CN112771674B - 电子装置基板及其制作方法、电子装置 - Google Patents
电子装置基板及其制作方法、电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112771674B CN112771674B CN201980001517.3A CN201980001517A CN112771674B CN 112771674 B CN112771674 B CN 112771674B CN 201980001517 A CN201980001517 A CN 201980001517A CN 112771674 B CN112771674 B CN 112771674B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive
- electronic device
- layer
- conductive member
- device substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 264
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 108010001267 Protein Subunits Proteins 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 60
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 22
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
Abstract
一种电子装置基板及其制作方法、电子装置。该电子装置基板包括衬底基板、第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层的远离衬底基板的一侧的多个发光子单元、第一导电部件和第二导电部件。多个发光子单元和第一导电部件分别设置在电子装置基板的阵列区域和周边区域中,第二导电部件设置在第一导电部件与阵列区域之间;第一导电部件与第二导电部件在衬底基板上的正投影间隔设置;多个发光子单元的每个包括被配置为施加发光驱动电压的第一驱动电极和第二驱动电极,多个发光子单元的第二驱动电极一体以形成第一公共电极层;周边区域还包括与第一导电部件和第一公共电极层电连接的第二公共电极层,第二导电部件与第一驱动电极均与第一绝缘层直接接触。
Description
技术领域
本公开的实施例涉及一种电子装置基板及其制作方法、电子装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板由于具有视角宽、对比度高、响应速度快以及相比于无机发光显示器件的更高的发光亮度、更低的驱动电压等优势而逐渐受到人们的广泛关注。由于上述特点,有机发光二极管(OLED)显示面板可以适用于手机、显示器、笔记本电脑、数码相机、仪器仪表等具有显示功能的装置。硅基微显示器(例如,硅基OLED)具有较小的像素尺寸和像素间距,由此具有较高的分辨率,并适用于近眼显示装置(例如,虚拟现实显示装置或增强现实显示装置)。
发明内容
本公开的至少一个实施例提供了一种电子装置基板,该电子装置基板包括衬底基板、第一绝缘层、多个发光子单元、第一导电部件以及第二导电部件。所述多个发光子单元、所述第一导电部件以及所述第二导电部件设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧;所述多个发光子单元设置在所述电子装置基板的阵列区域中,所述第一导电部件设置在所述电子装置基板的围绕所述阵列区域的周边区域中,所述第二导电部件设置在所述第一导电部件与所述阵列区域之间;所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影间隔设置;所述多个发光子单元的每个包括第一驱动电极和第二驱动电极,所述第一驱动电极和所述第二驱动电极被配置为施加发光驱动电压,所述多个发光子单元的第二驱动电极一体以形成第一公共电极层;所述周边区域还包括第二公共电极层,所述第一导电部件与所述第二公共电极层电性连接,所述第二公共电极层与所述第一公共电极层电连接;以及所述第一导电部件、所述第二导电部件与所述第一驱动电极均与所述第一绝缘层直接接触。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第一导电部件和所述第二导电部件与所述第二公共电极层叠置;所述第一导电部件、所述第二导电部件与所述第一驱动电极位于同一导电结构层中;所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影,所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影以及所述第一驱动电极在所述衬底基板上的正投影间隔设置;以及所述第二公共电极层与所述第一公共电极层一体化以形成公共电极层。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第二导电部件与所述第二公共电极层直接电性连接。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第二导电部件包括间隔设置的多个第一电极图案,所述多个第一电极图案整体上布置为环状。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第一导电部件为连续的第一环状结构。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第一导电部件包括间隔设置的多个的第二电极图案,所述多个第二电极图案整体上布置为环状。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第二电极图案的形状、所述第一电极图案的形状以及所述第一驱动电极的形状实质上相同。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第二电极图案的尺寸、所述第一电极图案的尺寸以及所述第一驱动电极的尺寸实质上相等。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第一导电部件为连续的第一环状结构,所述第二导电部件为连续的第二环状结构。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第二导电部件与所述第一导电部件不直接电连接。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,在从所述阵列区域指向所述周边区域的方向上,所述第二导电部件的环宽小于与所述第一导电部件的环宽。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,在从所述阵列区域指向所述周边区域的方向上,所述第一导电部件与所述第二导电部件之间的间距等于相邻的发光子单元的第一驱动电极之间的间距。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述电子装置基板还包括第三导电部件。所述第三导电部件设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧;所述第三导电部件围绕所述阵列区域设置且位于所述同一导电结构层中,所述第二导电部件围绕所述第三导电部件设置;所述多个发光子单元的每个包括发光层,所述多个发光子单元的发光层一体以形成发光材料层;以及所述发光材料层延伸到所述第三导电部件上且与所述第三导电部件至少部分重叠。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,在从所述阵列区域指向所述周边区域的方向上,所述第二导电部件与所述第三导电部件之间的间距等于所述第二导电部件与所述第一导电部件之间的间距,以及所述第二导电部件的环宽等于所述第三导电部件的环宽。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第一驱动电极为阳极,所述第二驱动电极为阴极,所述第一导电部件为阴极环;所述第二公共电极层在所述第一驱动电极所在平面的正投影为连续的平面;以及所述第二公共电极层在所述第一驱动电极所在平面的正投影完全覆盖所述第一导电部件。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述周边区域还包括围绕所述第一导电部件的第四导电部件;所述第四导电部件设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧;以及所述第四导电部件与所述第二公共电极层叠置且与所述第二公共电极层电性连接。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第一绝缘层包括凹陷部;所述凹陷部位于所述第一绝缘层的靠近所述第一导电部件的一侧,且位于所述第一导电部件在所述第一绝缘层上的正投影和所述第一驱动电极在所述第一绝缘层上的正投影之间;以及所述凹陷部在所述衬底基板上的正投影、所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影、所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影以及所述第一驱动电极在所述衬底基板上的正投影不重叠。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述电子装置基板还包括中间导电层。所述第一绝缘层包括第一过孔和第二过孔;所述中间导电层位于所述第一绝缘层的远离所述第一驱动电极的一侧,且包括第一导电结构和第二导电结构;所述第一驱动电极经由所述第一过孔与所述第一导电结构电连接,所述第二驱动电极经由所述第一导电部件和所述第二过孔与所述第二导电结构电连接,所述第二导电部件和所述中间导电层不直接电连接。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影,所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影以及所述第二导电结构在所述衬底基板上的正投影间隔设置。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述电子装置基板还包括设置在所述中间导电层的远离所述第一驱动电极一侧的第二绝缘层和驱动背板;所述驱动背板包括所述衬底基板;所述第二绝缘层设置在所述中间导电层和所述驱动背板之间;所述第二绝缘层包括第三过孔和第四过孔;以及所述第一驱动电极经由所述第一过孔、所述第一导电结构和所述第三过孔与所述驱动背板的第一区域电连接,所述第二驱动电极经由所述第一导电部件、所述第二过孔、所述第二导电结构和所述第四过孔与所述驱动背板的第二区域电连接,所述第二导电部件和所述驱动背板不直接电连接。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第二导电部件不直接接收所述驱动背板提供的信号。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第二导电部件浮接。
例如,在所述电子装置基板的至少一个示例中,所述第一导电部件为连续的第一环状结构,所述第二导电部件为连续的第二环状结构;所述周边区域还包括设置在所述第一导电部件和所述第二导电部件之间且位于所述同一导电结构层中的电连接部;以及所述第二导电部件与所述第一导电部件通过所述电连接部相连。
本公开的至少一个实施例还提供了一种电子装置,其包括本公开的至少一个实施例提供的任一电子装置基板。
本公开的至少一个实施例提供了一种电子装置基板的制作方法,其包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成所述第一绝缘层;以及在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成多个发光子单元、第一导电部件和第二导电部件。所述多个发光子单元设置在所述电子装置基板的阵列区域中,所述第一导电部件设置在所述电子装置基板的围绕所述阵列区域的周边区域中,所述第二导电部件设置在所述第一导电部件与所述阵列区域之间;所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影间隔设置;所述发光子单元的每个包括彼此叠置的第一驱动电极和第二驱动电极,所述第一驱动电极和所述第二驱动电极被配置为施加发光驱动电压,所述多个发光子单元的第二驱动电极一体以形成第一公共电极层;所述周边区域还包括第二公共电极层,所述第一导电部件与所述第二公共电极层电性连接,所述第二公共电极层与所述第一公共电极层电连接;以及所述第一导电部件、所述第二导电部件与所述第一驱动电极均与所述第一绝缘层直接接触。
例如,在所述电子装置基板的制作方法的至少一个示例中,在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成多个发光子单元、第一导电部件和第二导电部件,包括:形成第一导电层;对所述第一导电层进行图案化以形成所述多个发光子单元的第一驱动电极、所述第一导电部件和所述第二导电部件;以及在所述第一驱动电极、所述第一导电部件和所述第二导电部件上形成公共电极层,其中,所述公共电极层包括一体化的所述第一公共电极层和所述第二公共电极层。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1A是一种电子装置基板的平面示意图;
图1B是沿图1A所示的AA’线获得的电子装置基板的截面示意图;
图2A是本公开的至少一个实施例提供的一种电子装置基板的平面示意图;
图2B是图2A所示的电子装置基板的截面示意图;
图2C是图2A所示的电子装置基板的部分;
图3A是本公开的至少一个实施例提供的另一种电子装置基板的平面示意图;
图3B是本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板的平面示意图;
图4A是本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板的平面示意图;
图4B是图4A所示的电子装置基板的截面示意图;
图4C是图4A所示的电子装置基板的部分;
图5A是本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板的平面示意图;
图5B是图5A所示的电子装置基板的截面示意图;
图5C是图5A所示的电子装置基板的部分;
图6A是本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板的平面示意图;
图6B是图6A所示的电子装置基板的截面示意图;
图6C是图6A所示的电子装置基板的部分;
图7是本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板的截面示意图;
图8是本公开的至少一个实施例提供的电子装置的示例性框图;
图9是本公开的至少一个实施例提供的电子装置的驱动背板;
图10示出了本公开的至少一个实施例提供的凹陷部;以及
图11是本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板的截面示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开的发明人注意到,微显示器(例如,硅基微显示器)的PPI(每英寸的像素数目)较大,对应地,微显示器(例如,硅基微显示器)的子像素尺寸较小。例如,对于尺寸小于0.5英寸且分辨率在5000以上的微显示器(例如,硅基微显示器),子像素尺寸低至约1.5微米,子像素之间的间距低至约0.8微米。
本公开的发明人在研究中注意到,较小的子像素尺寸和子像素间距增加了微显示器的显影和刻蚀工艺的难度,降低了微显示器的均一性。下面结合图1A和图1B做示例性说明。
图1A示出了一种电子装置基板500的平面示意图;图1B示出了沿图1A所示的AA’线剖切获得的电子装置基板500的截面示意图。例如,该电子装置基板500可以实现为显示基板(例如,显示面板,有机发光二极管显示面板)或发光基板(例如,背光源)等。
如图1A所示,该电子装置基板500包括阵列区域501以及围绕阵列区域501的周边区域502。阵列区域501包括多个发光子单元510,周边区域502包括围绕阵列区域501设置的导电部件521(例如,阴极导电部件或阴极转接部件。例如,周边区域502还包括位于导电部件521外侧的其它区域503(例如,绑定区域)。
如图1B所示,多个发光子单元510的每个包括第一驱动电极511、第二驱动电极512以及夹置第一驱动电极511和第二驱动电极512之间的发光层513。例如,第一驱动电极511和第二驱动电极512被配置为施加发光驱动电压(向发光层513施加发光驱动电压),以使得发光层513发射光线,且光线的强度对应于发光驱动电压的取值。
例如,如图1B所示,第一驱动电极511和第二驱动电极512分别为阳极和阴极。例如,第一驱动电极511和导电部件521位于同一结构层中。例如,可以采用同一构图工艺对同一导电层(例如,单层导电层)进行构图获得第一驱动电极511和导电部件521。
例如,如图1A和图1B所示,多个发光子单元510的第二驱动电极512一体以形成公共电极层516(例如,阴极层);公共电极层516从阵列区域501延伸至周边区域502,并与导电部件521叠置且直接电性连接。
例如,如图1B所示,该电子装置基板500还包括第一绝缘层531、中间导电层532、第二绝缘层533和驱动背板534。例如,如图1B所示,第一绝缘层531、中间导电层532、第二绝缘层533和驱动背板534沿垂直于驱动背板534的方向顺次设置,且相比于驱动背板534,第一绝缘层531更为靠近第一驱动电极511。
例如,如图1B所示,第一绝缘层531包括第一过孔5311和第二过孔5312,中间导电层532包括第一导电结构5321和第二导电结构5322;第一驱动电极511经由第一过孔5311与第一导电结构5321电连接,第二驱动电极512经由第一导电部件521和第二过孔5312与第二导电结构5322电连接。
例如,如图1B所示,第二绝缘层533包括第三过孔5331和第四过孔5332,第一驱动电极511经由第一过孔5311、第一导电结构5321和第三过孔5331与驱动背板534的第一区域5341电连接,第二驱动电极512(公共电极层516)经由第一导电部件521、第二过孔5312、第二导电结构5322和第四过孔5332与驱动背板534的第二区域5342电连接。例如,驱动背板534的第一区域5341被配置为向第一驱动电极511提供第一信号(例如,第一电压,阳极电压),驱动背板534的第二区域5342被配置为向第二驱动电极512提供第二信号(例如,第二电压,阴极电压),第一电压例如大于第二电压。
例如,通过设置导电部件521,可以提升公共电极层516(例如,阴极层)与第二导电结构5322的电连接性能。
本公开的发明人在研究中注意到,公共电极层516的部分设置在导电部件521和第一驱动电极511的间隙中,这降低了公共电极层516的平坦度,增加了公共电极层516断裂的风险(也即,增加了断路的风险),并降低了公共电极层516上电信号的均匀程度。例如,本公开的发明人在研究中还注意到,第一绝缘层531的靠近导电部件521部件的一侧可以具有凹陷部(图中未示出),且该凹陷部位于第一驱动电极511在第一绝缘层531上的正投影和导电部件521在第一绝缘层531上的正投影之间,此种情况下,公共电极层516的平坦度进一步地被降低,公共电极层516断裂的风险进一步地增加。
本公开的发明人在研究中还注意到,在采用同一构图工艺对同一导电层进行构图获得第一驱动电极511和导电部件521的过程中,显影工艺和刻蚀工艺的均一性较差。
下面结合刻蚀工艺做示例性说明。如图1B所示,由于相邻的第一驱动电极511之间的间距小于相邻的第一驱动电极511与导电部件521之间的间距,因此,在刻蚀过程中,位于相邻的第一驱动电极511之间的刻蚀液或刻蚀气体的量小于位于相邻的第一驱动电极511与导电部件521之间的刻蚀液或刻蚀气体的量;此种情况下,通过刻蚀获得导电部件521所需的时间小于通过刻蚀获得第一驱动电极511所需的时间,并且,对于与导电部件521相邻的第一驱动电极511,通过刻蚀获得这些第一驱动电极511的邻近导电部件521的一侧所需的时间小于通过刻蚀获得这些第一驱动电极511的远离导电部件521的一侧所需的时间,也即,刻蚀存在非均匀性。上述刻蚀非均匀性导致实际获得的导电部件521和第一驱动电极511的尺寸和中心位置可能相对于导电部件521和第一驱动电极511的尺寸和中心位置的设计值存在偏移,由此可能降低电子装置基板500的性能。
本公开的发明人在研究中还注意到,导电部件521仅设置在电子装置基板500的三侧,此种情况下,公共电极层516(例如,阴极层)上的电信号的均匀程度进一步地劣化,并且显影工艺和刻蚀工艺的均一性进一步地劣化。
本公开的至少一个实施例提供了一种电子装置基板及其制作方法、电子装置。该电子装置基板包括衬底基板、第一绝缘层、多个发光子单元、第一导电部件以及第二导电部件。多个发光子单元、第一导电部件以及第二导电部件设置在第一绝缘层的远离衬底基板的一侧;多个发光子单元设置在电子装置基板的阵列区域中,第一导电部件设置在电子装置基板的围绕阵列区域的周边区域中,第二导电部件设置在第一导电部件与阵列区域之间;第一导电部件在衬底基板上的正投影与第二导电部件在衬底基板上的正投影间隔设置;多个发光子单元的每个包括第一驱动电极和第二驱动电极,第一驱动电极和第二驱动电极被配置为施加发光驱动电压,多个发光子单元的第二驱动电极一体以形成第一公共电极层;周边区域还包括第二公共电极层,第一导电部件与第二公共电极层电性连接,第二公共电极层与第一公共电极层电连接;以及第一导电部件、第二导电部件与第一驱动电极均与第一绝缘层直接接触。
需要说明的是,在本公开的一些示例或实施例中,第一导电部件和第二导电部件为环状结构,环状结构是指具有环状轮廓的导电结构,而不限定该环状结构是否连续。例如,环状结构可以是连续的环状结构或者由导电图案排列形成的非连续性环状结构。例如,该环状结构可以被称为导电环(例如,阴极环)。
例如,在本公开的一些示例或实施例中,电子装置基板还包括第三导电部件和第四导电部件的至少一个,且第三导电部件和第四导电部件为环状结构。
需要说明的是,在本公开的一些示例或实施例中,A部件和B部件位于同一结构层(例如,同一导电结构层)是指A部件和B部件均位于C部件的同一侧且均与C部件直接接触,以及A部件在电子装置基板上的正投影以及B部件在电子装置基板上的正投影间隔设置。例如,A部件和B部件位于同一结构层还可以表示通过采用同一构图工艺对同一膜层(例如,导电层)进行构图获得A部件和B部件。
例如,本公开的至少一个实施例提供的电子装置基板可以实现为显示基板(例如,显示面板,有机发光二极管显示面板)或发光基板(例如,背光源)等。
下面通过几个示例或实施例对本公开的实施例提供的电子装置基板进行非限制性的说明,如下面所描述的,在不相互抵触的情况下这些具体示例或实施例中不同特征可以相互组合,从而得到新的示例或实施例,这些新的示例或实施例也都属于本公开保护的范围。
图2A示出了本公开的至少一个实施例提供的一种电子装置基板100的平面示意图。图2B示出了图2A所示的电子装置基板100的截面示意图。图2C示出了图2A所示的电子装置基板100的部分(未示出公共电极层或阴极层)。
如图2A和图2C所示,该电子装置基板100包括阵列区域101以及围绕阵列区域101的周边区域102。
如图2A和图2C所示,阵列区域101包括多个发光子单元110(例如,显示子像素),多个发光子单元110例如排列成多行和多列(也即,阵列排布)。需要说明的是,为清楚起见,图2A所述的电子装置基板100仅示出了六个发光子单元,但本公开的实施例不限于此,电子装置基板100包括的发光子单元可根据实际应用需求设定。例如,电子装置基板100可以包括1920×1080个发光子单元。
如图2B所示,多个发光子单元110的每个包括第一驱动电极111、第二驱动电极112以及夹置第一驱动电极111和第二驱动电极112之间的发光层113。例如,第一驱动电极111和第二驱动电极112被配置为施加发光驱动电压(向发光层113施加发光驱动电压),以使得发光层113发射光线,发光层113发射的光线的强度对应于发光驱动电压的取值。例如,发光驱动电压为第一驱动电极111的电压与第二驱动电极112的电压的差值。
例如,第一驱动电极111和第二驱动电极112分别为阳极和阴极。例如,多个发光子单元110的发光层113一体化形成发光材料层1131。例如,多个发光子单元110的发光层113位于同一结构层且彼此相连。例如,多个发光子单元110的发光层113由相同的材料制成,且发射相同颜色的光线(例如,白光或蓝光);此种情况下,电子装置基板100还包括设置在发光子单元110的出光侧的彩膜层或波长转换层(图中未示出),彩膜层包括多个滤光片(例如,不同颜色的滤光片),多个滤光片与多个发光子单元110一一对应。在其它的示例中,不同的发光子单元110(例如,位于同一像素中的不同的发光子单元110)的发光层113使用不同的材料制成且配置为发射不同颜色,此种情况下,电子装置基板100还可以不设置彩膜层。
如图2A和图2C所示,周边区域102包括围绕阵列区域101设置的第一导电部件121以及设置在第一导电部件121与阵列区域101之间的第二导电部件122。例如,如图2A和图2C所示,周边区域102还包括位于第一导电部件121外侧的其它区域103(例如,绑定区域)。
例如,如图2A和图2C所示,该电子装置基板100还包括第三导电部件123,第三导电部件123围绕阵列区域101设置,第二导电部件122围绕第三导电部件123设置。如图2B所示,发光材料层1131延伸到第三导电部件123上且与第三导电部件123至少部分重叠(例如,部分重叠)。例如,如图2B所示,与第三导电部件123相邻的发光子单元110的发光层113延伸到第三导电部件123上且与第三导电部件123至少部分重叠(例如,部分重叠)。
如图2B所示,该电子装置基板100还包括第一绝缘层131和衬底基板1340。多个发光子单元110、第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123均设置在第一绝缘层131的远离衬底基板1340的一侧;第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123均与第一绝缘层131直接接触。
例如,如图2A和图2C所示,第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123为环状结构。例如,该环状结构可以被称为导电环(例如,阴极环)。
例如,第一导电部件121在电子装置基板的衬底基板(参见图2B和图9的衬底基板1340)上的正投影与第二导电部件122在衬底基板上的正投影间隔设置。
例如,如图2A和图2C所示,第二导电部件122与第一导电部件121不直接电连接,第三导电部件123与第二导电部件122不直接电连接。需要说明的是,在本公开的一些示例和实施例中,两个导电部件不直接电连接是指在不借助其他导电结构的情况下,两个导电部件彼此电绝缘;在其他导电结构同时与两个导电部件电连接的情况下,两个导电部件电连接。例如,在不借助第二公共电极层115的情况下,第二导电部件122与第一导电部件121不直接电连接。
需要说明的是,对于图2A和图2B所示的电子装置基板100以及本公开的其它示例和实施例提供的电子装置基板100,还可以不设置第三导电部件123,不再赘述。例如,根据实际应用需求,第一导电部件121和阵列区域101之间还可以设置其它适用数目(例如,两个)的第二导电部件122。
例如,如图2B所示,多个发光子单元110的第二驱动电极112一体以形成第一公共电极层114;例如,相邻的发光子单元110的第二驱动电极112之间不存在界面。
例如,如图2B所示,周边区域102还包括第二公共电极层115,第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123均与第二公共电极层115电性连接;第二公共电极层115与第一公共电极层114电连接。例如,第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123均与第二公共电极层115叠置且分别均与第二公共电极层115直接电性连接。
在一些实施例中,第一导电部件121与第二公共电极层115电性连接,第二导电部件122和第三导电部件123与第二公共电极层115不电性连接,此种情况下,第二导电部件122(和第三导电部件123)与第二公共电极层115设置了绝缘层(例如,图11中的中间绝缘层191)。
例如,如图2B所示,第一驱动电极111、第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123位于同一结构层中;例如,可以采用同一构图工艺对同一导电层(单层导电层)进行构图获得第一驱动电极111、第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123。
例如,如图2B所示,第二公共电极层115与第一公共电极层114一体化以形成公共电极层116(例如,阴极层)。例如,如图2A所示,公共电极层116从阵列区域延伸至周边区域并与第一导电部件叠置;如图2A所示,公共电极层116为连续的结构;第二公共电极层115与第一公共电极层114之间不存在界面;此种情况下,第二驱动电极112为公共电极层116的对应于第一驱动电极111的部分,第二公共电极层115为公共电极层116的对应于导电部件(例如,第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123)的部分。
例如,通过使得第一导电部件121为环状结构,可以提升公共电极层116(例如,阴极层)上电信号的均匀程度。例如,通过使得第一导电部件121为环状结构,还可以提升刻蚀均一性。
例如,如图2A和图2C所示,通过设置第二导电部件122和第三导电部件123,可以降低公共电极层116断裂的风险(例如,降低公共电极层116的不同区域在垂直于电子装置基板的面板面的方向上延伸的长度),提升公共电极层116的平坦度(例如,避免公共电极层116的部分落入相邻的第一导电部件121和第一驱动电极111之间的间隙)以及公共电极层116上的电信号的均匀度,并可以提升显影和刻蚀均匀度,也即,在确保工艺成功率的情况下,提升产品的均一性。
例如,通过设置第二导电部件122和第三导电部件123,还可以在刻蚀工艺中,降低第一导电部件121周围的刻蚀液(或刻蚀气体)的量,因此,可以使得通过刻蚀获得第一导电部件121(阴极环)所需的时间与通过刻蚀获得第一驱动电极111所需的时间更为接近,由此可以提升刻蚀均一性。
例如,第一导电部件121与第二导电部件122之间的间距等于相邻的发光子单元110的第一驱动电极111之间的间距;此种情况下,可以使得第一导电部件121周围的刻蚀液(或刻蚀气体)的量与第一驱动电极111周围的刻蚀液(或刻蚀气体)的量相同或接近,由此可以进一步提升显影和刻蚀均匀度。例如,通过使得第一导电部件121与第二导电部件122之间的间距等于相邻的发光子单元110的第一驱动电极111之间的间距,还可以避免公共电极层116的部分落入第一导电部件121与第二导电部件122之间的间隙,由此可以进一步提升公共电极层116上的电信号的均匀度。
例如,第一导电部件121与第二导电部件122之间的间距,第三导电部件123和与其相邻的发光子单元110之间的间距,以及相邻的发光子单元110的第一驱动电极111之间的间距彼此相等,由此可以进一步提升公共电极层116上的电信号的均匀度,并可以进一步提升显影和刻蚀均匀度。例如,第二导电部件122和第三导电部件123之间的间距也可以等于相邻的发光子单元110的第一驱动电极111之间的间距。
例如,如图2C所示,相邻的导电部件之间的间距(例如,第一导电部件121和第二导电部件122之间的间距)是指从阵列区域101(例如,阵列区域101的中心)指向周边区域102的方向上的间距。例如,如图2C所示,从阵列区域101指向周边区域102的方向可以为图2C所示的第一方向D1和第二方向D2的至少一个,也即,相邻的导电部件之间的间距是指相邻的导电部件在第一方向D1的间距,相邻的导电部件在第二方向D2的间距,或者相邻的导电部件在第一方向D1的间距以及第二方向D2的间距。例如,从阵列区域101指向周边区域102的方向与导电部件的对应区域的延伸方向垂直。第一方向D1和第二方向D2交叉(例如,垂直)。
例如,如图2A-图2C所示,第二导电部件122的环宽小于与第一导电部件121的环宽。例如,通过使得第一导电部件121的环宽大于第二导电部件122的环宽,可以增加公共电极层116和第一导电部件121(阴极环)的接触面积,由此可以降低公共电极层116和第一导电部件121之间的接触电阻,进一步地增加公共电极层116的平坦度,以及进一步地降低断路风险。
例如,如图2A-图2C所示,第二导电部件122的环宽等于第三导电部件123的环宽。例如,第二导电部件122的环宽和第三导电部件123的环宽均等于第一驱动电极111的宽度。例如,通过使得第二导电部件122的环宽等于第三导电部件123,可以使得导电部件和第一驱动电极111所在的结构层的导电图案分布更为均匀,由此进一步地提升显影和刻蚀均匀度。
例如,导电部件的环宽是指在从阵列区域101指向周边区域102的方向(例如,第一方向D1和第二方向D2的至少一个)上的宽度,第一驱动电极111的宽度(或尺寸)是指第一驱动电极111在从阵列区域101指向周边区域102的方向(例如,第一方向D1和第二方向D2的至少一个)上的宽度(或尺寸)。例如,导电部件的环宽等于电极的宽度是指导电部件在第一方向上的环宽等于电极在第一方向上的尺寸和/或导电部件在第二方向上的环宽等于电极在第二方向上的尺寸。
例如,如图2A和图2C所示,第二公共电极层115在第一驱动电极111所在平面的正投影为连续的平面;第二公共电极层115(或公共电极层116)在第一驱动电极111所在平面的正投影完全覆盖第一导电部件121。例如,通过使得第二公共电极层115(或公共电极层116)在第一驱动电极111所在平面的正投影完全覆盖第一导电部件121,可以增加公共电极层116和第一导电部件121(阴极环)的接触面积,由此可以进一步地降低公共电极层116和第一导电部件121之间的接触电阻,以及降低对第一导电部件121(阴极环)的制作精度和对位精度的要求。需要说明的是,连续的平面是指没有镂空结构或开口的平面。
例如,如图2B所示,该电子装置基板100还包括中间导电层132、第二绝缘层133和驱动背板134。例如,如图2B所示,驱动背板134、第二绝缘层133、中间导电层132和第一绝缘层131沿第三方向D3上顺次设置,如图2B所示,相比于驱动背板134,第一绝缘层131更为靠近第一驱动电极111。例如,第一方向D1、第二方向D2和第三方向D3彼此交叉(例如,彼此垂直)。如图9所示,驱动背板134包括衬底基板1340以及设置在衬底基板1340上的驱动元件(图中未示出,例如,薄膜晶体管、电容等),衬底基板1340位于驱动元件的远离第一绝缘层131的一侧。
例如,如图2B所示,第一绝缘层131包括第一过孔1311和第二过孔1312,第一过孔1311和第二过孔1312中填充有导电材料(例如,金属材料),中间导电层132包括第一导电结构1321和第二导电结构1322;第一驱动电极111经由第一过孔1311(第一过孔1311中的导电材料)与第一导电结构1321电连接,第二驱动电极112经由第一导电部件121和第二过孔1312(第二过孔1312中的导电材料)与第二导电结构1322电连接,第二导电部件122和中间导电层132不直接电连接。
例如,第二导电部件122在衬底基板上的正投影,第一导电结构1321在衬底基板上的正投影以及第二导电结构1322在衬底基板上的正投影间隔设置,以使得第二导电部件122和中间导电层132不直接电连接。
例如,如图2B所示,第二绝缘层133包括第三过孔1331和第四过孔1332,第三过孔1331和第四过孔1332中填充有导电材料(例如,金属材料),第一驱动电极111经由第一过孔1311(第一过孔1311中的导电材料)、第一导电结构1321和第三过孔1331(第三过孔1331中的导电材料)与驱动背板134的第一区域1341电连接,第二驱动电极112经由第一导电部件121、第二过孔1312(第二过孔1312中的导电材料)、第二导电结构1322和第四过孔1332(第四过孔1332中的导电材料)与驱动背板134的第二区域1342电连接,第二导电部件122和驱动背板134不直接电连接。例如,驱动背板134的第一区域1341被配置为向第一驱动电极111提供第一信号(例如,第一电压,阳极电压),驱动背板134的第二区域1342被配置为向第二驱动电极112提供第二信号(例如,第二电压,阴极电压),第一电压例如大于第二电压。例如,第一区域1341提供给多个发光子单元的第一驱动电极111的第一信号可以根据实际应用需求设置(例如,彼此不同)。例如,第二区域1342提供给多个发光子单元的第二驱动电极112的第二信号可以彼此相等。例如,第一信号可以被称为像素驱动信号。例如,第二信号可以被称为电源信号。
例如,第二导电部件122和驱动背板134不直接电连接是指第二导电部件122不直接接收驱动背板134提供的信号。例如,如图2B所示,第一绝缘层131和第二绝缘层133的对应于第二导电部件122的区域(也即,第一绝缘层131的与第二导电部件122在第一绝缘层131上的正投影交叠的区域以及第二绝缘层133的与第二导电部件122在第二绝缘层133上的正投影交叠的区域)未设置过孔,因此,第二导电部件122无法经由第一绝缘层131和第二绝缘层133中的过孔直接接收驱动背板134提供的信号。例如,在第二导电部件122与第二公共电极层不电性连接的情况下,第二导电部件122处于浮接状态。例如,在第二导电部件122与第二公共电极层电性连接的情况下,第二导电部件122可经由第二公共电极层接收驱动背板134提供的信号。
例如,如图2B所示,第一驱动电极111的数目、第一过孔1311的数目、第一导电结构1321的数目和第三过孔1331的数目彼此相等。例如,第一绝缘层131中包括多个第二过孔1312;此种情况下,多个第二过孔1312在第二绝缘层133上的正投影整体上布置成环状,公共电极层116(第二驱动电极112)经由第一导电部件121、多个第二过孔1312与第二导电结构1322和驱动背板134的第二区域1342电连接。例如,通过使得第一绝缘层131中包括多个第二过孔1312,可以降低电阻电容延迟,提升公共电极层116(第二驱动电极112)上信号的均匀性。例如,公共电极层116为整块的电极。
例如,第二导电结构1322可以为连续的环形结构,此种情况下,第二导电结构1322的数目为一;又例如,第二导电结构1322还可以为由多个导电图案排布形成的不连续的环状结构;此种情况下,第二导电结构1322的导电图案的数目等于第二过孔1312的数目。
例如,电子装置基板100还包括沿第三方向D3上顺次设置在公共电极层116的远离第一驱动电极111一侧的第一封装层、彩膜层、第二封装层(图中未示出),第二封装层位于第一封装层的远离公共电极层116的一侧。例如,第一封装层和第二封装层均可以保护发光层113,且第二封装层对发光层113的防护能力优于第一封装层对发光层113的防护能力。
例如,如图2A和图2C所示,第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123实现为矩形环,但本公开的实施例不限于此,例如,第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123还可以实现为圆环或具有其它适用形状的环。
例如,如图2A和图2C所示,第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123均为连续的环状结构,例如,第一导电部件121为连续的第一环状结构,第二导电部件122为连续的第二环状结构,第三导电部件123为连续的第三环状结构,但本公开的实施例不限于此。
例如,第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123的一个或多个还可以包括间隔设置的多个电极图案。
例如,通过使得第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123的一个或多个还包括间隔设置的多个电极图案,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度,由此可以进一步地提升电子装置基板100的性能。例如,通过使得第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123的一个或多个还包括间隔设置的多个电极图案,可以使得刻蚀液(或刻蚀气体)可以经由多个电极图案之间的间隙流动,由此可以降低使得刻蚀液(或刻蚀气体)稳定分布(例如,稳定的均匀分布)所需的时间。
下面结合图3A和图3B做示例性说明。图3A是本公开的至少一个实施例提供的另一种电子装置基板100的平面示意图;图3B是本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板100的平面示意图。为清楚起见,图3A和图3B均未示出公共电极层。
在一个示例中,如图3A所示,第一导电部件121和第二导电部件122均为连续的环状结构,第三导电部件123包括间隔设置的多个第三电极图案1231,多个第三电极图案1231整体上布置为环状。
例如,如图3A所示,第三电极图案1231与第一驱动电极111具有相同的形状和尺寸,此种情况下,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。例如,通过使得第三电极图案1231与第一驱动电极111具有相同的形状和尺寸,可以使得第三电极图案1231和第一驱动电极111对刻蚀液(或刻蚀气体)具有相同的阻挡能力,由此可以进一步地降低使得刻蚀液(或刻蚀气体)稳定分布(例如,稳定的均匀分布)所需的时间。
例如,如图3A所示,相邻的第三电极图案1231之间的间距等于相邻的第一驱动电极111之间的间距。例如,在第一方向D1上相邻的第三电极图案1231之间的间距等于在第一方向D1上相邻的第一驱动电极111之间的间距,和/或,在第二方向D2上相邻的第三电极图案1231之间的间距等于在第二方向D2上相邻的第一驱动电极111之间的间距;此种情况下,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。
在另一个示例中,如图3B所示,第一导电部件121为连续的环状结构;第二导电部件122包括间隔设置的多个第一电极图案1221,多个第一电极图案1221整体上布置为环状;第三导电部件123包括间隔设置的多个第三电极图案1231,多个第三电极图案1231整体上布置为环状。例如,如图3B所示,第三电极图案1231、第一电极图案1221、第一驱动电极111均具有相同的形状和尺寸。
例如,如图3B所示,相邻的第三电极图案1231之间的间距、相邻的第一电极图案1221之间的间距以及相邻的第一驱动电极111之间的间距彼此相等;此种情况下,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。例如,如图3B所示,从阵列区域101指向周边区域102的方向上(例如,第一方向D1和/或第二方向D2),相邻的第一电极图案1221和第一导电部件121之间的间距,相邻的第三电极图案1231和第一驱动电极111之间的间距,以及相邻的第一驱动电极111之间的间距彼此相等;此种情况下,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。例如,相邻的第三电极图案1231和第一电极图案1221之间的间距也可以等于相邻的第一驱动电极111之间的间距。
图4A示出了本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板100的平面示意图。图4B示出了图4A所示的电子装置基板100的截面示意图。图4C示出了图4A所示的电子装置基板100的部分(未示出公共电极层或阴极层)。图4A和图4B所示的电子装置基板100与图2A和图2B所示的电子装置基板100类似,此处仅阐述两者的不同之处,相同之处不再赘述。
如图4A-图4C所示,相比于图2A和图2B所示的电子装置基板100,图4A-图4C所示的电子装置基板100具有以下不同之处:(1)图4A和图4B所示的电子装置基板100的第一导电部件121的环宽等于第二导电部件122的环宽;(2)第一导电部件121、第二导电部件122和第三导电部件123的每个均包括间隔设置的多个电极图案。
例如,通过使得第一导电部件121的环宽等于第二导电部件122的环宽,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。
例如,如图4A和图4C所示,第一导电部件121包括间隔设置的多个第二电极图案1211,多个第二电极图案1211整体上布置为环状;第二导电部件122包括间隔设置的多个第一电极图案1221,多个第一电极图案1221整体上布置为环状;第三导电部件123包括间隔设置的多个第三电极图案1231,多个第三电极图案1231整体上布置为环状;此种情况下,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。例如,如图4C所示,第三电极图案1231、第二电极图案1211、第一电极图案1221、第一驱动电极111具有实质上相同(例如,相同)的形状和尺寸;此种情况下,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。需要说明的是,具有实质上相同的形状是指形状大致相同,如第三电极图案1231、第二电极图案1211、第一电极图案1221、第一驱动电极111可以为三角形,四边形,六边形等;具有实质上相同的尺寸是指尺寸大致相同,允许第三电极图案1231、第二电极图案1211、第一电极图案1221、第一驱动电极111中的任意两个有10%以内的误差范围;例如,第三电极图案1231、第二电极图案1211、第一电极图案1221、第一驱动电极111具有实质上相同(例如,相同)的面积。例如,具有实质上相同的面积是指面积大致相同,允许第三电极图案1231、第二电极图案1211、第一电极图案1221、第一驱动电极111中的任意两个有10%以内的误差范围。例如,如图4A所示,从阵列区域101指向周边区域102的方向上(例如,第一方向D1和/或第二方向D2),相邻的第一电极图案1221和第二电极图案1211之间的间距,相邻的第三电极图案1231和第一驱动电极111之间的间距,以及相邻的第一驱动电极111之间的间距实质上相等(例如,相等);此种情况下,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。例如,相邻的第三电极图案1231和第一电极图案1221之间的间距也可以等于相邻的第一驱动电极111之间的间距。需要说明的是,A参数与B参数实质上相等是指A参数与B参数的差值小于10%×(A参数与B参数的平均值)。
例如,如图4A和图4C所示,多个电极图案(第三电极图案1231、第二电极图案1211和第一电极图案1221)排列成多行和多列(也即,阵列排布)。例如,如图4A和图4C所示,多个电极图案中相邻的电极图案不直接电连接;例如,多个电极图案中相邻的电极图案之间存在间隙。
例如,如图4C所示,周边区域102还包括位于第一导电部件121外侧的其它区域103(例如,绑定区域)。例如,周边区域102还包括引线1031,引线1031从位于其它区域103(例如,绑定区域)的驱动电路延伸至第一导电部件121的第二电极图案1211。
图5A示出了本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板100的平面示意图。图5B示出了图5A所示的电子装置基板100的截面示意图。图5C示出了图5A所示的电子装置基板100的部分(未示出公共电极层或阴极层)。图5A和图5B所示的电子装置基板100与图4A-图4C所示的电子装置基板100类似,此处仅阐述两者的不同之处,相同之处不再赘述。
如图5A-图5C所示,相比于图4A-图4C所示的电子装置基板100,图5A-图5C所示的电子装置基板100的周边区域102还包括围绕第一导电部件121的第四导电部件124,第四导电部件124与第二公共电极层115叠置且与第二公共电极层115电性连接。第四导电部件124设置在第一绝缘层131的远离衬底基板1340的一侧且与第一绝缘层131直接接触。
例如,通过使得图5A-图5C所示的电子装置基板100的周边区域102还包括围绕第一导电部件121的第四导电部件124,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。例如,通过设置第四导电部件124,可以增加通过刻蚀获得第一导电部件121(第一导电部件121的外环)所需的有效时间,由此可以使得通过刻蚀获得第一导电部件121所需的有效时间和通过刻蚀获得第一驱动电极111所需的有效时间更为接近。
例如,如图5A-图5C所示,第四导电部件124与第一导电部件121之间的间距等于相邻的第一驱动电极111之间的间距;此种情况下,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。例如,如图5A-图5C所示,第四导电部件124包括间隔设置的多个第四电极图案1241,多个第四电极图案1241整体上布置为环状;此种情况下,可以进一步地提升显影和刻蚀均匀度以及电子装置基板100的性能。例如,第四电极图案1241和第一驱动电极111具有相同的形状和尺寸。
需要说明的是,本公开的其它示例或实施例(例如,图2A、图3A、图6A和图7所示的示例或实施例)的电子装置基板100也可以设置第四导电部件,不再赘述。
图6A示出了本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板100的平面示意图。图6B示出了图6A所示的电子装置基板100的截面示意图。图6C示出了图6A所示的电子装置基板100的部分(未示出公共电极层或阴极层)。图6A和图6B所示的电子装置基板100与图2A-图2C所示的电子装置基板100类似,此处仅阐述两者的不同之处,相同之处不再赘述。
如图6A-图6C所示,相比于图2A-图2C所示的电子装置基板100,图6A-图6C所示的电子装置基板100的周边区域102还包括电连接部125。
例如,如图6A-图6C所示,该电连接部125设置在第一导电部件121和第二导电部件122之间以及第二导电部件122和第三导电部件123之间,第二导电部件122与第一导电部件121通过电连接部125相连,第二导电部件122和第三导电部件123通过电连接部125相连。例如,第一导电部件121和第二导电部件122、第三导电部件123以及电连接部125一体化形成,也即,第一导电部件121和第二导电部件122、第三导电部件123以及电连接部125的任意相邻的两个之间不存在界面。例如,如图6A-图6C所示,第一导电部件121、第二导电部件122、第三导电部件123以及电连接部125形成一个连续的环状结构120。例如,通过设置电连接部125,可以进一步地增加接触面积,降低接触电阻。
需要说明的是,第三导电部件123不限于与第二导电部件122一体化(经由电连接部125与第二导电部件122一体化),在一些示例中,第三导电部件123还可以与第二导电部件122不直接电连接。下面结合图7做示例性说明。图7示出了本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板100的截面示意图。图7所示的电子装置基板100与图6A-图6C所示的电子装置基板100类似,此处仅阐述两者的不同之处,相同之处不再赘述。
例如,如图7所示,相比于图6A-图6C所示的电子装置基板100,图7所示的电连接部125仅设置在第一导电部件121和第二导电部件122之间,并使得第一导电部件121、第二导电部件122以及电连接部125形成一个连续的环状结构120。环状结构120与第三导电部件123间隔设置且不直接电连接。例如,环状结构120与第三导电部件123之间的间距(也即,第二导电部件122与第三导电部件123之间的间距),第三导电部件123与第一驱动电极111之间的间距以及相邻的第一驱动电极111之间的间距彼此相等。
在一些示例中,第一绝缘层131还包括凹陷部。例如,该凹陷部在形成第一导电部件121和第二导电部件122的过程中形成。
图10示出了本公开的至少一个实施例提供的凹陷部1315。如图10所示,凹陷部1315位于第一绝缘层131的靠近第一导电部件121的一侧,且位于第一导电部件121在第一绝缘层131上的正投影和第一驱动电极111(例如,位于阵列区域最边缘的第一驱动电极111)在第一绝缘层131上的正投影之间;凹陷部1315在衬底基板上的正投影、第一导电部件121在衬底基板上的正投影、第二导电部件122在衬底基板上的正投影以及第一驱动电极111在衬底基板上的正投影不重叠。例如,正投影不重叠是指正投影间隔设置或者正投影的侧边直接接触。
如图10所示,第一绝缘层131的对应于第一导电部件121和第四导电部件124之间的间隙的区域包括一个凹陷部;第一绝缘层131的对应于第一导电部件121和第二导电部件122之间的间隙的区域包括一个凹陷部;第一绝缘层131的对应于第二导电部件122和第三导电部件123之间的间隙的区域包括一个凹陷部;第一绝缘层131的对应于第三导电部件123和第一驱动电极111之间的间隙的区域包括一个凹陷部。例如,第一绝缘层131的对应于相邻的第一驱动电极111之间的间隙也可以包括凹陷部。
例如,图1A和图1B的电子装置基板500的第一绝缘层531的对应于导电部件521和第一驱动电极511之间的间隙的区域也可以包括一个凹陷部(图1A和图1B未示出)。例如,相比于图1A和图1B的电子装置基板500的凹陷部,包括图10所示的第一导电部件121-第四导电部件124和第一驱动电极111之间的电子装置基板100的凹陷部的尺寸较小,这是由于相邻的电极(例如,第一导电部件121和第二导电部件122)之间的间距较小。因此,可以进一步地提升公共电极层116的平坦度。
图11示出了本公开的至少一个实施例提供的再一种电子装置基板100的截面示意图。图11所示的电子装置基板100与图5B所示的电子装置基板100类似,此处仅阐述两者的不同之处,相同之处不再赘述。
图11所示的电子装置基板100相比于图5B所示的电子装置基板100具有以下不同。(1)图11所示的电子装置基板100还包括感测区域180,感测区域180设置在阵列区域和第三导电部件123之间,且包括感测元件,感测元件例如可以感测温度,并经由过孔(未标示)与驱动背板134电连接。(2)图11所示的电子装置基板100还包括第五导电部件129(例如,导电环),第五导电部件129设置在感测区域180和阵列区域之间(例如,感测元件181和第一驱动电极111)之间。(3)图11所示的电子装置基板100还包括中间绝缘层191,中间绝缘层的第一部分与第三导电部件123和第二导电部件122叠置,且位于公共电极层116和第三导电部件123(第二导电部件122)之间,以使得公共电极层116与第三导电部件123(第二导电部件122)不直接电连接,此种情况下,第三导电部件123(第二导电部件122)浮接。例如,中间绝缘层的第二部分与第五导电部件129叠置,且位于公共电极层116和第五导电部件129之间,以使得公共电极层116与第五导电部件129不直接电连接,此种情况下,第五导电部件129浮接。(4)图11所示的电子装置基板100包括两个第一导电部件121。
本公开的至少一个实施例还提供了一种电子装置。图8是本公开的至少一个实施例提供的电子装置的示例性框图。如图8所示,该电子装置其包括本公开的实施例提供的任一电子装置基板。该电子装置可以实现为显示装置、发光装置等。
需要说明的是,对于该电子装置基板100和电子装置10的其它组成部分(例如,薄膜晶体管、控制装置、图像数据编码/解码装置、行扫描驱动器、列扫描驱动器、时钟电路等)可以采用适用的部件,这些均是本领域的普通技术人员所应该理解的,在此不做赘述,也不应作为对本公开的限制。
本公开的至少一个实施例提供了一种电子装置基板的制作方法,其包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成第一绝缘层;以及在第一绝缘层的远离衬底基板的一侧形成多个发光子单元、第一导电部件和第二导电部件。多个发光子单元设置在电子装置基板的阵列区域中,第一导电部件设置在电子装置基板的围绕阵列区域的周边区域中,第二导电部件设置在第一导电部件与阵列区域之间;第一导电部件在衬底基板上的正投影与第二导电部件在衬底基板上的正投影间隔设置;发光子单元的每个包括彼此叠置的第一驱动电极和第二驱动电极,第一驱动电极和第二驱动电极被配置为施加发光驱动电压,多个发光子单元的第二驱动电极一体以形成第一公共电极层;周边区域还包括第二公共电极层,第一导电部件与第二公共电极层电性连接,第二公共电极层与第一公共电极层电连接;以及第一导电部件、第二导电部件与第一驱动电极均与第一绝缘层直接接触。
例如,在电子装置基板的阵列区域形成多个发光子单元,在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成多个发光子单元、第一导电部件和第二导电部件,包括:形成第一导电层;对第一导电层进行图案化以形成多个发光子单元的第一驱动电极、第一导电部件和第二导电部件;以及在第一驱动电极、第一导电部件和第二导电部件上形成公共电极层。公共电极层包括一体化的第一公共电极层和第二公共电极层。
下面以图4A-图4C所示的电子装置基板为例,对本公开的至少一个实施例提供了一种电子装置基板的制作方法做示例性说明。
例如,本公开的至少一个实施例提供了一种电子装置基板的制作方法包括以下的步骤S101-步骤S110。
步骤S101:提供驱动背板。
例如,驱动背板包括第一区域和第二区域,第一区域被配置为提供第一电压,第二区域被配置为提供第二电压,第一电压大于第二电压。例如,如图9所示,驱动背板可以包括衬底基板,该衬底基板为半导体衬底基板,半导体衬底基板由单晶硅、锗、砷化镓或其它适用的半导体材料制成。例如,驱动背板可以实现为硅基驱动背板,也即,驱动背板包括的衬底基板由单晶硅制成。例如,驱动背板还包括设置在衬底基板上的驱动晶体管、开关晶体管、存储电容等。例如,驱动背板的具体制作方法可以参见半导体集成电路制造工艺,此处不再赘述。
步骤S102:在驱动背板上形成第二绝缘层,在第二绝缘层的对应于第一区域的部分形成第三过孔,在第二绝缘层的对应于第二区域的部分形成第四过孔。
例如,第三过孔的数目等于待形成的发光子单元的数目。例如,第四过孔的数目(例如,一个或多个)可根据实际应用需求进行设定。例如,第二绝缘层可以由二氧化硅或其它的适用材料制成。
步骤S103:在第三过孔和第四过孔填充导电材料。
例如,导电材料可以为钨金属(W)或其它的适用材料。例如,在填充导电材料时,如果导电材料偏多,则导电材料可能位于过孔之外;此种情况下,可以通过例如磨削去除位于过孔之外的导电材料,以提升电接触性能。
步骤S104:在第二绝缘层的远离驱动背板的一侧上形成中间导电层。
例如,中间导电层包括第一导电结构和第二导电结构,例如,第一导电结构和第二导电结构可以为走线或其它适用的导电结构。例如,第一导电结构的数目、第三过孔的数目和待形成的发光子单元的数目彼此相等。例如,第二导电结构的数目与待形成的第一导电部件的第二电极图案的数目相等。例如,多个第二导电结构排列成围绕多个第一导电结构的环状。例如,第一导电结构与对应的第三过孔至少部分重叠,第二导电结构与对应的第四过孔至少部分重叠。
例如,第一导电结构和第二导电结构的每个可以实现为多层结构(在垂直于驱动背板的方向上具有多层)。例如,第一导电结构和第二导电结构的每个可以包括三层叠置的导电层,上述三层叠置的导电层的材料例如顺次为钛(Ti)、铝(Al)和氮化钛(TiN),并且,相比于由氮化钛(TiN)制成的导电层,由钛(Ti)制成的导电层更靠近驱动背板。又例如,第一导电结构和第二导电结构的每个可以包括两层叠置的导电层,上述两层叠置的导电层的材料例如顺次为钛(Ti)和铝(Al),并且,相比于由铝(Al)制成的导电层,由钛(Ti)制成的导电层更靠近驱动背板。例如,相邻的导电层之间设置了绝缘层,因此,相邻的导电层之间通过过孔电连接。例如,上述叠置的多层导电层的每层的厚度约为5纳米-50纳米。
步骤S105:在中间导电层的远离第二绝缘层的一侧上形成第一绝缘层,在第一绝缘层的对应于第一区域的部分形成第一过孔,在第一绝缘层的对应于第二区域的部分形成第二过孔。
例如,第一过孔的数目、第三过孔的数目、待形成的发光子单元的数目彼此相等。例如,第二过孔的数目、第二导电结构的数目以及待形成的第二导电图案的数目彼此相等。例如,第一绝缘层可以由二氧化硅或其它的适用材料制成。
步骤S106:在第一过孔和第二过孔填充导电材料。
例如,导电材料可以为钨金属(W)。例如,在填充导电材料时,如果导电材料偏多,则导电材料可能位于过孔之外;此种情况下,可以通过例如磨削去除位于过孔之外的导电材料,以提升电接触性能。
步骤S107:在第一绝缘层的远离中间导电层的一侧上形成第一导电层,采用同一构图工艺对第一导电层(例如,单层导电层)进行图案化以形成多个发光子单元的第一驱动电极、第一导电部件、第二导电部件和第三导电部件。
例如,第一导电部件、第二导电部件和第三导电部件的每个包括间隔设置的多个电极图案。
步骤S108:在第一驱动电极所在层的远离第一绝缘层的一侧上形成发光材料层。例如,如图4B所示,发光材料层覆盖(例如,完全覆盖)发光子单元的第一驱动电极以及第三导电部件的部分。例如,发光材料层包括位于同一结构层的对应于多个发光子单元的发光层。例如,在多个发光子单元的发光层发射的光线的颜色均相同的情况下,多个发光子单元的发光层的制作材料相同且一体化形成,并且,多个发光子单元的发光层之间不存在界面。
步骤S109:在形成了发光材料层的驱动基板上形成第二导电层,且第二导电层即为公共电极层。
步骤S110:在公共电极层的远离驱动基板的一侧顺次形成第一封装层、彩膜层和第二封装层。
例如,第一导电层和第二导电层的材料选自金属、金属合金和透明导电材料。第一导电层和第二导电层中至少一个为透明或半透明电极,透明导电材料包含铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)、镉锡氧化物(cadmiumtin oxide,CTO)、氧化锡(stannum dioxide,SnO2)及氧化锌(zinc oxide,ZnO)等;金属及金属合金包含金(aurum,Au)、铝(aluminum,Al)、铟(indium,In)、镁(magnesium,Mg)及钙(calcium,Ca)等。例如,第一导电层用于形成阳极,第二导电层用于形成阴极。
例如,通过设置第二导电部件和第三导电部件,可以降低公共电极层断裂的风险(例如,降低公共电极层的不同区域在垂直于电子装置基板的面板面的方向上延伸的长度),提升公共电极层的平坦度(例如,避免公共电极层的部分落入相邻的第一导电部件和第一驱动电极之间的间隙)以及公共电极层上的电信号的均匀度,并可以提升显影和刻蚀均匀度。例如,通过设置第二导电部件和第三导电部件,还可以在刻蚀工艺中,降低第一导电部件周围的刻蚀液(或刻蚀气体)的量,因此,可以使得通过刻蚀获得第一导电部件(阴极环)所需的时间与通过刻蚀获得第一驱动电极所需的时间更为接近,由此可以提升刻蚀均一性。
虽然上文中已经用一般性说明及具体实施方式,对本公开作了详尽的描述,但在本公开实施例基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本公开精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本公开要求保护的范围。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式,而非用于限制本公开的保护范围,本公开的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (24)
1.一种电子装置基板,包括衬底基板、第一绝缘层、多个发光子单元、第一导电部件以及第二导电部件,
其中,所述多个发光子单元、所述第一导电部件以及所述第二导电部件设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧;
所述多个发光子单元设置在所述电子装置基板的阵列区域中,所述第一导电部件设置在所述电子装置基板的围绕所述阵列区域的周边区域中,所述第二导电部件设置在所述第一导电部件与所述阵列区域之间;
所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影间隔设置;
所述多个发光子单元的每个包括第一驱动电极和第二驱动电极,所述第一驱动电极和所述第二驱动电极被配置为施加发光驱动电压,所述多个发光子单元的第二驱动电极一体以形成第一公共电极层;
所述周边区域还包括第二公共电极层,所述第一导电部件与所述第二公共电极层电性连接,所述第二公共电极层与所述第一公共电极层电连接;以及
所述第一导电部件、所述第二导电部件与所述第一驱动电极均与所述第一绝缘层直接接触;
所述电子装置基板还包括第三导电部件,其中,所述第三导电部件设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧,所述第三导电部件围绕所述阵列区域设置且与所述第一驱动电极位于同一导电结构层中,所述第二导电部件围绕所述第三导电部件设置;
所述多个发光子单元的每个包括发光层,所述多个发光子单元的发光层一体以形成发光材料层;以及
所述发光材料层延伸到所述第三导电部件上且与所述第三导电部件至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,所述第一导电部件和所述第二导电部件与所述第二公共电极层叠置;
所述第一导电部件、所述第二导电部件也与所述第一驱动电极位于所述同一导电结构层中;
所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影,所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影以及所述第一驱动电极在所述衬底基板上的正投影间隔设置;以及
所述第二公共电极层与所述第一公共电极层一体化以形成公共电极层。
3.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,所述第二导电部件与所述第二公共电极层直接电性连接。
4.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,所述第二导电部件包括间隔设置的多个第一电极图案,所述多个第一电极图案整体上布置为环状。
5.根据权利要求4所述的电子装置基板,其中,所述第一导电部件为连续的第一环状结构。
6.根据权利要求4所述的电子装置基板,其中,所述第一导电部件包括间隔设置的多个第二电极图案,所述多个第二电极图案整体上布置为环状。
7.根据权利要求6所述的电子装置基板,其中,所述第二电极图案的形状、所述第一电极图案的形状以及所述第一驱动电极的形状相同。
8.根据权利要求7所述的电子装置基板,其中,所述第二电极图案的尺寸、所述第一电极图案的尺寸以及所述第一驱动电极的尺寸相等。
9.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,所述第一导电部件为连续的第一环状结构,所述第二导电部件为连续的第二环状结构,以及所述第三导电部件为连续的第三环状结构。
10.根据权利要求9所述的电子装置基板,其中,所述第二导电部件与所述第一导电部件不直接电连接。
11.根据权利要求9所述的电子装置基板,其中,在从所述阵列区域指向所述周边区域的方向上,所述第二导电部件的环宽小于所述第一导电部件的环宽。
12.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,在从所述阵列区域指向所述周边区域的方向上,所述第一导电部件与所述第二导电部件之间的间距等于相邻的发光子单元的第一驱动电极之间的间距。
13.根据权利要求9所述的电子装置基板,其中,在从所述阵列区域指向所述周边区域的方向上,所述第二导电部件与所述第三导电部件之间的间距等于所述第二导电部件与所述第一导电部件之间的间距,以及所述第二导电部件的环宽等于所述第三导电部件的环宽。
14.根据权利要求1-12任一所述的电子装置基板,其中,所述第一驱动电极为阳极,所述第二驱动电极为阴极,所述第一导电部件为阴极环;
所述第二公共电极层在所述第一驱动电极所在平面的正投影为连续的平面;以及
所述第二公共电极层在所述第一驱动电极所在平面的正投影完全覆盖所述第一导电部件。
15.根据权利要求1-12任一所述的电子装置基板,其中,所述周边区域还包括围绕所述第一导电部件的第四导电部件;
所述第四导电部件设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧;以及
所述第四导电部件与所述第二公共电极层叠置且与所述第二公共电极层电性连接。
16.根据权利要求1-12任一所述的电子装置基板,其中,所述第一绝缘层包括凹陷部;
所述凹陷部位于所述第一绝缘层的靠近所述第一导电部件的一侧,且位于所述第一导电部件在所述第一绝缘层上的正投影和所述第一驱动电极在所述第一绝缘层上的正投影之间;以及
所述凹陷部在所述衬底基板上的正投影、所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影、所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影以及所述第一驱动电极在所述衬底基板上的正投影不重叠。
17.根据权利要求1-12任一所述的电子装置基板,还包括中间导电层,
其中,所述第一绝缘层包括第一过孔和第二过孔;
所述中间导电层位于所述第一绝缘层的远离所述第一驱动电极的一侧,且包括第一导电结构和第二导电结构;
所述第一驱动电极经由所述第一过孔与所述第一导电结构电连接,所述第二驱动电极经由所述第一导电部件和所述第二过孔与所述第二导电结构电连接,所述第二导电部件和所述中间导电层不直接电连接。
18.根据权利要求17所述的电子装置基板,其中,所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影,所述第一导电结构在所述衬底基板上的正投影以及所述第二导电结构在所述衬底基板上的正投影间隔设置。
19.根据权利要求18所述的电子装置基板,还包括设置在所述中间导电层的远离所述第一驱动电极一侧的第二绝缘层和驱动背板;
所述驱动背板包括所述衬底基板;
所述第二绝缘层设置在所述中间导电层和所述驱动背板之间;
所述第二绝缘层包括第三过孔和第四过孔;以及
所述第一驱动电极经由所述第一过孔、所述第一导电结构和所述第三过孔与所述驱动背板的第一区域电连接,所述第二驱动电极经由所述第一导电部件、所述第二过孔、所述第二导电结构和所述第四过孔与所述驱动背板的第二区域电连接,所述第二导电部件和所述驱动背板不直接电连接。
20.根据权利要求19所述的电子装置基板,其中,所述第二导电部件不直接接收所述驱动背板提供的信号。
21.根据权利要求1所述的电子装置基板,其中,所述第二导电部件浮接。
22.一种电子装置,包括如权利要求1-21任一所述的电子装置基板。
23.一种电子装置基板的制作方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一绝缘层;以及
在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成多个发光子单元、第一导电部件、第二导电部件和第三导电部件,
其中,所述多个发光子单元设置在所述电子装置基板的阵列区域中,所述第一导电部件设置在所述电子装置基板的围绕所述阵列区域的周边区域中,所述第二导电部件设置在所述第一导电部件与所述阵列区域之间;
所述第一导电部件在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电部件在所述衬底基板上的正投影间隔设置;
所述发光子单元的每个包括彼此叠置的第一驱动电极和第二驱动电极,所述第一驱动电极和所述第二驱动电极被配置为施加发光驱动电压,所述多个发光子单元的第二驱动电极一体以形成第一公共电极层;
所述周边区域还包括第二公共电极层,所述第一导电部件与所述第二公共电极层电性连接,所述第二公共电极层与所述第一公共电极层电连接;以及
所述第一导电部件、所述第二导电部件与所述第一驱动电极均与所述第一绝缘层直接接触;
所述第三导电部件围绕所述阵列区域设置且与所述第一驱动电极位于同一导电结构层中,所述第二导电部件围绕所述第三导电部件设置;
所述多个发光子单元的每个包括发光层,所述多个发光子单元的发光层一体以形成发光材料层;以及
所述发光材料层延伸到所述第三导电部件上且与所述第三导电部件至少部分重叠。
24.根据权利要求23所述的电子装置基板的制作方法,其中,在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成所述多个发光子单元、所述第一导电部件、所述第二导电部件和所述第三导电部件,包括:
形成第一导电层;
对所述第一导电层进行图案化以形成所述多个发光子单元的所述第一驱动电极、所述第一导电部件、所述第二导电部件和所述第三导电部件;以及
在所述第一驱动电极、所述第一导电部件、所述第二导电部件和所述第三导电部件上形成公共电极层,其中,所述公共电极层包括一体化的所述第一公共电极层和所述第二公共电极层。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2019/102819 WO2021035529A1 (zh) | 2019-08-27 | 2019-08-27 | 电子装置基板及其制作方法、电子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112771674A CN112771674A (zh) | 2021-05-07 |
CN112771674B true CN112771674B (zh) | 2022-02-22 |
Family
ID=74683334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980001517.3A Active CN112771674B (zh) | 2019-08-27 | 2019-08-27 | 电子装置基板及其制作方法、电子装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11404451B2 (zh) |
EP (1) | EP4024466A4 (zh) |
CN (1) | CN112771674B (zh) |
WO (1) | WO2021035529A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116207121A (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-02 | 成都辰显光电有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007156058A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
CN103515413A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-01-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示设备及其制造方法 |
CN107799577A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-03-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Amoled显示面板及amoled显示器 |
Family Cites Families (90)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3120200B2 (ja) | 1992-10-12 | 2000-12-25 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 光弁装置、立体画像表示装置および画像プロジェクタ |
JP2860226B2 (ja) | 1993-06-07 | 1999-02-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3223997B2 (ja) | 1994-09-13 | 2001-10-29 | シャープ株式会社 | 論理回路及び液晶表示装置 |
US5986311A (en) | 1997-05-19 | 1999-11-16 | Citizen Watch Company, Ltd. | Semiconductor device having recrystallized source/drain regions |
US6040208A (en) | 1997-08-29 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Angled ion implantation for selective doping |
US6274421B1 (en) | 1998-01-09 | 2001-08-14 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of making metal gate sub-micron MOS transistor |
JP4860026B2 (ja) | 1999-03-03 | 2012-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6677613B1 (en) | 1999-03-03 | 2004-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6876145B1 (en) | 1999-09-30 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
US6580094B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
JP2001195016A (ja) | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
JP4360015B2 (ja) | 2000-03-17 | 2009-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法 |
US6580657B2 (en) | 2001-01-04 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Low-power organic light emitting diode pixel circuit |
JP3904936B2 (ja) | 2001-03-02 | 2007-04-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4831885B2 (ja) | 2001-04-27 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2003045874A (ja) | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 金属配線およびその作製方法、並びに金属配線基板およびその作製方法 |
US6716687B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-04-06 | Micron Technology, Inc. | FET having epitaxial silicon growth |
JP3794411B2 (ja) | 2003-03-14 | 2006-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置および電子機器 |
JP4540359B2 (ja) | 2004-02-10 | 2010-09-08 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4319078B2 (ja) | 2004-03-26 | 2009-08-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN100592520C (zh) | 2004-10-22 | 2010-02-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及包括其的显示装置 |
KR100700648B1 (ko) | 2005-01-31 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면발광 유기전계발광표시장치 |
JP4965080B2 (ja) | 2005-03-10 | 2012-07-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7361534B2 (en) | 2005-05-11 | 2008-04-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for fabricating SOI device |
KR100879294B1 (ko) | 2006-06-12 | 2009-01-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR100846592B1 (ko) | 2006-12-13 | 2008-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
TWI330998B (en) | 2007-01-16 | 2010-09-21 | Chimei Innolux Corp | Top emitter organic electroluminescent display |
US7679284B2 (en) * | 2007-02-08 | 2010-03-16 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic apparatus |
US8513678B2 (en) | 2007-05-18 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2009016410A (ja) | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Toshiya Doi | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009036948A (ja) | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス装置 |
KR101235559B1 (ko) | 2007-12-14 | 2013-02-21 | 삼성전자주식회사 | 리세스 채널 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR101534006B1 (ko) | 2008-07-29 | 2015-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN101833186B (zh) | 2009-03-10 | 2011-12-28 | 立景光电股份有限公司 | 显示装置的像素电路 |
KR101645404B1 (ko) | 2010-07-06 | 2016-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 |
TWI424412B (zh) | 2010-10-28 | 2014-01-21 | Au Optronics Corp | 有機發光二極體之像素驅動電路 |
CN101980330B (zh) | 2010-11-04 | 2012-12-05 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管的像素驱动电路 |
KR101860860B1 (ko) | 2011-03-16 | 2018-07-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
KR101893376B1 (ko) | 2011-06-28 | 2018-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP5767707B2 (ja) | 2011-08-09 | 2015-08-19 | 株式会社Joled | 画像表示装置 |
KR101920766B1 (ko) | 2011-08-09 | 2018-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
CN104025707B (zh) * | 2011-11-07 | 2016-05-04 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el显示面板和有机el显示装置 |
US9236408B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device including photodiode |
CN102760841B (zh) | 2012-07-11 | 2014-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管器件及相应的显示装置 |
US9401112B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-07-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method of driving the same |
CN102981335A (zh) | 2012-11-15 | 2013-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元结构、阵列基板和显示装置 |
CN102983155B (zh) | 2012-11-29 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示装置及其制作方法 |
CN203026507U (zh) | 2012-11-29 | 2013-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示装置 |
CN103022079B (zh) | 2012-12-12 | 2015-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置 |
CN104240633B (zh) | 2013-06-07 | 2018-01-09 | 上海和辉光电有限公司 | 薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及其制造方法 |
KR102084715B1 (ko) | 2013-06-18 | 2020-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN103440840B (zh) | 2013-07-15 | 2015-09-16 | 北京大学深圳研究生院 | 一种显示装置及其像素电路 |
US9059123B2 (en) | 2013-07-24 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Active matrix using hybrid integrated circuit and bipolar transistor |
JP6347704B2 (ja) | 2013-09-18 | 2018-06-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2015060318A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR102244460B1 (ko) | 2013-10-22 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI511283B (zh) | 2013-11-07 | 2015-12-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 畫素陣列基板及有機發光二極體顯示器 |
KR102450562B1 (ko) | 2014-03-13 | 2022-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
WO2015181997A1 (en) | 2014-05-30 | 2015-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102298336B1 (ko) | 2014-06-20 | 2021-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
US10147747B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device |
CN104201190A (zh) | 2014-08-26 | 2014-12-10 | 上海和辉光电有限公司 | 有机发光装置及其制备方法 |
CN104299572B (zh) | 2014-11-06 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路、显示基板和显示面板 |
CN104332561A (zh) | 2014-11-26 | 2015-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、其制备方法以及显示装置 |
KR102338906B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2021-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN104681624A (zh) | 2014-12-24 | 2015-06-03 | 上海交通大学 | 单晶硅基底tft器件 |
CN104483796A (zh) | 2015-01-04 | 2015-04-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
JP6518471B2 (ja) | 2015-03-19 | 2019-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光素子表示装置 |
CN106159100A (zh) | 2015-04-24 | 2016-11-23 | 上海和辉光电有限公司 | 有机发光二极管结构及其制作方法 |
KR20170005252A (ko) | 2015-07-01 | 2017-01-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전극에 산란층을 포함하는 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법 |
KR102470504B1 (ko) | 2015-08-12 | 2022-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
CN105304679B (zh) | 2015-09-29 | 2018-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种底发光型oled显示面板 |
CN105185816A (zh) | 2015-10-15 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN204966501U (zh) | 2015-10-15 | 2016-01-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
CN105427792A (zh) | 2016-01-05 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素补偿电路及驱动方法、显示面板和显示装置 |
JP6746937B2 (ja) | 2016-02-15 | 2020-08-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
CN205789046U (zh) | 2016-06-28 | 2016-12-07 | 中华映管股份有限公司 | 像素电路 |
JP6722086B2 (ja) | 2016-10-07 | 2020-07-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102578996B1 (ko) | 2016-11-30 | 2023-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 및 이를 이용한 유기발광표시장치 |
CN106558287B (zh) | 2017-01-25 | 2019-05-07 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光像素驱动电路、驱动方法及有机发光显示面板 |
CN107103878B (zh) | 2017-05-26 | 2020-07-03 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 阵列基板、其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置 |
CN109215549B (zh) | 2017-06-30 | 2021-01-22 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏调光方法、装置、存储介质及电子设备 |
CN107424570B (zh) | 2017-08-11 | 2022-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元电路、像素电路、驱动方法和显示装置 |
CN109509430B (zh) | 2017-09-15 | 2020-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素驱动电路及方法、显示装置 |
CN107768385B (zh) | 2017-10-20 | 2020-10-16 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN107591125A (zh) | 2017-10-26 | 2018-01-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光元件的驱动电路和驱动方法、显示装置 |
CN109119027B (zh) | 2018-09-10 | 2020-06-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法以及显示面板 |
CN109036279B (zh) | 2018-10-18 | 2020-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、驱动方法、有机发光显示面板及显示装置 |
CN109904347B (zh) | 2019-03-15 | 2020-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制造方法、显示装置 |
CN110071229B (zh) | 2019-05-07 | 2020-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
-
2019
- 2019-08-27 US US16/959,398 patent/US11404451B2/en active Active
- 2019-08-27 CN CN201980001517.3A patent/CN112771674B/zh active Active
- 2019-08-27 EP EP19933232.1A patent/EP4024466A4/en active Pending
- 2019-08-27 WO PCT/CN2019/102819 patent/WO2021035529A1/zh unknown
-
2022
- 2022-06-23 US US17/847,877 patent/US11749691B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007156058A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
CN103515413A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-01-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示设备及其制造方法 |
CN107799577A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-03-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Amoled显示面板及amoled显示器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112771674A (zh) | 2021-05-07 |
US20210408078A1 (en) | 2021-12-30 |
WO2021035529A1 (zh) | 2021-03-04 |
US11404451B2 (en) | 2022-08-02 |
EP4024466A4 (en) | 2022-10-05 |
EP4024466A1 (en) | 2022-07-06 |
US11749691B2 (en) | 2023-09-05 |
US20220336503A1 (en) | 2022-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11139284B2 (en) | Display panel and display device having at least one display area reused as a sensor reserved area | |
JP6639462B2 (ja) | 発光ダイオードチップ及びこれを含む発光ダイオードディスプレイ装置 | |
EP3240035B1 (en) | Organic light emitting display device | |
CN108666345B (zh) | 有机发光显示设备 | |
US10033017B2 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
EP2476137B1 (en) | Tiled display with overlapping flexible substrates | |
US20140159043A1 (en) | Active matrix display panel with ground tie lines | |
CN112714955B (zh) | 显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 | |
CN107086232B (zh) | 显示装置 | |
KR20190048988A (ko) | 발광 표시 장치 | |
US11758769B2 (en) | Organic light emitting display panel having improved light efficiency and organic light emitting display device including the same | |
EP4131398A1 (en) | Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus | |
CN112714968A (zh) | 显示装置及制备方法、电子设备 | |
US11665920B2 (en) | Transparent display panel having an electrode contact of auxiliary electrode connected to a portion of second electrode and transparent display device including the same | |
US11749691B2 (en) | Electronic device substrate, manufacturing method thereof, and electronic device | |
US11475837B2 (en) | Silicon-based organic light-emitting diode display device and silicon-based organic light-emitting diode display method | |
US11600221B2 (en) | Display apparatus | |
WO2021189484A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
KR101291797B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
EP4131378A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus | |
CN114023906A (zh) | 显示面板、显示装置、待切割基板的制作方法 | |
CN112740101A (zh) | 显示装置及其制备方法 | |
WO2024004541A1 (ja) | 発光装置 | |
KR20220022920A (ko) | 표시 장치 | |
KR20230092438A (ko) | 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 멀티 스크린 디스플레이 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |