CN105304679B - 一种底发光型oled显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种底发光型OLED显示面板，涉及显示技术领域，可提升OLED器件的发光面积，并提高出光效率，以及OLED器件中的发光材料的使用寿命。该底发光型OLED显示面板包括：设置在基板上呈阵列排布的多个驱动晶体管、覆盖驱动晶体管的保护层、位于保护层上方的平坦层以及位于平坦层上方的OLED器件；该底发光型OLED显示面板还包括：设置在保护层与平坦层之间且与驱动晶体管对应的多个反射结构，反射结构用于反射OLED器件发光时照射到反射结构上的光线；其中，反射结构靠近保护层一侧的底面至少覆盖驱动晶体管所在的区域。本发明实施例用于底发光型OLED显示面板的制备。

Description

一种底发光型OLED显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种底发光型OLED显示面板。

背景技术

有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Display，简称为OLED)相对于液晶显示装置具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。其中的自发光元件即OLED器件主要由依次远离基板设置的阳极层、有机材料功能层(通常包括电子传输层、发光层以及空穴传输层等功能层)以及阴极层构成。根据发光方向的不同，OLED器件可分为底发光型(即相对于基板向下发光)和顶发光型(即相对于基板向上发光)两种类型。

其中，由于阴极层通常采用低功函数的金属单质和/或合金材料构成，其光透过率较低，为了减小阴极层对顶发光型OLED器件整体出光率的影响，阴极层的厚度需要制作地较薄，并同时采用反射金属作为阳极层以进一步增加光的透过率。然而，阴极层厚度越小，其方块电阻(符号为Rs，表达式为Rs＝ρ/t；其中，ρ为电极的电阻率，t为电极的厚度)的阻值Rs较大，导致顶发光型的OLED器件电压降(IR Drop，即电阻两端的电位差)严重，使得离电源供给地点，即与阳极层相连的驱动晶体管越远的OLED发光面电压降越明显，从而导致顶发光型OLED器件出现明显的发光不均现象。

此外，由于顶发光型OLED器件采用阴极层作为出光侧，由于构成阴极层的材料自身光透过率较低，阴极层相当于一层具有反射功能的半透明薄膜，使得阴极层与位于下方的反射阳极层之间形成了一个微腔，导致顶发光型OLED器件存在较强的微腔效应，即具有特定腔长的顶发光型OLED器件只能发出特定波长的光，故在制备顶发光型OLED器件时对各层厚度要求相对更为严格。因此，上述各因素均导致目前顶发光型OLED器件量产困难。

因此，目前OLED器件多采用制备工艺简单、技术相对更成熟且量产容易的底发光型结构，底发光型OLED发出的光线穿透阳极层从基板一侧射出，阳极层可采用高功函数且光透过率较高的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)以及石墨烯等材料，对出光率影响较小，也不会出现微腔效应；同时，由于光线不从阴极层一侧发出，因此不会出现由于阴极层厚度较小而导致的Rs电阻过大的问题。

然而，如图1所示，由于底发光型OLED器件发光方向向下，若光线照射到下方的驱动晶体管中会导致驱动晶体管出现光生漏电流现象，影响显示性能，因此，用于界定出各个底发光型OLED器件发光区域大小的像素界定层(Pixel Defining Layer，简称为PDL)80的开口部分801在基板上的投影与驱动晶体管所在区域在基板上的投影之间具有一定间距，即将PDL的开口部分801设置地远离驱动晶体管。这样一来带着底发光型OLED器件的发光面积有限，其出光效率也有限，对OLED器件中的发光材料的使用寿命损耗较大。

发明内容

鉴于此，为解决现有技术的不足，本发明的实施例提供一种底发光型OLED显示面板，可提升OLED器件的发光面积，并提高出光效率以及OLED器件中的发光材料的使用寿命。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供了一种底发光型OLED显示面板，所述底发光型OLED显示面板包括：设置在基板上呈阵列排布的多个驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的保护层、位于所述保护层上方的平坦层以及位于所述平坦层上方的OLED器件；所述底发光型OLED显示面板还包括：设置在所述保护层与所述平坦层之间且与所述驱动晶体管对应的反射结构，所述反射结构用于反射所述OLED器件发光时照射到所述反射结构上的光线；其中，所述反射结构靠近所述保护层一侧的底面至少覆盖所述驱动晶体管所在的区域。

优选的，所述反射结构包括主体部分与反射层；其中，所述主体部分由平行设置的底面与顶面构成，连接所述底面与所述顶面的侧面为凹弧面或平面；所述底面的面积大于所述顶面的面积，所述底面与所述顶面为几何中心相重叠的矩形，且矩形相邻的两边分别平行于所述底发光型OLED显示面板的栅线与数据线；所述反射层至少覆盖在所述主体部分的一个侧面上；或者，沿垂直于所述底发光型OLED显示面板的板面方向，所述主体部分的截面图形为圆弧形，所述圆弧形的弧为半圆或劣弧；所述反射层至少覆盖在所述圆弧形的一半弧面上，所述一半弧面以平行于所述底发光型OLED显示面板的栅线或数据线方向为分割线。

进一步优选的，若所述反射层设置在所述主体部分的四个侧面上，则所述顶面与所述底面均为正方形。

进一步优选的，若所述主体部分的侧面为凹弧面，则覆盖有所述反射层的凹弧面的弧度为5～30°；若所述主体部分的侧面为平面，则覆盖有所述反射层的平面与所述底面的夹角为5～30°；若所述主体部分的截面图形为圆弧形，且所述圆弧形的弧为劣弧，则沿所述劣弧端点的切线与所述圆弧形靠近所述保护层一侧的底边之间的夹角为5～30°。

进一步优选的，所述OLED器件包括依次远离所述基板的透明阳极、有机材料功能层以及金属阴极；所述透明阳极通过贯通所述平坦层、所述反射结构以及所述保护层的贯通孔与所述驱动晶体管的漏极相连。

进一步优选的，所述贯通孔通过所述主体部分的顶面贯通所述反射结构；或者，所述贯通孔通过未被所述反射层覆盖的另一半弧面贯通所述反射结构。

在上述基础上优选的，所述反射层主要由金属单质和/或金属合金构成；其中，金属元素包括银、锌、铝、铜、锰、锗、钇、铋、钪以及钴中的任一种。

在上述基础上优选的，所述反射层的厚度为20～500nm。

在上述基础上优选的，所述主体部分主要由感光树脂材料构成。

在上述基础上优选的，所述主体部分的厚度为1～10μm。

基于此，通过本发明实施例提供的上述底发光型OLED显示面板，由于在对应于驱动晶体管的位置上方设置了反射结构，且反射结构靠近保护层一侧的底面至少覆盖驱动晶体管所在的区域，即反射结构的底面长宽至少要等于驱动晶体管的长宽，这样一来，由于反射结构遮挡住了照射到驱动晶体管上的光线，因此可以提高用于限定OLED器件中发光面积的PDL的开口部分的面积，即提高了底发光型的OLED器件的发光面积。

并且，由于在驱动晶体管的位置上方对应设置了可对照射到其表面的光线进行反射的反射结构，这部分光线经过二次和/或多次反射后，最终能够重新从像素中部射出，从而增加了OLED器件的出光效率以及OLED器件中的发光材料的寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种底发光型OLED显示面板的剖面结构示意图；

图2A为本发明实施例提供的一种底发光型OLED显示面板的剖面结构示意图一；

图2B为本发明实施例提供的一种底发光型OLED显示面板的剖面结构示意图二；

图2C为本发明实施例提供的一种底发光型OLED显示面板的剖面结构示意图三；

图3A为与图2A、图2B对应的俯视结构示意图；

图3B为与图2C对应的俯视结构示意图；

图4至图9依次为发明实施例提供的一种底发光型OLED显示面板的制备流程示意图。

附图标记：

01-底发光型OLED显示面板；10-基板；20-驱动晶体管；21-栅绝缘层；22-层间绝缘层；23-栅线；24-数据线；30-保护层；40-平坦层；50-OLED器件；501-透明阳极；502-有机材料功能层；503-金属阴极；60-反射结构；60a-底面(底边)；60b-顶面；60c-侧面；60d-弧面；601-主体部分；602-反射层；70-贯通孔；80-像素界定层；801-开口部分。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。

并且，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

本领域技术人员还应当理解，由于本发明实施例所涉及的阵列基板中的各结构尺寸非常微小，为了清楚起见，本发明实施例附图中各结构的尺寸，以及各膜层的相对厚度均被放大，不代表实际尺寸。

本发明实施例提供了一种底发光型OLED显示面板01，如图2A至图2C所示，该底发光型OLED显示面板01包括：设置在基板10上呈阵列排布的多个驱动晶体管20、覆盖驱动晶体管20的保护层30、位于保护层30上方的平坦层40以及位于平坦层40上方与驱动晶体管20对应的OLED器件50；该底发光型OLED显示面板01还包括：设置在保护层30与平坦层40之间且与驱动晶体管20对应的反射结构60，该反射结构60用于反射OLED器件50发光时照射到反射结构60上的光线；其中，反射结构60靠近保护层30一侧的底面60a至少覆盖驱动晶体管20所在的区域。

需要说明的是，第一、反射结构60与驱动晶体管20对应，即反射结构60位于驱动晶体管20的上方，且用于驱动每个OLED器件50进行显示的驱动晶体管20上方均设置有上述的反射结构60。

其中，驱动晶体管20的结构类型可以为底栅型或顶栅型，以图2A至图2C示意出的底栅型为例，上述底发光型OLED显示面板01中当然还可包括有隔离栅极与有源层的栅绝缘层21，以及位于源极、漏极与有源层之间起到刻蚀阻挡层(Etch Stop Layer，ESL)作用的层间绝缘层22，源极、漏极分别通过层间绝缘层22上的过孔与有源层相连。

第二、保护层30的作用是绝缘并隔离在基板10上呈阵列排布的驱动晶体管20与上方的其他结构，可采用绝缘性能良好且结构致密的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及氧化铝等至少一种材料。以氧化硅为例，其厚度可以为

第三、反射结构60不限于采用图2A至图2C中任一幅所示的形状来对照射到其表面的光线进行反射，其沿垂直于基板10方向的截面图形还可以为三角形、或表面具有波浪形的类半圆形等凸起图形，只要可以使得OLED器件50发光时照射到反射结构60上的光线被反射即可。

并且，为了提高反射结构60对照射到其表面光线的反射率，参考图2A至图2C所示，反射结构60还可由主体部分601和位于主体部分表面的反射层602构成。其中，反射层602可由具有较高反射率的金属单质和/或合金构成。

第四、由上述描述可知，由于设置在保护层30上的反射结构60具有凸起的形状，而OLED器件50通常包括有阳极、阴极以及有机材料功能层，在制备OLED器件50时需要在一个较为平坦的表面上依次形成上述的各层结构。因此，在保护层30上还需要设置覆盖反射结构60的平坦层40，即平坦层40的厚度要大于反射结构60的高度，该平坦层40可采用树脂等透过率较高的绝缘材料构成。以树脂为例，其厚度可以为2～20μm。

基于此，通过本发明实施例提供的上述底发光型OLED显示面板01，由于在对应于驱动晶体管20的位置上方设置了反射结构60，且反射结构60靠近保护层30一侧的底面60a至少覆盖驱动晶体管20所在的区域，即反射结构60的底面长宽至少要等于驱动晶体管20的长宽，这样一来，由于反射结构60遮挡住了照射到驱动晶体管20上的光线，因此可以提高用于限定OLED器件50中发光面积的PDL的开口部分801的面积，即提高了底发光型的OLED器件50的发光面积。

并且，由于在驱动晶体管20的位置上方对应设置了可对照射到其表面的光线进行反射的反射结构60，这部分光线经过二次和/或多次反射后，最终能够重新从像素中部(即两个像素单元中的驱动晶体管20之间的区域)射出，从而增加了OLED器件50的出光效率以及OLED器件50中的发光材料的寿命。

这里，本发明实施例提供的上述底发光型OLED显示面板01具体可以应用于OLED显示装置、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。

在上述基础上，参考图2A至图2C所示，上述的OLED器件50具体包括：依次远离基板10的透明阳极501、有机材料功能层502以及金属阴极503；其中，透明阳极501通过贯通平坦层40、反射结构60以及保护层30的贯通孔70与驱动晶体管20的漏极相连。

需要说明的是，第一、由于OLED器件50的阳极通常采用ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)、FTO(Fluorine-Doped Tin Oxide，氟掺杂二氧化锡)以及石墨烯等高功函数的材料。这些材料的光透过率较高，因此，对于底发光型OLED显示面板，通常是将透明阳极501设置在下方。设置在下方的透明阳极501与驱动晶体管20的漏极之间的距离较小，通过漏极传输到透明阳极501上的信号电压的电压降产生的程度较小，不易出现发光不均的问题。

并且、由于经过反射结构60反射的光线会再次进入OLED器件50内部，为了提高阴极对这部分光线的反射率，阴极可采用高反射率的金属材料，例如可以为Cu单质或合金。

第二、连接透明阳极501与漏极的贯通孔70可以通过逐次刻蚀打孔工艺形成。具体的，可先在保护层30上形成第一个通孔，再在保护层30上形成反射结构60，并通过相应的构图工艺在与第一通孔相对应的位置上形成第二通孔，之后在反射结构60上形成平坦层40，并在平坦层40上与第一、第二通孔相对应的位置上形成第三通孔，由于第一、第二以及第三通孔的位置重叠，从而形成了贯通平坦层40、反射结构60以及保护层30的贯通孔70。

当然，也可以根据平坦层40、反射结构60以及保护层30具体材料的种类，灵活调整上述的打孔工艺，例如可以将形成上述第一、第二以及第三通孔的工艺步骤精简为只形成两个通孔或直接形成上述的贯通孔70，具体不作限定。

在上述基础上，下面提供两个具体的实施例，用于详细描述上述的反射结构60。

实施例一

参考图2A或图2B所示，上述反射结构60包括主体部分601与反射层602；其中，主体部分601由平行设置的底面60a与顶面60b构成，连接底面60a与顶面60b的侧面60c为凹弧面或平面；底面60a的面积大于顶面60b的面积，底面60a与顶面60b为几何中心相重叠的矩形，且如图3A所示，矩形相邻的两边分别平行于显示面板的栅线23与数据线24；反射层602至少覆盖在主体部分601的一个侧面60c上。

需要说明的是，第一、当连接底面60a与顶面60b的侧面60c为凹弧面时，参考图2A所示，主体部分601的形状为类似于汽车灯罩的结构。由于侧面60c为凹弧面，通过合理地调节设置有反射层602的凹弧面的弧度(例如为5～30°，并进一步优选为15～20°)，可以使得从OLED器件50发出的光照射到凹弧面表面的反射层602后，斜向下直接从像素单元的中部并再次射出，减小了光线的反射程度，对光线强度的影响较小。

当连接底面60a与顶面60b的侧面60c为平面时，参考图2B所示，主体部分601的形状为棱台。通过合理地调节设置有反射层的侧面60c坡角(例如为5～30°，并进一步优选为15～20°)，可使照射到反射结构60表面的光线只经过较少次数的反射，如仅经过二次反射即可重新从像素中部射出，减少由于发生多次反射而对这部分光线强度产生削弱。

这里，由于反射结构60是一个立体的结构，而图2A与图2B仅为上述底发光型OLED显示面板01沿源漏相对方向上的剖面图，故在上述图中反射结构60的截面图形体现为侧面凹陷的类梯形或常规梯形。

第二、主体部分601靠近保护层30一侧的底面60a面积大于远离保护层30一侧的顶面60b面积，即侧面60c相对于底面60a都是一个向下凹陷的弧面或坡角，这样的设计有利于引导照射到反射结构60侧面的光线移向像素单元的中部并最终再次射出。

并且如图3A所示，底面60a与顶面60b为几何中心相重叠的矩形，且矩形相邻的两边分别平行于显示面板的栅线与数据线，这样设计的目的是为了使从一个像素单元的OLED器件50照射到反射结构60侧面的光线还从该像素单元的中部射出，避免光线发生串扰，影响显示品质。

在上述图3A中，为了清楚地示意出反射结构60的俯视结构，被反射结构60覆盖的驱动晶体管20以虚线示意出。

第三、反射层602主要由反射率较强的银、锌、铝、铜、锰、锗、钇、铋、钪等金属单质和/或金属合金构成。由于反射层602厚度过大对光线的反射率也不会显著增加，厚度过小会产生薄膜覆盖不均的问题，因此反射层602的厚度优选为20～500nm。

进一步的，若反射层602设置在主体部分的四个侧面60c上，则顶面60b与底面60a为正方形，可使设置有反射层602的四个侧面60c与底面60a的凹弧面的弧度或夹角均相同，使得反射结构60整体对光线反射地更为均匀。

第四、主体部分601可以由感光树脂材料构成，可通过曝光、显影工艺去除，不需要额外的湿法或干法刻蚀工艺，制备工艺简单，且树脂材料形成的立体结构质量较小，对底发光型OLED显示面板整体质量增加较小，不会影响目前轻薄化显示面板的发展需要。

这里，主体部分601的厚度例如为1～10μm，这一厚度即顶面60b与底面60a的间距，可使反射结构60具有较大面积的侧面60c，这样以来当反射层602至少覆盖在主体部分601的一个侧面60c上时，可对照射到其表面的OLED器件50发出的光进行充分的反射，以尽可能提高OLED器件50的出光率。

考虑到连接透明阳极501与漏极的贯通孔70要贯通平坦层40、反射结构60以及保护层30，而反射结构60中的反射层602部分为金属构成，若使得贯通孔70贯通反射层602则有可能增加形成贯通孔70的刻蚀工艺次数，因此，优选的，贯通孔70通过主体部分601的顶面60b贯通反射结构60。

实施例二

参考图2C所示，上述反射结构60包括主体部分601与反射层602；其中，沿垂直于上述底发光型OLED显示面板01的板面方向，主体部分601的截面图形为圆弧形，圆弧形的弧为半圆或劣弧；且如图3B所示，反射层602至少覆盖在圆弧形的一半弧面60d上，一半弧面60d以平行于上述底发光型OLED显示面板01的栅线23或数据线24方向为分割线(图中以a-a'虚线示意出)。

需要说明的是，第一、当反射层602仅覆盖在圆弧形的一半弧面60d上，且这一半弧面60d是以平行于上述底发光型OLED显示面板01的栅线或数据线方向为分割线时，可使从一个像素单元的OLED器件50照射到反射结构60侧面的光线还从该像素单元的中部射出，避免光线发生串扰，影响显示品质。

这里，为了清楚地示意出反射结构60的俯视结构，在上述图3B中，被反射结构60覆盖的驱动晶体管20以虚线示意出。

第二、在上述反射结构60中，若圆弧形的弧为劣弧，则沿劣弧端点的切线与圆弧形靠近保护层30一侧的底边60a之间的夹角为5～30°，并进一步优选为15～20°。这一夹角范围可使在劣弧表面设置的反射层602对光线反射的效率较为适宜，并尽可能地使照射到反射结构60表面的光线只经过较少次数的反射，如仅经过二次反射即可重新从像素中部射出，减小对这部分反射光线的光线强度的削弱。

第三、考虑到连接透明阳极501与驱动晶体管20的漏极的贯通孔70要通平坦层40、反射结构60以及保护层30，而反射结构60中的反射层602部分为金属构成，若使得贯通孔70贯通反射层602则有可能增加形成贯通孔70的刻蚀工艺次数，因此，优选的，反射层602仅覆盖在圆弧形的一半弧面上，贯通孔70通过未被反射层602覆盖的另一半弧面贯通反射结构60，即在形成贯通孔70时不需要通过金属的反射层602部分，减低形成贯通孔70的难度。

此外，主体部分601与反射层602的具体材料和厚度参数可参见上述实施例一，在此不作赘述。

下面提供一个形成上述底发光型OLED显示面板01的具体制备过程，其中形成的反射结构60的形状仅以图2B中所示的棱台形为例。

S1、如图4所示，在形成有多个驱动晶体管20的基板10(即通常所说的TFT基板，TFT为薄膜晶体管英文“Thin Film Transistor”缩写)上方沉积保护层30。并通过构图工艺，在对应于驱动晶体管20的漏极上方位置形成第一通孔(图中标记为a)，以露出漏极。

其中，上述步骤S1以及后续步骤中涉及的构图工艺是指应用一次掩模板，通过光刻胶曝光、显影、(湿法或干法)刻蚀、去除光刻胶的工艺。

S2、如图5所示，在保护层30上方与驱动晶体管20一一对应的位置沉积棱台形的反射结构60的主体部分601，并通过构图工艺在棱台的顶面60b上形成与第一通孔a位置重叠的第二通孔(图中标记为b)。

其中，主体部分601的底面60a的面积要大于驱动晶体管20所在的区域的面积，用来保护驱动晶体管20不受OLED器件光的辐射。

S3、如图6所示，在主体部分601表面沉积金属铝的膜层，并通过构图工艺去除主体部分601顶面60b上的金属部分，以形成位于棱台侧面60c的反射层602，并露出贯通主体部分601的第二通孔b和第一通孔a。

S4、如图7所示，在形成的反射结构60上方沉积平坦层40，并通过构图工艺在平坦层40上形成与第一、第二通孔位置重叠的第三通孔(图中标记为c)，以形成贯通平坦层40、反射结构60以及保护层30的贯通孔70。

S5、如图8所示，在平坦层40上沉积对应于各个OLED器件的透明阳极501，透明阳极501通过前述形成的贯通孔70与驱动晶体管20的漏极相连。

S6、如图9所示，在形成有透明阳极501的基板10上通过成膜、曝光、显影、干燥等工艺形成具有开口的像素界定层80，用来定义像素的发光面积。其高度优选为1～5μm。

S7、参考图2A所示，在像素界定层80的开口部分801通过蒸镀或打印等成膜工艺形成有机材料功能层502(具体可依次包括空穴传输层、发光层以及电子传输层等)，以及覆盖整个基板10的金属阴极503。

这样一来，通过上述步骤S1至S7即可形成本发明实施例提供的上述底发光型OLED显示面板01。

需要说明的是，本发明所有附图是上述的底发光型OLED显示面板简略的示意图，只为清楚描述本方案体现了与发明点相关的结构，对于其他的与发明点无关的结构是现有结构，在附图中并未体现或只体现部分。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种底发光型OLED显示面板，所述底发光型OLED显示面板包括：设置在基板上呈阵列排布的多个驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的保护层、位于所述保护层上方的平坦层以及位于所述平坦层上方的OLED器件；其特征在于，所述底发光型OLED显示面板还包括：

设置在所述保护层与所述平坦层之间且与所述驱动晶体管对应的反射结构，所述反射结构用于反射所述OLED器件发光时照射到所述反射结构上的光线；

其中，所述反射结构靠近所述保护层一侧的底面至少覆盖所述驱动晶体管所在的区域；

所述反射结构包括主体部分与反射层；

其中，所述主体部分由平行设置的底面与顶面构成，连接所述底面与所述顶面的侧面为凹弧面或平面；

所述底面的面积大于所述顶面的面积，所述底面与所述顶面为几何中心相重叠的矩形，且矩形相邻的两边分别平行于所述底发光型OLED显示面板的栅线与数据线；

所述反射层至少覆盖在所述主体部分的一个侧面上；

或者，

沿垂直于所述底发光型OLED显示面板的板面方向，所述主体部分的截面图形为圆弧形，所述圆弧形的弧为半圆或劣弧；

所述反射层至少覆盖在所述圆弧形的一半弧面上，所述一半弧面以平行于所述底发光型OLED显示面板的栅线或数据线方向为分割线。

2.根据权利要求1所述的底发光型OLED显示面板，其特征在于，若所述反射层设置在所述主体部分的四个侧面上，则所述顶面与所述底面均为正方形。

3.根据权利要求1所述的底发光型OLED显示面板，其特征在于，

若所述主体部分的侧面为凹弧面，则覆盖有所述反射层的凹弧面的弧度为5～30°；

若所述主体部分的侧面为平面，则覆盖有所述反射层的平面与所述底面的夹角为5～30°；

若所述主体部分的截面图形为圆弧形，且所述圆弧形的弧为劣弧，则沿所述劣弧端点的切线与所述圆弧形靠近所述保护层一侧的底边之间的夹角为5～30°。

4.根据权利要求1所述的底发光型OLED显示面板，其特征在于，

所述OLED器件包括依次远离所述基板的透明阳极、有机材料功能层以及金属阴极；

所述透明阳极通过贯通所述平坦层、所述反射结构以及所述保护层的贯通孔与所述驱动晶体管的漏极相连。

5.根据权利要求4所述的底发光型OLED显示面板，其特征在于，

所述贯通孔通过所述主体部分的顶面贯通所述反射结构；

或者，所述贯通孔通过未被所述反射层覆盖的另一半弧面贯通所述反射结构。

6.根据权利要求2至5任一项所述的底发光型OLED显示面板，其特征在于，所述反射层主要由金属单质和/或金属合金构成；

其中，金属元素包括银、锌、铝、铜、锰、锗、钇、铋、钪以及钴中的任一种。

7.根据权利要求2至5任一项所述的底发光型OLED显示面板，其特征在于，所述反射层的厚度为20～500nm。

8.根据权利要求2至5任一项所述的底发光型OLED显示面板，其特征在于，所述主体部分主要由感光树脂材料构成。

9.根据权利要求2至5任一项所述的底发光型OLED显示面板，其特征在于，所述主体部分的厚度为1～10μm。