KR101881133B1 - 절연층의 경사 구조 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

유기 발광 표시 장치는, 제1 기판, 제1 기판 상에 배치되어 경사 구조를 구비하는 절연층, 절연층 상에 배치되는 제1 전극, 절연층 및 제1 전극 상에 배치되어 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막, 발광 영역의 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광 구조물, 유기 발광 구조물 상에 배치되는 제2 전극, 그리고 제2 전극 상에 배치되는 제2 기판을 포함할 수 있다. 경사 구조에 위치하는 화소 정의막, 제1 전극, 제2 전극의 측부들이 각기 유기 발광 구조물로부터 발생되는 광의 전반사를 방지할 수 있는 경사각을 가질 수 있기 때문에 유기 발광 표시 장치가 적어도 약 30% 이상 증가된 광 효율을 확보할 수 있다.

Description

절연층의 경사 구조 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF FORMING AN INCLIDED STRUCTURE IN AN INSULATION LAYER, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFCATURING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 절연층의 경사 구조 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 절연층에 원하는 경사각을 갖는 경사 구조를 형성하는 방법, 이러한 경사 구조를 갖는 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 절연층의 경사 구조 형성 방법을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

평판 표시 장치 중에서 유기 발광 표시(OLED) 장치는 고속의 응답 속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광 방식에 따라 시야각이 넓어서 장치의 크기에 상관없이 화상 표시 매체로서 여러 가지 장점들은 가진다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 상대적으로 저온에서 간단한 공정들을 통해 제조할 수 있기 때문에, 차세대 평판 표시 장치로 주목 받고 있다.

종래의 유기 발광 표시 장치는, 기판 상에 제공된 박막 트랜지스터를 커버하는 평탄한 절연막 상에 양극과 음극이 순차적으로 배치되고, 이와 같은 양극과 음극 사이에 다층 구조의 유기층이 개재되는 구조를 가진다. 그러나, 종래의 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 유기층과 상기 전극들 사이에서 상기 유기층에서 발생되는 광이 부분적으로 또는 전체적으로 반사되기 때문에 외부로 취출되는 광의 효율이 감소하게 된다. 즉, 종래의 유기 발광 소자는 상기 유기층과 전극들 사이에서의 광의 반사로 인하여 약 30% 정도의 광 손실이 발생한다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여, 적색광, 녹색광 및 청색광의 보강 간섭이 일어날 수 있도록 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소에서 유기층들의 두께를 조절하여 광 효율을 증가시키는 공진 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치가 제안되었다. 그러나, 이와 같은 공진 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치는 비록 증가된 광 효율을 갖지만, 이로 인하여 측면에서의 컬러 쉬프트(color shift)에 따라 시인성이 저하되는 문제가 발생한다.

본 발명의 일 목적은 절연층에 원하는 경사 각도를 확보할 수 있는 경사 구조를 형성하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 원하는 경사 각도의 경사 구조를 갖는 절연층을 구비하여 광 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 절연층에 원하는 경사 각도를 갖는 경사 구조를 형성하는 과정을 이용하여 향상된 광 효율을 갖는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 절연층의 경사 구조 형성 방법에 있어서, 제1 절연막에 제1 리세스를 형성한 후, 상기 제1 리세스를 개재하여 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성할 수 있다. 상기 제2 절연막에 제2 리세스를 형성한 다음, 상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시켜 상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스로부터 경사 구조를 형성할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연막은 각기 유기 물질, 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 절연막은 각기 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 리세스는 각기 차광 영역과 반투과 영역을 포함하는 마스크를 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 리세스는 상기 제2 리세스 보다 실질적으로 큰 깊이를 가질 수 있으며, 상기 제2 리세스는 상기 제1 리세스 보다 실질적으로 큰 폭을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 리세스를 형성한 다음, 상기 제1 리세스의 측벽과 저면에 대하여 표면 처리 공정을 수행할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 리플로우 공정은 상기 제1 및 제2 절연막의 녹는 점의 약 50% 내지 약 80% 정도의 온도에서 수행될 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 경사 구조는 리세스 형상 또는 돌출되는 형상을 가질 수 있다. 상기 경사 구조의 측벽의 경사각과 상기 제1 및 제2 리세스의 측벽들의 경사각 사이의 비는 약 1.0: 0.2 내지 약 1.0: 1.8 정도가 될 수 있다.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 기판, 경사 구조를 구비하는 절연층, 제1 전극, 화소 정의막, 유기 발광 구조물, 제2 전극 및 제2 기판을 포함할 수 있다. 상기 절연층은 상기 제1 기판 상에 배치될 수 있으며, 상기 제1 전극은 상기 절연층 상에 위치할 수 있다. 상기 화소 정의막은 상기 절연층 및 상기 제1 전극 상에 배치되어 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역을 정의할 수 있다. 상기 유기 발광 구조물은 상기 발광 영역의 상기 제1 전극 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극은 상기 유기 발광 구조물 상에 배치될 수 있고, 상기 제2 기판은 상기 제2 전극 상에 위치할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 기판 상에는 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 스위칭 소자가 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터 또는 산화물 반도체 소자를 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 경사 구조의 측벽 상에 위치하는 상기 제1 전극 상으로 연장될 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 화소 정의막은 상기 경사 구조의 상면 상에 위치하는 상기 제1 전극 상으로 연장될 수 있으며, 상기 발광 영역에서 상기 제1 전극을 노출시키는 개구를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 유기 발광 구조물은 상기 화소 정의막의 개구에 매립될 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 발광 구조물의 측벽은 상기 제1 기판에 평행한 방향에 대해 약 110°내지 약 160°의 경사각을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 경사 구조는 리세스의 형상 또는 돌출되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 경사 구조의 측벽은 상기 제1 기판에 실질적으로 평행한 방향에 대해 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 경사 구조 상에 배치되는 상기 제1 전극의 측부, 상기 제2 전극의 측부 등은 각기 상기 경사 구조의 측벽과 실질적으로 동일한 경사각을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연층은 상기 경사 구조 내에 배치되는 복수의 돌기들을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 전극은 상기 절연층의 돌기들로부터 유래되는 복수의 돌출부들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 돌출부들에 의하여 구분되는 복수의 부분들을 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 경사 구조는 리세스의 형상을 가질 수 있다. 이 때, 상기 경사 구조의 측벽과 상기 유기 발광 구조물의 측부는 실질적으로 동일한 경사각을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 경사 구조는 돌출되는 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 경사 구조의 측벽의 경사각과 상기 유기 발광 구조물의 측부의 경사각 사이의 비는 약 1.0: 0.2 내지 약 1.0: 1.8 정도 또는 약 1.0: 1.6 내지 약 1.0: 8.0 정도가 될 수 있다.

전술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 기판 상에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층에 경사 구조를 형성할 수 있다. 상기 절연층 상에 제1 전극을 형성한 다음, 상기 절연층 및 상기 제1 전극 상에 화소 정의막을 형성할 수 있다. 상기 화소 정의막을 부분적으로 식각하여 상기 경사 구조 상에 위치하는 상기 제1 전극을 노출시키는 개구를 형성할 수 있다. 상기 개구에 의해 노출된 제1 전극 상에 유기 발광 구조물을 형성한 후, 상기 유기 발광 구조물 상에 제2 전극을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극 상에는 제2 기판이 형성될 수 있다.

예시적인 실시예들에 따른 경사 구조를 형성하는 과정에 있어서, 상기 제1 기판 상에 제1 절연막을 형성한 후, 상기 제1 절연막에 제1 리세스를 형성할 수 있다. 상기 제1 리세스를 개재하여 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성한 다음, 상기 제2 절연막에 제2 리세스를 형성할 수 있다. 상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시켜, 상기 제1 리세스 및 상기 제2 리세스로부터 상기 경사 구조를 형성할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따른 경사 구조를 형성하는 과정에 있어서, 상기 제1 기판 상에 제1 절연막을 형성한 다음, 상기 제1 절연막에 서로 이격되는 제1 리세스들을 형성할 수 있다. 상기 제1 리세스들을 개재하여 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성한 후, 상기 제1 리세스들 상부의 상기 제2 절연막에 제2 리세스들을 형성할 수 있다. 상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시켜, 인접하는 리세스들 사이에 돌출되는 형상을 갖는 상기 경사 구조를 형성할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 경사 구조의 저면에 해당되는 절연층에는 복수의 돌기들이 형성될 수 있다. 이러한 절연층의 돌기들에 의해 상기 제1 전극에 복수의 돌출부들이 형성될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 돌출부들에 의해 복수의 부분들로 구분될 수 있다.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층의 경사 구조에 위치하는 화소 정의막, 제1 전극 및 제2 전극의 측부들이 각기 상기 유기 발광 구조물로부터 발생되는 광의 전반사를 방지할 수 있는 경사각을 가질 수 있기 때문에, 유기 발광 표시 장치가 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 적어도 약 30% 이상 향상된 광 효율을 가질 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 광의 광학적 공진을 위하여 상대적으로 복잡한 구성을 가질지 필요가 없기 때문에 광학적 공진 구조를 갖는 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 간단한 구성을 가지면서 측면 시인성을 보다 향상시킬 수 있다.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 절연층의 경사 구조 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 내지 도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14 내지 도 19는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 22 내지 도 24는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 절연층의 경사 구조 형성 방법, 경사 구조를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.

본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어"있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다.

제1, 제2 및 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 절연층의 경사 구조 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 1을 참조하면, 대상체(도시되지 않음) 상에 제1 절연막(5)을 형성한다. 상기 대상체는 기판, 절연층, 도전층 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 대상체 상에는 스위칭 소자, 콘택, 패드, 플러그, 전극, 도전 패턴, 절연 패턴 등을 포함하는 하부 구조물이 제공될 수 있다. 여기서, 제1 절연막(5)은 상기 하부 구조물들을 충분히 덮을 수 있는 두께를 가질 수 있다.

다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대상체 상에 형성되는 제1 절연막(5)의 평탄도를 향상시키기 위하여, 상기 대상체에 대해 평탄화(planarization) 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 상기 대상체에 화학 기계적 연마(CMP) 공정, 에치 백(etch-back) 공정 등을 적용하여, 상기 대상체가 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연막(5)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연막(5)은 포토레지스트, 아크릴계(acryl-based) 폴리머, 폴리이미드계(polyimide-based) 폴리머, 폴리아미드계(polyamide-based) 폴리머, 실록산계(siloxane-based) 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기(photosensitive acryl carboxyl group)를 포함하는 폴리머, 노볼락(novolak) 수지, 알칼리 가용성(alkali-soluble) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 절연막(5)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 예를 들면, 제1 절연막(5)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 아연 산화물(ZnOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제1 절연막(5)은 그 구성 물질에 따라 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자층 적층(ALD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 상기 대상체 상에 형성될 수 있다.

다시 도 1을 참조하면, 차광 영역과 반투과 영역을 구비하는 제1 마스크(도시되지 않음)를 제1 절연막(5) 상에 위치시킨 다음, 상기 제1 마스크를 이용하여 제1 절연막(5)에 자외선, 레이저 등의 광을 조사하는 제1 노광 공정을 수행하거나 제1 절연막(5)을 부분적으로 식각하는 제1 식각 공정을 수행한다. 이와 같은 제1 노광 공정 또는 제1 식각 공정은 제1 절연막(5)의 구성 물질에 따라 선택적으로 수행될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 마스크는 하프 톤(haft tone) 마스크, 하프 톤 슬릿(haft tone slit) 마스크 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 마스크는 상기 차광 영역 및/또는 상기 반투과 영역에 인접하는 투과 영역을 추가적으로 포함할 수도 있다.

노광된 제1 절연막(5)에 대해 제1 현상 공정 또는 제1 식각 공정을 선택적으로 수행하여 노광된 제1 절연막(5)을 부분적으로 제거함으로써, 제1 절연막(5)에 제1 리세스(recess)(10)를 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 리세스(10)는 제1 절연막(5)의 상면으로부터 상대적으로 큰 제1 깊이를 가질 수 있으며, 상대적으로 작은 제1 폭을 가질 수 있다. 또한, 제1 리세스(10)의 측벽은 상기 대상체에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 상대적으로 큰 제1 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 리세스(10) 측벽의 제1 경사각은 상기 대상체에 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 40°내지 약 90°정도가 될 수 있다.

도 2를 참조하면, 제1 리세스(10)를 갖는 제1 절연막(5) 상에 제2 절연막(15)을 형성한다. 제2 절연막(15)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 절연막(15)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 또한, 제2 절연막(15)은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 제1 절연막(5) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연막(15)은 제1 절연막(5)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 절연막(5)과 제2 절연막(15)은 서로 상이한 물질들을 사용하여 형성될 수도 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연막(15)은 제1 리세스(10)를 채우지 않으면서 제1 절연막(5) 상에 형성될 수 있다. 즉, 제1 절연막(5)과 제2 절연막(15) 사이에는 제1 리세스(10)가 제2 절연막(15)으로 채워지지 않고 개재될 수 있다. 이러한 구성을 위하여, 제1 리세스(10)의 측벽과 저면에 대하여 표면 처리 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 제1 리세스(10)의 측벽과 저면에 대하여 선택적으로 플라즈마 처리 공정, 소수성 처리 공정 등을 수행할 수 있다.

도 3을 참조하면, 제2 절연막(15)에 대하여 차광 영역과 반투과 영역을 갖는 제2 마스크(도시되지 않음)를 이용하는 제2 노광 공정을 수행한 다음, 노광된 제2 절연막(15)에 대해 제2 현상 공정 또는 제2 식각 공정을 수행하여 제2 절연막(15)에 제2 리세스(20)를 형성한다. 상기 제2 마스크는 하프 톤 마스크, 하프 톤 슬릿 마스크 등을 포함할 수 있으며, 상기 차광 영역 및/또는 상기 반투과 영역에 인접하는 투과 영역을 추가적으로 구비할 수도 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 리세스(20)는 제1 리세스(10)에 연통된다. 제2 리세스(20)는 상대적으로 큰 제2 폭을 가질 수 있고, 상대적으로 작은 제2 깊이를 가질 수 있다. 즉, 제2 리세스(20)의 제2 폭은 제1 리세스(10)의 제1 폭에 비하여 실질적으로 클 수 있는 반면, 제2 리세스(20)의 제2 깊이는 제1 리세스(10)의 제1 깊이보다 실질적으로 작을 수 있다. 또한, 제2 리세스(20)는 제1 절연막(5)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 상대적으로 큰 제2 경사각을 갖는 측벽을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 리세스(20)의 측벽의 제2 경사각은 상기 대상체에 실질적으로 수평한 축선에 대해 약 40°내지 약 90°정도가 될 수 있다. 즉, 제2 리세스(20)의 측벽의 제2 경사각은 제1 리세스(10)의 측벽의 제1 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다. 제1 및 제2 절연막(5, 15)에 각기 제1 및 제2 리세스(10, 20)가 형성됨에 따라 제1 및 제2 절연막(5, 15) 사이에는 단차부(stepped portion)가 제공된다.

도 4를 참조하면, 제1 및 제2 절연막(5, 15)에 대해 리플로우(reflow) 공정을 수행하여 제1 및 제2 리세스(10, 20)로부터 경사 구조(25)를 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 리플로우 공정은 제1 및 제2 절연막(5, 15)을 구성하는 물질들의 녹는점(Tm)의 약 50% 내지 약 80% 정도의 온도에서 수행될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 절연막(5, 15)의 구성 물질에 따라 제1 및 제2 절연막(5, 15)을 약 100℃ 내지 약 300℃ 정도의 온도에서 약 30분 내지 약 2시간 정도 리플로우시켜 경사 구조(25)를 형성할 수 있다. 이러한 제1 및 제2 절연막(5, 15)의 구성 물질들에 따라 상기 리플로우 공정의 공정 시간과 공정 온도를 조절하여 원하는 측벽 경사각을 갖는 경사 구조(25)를 수득할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따른 리플로우 공정에 있어서, 제1 및 제2 절연막(5, 15)이 실질적으로 일체로 결합되면서 상기 대상체 상에 절연층(30)이 형성된다. 즉, 상기 리플로우 공정 동안 제1 및 제2 리세스(10, 20)가 경사 구조(25)로 변화되면서 상기 대상체 상에 경사 구조(25)를 구비하는 절연층(30)이 형성된다.

경사 구조(25)는 상대적으로 큰 제3 깊이를 가질 수 있으며, 경사 구조(25)의 측벽은 상대적으로 작은 제3 경사각(θ1)을 가질 수 있다. 즉, 경사 구조(25)의 제3 깊이는 제1 리세스(10)의 제1 깊이 보다 실질적으로 클 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(25)의 제3 깊이는 제1 리세스(10)의 제1 깊이와 제2 리세스(20)의 제2 깊이의 합에 실질적으로 대응될 수 있다. 또한, 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1)은 제1 리세스(10) 측벽의 제1 경사각 또는 제2 리세스(20) 측벽의 제2 경사각에 비하여 실질적으로 작을 수 있다.

경사 구조(25)가 제3 경사각(θ1)을 갖는 측벽을 구비함에 따라, 경사 구조(25)는 하부 폭에 비하여 실질적으로 넓은 상부 폭을 가질 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(25)의 제3 경사각(θ1)은 상기 대상체에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다. 이에 따라, 제1 리세스(10) 측벽의 제1 경사각 또는 제2 리세스(20) 측벽의 제2 경사각과 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1) 사이의 비는 약 1.0: 0.2 내지 약 1.0: 1.8 정도가 될 수 있다. 그러나, 이러한 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1)은 전술한 리플로우 공정의 공정 시간, 공정 온도 등의 공정 조건들에 따라 변화될 수 있다. 즉, 상기 리플로우 공정의 공정 조건들을 조절하여 경사 구조(25)의 측벽이 원하는 제3 경사각(θ1)을 갖게 할 수 있다.

상술한 경사 구조(25)을 갖는 절연층(30)에 광이 입사될 경우, 입사된 광은 제3 경사각(θ1)을 갖는 경사 구조(25)의 측벽에서 반사될 수 있다. 이 때, 경사 구조(25)에 위치하는 다층 구조를 갖는 발광 구조물(도시되지 않음)로부터 발생되는 광이 상기 발광 구조물의 여러 층들 사이 및/또는 상부 혹은 하부의 반사층들 사이에서 전반사가 일어나는 현상을 방지할 수 있도록 경사 구조(25)의 측벽이 제3 경사각(θ1)을 가질 수 있다. 이에 따라, 경사 구조(25) 내에 위치하는 상기 발광 구조물로부터 외부로 방출되는 광의 효율을 향상시킬 수 있다.

전술한 바에 있어서는, 절연층(30)에 대체적으로 리세스 형상의 경사 구조(25)를 형성하는 과정을 예시적으로 설명하였으나, 다른 예시적인 실시예들에 따라 절연층(30)에 돌출되는 형상의 경사 구조를 형성할 수도 있다. 즉, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 공정들과 유사한 공정들을 통해 절연층(30)에 소정의 간격으로 이격된 2개 이상의 리세스 형태를 갖는 경사 구조들이 형성될 경우, 인접하는 리세스 형상의 경사 구조들 사이에는 돌출되는 형상의 경사 구조가 제공될 수 있다. 따라서, 절연층(30)은 돌출되는 형태의 경사 구조를 구비할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대상체 상에 제1 절연막(5)을 형성한 후, 제1 절연막(5)에 소정의 간격으로 이격되는 제1 리세스들을 형성할 수 있다. 이러한 제1 리세스들을 개재하여 제1 절연막(5) 상에 제2 절연막(15)을 형성한 다음, 상기 제1 리세스들 상부에 위치하는 제2 절연막(15)에 제2 리세스들을 형성할 수 있다. 제1 및 제2 절연막(5, 15)을 리플로우시키면, 절연층(30)에 인접하는 리세스들 사이에 돌출되는 형상의 경사 구조가 형성될 수 있다. 여기서, 상기 돌출되는 형상의 경사 구조의 측벽의 경사각은 상기 리세스 형상의 경사 구조의 측벽의 경사각과 실질적으로 동일하게 된다. 즉, 리세스 형상의 경사 구조와 인접하는 돌출되는 형상의 경사 구조가 하나의 측벽을 공유할 수 있다.

도 5 내지 도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따라 경사 구조를 갖는 절연층을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 5를 참조하면, 제1 기판(50) 상에 버퍼층(55)을 형성한다. 제1 기판(50)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(50)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(50)으로 사용될 수 있는 투명 수지 기판은 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 술폰산 수지 등을 포함할 수 있다.

다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(50) 상에 버퍼층(55)을 형성하기 전에 제1 기판(50)에 대하여 평탄화 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 화학 기계적 연마 공정 및/또는 에치 백 공정을 제1 기판(50)에 대해 수행하여 제1 기판(50)이 실질적으로 평탄한 상면을 확보할 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판(50)의 표면 평탄도, 구성 물질 등에 따라 제1 기판(50) 상에 버퍼층(55)이 형성되지 않을 수도 있다.

버퍼층(55)은 제1 기판(50)으로부터 금속 원자들, 불순물들 등이 확산되는 현상을 방지하는 기능을 수행할 수 있으며, 버퍼층(55)으로 인하여 후속하는 반도체 패턴(60)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도가 조절되어 실질적으로 균일한 반도체 패턴(60)을 수득할 수 있다. 또한, 버퍼층(55)은 제1 기판(50)이 표면이 균일하지 않을 경우, 제1 기판(50)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할도 수행할 수 있다. 버퍼층(55)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(55)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(55)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(55)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함할 수 있다.

버퍼층(55) 상에는 반도체 패턴(60)이 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(55) 상에 반도체층(도시되지 않음)을 형성한 후, 이러한 반도체층을 패터닝하여 버퍼층(55)의 일측 상에 예비 반도체 패턴(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 다음에, 상기 예비 반도체 패턴을 결정화시켜 버퍼층(55) 상에 반도체 패턴(60)을 수득할 수 있다. 상기 반도체층은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 반도체층이 아몰퍼스 실리콘을 포함할 경우, 반도체 패턴(60)은 폴리실리콘으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 예비 반도체 패턴으로부터 반도체 패턴(60)을 형성하기 위한 결정화 공정은 레이저 조사 공정, 열처리 공정, 촉매를 이용하는 열처리 공정 등을 포함할 수 있다.

다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 반도체 패턴을 형성한 후, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 반도체 패턴에 대하여 탈수소(dehydrogenation) 공정을 수행할 수 있다. 이에 따라, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 반도체 패턴 내의 수소 원자들의 농도를 감소시켜, 반도체 패턴(60)의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.

도 6을 참조하면, 버퍼층(55) 상에 반도체 패턴(60)을 커버하는 게이트 절연막(65)을 형성한다. 게이트 절연막(65)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 게이트 절연막(65)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 게이트 절연막(65)에 사용될 수 있는 금속 산화물은, 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx) 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.

게이트 절연막(65)은 반도체 패턴(60)의 프로파일(profile)을 따라 버퍼층(55) 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. 게이트 절연막(65)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 게이트 절연막(65)에는 반도체 패턴(60)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(65)은 반도체 패턴(60)을 충분히 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이 경우, 게이트 절연막(65)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다.

게이트 절연막(65) 상에는 게이트 전극(70)이 형성된다. 게이트 전극(70)은 게이트 절연막(65) 중에서 아래에 반도체 패턴(60)이 위치하는 부분 상에 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(65) 상에 제1 도전막(도시되지 않음)을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 통해 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써, 게이트 절연막(65) 상에 게이트 전극(70)을 형성할 수 있다. 상기 제1 도전막은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.

게이트 전극(70)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(70)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 전극(70)은 상술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 또는 투명 도전성 물질로 이루어진 단층 구조를 가질 수 있다. 이와는 달리, 게이트 전극(70)은 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 및/또는 투명 도전성 물질로 구성된 다층 구조로 형성될 수도 있다.

도 6에 도시하지는 않았으나, 게이트 전극(70)의 형성과 동시에 게이트 절연막(65) 일측 상에는 게이트 라인이 형성된다. 게이트 전극(70)은 이와 같은 게이트 라인에 연결되며, 상기 게이트 라인은 게이트 절연막(65) 상에서 제1 방향을 따라 연장될 수 있다.

게이트 전극(70)을 주입 마스크로 이용하여 반도체 패턴(60)에 불순물들을 주입함으로써, 반도체 패턴(60)에 소스 영역(75)과 드레인 영역(80)을 형성한다. 상기 불순물들의 주입을 위한 이온 주입 에너지의 조절에 따라 상기 불순물들이 게이트 절연막(65)을 통과하여 반도체 패턴(60)의 양측부에 주입될 수 있다. 여기서, 게이트 전극(70) 아래에 위치하는 반도체 패턴(60)의 중앙부에는 상기 불순물들이 주입되지 않으며, 이에 따라 반도체 패턴(60)의 중앙부는 소스 영역(75)과 드레인 영역 사이의 채널 영역(85)이 된다. 다시 말하면, 소스 및 드레인 영역(75, 80)의 형성에 따라 반도체 패턴(60)에 채널 영역(85)이 정의된다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(65) 상에 게이트 전극(70)에 인접하는 게이트 절연막(65)의 부분들을 노출시키는 마스크를 형성한 다음, 이와 같은 마스크와 게이트 전극(70)을 함께 주입 마스크들로 이용하여 소스 영역(75) 및 드레인 영역(80)을 형성할 수도 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(70)은 반도체 패턴(60)에 비하여 실질적으로 작은 폭을 가질 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(70)은 채널 영역(85)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 폭을 가질 수 있다. 그러나, 게이트 전극(70)의 치수 및/또는 채널 영역(85)의 치수는 이들을 포함하는 스위칭 소자에 요구되는 전기적인 특성에 따라 변화될 수 있다.

도 7을 참조하면, 게이트 절연막(65) 상에 게이트 전극(70)을 덮는 층간 절연막(90)을 형성한다. 층간 절연막(90)은 게이트 전극(70)의 프로파일을 따라 게이트 절연막(65) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 층간 절연막(90)에는 게이트 전극(70)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 층간 절연막(90)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(90)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 층간 절연막(90)은 전술한 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 층간 절연막(90)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 층간 절연막(90)은 후속하여 형성되는 소스 전극(95)과 드레인 전극(100)으로부터 게이트 전극(70)을 절연시키는 역할을 수행할 수 있다.

층간 절연막(90) 상에 소스 전극(95)과 드레인 전극(100)을 형성한다. 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 게이트 전극(70)을 중심으로 소정의 간격으로 이격되며, 게이트 전극(70)에 인접하여 배치된다. 예를 들면, 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 각기 소스 및 드레인 영역(75, 80) 상부에 위치하는 층간 절연막(90)으로부터 게이트 전극(70) 상에 위치하는 층간 절연막(90)까지 연장될 수 있다. 또한, 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 층간 절연막(90)을 관통하여 소스 및 드레인 영역(75, 80)에 각기 접촉된다.

예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연막(90)을 부분적으로 식각하여 소스 및 드레인 영역(75, 80)을 부분적으로 노출시키는 홀들을 형성한 후, 이러한 홀들을 채우면서 층간 절연막(90) 상에 제2 도전막(도시되지 않음)을 형성한다. 다음에, 상기 제2 도전막을 패터닝하여 도 7에 예시적으로 도시한 바와 같은 소스 및 드레인 전극(95, 100)을 형성한다. 상기 제2 도전막은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 각기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 한편, 소스 및 드레인 전극(95, 100)은 각기 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 이루어진 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.

도시하지는 않았으나, 층간 절연막(90) 상에는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터 라인이 소스 및 드레인 전극(95, 100)과 함께 형성된다. 여기서, 상기 제2 방향은 상기 게이트 라인이 연장되는 제1 방향과 실질적으로 직교할 수 있다. 이와 같은 데이터 라인에 소스 전극(95)이 접속된다.

층간 절연막(90) 상에 소스 및 드레인 전극(95, 100)이 형성됨에 따라, 제1 기판(50) 상에는 상기 유기 발광 표시 장치의 스위칭 소자로서 반도체 패턴(60), 게이트 절연막(65), 게이트 전극(70), 소스 전극(95) 및 드레인 전극(100)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공된다.

도 8을 참조하면, 층간 절연막(90) 상에 소스 및 드레인 전극(95, 100)을 커버하는 제1 보호막(105)을 형성한다. 제1 보호막(105)은 소스 및 드레인 전극(95, 100)을 완전하게 덮을 수 있는 충분한 두께를 가질 수 있다. 제1 보호막(105)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 보호막(105)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 보호막(105)을 구성하는 물질에 따라 제1 보호막(105)은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 후속하여 형성되는 절연층(110)의 구성 물질, 치수 등에 따라 상기 스위칭 소자를 커버하는 제1 보호막(105)이 제공되지 않을 수도 있다.

도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 보호막(105) 상에는 경사 구조(120)를 갖는 절연층(110)이 형성된다. 절연층(110)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(110)은 제1 보호막(105) 상에 순차적으로 형성된 제1 절연막 및 제2 절연막을 포함할 수 있다. 이러한 제1 및 제2 절연막을 포함하는 절연층(110)을 형성하기 위한 공정들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)을 형성하는 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 또한, 절연층(110)의 제1 및 제2 절연막은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 포함할 수 있다.

도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 절연층(110)에는 측벽이 제4 경사각(θ2)을 갖는 경사 구조(120)가 형성된다. 또한, 절연층(110)과 제1 보호막(105)을 관통하여 드레인 전극(100)을 부분적으로 노출시키는 홀(115)이 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 홀(115)은 절연층(110)에 경사 구조(120)를 형성하는 동안 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(110)에 경사 구조(120)를 형성한 후, 절연층(110)과 제1 보호막(105)을 관통하여 드레인 전극(100)의 일부를 노출시키는 홀(115)을 형성할 수도 있다.

절연층(110)의 경사 구조(120)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 절연층(30)의 경사 구조(25)를 형성하는 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 절연층(110)의 경사 구조(120) 측벽의 제4 경사각(θ2)은 상술한 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(120)의 측벽의 제4 경사각(θ2)은 제1 기판(50)에 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.

도 9에 예시한 바와 같이, 절연층(110)에는 리세스 형상(recessed shape)을 갖는 경사 구조(120)가 형성된다. 절연층(110)의 경사 구조(120)가 이와 같은 리세스 형상을 가질 경우, 경사 구조(120)를 갖는 절연층(110)을 포함하는 상기 유기 발광 표시 장치는 전면 발광 방식을 가질 수 있다.

도 10을 참조하면, 경사 구조(120)를 갖는 절연층(110) 상에 홀(115)을 채우면서 제1 전극(125)을 형성한다. 제1 전극(125)은 드레인 전극(100)에 접속되며, 경사 구조(120)의 측벽과 저면 상으로 연장된다. 이에 따라, 경사 구조(120) 내에 위치하는 제1 전극(125)의 측부도 경사 구조(120)의 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(120) 내에서의 제1 전극(125) 측부의 경사각은 제1 기판(50)에 실질적으로 평행한 방향에 대해 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.

상기 유기 발광 표시 장치가 전면 발광 방식을 가질 경우, 제1 전극(125)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(125)은 알루미늄, 은, 백금, 금(Au), 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 등과 같은 금속, 이들의 합금 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제1 전극(125)은 전술한 금속 및/또는 합금을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 드레인 전극(100)을 노출시키는 홀(115)을 채우면서 절연층(110) 상에 제1 전극층(도시되지 않음)을 형성한 다음, 이와 같은 제1 전극층을 패터닝하여, 경사 구조(120)를 갖는 절연층(110) 상에 제1 전극(125)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제1 전극층은 제1 전극(125)을 구성하는 물질에 따라 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 프린팅 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 제1 전극(125)은 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역(luminescent region)을 중심으로 인접하는 비발광 영역(non-luminescent region)의 일부까지 연장될 수 있다.

다른 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(110) 및 제1 보호막(105)을 관통하는 홀(115)의 내부와 노출된 드레인 전극(100) 상에 콘택 구조물 또는 패드 구조물 등을 형성한 후, 절연층(110) 상에 상기 콘택 구조물 또는 상기 패드 구조물에 접속되는 제1 전극(125)을 형성할 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(125)은 상기 콘택 구조물 또는 상기 패드 구조물을 통해 드레인 전극(100)에 전기적으로 연결될 수 있다.

다시 도 10을 참조하면, 절연층(110)과 제1 전극(125) 상에 화소 정의막(130)을 형성한다. 화소 정의막(130)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(130)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등의 유기 물질이나 실리콘 화합물과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.

화소 정의막(130)을 부분적으로 식각하여 제1 전극(125)의 일부를 노출시키는 개구를 형성한다. 예를 들면, 상기 개구는 사진 식각 공정이나 추가적인 식각 마스크를 사용하는 식각 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(130)의 개구의 측벽은 경사 구조(120)의 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(130)의 개구의 측벽은 제1 기판(50)에 실질적으로 수평한 방향에 대해 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가질 수 있다.

화소 정의막(130)에 개구가 형성됨에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의된다. 즉, 화소 정의막(130)의 개구가 위치하는 영역이 상기 발광 영역에 해당되며, 상기 개구에 인접하는 영역이 상기 비발광 영역에 해당된다. 절연층(110)의 경사 구조(120)는 상기 발광 영역에 위치하며, 상기 발광 영역에서 제1 전극(125)은 경사 구조(120)의 저면과 측벽 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. 화소 정의막(130)은 상기 발광 영역의 일부까지 연장되어 경사 구조(120)의 저면의 일부와 측벽 상부에 형성된다. 다시 말하면, 상기 발광 영역에서 화소 정의막(130)은 제1 전극(125)의 측부를 커버한다. 이에 따라, 상기 발광 영역에 위치하는 화소 정의막(130)의 일부(즉, 상기 개구의 측벽)도 경사 구조(120)의 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 영역에 위치하는 화소 정의막(130)은 제1 기판(50)에 실질적으로 평행한 축선에 대해 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가지면서 제1 전극(125) 상에 배치될 수 있다.

상기 발광 영역의 화소 정의막(130) 및 제1 전극(125) 상에 유기 발광 구조물(135)이 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(135)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(135)은 상기 유기 발광 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(135)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 유기 발광 구조물(135)은 상기 발광 물질들에 비하여 실질적으로 큰 밴드 갭(band gap)을 갖는 호스트 물질을 추가적으로 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(135)은 상기 발광 영역의 경사 구조(120) 상에 위치한다. 또한, 유기 발광 구조물(135)은 상기 발광 영역에서 제1 전극(125) 및 화소 정의막(130)에 접촉된다. 즉, 유기 발광 구조물(135)의 저면은 제1 전극(125) 상에 위치하며, 유기 발광 구조물(135)의 측부는 화소 정의막(130)에 접촉된다. 따라서, 유기 발광 구조물(135)의 측부도 경사 구조(120)의 측벽의 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 구조물(135)의 측부는 제1 기판(50)에 대해 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가질 수 있다.

제2 전극(140)은 유기 발광 구조물(135)과 화소 정의막(130) 상에 형성된다. 제2 전극(140)은 유기 발광 구조물(135)과 화소 정의막(130) 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치가 전면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(140)은 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(140)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(140)은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 전극(140)은 상기 발광 영역에만 위치할 수도 있다. 예를 들면, 제2 전극(140)은 유기 발광 구조물(135)과 화소 정의막(130)의 일부(즉, 화소 정의막(130)의 개구의 측벽) 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 유기 발광 구조물(135)과 화소 정의막(130) 상에 제2 전극층(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 제2 전극층을 패터닝하여 상기 발광 영역에 제2 전극(140)을 형성할 수 있다.

절연층(110)의 경사 구조(120) 측벽의 제4 경사각(θ2)에 따라 제2 전극(140)도 상기 발광 영역에서 제4 경사각(θ2)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 영역의 화소 정의막(130) 상에 위치하는 제2 전극(140)의 측부는 제1 기판(50)에 실질적으로 평행한 축선에 대해 약 20°내지 약 70°정도의 경사각을 가질 수 있다.

하부 전극, 유기 발광층 및 상부 전극을 구비하는 종래의 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 유기 발광층으로부터 발생되는 광이 상기 유기 발광층과 상기 상부 및 하부 전극 사이에서 전반사되어 실질적으로 약 30% 정도의 광 손실(loss)이 발생하게 된다. 이에 비하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 리세스 형상을 갖는 경사 구조(120)로 인하여 유기 발광 구조물(135), 제1 전극(125) 및 제2 전극(140)의 측부들이 각기 유기 발광 구조물(135)로부터 발생되는 광의 전반사를 방지할 수 있는 경사각을 가지기 때문에, 상기 유기 발광 표시 장치는 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 적어도 약 30% 이상 증가된 광 효율을 확보할 수 있다. 또한, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 유기 발광 구조물(135)로부터 발생되는 광의 광학적 공진을 위하여 상대적으로 복잡한 구성을 가질 필요가 없기 때문에, 광학적 공진 구조를 갖는 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 보다 간단한 구성을 가질 수 있으며, 보다 향상된 측면 시인성을 확보할 수 있다.

도 11을 참조하면, 제2 전극(140) 상에 제2 보호막(145)을 형성한다. 제2보호막(145)은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 제2 보호막(145)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 보호막(145)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제2 보호막(145)을 구성하는 물질에 따라, 제2 보호막(145)은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.

제2 보호막(145) 상에는 제2 기판(150)이 배치된다. 제2 기판(150)은 유리, 투명 플라스틱, 투명 세라믹 등과 같은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 영역의 제2 보호막(145)과 제2 기판(150) 사이의 공간(148)은 공기 또는 질소와 같은 불활성 기체 등으로 채워질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광 영역의 공간(148)은 광 투과성과 흡습성을 갖는 수지로 충진될 수도 있다.

도 12 및 도 13은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 12 및 도 13에 있어서, 절연층, 제1 전극, 유기 발광 구조물 등을 제외하면 도 5 내지 도 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예시적으로 설명하지만, 도 12 및 도 13에 도시한 제조 방법은 스위칭 소자, 보호막(들), 전극들, 절연층(들), 유기 발광 구조물 등이 다양한 구조로 배치된 구성을 가지는 다른 유기 발광 표시 장치들에도 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 변경이 적용 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

도 12를 참조하면, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행하여 제1 기판(50) 상에 버퍼층(55), 스위칭 소자, 제1 보호막(105) 등을 형성한다.

제1 보호막(105) 상에 경사 구조(120)와 드레인 전극(100)의 일부를 노출시키는 홀을 포함하는 절연층(110)을 형성한 후, 경사 구조(120)의 저면을 구성하는 절연층(110)에 복수의 돌기(128)들을 형성한다. 절연층(110)의 경사 구조(120)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행하여 수득될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(110)의 돌기(128)들은 경사 구조(120)의 저면을 구성하는 절연층(110)의 표면에 대하여 추가적으로 하프 톤 마스크 또는 하프 톤 슬릿 마스크를 사용하는 노광 공정, 현상 공정, 부분 식각 공정 등을 수행하여 수득될 수 있다. 예를 들면, 절연층(110)의 돌기(128)들은 각기 실질적으로 원형의 형상, 실질적으로 타원형의 형상, 실질적으로 원추형의 형상, 실질적으로 마름모의 형상, 실질적으로 삼각형의 형상 등의 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 또한, 돌기(128)들은 각기 실질적으로 섬(island)의 형상, 실질적으로 라인(line)의 형상, 실질적으로 바(bar)의 형상, 실질적으로 육면체의 형상 등과 같은 여러 가지 입체 형상을 가질 수 있다.

제1 전극(133)은 드레인 전극(100)을 노출시키는 상기 홀을 채우면서 경사 구조(120) 및 돌기(128)들을 갖는 절연층(110) 상에 형성된다. 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역에 대응되는 경사 구조(120)의 저면 상에 위치하는 제1 전극(133)에는 절연층(110)의 돌기(128)들에 따라 복수의 돌출부(134)들이 형성되며, 경사 구조(120)의 측벽 상에 배치되는 제1 전극(133)의 측부는 원하는 경사각을 가진다. 여기서, 제1 전극(133)의 돌출부(134)들은 각기 절연층(110)의 돌기(128)들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 형상을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(110)의 돌기(128)들로부터 유래되는 제1 전극(133)의 돌출부(134)들로 인하여 유기 발광 구조물(155)(도 13 참조)로부터 발생되는 광이 제1 전극(133)의 돌출부(134)들로부터도 효과적으로 반사될 수 있기 때문에 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.

도 13을 참조하면, 절연층(110)과 제1 전극(133) 상에 화소 정의막(130)을 형성한다. 화소 정의막(130)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(130)을 부분적으로 식각하여 제1 전극(125)의 돌출부(134)들이 형성된 부분을 노출시키는 개구를 형성한다. 이 경우, 화소 정의막(130)의 개구의 측벽은 경사 구조(120)의 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.

화소 정의막(130)에 개구가 형성됨에 따라서 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의된다. 여기서, 화소 정의막(130)의 개구가 위치하는 영역이 상기 발광 영역에 해당되며, 상기 개구에 인접하는 영역이 상기 비발광 영역에 해당된다. 절연층(110)의 경사 구조(120)는 상기 발광 영역에 위치하며, 상기 발광 영역에서 돌출부(134)들을 포함하는 제1 전극(133)은 경사 구조(120)의 저면과 측벽 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(130)은 상기 발광 영역까지 연장되어 경사 구조(120)의 저면의 일부와 측벽 상부에도 위치한다. 따라서 상기 발광 영역에 위치하는 화소 정의막(130)의 일부도 경사 구조(120)의 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.

상기 발광 영역의 화소 정의막(130)과 제1 전극(133) 상에 유기 발광 구조물(155)이 형성된다. 유기 발광 구조물(155)은 유기 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(155)은 상기 발광 영역에서 제1 전극(133)과 화소 정의막(130)에 접촉된다. 따라서, 유기 발광 구조물(155)의 측부도 경사 구조(120)의 측벽의 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 영역에 위치하는 제1 전극(133)이 복수의 돌출부(134)들을 구비하기 때문에, 유기 발광 구조물(155)에는 돌출부(134)들에 대응하는 복수의 리세스들, 그루브(groove)들 또는 덴트(dent)들이 형성된다. 즉, 유기 발광 구조물(155)의 하부에는 돌출부(134)들에 실질적으로 대응되는 형상을 가지는 리세스들, 그루브들 또는 덴트들이 형성된다. 유기 발광 구조물(155)은 제1 전극(133)의 돌출부(134)들에 의해 부분적으로 복수의 발광 부분들로 구획될 수 있다.

다시 도 13을 참조하면, 제2 전극(140)을 유기 발광 구조물(155)과 화소 정의막(130) 상에 형성한다. 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 방식에 따라 제2 전극(140)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극(140)도 상기 발광 영역에서 경사 구조(120) 측벽의 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.

제2 전극(140) 상에는 제2 보호막(145)이 형성된다. 제2 보호막(145)은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 형성될 수 있다. 제2 보호막(145)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 제2 보호막(145) 상에는 제2 기판(150)이 제공된다. 제2 기판(150)은 유리, 투명 플라스틱, 투명 세라믹 등과 같은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 제2 보호막(145)과 제2 기판(150) 사이의 공간(148)은 공기 혹은 질소와 같은 불활성 기체 등으로 채워질 수 있으며, 광 투과성과 흡습성을 가지는 수지로 채워질 수도 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 추가적인 충진 물질에 따라 제2 전극(140)과 제2 기판(150) 사이에 제2 보호막(145)이 형성되지 않을 수도 있다.

도 14 내지 도 19는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 14 내지 도 19에 있어서, 스위칭 소자, 경사 구조를 갖는 절연층 등을 제외하면 도 5 내지 도 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예시적으로 설명하지만, 도 14 내지 도 19에 도시한 제조 방법은 스위칭 소자, 보호막(들), 절연층, 전극들, 유기 발광 구조물 등이 다양한 구조로 배치된 구성을 가지는 다른 유기 발광 표시 장치들에도 적용 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

도 14를 참조하면, 제1 기판(200) 상에 버퍼층(205)을 형성한 후, 버퍼층(205) 상에 게이트 전극(210)을 형성한다. 버퍼층(205)은 실리콘 화합물을 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정 등으로 제1 기판(200) 상에 도포하여 수득될 수 있다.

게이트 전극(210)은 금속, 합금, 금속 화합물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층(205)의 일측에는 게이트 전극(210)에 연결되는 게이트 라인(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(210)과 상기 게이트 라인은 버퍼층(205) 상에 제1 도전층(도시되지 않음)을 형성한 후, 이러한 제1 도전층을 부분적으로 식각하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따라, 제1 기판(200) 상에 버퍼층(205)이 제공되지 않을 경우에는, 게이트 전극(210)과 상기 게이트 라인은 제1 기판(200) 상에 직접 형성될 수도 있다.

도 15를 참조하면, 버퍼층(205) 상에 게이트 전극(210)을 덮는 게이트 절연막(215)을 형성한다. 게이트 절연막(215)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정, 열산화 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정, 스핀 코팅 공정 등으로 버퍼층(205) 상에 도포하여 수득될 수 있다.

게이트 절연막(215)은 게이트 전극(210)의 프로파일을 따라 버퍼층(205) 상에 실질적으로 균일하게 형성될 수 있다. 이 경우, 게이트 절연막(215)은 게이트 전극(210)에 인접하는 단차부를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(215)은 게이트 전극(210)을 충분하게 덮으면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와 같은 게이트 절연막(215)의 평탄한 상면을 확보하기 위하여, 게이트 절연막(215)에 대해 화학 기계적 연마 공정 및/또는 에치 백 공정을 포함하는 평탄화 공정을 수행할 수 있다.

도 16을 참조하면, 게이트 절연막(215) 상에 소스 전극(220)과 드레인 전극(225)을 형성한다. 소스 및 드레인 전극(220, 225)은 각기 금속, 합금, 금속 화합물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 게이트 절연막(215)의 일측 상에는 소스 전극(220)에 연결되는 데이터 라인(도시되지 않음)이 형성된다. 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인에 대하여 실질적으로 직교하는 방향을 따라 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(215) 상에 제2 도전층(도시되지 않음)을 형성한 다음, 상기 제2 도전층을 부분적으로 식각하여 상기 데이터 라인과 소스 및 드레인 전극(220, 225)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제2 도전층은 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.

소스 및 드레인 전극(220, 225)은 게이트 전극(210)을 중심으로 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 게이트 절연막(215)이 단차부를 가질 경우, 소스 및 드레인 전극(220, 225)도 각기 게이트 절연막(215)의 단차부에 기인하는 단차부를 포함할 수 있다. 이 때, 소스 및 드레인 전극(220, 225)의 단차부들은 각기 게이트 전극(210)의 양측부에 인접하여 형성될 수 있다. 소스 및 드레인 전극(220, 225)이 형성되면, 아래에 게이트 전극(210)이 위치하는 부분의 게이트 절연막(215)이 노출된다.

소스 전극(220), 노출된 게이트 절연막(215) 및 드레인 전극(225) 상에 액티브 패턴(230)이 형성된다. 액티브 패턴(230)은 반도체 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 액티브 패턴(230)은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 갈륨 아연 산화물(GaZnxOy), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 마그네슘 산화물(ZnMgxOy), 아연 주석 산화물(ZnSnxOy), 아연 지르코늄 산화물(ZnZrxOy), 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 티타늄 산화물(TiOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 인듐-갈륨-하프늄 산화물(IGHO), 주석-알루미늄-아연 산화물(TAZO), 인듐-갈륨-주석 산화물(IGSO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 소스 및 드레인 전극(220, 225)과 게이트 절연막(215) 상에 액티브층(도시되지 않음)을 형성한 후, 이와 같은 액티브층을 패터닝하여 액티브 패턴(230)을 수득할 수 있다. 상기 액티브층은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정, 스프레이 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정, 졸-겔 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.

액티브 패턴(230)이 형성됨에 따라, 제1 기판(200) 상에는 게이트 전극(210), 게이트 절연막(215), 소스 전극(220), 드레인 전극(225) 및 액티브 패턴(230)을 포함하는 산화물 반도체 소자가 상기 유기 발광 표시 장치의 스위칭 소자로서 제공될 수 있다.

도 17을 참조하면, 게이트 절연막(215) 상에 액티브 패턴(230)과 소스 및 드레인 전극(220, 225)을 덮는 제1 보호막(235)을 형성한다. 제1 보호막(235)은 액티브 패턴(230)을 충분하게 커버하는 두께를 가질 수 있다. 제1 보호막(235)은 유기 물질, 무기 물질 등을 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등으로 게이트 절연막(215) 상에 도포하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 후속하여 형성되는 절연층(245)의 구성 물질, 치수 등에 따라 제1 보호막(235)이 형성되지 않을 수도 있다.

제1 보호막(235) 상에 절연층(245)을 형성한다. 절연층(245)은 2 이상의절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 절연층(110)의 절연막들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 절연층(245)의 절연막들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 통해 제1 보호막(235) 상에 형성될 수 있다.

절연층(245)에 측벽이 제5 경사각(θ3)을 갖는 경사 구조(255)를 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 보호막(235) 상에 제1 절연막(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 제1 절연막에 소정의 간격으로 이격되는 제1 리세스들(도시되지 않음)을 형성한다. 이 때, 인접하는 제1 리세스들 사이의 거리는 후속하여 형성되는 돌출된 형태의 경사 구조(255)의 폭과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 상기 제1 절연막 상에 상기 제1 리세스들을 개재하여 제2 절연막을 형성한 다음, 상기 제1 리세스들 상부에 위치하는 상기 제2 절연막을 부분적으로 식각한다. 이에 따라, 상기 제2 절연막에는 상기 제1 리세스들에 연통되는 제2 리세스들이 형성된다. 다음에, 상기 제1 및 제2 절연막을 리플로우시킴으로써, 절연층(245)에 돌출되는 형태의 경사 구조(255)를 형성한다. 여기서, 경사 구조(255)는 상기 제1 및 제2 리세스들로부터 형성되는 인접하는 리세스들 사이에 위치한다. 예를 들면, 2개의 인접하는 리세스들 사이에 돌출되는 경사 구조(255)가 위치할 수 있다. 경사 구조(255)의 제5 경사각(θ3)은 인접하는 리세스들의 측벽 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 예를 들면, 돌출된 형상의 경사 구조(255)는 제5 경사각(θ3)은 제1 기판(200)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.

다시 도 17을 참조하면, 절연층(245)과 제1 보호층(215)을 관통하여 드레인 전극(225)을 부분적으로 노출시키는 홀(250)이 형성된다. 이러한 홀(250)은 절연층(245)에 돌출된 경사 구조(255)를 형성하는 공정 동안 형성될 수 있지만, 절연층(245)에 돌출된 경사 구조(255)를 형성한 후에도 형성될 수도 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(245)의 경사 구조(255) 측벽의 제5 경사각(θ3)은 도 4를 참조하여 설명한 경사 구조(25)의 측벽의 제3 경사각(θ1)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다. 절연층(245)의 경사 구조(255)가 도 17에 예시한 바와 같이 돌출된 형상을 가질 경우, 절연층(245)을 포함하는 상기 유기 발광 표시 장치는 배면 발광 방식을 가질 수 있다.

도 18을 참조하면, 상술한 바와 같이 돌출된 형상의 경사 구조(255)를 갖는 절연층(245) 상에 홀(250)을 채우는 제1 전극(260)을 형성한다. 제1 전극(260)은 드레인 전극(225)에 접촉되며, 돌출된 경사 구조(255)의 양측벽들과 상면 상에 배치된다. 제1 전극(260)이 돌출된 경사 구조(255)를 커버하기 때문에, 제1 전극(260)의 양측부도 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 경사 구조(255)의 양측벽들 상에 위치하는 제1 전극(260)의 양측부의 경사각은 각기 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.

절연층(245)과 제1 전극(260) 상에는 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막(265)이 형성된다. 화소 정의막(265)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(265)은 상기 비발광 영역으로부터 상기 발광 영역에 위치하는 경사 구조(255)의 측벽들의 상부까지 연장될 수 있다. 즉, 화소 정의막(265)은 경사 구조(255)의 상면 상에는 위치하지 않는다. 경사 구조(255)의 측벽들 상에 위치하는 제1 전극(260) 상에도 화소 정의막(265)이 형성되기 때문에, 화소 정의막(265)의 측부들도 경사 구조(255)의 측벽들 상에서 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.

화소 정의막(265)의 일부와 제1 전극(260) 상에는 유기 발광 구조물(270)이 형성된다. 유기 발광 구조물(270)은 유기 발광층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(270)은 다양한 색광을 발생시킬 수 있는 발광 물질로 구성될 수 있지만, 이러한 발광 물질들이 적층된 구성을 가질 수도 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(270)은 상기 발광 영역에만 배치될 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 구조물(270)은 경사 구조(255)의 상면과 화소 정의막(265)의 일부 상에 형성될 수 있다. 따라서, 유기 발광 구조물(270)의 측부는 상대적으로 큰 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 구조물(270)의 측벽은 제1 기판(200)에 실질적으로 수평한 축선에 대하여 약 40°내지 약 90°정도의 경사각을 가질 수 있다. 그 결과, 돌출된 경사 구조(255)의 측벽, 제1 전극(260)의 측부 및 화소 정의막(265)의 측부의 경사각들에 대한 유기 발광 구조물(270)의 측부의 경사각의 비율은 약 1.0: 0.2 내지 약 1.0: 1.8 정도가 될 수 있다.

도 19를 참조하면, 화소 정의막(265)과 유기 발광 구조물(270) 상에 제2 전극(275)을 형성한다. 상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(275)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 유기 발광 구조물(270)의 구조에 따라 제2 전극(275)은 화소 정의막(265)과 유기 발광 구조물(270) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 전극(275) 중에서 돌출된 경사 구조(255)의 측벽에 인접하는 부분은 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.

제2 전극(275) 상에는 제2 보호막(280)이 형성된다. 제2 보호막(280)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 제2 보호막(280) 상에는 투명 절연 기판인 제2 기판(290)이 배치된다. 이 경우, 상기 비발광 영역에서 제2 보호막(280)과 제2 기판(290) 사이에는 소정의 공간(285)이 제공될 수 있다. 이와 같은 공간(285)에는 공기 혹은 질소와 같은 불활성 기체 등이 채워질 수 있으며, 광 투과성과 흡습성을 갖는 수지가 충진될 수도 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 추가적인 충진 물질의 존재에 따라 제2 전극(275)과 제2 기판(290) 사이에 제2 보호막(280)이 제공되지 않을 수도 있다.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(260), 화소 정의막(265) 및 제2 전극(275)의 측부들이 각기 돌출된 형상을 갖는 경사 구조(255) 인하여 유기 발광 구조물(270)로부터 발생되는 광의 전반사를 방지할 수 있는 원하는 경사각을 가지기 때문에, 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율을 크게 향상시킬 수 있다.

도 20 및 도 21은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 12 내지 도 13에 있어서, 절연층, 제1 전극, 유기 발광 구조물 등을 제외하면 도 5 내지 도 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예시적으로 설명하지만, 도 12 및 도 13에 도시한 제조 방법은 스위칭 소자, 보호층(들), 전극들, 유기 발광 구조물 등이 다양한 구조로 배치된 구성을 가지는 다른 유기 발광 표시 장치들에도 적용 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

도 20을 참조하면, 도 14 내지 도 17을 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행하여, 제1 기판(200) 상에 스위칭 소자, 제1 보호막(235) 및 경사 구조(255)을 갖는 절연층(245)을 형성한다.

도 20에 도시한 바와 같이, 절연층(245)에 도 12를 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행함으로써, 돌출된 경사 구조(255)에 복수의 돌기(258)들을 형성한다. 따라서, 절연층(245)은 복수의 돌기(258)들을 포함하며, 절연층(245)에는 양측벽들이 각기 제5 경사각(θ3)을 가지는 경사 구조(255)가 제공된다.

제1 전극(300)은 절연층(245)과 제1 보호막(235)을 관통하는 홀을 채우며 절연층(245)과 경사 구조(245) 상에 형성된다. 제1 전극(300)의 측부들도 돌출된 경사 구조(245)의 양측벽들 상에서 각기 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가진다. 또한, 제1 전극(300)에는 절연층(245)의 돌기(258)들에 기인하는 복수의 돌출부(303)들이 형성된다.

제1 전극(300)과 절연층(245) 상에는 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막(265)이 형성된다. 화소 정의막(265)은 상기 비발광 영역으로부터 상기 발광 영역에 위치하는 경사 구조(255)의 양측벽들 상으로 연장될 수 있다. 돌출된 경사 구조(255)의 양측벽들 상에 위치하는 제1 전극(300) 상에도 화소 정의막(265)이 위치하기 때문에, 화소 정의막(265)의 측부들도 경사 구조(255)의 양측벽들 상에서 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가진다.

제1 전극(300)과 화소 정의막(265)의 일부 상에는 유기 발광 구조물(315)이 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(315)은 돌출된 경사 구조(255)의 상면과 화소 정의막(265)의 일부 상에만 형성된다. 따라서, 유기 발광 구조물(315)의 양측부들은 각기 상대적으로 큰 경사각을 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(315)이 돌출부(303)들을 갖는 제1 전극(300) 상에 형성될 경우, 유기 발광 구조물(315)에는 돌출부(303)들에 대응하는 복수의 리세스들 또는 그루브들이 형성된다. 이와 같은 리세스들 또는 그루브들에 따라 유기 발광 구조물(315)은 복수의 부분들로 구분될 수도 있다.

도 21을 참조하면, 화소 정의막(265)과 유기 발광 구조물(315) 상에 제2 전극(275)을 형성한다. 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(275)은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극(275)은 유기 발광 구조물(315)의 프로파일을 따라 화소 정의막(265)과 유기 발광 구조물(315) 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다. 또한, 경사 구조(255)의 측벽에 인접하는 제2 전극(275)의 일부는 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.

제2 전극(275) 상에는 제2 보호막(280)이 형성된다. 제2 보호막(280)은 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 배치될 수 있다. 제2 보호막(280) 상에는 제2 기판(290)이 배치된다. 이 때, 상기 비발광 영역에서 제2 보호막(280)과 제2 기판(290) 사이에는 소정의 공간(285)이 마련될 수 있다. 그러나, 추가적인 충진 물질의 존재에 따라 제2 전극(275)과 제2 기판(290) 사이에는 제2 보호막(280)이 형성되지 않을 수 있다.

도 22 내지 도 24는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 22 내지 도 24에 있어서, 절연층, 제1 전극, 화소 정의막, 유기 발광 구조물 등을 제외하면 도 5 내지 도 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예시적으로 설명하지만, 도 22 내지 도 24에 도시한 제조 방법은 스위칭 소자, 보호막(들), 전극들, 절연층(들), 유기 발광 구조물 등이 다양한 구조로 배치된 구성을 가지는 다른 유기 발광 표시 장치들에도 적용 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

도 22를 참조하면, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 수행하여 제1 기판(350) 상에 버퍼층(355), 스위칭 소자, 제1 보호막(395) 등을 형성한다. 여기서, 상기 스위칭 소자는 반도체 패턴, 게이트 절연막(360), 게이트 전극(363), 층간 절연막(380), 소스 전극(385), 드레인 전극(390) 등을 포함한다. 상기 스위칭 소자의 반도체 패턴은 소스 영역(365), 드레인 영역(370) 및 채널 영역(375)으로 구분될 수 있다.

제1 보호막(395) 상에는 돌출된 경사 구조(405)를 포함하는 절연층(400)이 형성된다. 또한, 절연층(400)에는 드레인 전극(390)을 부분적으로 노출시키는 홀이 형성된다. 절연층(400)은 적어도 2 이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 절연층(400)의 절연막들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 절연층(400)의 절연막들은 각기 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 제1 및 제2 절연막(5, 15)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 공정들을 통해 제1 보호막(395) 상에 형성될 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 보호막(395) 상에 제1 절연막(도시되지 않음)과 제2 절연막(도시되지 않음)을 형성한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 절연막들은 각기 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 상기 제2 절연막에 소정의 간격으로 이격되는 제1 리세스들(도시되지 않음)을 형성한다. 이 경우, 인접하는 제1 리세스들 사이의 거리는 후속하여 형성되는 돌출된 형태의 경사 구조(405)의 폭과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 상기 제2 절연막 상에 상기 제1 리세스들을 개재하여 제3 절연막을 형성한 후, 상기 제1 리세스들 상부에 위치하는 상기 제3 절연막을 부분적으로 제거한다. 따라서, 상기 제3 절연막에는 상기 제1 리세스들에 연통되는 제2 리세스들이 형성된다. 이후에, 상기 제2 및 제3 절연막을 리플로우시켜, 절연층(400)에 돌출된 형상의 경사 구조(405)를 형성한다. 돌출된 경사 구조(405)는 인접하는 제1 리세스들 사이 또는 인접하는 제2 리세스들 사이에 형성된다. 절연층(400)의 경사 구조(405)가 돌출된 형상을 가질 경우, 이러한 경사 구조(405)를 포함하는 상기 유기 발광 표시 장치는 배면 발광 방식을 가질 수 있다. 경사 구조(405)의 제5 경사각(θ3)은 인접하는 리세스들의 측벽 경사각과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사하다. 예를 들면, 돌출된 경사 구조(405)의 측벽은 제1 기판(350)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 20°내지 약 70°정도의 제5 경사각(θ3)을 가질 수 있다.

돌출된 경사 구조(405)를 갖는 절연층(400) 상에 드레인 전극(390)을 부분적으로 노출시키는 홀을 채우면서 제1 전극(410)을 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 홀을 채우면서 절연층(400) 상에 경사 구조(405)를 커버하는 제1 전극층(도시되지 않음)을 형성한다. 상기 제1 전극층 상에 식각 마스크(도시되지 않음)를 형성한 후, 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 제1 전극층을 패터닝함으로써, 인접하는 화소 영역들에서 서로 분리되는 제1 전극(410)들을 형성한다. 제1 전극(410)은 드레인 전극(390)에 접속되고, 절연층(400)의 돌출된 경사 구조(405)의 양측벽들과 상면 상에 배치된다. 제1 전극(410)이 돌출된 경사 구조(405) 상에 형성되기 때문에, 제1 전극(410)의 양측부도 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(410)의 양측부의 경사각은 각기 제1 기판(350)에 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 20°내지 약 70°정도가 될 수 있다.

도 23을 참조하면, 절연층(400)과 제1 전극(410) 상에 화소 정의막(415)을 형성하여 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역을 정의한다. 화소 정의막(415)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(415)은 상기 비발광 영역으로부터 상기 발광 영역에 위치하는 경사 구조(405)의 상부까지 연장될 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(415)은 상기 발광 영역에서 제1 전극(410)을 커버하도록 연장될 수 있다. 이 경우, 화소 정의막(415)에는 경사 구조(405)의 상면 상에 위치하는 제1 전극(410)을 노출시키는 개구가 형성된다. 화소 정의막(415)의 개구의 측벽은 상기 제5 경사각(θ3)과 다른 제6 경사각(θ4)을 가질 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(415)의 개구의 측벽의 제6 경사각(θ4)은 제1 기판(350)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 110°내지 약 160°정도가 될 수 있다. 화소 정의막(415)의 개구에 의해 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역이 정의될 수 있다. 한편, 경사 구조(405)의 측벽들 상부에 위치하는 화소 정의막(415)의 측부들은 경사 구조(405)의 측벽들 상에서 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.

유기 발광 구조물(420)은 화소 정의막(415)의 개구 내에서 제1 전극(410) 상에 형성된다. 예시적인 실시예들에 따르면, 유기 발광 구조물(420)은 화소 정의막(415)의 개구 내에 매립될 수 있다. 즉, 유기 발광 구조물(420)은 화소 정의막(415)의 개구를 완전히 채우면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 따라서, 유기 발광 구조물(420)의 측벽도 화소 정의막(415)의 개구의 제6 경사각(θ4)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 구조물(420)의 측벽은 제1 기판(350)에 실질적으로 평행한 축선에 대하여 약 110°내지 약 160°정도의 경사각을 가질 수 있다. 이에 따라, 돌출된 경사 구조(405)의 측벽, 제1 전극(410)의 측부 및 화소 정의막(415)의 측부의 경사각들에 대한 유기 발광 구조물(420)의 측부의 경사각의 비율은 약 1.0: 1.6 내지 약 1.0: 8.0 정도로 상대적으로 커질 수 있다. 유기 발광 구조물(420)은 각 화소마다 유기 발광층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 유기 발광 구조물(420)은 화소들에 따라 다양한 색광을 발생시킬 수 있는 발광 물질을 포함할 수 있지만, 이러한 다양한 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발생시키는 구성을 가질 수도 있다.

도 24를 참조하면, 화소 정의막(415)과 유기 발광 구조물(420) 상에 제2 전극(425)을 형성한다. 상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(425)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 제2 전극(425)은 화소 정의막(415)과 유기 발광 구조물(420) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 제2 전극(425) 중에서 돌출된 경사 구조(405)의 측벽에 인접하는 부분은 제5 경사각(θ3)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사각을 가질 수 있다.

제2 전극(425) 상에는 제2 보호막(430)이 형성된다. 제2 보호막(430)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 제2 보호막(430) 상에는 투명 절연 기판인 제2 기판(430)이 배치된다. 여기서, 상기 유기 발광 표시 장치의 비발광 영역에서 제2 보호막(430)과 제2 기판(450) 사이에는 소정의 공간(435)이 제공될 수 있다. 이러한 공간(435)에는 공기 또는 질소와 같은 불활성 기체 등이 충진될 수 있지만, 경우에 따라 광 투과성과 흡습성을 갖는 수지가 채워질 수도 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 추가적인 충진 물질의 존재에 따라 제2 전극(425)과 제2 기판(450) 사이에는 제2 보호막(430)이 형성되지 않을 수도 있다.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(410), 화소 정의막(415) 및 제2 전극(425)의 측부들이 각기 돌출된 형상을 갖는 경사 구조(405) 인하여 유기 발광 구조물(420)로부터 발생되는 광의 전반사를 방지할 수 있는 원하는 경사각을 가지기 때문에, 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율을 크게 향상시킬 수 있다. 특히, 유기 발광 구조물(420)이 화소 정의막(415)의 개구에 매립될 수 있으므로, 유기 발광 구조물(420)로부터 발생되어 상기 비발광 영역으로 진행되는 광을 돌출된 경사 구조(405) 상부에 위치하는 제2 전극(425)에 의해 다시 상기 발광 영역으로 반사시킬 수 있다.

본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서, 경사 구조를 갖는 절연층을 구비하는 유기 발광 표시 장치는 광학적 공진을 요구하지 않는 간단한 구성을 가지면서도 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 크게 향상된 광 효율을 가지기 때문에 상기 유기 발광 표시 장치가 나타내는 영상의 휘도, 콘트라스트, 측면 시인성 등을 개선시킬 수 있다.

5: 제1 절연막 10: 제1 리세스
15: 제2 절연막 20: 제2 리세스
25, 120, 255, 405: 경사 구조 30, 110, 245, 400: 절연층
50, 200, 350: 제1 기판 55, 205, 355: 버퍼층
60: 반도체 패턴 65, 215, 360: 게이트 절연막
70, 210, 363: 게이트 전극 75, 365: 소스 영역
80, 370: 드레인 영역 85, 375: 채널 영역
90, 380: 층간 절연막 95, 220, 385: 소스 전극
100, 225, 390: 드레인 전극 105, 235, 395: 제1 보호막
125, 133, 260, 300, 410: 제1 전극
128, 258: 절연층의 돌기 134, 303: 제1 전극의 돌출부
130, 265, 415: 화소 정의막
135, 155, 270, 315: 유기 발광 구조물
140, 275, 425: 제2 전극 145, 280, 430: 제2 보호막
150, 290, 450: 제2 기판 230: 액티브 패턴

Claims (27)

1. 제1 기판;
   상기 제1 기판 상에 배치되며, 경사 구조를 구비하는 절연층;
   상기 절연층 상에 배치되는 제1 전극;
   상기 절연층 및 상기 제1 전극 상에 배치되며, 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막;
   상기 발광 영역의 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기 발광 구조물;
   상기 화소 정의막 및 상기 유기 발광 구조물 상에 배치되는 제2 전극; 및
   상기 제2 전극 상에 배치되는 제2 기판을 포함하며,
   상기 경사 구조는 상기 절연층의 두께보다 작은 깊이로 상기 절연층의 일부에 배치되고,
   상기 경사 구조의 측벽과 상기 유기 발광 구조물의 측부는 동일한 경사각을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 경사 구조의 측벽 상에 위치하는 상기 제1 전극 상으로 연장되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 경사 구조의 상면 상에 위치하는 상기 제1 전극 상으로 연장되며, 상기 발광 영역에서 상기 제1 전극을 노출시키는 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
4. 제3항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 화소 정의막의 개구에 매립되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물의 측벽은 상기 제1 기판에 평행한 방향에 대해 110°내지 160°의 경사각을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 경사 구조의 측벽은 상기 제1 기판에 평행한 방향에 대해 20°내지 70°의 경사각을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 경사 구조 상에 위치하는 상기 제1 전극의 측부 및 상기 제2 전극의 측부는 각기 상기 경사 구조의 측벽과 동일한 경사각을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
8. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 상기 경사 구조에 형성되는 복수의 돌기들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
9. 제8항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 절연층의 돌기들 상에 형성되는 복수의 돌출부들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
10. 제9항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 돌출부들에 의해 구분되는 복수의 부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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