CN105514144B - 有机发光显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括第一基板、具有倾斜结构的绝缘层、第一电极、限定发光区和非发光区的像素限定层、有机发光结构、第二电极和第二基板。第一电极的侧向部分、第二电极的侧向部分和/或像素限定层的侧向部分可以具有用于防止从有机发光结构中产生的光的全反射的倾斜角，使得有机发光显示装置可以保证比传统有机发光显示装置的光效率大致高大约至少30％的光效率。

Description

有机发光显示装置

本申请为2012年06月29日向中国知识产权局申请的申请号为201210223710.1的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年6月29日提交的韩国专利申请No.10-2011-0063558和2012年6月1日提交的韩国专利申请No.10-2012-0059068的优先权和权益，这两个韩国专利申请公开的全部内容通过引用特此并入本申请。

技术领域

本发明的示例实施例涉及在绝缘层上形成倾斜结构的方法、有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法。更具体地说，本发明的示例实施例涉及在绝缘层上形成具有期望倾斜角的倾斜结构的方法、包括具有该倾斜结构的绝缘层的有机发光显示装置以及制造包括具有该倾斜结构的绝缘层的有机发光显示装置的方法。

背景技术

在平板显示装置中，即便有机发光显示(OLED)装置具有相对小的尺寸，其也可以具有多种期望的特性，例如高响应速度、较低功耗和宽视角。此外，可以用简单的构造在相对低的温度下制造有机发光显示装置，因此有机发光显示装置可以被认可成为下一代显示装置。

传统有机发光显示装置可以具有如下构造，在构造中阳极和阴极可以接连布置在覆盖在基板上设置的薄膜晶体管(TFT)的绝缘层上，并且有机发光层可以布置在阳极和阴极之间。然而，在传统有机发光显示装置中，从有机发光层中产生的光可能在这两个电极间全反射，使得传统有机发光显示装置的光效率可能显著下降。例如，由于光在阳极、有机发光层和阴极之间的反射，传统有机发光显示装置可能具有大约30％的光损耗。考虑到光的光损耗，有人提出一种包括在红色像素、绿色像素和蓝色像素中具有不同厚度的有机发光层的有机发光显示装置，以便引起红色光、绿色光和蓝色光的相长干涉。包括光学谐振结构的有机发光显示装置可以具有提高的光效率，然而由于由光的光学谐振导致的色移现象，这种有机发光显示装置可能具有差的侧面可视性。

发明内容

实施例的方面针对在绝缘层上形成具有期望倾斜角的倾斜结构的方法。

实施例的方面针对有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括具有含有期望倾斜角的倾斜结构的绝缘层，以提高该有机发光显示装置的光效率。

实施例的方面针对使用在绝缘层上形成具有期望倾斜角的倾斜结构的方法制造具有提高的光效率的有机发光显示装置的方法。

根据示例实施例，本发明提供一种在绝缘层上形成倾斜结构的方法。在在绝缘层上形成倾斜结构的方法中，可以在第一绝缘膜上形成第一凹槽。可以在具有所述第一凹槽的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，并且可以在所述第二绝缘膜上形成第二凹槽。可以通过对所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜执行回流工艺，从所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述倾斜结构。

在示例实施例中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每个可以包括有机材料、硅的化合物、金属和/或金属氧化物。例如，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每个可以包括光刻胶、丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、铝、镁、锌、铪、锆、钛、钽、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、镁氧化物、锌氧化物、铪氧化物和锆氧化物等。这些可以单独使用或将其组合使用。

在示例实施例中，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每个可以使用包括挡光区和半透射区的掩膜形成。

在示例实施例中，所述第一凹槽可以具有大致大于所述第二凹槽的深度的深度，并且所述第二凹槽可以具有大致大于所述第一凹槽的宽度的宽度。

在示例实施例中，可以在形成所述第一凹槽以后附加地对所述第一凹槽的侧壁和底部执行表面处理工艺。

在示例实施例中，所述回流工艺可以在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的熔点的大约50％到大约80％的范围内的温度下执行。

在示例实施例中，所述倾斜结构可以具有大致凹陷的形状或大致突出的形状。例如，所述倾斜结构的侧壁的倾斜角和所述第一凹槽的侧壁和所述第二凹槽的侧壁的倾斜角之间的比率可以处于大约1.0:0.2到大约1.0:1.8的范围内。

根据示例实施例，本发明提供了一种有机发光显示装置，其包括第一基板、绝缘层、第一电极、像素限定层、有机发光结构、第二电极和第二基板。所述绝缘层可以布置在所述第一基板上。所述绝缘层可以包括倾斜结构。所述第一电极可以布置在所述绝缘层上。所述像素限定层可以布置在所述绝缘层和所述第一电极上。所述像素限定层可以限定发光区和非发光区。所述有机发光结构可以布置在所述发光区中的所述第一电极上。所述第二电极可以布置在所述像素限定层和所述有机发光结构上。所述第二基板可以布置在所述第二电极上。

在示例实施例中，所述像素限定层可以在设置在所述倾斜结构的侧壁上的所述第一电极上延伸。

在一些示例实施例中，所述像素限定层可以在设置在所述倾斜结构的上表面上的所述第一电极上延伸，并且所述像素限定层可以具有暴露所述发光区中的所述第一电极的开口。所述有机发光结构可以埋在所述像素限定层的所述开口内。所述有机发光结构的侧壁可以具有相对于与所述第一基板大致平行的方向大约110°到大约160°的倾斜角。

在示例实施例中，所述倾斜结构的侧壁可以具有相对于与所述第一基板大致平行的方向大约20°到大约70°的倾斜角。所述第一电极在所述倾斜结构上的侧向部分和所述第二电极在所述倾斜结构上的侧向部分中的每个可以具有与所述倾斜结构的侧壁的倾斜角大致相同的倾斜角。

在示例实施例中，所述绝缘层可以具有在所述倾斜结构上形成的多个突起。所述第一电极可以具有分别在所述多个突起上形成的多个突出部分。所述有机发光结构可以具有被所述第一电极的所述多个突出部分分隔的多个部分。

在示例实施例中，所述倾斜结构可以具有大致凹陷的形状，并且所述倾斜结构的侧壁可以具有与所述有机发光结构的侧壁的倾斜角大致相同的倾斜角。

在示例实施例中，所述倾斜结构可以具有大致突出的形状，并且所述倾斜结构的侧壁的倾斜角和所述有机发光结构的侧壁的倾斜角之间的比率可以处于大约1.0:0.2到大约1.0:1.8或大约1.0:1.6到大约1.0:8.0的范围内。

根据示例实施例，本发明提供了一种制造有机发光显示装置的方法。在制造有机发光显示装置的方法中，可以在第一基板上形成绝缘层。可以在所述绝缘层上形成倾斜结构。可以在所述绝缘层上形成第一电极。可以在所述绝缘层和所述第一电极上形成像素限定层。可以通过部分地蚀刻所述像素限定层形成暴露在所述倾斜结构上设置的所述第一电极的开口。可以在所暴露的第一电极上形成有机发光结构。可以在所述像素限定层和所述有机发光结构上形成第二电极。可以在所述第二电极上形成第二基板。

在根据示例实施例形成所述绝缘层和所述倾斜结构中，可以在所述第一基板上形成第一绝缘膜。可以在所述第一绝缘膜上形成第一凹槽。可以在具有所述第一凹槽的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜。可以在所述第二绝缘膜上形成第二凹槽。可以通过对所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜执行回流，从所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述倾斜结构。

在根据示例实施例形成所述绝缘层和所述倾斜结构中，可以在所述第一基板上形成第一绝缘膜。可以在所述第一绝缘膜上形成第一凹槽。所述第一凹槽可以互相分离。可以在具有所述第一凹槽的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜。可以在所述第二绝缘膜的在所述第一凹槽上方的部分上形成第二凹槽。可以通过对所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜执行回流，形成具有在相邻凹槽间的突出形状的所述倾斜结构。

可以在所述倾斜结构的底部上形成多个突起。可以由所述多个突起形成所述第一电极的多个突出部分。部分的所述有机发光结构可以被所述第一电极的所述多个突出部分分隔。

根据示例实施例，具有所述突出形状或所述凹陷形状的所述倾斜结构可以提供所述第一电极的侧向部分、所述像素限定层的侧向部分和所述第二电极的侧向部分，这些侧向部分具有用于防止从所述有机发光结构中产生的光的全反射的期望的倾斜角。因此，包括所述倾斜结构的所述有机发光显示装置可以具有比传统有机发光显示装置的光效率大致高大约30％以上的光效率。此外，所述有机发光显示装置不需要任何附加的用于从所述有机发光结构中产生的光的光学谐振的结构，使得所述有机发光显示装置可以具有简化的构造，同时以提高的亮度、增加的对比度和扩大的视角等显示图像。

附图说明

从结合附图做出的下面描述中可以更详细地理解示例实施例，在附图中：

图1到图4是图示根据示例实施例的在绝缘层上形成倾斜结构的方法的剖面图；

图5到图11是图示依据示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图；

图12和图13是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图；

图14到图19是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图；

图20和图21是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图；以及

图22到图24是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。

具体实施方式

下面参照附图更全面地描述示例实施例。然而，本发明的构思可以以多种不同形式体现，并且不应认为局限于本发明中阐述的示例实施例。在附图中，为了清楚可能放大层和区域的尺寸和相对尺寸。

将理解，当元件或层称为“在另一元件或层上”、“与另一元件或层连接”或“与另一元件或层联接”时，其可以直接在另一元件或层上、与另一元件或层直接连接或与另一元件或层直接联接，或者可以存在位于中间的元件或层。相比之下，当元件称为“直接在另一元件或层上”、“直接与另一元件或层连接”或“直接与另一元件或层联接”时，没有位于中间的元件或层存在。在本发明全文中，同样或类似的附图标记表示同样或类似的元件。本发明中使用的术语“和/或”包括所关联列出项目中的一个或多个的任何一种组合和所有组合。

将理解，虽然在本发明中术语第一、第二、第三等可以用来描述多个元件、组件、区域、层、样式和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层、样式和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层、样式、或部分与别的区域、层、样式或部分区分开。因此，下面介绍的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分，而不背离示例实施例的教导。

在本发明中，为了便于描述，可以使用与空间有关的术语(例如“在……正下方”、“在……下方”、“较低的”、“在……上方”、“较高的”等等)来描述附图中图示的一个元件或特征与别的元件或特征的关系。将理解，与空间有关的术语旨在包括装置在使用或工作时除附图中所示的方向以外的不同方向。例如，如果附图中的装置被翻转，那么被描述为“在其它元件或特征下面”或“在其它元件或特征正下方”的元件会朝向“其它元件或特征上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两个方向。装置可以朝向别的方向(旋转90度或朝向其它方向)，相应地解释本发明中使用的与空间有关的描述符。

本发明中使用的术语仅是作为描述具体示例实施例用途，而不是旨在限制本发明的构思。本发明中使用的单数形式“一”、“一个”和“该”还旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。还将理解，术语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时，其指定存在所叙述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件或者由它们组成的组。

本发明中，参照剖面图示描述示例实施例，这些剖面图示是对本发明构思的图解性理想化的示例实施例(及中间结构)的示意图示。因此，将预见到由例如制造技术和/或制造公差导致的图示形状的变化。因而，示例实施例不应认为局限于本发明中图示的区域的特殊形状，而是应包括由例如制造导致的形状偏差。附图中图示的区域实际上是示意性的，它们的形状不旨在图示装置的区域的实际形状并且不旨在限制本发明构思的范围。

除非另外定义，否则本发明中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与由本发明构思属于的领域内普通技术人员通常理解的意义相同的意义。还将理解，那些例如在通常使用的词典中定义的术语应解释为具有与它们在相关领域的背景下的意义一致的意义并且不要从理想化或过于正式的意义上去理解，除非本发明中明确这样定义。

图1到图4是图示根据示例实施例的在绝缘层上形成倾斜结构的方法的剖面图。

参考图1，可以在目标物(未示出)上形成第一绝缘膜5。目标物可以包括基板、绝缘层、导电层等。此外，目标物可以包括具有开关元件、触点、焊盘、插头、电极、导电图案、绝缘图案等的下层结构。第一绝缘膜5可以具有足够覆盖下层结构的厚度。

在一些示例实施例中，可以对具有第一绝缘膜5的目标物执行平坦化工艺，以改进第一绝缘膜5的平面度。例如，可以对第一绝缘膜5执行化学机械抛光(CMP)工艺和/或回蚀工艺，使得第一绝缘膜5可以具有大致平的表面。

在示例实施例中，第一绝缘膜5可以包括有机材料。例如，第一绝缘膜5可以使用光刻胶、丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂等形成。这些可以单独使用或将其组合使用。在一些示例实施例中，第一绝缘膜5可以使用无机材料，例如硅化合物、金属、金属氧化物等形成。例如，第一绝缘膜5可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、硅碳氧化物(SiOxCy)、硅碳氮化物(SiCxNy)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、钽(Ta)、铝氧化物(AlOx)、钛氧化物(TiOx)、镁氧化物(MgOx)、锌氧化物(ZnOx)、铪氧化物(HfOx)、钽氧化物(TaOx)、锆氧化物(ZrOx)等。这些可以单独使用或将其组合使用。第一绝缘膜5可以通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、原子层沉积(ALD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)工艺、真空蒸镀工艺等形成。可以依据第一绝缘膜5中包含的材料选择用于形成第一绝缘膜5的工艺。

仍然参考图1，可以在第一绝缘膜5上方放置第一掩膜(未示出)。第一掩膜可以包括挡光区和半透射区。可以使用第一掩膜对第一绝缘膜5执行第一曝光工艺。例如，在第一曝光工艺中，第一绝缘膜5可以暴露于紫外线或激光。可选地，可以使用附加的蚀刻掩膜对第一绝缘膜5执行第一蚀刻工艺。第一曝光工艺和第一蚀刻工艺可以依据第一绝缘膜5中包含的材料选择性地执行。在示例实施例中，第一掩膜可以包括半色调掩膜、半色调狭缝掩膜(half tone slit mask)等。此外，第一掩膜可以包括与挡光区和/或半透射区邻近的透射区。

当第一绝缘膜5经历第一曝光工艺时，可以对第一绝缘膜5执行第一显影工艺或第一蚀刻工艺，以部分地除去经曝光的第一绝缘膜5。由此，可以在第一绝缘膜5上形成第一凹槽10。在示例实施例中，第一凹槽10可以具有从第一绝缘膜5的上表面起测量的相对大的第一深度。此外，第一凹槽10可以具有相对小的第一宽度。第一凹槽10的侧壁可以具有相对于与目标物(或者例如与第一绝缘膜5的上表面)大致平行的方向相对大的第一倾斜角。例如，第一凹槽10的侧壁的该第一倾斜角可以关于与目标物的上表面大致平行的轴线处于大约40°到大约90°的范围内。

参考图2，可以在上面具有第一凹槽10的第一绝缘膜5上形成第二绝缘膜15。第二绝缘膜15可以使用有机材料或无机材料形成。例如，第二绝缘膜15可以包括丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、硅氮化物、硅的氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、铝、镁、锌、铪、锆、钛、钽、铝氧化物、钛氧化物、镁氧化物、锌氧化物、铪氧化物、钽氧化物、锆氧化物等。这些可以单独使用或者将其组合使用。第二绝缘膜15可以通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、真空蒸镀工艺等形成。同样可以依据在第二绝缘膜15中包含的材料选择用于形成第二绝缘膜15的工艺。在示例实施例中，第二绝缘膜15可以包含与第一绝缘膜5的材料大致相同或大致类似的材料。可选地，第一绝缘膜5和第二绝缘膜15可以分别使用不同材料形成。

在示例实施例中，第二绝缘膜15可以设置在第一绝缘膜5上，而不填充第一凹槽10。也就是说，第一凹槽10可以位于第一绝缘膜5和第二绝缘膜15之间，因为第一凹槽10不会被第二绝缘膜15填充。为了实现这种包括第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的构造，可以对第一凹槽10执行表面处理工艺。例如，可以对第一凹槽10的底部和侧壁选择性地执行表面处理工艺。表面处理工艺可以包括等离子体处理工艺、疏水性处理工艺等。

参考图3，可以在将第二掩膜(未示出)放置在第二绝缘膜15上以后对第二绝缘膜15执行第二曝光工艺。第二掩膜可以包括挡光区和半透射区。同样可以使用紫外线或激光执行第二曝光工艺。第二掩膜同样可以包括半色调掩膜或半色调狭缝掩膜。此外，第二掩膜可以包括与挡光区和/或半透射区邻近的透射区。

可以对经曝光的第二绝缘膜15执行第二显影工艺或第二蚀刻工艺，使得可以在第二绝缘膜15上形成第二凹槽20。可以依据第二绝缘膜15中包含的材料选择性地对第二绝缘膜15执行第二显影工艺和第二蚀刻工艺。

在示例实施例中，第二凹槽20可以与第一凹槽10相通。第二凹槽20可以具有相对大的第二宽度和相对小的第二深度。也就是说，第二凹槽20的第二宽度可以大致大于第二凹槽10的第一宽度，而第二凹槽20的第二深度可以大致小于第一凹槽10的第一深度。此外，第二凹槽20可以包括具有相对于与目标物大致平行的轴线相对大的第二倾斜角的侧壁。例如，第二凹槽20的侧壁的第二倾斜角可以关于与目标物的上表面(或者例如与第二绝缘膜15的上表面)大致平行方向处于大约40°到大约90°的范围内。也就是说。第二凹槽20的第二倾斜角可以与第一凹槽10的第一倾斜角大致相同或大致近似。当第一凹槽10和第二凹槽20在第一绝缘膜5和第二绝缘膜15上形成时，在第一绝缘膜5和第二绝缘膜15之间可能设置阶梯形部分。

参考图4，可以对第一绝缘膜5和第二绝缘膜15执行回流工艺，以从第一凹槽10和第二凹槽20中形成倾斜结构25。在示例实施例中，回流工艺可以在第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的熔点(Tm)的大约50％到大约80％的温度下执行。例如，依据第一绝缘膜5和第二绝缘膜15中包含的成分，通过在大约100℃到大约300℃的温度下执行回流工艺大约30分钟到大约2小时，可以获得倾斜结构25。考虑到第一绝缘膜5和第二绝缘膜15中的成分，通过调整工艺时间和工艺温度，倾斜结构25可以包括具有期望倾斜角的侧壁。

在根据示例实施例的回流工艺中，第一绝缘膜5和第二绝缘膜15可以一体地合并，以提供具有倾斜结构25的绝缘层30。也就是说，第一凹槽10和第二凹槽20可以在回流工艺中变成倾斜结构25，使得可以在目标物上形成包括倾斜结构25的绝缘层30。

倾斜结构25可以具有相对大的第三深度，并且倾斜结构25的侧壁可以具有相对小的第三倾斜角θ1。换句话说，倾斜结构25的第三深度可以大致大于第一凹槽10的第一深度。例如，倾斜结构25的第三深度可以与第一凹槽10的第一深度和第二凹槽20的第二深度之和大致相同或大致近似。此外，倾斜结构25的第三倾斜角θ1可以大致小于第一凹槽10的第一倾斜角或第二凹槽20的第二倾斜角。

当倾斜结构25包括具有第三倾斜角θ1的侧壁时，倾斜结构25可以具有大致大于其下宽度的上宽度。例如，倾斜结构25的第三倾斜角θ1可以相对于与目标物的上表面(或者与例如第二绝缘膜15和第一绝缘膜5的上表面)大致平行的方向处于大约20°到大约70°的范围内。因此，第一凹槽10的第一倾斜角和倾斜结构25的第三倾斜角θ1之间的比值可以处于大约1.0:0.2到大约1.0:1.8的范围内。此外，第二凹槽20的第二倾斜角和倾斜结构25的第三倾斜角θ1之间的比率也可以处于大约1.0:0.2到大约1.0:1.8的范围内。倾斜结构25的第三倾斜角θ1可以依据回流工艺的工艺条件改变，例如工艺时间、工艺温度等。也就是说，可以调整回流工艺的工艺条件，以提供就有机发光显示装置的结构(例如发光方向)来说包括具有期望第三倾斜角θ1的侧壁的倾斜结构25。

当光可能入射到具有倾斜结构25的绝缘层30上时，入射光会在倾斜结构25的侧壁上反射。在此情况下，由包括在倾斜结构25中放置的多个层的发光结构(未示出)产生的光不会在发光结构的多个层和/或上反射层或下反射层之间全反射。也就是说，具有第三倾斜角θ1的倾斜结构25可以防止由发光结构产生的光的全反射。因此，由于具有第三倾斜角θ1的倾斜结构25(发光结构位于这里)的原因，可以提高由有机发光结构产生的光的效率。

如上文所述，绝缘层30可以具有带有凹陷形状的倾斜结构25。在一些示例实施例中，可以在绝缘层30上形成具有突出形状的倾斜结构。换句话说，可以通过与参照图1到图4描述的工艺大致类似的工艺获得具有突出形状的倾斜结构。当两个或更多个具有凹陷形状的倾斜结构以设定或预设的距离间隔形成在绝缘层30上时，可以在相邻的凹陷的倾斜结构之间设置具有突出形状的倾斜结构。因此绝缘层30可以具有突出的倾斜结构和凹陷的倾斜结构，或者可以通过除去凹陷的倾斜结构而仅具有突出的倾斜结构。根据一些示例实施例，可以在目标物上形成第一绝缘膜5，然后可以在第一绝缘膜5上以设定或预设的距离形成第一凹槽。第二绝缘膜15可以在第一绝缘膜5上通过将第一凹槽夹在二者中间的方式形成，然后可以在第二绝缘膜15的覆盖第一凹槽的部分上形成第二凹槽。当对第一绝缘膜5和第二绝缘膜15进行回流时，可以在由第一凹槽和第二凹槽的结合提供的相邻凹槽之间设置具有突出形状的倾斜结构。这里，突出的倾斜结构的侧壁可以具有与凹陷的倾斜结构的侧壁的倾斜角大致相同或大致近似的倾斜角。换句话说，相邻的突出倾斜结构和凹陷倾斜结构可以具有一个共同的侧壁。

图5到图11是图示依据示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。

参考图5，可以在第一基板50上设置第一缓冲层55。第一基板50可以包括透明绝缘基板。例如，第一基板50可以包括玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。用于第一基板50的透明树脂基板的示例可以包括聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯酸酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚醚树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、磺酸树脂等。

在一些示例实施例中，可以在在第一基板50上形成缓冲层55以前对第一基板50执行平坦化工艺。例如，可以对第一基板50执行化学机械抛光(CMP)工艺和/或回蚀工艺，使得第一基板50可以具有大致平的表面。在一些示例实施例中，依据第一基板50的平面度、第一基板50中包含的成分等，可以不在第一基板50上形成缓冲层55。

缓冲层55可以防止来自第一基板50的金属原子、金属离子和/或杂质在继续的工艺中扩散。缓冲层55还可以控制半导体图案60的继续的结晶工艺中的热传递速率，使得半导体图案60可以均匀地形成在缓冲层55上。此外，缓冲层55可以在第一基板50具有大致不规则的表面时改进第一基板50的平面度。缓冲层55可以使用硅的化合物形成。例如，缓冲层55可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、硅碳氧化物(SiOxCy)、硅碳氮化物(SiCxNy)等。这些可以单独使用或者将其组合使用。在一些示例实施例中，缓冲层55可以具有单层结构或多层结构。例如，缓冲层55可以包括硅氧化物膜、硅氮化物膜、硅氮氧化物膜、硅碳氧化物膜和/或硅碳氮化物膜。

半导体图案60可以形成在缓冲层55上。在示例实施例中，可以在缓冲层55上形成半导体层(未示出)，然后可以对半导体层图案化，以在缓冲层55的一部分上形成初步的半导体图案(未示出)。初步的半导体图案可以被结晶，以在缓冲层55的这一部分上提供半导体图案60。半导体层可以通过化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺、溅射工艺等形成。当半导体层包括非晶硅时，半导体图案60可以包括多晶硅。这里，用于形成半导体图案60的结晶工艺可以包括激光照射工艺、热处理工艺、使用催化剂的热工艺等。

在一些示例实施例中，可以在形成半导体层和/或初步的半导体图案以后对半导体层和/或初步的半导体图案执行脱氢工艺。脱氢工艺可以降低半导体层和/或初步的半导体图案中的氢含量，使得半导体图案60可以保证增强的电特性。

参考图6，可以在缓冲层55上形成栅绝缘层65，以覆盖半导体图案60。栅绝缘层65可以通过化学气相沉积工艺、旋转涂覆工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、印刷工艺等获得。栅绝缘层65可以包括硅氧化物、金属氧化物等。用于栅绝缘层65的金属氧化物的示例可以包括铪氧化物(HfOx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、钛氧化物(TiOx)、钽氧化物(TaOx)等。这些可以单独使用或将其组合使用。

栅绝缘层65可以沿着半导体图案60的轮廓大致均匀地形成在缓冲层55上。栅绝缘层65可以具有相对小的厚度，并且栅绝缘层65可能具有与半导体图案60邻近的阶梯形部分。在一些示例实施例中，在栅绝缘层65充分地覆盖半导体图案60的同时，栅绝缘层65可以具有大致平的表面。在此情况下，栅绝缘层65可以具有相对大的厚度。

可以在栅绝缘层65上形成栅电极70。栅电极70可以布置在栅绝缘层65的下面放置有半导体图案60的部分上。在示例实施例中，可以在栅绝缘层65上形成第一导电层(未示出)，可以使用附加蚀刻掩膜通过光刻工艺或蚀刻工艺将第一导电层图案化。因此，可以在栅绝缘层65上设置栅电极70。第一导电层可以使用溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺、真空蒸镀工艺、原子层沉积工艺、印刷工艺等形成。

栅电极70可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅电极70可以使用铝(Al)、含铝的合金、铝氮化物(AlNx)、银(Ag)、含银的合金、钨(W)、钨氮化物(WNx)、铜(Cu)、含铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、铬氮化物(CrNx)、钼(Mo)、含钼的合金、钛(Ti)、钛氮化物(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、锌氧化物(ZnOx)、铟锡氧化物(ITO)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(InOx)、镓氧化物(GaOx)、铟锌氧化物(IZO)等形成。这些可以单独使用或者将其组合使用。在示例实施例中，栅电极70可以具有包括上面提到的金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物或透明导电材料的单层结构。在一些示例实施例中，栅电极70可以具有包括上面提到的金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物和/或透明导电材料的多层结构。

虽然图6中未示出，但是在形成栅电极70时，可以在栅绝缘层65的一部分上形成栅极线。栅电极70可以与栅极线电接触，并且栅极线可以沿第一方向在栅绝缘层65上延伸。

通过使用栅电极70作为注入掩膜，杂质可以注入半导体图案60内，使得可以在半导体图案60中形成源区75和漏区80。通过控制离子注入工艺的离子注入能量，穿过栅电极70的杂质可以注入半导体图案60的侧向部分内。这里，半导体图案60的在栅电极70下方的中央部分没有注入的杂质，使得半导体图案60的该中央部分可以担当源区75和漏区80之间的沟道区85。换句话说，可以依据源区75和漏区80的形成限定沟道区85。在一些示例实施例中，可以在栅绝缘层65的与栅电极70邻近的部分上设置掩膜(未示出)，然后可以使用该掩膜和栅电极70作为注入掩膜同时地形成源区75和漏区80。

在示例实施例中，栅电极70可以具有大致小于半导体图案60的宽度的宽度。例如，栅电极70可以具有与沟道区85的宽度大致相同或大致近似的宽度。然而，依据开关器件所需的电特性，栅电极70的尺寸和沟道区85的尺寸可以改变。

参考图7，可以在栅绝缘层65上形成绝缘夹层(interlayer)90，以覆盖栅电极70。绝缘夹层90可以沿栅电极70的轮廓大致均匀地形成在栅绝缘层65上。因此，绝缘夹层90可能具有与栅电极70邻近的阶梯形部分。绝缘夹层90可以包括硅的化合物。例如，绝缘夹层90可以使用硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物等形成。这些可以单独使用或将其混合使用。绝缘夹层90可以具有包括硅氧化物膜、硅氮化物膜、硅氮氧化物膜、硅碳氧化物膜和/或硅碳氮化物膜的单层结构或多层结构。这里，绝缘夹层90可以通过旋转涂覆工艺、化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺等获得。绝缘夹层90可以使栅电极70与继续形成的源电极95和漏电极100电绝缘。

源电极95和漏电极100可以形成在绝缘夹层90上。可以通过将栅电极70作为中心以设定或预设的距离间隔布置源电极95和漏电极100。源电极95和漏电极100每个可以与栅电极70相邻。例如，源电极95和漏电极100分别可以从绝缘夹层90的在源区75和漏区80上方的部分延伸到绝缘夹层90的在栅电极70上方的部分上。此外，源电极95和漏电极100分别可以穿过绝缘夹层90来与源区75和漏区80电接触。

在示例实施例中，可以对绝缘夹层90部分地蚀刻，以形成分别暴露源区75和漏区80的孔(未示出)。可以在绝缘夹层90上形成第二导电层(未示出)，以填满这些孔。通过将第二导电层图案化，可以在源区75和漏区80上形成源电极95和漏电极100，如图7中所示。第二导电层可以通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺、真空蒸镀工艺、原子层沉积工艺、印刷工艺等形成。源电极95和漏电极100每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，源电极95和漏电极100每个可以使用铝、含铝的合金、铝氮化物、银、含银的合金、钨、钨氮化物、铜、含铜的合金、镍、铬、铬氮化物、钼、含钼的合金、钛、钛氮化物、铂、钽、钽氮化物、钕(Nd)、钪(Sc)、锶钌氧化物、锌氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、铟氧化物、镓氧化物、铟锌氧化物等形成。这些可以单独使用或将其组合使用。此外，源电极95和漏电极100每个可以具有可包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层结构或多层结构。

虽然未示出，但是在形成源电极95和漏电极100时，可以在绝缘夹层90上形成沿第二方向延伸的数据线。这里，第二方向可以与栅极线延伸的第一方向大致垂直。源电极95可以电连接到数据线上。

当在绝缘夹层90上形成源电极95和漏电极100时，可以在第一基板50上设置有机发光显示装置的开关器件。开关器件可以是包括半导体图案60、栅绝缘层65、栅电极70、源电极95和漏电极100的薄膜晶体管。

参考图8，可以在绝缘夹层90上形成第一保护层105，以覆盖源电极95和漏电极100。第一保护层105可以具有完全覆盖源电极95和漏电极100的足够的厚度。第一保护层105可以包括有机材料或无机材料。例如，第一保护层105可以使用光刻胶、丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、铝、镁、锌、铪、锆、钛、钽、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、镁氧化物、锌氧化物、铪氧化物、锆氧化物等形成。这些可以单独使用或将其组合使用。根据第一保护层105中的成分，第一保护层105可以通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、真空蒸镀工艺等获得。在一些示例实施例中，依据继续形成的绝缘层110的成分和/或尺寸，可以不形成覆盖开关器件的第一保护层105。

参考图8和图9，可以在第一保护层105上形成具有倾斜结构120的绝缘层110。绝缘层110可以具有单层结构，或者可以具有包括两个以上绝缘膜的多层结构。在示例实施例中，绝缘层110可以包括在第一保护层105上相继形成的第一绝缘膜和第二绝缘膜。用于形成具有第一绝缘膜和第二绝缘膜的绝缘层110的工艺可以与参照图1和图2描述的用于形成第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的工艺大致相同或大致类似。此外，绝缘层110的第一绝缘膜和第二绝缘膜可以分别包括与第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的材料大致相同或大致类似的材料。

如图8和图9中所示，可以在绝缘层110上设置具有第四倾斜角θ2的倾斜结构120。也就是说，倾斜结构120的侧壁可以具有第四倾斜角θ2。此外，可以穿过绝缘层110和第一保护层105形成孔115，以部分地暴露漏电极100。在示例实施例中，孔115可以在在绝缘层110上形成倾斜结构120的同时形成。在一些示例实施例中，可以在在绝缘层110上形成倾斜结构120以后，穿过绝缘层110和第一保护层105形成暴露漏电极100的一部分的孔115。

绝缘层110的倾斜结构120可以通过与参照图1到图4描述的用于形成绝缘层30的倾斜结构25的工艺大致相同或大致类似的工艺形成。此外，倾斜结构120的侧壁的第四倾斜角θ2可以与上面描述的倾斜结构25的侧壁的第三倾斜角θ1大致相同或大致类似。例如，倾斜结构120的侧壁的第四倾斜角θ2可以相对于与第一基板50大致平行的方向处于大约20°到大约70°范围内。

如图9中所示，可以在绝缘层110上设置具有凹陷形状的倾斜结构120。当倾斜结构120具有这种凹陷形状时，包括绝缘层110的有机发光显示装置可以具有顶部发射结构(或顶部发射方向)。换句话说，如果绝缘层110包括凹陷的倾斜结构120，那么有机发光显示装置可以具有顶部发射结构。

可以在具有倾斜结构120的绝缘层110上形成填充孔115的第一电极125。第一电极125可以与漏电极100接触，并且可以在倾斜结构120的侧壁和底部上延伸。因此，第一电极125的放置在倾斜结构120中的侧向部分可以具有与倾斜结构120的第四倾斜角θ2大致相同或大致类似的倾斜角。例如，第一电极125在倾斜结构120中的侧向部分可以具有相对于与第一基板50(或例如与第一基板50的上表面)大致平行的轴线处于大约20°到大约70°范围内的倾斜角。

当有机发光显示装置具有顶部发射结构时，第一电极125可以包括反射材料。例如，第一电极125可以使用铝、银、金(Au)、铬、钨、钼、钛、钯(Pa)、铱(Ir)、它们的合金等形成。这些可以单独使用或者将其组合使用。此外，第一电极125可以具有包括上面提到的金属和/或合金的单层结构或多层结构。

在示例实施例中，可以在绝缘层110上形成第一电极层(未示出)，以填满暴露漏电极100的孔115，然后可以将第一电极层图案化，以在具有倾斜结构120的绝缘层110上设置第一电极125。这里，根据第一电极125中的成分，第一电极层可以通过溅射工艺、真空蒸镀工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺、印刷工艺、原子层沉积工艺等形成。如下面描述的，第一电极125可以从有机发光显示装置的发光区延伸到该有机发光显示装置的非发光区的一部分上。

在一些示例实施例中，可以在穿过第一保护层105和绝缘层110形成的孔115中的暴露的第一电极125上形成接触结构(未示出)或焊盘结构(未示出)，然后可以在绝缘层110上形成接触该接触结构或该焊盘结构的第一电极125。在此情况下，第一电极125可以通过该接触结构或该焊盘结构电连接到漏电极100上。

现参考图10，可以在绝缘层110和第一电极125上形成像素限定层130。像素限定层130可以使用有机材料或无机材料形成。例如，像素限定层130可以使用光刻胶、聚丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、丙烯酰基类树脂、硅的化合物等。这些可以单独使用或将其组合使用。

可以对像素限定层130部分地蚀刻，以形成在第一电极125的一部分上的开口。例如，像素限定层130的开口可以使用附加蚀刻掩膜通过光刻工艺或蚀刻工艺形成。在示例实施例中，像素限定层130的开口的侧壁可以具有与倾斜结构120的第四倾斜角θ2大致相同或大致类似的倾斜角。例如，像素限定层130的开口的侧壁可以具有关于与第一基板50大致平行的方向处于大约20°到大约70°范围内的倾斜角。

当在像素限定层130上设置开口时，可以限定有机发光显示装置的发光区和非发光区。也就是说，包括像素限定层130的开口的区域可以对应于发光区，而与像素限定层130的开口相邻的区域可以对应于非发光区。绝缘层110的倾斜结构120可以放置在发光区内。在发光区中，第一电极125可以大致均匀地形成在倾斜结构120的底部和侧壁上。像素限定层130可以延伸到发光区的一部分上，使得像素限定层130可以位于倾斜结构120的侧壁和倾斜结构120的底部的一部分上。换句话说，像素限定层130可以覆盖第一电极125在发光区中的侧向部分。因此，像素限定层130在发光区中的部分(即开口的侧壁)可以具有与倾斜结构120的第四倾斜角θ2大致相同或大致类似的倾斜角。例如，在发光区中的像素限定层130可以具有相对于与第一基板50大致平行的轴线处于大约20°到大约70°范围内的倾斜角。

可以在发光区中的像素限定层130和第一电极125上形成有机发光结构135。在示例实施例中，有机发光结构135可以具有包括有机发光层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的多层结构。根据有机发光显示装置的像素，有机发光结构135可以包括用于产生多种颜色的光(例如红色光、绿色光、蓝色光等)的多种发光材料。在一些示例实施例中，有机发光结构135可以具有多层结构，该多层结构包括用于产生混合了红色光、绿色光和蓝色光的白色光的堆叠的发光材料膜。在其它示例实施例中，有机发光结构135可以附加地包括具有大致大于发光材料的带隙的带隙的基质材料。

在示例实施例中，有机发光结构135可以布置在发光区中的倾斜结构120上。此外，有机发光结构135可以与发光区中的第一电极125和像素限定层130接触。换句话说，有机发光结构135的底部可以放置在第一电极125上，有机发光结构135的侧向部分可以与像素限定层130接触。因此，有机发光结构135的侧向部分可以具有与倾斜结构120的侧壁的第四倾斜角θ2大致相同或大致类似的倾斜角。例如，有机发光结构135的侧向部分可以具有关于与第一基板50大致平行的轴线大约20°到大约70°的倾斜角。

可以在有机发光结构135和像素限定层130上形成第二电极140。第二电极140可以均匀地形成在像素限定层130和有机发光结构135上。当有机发光显示装置具有顶部发射结构时，第二电极140可以包括透明导电材料。例如，第二电极140可以使用铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌氧化物、锡氧化物、镓氧化物等形成。这些可以单独使用或将其混合使用。

在示例实施例中，第二电极140可以从发光区延伸到非发光区。在一些示例实施例中，第二电极140可以仅布置在发光区中。例如，第二电极140可以形成在有机发光结构135和像素限定层130的一部分(例如开口的侧壁)上。这里，第二导电层(未示出)可以形成在有机发光结构135和像素限定层上，然后可以对第二导电层图案化，以提供发光区中的像素限定层140。

根据倾斜结构120的侧壁的第四倾斜角θ2，第二电极140可以具有与第四倾斜角θ2大致相同或大致类似的倾斜角。例如，第二电极140在发光区中的像素限定层130上的侧向部分可以具有相对于与第一基板50大致平行的轴线处于大约20°到大约70°范围内的倾斜角。

就具有下电极、有机发光层和上电极的传统有机发光显示装置来说，从有机发光层中产生的光可能在下电极和上电极之间全反射。因此，由于光的全反射，传统有机发光显示装置可能具有大约30％的光损耗。然而，根据示例实施例的有机发光显示装置可以包括具有凹陷形状的倾斜结构120，使得第一电极125的侧向部分、有机发光结构135的侧向部分和第二电极140的侧向部分可以具有用于防止从有机发光结构135中产生的光的全反射的倾斜角。因此，根据示例实施例的有机发光显示装置可以保证比传统有机发光显示装置的光效率大致高至少约30％的大大提高的光效率。此外，根据示例实施例的有机发光显示装置可以不需要相对复杂的用于从有机发光结构135中产生的光的光学谐振的构造，使得该有机发光显示装置可以具有比传统有机发光显示装置的构造大致更简单的构造。而且，由于简化的构造，根据示例实施例的有机发光显示装置可以保证扩大的视角。

参考图11，可以在第二电极140上形成第二保护层145。第二保护层145可以从发光区延伸到非发光区。第二保护层145可以包括有机材料或无机材料。例如，第二保护层145可以使用光刻胶、丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、铝、镁、锌、铪、锆、钛、钽、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、镁氧化物、锌氧化物、铪氧化物、锆氧化物等形成。这些可以单独使用或将其组合使用。考虑到第二保护层145中包含的成分，第二保护层145可以通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、真空蒸镀工艺等获得。

可以在第二保护层145上布置第二基板150。第二基板150可以包括透明绝缘基板，例如玻璃基板、透明塑料基板、透明陶瓷基板等。在示例实施例中，第二保护层145和第二基板150之间在发光区中的间隔148可以充满空气或惰性气体，例如氮气。在一些示例实施例中，发光区中的间隔148可以充满具有透光率和吸湿性的树脂。

图12和图13是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。除绝缘层、第一电极和有机发光结构以外，图12和图13中示出的方法可以提供具有与参照图5到图11描述的有机发光显示装置的构造大致相同或大致类似的构造的有机发光显示装置。然而，本领域普通技术人员可理解，该方法可以提供具有开关器件、保护层、电极、绝缘层、有机发光结构等的多种构造的其它有机发光显示装置。

参考图12，可以通过与参照图7和图8描述的工艺大致相同或大致类似的工艺在第一基板50上设置缓冲层55、开关器件和第一保护层105。

可以在第一保护层105上形成绝缘层110。绝缘层110可以包括倾斜结构120和暴露漏电极100的一部分的孔。可以在绝缘层110的倾斜结构120的底部上形成多个突起128。也就是说，突起128可以形成在绝缘层110的与倾斜机构120的底部对应的表面上。绝缘层110的倾斜结构120可以通过与参照图1到图4描述的工艺大致相同或大致类似的工艺获得。在示例实施例中，绝缘层110的突起128可以通过对绝缘层110的表面(即倾斜结构120的底部)执行曝光工艺、显影工艺和/或部分蚀刻工艺来形成。这里，突起128可以使用半色调掩膜或半色调狭缝掩膜获得。例如，绝缘层110的每个突起128可以具有多种平面形状，例如大致圆形形状、大致椭圆形形状、大致锥形形状、大致菱形形状、大致三角形形状等。此外，每个突起128可以具有多种三维形状，例如大致岛体形状、大致条体形状、大致杆体形状、大致六面体形状等。

可以在具有倾斜结构120和突起128的绝缘层110上形成填充孔的第一电极133。在倾斜结构120的与有机发光显示装置的发光区对应的底部上，第一电极133可以具有分别接触突起128的多个突出部分134。此外，第一电极133位于倾斜结构120的侧壁上的侧向部分可以具有期望的倾斜角。这里，第一电极133的突出部分134可以具有与绝缘层110的突起128的形状大致相同或大致类似的形状，这是因为可以使突出部分134由突起128形成。在示例实施例中，从有机发光结构155中产生的光(参见图13)可以被第一电极133的突出部分134有效地反射，使得有机发光显示装置可以具有更加提高的光效率。

参考图13，可以在绝缘层110和第一电极133上形成像素限定层130。像素限定层130可以使用有机材料或无机材料形成。可以对像素限定层130部分地蚀刻，以形成暴露第一电极133的突出部分134的开口。在此情况下，像素限定层130的开口的侧壁可以具有与倾斜结构120的侧壁的倾斜角大致相同或大致类似的倾斜角。

当形成像素限定层130的开口时，可以限定有机发光显示装置的发光区和非发光区。这里，像素限定层130的开口所处的第一区域可以是发光区，并且与第一区域相邻的第二区域可以是非发光区。绝缘层110的倾斜结构130可以位于发光区内，并且具有突出部分134的第一电极133可以大致均匀地布置在发光区中的倾斜结构120的底部和侧壁上。此外，像素限定层130可以延伸到发光区内，使得像素限定层130可以位于倾斜结构120的侧壁上以及位于倾斜结构120的底部的一部分上。从而，像素限定层130在发光区中的部分可以具有与倾斜结构120的倾斜角大致相同或大致类似的倾斜角。

可以在发光区中的像素限定层130和第一电极133上形成有机发光结构155。有机发光结构155可以具有包括有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等的多层结构。有机发光结构155可以与发光区中的第一电极133和像素限定层130接触。因此，有机发光结构155的侧向部分可以具有与倾斜结构120的侧壁的倾斜角大致相同或大致类似的倾斜角。

在示例实施例中，第一电极133可以包括在发光区中的突出部分134，使得有机发光结构155可以具有多个大致分别与突出部分134对应的凹槽、凹坑或凹痕。也就是说，有机发光结构155的下面部分可以包括具有大致由第一电极133的突出部分134导致的形状的凹槽、凹坑或凹痕。由此，有机发光结构155可以具有被第一电极133的突出部分134分隔的多个部分。也就是说，有机发光结构155可以被由第一电极133的突出部分134形成的凹槽、凹坑或凹痕分隔成多个部分。

现参考图13，可以在有机发光结构155和像素限定层130上形成第二电极140。根据有机发光显示装置的发射结构(或发射方向)，第二电极140可以包括透明导电材料。此外，发光区中的第二电极140可以具有与倾斜结构120的倾斜角大致相同或大致类似的倾斜角。

可以在第二电极140上形成第二保护层145。第二保护层145可以从发光区延伸到非发光区内。第二保护层145同样可以使用有机材料或无机材料形成。

可以在第二保护层145上设置第二基板150。第二基板150可以包括透明绝缘基板，例如玻璃基板、透明陶瓷基板、透明塑料基板等。第二保护层145和第二基板150之间的间隔148可以充满空气、惰性气体(例如氮气)、具有透光率和吸湿性的树脂等。在一些示例实施例中，根据间隔148中的附加填充材料，在第二电极140和第二基板之间可以不形成第二保护层145。

图14到图19是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。除开关器件和具有倾斜结构的绝缘层以外，图14到图19中示出的方法可以提供具有与参照图5到图11描述的有机发光显示装置的构造大致相同或大致类似的构造的有机发光显示装置。然而，本领域普通技术人员可理解，该方法可以提供具有开关器件、保护层、电极、绝缘层、有机发光结构等的多种构造的其它有机发光显示装置。

参考图14，可以在第一基板200上形成缓冲层205，然后可以在缓冲层205上形成栅电极210。缓冲层205可以使用硅的化合物通过化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、旋转涂覆工艺或高密度等离子体化学气相沉积工艺在第一基板200上形成。

栅电极210可以使用金属、合金、金属化合物和/或透明导电材料形成，并且可以在缓冲层205的一部分上设置栅极线(未示出)。栅电极210和栅极线可以在在缓冲层205上形成第一导电层(未示出)以后通过部分地蚀刻第一导电层来获得。在一些示例实施例中，当在第一基板200上未设置缓冲层205时，可以在第一基板200上直接形成栅电极210和栅极线。

参考图15，可以在缓冲层205上形成栅绝缘层215，以覆盖栅电极210。栅绝缘层215可以使用硅氧化物和/或金属氧化物通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、印刷工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、真空蒸镀工艺或旋转涂覆工艺在缓冲层205上形成。

栅绝缘层215可以沿栅电极210的轮廓大致均匀地形成在缓冲层205上。这里，栅绝缘层215可能具有与栅电极210邻近的阶梯形部分。在一些示例实施例中，栅绝缘层215在充分覆盖栅电极210时可以具有大致平的表面。为保证栅绝缘层215具有大致平的表面，可以对栅绝缘层215执行包括化学机械抛光工艺和/或回蚀工艺的平坦化工艺。

参考图16，可以在栅绝缘层215上形成源电极220和漏电极225。源电极和漏电极每个可以使用金属、合金、金属化合物、透明导电材料等形成。可以在栅绝缘层215的一部分上形成数据线(未示出)，使得数据线可以连接到源电极220上。数据线可以沿与栅极线的方向大致垂直的方向延伸。在示例实施例中，可以在栅绝缘层215上形成第二导电层(未示出)，然后第二导电层可以部分地被蚀刻，以提供在栅绝缘层215上的数据线、源电极220和漏电极225。这里，第二导电层可以通过溅射工艺、真空蒸镀工艺、印刷工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺等形成。

通过栅电极210作为中心，源电极220和漏电极225可以互相分离设定或预设的距离。当栅绝缘层215具有阶梯形部分时，源电极220和漏电极225每个也可能具有由栅绝缘层215的阶梯形部分导致的阶梯形部分。在形成源电极220和漏电极225以后，栅绝缘层215的一部分可以在栅电极210上方暴露。

可以在所暴露的栅绝缘层215、源电极220和漏电极225上形成有源图案230。有源图案230可以使用半导体氧化物形成。例如，有源图案230可以包括铟-镓-锌氧化物(IGZO)、镓锌氧化物(GaZnxOy)、铟锡氧化物(ITO)、镓锌氧化物(IZO)、锌镁氧化物(ZnMgxOy)、锌锡氧化物(ZnSnxOy)、锌锆氧化物(ZnZrxOy)、锌氧化物(ZnOx)、镓氧化物(GaOx)、钛氧化物(TiOx)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(SnOx)、铟-镓-铪氧化物(IGHO)、锡-铝-锌氧化物(TAZO)、铟-镓-锡氧化物(IGSO)等。这些可以单独使用或将其组合使用。

在示例实施例中，可以在源电极220、漏电极225和栅绝缘层215上形成有源层(未示出)，然后可以对有源层图案化，以提供在源电极220、栅电极225和栅绝缘层215上的有源图案230。有源层可以通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、印刷工艺、喷涂工艺、真空蒸镀工艺、原子层沉积工艺、溶胶-凝胶工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺等获得。

当形成有源图案230时，可以在第一基板200上设置开关器件。开关器件可以包括栅电极210、栅绝缘层215、源电极220、漏电极225和有源图案230。这里，开关器件可以是氧化物半导体器件。

参考图17，可以在栅绝缘层215上形成第一保护层235，以覆盖有源图案230、漏电极225和源电极220。第一保护层235可以具有足够覆盖有源图案230的相对大的厚度。第一保护层235可以使用有机材料或无机材料通过旋转涂覆工艺、溅射工艺、印刷工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺或真空蒸镀工艺形成。在一些示例实施例中，根据继续形成的绝缘层245的成分和/或尺寸，可以不提供第一保护层235。

可以在第一保护层235上形成绝缘层245。绝缘层245可以具有包括两个以上绝缘膜的多层结构。这里，绝缘层245的绝缘膜可以包括与第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的材料大致相同或大致类似的材料。此外，绝缘层245的绝缘膜可以通过与形成第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的工艺大致相同或大致类似的工艺在第一保护层235上形成。

可以在绝缘层245上形成倾斜结构255。倾斜结构255的侧壁可以具有第五倾斜角θ3。在示例实施例中，可以在第一保护层235上形成第一绝缘膜(未示出)，然后可以在第一绝缘膜上形成第一凹槽(未示出)。第一凹槽可以间隔开设定或预设的距离。这里，相邻第一凹槽间的距离可以与具有继续形成的突出形状的倾斜结构255的宽度大致相同或大致类似。在第二绝缘膜(未示出)可以在第一绝缘膜上通过将第一凹槽夹在二者中间的方式形成以后，可以对第二绝缘膜在第一凹槽上方的部分蚀刻。因此，可以穿过第二绝缘膜形成第二凹槽。第二凹槽可以与第一凹槽相通。然后，可以对第一绝缘膜和第二绝缘膜进行回流，以提供具有突出形状的倾斜结构255。在此情况下，倾斜结构255可以放置在通过第一凹槽和第二凹槽结合形成的相邻凹槽之间。例如，倾斜结构255可以布置在相邻的两个凹槽之间。倾斜结构255的第五倾斜角θ3可以与相邻凹槽的侧壁的倾斜角大致相同或大致类似。例如，突出的倾斜结构255的第五倾斜角θ3可以是关于与第一基板200大致平行的方向大约20°到大约70°。

现参考图17，可以穿过绝缘层245和第一保护层235形成部分暴露漏电极225的孔250。这种孔250可以在在绝缘层245上形成突出的倾斜结构255的同时形成。可替代地，孔250可以在形成倾斜结构255以后穿过绝缘层245和第一保护层235形成。

在示例实施例中，倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角θ3可以与参照图4描述的倾斜结构25的侧壁的第三倾斜角θ1大致相同或大致类似。当绝缘层245的倾斜结构255具有突出形状时，如图17中所示，有机发光显示装置可以具有底部发射结构(或底部发射方向)。

参考图18，可以在具有突出的倾斜结构255的绝缘层245上形成填充孔250的第一电极260。第一电极260可以与漏电极225接触，并且可以位于倾斜结构255的两个侧壁和上表面上。第一电极260可以覆盖突出的倾斜结构255，使得第一电极260的侧向部分每个可以具有与倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角θ3大致相同或大致类似的倾斜角。例如，第一电极260的侧向部分可以具有相对于与第一基板200大致平行的轴线处于大约20°到大约70°范围内的倾斜角。

可以在绝缘层245和第一电极260上形成像素限定层265，以限定有机发光显示装置的发光区和非发光区。像素限定层265可以使用有机材料或无机材料形成。像素限定层265可以从非发光区延伸到发光区中的倾斜结构255的侧壁上。也就是说，像素限定层265可以不布置在倾斜结构255的上表面上。像素限定层265可以放置在在倾斜结构255的侧壁上放置的第一电极260上，使得像素限定层265的侧向部分每个可以具有与倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角θ3大致相同或大致类似的倾斜角。

可以在第一电极260和像素限定层265的一部分上形成有机发光结构270。有机发光结构270可以具有包括有机发光层的多层结构。虽然根据有机发光显示装置的像素，有机发光结构270可以包括多种发光材料，但是有机发光结构270可以包括用于产生白色光的堆叠的发光材料。

在示例实施例中，有机发光机构270可以仅布置在发光区中。例如，有机发光结构270可以在倾斜结构255在发光区中的上表面和像素限定层265在发光区中的那部分上形成。因此有机发光结构270的侧向部分每个可以具有相对大的倾斜角。例如，有机发光结构270的侧向部分可以具有关于与第一基板200大致平行的轴线处于大约40°到大约90°范围内的倾斜角。由此，有机发光结构270的侧向部分与倾斜结构255的侧壁或像素限定层265的侧向部分之间的比率可以处于大约1.0:0.2到大约1.0:1.8的范围内。

参考图19，可以在像素限定层265和有机发光结构270上形成第二电极275。当有机发光显示装置具有底部发射结构时，第二电极275可以包括反射材料。第二电极275可以大致均匀地形成在像素限定层265和有机发光结构270上。这里，第二电极275的与倾斜结构255的侧壁相邻的部分可以具有与倾斜结构255的第五倾斜角θ3大致相同或大致类似的倾斜角。

可以在第二电极275上形成第二保护层280。第二保护层280可以包括有机材料或无机材料，并且可以从发光区延伸到非发光区。可以在第二保护层280上布置第二基板290。这里，可以在第二保护层280和第二基板290之间形成设定或预设的间隔285。这种间隔285可以充满空气或惰性气体，例如氮气。可替代地，该间隔285可以充满具有透光率和吸湿性的树脂。在一些示例实施例中，如果在第二电极275上可以形成附加填充材料，那么在第二电极275和第二基板290之间可以不设置第二保护层280。

根据示例实施例，由于倾斜结构255具有突出的形状，所以第一电极260的侧向部分、像素限定层265的侧向部分和第二电极275的侧向部分每个可以具有期望的用于防止从有机发光结构270中产生的光的全反射的倾斜角。因此，有机发光显示装置可以具有大大提高的光效率。

图20和图21是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。除绝缘层、第一电极和有机发光结构以外，图20到图21中示出的方法可以提供具有与参照图5到图11描述的有机发光显示装置的构造大致相同或大致类似的构造的有机发光显示装置。然而，本领域普通技术人员可理解，该方法可以提供具有开关器件、保护层、电极、具有倾斜结构的绝缘层、有机发光结构等的多种构造的其它有机发光显示装置。

参考图20，可以在第一基板200上通过与参照图14到图17描述的工艺大致相同或大致类似的工艺形成开关器件、第一保护层235和具有倾斜结构255的绝缘层245。

如图20中所示，可以通过执行与参照图12描述的工艺大致相同或大致类似的工艺在突出的倾斜结构255上形成多个突起258。因此，绝缘层245可以具有多个突起258，并且突出的倾斜结构255的侧壁每个可以具有第五倾斜角θ3。

可以在具有倾斜结构255的绝缘层245上形成第一电极300，以填满穿过绝缘层245和第一保护层235形成的孔。第一电极300的侧向部分每个可以具有与倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角θ3大致相同或大致类似的倾斜角。此外，第一电极300可以具有由绝缘层245的突起258导致的多个突出部分303。

可以在第一电极300和绝缘层245上形成用于限定发光区和非发光区的像素限定层265。像素限定层265可以从非发光区延伸到设置在发光区中的倾斜结构255的侧壁上。像素限定层265可以位于在突出的倾斜结构255的侧壁上放置的第一电极300上，使得像素限定层265的侧向部分可以具有与倾斜结构255的侧壁的第五倾斜角θ3大致相同或大致类似的倾斜角。

可以在第一电极300和像素限定层265上形成有机发光结构315。在示例实施例中，有机发光结构315可以仅布置在突出的倾斜结构255的上表面和像素限定层265的一部分上。因此，有机发光结构315的侧向部分每个可以具有相对大的倾斜角。当有机发光结构315形成在具有突出部分303的第一电极300上时，有机发光结构315可以包括多个与突出部分303对应的凹槽、凹坑或凹痕。因此，有机发光结构315可以被凹槽、凹坑或凹痕分隔成多个部分。

参考图21，可以在像素限定层265和有机发光结构315上形成第二电极275。如果有机发光显示装置具有底部发射结构，那么第二电极275可以包括反射材料。第二电极275可以沿有机发光结构315的轮廓均匀地布置在像素限定层265和有机发光结构315上。此外，第二电极275与倾斜结构255的侧壁邻近的部分可以具有与第五倾斜角θ3大致相同或大致类似的倾斜角。

可以在第二电极275上形成第二保护层280。第二保护层280既可以布置在发光区内又可以布置在非发光区内。可以在第二保护层280上设置第二基板290，同时在第二保护层280和第二基板290之间可能插入预设的间隔285。然而，当在第二电极275和第二基板290之间插入附加的填充材料或填充层时，可以不在第二电极275上形成第二保护层280。

图22到图24是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。除具有倾斜结构的绝缘层、第一电极、像素限定层和有机发光结构以外，图22到图24中示出的方法可以提供具有与参照图5到图11描述的有机发光显示装置的构造大致相同或大致类似的构造的有机发光显示装置。然而，本领域普通技术人员可理解，该方法可提供具有开关器件、保护层、电极、绝缘层、有机发光结构等的多种构造的其它有机发光显示装置。

参考图22，可以在第一基板350上通过与参照图7和图8描述的工艺大致相同或大致类似的工艺形成缓冲层355、开关器件和第一保护层395。这里，开关器件可以包括半导体图案、栅绝缘层360、栅电极363、绝缘夹层380、源电极385和漏电极390。开关器件的半导体图案可以分成源区365、漏区370和沟道区375。

可以在第一保护层395上形成具有突出的倾斜结构405的绝缘层400。此外，绝缘层400可以包括暴露漏电极390的一部分的孔。绝缘层400可以具有包括至少两个绝缘膜的多层结构。绝缘层400的这些绝缘膜可以使用与参照图1和图2描述的第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的材料大致相同或大致类似的材料形成。此外，绝缘层400的绝缘膜可以通过与参照图1和图2描述的用于形成第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的工艺大致相同或大致类似的工艺获得。

在示例实施例中，可以在第一保护层395上形成第一绝缘膜(未示出)和第二绝缘膜(未示出)。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以分别具有大致平的表面。可以在第二绝缘膜上以预设的距离形成第一凹槽(未示出)。这里，相邻第一凹槽间的距离可以与继续形成的倾斜结构405的宽度大致相同或大致类似。可以在第二绝缘膜上形成第三绝缘膜(未示出)，此时第一凹槽介于第二绝缘膜和第三绝缘膜之间。然后，可以除去第三绝缘膜在第一凹槽上方的部分，以形成穿过第三绝缘膜的第二凹槽。每个第二凹槽可以与关联的第一凹槽相通。在对第二绝缘膜和第三绝缘膜执行回流以后，可以在绝缘层400上设置突出的倾斜结构405。突出的倾斜结构405可以布置在相邻的第一凹槽或相邻的第二凹槽之间。如果绝缘层400的倾斜结构405具有突出的形状，那么有机发光显示装置可以具有底部发射结构。倾斜结构405的侧壁可以具有与由第一凹槽和第二凹槽组合形成的相邻凹槽的倾斜角大致相同或大致类似的第五倾斜角θ3。例如，倾斜结构405的侧壁可以具有参照与第一基板350大致平行的方向处于大约20°到大约70°范围内的第五倾斜角θ3。

可以在具有突出的倾斜结构405的绝缘层400上形成第一电极410，同时填充为部分地暴露漏电极390而穿过绝缘层400形成的孔。在示例实施例中，可以在绝缘层400上形成第一电极层(未示出)，以充满该孔，然后可以在第一电极层上形成蚀刻掩膜(未示出)。可以使用蚀刻掩膜对第一电极层图案化，使得可以在绝缘层400上形成相邻像素区中分离的第一电极410。每个第一电极410可以与漏电极390接触并且可以位于突出的倾斜部分405的侧壁和上表面上。由于第一电极410布置在突出的倾斜结构405上，所以第一电极410的侧向部分可以具有与倾斜结构405的第五倾斜角θ3大致相同或大致类似的倾斜角。例如，第一电极410的每个侧向部分可以具有关于与第一基板大致平行的轴线处于大约20°到大约70°范围内的倾斜角。

参考图23，可以在第一电极410和绝缘层400上形成像素限定层415，以限定有机发光显示装置的发光区和非发光区。像素限定层415可以使用有机材料或无机材料形成。像素限定层415可以从非发光区延伸到在发光区中放置的倾斜结构405上。

在示例实施例中，像素限定层415可以延伸，以覆盖发光区中的第一电极410。在此情况下，可以穿过像素限定层415形成开口，以暴露在倾斜结构405的上表面上放置的第一电极410。像素限定层415的开口可以包括具有与倾斜结构405的侧壁的第五倾斜角θ3基本不同的第六倾斜角θ4的侧壁。例如，像素限定层415的开口的侧壁可以具有关于与第一基板350大致平行的方向处于大约110°到大约160°范围内的第六倾斜角θ4。这个具有开口的像素限定层415可以限定有机发光显示装置的发光区。此外，像素限定层415的布置在倾斜结构405的侧壁上的侧向部分可以具有与第五倾斜角θ3大致相同或大致类似的倾斜角。

可以在像素限定层415的开口中在第一电极410上形成有机发光结构420。在示例实施例中，有机发光结构420可以埋(填充)在像素限定层415的开口内。也就是说，有机发光结构420可以完全填充像素限定层415的开口，并且可以具有大致平的表面。由此，有机发光结构420的侧壁可以具有与开口的侧壁的第六倾斜角θ4大致相同或大致类似的倾斜角。例如，有机发光结构420的侧壁可以具有关于与第一基板350大致平行的轴线处于大约110°到大约160°范围内的倾斜角。因此，有机发光结构420的侧壁相对于突出的倾斜结构405的侧壁、第一电极410的侧向部分或者像素限定层415的侧向部分的比率可以处于大约1.0:1.6到大约1.0:8.0的相对大的范围内。在有机发光显示装置的像素中，有机发光结构420可以具有包括有机发光层的多层结构。有机发光结构420可以分别包括不同的发光材料。可替代地，所有的有机发光结构420可以包括用于产生白色光的堆叠的发光材料。

参考图24，可以在像素限定层415和有机发光结构420上形成第二电极425。当有机发光显示装置具有底部发射结构时，第二电极425可以具有反射材料。第二电极425可以大致均匀地形成在像素限定层415和有机发光结构420上。在此情况下，第二电极425的与突出的倾斜结构405的侧壁邻近的部分可以具有与第五倾斜角θ3大致相同或大致类似的倾斜角。

可以在第二电极425上形成第二保护层430。第二保护层430可以包括有机材料或无机材料，并且可以从发光区延伸到非发光区。可以在第二保护层430上布置包括透明绝缘基板的第二基板450。这里，可以在发光区中在第二保护层430和第二基板450之间设置设定或预设的间隔435。虽然空气或惰性气体(例如氮气)可以充满间隔435，但是根据时机需要，具有透光率和吸湿性的树脂可以填满这种间隔435。在一些示例实施例中，根据间隔435中的附加填充材料在第二电极425和第二基板450之间可以不形成第二保护层430。

根据示例实施例，为防止从有机发光结构420中产生的光的全反射，突出的倾斜结构405可以提供具有期望倾斜角的第一电极410的侧向部分、像素限定层415的侧向部分和第二电极425的侧向部分。因此，有机发光显示装置可以保证显著提高的光效率。此外，有机发光结构420可以埋在像素限定层415的开口内，使得进入非发光区内的光可以通过在具有突出形状的倾斜结构405上方布置的第二电极425朝向发光区反射。

根据本发明的示例实施例，有机发光显示装置可以包括具有含有凹陷形状或突出形状的倾斜结构的绝缘层，而不添加任何用于从有机发光结构中产生的光的光学谐振的结构。因此，该有机发光显示装置可以具有显著大于传统有机发光显示装置的光效率的光效率。由此，该有机发光显示装置可以以提高的亮度、增加的对比度和扩大的视角等显示图像。

上述内容说明了示例实施例，而不应被解释为示例实施例的限制。虽然描述了几个示例实施例，但是本领域的技术人员会容易理解，在示例实施例中可能进行许多修改，而实际上不背离示例实施例的新颖教导和优势。因此，所有这样的修改旨在包含在在权利要求中限定的示例实施例的范围内。在权利要求中，装置加功能项旨在涵盖本发明中执行所记载功能时描述的结构，不仅包括结构等价物，还包括等价结构。因此，应理解，上述内容说明了示例实施例并且不应解释为局限于所公开的特定实施例，并且对所公开的示例实施例以及其它示例实施例的修改旨在包含在所附权利要求的范围内。本发明由下面的权利要求限定，权利要求的等价物包含在本发明内。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置，包括：

第一基板；

位于所述第一基板上的绝缘层，所述绝缘层包括具有第一凹槽的第一绝缘膜、形成在所述第一绝缘膜上并且具有第二凹槽的第二绝缘膜、以及通过对所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜执行回流工艺而从所述第一凹槽和所述第二凹槽形成的倾斜结构；

位于所述绝缘层上的第一电极；

位于所述绝缘层和所述第一电极上的像素限定层，所述像素限定层限定发光区和非发光区；

位于所述发光区中的所述第一电极上的有机发光结构；

位于所述像素限定层和所述有机发光结构上的第二电极；以及

位于所述第二电极上的第二基板；

其中所述倾斜结构具有突出的形状，所述有机发光结构位于所述倾斜结构的所述突出的形状的顶表面上方，并且所述倾斜结构的侧壁的倾斜角和所述有机发光结构的侧壁的倾斜角之间的比率处于1.0:0.2到1.0:1.8的范围内。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层在设置在所述倾斜结构的侧壁上的所述第一电极上延伸。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层在设置在所述倾斜结构的上表面上的所述第一电极上延伸，并且所述像素限定层具有暴露所述发光区中的所述第一电极的开口。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光结构布置在所述像素限定层的所述开口内。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光结构的侧壁具有相对于与所述第一基板平行的方向110°到160°的倾斜角。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述倾斜结构的侧壁具有相对于与所述第一基板平行的方向20°到70°的倾斜角。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极在所述倾斜结构上的侧向部分和所述第二电极在所述倾斜结构上的侧向部分中的每个具有与所述倾斜结构的所述侧壁的倾斜角相同的倾斜角。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述绝缘层具有在所述倾斜结构上的多个突起。

9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极具有分别形成在所述多个突起上的多个突出部分。

10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光结构具有被所述第一电极的所述多个突出部分分隔的多个部分。