KR102099702B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 발광 표시 장치는 제1 영역 및 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판, 제1 기판의 제1 영역 내에 배치되는 제1 전극, 제1 기판의 제1 영역 내에 배치되어 제1 전극의 일면과 직접적으로 접촉하며, 제1 전극의 면적 보다 더 큰 면적을 갖는 유기 발광 구조물, 제1 기판의 제1 영역 내에 배치되며, 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극 및 제1 기판과 대향하도록 배치되며, 제1 기판의 제2 영역에 대향하는 영역에 배치된 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 제1 영역 및 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판 및 제1 기판과 대향하도록 배치되며, 제1 기판의 제2 영역에 대향하는 영역에 배치된 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 포함함에 따라, 표시 기능 이외의 거울 기능을 구현할 수 있다. 또한, 유기 발광 구조물의 면적에 기초하여 제2 영역 상에 패터닝되는 제1 전극을 포함함에 따라 향상된 광 효율을 가질 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 향상된 광 효율을 갖는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시(organic light emitting display: OLED) 장치는 양극(anode)과 음극(cathode)으로부터 각기 제공되는 정공들과 전자들이 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 유기 발광 구조물에서 결합하여 생성되는 광을 이용하여 영상, 문자 등의 정보를 나타낼 수 있는 표시 장치를 말한다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지므로 유망한 차세대 디스플레이 장치로 각광받고 있다.
최근, 다양한 사용자들의 욕구를 충족시키기 위하여, 전자 기기의 복합화 및 다기능화가 채용되고 있다. 유기 발광 표시 장치도 표시 기능뿐만 아니라 다른 기능까지 포함하는 방향의 연구 개발이 이루어지고 있으며, 이러한 다기능화의 일환으로 휴대폰이나 개인 휴대 통신(PDA) 등에 채용되는 유기 발광 표시 장치에 거울기능(mirror function)을 부가하는 시도가 행해지고 있다.
본 발명의 일 목적은 향상된 광 효율을 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 향상된 광 효율을 갖는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 일면과 직접적으로 접촉하며, 상기 제1 전극의 면적 보다 더 큰 면적을 갖는 유기 발광 구조물, 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되며, 상기 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극 및 상기 제1 기판과 대향하도록 배치되며, 상기 제1 기판의 상기 제2 영역에 대향하는 영역에 배치된 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극은 유기 발광 구조물의 면적에 기초하여 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 패터닝될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 주입층 및 상기 전자 주입층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층을 더 포함하며, 상기 제1 전극의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 수송층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 유기 발광 구조물의 면적에 기초하여 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 패터닝될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 주입층 및 상기 전자 주입층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 제2 전극의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층을 더 포함하며, 상기 제2 전극의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 수송층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 유기 발광 구조물이 배치되는 발광 영역이고, 상기 제2 영역은 상기 유기 발광 구조물이 배치되지 않은 비발광 영역일 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 단부를 커버하는 절연막 패턴, 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극 및 상기 절연막 패턴의 일면과 직접적으로 접촉하는 유기 발광 구조물, 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되며, 상기 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극 및 상기 제1 기판과 대향하도록 배치되며, 상기 제1 기판의 상기 제2 영역에 대향하는 영역에 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극 및 상기 절연막 패턴 상에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 주입층 및 상기 전자 주입층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층을 더 포함하며, 상기 제1 전극의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 수송층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연막 패턴은 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제2 전극의 단부를 커버할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 주입층, 상기 전자 주입층 상에 배치되는 제2 전극 및 상기 제2 전극 상에 배치되는 절연막 패턴을 포함하며, 상기 제2 전극의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층을 더 포함하며, 상기 제2 전극의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 수송층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연막 패턴은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy) 및 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 유기 발광 구조물이 배치되는 발광 영역이고, 상기 제2 영역은 상기 유기 발광 구조물이 배치되지 않은 비발광 영역일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 부재는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 반사 금속 부재를 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 제1 전극을 형성한 다음 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 일면과 직접적으로 접촉하며, 상기 제1 전극의 면적 보다 더 큰 면적을 갖는 유기 발광 구조물을 형성할 수 있다. 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되며, 상기 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극을 형성한 다음 상기 제1 기판의 상기 제2 영역에 대향하는 영역에 배치된 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향하도록 형성할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 제1 전극을 형성한 다음 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 단부를 커버하는 절연막 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극 및 상기 절연막 패턴의 일면과 직접적으로 접촉하는 유기 발광 구조물을 형성한 후 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되며, 상기 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극을 형성한 다음 상기 제1 기판의 상기 제2 영역에 대향하는 영역에 배치된 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향하도록 형성할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판 및 상기 제1 기판과 대향하도록 배치되며, 상기 제1 기판의 상기 제2 영역에 대향하는 영역에 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치는 표시 기능 이외의 거울 기능을 구현함과 동시에 유기 발광 구조물의 면적에 기초하여 제2 영역 상에 패터닝되는 제1 전극을 포함함에 따라 향상된 광 효율을 가질 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 이에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.
본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어"있다고 기구된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접촉되어"있다고 기구된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들면, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 기판(110), 제1 전극(180), 유기 발광 구조물(190), 반사 부재(205) 및 제2 기판(210) 등을 포함할 수 있다.
제1 기판(110)은 제1 영역(Ⅰ) 및 제1 영역(Ⅰ)을 둘러싸는 제2 영역(Ⅱ)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 영역(Ⅱ)은 제1 영역(Ⅰ)의 적어도 하나 이상의 측면들을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 여기서, 제1 영역(Ⅰ)은 유기 발광 구조물(190)이 배치되는 발광 영역이고, 제2 영역(Ⅱ)은 유기 발광 구조물(190)이 배치되지 않은 비발광 영역일 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(110)은 투명 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판, 투명 세라믹 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판(110)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)을 포함할 수 있다.
제1 기판(110) 상에는 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115)은 제1 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 반도체 패턴(120)을 형성하기 위한 결정화공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 반도체 패턴(120)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 제1 기판(110)이 표면이 균일하지 않을 경우, 제1 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다.
버퍼층(115)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 제1 기판(110) 상에 형성될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)가 능동형 구동 방식을 채용하는 경우, 제1 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 스위칭 소자가 배치될 수 있다. 상기 스위칭 소자는 반도체 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(140), 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b) 등을 포함할 수 있다.
유기 발광 구조물(190)은 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ)에 배치되어 드레인 전극(160b)과 전기적으로 연결되는 제1 전극(180)의 일면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(180)은 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝됨에 따라, 제1 전극(180)은 유기 발광 구조물(190)의 면적 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 이 경우, 제1 전극(180)은 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(195)은 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝됨에 따라, 제2 전극(195)은 유기 발광 구조물(190)의 면적 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 이 경우, 제2 전극(195)은 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝될 수 있다.
여기서, 유기 발광 구조물(190)은 복수의 유기층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 구조물(190)은 제1 전극(180) 상에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 수송층 등을 포함할 수 있다. 이 때, 제1 전극(180)의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(190)은 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다. 이 때, 제2 전극(195)의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 수송층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다. 상기 유기 발광층은 상기 표시 장치의 색 화소 영역들에 따라 적색광(R), 녹색광(G), 청색광(B) 등과 같은 서로 다른 색광들을 발생시키기 위한 발광 물질들을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
제2 기판(210)은 제1 기판(110)에 실질적으로 대향하도록 배치될 수 있다. 제2 기판(210)은 투명 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(210)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등과 같은 투명 기판을 포함할 수도 있다. 제2 기판(210)은 외부의 충격 또는 환경 변화로부터, 상기 스위칭 소자 및 유기 발광 구조물(190)을 보호할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기판(210)은 제1 기판(110)의 제2 영역(Ⅱ)에 대향하는 영역에 반사 부재(205)를 구비할 수 있다. 반사 부재(205)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 반사 금속 부재를 포함할 수 있다. 반사 부재(205)는 외부로부터 유기 발광 표시 장치(100)로 입사되는 빛을 반사시킬 수 있다. 따라서, 반사 부재(205)를 구비하는 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광 구조물(190)이 빛을 방출하지 않는 동안에 외부로부터 입사되는 빛을 반사하는 반사 부재(205)에 의해 거울 기능(mirror function)을 수행할 수 있다.
종래의 반사 부재를 구비하여 거울 기능을 수행할 수 있는 유기 발광 표시 장치는 상기 반사 부재를 발광 영역의 상부의 일부를 커버하도록 형성함에 따라, 상기 발광 영역의 난반사를 방지할 수 있었다. 그러나, 상기 반사 부재가 형성되는 위치로 인해 상기 발광 영역에서 방출되는 빛의 상당 부분이 상기 반사 부재에 걸려 유실되는 문제점이 있었다.
이에 따라, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 전극(180)을 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝함에 따라, 상기 발광 영역에서 방출되는 빛이 상기 반사 부재의 형성 위치로 인해 유실되는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 제1 전극(180)의 면적을 유기 발광 구조물(190)의 면적 보다 작게 형성하여 정공(hole)의 공급을 억제함에 따라, 상기 발광 영역에서 방출되더라도 상기 반사 부재로 인해 유실될 빛의 생성을 미리 방지할 수 있다. 이로써, 유기 발광 표시 장치(100)는 향상된 광효율을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 제2 전극(195)을 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝함에 따라, 상기 발광 영역에서 방출되는 빛이 상기 반사 부재의 형성 위치로 인해 유실되는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 제2 전극(195)의 면적을 유기 발광 구조물(190)의 면적 보다 작게 형성하여 전자(electron)의 공급을 억제함에 따라 발광 영역에서 방출되더라도 상기 반사 부재로 인해 유실될 빛의 생성을 미리 방지할 수 있다. 이로써, 유기 발광 표시 장치(100)는 향상된 광효율을 가질 수 있다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 하부 구조물을 형성하는 공정들을 설명하기 위한 단면도들이다. 예를 들면, 도 2는 제1 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 스위칭 소자를 구비하는 하부 구조물을 형성하는 공정들을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 제1 기판(110) 상에 버퍼층(115), 반도체 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(140), 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b)을 형성할 수 있다.
제1 기판(110)은 제1 영역(Ⅰ) 및 제1 영역(Ⅰ)을 둘러싸는 제2 영역(Ⅱ)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 영역(Ⅰ)은 유기 발광 구조물(190)이 배치되는 발광 영역이고, 제2 영역(Ⅱ)은 유기 발광 구조물(190)이 배치되지 않은 비발광 영역일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(110)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 여기서, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl), 폴레에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴레에테르(polyether) 등을 포함할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(110) 상에 버퍼층(115)을 형성하기 전에 제1 기판(110)에 대해 평탄화 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 화학 기계적 연마(CMP) 공정 및/또는 에치 백 공정을 통해 제1 기판(110)이 실질적으로 평탄한 상면을 가지게 할 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판(110)의 표면 평탄도, 구성 물질 등에 따라 제1 기판(110) 상에 버퍼층(115)이 형성되지 않을 수도 있다.
버퍼층(115)은 제1 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지하는 기능을 수행할 수 있으며, 후속하는 반도체 패턴(120)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한반도체 패턴(120)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 제1 기판(110)이 표면이 균일하지 않을 경우, 제1 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 버퍼층(115)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 버퍼층(115)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 제1 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
버퍼층(115) 상에 반도체 패턴(120)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115) 상에 반도체층(도시되지 않음)을 형성한 다음, 이러한 반도체층을 패터닝하여, 버퍼층(115) 상에 예비 반도체 패턴(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 이후에, 상기 예비 반도체 패턴에 대해 결정화 공정을 수행하여 반도체 패턴(120)을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 반도체층은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 반도체층이 아몰퍼스 실리콘을 포함할 경우, 반도체 패턴(120)은 폴리실리콘으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 예비 반도체 패턴으로부터 반도체 패턴(120)을 수득하기 위한 결정화 공정은 레이저 조사 공정, 열처리 공정, 촉매를 이용하는 열처리 공정 등을 포함할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 반도체 패턴을 형성한 다음, 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 반도체 패턴에 대하여 탈수소공정을 수행할 수 있다. 이와 같은 탈수소 공정에 따라 상기 반도체층 및/또는 상기 예비 반도체 패턴 내의 수소 원자들의 농도를 감소시킬 수 있으므로, 반도체 패턴(120)의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 버퍼층(115) 상에 반도체 패턴(120)을 덮는 게이트 절연막(130)을 형성할 수 있다. 게이트 절연막(130)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화물, 금속 산화물등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연막(130)을 구성하는 금속 산화물은 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(130)은 반도체 패턴(120)을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이 때, 게이트 절연막(130)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(130)은 반도체 패턴(120)의 프로파일(profile)을 따라 버퍼층(115) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 게이트 절연막(130)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 게이트 절연막(130)에는 반도체 패턴(120)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다.
게이트 절연막(130) 상에 게이트 전극(140)을 형성할 수 있다. 게이트 전극(140)은 게이트 절연막(130)중에서 아래에 반도체 패턴(120)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(130) 상에 제1 도전막(도시되지 않음)을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써, 게이트 전극(140)을 수득할 수 있다. 상기 제1 도전막은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 게이트 전극(140)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(140)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 게이트 전극(140)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
도 2에 도시하지는 않았으나, 게이트 전극(140)을 형성하는 동안 게이트 절연막(130) 상에 게이트 라인이 형성될 수 있다. 게이트 전극(140)은 상기 게이트 라인에 연결될 수 있으며, 상기 게이트 라인은 게이트 절연막(130) 상에서 제1 방향을 따라 연장될 수 있다.
게이트 전극(140)을 이온 주입 마스크로 이용하여 반도체 패턴(120)에 불순물들을 주입함으로써, 반도체 패턴(120)에 소스 영역(도시되지 않음)과 드레인 영역(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 상기 불순물들을 주입하기 위한 이온 주입 에너지의 조절에 따라 상기 불순물들이 게이트 절연막(130)을 통과하여 반도체 패턴(120)의 양측부에 주입될 수 있다. 여기서, 게이트 전극(140) 아래에 위치하는 반도체 패턴(120)의 중앙부에는 상기 불순물들이 주입되지 않으며, 이에 따라 반도체 패턴(120)의 중앙부는 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 채널 영역(도시되지 않음)으로 정의될 수 있다. 즉, 상기 소스 및 드레인 영역의 형성에 따라 반도체 패턴(120)에 상기 채널 영역이 정의될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(130)상에 게이트 전극(140)에 인접하여 게이트 절연막(130)을 부분적으로 노출시키는 마스크를 형성한 후, 상기 마스크와 게이트 전극(140)을 함께 이온 주입 마스크들로 이용하여 반도체 패턴(120)에 불순물들을 주입함으로써, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(140)은 반도체 패턴(120)에 비하여 실질적으로 작은 폭을 가질 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(140)은 상기 채널 영역과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 폭을 가질 수 있다. 그러나, 게이트 전극(140)의 치수 및/또는 상기 채널 영역의 치수는 스위칭 소자에 요구되는 전기적인 특성에 따라 달라질 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 게이트 절연막(130) 상에 게이트 전극(140)을 덮는 제1 절연층(150)을 형성할 수 있다. 제1 절연층(150)은 게이트 전극(140)을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이 때, 제1 절연층(150)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 절연층(150)은 게이트 전극(140)의 프로파일을 따라 게이트 절연막(130) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 절연층(150)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 제1 절연층(150)에는 게이트 전극(140)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 제1 절연층(150) 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제1 절연층(150)은 실리콘 산화물막, 실리콘 질화물막, 실리콘 산질화물막, 실리콘 탄질화물막 및/또는 실리콘 산탄화물막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(150)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 제1 절연층(150)은 후속하여 형성되는 소스 전극(160a)과 드레인 전극(160b)으로부터 게이트 전극(140)을 전기적으로 절연시키는 역할을 수행할 수 있다.
제1 절연층(150) 상에 소스 전극(160a)과 드레인 전극(160b)을 형성할 수 있다. 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)은 실질적으로 게이트 전극(140)을 중심으로 소정의 간격으로 이격될 수 있으며, 게이트 전극(140)에 인접하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)은 각기 상기 소스 및 드레인 영역 상부에 위치하는 제1 절연층(150)으로부터 게이트 전극(140) 상에 위치하는 제1 절연층(150)까지 연장될 수 있다. 또한, 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)은 제1 절연층(150)을 관통하여 상기 소스 및 드레인 영역에 각기 접촉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연층(150)을 부분적으로 식각하여 상기 소스 및 드레인 영역을 부분적으로 노출시키는 홀들을 형성한 후, 이와 같은 홀들을 채우면서 제1 절연층(150) 상에 제2 도전막(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 이후에, 상기 제2 도전막을 패터닝하여 도 2에 예시적으로 도시한 바와 같은 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제2 도전막은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)은 각기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)은 각기 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
도 2에 도시하지는 않았으나, 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)을 형성하는 동안 제1 절연층(150) 상에는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터 라인이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 데이터 라인이 연장되는 제2 방향은 상기 게이트 라인이 연장되는 제1 방향과 실질적으로 직교할 수 있다. 상기 데이터 라인은 소스 전극(160a)에 연결될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 제1 절연층(150) 상에 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)을 덮는 제2 절연층(170)을 형성할 수 있다. 제2 절연층(170)은 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)을 충분하게 덮을 수 있는 두께로 형성될 수 있다. 제2 절연층(170)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 절연층(170)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 수지, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제2 절연층(170)을 구성하는 물질에 따라 제2 절연층(170)은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 사진 식각 공정 또는 추가적인 마스크를 사용하는 식각 공정을 통해 제2 절연층(170)을 부분적으로 식각함으로써, 제2 절연층(170)을 관통하여 상기 스위칭 소자의 드레인 전극(160b)을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀을 형성할 수 있다.
전술한 공정들을 수행함으로써 제1 기판(110) 상부에 상기 스위칭 소자를 포함하는 하부 구조물을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 스위칭 소자는 반도체 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(140), 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 예비 반도체층에 주입되는 불순물의 타입에 따라, P형 또는 N형의 모스(MOS) 트랜지스터일 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 스위칭 소자는 산화물 반도체 소자를 포함할 수 있다. 즉, 제1 기판(110) 상에 게이트 전극 및 게이트 절연막을 형성한 후, 상기 게이트 절연막 상에 반도체 산화물을 사용하여 반도체 패턴을 형성할 수 있다.
도 3은 도 2를 참조하여 설명한 공정들에 의해 제1 기판(110) 상에 제공되는 상기 하부 구조물 상에 유기 발광 구조물(190)을 형성하는 공정들을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제2 절연층(170) 상에 드레인 전극(160b)에 접속되는 제1 전극(180)을 형성할 수 있다. 제2 절연층(170) 및 상기 콘택 홀을 통해 노출되는 드레인 전극(160b) 상에 제3 도전막(도시되지 않음)을 형성한 다음, 상기 제3 도전막을 패터닝하여 제1 전극(180)을 형성할 수 있다. 상기 제3 도전막은 인듐 주석 산화물(ITO), 아연 주석 산화물(ZTO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물, 주석 산화물 등과 같은 투명 도전성 물질을 사용하여 형성되거나, 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐, 구리, 은, 네오디뮴 등의 금속 및/또는 이들의 합금 등을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제3 도전막은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 제1 전극(180)은 정공을 제공하는 양극(anode) 역할을 수행할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(180)은 투명 도전성 물질층과 금속층이 적층된 구조로 형성될 수도 있다. 제1 전극(180)은 후속하여 형성되는 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 상기 제1 영역 내에 패터닝될 수 있다.
제2 절연층(170)과 제1 전극(180) 상에 화소 정의막(185)을 형성할 수 있다. 화소 정의막(185)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(185)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(185)은 스핀 코팅 공정, 스프레이 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 제2 절연층(170)과 제1 전극(180) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(185)을 식각하여 화소 정의막(185)에 제1 전극(180)을 부분적으로 노출시키는 개구(도시되지 않음)를 형성할 수 있다. 화소 정의막(185)의 상기 개구에 의해 상기 유기 발광 표시 장치의 표시 영역과 비표시 영역이 정의될 수 있다. 즉, 화소 정의막(185)의 상기 개구가 위치하는 부분이 상기 표시 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비표시 영역은 상기 개구에 인접하는 부분에 해당될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 화소 정의막과 노출되는 제1 전극(180) 상에 유기 발광 구조물(190)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(180)은 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝됨에 따라, 제1 전극(180)은 유기 발광 구조물(190)의 면적 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 이 경우, 제1 전극(180)은 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(195)은 유기 발광 구조물의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝됨에 따라, 제2 전극(195)은 유기 발광 구조물(190)의 면적 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 이 경우, 제2 전극(195)은 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝될 수 있다.
여기서, 유기 발광 구조물(190)은 복수의 유기층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 구조물(190)은 제1 전극(180) 상에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 수송층 등을 포함할 수 있다. 이 때, 제1 전극(180)의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(190)은 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다. 이 때, 제1 전극(180)의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 수송층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다. 상기 발광층은 상기 표시 장치의 색 화소 영역들에 따라 적색광(R), 녹색광(G), 청색광(B) 등과 같은 서로 다른 색광들을 발생시키기 위한 발광 물질들을 포함할 수 있다.
즉, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 발광 영역에서 방출되는 빛이 반사 부재의 형성 위치로 인해 유실되는 종래의 거울 기능을 갖는 유기 발광 표시 장치에 비해, 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝되는 제1 전극(180)을 포함함에 따라, 정공의 공급을 억제하여 상기 발광 영역에서 방출되더라도 상기 반사 부재로 인해 유실될 빛의 생성을 미리 방지할 수 있다. 이로써, 유기 발광 표시 장치(100)는 향상된 광효율을 가질 수 있다.
도 4를 참조하면, 유기 발광 구조물(190) 상에 제2 전극(195)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(195)은 음극(cathode)으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(195)은 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 갈륨 산화물 등과 같은 제3 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제2 전극(195)은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 제2 전극(195)은 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝될 수 있다. 이 경우, 제2 전극(195)은 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝될 수 있다. 이에 따라, 제2 전극(195)은 유기 발광 구조물(190)의 면적 보다 작은 면적을 가질 수 있다.
즉, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 발광 영역에서 방출되는 빛이 반사 부재의 형성 위치로 인해 유실되는 종래의 거울 기능을 갖는 유기 발광 표시 장치에 비해, 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝되는 제2 전극(195)을 포함함에 따라, 전자의 공급을 억제하여 상기 발광 영역에서 방출되더라도 상기 반사 부재로 인해 유실될 빛의 생성을 미리 방지할 수 있다. 이로써, 유기 발광 표시 장치(100)는 향상된 광효율을 가질 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 제2 전극(195) 상에 제2 기판(210)을 배치할 수 있다. 제2 기판(210)은 연성을 갖는 기판을 포함할 수 있다. 한편, 제2 기판(210)은 유리 기판, 투명 플라스틱 기판 등을 포함할 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기판(210)은 제1 기판(110)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있지만, 제1 및 제2 기판이 서로 상이한 물질들을 포함할 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기판(210)은 제1 기판(110)의 제2 영역(Ⅱ)에 대향하는 영역에 반사 부재(205)를 구비할 수 있다. 반사 부재(205)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 반사 금속 부재를 포함할 수 있다. 반사 부재(205)는 외부로부터 유기 발광 표시 장치(100)로 입사되는 빛을 반사시킬 수 있다. 따라서, 반사 부재(205)를 구비하는 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광 구조물(190)이 빛을 방출하지 않는 동안에 외부로부터 입사되는 빛을 반사하는 반사 부재(205)에 의해 거울과 같은 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광 구조물(190)의 면적에 기초하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝되는 제1 전극(180) 및/또는 제2 전극(195)을 포함함에 따라, 향상된 광효율을 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 5에 예시한 유기 발광 표시 장치(200)에 있어서, 유기 발광 표시 장치(200)는 유기 발광 구조물(290), 제1 전극(280) 및 절연막 패턴(285)을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 따라서, 중복되는 요소들에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 5를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(200)는 제1 기판(110), 유기 발광 구조물(290), 절연막 패턴(285), 반사 부재(205) 및 제2 기판(210) 등을 포함할 수 있다.
제1 기판(110)은 제1 영역(Ⅰ) 및 제1 영역(Ⅰ)을 둘러싸는 제2 영역(Ⅱ)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 영역(Ⅱ)은 제1 영역(Ⅰ)의 적어도 하나 이상의 측면들을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 여기서, 제1 영역(Ⅰ)은 유기 발광 구조물(290)이 배치되는 발광 영역이고, 제2 영역(Ⅱ)은 유기 발광 구조물(290)이 배치되지 않은 비발광 영역일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(110)은 투명 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판, 투명 세라믹 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판(110)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)을 포함할 수 있다.
제1 기판(110) 상에는 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115)은 제1 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 반도체 패턴(120)을 형성하기 위한 결정화공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 반도체 패턴(120)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 제1 기판(110)이 표면이 균일하지 않을 경우, 제1 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 버퍼층(115)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 실리콘 산화막, 실리콘질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막 및/또는 실리콘 탄질화막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 제1 기판(110) 상에 형성될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(200)가 능동형 구동 방식을 채용하는 경우, 제1 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 스위칭 소자가 배치될 수 있다. 상기 스위칭 소자는 반도체 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(140), 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b) 등을 포함할 수 있다.
유기 발광 구조물(290)은 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ)에 배치되며, 드레인 전극(160b)과 전기적으로 연결되는 제1 전극(280)의 일면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 제1 전극(280)의 단부를 커버하는 절연막 패턴(285)을 형성할 수 있다. 절연막 패턴(285)이 제1 전극(280)의 단부를 커버함에 따라, 제1 전극(280)은 유기 발광 구조물(290)의 면적 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 제2 전극(195)의 단부를 커버하는 절연막 패턴(285)을 형성할 수 있다. 절연막 패턴(285)이 제2 전극(195)의 단부를 커버함에 따라, 제2 전극(195)은 유기 발광 구조물(290)의 면적 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 예를 들면, 절연막 패턴(285)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy) 및 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 유기 발광 구조물(290)은 복수의 유기층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 구조물(290)은 제1 전극(280) 상에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 수송층 등을 포함할 수 있다. 이 때, 제1 전극(280)의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(290)은 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다. 이 때, 제2 전극(195)의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 수송층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다. 상기 유기 발광층은 상기 표시장치의 색 화소 영역들에 따라 적색광(R), 녹색광(G), 청색광(B) 등과 같은 서로 다른 색광들을 발생시키기 위한 발광 물질들을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
제2 기판(210)은 제1 기판(110)에 실질적으로 대향하도록 배치될 수 있다. 제2 기판(210)은 투명 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(210)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등과 같은 투명 기판을 포함할 수도 있다. 제2 기판(210)은 외부의 충격 또는 환경 변화로부터, 상기 스위칭 소자 및 유기 발광 구조물(290)을 보호할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기판(210)은 제1 기판(110)의 제2 영역(Ⅱ)에 대향하는 영역에 반사 부재(205)를 구비할 수 있다. 반사 부재(205)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 반사 금속 부재를 포함할 수 있다. 반사 부재(205)는 외부로부터 유기 발광 표시 장치(200)로 입사되는 빛을 반사시킬 수 있다. 따라서, 반사 부재(205)를 구비하는 유기 발광 표시 장치(200)는 유기 발광 구조물(290)이 빛을 방출하지 않는 동안에 외부로부터 입사되는 빛을 반사하는 반사 부재(205)에 의해 거울과 같은 기능을 수행할 수 있다.
종래의 반사 부재를 구비하여 거울 기능을 수행할 수 있는 유기 발광 표시 장치는 상기 반사 부재를 발광 영역의 상부의 일부를 커버하도록 형성함에 따라, 상기 발광 영역의 난반사를 방지할 수 있었다. 그러나, 상기 반사 부재가 형성되는 위치로 인해 상기 발광 영역에서 방출되는 빛의 상당 부분이 상기 반사 부재에 걸려 유실되는 문제점이 있었다.
이에 따라, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 제1 전극(280)의 단부를 커버하는 절연막 패턴(285)을 포함함에 따라, 상기 발광 영역에서 방출되는 빛이 상기 반사 부재의 형성 위치로 인해 유실되는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 제1 전극(280)의 면적을 유기 발광 구조물(290)의 면적 보다 작게 형성하여 정공의 공급을 억제함에 따라, 상기 발광 영역에서 방출되더라도 상기 반사 부재로 인해 유실될 빛의 생성을 미리 방지할 수 있다. 이로써, 유기 발광 표시 장치(200)는 향상된 광효율을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 2 전극(195)의 단부를 커버하는 절연막 패턴(285)를 포함함에 따라, 상기 발광 영역에서 방출되는 빛이 상기 반사 부재의 형성 위치로 인해 유실되는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 제2 전극(195)의 면적을 유기 발광 구조물(290)의 면적 보다 작게 형성하여 전자의 공급을 억제함에 따라, 발광 영역에서 방출되더라도 상기 반사 부재로 인해 유실될 빛의 생성을 미리 방지할 수 있다. 이로써, 유기 발광 표시 장치(200)는 향상된 광효율을 가질 수 있다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 6 내지 도 8에 예시한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 유기 발광 구조물(290), 제1 전극(280) 및 절연막 패턴(285)을 제외하면 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치가 수득될 수 있다. 따라서, 중복되는 요소들에 대해서는 상세한 설명을 생략한다. 도 6 내지 도 8에 예시한 공정들의 자명한 변경을 통하여 다양한 구성들을 갖는 다른 유기 발광 표시 장치들도 수득될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 6을 참조하면, 제1 기판(110) 상에 도 3을 참조하여 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들을 수행함으로써 하부 구조물을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 하부 구조물은 제1 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 구비하는 스위칭 소자를 포함할 수 있다. 따라서, 중복되는 구성 요소 및/또는 부재들을 형성하기 위한 공정들에 대한 상세한 설명은 생략하며, 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일한 참조 부호들을 사용한다.
도 6을 참조하면, 제1 기판(110) 상에 버퍼층(115), 반도체 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(140), 제1 절연층(150), 소스 전극(160a), 드레인 전극(160b) 및 제2 절연층(170)을 포함하는 하부 구조물을 형성할 수 있다.
도 7을 참조하면, 제2 절연층(170) 상에 드레인 전극(160b)에 접속되는 제1 전극(280)을 형성할 수 있다. 제2 절연층(170) 및 상기 콘택 홀을 통해 노출되는 드레인 전극(160b) 상에 제3 도전막(도시되지 않음)을 형성한 다음, 상기 제3 도전막을 패터닝하여 제1 전극(280)을 형성할 수 있다. 제1 전극(280)은 정공을 제공하는 양극 역할을 수행할 수 있다.
이 후, 제2 절연층(170)과 제1 전극(280) 상에 화소 정의막(185)을 형성할 수 있다. 화소 정의막(185)은 스핀 코팅 공정, 스프레이 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 제2 절연층(170)과 제1 전극(280) 상에 형성될 수 있다.
다시 도 7을 참조하면, 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 제1 전극(280)의 단부를 커버하는 절연막 패턴(285)을 형성할 수 있다. 절연막 패턴(285)이 제1 전극(280)의 단부를 커버함에 따라, 제1 전극(280)은 유기 발광 구조물(290, 도 8 참조)의 면적 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 제2 전극(195)의 단부를 커버하는 절연막 패턴(285)을 형성할 수 있다. 절연막 패턴(285)이 제2 전극(195)의 단부를 커버함에 따라, 제2 전극(195)은 유기 발광 구조물(290, 도 8 참조)의 면적 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 예를 들면, 절연막 패턴(285)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy) 및 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 경우, 절연막 패턴(285)은 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 패터닝될 수 있다
도 8을 참조하면, 화소 정의막(185)과 노출되는 제1 전극(280) 및 절연막 패턴(285) 상에 유기 발광 구조물(290)을 형성할 수 있다.
유기 발광 구조물(290)은 제1 전극(280) 상에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 수송층 등을 포함할 수 있다. 이 때, 제1 전극(280)의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(290)은 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다. 이 때, 제2 전극(195)의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 수송층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작을 수 있다.
즉, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 발광 영역에서 방출되는 빛이 반사 부재의 형성 위치로 인해 유실되는 종래의 거울 기능을 갖는 유기 발광 표시 장치에 비해, 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 제1 전극(280)의 단부를 커버하는 절연막 패턴(285)을 포함함에 따라, 정공의 공급을 억제하여 상기 발광 영역에서 방출되더라도 상기 반사 부재로 인해 유실될 빛의 생성을 미리 방지할 수 있다. 이로써, 유기 발광 표시 장치(200)는 향상된 광효율을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 제1 기판(110)의 제1 영역(Ⅰ) 내에 제2 전극(195)의 단부를 커버하는 절연막 패턴(285)을 포함함에 따라, 전자의 공급을 억제하여 발광 영역에서 방출되더라도 상기 반사 부재로 인해 유실될 빛의 생성을 미리 방지할 수 있다. 이로써, 유기 발광 표시 장치(200)는 향상된 광효율을 가질 수 있다.
제2 기판(210)은 제1 기판(110)에 실질적으로 대향하도록 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기판(210)은 제1 기판(110)의 제2 영역(Ⅱ)에 대향하는 영역에 반사 부재(205)를 구비할 수 있다. 반사 부재(205)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 반사 금속 부재를 포함할 수 있다. 반사 부재(205)는 외부로부터 유기 발광 표시 장치(200)로 입사되는 빛을 반사시킬 수 있다. 따라서, 반사 부재(205)를 구비하는 유기 발광 표시 장치(200)는 유기 발광 구조물(290)이 빛을 방출하지 않는 동안에 외부로부터 입사되는 빛을 반사하는 반사 부재(205)에 의해 거울과 같은 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(200)는 제1 전극(280)의 단부 및/또는 제2 전극(195)의 단부를 커버하는 절연막 패턴(285)을 포함함에 따라, 향상된 광효율을 가질 수 있다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비하는 모든 전자기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 디지털 카메라, 휴대폰, 스마트폰, 태블릿 피씨(PC), 스마트패드, 피디에이(PDA), 피엠피(PMP), 엠피쓰리(MP3) 플레이어, 네비게이션 시스템, 캠코더, 휴대용 게임기 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 200: 유기 발광 표시 장치 110: 제1 기판
115: 버퍼층 120: 반도체 패턴
130: 게이트 절연막 140: 게이트 전극
150: 제1 절연층 160a: 소스 전극
160b: 데이터 전극 170: 제2 절연층
180, 280: 제1 전극 185: 화소 정의막
190, 290: 유기 발광 구조물 195: 제2 전극
205: 반사 부재 210: 제2 기판
285: 절연막 패턴
115: 버퍼층 120: 반도체 패턴
130: 게이트 절연막 140: 게이트 전극
150: 제1 절연층 160a: 소스 전극
160b: 데이터 전극 170: 제2 절연층
180, 280: 제1 전극 185: 화소 정의막
190, 290: 유기 발광 구조물 195: 제2 전극
205: 반사 부재 210: 제2 기판
285: 절연막 패턴
Claims (20)
- 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되는 제1 전극;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 일면과 직접적으로 접촉하며, 상기 제1 전극의 면적 보다 더 큰 면적을 갖는 유기 발광 구조물;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되며, 상기 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극; 및
상기 제1 기판과 대향하도록 배치되며, 상기 제1 기판의 상기 제2 영역에 대향하는 영역에 배치된 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 포함하고,
상기 유기 발광 구조물은,
상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 주입층을 포함하며,
상기 제2 전극은 상기 전자 주입층 상에 배치되고,
상기 제2 전극의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 유기 발광 구조물의 면적에 기초하여 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 패터닝되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 전극의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은,
상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층; 및
상기 제1 전극 및 상기 정공 수송층 사이에 배치되는 정공 주입층을 더 포함하며,
상기 제1 전극의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 유기 발광 구조물의 면적에 기초하여 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 패터닝되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은,
상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층; 및
상기 제1 전극 및 상기 정공 수송층 사이에 배치되는 정공 주입층을 더 포함하며,
상기 제2 전극의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 유기 발광 구조물이 배치되는 발광 영역이고, 상기 제2 영역은 상기 유기 발광 구조물이 배치되지 않은 비발광 영역인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반사 부재는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 반사 금속 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되는 제1 전극;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 단부를 커버하는 제1 절연막 패턴;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 일면과 직접적으로 접촉하는 유기 발광 구조물;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되며, 상기 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제2 전극의 단부를 커버하는 제2 절연막 패턴; 및
상기 제1 기판과 대향하도록 배치되며, 상기 제1 기판의 상기 제2 영역에 대향하는 영역에 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 포함하고,
상기 유기 발광 구조물은,
상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 배치되는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 주입층을 포함하며,
상기 제2 전극은 상기 전자 주입층 상에 배치되고,
상기 제2 전극의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 제1 전극의 면적은 상기 정공 수송층, 상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은,
상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층; 및
상기 제1 전극 및 상기 정공 수송층 사이에 배치되는 정공 주입층을 더 포함하며,
상기 제1 전극의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 삭제
- 삭제
- 제10항에 있어서, 상기 유기 발광 구조물은,
상기 유기 발광층 및 상기 전자 주입층 사이에 배치되는 전자 수송층; 및
상기 제1 전극 및 상기 정공 수송층 사이에 배치되는 정공 주입층을 더 포함하며,
상기 제2 전극의 면적은 상기 전자 수송층 및 상기 정공 주입층 중에서 적어도 하나의 면적 보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연막 패턴들 각각은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy) 및 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 유기 발광 구조물이 배치되는 발광 영역이고, 상기 제2 영역은 상기 유기 발광 구조물이 배치되지 않은 비발광 영역인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 반사 부재는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 이들의 합금 중 적어도 하나로 이루어진 반사 금속 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 일면과 직접적으로 접촉하는 유기 발광 구조물을 형성하는 단계;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되며, 상기 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제1 기판의 상기 제2 영역에 대향하는 영역에 배치된 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향하도록 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 면적 및 상기 제2 전극의 면적보다 더 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 단부를 커버하는 제1 절연막 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제1 전극의 일면과 직접적으로 접촉하는 유기 발광 구조물을 형성하는 단계;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되며, 상기 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 기판의 상기 제1 영역 내에 배치되어 상기 제2 전극의 단부를 커버하는 제2 절연막 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제1 기판의 상기 제2 영역에 대향하는 영역에 배치된 반사 부재를 구비하는 제2 기판을 상기 제1 기판과 대향하도록 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 면적 및 상기 제2 전극의 면적보다 더 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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