KR102075728B1 - 표시패널 - Google Patents

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KR102075728B1
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백정선
이승주
이선미
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Abstract

본 발명의 실시예들은 표시패널에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀을 포함하고, 상기 서브픽셀 중 일종 이상의 서브픽셀에서 오버코트층이 경사면을 포함함으로써, 광효율 및 시야각 특성이 향상된 표시패널을 제공할 수 있다.

Description

표시패널 {DISPLAY PANEL}
본 발명은 표시패널에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라, 표시장치, 조명장치 등의 다양한 표시패널에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시패널 분야에서는, 별도의 광원이 필요하지 않아 경량화 및 박형화에서 유리한 유기발광 표시패널에 대한 수요가 증가하고 있다.
그러나, 유기발광 표시패널은 광을 방출하는 유기발광층을 포함하고 있는데, 유기발광층에서 발광된 광 중에서 유기발광 표시패널 외부로 나오지 못하고 유기발광 표시장치 내부에 갇히는 광들이 존재하여 유기발광 표시패널의 광 추출 효율이 저하되어 발광 효율이 저하되는 문제가 있다.
또한, 표시패널을 시청하는 시야각에 따라 화질에 왜곡이 일어나는 문제를 해결하기 위한 연구도 활발히 이루어지고 있다.
본 발명의 실시예들의 목적은, 발광 효율이 향상된 표시패널을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예들의 목적은, 시야각에 따른 색변이(color shift)가 적은 표시패널을 제공하는 데 있다.
일 측면에서, 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널은, 기판, 오버코트층, 제1 애노드 전극, 제2 애노드 전극, 제3 애노드 전극, 뱅크층, 제1 유기발광층, 제2 유기발광층, 제3 유기발광층 및 캐소드 전극을 포함하는 표시패널을 제공할 수 있다.
기판은 제1 서브픽셀, 제2 서브픽셀 및 제3 서브픽셀로 구분될 수 있다.
제1 서브픽셀은 제1 색상의 가시광선을 방출하며, 제2 서브픽셀은 제2 색상의 가시광선을 방출하고, 제3 서브픽셀은 제3 색상의 가시광선을 방출하며, 상기 제1 색상 내지 제3 색상은 서로 상이할 수 있다.
오버코트층은, 기판 상에 위치하고, 경사로 연결된 볼록부와 오목부를 포함할 수 있다.
경사는 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀 중 일종 이상의 서브픽셀에서 상기 오목부를 둘러싸는 제1 경사면을 포함할 수 있다.
제1 애노드 전극은, 오버코트층 상에 위치하고, 오버코트층의 표면을 따라 형성되며, 제1 서브픽셀에 위치할 수 있다.
제2 애노드 전극은, 오버코트층 상에 위치하고, 오버코트층의 표면을 따라 형성되며, 제2 서브픽셀에 위치할 수 있다.
제3 애노드 전극은, 오버코트층 상에 위치하고, 오버코트층의 표면을 따라 형성되며, 제3 서브픽셀에 위치할 수 있다.
뱅크층은, 제1 내지 제3 서브픽셀의 중심부마다 위치하는 뱅크 오픈부를 포함하고, 오버코트층 및 제1 내지 제3 애노드 전극들 상에 위치할 수 있다.
제1 유기발광층은, 뱅크 오픈부 내에 위치하는 제1 애노드 전극의 일부 상에 위치할 수 있다.
제2 유기발광층은, 뱅크 오픈부 내에 위치하는 제2 애노드 전극의 일부 상에 위치할 수 있다.
제3 유기발광층은, 뱅크 오픈부 내에 위치하는 제3 애노드 전극의 일부 상에 위치할 수 있다.
캐소드 전극은, 제1 유기발광층 내지 제3 유기발광층 및 뱅크층 상에 위치할 수 있다.
제1 내지 제3 애노드 전극 중 하나 이상은 제1 경사면을 따라 형성된 제2 경사면을 포함할 수 있다.
뱅크층은 제2 경사면을 따라 형성된 제3 경사면을 포함할 수 있다.
제1 경사면의 각도는 27° 이상일 수 있다.
제2 경사면과 제3 경사면의 거리는 3.2μm 이하일 수 있다.
제1 경사면의 높이는 0.7 μm 이상일 수 있다.
표시패널은 뱅크층의 뱅크 오픈부에 대응되는 개구영역 및 뱅크 오픈부를 제외한 영역에 대응되는 비개구영역으로 구분될 수 있다.
표시패널은, 제1 경사면을 포함하는 서브픽셀 내의 유기발광층이 발광할 때, 제1 발광영역 및 제2 발광영역을 포함할 수 있다.
제1 발광영역은, 가시광선이 방출되고 개구영역의 형상에 대응되는 형상을 가질 수 이다.
제2 발광영역은, 제1 발광영역과 중첩되지 않으며, 제1 발광영역의 테두리의 형상에 대응되는 형상을 가질 수 있다.
제2 발광영역은 제1 발광영역을 둘러싸고 위치할 수 있다.
제2 발광영역은 비개구영역에 위치할 수 있다.
제1 발광영역에서 방출되는 가시광선의 색좌표와, 상기 제1 발광영역과 인접한 제2 발광영역에서 방출되는 가시광선의 색좌표가 상이할 수 있다.
제1 유기발광층 내지 제3 유기발광층 중 하나 이상은 뱅크층 상에까지 연장되어 형성될 수 있다.
뱅크층 상에까지 연장되어 형성된 유기발광층은, 애노드 전극 상에 형성된 부분의 두께가 뱅크층의 제3 경사면 상에 형성된 부분의 두께보다 두꺼울 수 있다.
경사는, 제1 서브픽셀 및 제2 서브픽셀 중 일종 이상의 서브픽셀에서 오목부를 둘러싸는 제1 경사면을 포함할 수 있다.
제1 색상의 가시광선은 파장이 595nm 내지 740nm인 적색의 가시광선일 수 있다.
제2 색상의 가시광선은 파장이 495nm 내지 595nm인 녹색의 가시광선일 수 있다.
제3 색상의 가시광선은 파장이 450nm 내지 495nm인 청색의 가시광선일 수 있다.
오버코트층은, 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀 중 이종 이상의 서브픽셀에서 제1 경사면을 포함하고, 각 종류의 서브픽셀에 포함된 상기 제1 경사면의 각도는 서로 상이하며, 각 종류의 서브픽셀에서 상기 제2 경사면과 상기 제3 경사면의 거리는 서로 상이할 수 있다.
오버코트층은, 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀 중 이종 이상의 서브픽셀에서 제1 경사면을 포함하고, 각 종류의 서브픽셀에 포함된 상기 제1 경사면의 높이는 서로 상이할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 애노드 전극이 경사면을 포함하여, 광효율이 우수한 표시패널을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 시스템 구현 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 패널이 OLED (Organic Light Emitting Diode) 패널인 경우, 서브픽셀의 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 어느 서브픽셀에서 방출된 빛이 제2 경사면에서 반사되는 것을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5에 도시한 서브픽셀의 일부분을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널에 포함될 수 있는 개구영역, 비개구영역, 제1 발광영역 및 제2 발광영역을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 어느 서브픽셀에서 방출된 빛의 진행을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 10은 도 9에 도시한 표시패널의 일부분을 나타낸 도면이다.
도 11 내지 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 시야각에 따른 화질열화 정도를 나타내는 자료이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 공지된 구성이 아니더라도 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치하거나, 형성된다고 기재된 경우, 그 구성요소는 그 다른 구성요소 표면 상에 접촉하여 위치할 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 위치할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는 표시장치, 조명장치, 발광장치 등을 포함할 수 있다. 아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 표시장치를 중심으로 설명한다. 하지만, 아래의 설명은 조명장치, 발광장치 등의 다른 다양한 표시장치에도 동일하게 적용될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는, 영상을 표시하거나 빛을 출력하는 패널(PNL)과, 이러한 패널(PNL)을 구동하기 위한 구동회로를 포함할 수 있다.
패널(PNL)은, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배열될 수 있다.
패널(PNL)에서 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)은 서로 교차하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 다수의 게이트 라인(GL)은 행(Row) 또는 열(Column)으로 배열될 수 있고, 다수의 데이터 라인(DL)은 열(Column) 또는 행(Row)으로 배열될 수 있다. 아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 다수의 게이트 라인(GL)은 행(Row)으로 배치되고, 다수의 데이터 라인(DL)은 열(Column)로 배치되는 것으로 가정한다.
패널(PNL)에는, 서브픽셀 구조 등에 따라, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL) 이외에, 다른 종류의 신호배선들이 배치될 수 있다. 구동전압 배선, 기준전압 배선, 또는 공통전압 배선 등이 더 배치될 수 있다.
패널(PNL)은 LCD (Liquid Crystal Display) 패널, OLED (Organic Light Emitting Diode) 패널 등 다양한 타입의 패널일 수 있다.
패널(PNL)에 배치되는 신호배선들의 종류는, 서브픽셀 구조, 패널 타입(예: LCD 패널, OLED 패널 등) 등에 따라 달라질 수 있다. 그리고, 본 명세서에서는 신호배선은 신호가 인가되는 전극을 포함하는 개념일 수도 있다.
패널(PNL)은 화상(영상)이 표시되는 액티브 영역(A/A)과, 그 외곽 영역이고 화상이 표시되지 않는 넌-액티브 영역(N/A)을 포함할 수 있다. 여기서, 넌-액티브 영역(N/A)은 베젤 영역이라고도 한다.
액티브 영역(A/A)에는 화상 표시를 위한 다수의 서브픽셀(SP)이 배치된다.
넌-액티브 영역(N/A)에는 데이터 드라이버(DDR)가 전기적으로 연결되기 위한 패드부가 배치되고, 이러한 패드부와 다수의 데이터 라인(DL) 간의 연결을 위한 다수의 데이터 링크 라인이 배치될 수도 있다. 여기서, 다수의 데이터 링크 라인은 다수의 데이터 라인(DL)이 넌-액티브 영역(N/A)으로 연장된 부분들이거나, 다수의 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결된 별도의 패턴들일 수 있다.
또한, 넌-액티브 영역(N/A)에는 데이터 드라이버(DDR)가 전기적으로 연결되는 패드 부를 통해 게이트 드라이버(GDR)로 게이트 구동에 필요한 전압(신호)을 전달해주기 위한 게이트 구동 관련 배선들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 게이트 구동 관련 배선들은, 클럭 신호를 전달해주기 위한 클럭 배선들, 게이트 전압(VGH, VGL)을 전달해주는 게이트 전압 배선들, 스캔신호 생성에 필요한 각종 제어신호를 전달해주는 게이트 구동 제어 신호배선들 등을 포함할 수 있다. 이러한 게이트 구동 관련 배선들은, 액티브 영역(A/A)에 배치되는 게이트 라인들(GL)과 다르게, 넌-액티브 영역(N/A)에 배치된다.
구동회로는, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(DDR)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(GDR)와, 데이터 드라이버(DDR) 및 게이트 드라이버(GDR)를 제어하는 컨트롤러(CTR) 등을 포함할 수 있다.
데이터 드라이버(DDR)는 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 출력함으로써 다수의 데이터 라인(DL)을 구동할 수 있다.
게이트 드라이버(GDR)는 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔신호를 출력함으로써 다수의 게이트 라인(GL)을 구동할 수 있다.
컨트롤러(CTR)는, 데이터 드라이버(DDR) 및 게이트 드라이버(GDR)의 구동 동작에 필요한 각종 제어신호(DCS, GCS)를 공급하여 데이터 드라이버(DDR) 및 게이트 드라이버(GDR)의 구동 동작을 제어할 수 있다. 또한, 컨트롤러(CTR)는 데이터 드라이버(DDR)로 영상데이터(DATA)를 공급할 수 있다.
컨트롤러(CTR)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상데이터를 데이터 드라이버(DDR)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상데이터(DATA)를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다.
컨트롤러(CTR)는, 데이터 드라이버(DDR) 및 게이트 드라이버(GDR)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 외부 (예: 호스트 시스템)로부터 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(DDR) 및 게이트 드라이버(GDR)로 출력한다.
예를 들어, 컨트롤러(CTR)는, 게이트 드라이버(GDR)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다.
또한, 컨트롤러(CTR)는, 데이터 드라이버(DDR)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다.
컨트롤러(CTR)는, 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행할 수 있는 제어장치일 수 있다.
컨트롤러(CTR)는, 데이터 드라이버(DDR)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 드라이버(DDR)와 함께 통합되어 집적회로로 구현될 수 있다.
데이터 드라이버(DDR)는, 컨트롤러(CTR)로부터 영상데이터(DATA)를 입력 받아 다수의 데이터 라인(DL)로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(DDR)는 소스 드라이버라고도 한다.
데이터 드라이버(DDR)는 다양한 인터페이스를 통해 컨트롤러(CTR)와 각종 신호를 주고받을 수 있다.
게이트 드라이버(GDR)는, 다수의 게이트 라인(GL)로 스캔신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(GDR)는 스캔 드라이버라고도 한다.
게이트 드라이버(GDR)는, 컨트롤러(CTR)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔신호를 다수의 게이트 라인(GL)로 순차적으로 공급한다.
데이터 드라이버(DDR)는, 게이트 드라이버(GDR)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(CTR)로부터 수신한 영상데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)로 공급한다.
데이터 드라이버(DDR)는, 패널(PNL)의 일 측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 패널(PNL)의 양측(예: 상 측과 하 측)에 모두 위치할 수도 있다.
게이트 드라이버(GDR)는, 패널(PNL)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 패널(PNL)의 양측(예: 좌 측과 우 측)에 모두 위치할 수도 있다.
데이터 드라이버(DDR)는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 구현될 수 있다.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 시프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. 데이터 드라이버(DDR)는, 경우에 따라서, 하나 이상의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, TAB (Tape Automated Bonding) 타입 또는 COG (Chip On Glass) 타입으로 패널(PNL)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나 패널(PNL) 상에 직접 배치될 수도 있다. 경우에 따라서, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 패널(PNL)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 COF (Chip On Film) 타입으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 회로필름 상에 실장 되어, 회로필름을 통해 패널(PNL)에서의 데이터 라인들(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
게이트 드라이버(GDR)는 다수의 게이트 구동회로(GDC)를 포함할 수 있다. 여기서, 다수의 게이트 구동회로(GDC)는 다수의 게이트 라인(GL)과 각각 대응될 수 있다.
각 게이트 구동회로(GDC)는 시프트 레지스터(Shift Register), 레벨 시프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다.
각 게이트 구동회로(GDC)는 TAB (Tape Automated Bonding) 타입 또는 COG (Chip On Glass) 타입으로 패널(PNL)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결될 수 있다. 또한, 각 게이트 구동회로(GDC)는 COF (Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 게이트 구동회로(GDC)는 회로필름 상에 실장 되어, 회로필름을 통해 패널(PNL)에서의 게이트 라인들(GL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 각 게이트 구동회로(GDC)는 GIP (Gate In Panel) 타입으로 구현되어 패널(PNL)에 내장될 수 있다. 즉, 각 게이트 구동회로(GDC)는 패널(PNL)에 직접 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 패널(PNL)이 OLED (Organic Light Emitting Diode) 패널인 경우, 서브픽셀(SP)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, OLED 패널인 패널(110)에서의 각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 해당 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터(O-SWT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함하여 구현될 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 애노드 전극, 유기발광층 및 캐소드 전극 등으로 이루어질 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 시스템 구현 예시도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치에서, 데이터 드라이버(DDR)는 다양한 타입들(TAB, COG, COF 등) 중 COF (Chip On Film) 타입으로 구현되고, 게이트 드라이버(GDR)는 다양한 타입들(TAB, COG, COF, GIP 등) 중 GIP (Gate In Panel) 타입으로 구현될 수 있다.
데이터 드라이버(DDR)는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 구현될 수 있다. 도 2는 데이터 드라이버(DDR)가 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 구현된 경우를 예시한 것이다.
데이터 드라이버(DDR)가 COF 타입으로 구현된 경우, 데이터 드라이버(DDR)를 구현한 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 소스 측 회로필름(SF) 상에 실장 될 수 있다.
소스 측 회로필름(SF)의 일 측은 패널(PNL)의 넌-액티브 영역(N/A)에 존재하는 패드 부 (패드들의 집합체)와 전기적으로 연결될 수 있다.
소스 측 회로필름(SF) 상에는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 패널(PNL)을 전기적으로 연결해주기 위한 배선들이 배치될 수 있다.
표시장치는, 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 다른 장치들 간의 회로적인 연결을 위해, 하나 이상의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과, 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)을 포함할 수 있다.
하나 이상의 소스 인쇄회로기판(SPCB)에는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)의 타 측이 연결될 수 있다.
즉, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)은, 일 측이 패널(PNL)의 넌-액티브 영역(N/A)과 전기적으로 연결되고, 타 측이 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 전기적으로 연결될 수 있다.
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 데이터 드라이버(DDR) 및 게이트 드라이버(GDR) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(CTR)가 배치될 수 있다.
또한, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 패널(PNL), 데이터 드라이버(DDR) 및 게이트 드라이버(GDR) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 파워 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC) 등이 더 배치될 수도 있다.
소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재(CBL)를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. 여기서, 연결 부재(CBL)는, 일 예로, 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다.
하나 이상의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다.
게이트 드라이버(GDR)가 GIP (Gate In Panel) 타입으로 구현된 경우, 게이트 드라이버(GDR)에 포함된 다수의 게이트 구동회로(GDC)는 패널(PNL)의 넌-액티브 영역(N/A) 상에 직접 형성될 수 있다.
다수의 게이트 구동회로(GDC) 각각은 패널(PNL)에서의 액티브 영역(A/A)에 배치된 해당 게이트 라인(GL)으로 해당 스캔신호(SCAN)를 출력할 수 있다.
패널(PNL) 상에 배치된 다수의 게이트 구동회로(GDC)는, 넌-액티브 영역(N/A)에 배치된 게이트 구동 관련 배선들을 통해, 스캔신호 생성에 필요한 각종 신호(클럭신호, 하이 레벨 게이트 전압(VGH), 로우 레벨 게이트 전압(VGL), 스타트 신호(VST), 리셋 신호(RST) 등)를 공급받을 수 있다.
넌-액티브 영역(N/A)에 배치된 게이트 구동 관련 배선들은, 다수의 게이트 구동회로(GDC)에 가장 인접하게 배치된 소스 측 회로필름(SF)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 패널(PNL)이 OLED (Organic Light Emitting Diode) 패널인 경우, 서브픽셀(SP)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, OLED 패널인 패널(110)에서의 각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 해당 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터(O-SWT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함하여 구현될 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 애노드 전극, 유기발광층 및 캐소드 전극 등으로 이루어질 수 있다.
도 3의 회로 예시에 따르면, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극(픽셀전극이라고도 함)은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극(공통전극이라고도 함)에는 기저전압(EVSS)이 인가될 수 있다.
여기서, 기저전압(EVSS)은, 일 예로, 그라운드 전압이거나 그라운드 전압보다 높거나 낮은 전압일 수 있다. 또한, 기저전압(EVSS)은 구동상태에 따라 가변될 수 있다. 예를 들어, 영상 구동 시 기저전압(EVSS)과 센싱 구동 시 기저전압(EVSS)은 서로 다르게 설정될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다.
구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3) 등을 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드일 수 있으며, 스위칭 트랜지스터(O-SWT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있으며, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극(또는 캐소드 전극)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있으며, 구동전압(EVDD)이 인가될 수 있고, 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되어, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata) 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 (또는 정해진 시간) 동안 유지해줄 수 있다.
스위칭 트랜지스터(O-SWT)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 해당 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터(O-SWT)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터(O-SWT)의 게이트 노드는 해당 게이트 라인과 전기적으로 연결되어 스캔신호(SCAN)를 인가 받을 수 있다.
스위칭 트랜지스터(O-SWT)는 해당 게이트 라인을 통해 스캔신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 온-오프가 제어될 수 있다.
이러한 스위칭 트랜지스터(O-SWT)는 스캔신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어 해당 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다.
한편, 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)일 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT) 및 스위칭 트랜지스터(O-SWT) 각각은 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다.
도 3에 예시된 각 서브픽셀 구조는 2T(Transistor) 1C (Capacitor) 구조로서, 설명을 위한 예시일 뿐, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 경우에 따라서는, 1개 이상의 캐패시터를 더 포함할 수도 있다. 또는, 다수의 서브픽셀들 각각이 동일한 구조로 되어 있을 수도 있고, 다수의 서브픽셀들 중 일부는 다른 구조로 되어 있을 수도 있다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널은, 기판(SUB), 기판 상에 위치하는 오버코트층(OC), 오버코트층(OC) 상에 위치하는 제1 애노드 전극애노드 전극(ANO1), 오버코트층(OC) 상에 위치하는 제2 애노드 전극애노드 전극(ANO2), 오버코트층(OC) 상에 위치하는 제3 애노드 전극애노드 전극(ANO3), 오버코트층(OC) 및 제1 내지 제3 애노드 전극애노드 전극(ANO1, RE2, RE3) 상에 위치하는 뱅크층(BNK), 제1 애노드 전극의 일부 상에 위치하는 제1 유기발광층(EL1), 제2 애노드 전극의 일부 상에 위치하는 제2 유기발광층(EL2), 제3 애노드 전극의 일부 상에 위치하는 제3 유기발광층(EL3) 및 유기발광층과 뱅크층 상에 위치하는 캐소드 전극(CAT) 을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은, 제1 서브픽셀(SP1), 제2 서브픽셀(SP2) 및 제3 서브픽셀(SP3)로 구분될 수 있다.
제1 서브픽셀(SP1)은 제1 색상의 가시광선을 방출하고, 제2 서브픽셀(SP2)은 제2 색상의 가시광선을 방출하며, 제3 서브픽셀(SP2)은 제3 색상의 가시광선을 방출할 수 있다.
오버코트층(OC)은, 픽셀을 형성할 수 있도록 기판 상에 형성된 패턴층들을 평탄화하는 층을 지칭할 수 있다. 오버코트층은 경사(SLO)로 연결된 볼록부(CONV)와 오목부(CONC)를 포함할 수 있다.
볼록부(CONV)는 오목부(CONC)보다 두께가 두꺼울 수 있다. 오목부(CONC)와 볼록부(CONV)를 구분하는 데 있어서, 오목부(CONC)와 볼록부(CONV)의 두께는 오버코트층(OC)의 두께를 의미하며, 상기 오목부(CONC)와 볼록부(CONV)의 두께는,예를 들면, 각 영역에 있어서 오버코트층의 바로 아래에 형성된 보호막(PAS)과, 오버코트층(OC)의 바로 위에 형성된 전극(ANO) 사이에서 측정된 오버코트층의 두께로 이해될 수 있으며, 특히 컨택 홀 등이 도입된 부분을 제외한 각 부에서 측정된 가장 두꺼운 두께로 이해될 수 있다.
도 4에 도시한 것처럼, 오목부(CONC)의 두께(T1)는 볼록부(CONV)의 두께(T2)보다 얇을 수 있다. 따라서, 표시패널의 단면에서 오목부(CONC)는 오버코트층(OC)의 평탄한 영역처럼 인식되고, 볼록부(CONV)는 솟아오른 영역처럼 인식될 수 있다.
상기 두께 차이에 의해, 볼록부(CONV)와 오목부(CONC) 사이에는 경사(SLO)가 형성되며, 볼록부(CONV)와 오목부(CONC)는 상기 경사(SLO)로 연결될 수 있다. 경사(SLO)는, 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀(SP1, SP2, SP3) 중 일종 이상의 서브픽셀에서 오목부(CONC)를 둘러싸는 제1 경사면(SLO1)을 포함할 수 있다. 일종 이상의 서브픽셀이란, 서브픽셀에서 방출되는 빛의 색상에 따라 서브픽셀의 종류를 분류할 때 그 종류가 하나 이상인 것을 의미할 수 있다. 예를 들면, 표시패널에 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀이 포함된다면, 상기 표시패널은 세 종류의 서브픽셀을 포함하는 것으로 표현할 수 있다.
제1 경사면(SLO1)은 오버코트층(OC)의 볼록부(CONV)와 오목부(CONC) 사이에 형성되는 경사(SLO)들 중, 오목부(CONC)를 둘러싸고 있는 경사가 가지는 경사면을 의미할 수 있다. 따라서, 도 4에 도시한 표시패널에 있어서, 제1 서브픽셀(SP1) 및 제2 서브픽셀(SP2)은 오목부를 둘러싸는 경사를 포함하므로, 제1 경사면(SLO1)을 포함하고 있다. 반면, 제3 서브픽셀(SP3)은 오목부를 둘러싸는 경사를 포함하고 있지 않으므로, 제1 경사면(SLO1)을 포함하지 않고 있다.
볼록부(CONV)가 오목부(CONC)를 둘러싸므로, 표시패널의 단면 에서 오목부(CONC)는 볼록부(CONV)의 사이에 위치할 수 있다.
볼록부(CONV), 오목부(CONC) 및 경사(SLO)를 포함하는 오버코트층(OC)은, 예를 들면, 하프 톤 마스크(Half-tone mask)를 이용한 포토 리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다.
오목부(CONC)의 형상은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 원형 또는 사각형, 오각형 및 팔각형 등의 다각형 형상일 수 있다. 볼록부(CONV)는 상기 오목부(CONC)를 둘러싸면서, 상기 형상을 가지는 오목부 (CONC)의 측면부를 감싸는 측벽을 형성할 수 있다.
오버코트층(OC) 상에는, 오버코트층(OC)의 표면을 따라 형성된 제1 애노드 전극애노드 전극(ANO1), 제2 애노드 전극애노드 전극(ANO2) 및 제3 애노드 전극애노드 전극(ANO3)이 위치할 수 있다.
제1 애노드 전극애노드 전극(ANO1), 제2 애노드 전극애노드 전극(ANO2) 및 제3 애노드 전극애노드 전극(ANO3)이 오버코트층(OC)의 표면을 따라 형성된다는 것은, 소정의 공정 편차에 의한 두께 편차를 고려할 때, 균일하다고 볼 수 있는 두께로 오버코트층 상에 형성되는 것을 의미할 수 있다.
제1 애노드 전극애노드 전극(ANO1), 제2 애노드 전극애노드 전극(ANO2) 및 제3 애노드 전극애노드 전극(ANO3)은 서로 이격되어 위치하여, 각각의 서브픽셀에 독립적으로 신호를 전달하도록 할 수 있다.
상술하였듯이 오버코트층(OC)은 제1 서브픽셀(SP1) 내지 제3 서브픽셀(SP2) 중 일종 이상의 서브픽셀에서 오목부(CONC)를 둘러싸는 제1 경사면(SLO1)을 포함할 수 있다. 따라서, 오버코트층(OC)의 표면의 일부인 상기 제1 경사면(SLO1)의 표면을 따라 애노드 전극이 형성될 경우, 애노드 전극 또한 경사면을 포함할 수 있다. 본 출원에서는, 상기와 같이 형성된 애노드 전극의 경사면을 제2 경사면(SLO2)으로 지칭할 수 있다.
또한, 제1 애노드 전극애노드 전극(ANO1), 제2 애노드 전극애노드 전극(ANO2) 및 제3 애노드 전극애노드 전극(ANO3)이 오버코트층(OC)의 표면을 따라 형성되므로, 제2 경사면(SLO2)은 오버코트층(OC)의 오목부(CONC) 상에 형성된 애노드 전극을 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제1 애노드 전극 내지 제3 애노드 전극은, 컨택 홀(미도시)에 의해 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결될 수 있다.
애노드 전극은, 반사전극을 포함하는 전극일 수 있다. 애노드 전극은 인듐 주석 산화물(Indium tin oxide, ITO)을 포함하는 도전성 금속 산화물층 및 은을 포함하는 반사 금속층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 애노드 전극은 오버코트층 상에 위치하는 제1 ITO층, 상기 제1 ITO층 상에 위치하는 은을 포함하는 반사 금속층 및 상기 반사 금속층 상에 위치하는 제2 ITO층을 포함할 수 있다.
애노드 전극들은, 표시패널에 있어어 애노드 전극으로 기능할 수 있다.
뱅크층(BNK)은, 제1 내지 제3 서브픽셀(SP1, SP2, SP3)의 중심부마다 위치하는 뱅크 오픈부(BNKO)를 포함할 수 있다. 뱅크 오픈부는, 뱅크층 하부의 애노드 전극이 노출되는 개구부를 의미하며, 도 4를 참조할 때, OPN으로 표시된 영역을 뱅크 오픈부(BNKO)로 이해할 수 있다. 뱅크 오픈부(BNKO)는 뱅크층에 마련된 개구부를 지칭하며, 상기 뱅크 오픈부(BNKO)에 의해 애노드 전극이 노출되고, 노출된 애노드 전극 상에 순차적으로 유기발광층 및 캐소드 전극이 적층될 수 있다. 따라서, 뱅크 오픈부(BNKO)는 빛이 방출되는 서브픽셀들의 중심부 마다 마련되어, 서브픽셀에서 빛이 방출되도록 할 수 있다.
제1 유기발광층(EL1)은, 뱅크 오픈부(BNKO) 내에 위치하는 제1 애노드 전극애노드 전극(ANO1)의 일부 상에 위치하고, 제2 유기발광층(EL2)은, 뱅크 오픈부(BNKO) 내에 위치하는 제2 애노드 전극애노드 전극(ANO1)의 일부 상에 위치하며, 제3 유기발광층(EL3)은, 뱅크 오픈부(BNKO) 내에 위치하는 제3 애노드 전극애노드 전극(ANO3)의 일부 상에 위치할 수 있다.
제1 내지 제3 유기발광층(EL1, EL2, EL3)은 양극과 음극을 통해 주입된 정공과 전자가 재결합해 엑시톤을 형성하고, 엑시톤이 이완되며 빛을 방출하는 층이므로, 뱅크 오픈부(BNKO)에 노출된 애노드 전극애노드 전극(ANO1, RE2, RE3) 상에 위치할 수 있다. 애노드 전극애노드 전극(ANO1, RE2, RE3)은 양극(anode)일 수 있다.
캐소드 전극(CAT)은, 유기발광층(EL1, EL2, EL3) 및 뱅크층(BNK) 상에 위치할 수 있다. 표시패널은 유기발광층(EL1, EL2, EL3)에서 방출된 빛이 캐소드 전극(CAT)을 통해 방출되는 탑 에미션(Top emission) 방식일 수 있다. 따라서, 캐소드 전극(CAT)은 가시광선 영역대의 빛에 대한 투과율이 우수한 투명전극일 수 있으며, 뱅크층(BNK)은 표시패널의 개구영역(OPN) 및 비개구영역(NOP)을 구분하는 층으로서 기능할 수 있다.
본 발명의 표시패널은, 상술하였듯이 뱅크층(BNK)에 의해 개구영역(OPN)과 비개구영역(NOP)으로 구분될 수 있다. 개구영역(OPN)은 뱅크 오픈부(BNKO)에 대응될 수 있고, 비개구영역(NOP)은 뱅크 오픈부를 제외한 뱅크층(BNK) 에 대응될 수 있다. 상기 개구영역(OPN) 및 비개구영역(NOP)은 표시패널의 액티브 영역(A/A)에 위치할 수 있다.
어떤 영역이 다른 영역에 대응된다는 것은, 제품의 제조과정에서 발생할 수 있는 오차를 고려할 때, 어떤 영역과 다른 영역이 크기, 면적 및 형상 등이 동일하다고 볼 수 있는 관계를 의미할 수 있다.
오버코트층(OC) 상에 애노드 전극애노드 전극(ANO1, RE2, RE3), 뱅크층(BNK), 유기발광층(EL1, EL2, EL3) 및 캐소드 전극(CAT)이 상술한 것과 같이 위치하므로, 뱅크 오픈부(BNKO) 내에서 애노드 전극애노드 전극(ANO1, RE2, RE3), 유기발광층(EL1, EL2, EL3) 및 캐소드 전극(CAT)이 순차로 적층된 개구영역(OPN) 내에서는 발광이 일어날 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시패널은, 버퍼층(BUF), 층간 절연막(INF), 보호층(PAS), 트랜지스터(TR), 스토리지 캐패시터(C1, C2), 보조 전극(AE, 또는 보조 배선이라 지칭할 수 있음) 및 패드 영역을 포함할 수 있다.
버퍼층(BUF)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있으며, 버퍼층(BUF) 상에는 트랜지스터(TR) 및 스토리지 캐패시터(C1, C2) 등이 형성될 수 있다.
층간 절연막(INF)은, 트랜지스터(TR)의 게이트 전극(GATE), 반도체층(ACT), 스토리지 캐패시터의 제1 스토리지 캐패시터 전극(C1) 및 패드영역의 제1 패드 전극(P1) 상에 위치할 수 있다.
보호층(PAS)은 보조전극(AE), 상기 스토리지 캐패시터(C1, C2) 및 트랜지스터(TR) 등의 전기회로 소자를 보호하기 위해 형성될 수 있다.
트랜지스터(TR)는, 반도체층(ACT), 게이트 절연막(GI), 게이트 전극(GATE), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함할 수 있다. 이하, 본 발명의 구체적인 예시에 따른 트랜지스터에 대해서 설명하나, 트랜지스터의 각 구성요소들의 위치관계는 본 발명의 분야에서 공지된 다른 방식에 따를 수도 있다.
반도체층(ACT)은 버퍼층(BUF) 상에 형성될 수 있다.
게이트 절연막(GI)은 반도체층(ACT) 상에 형성되고, 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GATE)이 형성됨으로써, 게이트 절연막(GI)이 반도체층(ACT)과 게이트 전극(GATE) 사이에 위치할 수 있다.
소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 각각 반도체층(ACT)의 일단에 접촉하되, 서로 이격되어 배치될 수 있다. 드레인 전극(D)은, 애노드 전극(ANO)과 컨택홀에 의해 연결될 수 있다.
상기 트랜지스터(TR)는, 패널에 포함되는 구동 트랜지스터(DRT)로 기능하여, 패널에 포함된 OLED를 구동할 수 있다.
도 4에 도시한 것과 같이, 액티브 영역(A/A)에는 스토리지 캐패시터(C1, C2)가 배치될 수 있다. 스토리지 캐패시터(C1, C2)는 게이트 전극(GATE)과 동일층에 배치된 제1 스토리지 캐패시터 전극(C1)과 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과 동일층에 배치된 제2 스토리지 캐패시터 전극(C2)을 포함할 수 있으나, 본 발명의 스토리지 캐패시터(C1, C2)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시패널은 넌-액티브 영역에 배치되는 패드 영역을 포함할 수 있다. 패드 영역에는 다수의 패드 전극(P1, P2)이 배치될 수 있다.
예를 들면, 패드 영역에 배치된 다수의 절연막 (BUF, GI) 상에 제1 패드 전극(P1)이 배치될 수 있다. 제1 패드 전극(P1) 상에는 제1 패드 전극(P1)의 상면의 일부를 노출하는 층간 절연막(INF)이 배치될 수 있다. 그리고, 제1 패드 전극(P1)과 층간 절연막(INF) 상에는 제1 패드 전극(P1)과 컨택하는 제2 패드 전극(P2)이 배치될 수 있다.
도 4에는 도시하지 않았으나, 제2 패드 전극(P2)은 각종 회로 필름 등과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 어느 서브픽셀에서 방출된 빛의 진행을 나타낸 도면이다. 도 5의 서브픽셀은 제1 경사면(SLO1), 제2 경사면(SLO2) 및 제3 경사면(SLO3)을 포함하는 서브픽셀이다.
도 5를 참조하면, 유기발광층(EL)에서 방출된 빛(L)은 특정 방향으로 지향성을 갖지 않고 여러 방향으로 방사된다. 상기 유기발광층(EL)은 제1 유기발광층(EL1) 내지 제3 유기발광층(EL3) 중 어느 하나일 수 있으며, 상술하였듯이 제1 경사면(SLO1) 내지 제3 경사면(SLO3)을 포함하는 서브픽셀 내에 포함된 유기발광층이다. 유기발광층(EL)에서 방출된 빛(L) 중 일부는, 굴절률이 높은 어떤 층(미도시)에서 굴절률이 낮은 층(미도시)으로 진행하는 과정에서 전반사되어, 뱅크층(BNK)의 제3 경사면(S3)을 향해서 진행될 수 있다.
뱅크층(BNK)은 가시광선 파장대의 빛에 대해 소정의 투과율을 가지는 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 뱅크층(BNK)의 제3 경사면(S3)을 향해 방출된 빛은, 뱅크층(BNK)의 제3 경사면(S3) 통과하여 애노드 전극애노드 전극(ANO)의 제2 경사면(S3)에 도달할 수 있다. 상기 애노드 전극애노드 전극(ANO) 또한, 제1 애노드 전극애노드 전극(ANO1) 내지 제3 애노드 전극애노드 전극(ANO3) 중 하나이며, 제1 내지 제3 경사면을 포함하는 서브픽셀이 포함하는 애노드 전극이라고 이해되어야 할 것이다.
애노드 전극애노드 전극(ANO)의 제2 경사면(S2)에 도달한 빛은, 제2 경사면(S2)에서 반사되어 뱅크층의 제3 경사면(S3)을 향해 진행하여 표시패널 외부로 추출될 수 있다. 따라서, 본 발명의 표시패널은 상술한 것과 같이 제1 경사면(S1) 상에 형성된 애노드 전극의 제2 경사면(S2)에 의하여, 유기발광층(EL)에서 방출된 빛이 표시패널의 상부를 향해 진행하게 되므로, 표시패널의 광효율이 향상될 수 있다.
도 6은 도 5에 도시한 서브픽셀의 일부분을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 오목부(CONC)와 제1 경사면(SLO1)이 이루는 각도가 θ, 제2 경사면(SLO2)과 제3 경사면(SLO3)의 거리가 d, 제1 경사면(SLO1)의 높이가 h로 표시되어 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널은 상기 θ, d 및 h 중 두 개 이상을 조절하여 우수한 광효율을 달성할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 표시패널은 특정한 값의 θ 및 d를 가질 수 있으며, 또는 특정한 값의 θ, d 및 h를 가질 수 있다.
오목부(CONC)와 제1 경사면(SLO1)이 이루는 각도인 θ는 27°이상 또는 45° 이상일 수 있다. Θ가 큰 값을 가질 경우, 개구영역(BNKO)에 노출된 애노드 전극애노드 전극(ANO) 상에 형성된 유기발광층(EL)에서 방출된 빛을 제2 반사면(SLO2)이 효과적으로 반사할 수 있다. θ의 범위의 상한은, 특별히 제한되는 것은 아니나, θ가 큰 값을 가질 경우 오버코트층 상에 형성되는 애노드 전극애노드 전극(ANO)에 크랙 및 단선이 발생할 가능성이 높아질 수 있으므로, 예를 들면, 80° 이하, 70° 이하 또는 65° 이하일 수 있다.
제2 경사면(SLO2)과 제3 경사면(SLO3)의 거리인 d는, 제2 경사면(SLO2)으로부터 오버코트층의 제1 영역(A1)과 평행한 방향으로 측정된 제3 경사면(SLO3) 까지의 거리로 정의될 수 있다. 상기 d는 3.2μm 이하, 2.6μm 이하 또는 2.0μm 이하일 수 있다. 상기 d가 작을수록, 표시패널의 개구영역(OPN)이 확장될 수 있고, 제2 경사면(S2)에서 반사되어 표시패널 외부로 추출되는 빛의 광로를 줄여 광효율이 향상될 수 있으므로, d의 하한은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, d의 하한은 0.1μm 이상, 0.3μm 이상 또는 0.5μm 이상일 수 있다.
d의 범위를 상기와 같이 조절함으로써, 개구영역이 넓으면서도 광효율이 우수한 표시패널을 제공할 수 있다.
제1 경사면(SLO1)의 높이인 h는, 제1 경사면(SLO1)이 연결하는 오목부(CONC) 의 두께(T1')와 볼록부의 두께(T2')의 차이를 의미할 수 있다. 상기 오목부(CONC)의 두께(T1')는 제1 경사면(SLO1)이 시작되는 부분에서 측정된 오목부(CONC)의 두께일 수 있으며, 상기 볼록부의 두께(T2')은 제1 경사면(SLO2)이 끝나는 부분에서 측정된 볼록부의 두께일 수 있다.
상기 h는, 0.7μm 이상 1.2μm 이상, 1.4μm 이상 또는 2μm 이상일 수 있다. 상기 h가 클수록 제2 경사면(SLO2)이 유기발광층(EL)에서 방출된 빛을 효과적으로 반사하여 광효율을 높일 수 있으므로, h의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 10 μm 이하 또는 5 μm 이하일 수 있다.
상기와 같이 d, θ 및 h를 조절함으로써, 본 발명의 표시패널은 향상된 광효율을 가질 뿐만 아니라, 유기발광층이 발광할 때, 제1 발광영역과 제2 발광영역을 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널에 포함되는 개구영역, 비개구영역, 제1 발광영역 및 제2 발광영역을 나타내는 도면이다.
도 7(a)는 특정한 형상을 가지는 개구영역(OPN) 및 비개구영역(NOP)을 포함하는 표시패널의 현미경 사진이며, 도 7(b)는 상기 표시패널의 유기발광층(EL1, EL2, EL3)이 빛을 방출할 때 촬영한 현미경 사진이다. 도 7(a)에 표시된 서브픽셀들은 모두 제1 경사면(SLO1) 내지 제3 경사면(SLO3)을 포함하고 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널은, 유기발광층이 발광할 때, 가시광선이 방출되는 제1 발광영역(LEA1), 가시광선이 방출되는 제2 발광영역(LEA2), 제1 비발광영역(NEA1) 및 제2 비발광영역(NEA2)을 포함할 수 있다.
제2 발광영역(LEA2)은 제1 경사면(SLO1) 내지 제3 경사면(SLO3)을 포함하는 서브픽셀에 포함되며, 제1 경사면(SLO1) 내지 제3 경사면(SLO3)을 포함하지 않는 서브픽셀은 제1 발광영역만을 포함할 뿐, 제2 발광영역은 포함하지 않는다. 따라서, 도 7의 표시패널에 도시한 서브픽셀은 모두 제1 내지 제3 경사면(SLO3)을 포함한다.
제1 발광영역(LEA1)은 개구영역(OPN)의 형상에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 어떤 구성요소의 형상이 다른 구성요소의 형상에 대응된다는 것은, 어떤 구성요소의 형상이 다른 구성요소와 동일한 형상을 가지거나, 모양은 동일하나 크기는 상이하거나, 어떤 구성요소의 형상이 다른 구성요소의 형상이 어떠한 방법에 의해 전사되어 형성된 것을 의미할 수 있다. 따라서, 제1 발광영역(LEA1)의 형상은, 실질적으로 개구영역(OPN)에 위치하는 유기발광층(EL1, EL2, EL3)에서 방출된 빛에 의해 개구영역(OPN)이 가지는 형상이 전사된 것으로 이해될 수 있다.
개구영역(OPN)의 형상은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 원형 또는 사각형, 오각형 및 팔각형 등의 다각형 형상일 수 있다. 도 7(a)를 참조하면, 개구영역(OPN)이 팔각형에 대응되는 형상을 가진다.
제1 발광영역(LEA1)은, 개구영역(OPN)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 도 7(b)를 참조하면, 제1 발광영역(LEA1)이 도 7(a)에 나타낸 개구영역(OPN)의 형상과 대응되는 형상을 가지는 것을 알 수 있다.
제2 발광영역(LEA2)은 제1 발광영역(LEA1)과 중첩되지 않으며, 제1 발광영역(LEA1)의 테두리의 형상에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 도 7(b)에 도시한 것처럼, 제2 발광영역(LEA2)은 제1 발광영역(LEA1)의 테두리와 모양은 동일하되, 크기는 상이하므로, 제2 발광영역(LEA2)이 제1 발광영역(LEA1)의 테두리 형상에 대응되는 형상을 가진다 할 수 있다.
제2 발광영역(LEA2)은, 제1 발광영역(LEA1)의 테두리와 동일한 모양을 가지는 폐곡선일 수 있다. 또는, 제2 발광영역(LEA2)은 상기 폐곡선의 일부분이 단절된 모양을 가질 수 있다. 제2 발광영역(LEA2)의 단절 여부는, 서브픽셀이 포함하는 유기발광층이 방출하는 가시광선의 파장 등에 의해 결정될 수 있다.
제1 비발광영역(NEA1)에 의하여 서브픽셀들이 구별될 수 있다. 도 7(b)를 참조하면, 제1 비발광영역(NEA1)에 의해 제2 발광영역(LEA2)들이 서로 이격될 수 있다. 즉, 제1 비발광영역(NEA1)은, 비개구영역(NOP)에 있어서 제2 발광영역(LEA2)들의 사이에 있는 영역일 수 있다.
실질적으로 발광이 일어나지 않는 영역일 수 있다. 제1 비발광영역(NEA1)은, 비개구영역(NOP)에 있어서 상기 제2 발광영역(LEA2)이 형성되지 않은 일부에 대응될 수 있다.
제2 비발광영역(NEA2)은, 하나의 서브픽셀에 의해 형성된 제1 발광영역(LEA1) 및 제2 발광영역(LEA2)을 구분하면서, 실질적으로 발광이 일어나지 않는 영역일 수 있다.
제2 비발광영역(NEA2)의 형상은 제1 발광영역(LEA1) 및 제2 발광영역(LEA2)의 형상에 의해 결정될 수 있다. 예를 들면, 제1 발광영역(LEA1)이 팔각형 형상이고, 제2 발광영역(LEA2)도 팔각형 모양의 폐곡선일 경우, 제2 비발광영역(NOP2)은 제1 발광영역(LEA1)과 제2 발광영역(LEA2)에 의해 팔각형 형상을 가질 수 있다.
제2 비발광영역(NEA2)은, 비발광이라는 용어로 표현하였으나, 발광영역(LEA1, LEA2) 사이에 존재하는 특성상, 사진상으로는 약간의 빛이 감지될 수 있으며, 특히, 서브픽셀에서 방출하는 가시광선의 파장대와 유사한 색상을 가지는 빛이 감지될 수 있다. 따라서, 제2 비발광영역(NEA2)은, 발광이 완전히 일어나지 않는 영역이거나, 제1 발광영역(LEA2)과 제2 발광영역(LEA2)을 구분하는 영역으로서 상기 두 발광영역보다 약한 빛이 관찰되는 영역으로 이해되어야 할 것이다.
상기 제2 발광영역(LEA2)은, 상술한 것과 같이 θ, d, h의 범위를 조절하여 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널은, θ, d, h의 범위를 조절함으로써, 우수한 광효율을 가지고, 제1 발광영역(LEA1)과 제2 발광영역(LEA2)을 포함할 수 있다.
제2 발광영역(LEA2)은, 도 5를 통해 설명한 경로를 따르는 빛에 의해 형성된 것으로 추측된다. 도 5에 도시된 서브픽셀은, 제1 발광영역(LEA1) 뿐만 아니라, 제2 경사면(S2)에 의해 반사된 빛에 의해 형성된 제2 발광영역(LEA2)을 포함하므로, 향상된 광효율을 가질 수 있다. 본 발명의 표시패널은, 오버코트층이 상기와 같이 오목부(CONC)를 둘러싸는 제1 경사면(SLO1)을 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀 중 일종 이상의 서브픽셀에서 포함함으로써, 우수한 광효율을 가질 수 있다.
제2 발광영역(LEA2)은, 제1 발광영역(LEA1)을 둘러싸고 위치할 수 있다. 이는 제2 발광영역(LEA2)이 오목부(CONC)를 둘러싸고 있는 제1 경사면(SLO1) 상에 형성된 애노드 전극애노드 전극(ANO)의 제2 경사면(SLO2)에서 반사된 빛에 의해 형성된 것이 원인으로 추측된다.
또한, 제2 발광영역(LEA2)은 비개구영역(NOP)에 위치할 수 있다. 앞서 설명하였듯이, 제2 발광영역(LEA2)은 비개구영역(NOP)에 위치하는 제2 경사면(SLO2)에서 반사된 빛들로 구성되므로, 제2 발광영역(LEA2)의 전부 또는 일부는 비개구영역(NOP)에 위치할 수 있다.
제1 발광영역(LEA1)과 제2 발광영역(LEA2)을 형성하는 빛은, 도 5에 도시한 것처럼 광로가 상이하고, 통과하는 층이 상이하므로, 색좌표가 실질적으로 상이할 수 있다. 즉, 제2 발광영역(LEA2)을 형성하는 빛은 비개구영역(NOP)에 형성된 뱅크층(BNK)을 통과하는 반면, 제1 발광영역(LEA1)은 뱅크층을 통과하지 않는다. 뱅크층(BNK)은 제2 발광영역(LEA2)을 형성하는 빛의 일부 파장대의 빛을 흡수할 수 있으므로, 제2 발광영역(LEA2)을 형성하는 빛은 제1 발광영역(LEA1)을 형성하는 빛과 상이한 색좌표를 가질 수 있다. 여기서, 색좌표가 상이하다는 것은 색좌표 측정에 따른 일반적인 오차를 고려할 때, 상이하다고 볼 수 있을 정도의 차이가 있는 것을 의미할 수 있다.
제2 비발광영역(NEA2)은, 비발광이라는 용어로 표현하였으나, 발광영역(LEA1, LEA2) 사이에 존재하는 특성상, 사진상으로는 약간의 빛이 감지될 수 있으며, 특히, 서브픽셀에서 방출하는 가시광선의 파장대와 유사한 색상을 가지는 빛이 감지될 수 있다. 따라서, 제2 비발광영역(NEA2)은, 발광이 완전히 일어나지 않는 영역이거나, 제1 발광영역(LEA2)과 제2 발광영역(LEA2)을 구분하는 영역으로서 상기 두 발광영역보다 약한 빛이 관찰되는 영역으로 이해되어야 할 것이다.
도 7(b)에서 알 수 있는 것처럼, 제1 발광영역과 제2 발광영역은 표시패널에 포함된 서브픽셀 영역의 수에 따라 각각 복수로 형성될 수 있다. 그러므로, 상기 제1 발광영역에 인접한 상기 제2 발광영역은, 동일한 서브픽셀 영역에 포함되는 발광영역으로 이해되어야 하며, 복수의 제2 발광영역 중 상기 제1 발광영역에 인접한 제2 발광영역을 지칭하는 것으로 이해되어야 한다. 왜냐하면, 어느 제1 발광영역과 인접한 제2 발광영역이 하나의 서브픽셀 영역에 존재하여, 동일한 유기발광층에서 방출된 빛으로부터 형성된 발광영역이기 때문이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 어느 서브픽셀에서 방출된 빛의 진행을 나타내는 도면이다. 상기 서브픽셀은 도 5 및 도 6에 도시한 서브픽셀과 달리, 제1 경사면(SLO1) 내지 제3 경사면(SLO3)을 포함하지 않는다. 따라서, 도 5 및 도 6에 도시한 서브픽셀과는 달리, 제2 발광영역(LEA2)이 형성되지 않고, 제1 발광영역(LEA1) 만이 형성된다.
상술하였듯이 도 5에 도시한 구조를 가지는 서브픽셀은 제1 발광영역(LEA1) 및 제2 발광영역(LEA2)을 포함하고, 제2 발광영역(LEA2)에서 방출되는 빛은 제1 발광영역(LEA1)에서 방출되는 빛과 색좌표가 상이하다. 이러한 색좌표의 차이는 제1 발광영역(LEA1)을 구성하는 빛과 제2 발광영역(LEA2)을 구성하는 빛의 광로가 상이한 것이 원인이다. 즉, 제2 발광영역(LEA2)은 광로가 상이하므로, 색좌표의 변이가 일어난다.
본 출원의 발명자들은, 상기 색좌표의 변이가 유기발광층에서 방출되는 빛의 파장대에 영향을 받는 것을 발견하였다. 따라서, 색좌표의 변이에 의한 표시패널의 품질 저하를 예방하기 위하여, 예를 들면, 제1 색상 내지 제3 색상의 서브픽셀을 포함하는 표시패널에 있어서, 일종 이상의 서브픽셀이 제1 경사면(SLO1)을 포함할 수도 있고, 제1 서브픽셀 및 제2 서브픽셀 중 일종 이상의 서브픽셀이 제1 경사면(SLO1)을 포함할 수도 있고, 제1 서브픽셀 및 제2 서브픽셀 중 일종 이상은 제1 경사면(SLO1)을 포함하고 제3 서브픽셀은 제1 경사면을 포함하지 않을 수도 있다. 제1 경사면(SLO1)을 포함하는 서브픽셀은, 예를 들면, 도 5에 도시한 것과 같은 구조를 가질 수 있으며, 제1 경사면(SLO1)을 포함하지 않는 서브픽셀은, 예를 들면, 도 8에 도시한 것과 같은 구조를 가질 수 있다.
도 8과 같은 구조를 가지는 서브픽셀은, 제2 발광영역의 형성으로 인한 색변이 정도가 큰 파장대의 빛을 방출하는 서브픽셀일 수 있다.
예를 들면, 제1 서브픽셀에서 방출되는 제1 색상의 가시광선은 적색의 가시광선이고, 제2 서브픽셀에서 방출되는 제2 색상의 가시광선은 녹색의 가시광선이며, 제3 서브픽셀에서 방출되는 제3 색상의 가시광선은 청색의 가시광선일 수 있다.
상기 적색의 가시광선은, 육안 또는 촬영장치를 통해 관찰할 때 일반적으로 적색으로 인식되는 가시광선을 의미하나, 예를 들면, 파장이 595nm 내지 740nm인 가시광선일 수 있다. 상기 녹색의 가시광선은, 육안 또는 촬영장치를 통해 관찰할 때 일반적으로 녹색으로 인식되는 가시광선을 의미하나, 예를 들면, 파장이 495nm 내지 595nm인 가시광선일 수 있다. 상기 청색의 가시광선은, 육안 또는 촬영장치를 통해 관찰할 때 일반적으로 청색으로 인식되는 가시광선을 의미하나, 예를 들면, 파장이 450nm 내지 495nm인 가시광선일 수 있다.
상기와 같이 본 발명에 따른 표시패널은, 제2 발광영역의 형성으로 인한 색변이 정도가 큰 색상을 방출하는 서브픽셀에는 제1 경사면이 포함되지 않도록 하고, 색변이 정도가 작은 색상을 방출하는 서브픽셀에는 제1 경사면을 포함시킴으로써, 광효율이 우수하면서 시야각에 따른 품질 저하가 작고, 색재현율이 우수하다.
또한, 본 발명에 따른 표시패널은, 상술한 θ, d, h를 서브픽셀이 방출하는 빛의 색상에 따라 상이하도록 조절할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시패널에 있어서, 오버코트층은 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀 중 이종 이상의 서브픽셀에서 제1 경사면을 포함하고, 각 종류의 서브픽셀에 포함된 제1 경사면의 각도는 서로 상이하고, 각 종류의 서브픽셀에서 제2 경사면과 제3 경사면의 거리는 서로 상이할 수 있다.
또한, 표시패널이 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀 중 이종 이상의 서브픽셀에서 제1 경사면을 포함할 때, 각 종류의 서브픽셀에 포함된 제1 경사면의 높이는 서로 상이할 수 있다. 각 종류의 서브픽셀이란, 어느 한 색상의 빛을 방출하는 서브픽셀을 일종류의 서브픽셀이라고 할 때, 각각 다른 색상을 방출하는 서브픽셀 종류를 지칭할 수 있다.
도 4를 참조하면, 표시패널은, 제1 서브픽셀(SP1) 및 제2 서브픽셀(SP2)이 제1 경사면(SLO1)을 포함하고 있으므로, 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀 중 이종 이상의 서브픽셀에서 제1 경사면을 포함하고 있다. 또한, 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2)은 상이한 색상의 빛을 방출하므로, 상기 상이한 색상의 빛의 특성을 고려하여, 제1 서브픽셀(SP1)에 포함된 제1 경사면의 각도와 제2 서브픽셀(SP2)에 포함된 제1 경사면의 각도(θ) 를 상이하게 조절할 수 있다. 또한, 제2 경사면과 제3 경사면의 거리(d) 또한 제1 서브픽셀(SP1)에서 측정된 값과 및 제2 서브픽셀(SP2)에서 측정된 값이 상이하도록 조절할 수 있다. 제1 경사면의 높이(h) 또한, 제1 서브픽셀(SP1)에 포함된 것과 제2 서브픽셀(SP2)에 포함된 것이 상이하도록 조절할 수 있다. 상기와 같이 각 서브픽셀에서 방출되는 빛의 성질에 따라 θ, d 및 h를 상이하게 조절할 경우, 광추출 효율이 더욱 극대화될 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 유기발광층(EL)은, 뱅크 오픈부(BNKO)에 노출된 애노드 전극애노드 전극(ANO) 상으로부터, 뱅크층(BNK) 상에까지 연장되어 형성되고, 캐소드 전극(CAT)은 유기발광층(EL) 상에 위치할 수 있다. 도 9는 유기발광층(EL)이 뱅크층(BNK) 전면을 덮는 것처럼 도시하였으나, 뱅크 오픈부(BNKO=OPN)로부터 뱅크층(BNK)의 일부 상에까지만 연장되어 형성될 수도 있다.
유기발광층(EL)이 뱅크층(BNK)이 형성되지 않은 개구영역(OPN) 뿐만 아니라, 뱅크층(BNK)이 형성된 비개구영역(NOP)에도 형성될 경우, 발광이 일어나는 유기발광층(EL)의 면적을 보다 극대화할 수 있다. 유기발광층(EL)을 개구영역(OPN)에만 형성하려고 할 경우, 공정상의 한계로 인해 개구영역(OPN)의 주변부에서 유기발광층(EL)이 형성되지 않거나, 불완전하게 형성될 수 있다. 그러나, 상기와 같이 유기발광층(EL)이 뱅크층(BNK) 상에도 형성될 경우, 상기 공정상의 한계에 의한 문제를 해결할 수 있다.
도 10은 도 9에 도시한 표시패널의 일부분을 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 유기발광층(EL)은 애노드 전극애노드 전극(ANO) 상에 형성된 부분의 두께(t1)가 뱅크층(BNK)의 제3 경사면(SLO3) 상에 형성된 부분의 두께(t2)보다 두꺼울 수 있다.
상기 유기발광층의 두께의 차이는, 뱅크층(BNK)의 제3 경사면(SLO3)에 기인할 수 있다. 유기발광층(EL)은, 예를 들면, 물리기상 증착(Physical Vapor Deposition) 방식인 열증착 (Thermal Evaporation) 공정에 의해 형성될 수 있는데, 제3 경사면(SLO3)과 같이 경사면 상에서는 열증착 공정의 특성상 증착된 박막의 두께가 얇아질 수 있다.
유기발광층의 일부분의 두께가 얇아질 경우, 얇은 두께를 가지는 유기발광층과 인접한 전극에 캐리어의 밀도가 높아질 수 있고, 이는 유기발광층의 열화를 야기할 수 있다. 그러나, 본 발명에 따른 표시패널은, 도 10에 도시한 것처럼, 유기발광층(EL)이 얇은 두께(t2)를 가지는 부분에서는 애노드 전극(EL)과 유기발광층(EL) 사이에 뱅크층(BNK)이 존재하므로, 상술한 문제를 예방할 수 있다.
하기 표 1은 제1 경사면을 포함하는 서브픽셀에 있어서, θ, d 및 h의 변화에 따른 제2 발광영역 발현 여부를 관찰한 자료이다. 표 1에서 제2 발광영역 여부를 관찰한 서브픽셀들은, 도 9에 도시한 구조를 가진다.
Figure 112018126882516-pat00001
상기 표 1을 참고할 때, θ가 27° 이상 또는 35° 이상 또는 45° 이상이고, h가 0.7μm 이상, 1.0μm 이상 또는 1.4μm 이상이며, d가 3.2μm 이하일 때, 제2 발광영역이 구현되는 것을 알 수 있다. 따라서, 제1 경사면을 포함하는 서브픽셀들은 제2 발광영역이 형성되므로, 우수한 광효율을 보일 것이다.
하기 표 2는 실시예와 비교예의 광효율, 시야각에 따른 화질 열화 및 색재현율을 기재한 것이다.
Figure 112018126882516-pat00002
실시예 4 내지 6 및 비교예 4는, 3종의 서브픽셀을 포함하는 표시패널로서, 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀을 포함하는 표시패널이다. 비교예 4는 세 종류의 서브픽셀 모두 제1 경사면을 포함하지 않으며, 각 서브픽셀은 도 8에 도시한 것과 유사한 구조를 가진다. 실시예 4는 적색 서브픽셀만 제1 경사면을 포함하며, 실시예 5는 녹색 서브픽셀만 제1 경사면을 포함하고, 실시예 6은 적색 및 녹색 서브픽셀이 제1 경사면을 포함한다. 특히, 실시예 5는 도 4의 구조를 가지며, 실시예 4 및 5는 실시예 6과는 한 종류의 서브픽셀만이 제1 경사면을 가진다는 점을 제외하고 동일하다.
표 2에 기재된 시야각에 따른 화질 열화를 도 11 및 도 12에 표시하였다. 도 11(a) 및 도 12(a)는 비교예 4의 표시패널에 관한 것이고, 도 11(b) 및 도 12(b)는 실시예 4에 관한 것이며, 도 11(c) 및 도 12(c)는 실시예 5에 관한 것이고, 도 11(d) 및 도 12(d)는 실시예 6에 관한 것이다.
표 2, 도 11 및 도 12를 살펴보면, 적색 서브픽셀 및 녹색 서브픽셀 중 일종 이상의 서브픽셀이 제1 경사면을 포함하고, 청색 서브픽셀은 제1 경사면을 포함하지 않는 실시예 4 내지 6의 표시패널은, 모든 서브픽셀이 제1 경사면을 포함하지 않는 비교예 4의 서브픽셀보다 광효율이 우수하고, 시야각에 따른 화질 열화 정도가 적다는 것을 알 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
OC: 오버코트층 ANO1,ANO2,ANO3: 애노드 전극
EL1,EL2,EL3: 유기발광층 BNK: 뱅크층
CAT: 캐소드 전극 SLO1: 제1 경사면
SLO2: 제2 경사면 SLO3: 제3 경사면
CONC: 오목부 CONV: 볼록부
SLO: 경사영역 OPN: 개구영역
NOP: 비개구영역 SP1: 제1 서브픽셀
SP2: 제2 서브픽셀 SP3: 제3 서브픽셀
LEA1: 제1 발광영역 LEA2: 제2 발광영역
NEA1: 제1 비발광영역 NEA2: 제2 비발광영역

Claims (13)

  1. 제1 색상의 가시광선을 방출하는 제1 서브픽셀, 제2 색상의 가시광선을 방출하는 제2 서브픽셀 및 제3 색상의 가시광선을 방출하는 제3 서브픽셀로 구분되고, 상기 제1 색상 내지 제3 색상은 서로 상이한 기판;
    상기 기판 상에 위치하고, 경사로 연결된 볼록부와 오목부를 포함하며, 상기 경사는 제1 서브픽셀 내지 제3 서브픽셀 중 일종 이상의 서브픽셀에서 상기 오목부를 둘러싸는 제1 경사면을 포함하는 오버코트층;
    상기 오버코트층 상에 위치하고, 상기 오버코트층의 표면을 따라 형성되며, 제1 서브픽셀에 위치하는 제1 애노드 전극;
    상기 오버코트층 상에 위치하고, 상기 오버코트층의 표면을 따라 형성되며, 제2 서브픽셀에 위치하는 제2 애노드 전극;
    상기 오버코트층 상에 위치하고, 상기 오버코트층의 표면을 따라 형성되며, 제3 서브픽셀에 위치하는 제3 애노드 전극;
    상기 제1 내지 제3 서브픽셀의 중심부마다 위치하는 뱅크 오픈부를 포함하고, 상기 오버코트층 및 상기 제1 내지 제3 애노드 전극들 상에 위치하는 뱅크층;
    상기 뱅크 오픈부 내에 위치하는 상기 제1 애노드 전극의 일부 상에 위치하는 제1 유기발광층;
    상기 뱅크 오픈부 내에 위치하는 상기 제2 애노드 전극의 일부 상에 위치하는 제2 유기발광층;
    상기 뱅크 오픈부 내에 위치하는 상기 제3 애노드 전극의 일부 상에 위치하는 제3 유기발광층; 및
    상기 제1 유기발광층 내지 제3 유기발광층 및 상기 뱅크층 상에 위치하는 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 애노드 전극 중 하나 이상은 상기 제1 경사면을 따라 형성된 제2 경사면을 포함하며,
    상기 뱅크층은 상기 제2 경사면을 따라 형성된 제3 경사면을 포함하고,
    상기 제1 경사면의 각도는 27° 이상이고 80° 이하이며,
    상기 제2 경사면과 상기 제3 경사면의 거리는 0.1μm 이상이고 3.2μm 이하인 표시패널에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 뱅크층의 뱅크 오픈부에 대응되는 개구영역 및 상기 뱅크 오픈부를 제외한 뱅크층에 대응되는 비개구영역으로 구분되며,
    상기 제1 경사면을 포함하는 서브픽셀 내의 유기발광층이 발광할 때,
    가시광선이 방출되고, 상기 개구영역의 형상에 대응되는 형상을 가지는 제1 발광영역;
    가시광선이 방출되고, 상기 제1 발광영역과 중첩되지 않으며, 상기 제1 발광영역을 둘러싸며 위치하고, 상기 비개구영역에 위치하며, 상기 제1 발광영역의 테두리의 형상에 대응되는 형상을 가지는 제2 발광영역;
    상기 제2 발광영역들 사이에 위치하는 제1 비발광영역; 및
    상기 제1 발광영역과 상기 제2 발광영역 사이에 위치하는 제2 비발광영역을 포함하는 표시패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 경사면의 높이는 0.7 μm 이상인 표시패널.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 발광영역에서 방출되는 가시광선의 색좌표와 상기 제1 발광영역과 인접한 상기 제2 발광영역에서 방출되는 가시광선의 색좌표가 상이한 표시패널.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 비발광영역은, 상기 비개구영역에 있어서 상기 제2 발광영역이 형성되지 않은 일부에 대응되는 표시패널.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 유기발광층 내지 제3 유기발광층 중 하나 이상은, 상기 뱅크층 상에까지 연장되어 형성되는 표시패널.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 뱅크층 상에까지 연장되어 형성된 유기발광층은, 상기 애노드 전극 상에 형성된 부분의 두께가 상기 뱅크층의 제3 경사면 상에 형성된 부분의 두께보다 두꺼운 표시패널.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 경사는, 상기 제1 서브픽셀 및 상기 제2 서브픽셀 중 일종 이상의 서브픽셀에서 상기 오목부를 둘러싸는 제1 경사면을 포함하는 표시패널.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 경사는, 상기 제3 서브픽셀에서 상기 오목부를 둘러싸는 제1 경사면을 포함하지 않는 표시패널.
  11. 제 9항에 있어서,
    제1 색상의 가시광선은 적색의 가시광선이고,
    제2 색상의 가시광선은 녹색의 가시광선이며,
    제3 색상의 가시광선은 청색의 가시광선인 표시패널.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 오버코트층은 상기 제1 서브픽셀 내지 상기 제3 서브픽셀 중 이종 이상의 서브픽셀에서 상기 제1 경사면을 포함하고,
    각 종류의 서브픽셀에 포함된 상기 제1 경사면의 각도는 서로 상이하며,
    각 종류의 서브픽셀에서 상기 제2 경사면과 상기 제3 경사면의 거리는 서로 상이한 표시패널.
  13. 제 2항에 있어서,
    상기 오버코트층은 상기 제1 서브픽셀 내지 상기 제3 서브픽셀 중 이종 이상의 서브픽셀에서 상기 제1 경사면을 포함하고,
    각 종류의 서브픽셀에 포함된 상기 제1 경사면의 높이는 서로 상이한 표시패널.
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