に外部に射出で
き、開口率の向上を図ることができる。
ＥＬ素子基板の上側に位置する第２電極側から発光光を
射出可能で、かつ素子封止用に透明部材を採用すること
で、透明封止部材から外部に光を射出できる。従って、
ＥＬ素子を制御するための配線やスイッチ素子などに制
約されずに、発光層からの光を効率的に外部に射出で
き、開口率の向上を図ることができる。
【００４５】さらに、素子基板の第２電極と封止用透明
基板との間隙に画素間を遮光する遮光部材を有するの
で、第２電極側から射出される光が他の画素領域に到達
することを防ぎ、表示イメージの画素間でのにじみ防
止、カラー表示装置では混色防止ができる。また、第２
電極側を通過して射出された光を外部に損失少なく射出
することができる。
基板との間隙に画素間を遮光する遮光部材を有するの
で、第２電極側から射出される光が他の画素領域に到達
することを防ぎ、表示イメージの画素間でのにじみ防
止、カラー表示装置では混色防止ができる。また、第２
電極側を通過して射出された光を外部に損失少なく射出
することができる。
【図１】 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の
断面構造を示す図である。
断面構造を示す図である。
【図２】 図１の素子封止用透明基板の概略構造を示す
図である。
図である。
【図３】 図１の素子封止用透明基板を観察面側から見
た状態を示す図である。
た状態を示す図である。
【図４】 アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の
１画素あたりの等価回路である。
１画素あたりの等価回路である。
【図５】 アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の
断面構成を示す図である。
断面構成を示す図である。
１ 第１ＴＦＴ（Ｔｒ１）、２ 第２ＴＦＴ（Ｔｒ
２）、３ 有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）、１０
基板、１２ 能動層、１４ ゲート絶縁膜、１６層間絶
縁膜、１８ 第１平坦化絶縁層、２０ ゲート電極、２
２ ソース電極（電源ライン）、２４ ドレイン電極、
２６ 第２平坦化絶縁層、３０ 発光素子層、４０ 第
１電極（陽極）、４２ 第２電極（陰極）、７０ 遮光
部材（遮光壁）、７２ 遮光壁の壁面（反射壁面）、７
４ 遮光壁の透明封止部材対向面（黒色）、８０ 透明
基板、８２ 色要素、１００ 素子基板、２００ 透明
封止部材。
２）、３ 有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）、１０
基板、１２ 能動層、１４ ゲート絶縁膜、１６層間絶
縁膜、１８ 第１平坦化絶縁層、２０ ゲート電極、２
２ ソース電極（電源ライン）、２４ ドレイン電極、
２６ 第２平坦化絶縁層、３０ 発光素子層、４０ 第
１電極（陽極）、４２ 第２電極（陰極）、７０ 遮光
部材（遮光壁）、７２ 遮光壁の壁面（反射壁面）、７
４ 遮光壁の透明封止部材対向面（黒色）、８０ 透明
基板、８２ 色要素、１００ 素子基板、２００ 透明
封止部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｂ Ｅ 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB04 AB17 AB18 BA06 BB01 BB06 CB01 DA01 DB03 EB00 FA02 5C094 AA08 AA10 AA43 AA48 BA03 BA27 BA32 CA19 CA24 DA07 DA12 EA04 EA05 ED03 ED11 ED15 FA01 FA02
Claims (6)
- 【請求項１】 エレクトロルミネッセンス表示装置にお
いて、 基板上に第１電極と第２電極との間に少なくとも発光層
を含む発光素子層を備え、前記基板側に形成された前記
第１電極より上層に形成される前記第２電極側から前記
発光層からの光を射出するエレクトロルミネッセンス素
子を有する発光画素が複数配置された素子基板と、 前記素子基板の素子形成面側に所定距離隔てて配置され
る透明封止部材と、 を有し、 前記素子基板と前記透明封止部材との間隙には、各発光
画素を他の発光画素から遮光する遮光部材が設けられて
いることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のエレクトロルミネッセ
ンス表示装置において、 前記透明封止部材の前記エレクトロルミネッセンス素子
との対向面側の各発光画素対応位置には、色要素を備
え、 前記遮光部材は、該色要素の他の色要素との間隙に前記
基板に向かって突設されていることを特徴とするエレク
トロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２のいずれかに記載
のエレクトロルミネッセンス表示装置において、 前記遮光部材は、少なくとも前記透明封止部材との対向
面が黒色を呈することを特徴とするエレクトロルミネッ
センス表示装置。 - 【請求項４】 請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
エレクトロルミネッセンス表示装置において、 前記遮光部材の側面の少なくとも一部は反射機能を有す
ることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装
置。 - 【請求項５】 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の
エレクトロルミネッセンス表示装置において、 前記遮光部材は、各発光画素領域を取り囲むように形成
されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス
表示装置。 - 【請求項６】 請求項１〜請求項５のいずれかに記載の
エレクトロルミネッセンス表示装置において、 前記基板と前記エレクトロルミネッセンス素子との層間
には、各発光画素を個別に制御するスイッチ素子が形成
されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101784A JP4262902B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101784A JP4262902B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299044A true JP2002299044A (ja) | 2002-10-11 |
| JP4262902B2 JP4262902B2 (ja) | 2009-05-13 |
Family
ID=18955055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001101784A Expired - Lifetime JP4262902B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
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| Country | Link |
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- 2001-03-30 JP JP2001101784A patent/JP4262902B2/ja not_active Expired - Lifetime
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