KR101893376B1 - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

유기 발광 표시 장치는, 발광 영역과 비발광 영역을 구비하는 기판, 기판 상에 배치되는 절연층, 절연층 상에 배치되는 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되는 적어도 하나의 유기 발광 구조물, 유기 발광 구조물 상에 배치되는 제2 전극, 그리고 유기 발광 구조물 주위의 제1 전극과 제2 전극 중에서 적어도 하나에 배치되는 적어도 하나의 반사 구조물을 포함할 수 있다. 반사 구조물에 의해 유기 발광층으로부터 발생되어 제1 전극과 절연층 사이의 계면에서 반사되어 비발광 영역으로 진행되는 광을 발광 영역으로 반사시킬 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치의 광 효율 및 휘도를 향상시킬 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 반사 구조물을 구비하는 유기 발광 표시 장치 및 반사 구조물을 구비하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시(OLED) 장치는 고속의 응답 속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광 방식에 따라 시야각이 넓어 장치의 크기에 상관없이 화상 표시 매체로서 여러 가지 장점들을 가진다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 상대적으로 저온에서 간단한 공정들을 통해 제조할 수 있기 때문에, 차세대 평판 표시 장치로 주목 받고 있다.
종래의 유기 발광 표시 장치는 통상적으로 기판 상에 제공된 박막 트랜지스터를 덮는 절연층 상에 양극, 유기 발광층 및 음극이 순차적으로 배치되는 구조를 가진다. 그러나 종래의 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 유기 발광층으로부터 발생되는 광의 상당량이 상기 양극과 하부 절연층 사이의 계면에서 반사되며, 이와 같이 반사된 광은 상기 유기 발광 장치의 비발광 영역 쪽으로 상기 양극 내에서 계속적으로 반사되며 진행한다. 이에 따라, 상당량의 광이 영상의 형성에 기여하지 못하게 되어 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율이 크게 저하될 뿐만 아니라 영상의 휘도가 현저하게 감소하는 문제점이 야기된다.
본 발명의 일 목적은 반사 구조물을 구비하여 향상된 광 효율과 휘도를 가지는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반사 구조물을 설치하여 광 효율과 휘도를 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 발광 영역과 비발광 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 절연층, 상기 절연층 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 구조물, 상기 발광 구조물 상에 배치되는 제2 전극, 그리고 상기 발광 구조물에 인접하여 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 배치되는 적어도 하나의 반사 구조물을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 반사 구조물은 상기 발광 구조물로부터 발생되어 상기 제1 전극과 상기 절연층 사이의 계면에서 반사되어 상기 비발광 영역으로 진행되는 광을 상기 발광 영역으로 반사시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 구조물은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사 구조물은, 알루미늄, 은, 백금, 금, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 팔라듐, 이리듐, 이들의 금속의 합금 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 구조물의 평면 형상은 실질적으로 원형 링의 형상, 실질적으로 타원형 링의 형상, 실질적으로 트랙형 링의 형상, 실질적으로 다각형 링의 형상 등을 가질 수 있다. 또한, 상기 반사 구조물의 단면 형상은 실질적으로 절단된 역사다리꼴의 형상, 실질적으로 절단된 역쐐기의 형상, 상기 기판을 향해 실질적으로 라운드진 형상 등을 가질 수 있다. 여기서, 상기 반사 구조물의 측면은 상기 기판에 실질적으로 평행한 방향에 대해 약 +20° 내지 약 +70° 정도의 경사 각도 또는 약 -20° 내지 약 -70° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극 상에는 복수의 발광 구조물들이 배치될 수 있다. 이 때, 상기 복수의 발광 구조물들을 각기 둘러싸는 복수의 반사 구조물들이 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 전극 상에는 복수의 발광 구조물들이 배치될 수 있다. 여기서, 상기 복수의 발광 구조물들을 전체적으로 둘러싸는 적어도 하나의 반사 구조물이 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 반사 구조물은 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 실질적으로 매립될 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 상기 적어도 하나의 반사 구조물은 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로부터 돌출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 기판과 상기 절연층 사이에는 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 스위칭 소자가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터, 반도체 산화물 소자 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 반사 구조물은 상기 제1 전극에 배치될 수 있다. 또한, 상기 반사 구조물과 상기 제2 전극은 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 전극은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있고, 상기 제2 전극은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 반사 구조물은 상기 제2 전극에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극과 상기 반사 구조물은 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 포함할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제2 전극 상에는 보호막을 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 반사 구조물은 상기 발광 구조물로부터 발생되어 상기 제2 전극과 상기 보호막 사이의 계면에서 반사되어 상기 비발광 영역으로 진행되는 광을 상기 발광 영역으로 반사시킬 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층 상에 제1 전극을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극에 적어도 하나의 반사 구조물을 형성한 다음, 상기 제1 전극 상에 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막을 형성할 수 있다. 상기 발광 영역의 제1 전극 상에 상기 적어도 하나의 반사 구조물에 둘러싸이는 적어도 하나의 발광 구조물을 형성한 후, 상기 발광 구조물 및 상기 화소 정의막 상에 제2 전극을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 반사 구조물을 형성하는 과정에 있어서, 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역 사이의 상기 제1 전극을 부분적으로 식각한 후, 상기 제1 전극의 식각된 부분에 상기 반사 구조물을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극을 부분적으로 식각하여 상기 제1 전극에 상기 절연층을 노출시키는 적어도 하나의 개구를 형성할 수 있다. 상기 개구의 평면 형상은 실질적으로 원형 링의 형상, 실질적으로 타원형 링의 형상, 실질적으로 트랙형 링의 형상, 실질적으로 다각형 링의 형상 등을 가질 수 있다. 또한, 상기 개구의 단면 형상은 실질적으로 절단된 역사다리꼴의 형상, 실질적으로 절단된 역쐐기 형상, 상기 기판을 향해 실질적으로 라운드진 형상 등을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 개구의 측벽은 상기 기판에 평행한 방향에 대해 약 +20° 내지 약 +70° 정도의 경사 각도 또는 약 -20° 내지 약 -70° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 따라 상기 제1 전극 상에 복수의 발광 구조물들이 형성될 경우, 상기 제1 전극에는 상기 복수의 발광 구조물들을 전체적으로 둘러싸는 하나의 반사 구조물이 형성될 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극에는 상기 복수의 발광 구조물들을 각기 둘러싸는 복수의 반사 구조물들이 형성될 수도 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 절연층을 형성한 다음, 상기 절연층 상에 제1 전극을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극 상에 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막을 형성한 후, 상기 발광 영역의 제1 전극 상에 적어도 하나의 발광 구조물을 형성할 수 있다. 상기 발광 구조물 및 상기 화소 정의막 상에 제2 전극을 형성한 후, 상기 제2 전극에 상기 발광 구조물을 둘러싸는 적어도 하나의 반사 구조물을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 반사 구조물을 형성하는 과정에 있어서, 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역 사이의 상기 제2 전극에 적어도 하나의 개구를 형성한 후, 상기 개구 내에 상기 반사 구조물을 형성할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극 또는 제2 전극에 배치되는 적어도 하나의 반사 구조물이 발광 구조물로부터 발생되어 상기 제1 전극과 하부 절연층 사이의 계면 또는 상기 제2 전극과 상부 보호막 사이의 계면에서 반사되어 비발광 영역으로 진행되는 광을 발광 영역으로 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 반사 구조물을 구비하는 유기 발광 표시 장치가 크게 향상된 광 효율과 휘도를 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.
본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어"있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 반사 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 기판(10), 스위칭 소자, 절연층(65), 제1 전극(70), 반사 구조물(80), 화소 정의막(85), 발광 구조물(95), 제2 전극(100), 보호층(105), 제2 기판(110) 등을 포함할 수 있다.
제1 기판(10)은 투명 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(10)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판, 투명 세라믹 기판 등으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(10)이 투명 플라스틱 기판으로 구성될 경우, 제1 기판(10)은 폴리이미드(polyimide) 수지, 아크릴(acryl) 수지, 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate) 수지, 폴리에테르(polyether) 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 수지, 술폰산(sulfonic acid) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(10) 상에는 버퍼층(15)이 제공된다. 버퍼층(15)은 제1 기판(10)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 제1 기판(10)이 버퍼층(15)을 구비할 경우, 후속하여 액티브 패턴을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴을 수득할 수 있다. 또한, 버퍼층(15)은 제1 기판(10)이 표면이 균일하지 않을 경우에는 제1 기판(10)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할도 수행할 수 있다.
버퍼층(15)은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다, 예를 들면, 버퍼층(15)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 버퍼층(15)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(15)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막, 실리콘 산탄화막, 실리콘 탄질화막 등을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판(10)의 구성 물질 및/또는 표면 상태에 따라 제1 기판(10) 상에 버퍼층(15)이 제공되지 않을 수도 있다.
상기 스위칭 소자는 버퍼층(15) 상에 배치된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 스위칭 소자는 상기 액티브 패턴, 게이트 절연막(25), 게이트 전극(30), 층간 절연막(50), 소스 전극(55), 드레인 전극(60) 등을 구비할 수 있다. 여기서, 상기 액티브 패턴은 소스 영역(35), 드레인 영역(40) 및 채널 영역(45)을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴은 실리콘을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 액티브 패턴은 폴리실리콘, 불순물을 포함하는 폴리실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 불순물을 포함하는 아몰퍼스 실리콘, 부분 결정화 실리콘, 미세한 결정들을 포함하는 실리콘 등으로 이루어질 수 있다. 소스 영역(35)과 드레인 영역(40)은 상기 박막 트랜지스터의 전하 운반체(charge carrier)의 형태에 따라 각기 N형 불순물들 또는 P형 불순물들을 포함할 수 있다. 이러한 소스 및 드레인 영역(35, 40)에 의해 채널 영역(45)이 한정된다. 예를 들면, 상기 액티브 패턴의 중앙부에는 채널 영역(45)이 배치될 수 있으며, 상기 액티브 패턴의 양측부들에는 소스 및 드레인 영역(35, 40)이 위치할 수 있다.
게이트 절연막(25)은 상기 액티브 패턴을 커버하며 버퍼층(15) 상에 위치한다. 게이트 절연막(25)은 버퍼층(15)의 프로파일(profile)을 따라 실질적으로 균일한 두께를 가지면서 버퍼층(15) 상에 배치될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(25)은 상기 액티브 패턴을 완전히 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 게이트 절연막(25)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연막(25)을 구성하는 금속 산화물은 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx) 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 전극(30)은 아래에 채널 영역(45)이 위치하는 부분의 게이트 절연막(25) 상에 배치된다. 게이트 전극(30)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(30)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrNx), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 게이트 전극(30)은 상기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 이루어진 단층 구조를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 전극(30)은 전술한 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 및/또는 투명 도전성 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
도시되지는 않았으나, 게이트 절연막(25)의 일측 상에는 게이트 전극(30)에 연결되는 게이트 라인이 배치된다. 이러한 게이트 라인은 게이트 절연막(25) 상에서 제1 방향을 따라 연장될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 게이트 절연막(25) 상에는 게이트 전극(30)을 덮는 층간 절연막(50)이 배치된다. 층간 절연막(50)은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(50)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 층간 절연막(50)은 상기 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 층간 절연막(50)은 상기 액티브 패턴 및 게이트 전극(30)의 프로파일들로부터 유래되는 단차부들을 가질 수 있다. 이 경우, 층간 절연막(50)은 게이트 절연막(25)의 상면으로부터 실질적으로 균일한 두께를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연막(50)은 단차부를 구비하지 않는 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 스위칭 소자의 소스 전극(55)과 드레인 전극(60)은 게이트 전극(30)을 중심으로 각기 층간 절연막(50)의 일측과 타측 상에 배치된다. 층간 절연막(50)의 형상에 따라 소스 및 드레인 전극(55, 60)은 각기 단차부를 가질 수 있지만, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 소스 전극(55)과 드레인 전극(60)은 각기 층간 절연막(50)을 관통하여 소스 영역(35)과 드레인 영역(40)에 접속된다. 소스 및 드레인 전극(55, 60)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 소스 및 드레인 전극(55, 60)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 및 드레인 전극(55, 60)은 상기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 이루어진 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
도시되지는 않았으나, 층간 절연막(50) 상에는 소스 전극(55)에 연결되는 데이터 라인이 배치된다. 이와 같은 데이터 라인은 층간 절연막(5) 상에서 제2 방향을 따라 연장될 수 있다. 이 때, 상기 제2 방향은 상기 게이트 라인이 연장되는 제1 방향과 실질적으로 직교할 수 있다.
절연층(65)은 상기 스위칭 소자를 덮으며 층간 절연막(50) 상에 배치된다. 절연층(65)은 후속하여 배치되는 유기 발광 표시 장치의 구성 요소들을 위하여 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(65)의 자체 평탄성을 갖는 물질을 포함할 수 있으며, 절연층(65)에 대해 평탄화 공정이 수행될 수도 있다. 절연층(65)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 절연층(65)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 제1 전극(70)은 절연층(65) 상에 위치한다. 제1 전극(70)은 절연층(65)을 관통하여 드레인 전극(60)에 접속될 수 있으며, 절연층(65)의 일측 상으로 연장될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(65)을 관통하여 드레인 전극(60) 상에 배치되는 콘택 구조물 또는 패드 구조물이 제공될 수 있으며, 이 경우에는 제1 전극(70)은 상기 콘택 구조물 또는 상기 패드 구조물을 통해 상기 스위칭 소자의 드레인 전극(60)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제1 전극(70)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(70)은 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 제1 전극(70)은 상기 투명 도전성 물질을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 전극(70)이 상기 투명 도전성 물질을 포함할 때, 반사 구조물(80)은 제1 전극(70)에 배치된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반사 구조물(80)은 발광 구조물(95)에 인접하여 제1 전극(70)에 위치할 수 있다. 이 경우, 반사 구조물(80)은 전체적으로 또는 부분적으로 제1 전극(70)에 매립될 수 있다. 예를 들면, 반사 구조물(80)은 제1 전극(70)에 제공되는 트렌치(trench), 리세스(recess), 그루브(groove), 덴트(dent) 등에 부분적으로 또는 전체적으로 매립될 수 있다. 즉, 반사 구조물(80)의 상면과 제1 전극(70)의 상면이 실질적으로 동일한 평면상에 위치할 수도 있으며, 반사 구조물(80)이 제1 전극(70)의 상면으로부터 실질적으로 돌출될 수도 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 반사 구조물(80)은 발광 구조물(95)의 하부 주위를 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 반사 구조물(80)은 실질적으로 원형 링의 형상, 실질적으로 타원형 링의 형상, 실질적으로 트랙형 링의 형상, 실질적으로 사각형 링의 형상, 실질적으로 육각형 링의 형상, 기타 실질적으로 다각형 링의 형상 등의 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 또한, 반사 구조물(80)은 상부 폭에 비하여 실질적으로 넓은 하부 폭을 가질 수 있다. 예를 들면, 반사 구조물(80)은 실질적으로 절단된 역사다리꼴 형상, 실질적으로 절단된 역쐐기의 형상 등과 같은 단면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 반사 구조물(80)의 측벽은 제1 전극(70)을 지나 반사 구조물(80)로 입사되는 광을 실질적으로 모두 반사시킬 수 있는 소정의 경사 각도를 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(70)이 상기 투명 도전성 물질을 포함할 경우, 하나의 제1 전극(70) 상에 복수의 발광 구조물(95)들이 배치될 수 있다. 이 때, 하나의 반사 구조물(80) 또는 복수의 반사 구조물(80)들이 제1 전극(70)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 반사 구조물(80)들이 각기 복수의 발광 구조물(95)들의 하부 주변을 실질적으로 둘러싸도록 제1 전극(70) 내에 배치될 수도 있으며, 하나의 반사 구조물(80)이 복수의 발광 구조물(95)들의 하부들을 전체적으로 둘러싸도록 제1 전극(70) 내에 배치될 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 반사 구조물(80)은 발광 구조물(95)로부터 발생되어 제1 기판(10)에 실질적으로 평행한 방향을 따라 유기 발광 표시 장치의 비발광 영역으로 제1 전극(70)을 통과하는 광을 상기 발광 영역의 제1 기판(10) 쪽으로 반사시켜 광 효율을 향상시키는 기능을 수행할 수 있다. 이 경우, 반사 구조물(80)의 측면은 제1 기판(10) 및/또는 제1 전극(70)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 +20° 내지 약 +70° 정도의 경사 각도 또는 약 -20° 내지 약 -70° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다.
제1 전극(70)이 상술한 투명 도전성 물질로 구성될 경우, 반사 구조물(80)은 상대적으로 높은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 반사 구조물(80)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 금(Au), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 등과 같은 금속, 이들의 합금 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 반사 구조물(80)은 상기 금속 및/또는 합금을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
종래의 유기 발광 표시 장치에 있어서, 유기 발광층으로부터 방출되는 광은 투명 전극과 하부 절연층 사이의 계면에서 약 46.9% 정도까지 반사되며, 이와 같이 반사된 광은 상기 투명 전극 내에서 계속 반사되면서 비발광 영역으로 진행되기 때문에 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율이 크게 저하된다. 그러나 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(70)이 전술한 투명 도전성 물질을 포함하는 경우에 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역 사이에 반사 구조물(80)이 배치되기 때문에, 제1 전극(70) 내에서 반사로 소실될 수 있는 광을 다시 상기 발광 영역의 제1 기판(10) 쪽으로 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율과 휘도를 현저하게 향상시켜 영상의 품질을 크게 개선할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 화소 정의막(85)은 제1 전극(70)의 일부를 노출시키는 개구를 가지며, 반사 구조물(80), 제1 전극(70) 및 절연층(65) 상에 배치된다. 화소 정의막(85)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(85)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등의 유기 물질, 실리콘 화합물과 같은 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 상기 개구를 갖는 화소 정의막(85)에 의해 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의될 수 있다. 즉, 화소 정의막(85)의 개구가 위치하는 영역이 상기 발광 영역에 해당되며, 상기 개구에 인접하는 영역이 상기 비발광 영역에 해당된다. 이 때, 반사 구조물(80)은 상기 발광 영역과 비발광 영역의 경계에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(85)의 개구의 측벽은 제1 기판(10)에 실질적으로 평행한 축선에 대해 약 110°내지 약 160°정도의 경사 각도를 가질 수 있다.
발광 구조물(95)은 화소 정의막(85)에 의해 노출된 제1 전극(70) 상에 배치된다. 발광 구조물(95)의 하부는 제1 전극(70)에 접촉될 수 있고, 발광 구조물(95)의 측부는 화소 정의막(85)에 접촉될 수 있다. 따라서 발광 구조물(95)의 측부도 제1 기판(10)에 실질적으로 평행한 방향에 대해 약 110°내지 약 160°정도의 경사 각도를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 발광 구조물(95)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 발광 구조물(95)은 상기 유기 발광 표시 장치의 화소들에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 다양한 색광들을 발생시키는 유기 물질을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 발광 구조물(95)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 발생시키는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구성을 가질 수도 있다.
제2 전극(100)은 발광 구조물(95) 및 화소 정의막(85) 상에 배치된다. 제2 전극(100)은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 제2 전극(100)은 발광 구조물(95)과 화소 정의막(85) 상에서 균일한 두께를 가질 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(100)은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(100)은 알루미늄, 은, 백금, 금, 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐, 이리듐, 이들의 합금 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 이 경우, 반사 구조물(80)과 제2 전극(100)은 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극(100)은 상기 금속 및/또는 합금을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 따라 상기 유기 발광 표시 장치가 전면 발광 방식을 가질 경우, 제1 전극(70)은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있으며, 제2 전극(100)이 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 적어도 하나의 반사 구조물(80)이 상기 발광 영역과 비발광 영역 사이의 제2 전극(100)에 배치될 수 있다. 또한, 반사 구조물(80)과 제1 전극(70)은 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 포함할 수 있다.
제2 전극(100)이 상술한 투명 도전성 물질을 포함할 경우, 반사 구조물(80)은 발광 구조물(95)에 인접하여 제2 전극(100) 내에 위치할 수 있다. 예를 들면, 반사 구조물(80)은 발광 구조물(95)의 상부 주변을 둘러싸며, 전체적으로 또는 부분적으로 제2 전극(100)에 매립될 수 있다. 예를 들면, 반사 구조물(80)은 제2 전극(100)에 제공되는 트렌치, 리세스, 그루브, 덴트 등에 부분적으로 또는 전체적으로 매립될 수 있다. 즉, 반사 구조물(80)의 상면과 제2 전극(100)의 상면이 실질적으로 동일한 평면상에 위치할 수도 있으며, 반사 구조물(80)이 제2 전극(100)의 상면으로부터 실질적으로 돌출될 수도 있다.
상기 유기 발광 표시 장치가 전면 발광 방식을 가질 경우, 반사 구조물(80)의 측부는 제2 전극(100)을 지나 제1 기판(10)에 대해 실질적으로 평행한 방향을 따라 반사 구조물(80)로 입사되는 광을 실질적으로 모두 반사시킬 수 있는 소정의 경사 각도를 가질 수 있다. 즉, 반사 구조물(80)은 발광 구조물(95)로부터 발생되어 제1 기판(10)에 실질적으로 평행한 방향을 따라 비발광 영역으로 제2 전극(100) 내부를 진행하는 광을 상기 발광 영역의 제1 기판(10) 쪽으로 반사시켜 광 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(100)에 배치되는 반사 구조물(80)의 측면은 제1 기판(10)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 +20° 내지 약 +70° 정도의 경사 각도 또는 약 -20° 내지 약 -70° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 따라 제2 전극(100)이 전술한 투명 도전성 물질을 포함할 때, 하나의 제1 전극(70) 상에 복수의 발광 구조물(95)들이 배치될 수 있으며, 하나의 반사 구조물(80) 또는 복수의 반사 구조물(80)들이 제2 전극(100)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 반사 구조물(80)들이 각기 복수의 발광 구조물(95)들의 상부 주변을 둘러싸도록 제2 전극(100)에 배치될 수도 있으며, 하나의 반사 구조물(80)이 복수의 발광 구조물(95)들의 상부들을 전체적으로 둘러싸도록 제2 전극(100)에 배치될 수도 있다.
보호막(105)은 제2 전극(100) 상에 배치된다. 보호막(105)은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 보호막(105)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 보호막(105)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 보호막(105)은 상술한 유기 물질, 무기 물질 등을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 따라 반사 구조물(80)이 제2 전극(100)에 배치되는 매립될 경우, 반사 구조물(80)은 발광 구조물(95)로부터 발생되어 제2 전극(100)과 보호막(105) 사이의 계면에서 반사되어 상기 비발광 영역으로 진행되는 광을 상기 발광 영역으로 다시 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치의 광 효율과 휘도를 향상시킬 수 있다.
제2 기판(110)은 보호막(105) 상에 제공된다. 제2 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판, 투명 세라믹 기판 등으로 구성될 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 보호막(105)은 상기 발광 영역에서 보호막(105)과 제2 전극(100) 사이 또는 보호막(105)과 제2 기판(110) 사이에 공간을 제공하면서 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 공간에는 공기, 질소와 같은 불활성 기체 등이 채워질 수 있으나, 광 투과성 및 흡습성을 갖는 수지가 충진될 수도 있다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따라 반사 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 2 내지 도 7에 도시한 방법에 의해 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치가 수득될 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 기판(10) 상에 버퍼층(15)을 형성한다. 제1 기판(10)은 투명 절연 물질을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판(10)에 대하여 평탄화 공정을 수행한 후, 제1 기판(10) 상에 버퍼층(15)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 화학 기계적 연마 공정 및/또는 에치 백 공정을 제1 기판(10)에 대해 수행하여 제1 기판(10)이 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(10)의 표면 평탄도, 구성 물질 등에 따라 제1 기판(20) 상에 버퍼층(15)이 형성되지 않을 수도 있다.
버퍼층(15)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(15)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 버퍼층(15)은 화학 기상 증착 공정, 열산화 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정 등을 이용하여 제1 기판(10) 상에 형성될 수 있다.
버퍼층(15) 상에 반도체층(20)을 형성한다. 반도체층(20)은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 반도체층(20)은 폴리실리콘, 불순물을 포함하는 폴리실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 불순물을 포함하는 아몰퍼스 실리콘, 부분 결정화 실리콘, 미세 결정들을 포함하는 실리콘 등으로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 버퍼층(15) 상에 예비 반도체층(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 예비 반도체층을 결정화시켜 반도체층(20)을 수득할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 이러한 예비 반도체층의 결정화 공정은 게이트 절연막(25)의 형성 후 또는 게이트 전극(30)의 형성 후에 수행될 수도 있다. 여기서, 반도체층(20)은 레이저 조사 공정, 열처리 공정, 촉매를 이용하는 열처리 공정 등을 포함하는 결정화 공정을 이용하여 수득될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 따르면, 반도체층(20) 및/또는 상기 예비 반도체층을 형성한 다음, 반도체층(20) 및/또는 상기 예비 반도체층에 대해 탈수소 공정을 수행할 수 있다. 이에 따라, 반도체층(20) 및/또는 상기 예비 반도체층 내의 수소 원자의 농도를 감소시켜 반도체층(20)의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 반도체층(20)을 덮는 게이트 절연막(25)을 버퍼층(15) 상에 형성한다. 게이트 절연막(25)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 게이트 절연막(25)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 여기서, 게이트 절연막(25)에 포함되는 금속 산화물로는 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 게이트 절연막(25)은 버퍼층(15) 상에 균일하게 형성될 수 있으며, 이에 따라 게이트 절연막(25)에는 반도체층(20)에 인접하는 단차부들이 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(25)은 반도체층(20)을 충분하게 덮으면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다.
도 3을 참조하면, 게이트 절연막(25) 상에 게이트 전극(30)을 형성한다. 게이트 전극(30)은 게이트 절연막(25) 중에서 아래에 반도체층(20)이 위치하는 부분 상에 형성된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(25) 상에 제1 도전막(도시되지 않음)을 형성한 다음, 상기 제1 도전막을 패터닝하여 게이트 전극(30)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제1 도전막은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 게이트 전극(30)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(30)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브덴, 몰리브덴을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도시하지는 않았으나, 게이트 절연막(25)의 일측 상에는 게이트 전극(30)과 함께 게이트 라인이 형성된다. 게이트 전극(30)은 이러한 게이트 라인에 연결되며, 상기 게이트 라인은 게이트 절연막(25) 상에서 제1 방향을 따라 연장될 수 있다.
게이트 전극(30)을 마스크로 이용하여 반도체층(30)에 불순물들을 주입함으로써, 반도체층(20)에 소스 영역(35)과 드레인 영역(40)을 형성한다. 따라서 버퍼층(15) 상에는 소스 영역(35), 드레인 영역(40) 및 채널 영역(45)을 포함하는 액티브 패턴이 제공된다. 이 경우, 게이트 전극(30) 아래에 위치하는 반도체층(20)의 중앙부에는 불순물들이 주입되지 않으며, 이에 따라 반도체층(20)의 중앙부는 소스 영역(35)과 드레인 영역(40) 사이에 위치하는 스위칭 소자의 채널 영역(45)이 된다. 즉, 소스 및 드레인 영역(35, 40)의 형성에 따라 채널 영역(45)이 정의된다.
게이트 절연막(25) 상에 게이트 전극(30)을 커버하는 층간 절연막(50)을 형성한다. 층간 절연막(50)은 게이트 전극(30)의 프로파일을 따라 게이트 절연막(25) 상에 균일하게 형성될 수 있으며, 이에 따라 층간 절연막(50)에는 게이트 전극(30)에 인접하는 단차부들이 생성될 수 있다. 층간 절연막(50) 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(50)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 층간 절연막(50)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
도 4를 참조하면, 층간 절연막(50) 상에 소스 전극(55)과 드레인 전극(60)을 형성한다. 소스 전극(55)과 드레인 전극(60)은 게이트 전극(30)을 중심으로 실질적으로 대칭되는 구조를 가질 수 있다. 여기서, 소스 및 드레인 전극(55, 60)은 각기 소스 및 드레인 영역(35, 40) 상부에 위치하는 층간 절연막(50)으로부터 게이트 전극(30) 상에 위치하는 층간 절연막(50)까지 연장될 수 있다. 소스 전극(55)과 드레인 전극(60)은 각기 층간 절연막(50)을 관통하여 소스 영역(35)과 드레인 영역(40)에 접속된다.
예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연막(50)을 부분적으로 식각하여 소스 및 드레인 영역(35, 40)을 노출시키는 홀들을 형성한 다음, 상기 홀들을 채우면서 층간 절연막(50) 상에 제2 도전막(도시되지 않음)을 형성할 수 있다. 상기 제2 도전막을 패터닝하여 소스 전극(55) 및 드레인 전극(60)을 형성할 수 있다. 상기 제2 도전막은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 소스 및 드레인 전극(55, 60)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 소스 및 드레인 전극(55, 60)은 각기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도시하지는 않았으나, 층간 절연막(50) 상에는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터 라인이 소스 및 드레인 전극(55, 60)과 함께 형성된다. 이 때, 상기 제2 방향은 상기 게이트 라인이 연장되는 제1 방향과 실질적으로 직교할 수 있다. 상기 데이터 라인은 소스 전극(55)에 접속된다.
소스 및 드레인 전극(55, 60)의 형성에 따라, 제1 기판(10) 상에는 상기 스위칭 소자로서 상기 액티브 패턴, 게이트 절연막(25), 게이트 전극(30), 소스 전극(55) 및 드레인 전극(60)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 제공된다.
층간 절연막(50) 상에 소스 및 드레인 전극(55, 60)을 덮는 절연층(65)을 형성한다. 절연층(65)은 소스 및 드레인 전극(55, 60)을 완전하게 덮을 수 있도록 충분한 두께로 형성될 수 있으며, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(65)은 자체 평탄성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(65)에 대해 화학 기계적 연마 공정 및/또는 에치 백 공정 등과 같은 평탄화 공정을 수행하여 절연층(65)의 상부를 실질적으로 평탄하게 형성할 수 있다.
절연층(65)은 유기 물질 및/또는 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 절연층(65)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 절연층(65)은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 스위칭 소자를 커버하는 하부 보호막(도시되지 않음)을 형성한 후, 이러한 하부 보호막 상에 절연층(65)을 형성할 수도 있다.
도 5를 참조하면, 절연층(65)에 드레인 전극(60)을 노출시키는 홀을 형성한 후, 상기 홀을 채우면서 절연층(65) 상에 제1 전극(70)을 형성한다. 제1 전극(70)은 드레인 전극(60)에 접속되며, 상기 유기 발광 표시 장치의 비발광 영역으로부터 발광 영역까지 연장된다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(65)의 홀을 채우면서 절연층(65) 상에 제1 전극층(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 제1 전극층을 패터닝하여 상기 비발광 영역의 일부로부터 상기 발광 영역까지 제1 전극(70)을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 전극층은 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(65)의 홀에 드레인 전극(60)에 접속되는 콘택 구조물 또는 패드 구조물을 형성한 다음, 절연층(65)과 상기 콘택 구조물 또는 상기 패드 구조물 상에 제1 전극(70)을 형성할 수도 있다. 이 때, 제1 전극(70)은 상기 콘택 구조물 또는 상기 패드 구조물을 통해 드레인 전극(60)에 전기적으로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따라 상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제1 전극(70)은 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(70)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 주석 아연 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물, 갈륨 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 제1 전극(70)을 부분적으로 식각하여 절연층(65)의 일부를 노출시키는 실질적으로 링 형상을 갖는 트렌치(trench), 실질적으로 링 형상을 갖는 그루브 또는 실질적으로 링 형상을 갖는 개구(75)를 형성한다. 상기 트렌치, 상기 그루브 또는 개구(75)는 건식 식각 공정을 이용하여 수득될 수 있다. 제1 전극(70)의 개구(75)는 상기 발광 영역을 실질적으로 둘러싸는 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(70)의 개구(75)는 실질적으로 원형의 링 형상, 실질적으로 타원형 링의 형상, 실질적으로 트랙형 링의 형상, 실질적으로 다각형 링의 형상 등을 가질 수 있다. 그러나 개구(75)가 상기 발광 영역을 둘러싸는 구조를 가지기 때문에, 제1 전극(70)의 개구(75)의 형상은 상기 발광 영역의 형상 또는 후속하여 형성되는 발광 구조물(95)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 또한, 제1 전극(70)의 개구(75)는 상부 폭에 비하여 실질적으로 작은 하부 폭을 가질 수 있다. 예를 들면, 개구(75)는 실질적으로 절단된 역사다리꼴의 형상, 실질적으로 역쐐기의 형상 등과 같은 단면 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 개구(75)의 측벽은 제1 기판(10)에 실질적으로 평행한 방향에 대하여 약 +20° 내지 약 +70° 정도의 경사 각도 또는 -20° 또는 -70° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 절연층(65)을 노출시키지 않고 제1 전극(70)의 일부 상에 트렌치, 그루브, 리세스, 덴트 등이 형성될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 제1 전극(70)의 개구(75)에 반사 구조물(80)을 형성한다. 따라서 반사 구조물(80)은 전술한 바와 같은 개구(75)와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 평면 형상 및 단면 형상을 가질 수 있다. 또한, 반사 구조물(80)의 측부는 제1 기판(10)에 실질적으로 나란한 방향에 대하여 약 +20° 내지 약 +70° 정도의 경사 각도 또는 -20° 또는 -70° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다. 제1 전극(70)이 투명 도전성 물질을 포함하는 경우, 반사 구조물(80)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 반사 구조물(80)은 알루미늄, 은, 백금, 금, 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐, 이리듐, 이들의 합금 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 반사 구조물(80)은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정, 원자층 적층 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
절연층(65), 반사 구조물(80) 및 제1 전극(70) 상에 화소 정의막(85)을 형성한 후, 화소 정의막(85)을 부분적으로 식각하여 제1 전극(70)을 노출시키는 개구(90)를 형성한다. 화소 정의막(85)의 개구(90)에 따라 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역이 정의된다. 즉, 화소 정의막(85)의 개구(90)가 위치하는 부분이 상기 발광 영역에 해당되며, 나머지 화소 정의막(85)이 위치하는 부분이 상기 비발광 영역에 해당된다. 화소 정의막(85)은 유기 물질 및/또는 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(85)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등의 유기 물질 및/또는 실리콘 화합물과 같은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(85)은 반사 구조물(80)을 노출시키지 않으면서 제1 전극(70) 상에 형성된다. 예를 들면, 반사 구조물(80)은 화소 정의막(85)의 개구(90)에 인접하여 위치할 수 있다. 화소 정의막(85)의 개구(90)는 상부 폭에 비하여 실질적으로 작은 하부 폭을 가질 수 있다. 즉, 화소 정의막(85)의 개구(90)는 실질적으로 경사진 측벽을 가질 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(85)의 개구(90)는 제1 기판(10)에 실질적으로 평행한 방향에 대해 약 110° 내지 약 160° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(85)에는 적어도 하나의 개구(90)가 형성될 수도 있지만, 제1 전극(70)의 각 부분들을 노출시키는 복수의 개구(90)들이 형성될 수도 있다. 이 경우, 화소 정의막(85)의 복수의 개구(90)들에 각기 인접하는 복수의 반사 구조물(85)들이 제1 전극(70)에 배치될 수 있다. 이와는 달리, 화소 정의막(85)의 복수의 개구(90)들을 실질적으로 둘러싸는 하나의 반사 구조물(85)이 제1 전극(70)에 형성될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 화소 정의막(85)의 개구(90)를 통해 노출되는 제1 전극(70) 상에 발광 구조물(95)을 형성한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 구조물(95)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 발광 구조물(95)은 상기 유기 발광 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 구조물(95)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
발광 구조물(95)은 상기 발광 영역에서 제1 전극(70)과 화소 정의막(85)에 접촉된다. 즉, 발광 구조물(95)의 저면은 제1 전극(70)에 접속되고, 발광 구조물(95)의 측부는 화소 정의막(85)에 접촉된다. 따라서 발광 구조물(95)의 측부도 화소 정의막(85)의 개구(90)의 경사 각도와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 경사 각도를 가질 수 있다. 예를 들면, 발광 구조물(95)의 측부는 제1 기판(10)에 대해 실질적으로 평행한 방향에 대해 약 110° 내지 약 160° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(85)에 하나의 개구(90)가 형성되는 경우에는 제1 전극(70) 상에 하나의 발광 구조물(95)이 형성될 수 있으며, 제1 전극(70)에 하나의 반사 구조물(80)이 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 화소 정의막(85)에는 복수의 개구(90)들이 형성될 수도 있으며, 이에 따라 복수의 발광 구조물(95)들이 개구(90)들 내에 형성될 수 있다. 또한, 복수의 발광 구조물(95)들을 각기 둘러싸는 복수의 반사 구조물(80)들 또는 복수의 발광 구조물(95)들을 전체적으로 둘러싸는 하나의 반사 구조물(80)이 제1 전극(70)에 형성될 수 있다.
도 7에 도시한 바와 같이, 발광 구조물(95)과 화소 정의막(85) 상에 제2 전극(100)을 형성한다. 제2 전극(100)은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있다. 제2 전극(100)은 발광 구조물(95)과 화소 정의막(85) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(100)은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(100)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(100)과 반사 구조물(80)은 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 전극(100)은 반사 구조물(80)과 상이한 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 화소 정의막(85)의 개구(90)의 측벽의 경사 각도에 따라 제2 전극(100)도 상기 발광 영역에서 소정의 경사 각도를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 영역에서 제2 전극(100)의 측부는 제1 기판(10)에 실질적으로 평행한 방향에 대해 약 110°내지 약 160°정도의 경사 각도를 가질 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치가 전면 발광 방식을 가질 경우, 제2 전극(100)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있으며, 제1 전극(70)은 반사성을 갖는 물질로 구성될 수 있다. 여기서, 제2 전극(100)에는 적어도 하나의 개구(도시되지 않음)가 형성될 수 있으며, 반사 구조물(80)은 제2 전극(100)의 개구에 부분적으로 또는 전체적으로 매립될 수 있다. 즉, 반사 구조물(80)은 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역의 경계에 위치하는 제2 전극(100)에 형성될 수 있다. 따라서 발광 구조물(95)로부터 발생되어 제2 전극(100)과 상기 보호막 사이의 계면에서 반사되어 제2 전극(100) 내를 진행하는 광을 반사 구조물(80)이 다시 발광 영역 쪽으로 반사시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(85)에 하나의 개구(90)가 형성되는 경우에는 제1 전극(70) 상에 하나의 발광 구조물(95)이 형성될 수 있으며, 제2 전극(100)에는 하나의 반사 구조물(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 화소 정의막(85)에는 복수의 개구(90)들이 형성될 수도 있으며, 이에 따라 복수의 발광 구조물(95)들이 개구(90)들 내에 형성될 수 있다. 여기서, 복수의 발광 구조물(95)들을 각기 둘러싸는 복수의 반사 구조물들(도시되지 않음)이 제2 전극(100)에 형성되는 복수의 개구들(도시되지 않음) 내에 형성될 수 있다. 이와는 달리, 복수의 발광 구조물(95)들을 전체적으로 둘러싸는 하나의 반사 구조물(도시되지 않음)이 제2 전극(100)에 형성되는 하나의 개구(도시되지 않음)에 배치될 수도 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(100) 상에 보호막과 제2 기판을 배치하여, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치를 제조한다. 이 경우, 상기 보호막은 상기 발광 영역으로부터 상기 비발광 영역까지 연장될 수 있으며, 유기 물질 및/또는 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 보호막은 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
상기 제2 기판은 유리, 투명 플라스틱, 투명 세라믹 등과 같은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 영역의 보호막과 제2 기판 사이 또는 상기 보호막과 제2 전극(100) 사이의 공간에는 공기, 질소 등의 불활성 기체가 채워질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광 영역의 공간에는 광 투과성과 흡습성을 갖는 수지가 충진될 수도 있다.
도 8은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 상기 유기 발광 표시 장치는, 제1 기판(150), 제1 기판(150) 상에 배치되는 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자를 커버하는 절연층(185), 절연층(185) 상에 위치하는 제1 전극(190), 제1 전극(190)에 배치되는 반사 구조물(195), 제1 전극(190)과 절연층(185) 상에 배치되는 화소 정의막(200), 제1 전극(190)의 일부 상에 위치하는 발광 구조물(210), 발광 구조물(210)과 화소 정의막(200) 상에 배치되는 제2 전극(215), 제2 전극(215) 상에 위치하는 보호막(220), 그리고 보호막(220) 상에 배치되는 제2 기판(225)을 구비한다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 유기 발광 표시 장치의 제1 전극(215)에 적어도 하나의 발광 구조물(도시되지 않음)이 배치될 수도 있다.
제1 기판(150)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있으며, 제1 기판(150) 상에는 버퍼층(155)이 선택적으로 제공될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 스위칭 소자는 산화물 반도체 소자를 포함한다. 이 경우, 상기 산화물 반도체 소자는, 게이트 전극(160), 게이트 절연막(165), 소스 전극(170), 드레인 전극(175), 액티브 패턴(180) 등을 포함한다.
게이트 전극(160)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(165)은 게이트 전극(160)을 커버하며 버퍼층(155) 상에 배치된다. 게이트 절연막(165)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있으며, 게이트 전극(160)으로부터 유래되는 단차부들을 가질 수 있다. 소스 및 드레인 전극(170, 175)은 게이트 절연막(165) 상에 소정의 간격으로 이격되게 배치된다. 즉, 소스 및 드레인 전극(170, 175)은 게이트 절연막(165)의 일부를 노출시키며 게이트 전극(160) 상부에 위치한다. 소스 및 드레인 전극(170, 175)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(180)은 소스 및 드레인 전극(170, 175)에 의해 노출되는 게이트 절연막(165) 상에 위치한다. 액티브 패턴(180)은 소스 전극(170)과 드레인 전극(175) 상으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 액티브 패턴(180)은 반도체 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 액티브 패턴(180)은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 갈륨 아연 산화물(GaZnxOy), 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 마그네슘 산화물(ZnMgxOy), 아연 주석 산화물, 아연 지르코늄 산화물(ZnZrxOy), 아연 산화물, 갈륨 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐-갈륨-하프늄 산화물(IGHO), 주석-알루미늄-아연 산화물(TAZO), 인듐-갈륨-주석 산화물(IGSO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 절연층(185)은 상기 스위칭 소자를 충분하게 덮으면서 게이트 절연막(165) 상에 배치된다. 절연층(185)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있으며, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
다시 도 8을 참조하면, 제1 전극(190)은 상기 스위칭 소자에 전기적으로 연결되며, 절연층(185) 상에 배치된다. 제1 전극(190)은 절연층(185)을 관통하여 상기 스위칭 소자의 드레인 전극(175)에 접속된다. 전술한 바와 같이, 제1 전극(190)은 유기 발광 표시 장치의 발광 방식에 따라 투명 도전성 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극(190)이 사기 투명 도전성 물질을 포함하는 경우, 반사 구조물(195)은 반사성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
제1 전극(190)이 투명 도전성 물질로 이루어질 경우, 적어도 하나의 반사 구조물(195)이 발광 영역에 인접하여 제1 전극(190)에 배치될 수 있다. 이와는 달리, 제2 전극(215)이 투명 도전성 물질로 구성되는 경우에는, 적어도 하나의 반사 구조물(195)이 상기 발광 영역 주위의 제2 전극(215)에 위치할 수 있다. 예를 들면, 적어도 하나의 반사 구조물(195)이 적어도 하나의 발광 구조물(210)을 실질적으로 둘러싸도록 제1 전극(190) 또는 제2 전극(215)에 배치될 수 있다. 또한, 적어도 하나의 반사 구조물(195)이 제1 전극(190) 또는 제2 전극(215)에 전체적으로 매립되거나, 제1 전극(190) 또는 제2 전극(215)으로부터 돌출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 반사 구조물(195)은 실질적으로 반원의 형상, 실질적으로 반타원의 형상, 실질적으로 반트랙의 형상 등과 같이 제1 기판(150)을 향해 실질적으로 라운드진 단면 형상을 가질 수 있다. 따라서 반사 구조물(195)의 측부는 제1 기판(150)에 대해 실질적으로 평행한 방향으로부터 약 +20° 내지 약 +70° 정도의 경사 각도 또는 약 -20° 내지 약 -70° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다. 이 경우, 반사 구조물(195)의 평면 형상은 도 1을 참조하여 설명한 반사 구조물(80)의 평면 형상과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다.
화소 정의막(200)은 제1 전극(190)의 일부를 노출시키며 제1 전극(190), 반사 구조물(195) 및 절연층(185) 상에 배치된다. 화소 정의막(200)에 의해 상기 발광 영역과 비발광 영역이 정의되며, 반사 구조물(195)은 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역 사이에 위치한다. 화소 정의막(200)은 유기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있으며, 제1 전극(190)의 일부를 노출시켜 상기 발광 영역을 정의하는 개구를 포함할 수 있다. 이 때, 화소 정의막(200)의 개구의 측벽은 제1 기판(150)에 실질적으로 평행한 축선으로부터 약 110° 내지 약 160° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다.
발광 구조물(210)은 화소 정의막(200)에 의해 노출되는 제1 전극(190) 상에 위치한다, 발광 구조물(210)은 발광 구조물(95)은 유기 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 발광 구조물(210)이 제1 전극(190) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라 발광 구조물(210)의 주변을 실질적으로 둘러싸는 적어도 하나의 반사 구조물(195)이 제1 전극(190) 또는 제2 전극(215)에 배치될 수 있다.
제2 전극(215)은 발광 구조물(210)과 화소 정의막(215) 상에 배치된다. 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 방식에 따라 제2 전극(215)은 반사성을 갖는 물질 또는 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 이러한 제2 전극(215)의 구성 물질에 따라 적어도 하나의 반사 구조물(195)이 제2 전극(215)에 부분적으로 또는 전체적으로 매립될 수 있다.
보호막(220)은 제2 전극(215) 상에 배치된다. 보호막(220)은 제2 전극(215) 상에 컨포멀(conformal)하게 배치될 수도 있지만, 발광 구조물(210)의 상부에 소정의 공간을 제공하면서 제2 전극(215) 상에 배치될 수도 있다. 보호막(220)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있으며, 보호막(220)과 제2 전극(215) 사이의 상기 공간에는 불활성 기체, 흡습제를 포함하는 수지 등이 충진될 수 있다. 제2 기판(225)은 보호막(220) 상에 제공된다. 제2 기판(225)은 제1 기판(150)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수도 있지만, 제1 및 제2 기판(150, 225)이 서로 상이한 물질을 포함할 수도 있다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 9 내지 도 11에 도시한 방법에 의해 도 8을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치가 제조될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 기판(150) 상에 선택적으로 버퍼층(155)을 형성한 다음, 버퍼층(155) 또는 제1 기판(150) 상에 게이트 전극(160)을 형성한다. 제1 기판(150) 상에 버퍼층(155)이 제공될 경우, 버퍼층(155)은 실리콘 화합물을 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정 등으로 제1 기판(150) 상에 증착하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(160)은 금속, 합금, 금속 화합물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층(155) 또는 제1 기판(150)의 일측에는 게이트 전극(160)에 연결되는 게이트 라인(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(160)과 상기 게이트 라인은 버퍼층(155) 또는 제1 기판(150) 상에 제1 도전층(도시되지 않음)을 형성한 다음, 상기 제1 도전층을 부분적으로 식각하여 수득될 수 있다.
제1 기판(150) 또는 버퍼층(155) 상에 게이트 전극(160)을 커버하는 게이트 절연막(165)을 형성한다. 게이트 절연막(165)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정, 열산화 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정, 스핀 코팅 공정 등으로 제1 기판(150) 또는 버퍼층(155) 상에 증착하여 얻어질 수 있다. 게이트 절연막(165)은 게이트 전극(160)의 프로파일을 따라 균일하게 형성될 수 있지만, 게이트 전극(160)을 충분하게 덮으면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 예를 들면, 게이트 절연막(165)에 대해 화학 기계적 연마 공정 및/또는 에치 백 공정을 포함하는 평탄화 공정을 수행하여 게이트 절연막(165)이 평탄한 표면을 가질 수 있다.
도 10을 참조하면, 게이트 절연막(165) 상에 소스 전극(170)과 드레인 전극(175)을 형성한다. 소스 및 드레인 전극(170, 175)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 게이트 절연막(165)의 일측 상에는 소스 전극(170)에 연결되는 데이터 라인(도시되지 않음)이 제공된다. 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인에 대하여 실질적으로 직교하는 방향을 따라 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 게이트 절연막(165) 상에 제2 도전층(도시되지 않음)을 형성한 후, 상기 제2 도전층을 부분적으로 식각하여 상기 데이터 라인과 소스 및 드레인 전극(170, 175)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 도전층은 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
소스 및 드레인 전극(170, 175)은 아래의 게이트 전극(160)을 중심으로 소정의 간격으로 이격된다. 소스 및 드레인 전극(170, 175)이 형성되면, 아래에 게이트 전극(160)이 위치하는 부분의 게이트 절연막(165)이 노출된다.
노출된 게이트 절연막(165), 소스 전극(170) 및 드레인 전극(175) 상에 액티브 패턴(180)을 형성한다. 액티브 패턴(180)은 반도체 산화물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 액티브 패턴(180)은 인듐-갈륨-아연 산화물, 갈륨 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 마그네슘 산화물, 아연 주석 산화물, 아연 지르코늄 산화물, 아연 산화물, 갈륨 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐-갈륨-하프늄 산화물, 주석-알루미늄-아연 산화물, 인듐-갈륨-주석 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 및 드레인 전극(170, 175)과 게이트 절연막(165) 상에 액티브층(도시되지 않음)을 형성한 다음, 상기 액티브층을 패터닝하여 액티브 패턴(180)을 얻을 수 있다. 예를 들면, 상기 액티브층은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정, 스프레이 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층 공정, 졸-겔 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 10에 도시한 바와 같이, 액티브 패턴(180)이 형성됨에 따라, 게이트 전극(160), 게이트 절연막(165), 소스 전극(170), 드레인 전극(175) 및 액티브 패턴(180)을 포함하는 산화물 반도체 소자가 상기 유기 발광 표시 장치의 스위칭 소자로서 제1 기판(150) 상에 제공된다.
도 11을 참조하면, 게이트 절연막(165) 상에 액티브 패턴(180), 소스 전극(170) 및 드레인 전극(175)을 덮는 절연층(185)을 형성한다. 절연층(185)은 액티브 패턴(180)을 완전하게 덮으면서 실질적으로 평탄한 상면을 갖도록 형성될 수 있다. 절연층(185)은 유기 물질 및/또는 무기 물질 등을 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 게이트 절연막(165) 상에 증착하여 수득될 수 있다.
절연층(185)을 부분적으로 식각하여 드레인 전극(175)의 일부를 노출시키는 홀을 형성한 후, 절연층(185)의 홀을 채우면서 절연층(185) 상에 제1 전극(190)을 형성한다. 제1 전극(190)은 투명 도전성 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등으로 절연층(185) 상에 증착하여 형성될 수 있다.
도 11에 도시한 바와 같이, 제1 전극(190)을 부분적으로 식각하여 제1 전극(190)에 개구, 트렌치, 리세스, 그루브, 덴트 등을 형성한다. 이러한 개구, 트렌치, 리세스, 그루브, 덴트 등은 습식 식각 공정을 이용하여 수득될 수 있다. 여기서, 제1 전극(190)의 개구 또는 트렌치는 절연층(185)의 일부를 노출시킬 수 있지만. 제1 전극(190)의 리세스, 그루브 또는 덴트에 의해서는 절연층(185)이 노출되지 않을 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(190)의 개구는 제1 기판(150)을 향해 실질적으로 라운드진 단면을 갖는 하부를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(190)의 개구는 실질적으로 반원의 형상, 실질적으로 반타원의 형상, 실질적으로 반트랙형의 형상 등의 다양한 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(190)의 개구의 측벽은 제1 기판(150)에 실질적으로 나란한 방향에 대해 약 +20° 내지 약 +70° 정도의 경사 각도 또는 약 -20° 내지 약 -70° 정도의 경사 각도를 가질 수 있다. 이 때, 제1 전극(190)의 개구의 평면 형상은 도 5을 참조하여 설명한 제1 전극(70)의 개구(75)와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 평면 형상을 가질 수 있다.
제1 전극(190)의 개구에 반사 구조물(195)을 형성한다. 반사 구조물(195)은 반사성을 갖는 물질을 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 프린팅 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등으로 증착하여 수득될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(190)이 투명 도전성 물질을 포함할 때, 제1 전극(190)에는 적어도 하나의 개구들이 형성될 수 있으며, 이와 같은 적어도 하나의 개구에 적어도 하나의 반사 구조물(195)이 형성될 수 있다.
절연층(185), 제1 전극(190) 및 반사 구조물(195) 상에 화소 정의막(200)을 형성한다. 화소 정의막(200)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있으며, 화소 정의막(200)에 의해 상기 유기 발광 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의된다. 화소 정의막(200)에는 발광 영역의 제1 전극(190)을 노출시키는 적어도 하나의 개구(205)가 형성될 수 있다. 여기서, 화소 정의막(200)의 개구(205)는 제1 기판(150)에 실질적으로 평행한 방향에 대해 소정의 경사 각도를 갖는 측벽을 포함할 수 있다.
도시하지는 않았으나, 노출된 제1 전극(190) 상에 발광 구조물을 형성한 후, 상기 발광 구조물 상에 제2 전극, 보호막 및 제2 기판을 순차적으로 형성함으로써, 도 8을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가지는 유기 발광 표시 장치를 제조한다. 여기서, 상기 제2 전극, 상기 보호막 및 상기 제2 기판은 도 7을 참조하여 설명한 물질들 및 공정들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 물질들 및 공정들을 통해 수득될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(200)에는 복수의 개구(205)들이 형성될 수 있으며, 이러한 복수의 개구(205)들에 각기 복수의 발광 구조물들이 형성될 수 있다. 이 경우, 복수의 발광 구조물들을 각기 둘러싸는 복수의 반사 구조물들(도시되지 않음)이 상기 제2 전극에 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 복수의 발광 구조물들의 상부들을 전체적으로 둘러싸는 하나의 반사 구조물이 상기 제2 전극에 형성될 수도 있다.
상술한 바에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 다음에 기재하는 특허 청구 범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변경 및 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 유기 발광 표시 장치가 제1 전극 또는 제2 전극에 배치되는 적어도 하나의 발광 구조물을 실질적으로 둘러싸는 적어도 하나의 반사 구조물을 구비하기 때문에, 종래의 유기 발광 표시 장치에 비하여 크게 향상된 광 효율 및 휘도를 가질 수 있으며, 그 결과 상기 유기 발광 표시 장치에 의해 디스플레이되는 영상의 품질을 현저하게 개선할 수 있다.
10, 150: 제1 기판 15, 155: 버퍼층
20: 반도체층 25, 165: 게이트 절연막
30, 160: 게이트 전극 35: 소스 영역
40: 드레인 영역 45: 채널 영역
50: 층간 절연막 55, 170: 소스 전극
60, 175: 드레인 전극 65, 185: 절연층
70, 190: 제1 전극 80, 195: 반사 구조물
85, 200: 화소 정의막 95, 210: 발광 구조물
100, 215: 제2 전극 105, 220: 보호막
110, 225: 제2 기판 180: 액티브 패턴

Claims (26)

  1. 발광 영역과 비발광 영역을 구비하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 절연층;
    상기 절연층 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 구조물;
    상기 발광 구조물 상에 배치되는 제2 전극; 및
    상기 발광 구조물에 인접하여 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 배치되는 적어도 하나의 반사 구조물을 포함하고, 상기 반사 구조물은 상기 발광 구조물로부터 발생되고, 상기 제1 전극과 상기 절연층 사이의 계면에서 반사되어 상기 비발광 영역으로 진행되는 광을 상기 발광 영역으로 반사시키며,
    상기 제2 전극 상에 배치되는 보호막을 더 포함하고, 상기 반사 구조물은 상기 발광 구조물로부터 발생되고, 상기 제2 전극과 상기 보호막 사이의 계면에서 반사되어 상기 비발광 영역으로 진행되는 광을 상기 발광 영역으로 반사시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반사 구조물은 반사성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 제2항에 있어서, 상기 반사 구조물은 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 금(Au), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 및 이들의 금속의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반사 구조물의 평면 형상은 원형 링의 형상, 타원형 링의 형상, 트랙형 링의 형상 또는 다각형 링의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반사 구조물의 단면 형상은 절단된 역사다리꼴의 형상, 절단된 역쐐기의 형상 또는 상기 기판을 향해 라운드진 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반사 구조물의 측면은 상기 기판에 평행한 방향에 대해 +20°내지 +70°또는 -20°내지 -70°의 경사 각도를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 상에는 복수의 발광 구조물들이 배치되며, 상기 복수의 발광 구조물들에 대응하는 복수의 반사 구조물들이 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 상에는 복수의 발광 구조물들이 배치되며, 상기 복수의 발광 구조물들을 전체적으로 둘러싸는 적어도 하나의 반사 구조물이 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반사 구조물은 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 매립되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 반사 구조물은 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로부터 돌출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 절연층 사이에 배치되며, 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 스위칭 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 투명 도전성 물질을 포함하고 상기 제2 전극은 반사성을 갖는 물질을 포함하며, 상기 반사 구조물은 상기 제1 전극에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 반사 구조물과 상기 제2 전극은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 반사성을 갖는 물질을 포함하고, 상기 제2 전극은 투명 도전성 물질을 포함하며, 상기 반사 구조물은 상기 제2 전극에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 반사 구조물은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 삭제
  18. 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극에 적어도 하나의 반사 구조물을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
    상기 발광 영역의 제1 전극 상에 상기 적어도 하나의 반사 구조물에 둘러싸이는 적어도 하나의 발광 구조물을 형성하는 단계; 및
    상기 발광 구조물 및 상기 화소 정의막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 반사 구조물을 형성하는 단계는,
    상기 발광 영역과 상기 비발광 영역 사이의 상기 제1 전극을 부분적으로 식각하는 단계; 및
    상기 제1 전극의 식각된 부분에 상기 반사 구조물을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  19. 삭제
  20. 제18항에 있어서, 상기 제1 전극을 부분적으로 식각하는 단계는 상기 제1 전극에 상기 절연층을 노출시키는 적어도 하나의 개구를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 개구의 평면 형상은 원형 링의 형상, 타원형 링의 형상, 트랙형 링의 형상 또는 다각형 링의 형상을 가지며, 상기 개구의 단면 형상은 절단된 역사다리꼴의 형상, 절단된 역쐐기 형상 또는 상기 기판을 향해 라운드진 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 개구의 측벽은 상기 기판에 평행한 방향에 대해 +20° 내지 +70° 또는 -20° 내지 -70°의 경사 각도를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제18항에 있어서, 상기 제1 전극 상에는 복수의 발광 구조물들이 형성되며, 상기 제1 전극에는 상기 복수의 발광 구조물들을 전체적으로 둘러싸는 하나의 반사 구조물이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제18항에 있어서, 상기 제1 전극 상에는 복수의 발광 구조물들이 형성되며, 상기 제1 전극에는 상기 복수의 발광 구조물들을 각기 둘러싸는 복수의 반사 구조물들이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  25. 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 발광 영역과 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
    상기 발광 영역의 제1 전극 상에 적어도 하나의 발광 구조물을 형성하는 단계;
    상기 발광 구조물 및 상기 화소 정의막 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 전극에 상기 적어도 하나의 발광 구조물을 둘러싸는 적어도 하나의 반사 구조물을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 반사 구조물을 형성하는 단계는,
    상기 발광 영역과 상기 비발광 영역 사이의 상기 제2 전극에 적어도 하나의 개구를 형성하는 단계; 및
    상기 개구 내에 상기 반사 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  26. 삭제
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