JP2009036948A - 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents

Abstract

【課題】層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してトランジスタ素子に画素電極を接続した構造を採用した際、コンタクトホールに起因する不具合の発生を防止可能な有機ＥＬ装置の製造方法、および有機ＥＬ装置を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００の基板１０ｂ上には、薄膜トランジスタ３０と、層間絶縁膜４、６と、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａを介して薄膜トランジスタ３０に電気的に接続された画素電極７ａと、発光領域１１を規定するための開口部を備えた絶縁性の隔壁層８ａと、有機機能層２０と、対極層１２とが積層されている。コンタクトホール６ａは、画素電極７ａの上層側に形成されたホール内絶縁膜８ｂにより埋められている。ホール内絶縁膜８ｂは、隔壁層８ａと同時形成された絶縁膜であり、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状物を塗布後、焼成させてなる。
【選択図】図２

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）装置の製造方法、および有機ＥＬ装置に関するものである。

各種の発光装置のうち、有機ＥＬ装置は、自発光素子として有機ＥＬ素子を備えており、かかる有機ＥＬ素子は、発光層を含む有機機能層が有機薄膜からなる。かかる有機薄膜を形成するにあたっては、有機材料が低分子材料の場合には蒸着法や液相法が用いられ、有機材料が高分子材料の場合には液相法が用いられる。有機薄膜を液相法で形成する例としては、例えば、印刷法、印刷法と他の成膜法を組み合わせた方法、インクジェット塗布法が提案されている（特許文献１、２、３参照）。

これらのいずれの方法を採用する場合も、液相法により有機薄膜を形成する場合、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極７ａの上層には、発光領域１１を規定するための開口部を備えた隔壁層８ｓ、８ｗが形成される。また、薄膜トランジスタ３０を介して有機ＥＬ素子１０を駆動する場合、層間絶縁膜６のコンタクトホール６ａを介して画素電極７ａを薄膜トランジスタ３０に電気的に接続する。従って、有機ＥＬ装置は、基板１０ｂ上に、薄膜トランジスタ３０、層間絶縁膜４、６、画素電極７ａ、隔壁層８ｓ、８ｗ、有機機能層２０、および対極層１２がこの順に形成された構造を有している。有機機能層２０には、正孔注入層および発光層が含まれ、層間絶縁膜６は、アクリル樹脂などといった感光性樹脂からなる平坦化膜である。

なお、図９（ａ）、（ｂ）に示す例は、本願発明と対比するために本願発明者が案出したものであり、これらの図面のうち、図９（ａ）には、有機機能層２０を、フレキソ印刷法、スピンコート法、インクジェット法、スリットコート法、ダイコート法などの塗布法で形成する場合に採用される構造を示してあり、隔壁層８ｓは、シリコン酸化膜などの無機絶縁膜により形成され、有機機能層２０は、隔壁層８ｓで囲まれた領域および隔壁層８ｓの表面の双方に形成されている。また、図９（ｂ）には、有機機能層２０をインクジェット法で形成する場合に採用される構造を示してあり、隔壁層８ｗは、シリコン酸化膜などといった無機絶縁膜からなる親水性の下層側隔壁層８ｘと、アクリル樹脂などといった感光性樹脂からなる撥水性の上層側隔壁層８ｙとが積層された構造を有している。かかる構造の場合、有機機能層２０は、隔壁層８ｗで囲まれた領域内に選択的に形成されている。
特開２００５−３１０４０４号公報 特開２００１−１５５８５８号公報 特開２０００−３５３５９４号公報

しかしながら、図９（ａ）、（ｂ）に示す有機ＥＬ装置では、コンタクトホール６ａに起因する以下の問題点がある。

まず、図９（ａ）に示す有機ＥＬ装置では、有機機能層２０を塗布法で形成するため、液状組成物を均一に塗布するには隔壁層８ｓの厚さを２００ｎｍ以下にまで薄くして段差を小さくすることが好ましいが、隔壁層８ｓを薄くすると、コンタクトホール６ａの開口縁や底部では、隔壁層８ｓにピンホールなどの膜欠陥が発生しやすくなる。かかるピンホールが発生すると、有機機能層２０がピンホールを介して画素電極７ａと短絡し、発光領域１１以外でも発光してしまうという問題点がある。また、コンタクトホール６ａに起因する凹凸が原因でコンタクトホール６ａの開口縁が隔壁層８ｓや有機機能層２０で覆われず、画素電極７ａが露出していると、対極層１２が画素電極７ａと短絡し、有機ＥＬ素子１０が発光しないという問題点がある。さらに、対極層１２をストライプ状に形成した場合や、対極層１２の電気的抵抗を低減するための補助配線を設けた場合、コンタクトホール６ａに起因する凹凸が原因で対極層１２や補助配線に段差切れが発生すると、対極層１２の電気的抵抗が増大し、輝度低下などの発光不良が発生するという問題点がある。

また、図９（ｂ）に示す有機ＥＬ装置では、コンタクトホール６ａに起因する凹凸が原因で感光性樹脂からなる撥水性の上層側隔壁層８ｙが均一に積層されず、隔壁層８ｗの形状が不均一になってしまうという問題点がある。

このような問題は、層間絶縁膜６を感光性樹脂からなる平坦化膜として形成した場合には、コンタクトホール６ａのアスペクト比が大きい分、コンタクトホール６ａの内部および開口縁での薄膜の被覆性の低下や、コンタクトホール６ａに起因する凹凸が大きくなるので、表面化しやすい。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してトランジスタ素子に画素電極を接続した構造を採用した際、コンタクトホールに起因する不具合の発生を防止可能な有機ＥＬ装置の製造方法、および有機ＥＬ装置を提供することにある。

次に、本発明の課題は、有機機能層を塗布法で形成するにあたって隔壁層を薄膜化した場合に特に、コンタクトホールに起因する短絡や断線などの不具合の発生を可能な有機ＥＬ装置の製造方法、および有機ＥＬ装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、少なくとも、トランジスタ素子と、該トランジスタ素子を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記トランジスタ素子に電気的に接続する画素電極と、発光領域を規定するための開口部を備えた絶縁性の隔壁層と、発光層を含む有機機能層と、対極層とを基板上に順に備えた有機ＥＬ装置の製造方法において、前記画素電極の形成工程の後、前記有機機能層の形成工程の前に、前記コンタクトホール内をホール内絶縁膜により埋めておくことを特徴とする。

かかる方法で製造した有機ＥＬ装置は、少なくとも、トランジスタ素子と、該トランジスタ素子を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記トランジスタ素子に電気的に接続する画素電極と、発光領域を規定するための開口部を備えた絶縁性の隔壁層と、発光層を含む有機機能層と、対極層とが基板上に順に形成され、前記コンタクトホールは、該コンタクトホール内で前記画素電極の上層側に形成されたホール内絶縁膜により埋められていることを特徴とする。

本発明では、画素電極を形成した後も、コンタクトホールの内部には大きな凹部が形成されているが、有機機能層や対極層を形成する際、コンタクトホールは、厚いホール内絶縁膜ですでに埋められている。このため、層間絶縁膜が厚くてコンタクトホールのアスペクト比が大きい場合でも、コンタクトホールの底部や開口縁で薄膜の被覆性が低いことに起因する有機機能層と画素電極との短絡や、対極層と画素電極との短絡などといった問題を回避することができる。また、コンタクトホールに起因する凹凸によって対極層が断線するなどといった問題も回避することができる。

本発明において、前記ホール内絶縁膜を形成するにあたっては、少なくとも前記コンタクトホールを埋めるように絶縁膜形成用の液状材料を塗布した後、固化させることが好ましい。このような液状材料としては、感光性樹脂や、ポリシラザンの液状物などの塗布型酸化膜を挙げることができ、かかる液状材料によれば、コンタクトホールを容易に埋めることができる。

本発明において、前記ホール内絶縁膜の形成工程では、前記コンタクトホールの外側でも前記液状材料を塗布した後、固化させて、前記隔壁層の少なくとも一層と前記ホール内絶縁膜とを同時形成することが好ましい。すなわち、本発明に係る有機ＥＬ装置において、前記ホール内絶縁膜と前記隔壁層の少なくとも一層とは、前記コンタクトホールの内部および外部に塗布した前記液状材料を固化させることにより、同時形成されてなることが好ましい。このように構成すると、隔壁層の少なくとも一部を形成する工程を利用してホール内絶縁膜を形成することができるので、製造工程数の増大を避けることができる。

本発明において、前記隔壁層の形成工程の前あるいは後に、前記コンタクトホール内に塗布した前記液状材料を固化させて前記ホール内絶縁膜を前記隔壁層と別工程で形成してもよい。すなわち、本発明に係る有機ＥＬ装置において、前記ホール内絶縁膜は、前記隔壁層とは別に、前記コンタクトホール内で、前記隔壁層の上層、あるいは前記画素電極の上層に塗布した前記液状材料を固化させてなる構成を採用してもよい。このように構成すれば、ホール内絶縁膜と隔壁層とを別の絶縁材料で形成することができる。例えば、隔壁層についてはＣＶＤ法などにより薄く形成できるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリコン酸窒化膜などのシリコン系絶縁膜を用いる一方、ホール内絶縁膜については、コンタクトホール内を埋めるのに適した液状材料、例えば、感光性樹脂や、ポリシラザンの液状物などの塗布型酸化膜を用いて形成することができる。

本発明において、前記有機機能層の形成工程では、例えば、有機機能層を形成するための液状組成物を前記隔壁層で囲まれた領域内および前記隔壁層の表面の双方に対して前記塗布する構成を採用する。より具体的には、有機機能層を形成する際、フレキソ印刷法、スピンコート法、インクジェット法（液滴吐出法）、スリットコート法（カーテンコート法）、ダイコート法などの塗布方法を採用する。かかる方法で製造した有機ＥＬ装置では、前記有機機能層が、前記隔壁層で囲まれた領域内および前記隔壁層の表面の双方に対して形成されている。ここで、前記隔壁層は、厚さが２００ｎｍ以下であることが好ましい。このような膜厚に設定すると、隔壁層が形成されている領域と、隔壁層が形成されていない領域との境界部分に発生する段差を低くできるので、液状組成物を均一に塗布することができ、有機機能層の膜厚ばらつきを抑えることができる。

本発明において、前記有機機能層の形成工程では、前記有機機能層を形成するための液状組成物を前記隔壁層で囲まれた領域内に選択的に塗布する構成を採用してもよい。より具体的には、有機機能層を形成する際、インクジェット法を採用する。かかる方法で製造した有機ＥＬ装置では、前記有機機能層が、前記隔壁層で囲まれた領域内に選択的に形成されている。

本発明は、前記層間絶縁膜が感光性樹脂層を含んでいる場合に適用すると効果的である。層間絶縁膜が感光性樹脂層を含んでいる場合、その上層側を平坦化できるという利点がある一方、コンタクトホールのアスペクト比が大きくなるが、本発明によれば、コンタクトホールに起因する不具合の発生を確実に防止することができる。本発明において、コンタクトホールのアスペクト比が０．５以上である場合に適用すると、効果が顕著である。アスペクト比が大きいほど、コンタクトホールに起因する不具合が発生しやすいが、本発明によれば、かかる不具合の発生を確実に防止することができる。

本発明を適用した有機ＥＬ装置は、表示装置や面光源、さらには、複写機などといった画像記録装置に用いる露光ヘッドとして用いることができる。

以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明では、対応関係を分りやすくするため、図９を参照して説明した部分と共通する部分には同一の符号を付して説明する。なお、以下の説明では、有機ＥＬ装置の基本的な構成を説明した後、各実施の形態を説明する。

また、以下に説明する実施の形態のうち、実施の形態１、２では、フレキソ印刷法、スピンコート法、インクジェット法、スリットコート法（カーテンコート法）、ダイコート法などの塗布法を用いて、隔壁層で囲まれた発光領域に限らず、隔壁層の表面も含めた広い領域にわたって有機機能層を形成する例を説明し、実施の形態３では、インクジェット法を用いて隔壁層で囲まれた発光領域に有機機能層を選択的に形成する例を説明する。

［基本的な構成］
図１は、本発明が適用される有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示す有機ＥＬ装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１および信号線１０２の各交点付近に、後述する画素領域１００ａが設けられている。信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続され、走査線１０１には、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。画素領域１００ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１３０と、保持容量１３０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ３０と、この薄膜トランジスタ３０を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極７ａ（陽極層）と、この画素電極７ａと対極層１２（陰極層）との間に挟まれた有機機能層２０とが設けられている。ここで、画素電極７ａ、有機機能層２０および対極層１２は、有機ＥＬ素子１０を構成している。

かかる構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１３０に保持され、該保持容量１３０に状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ３０のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ３０のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１に電流が流れ、さらに有機機能層２０を介して対極層１２に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子２は、これを流れる電流量に応じて発光する。

ここで、有機ＥＬ装置１が表示装置として用いられる場合、複数の画素領域１００ａがマトリクス状に配置される一方、有機ＥＬ装置１が画像記録装置の露光ヘッドとして用いられる場合、複数の画素領域１００ａが1列乃至３列に配置される。

［実施の形態１］
（全体構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の断面図であり、複数の画素の一部の断面のみを示してある。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００では、基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜（図示せず）が形成されているとともに、その表面側には薄膜トランジスタ３０が形成されている。薄膜トランジスタ３０は、島状の半導体膜１ａに対して、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域が形成された構造を備えている。半導体膜１ａは、素子基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜である。なお、基板１０ｂには図１を参照して説明した薄膜トランジスタ１１２や保持容量１３０も形成されているが、本発明と直接には関係しないので、それらの図示および説明を省略する。

半導体膜１ａの上層には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、ゲート絶縁膜２の上層には、ゲート電極３ａが形成されている。

ゲート電極３ａの上層にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜４が形成されている。層間絶縁膜４の表面にはドレイン電極５ａが形成され、このドレイン電極５ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール（図示せず）を介してドレイン領域に電気的に接続している。層間絶縁膜４の表面にはソース電極５ｂが形成されており、ソース電極５ｂは、ドレイン電極５ａと同時形成された導電膜であり、コンタクトホール４ｂを介して薄膜トランジスタ３０のソース領域に電気的に接続されている。なお、本形態では、半導体膜１ａがコの字形状に屈曲しおり、ゲート電極がチャネル方向における２箇所に形成されたツインゲート構造を有している。このため、ドレイン電極５ａと半導体膜１ａのドレイン領域とは図２に表せない領域に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続している。また、本形態では、薄膜トランジスタ３０がＮチャネル型であるが、薄膜トランジスタ３０がＰチャネル型である場合、ソースとドレインとの関係は反対となる。

ドレイン電極５ａおよびソース電極５ｂの上層側には、層間絶縁膜６が形成されている。本形態において、層間絶縁膜６は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。

層間絶縁膜６の表面には、厚さが３０〜５０ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極７ａが島状に形成されている。画素電極７ａは、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａを介してソース電極５ｂに電気的に接続し、ソース電極５ｂは、層間絶縁膜４およびゲート絶縁膜２に形成されたコンタクトホール４ｂを介してソース領域に電気的に接続している。ここで、コンタクトホール６ａのアスペクト比は０．５以上であり、本形態では、かかるコンタクトホール６ａを介して、画素電極７ａと薄膜トランジスタ３０とが電気的に接続されている。

本形態では、画素電極７ａの上層には、発光領域１１を規定するための開口部を備えた隔壁層８ａが形成されている。画素電極７ａの上層には、厚さが数１０〜１００ｎｍの有機機能層２０が形成され、有機機能層２０の上層には対極層１２が形成されている。本形態において、有機機能層２０は、フレキソ印刷法、スピンコート法、インクジェット法、スリットコート法、ダイコート法などの塗布法により形成されるため、有機機能層２０は、隔壁層８ａで囲まれた発光領域１１だけでなく、隔壁層８ａの表面も含めた広い領域にわたって形成されているが、有機ＥＬ素子１０は、画素電極７ａと、有機機能層２０のうち、隔壁層８ａの開口部に形成された部分と、対極層１２とによって形成されている。有機機能層２０は、例えば、画素電極７ａの上層に形成された正孔注入層（電荷輸送層）と発光層とからなる。また、有機機能層２０と対極層１２との層間にはＬｉＦなどからなる電子注入層が形成されることもある。なお、対極層１２の表面側には、封止樹脂、封止基板、封止缶などにより封止部が構成されるが、本発明と直接的な関係がないので、その図示を省略してある。

トップエミッション型の有機ＥＬ装置１００の場合、基板１０ｂからみて発光素子１００ａが形成されている側から光を取り出すので、対極層１２は、薄いアルミニウム膜や、マグネシウムやリチウムなどの薄い膜をつけて仕事関数を調整したＩＴＯ膜などといった透光性電極として形成される一方、基板１０ｂとしては、ガラスなどの透明基板の他、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどの金属板に表面酸化などの絶縁処理を施したもの、樹脂基板などが挙げられる。これに対して、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１００の場合、基板１０ｂの側から光を取り出すので、基板１０ｂとしては、ガラスなどの透明基板が用いられ、画素電極７ａは、ＩＴＯ等の透光性導電材料により形成される。なお、透光性導電材料としては、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いることもできる。

（コンタクトホール６ａ内部および周辺の構成）
このように本形態では、基板１０ｂ上には、薄膜トランジスタ３０と、薄膜トランジスタ３０を覆う層間絶縁膜４、６、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａを介して薄膜トランジスタ３０に電気的に接続する画素電極７ａ、発光領域１１を規定するための開口部を備えた絶縁性の隔壁層８ａ、発光層を含む有機機能層２０、および対極層１２が基板１０ｂ上に順に形成され、有機機能層２０は、隔壁層８で囲まれた領域内、および隔壁層８の表面の双方に形成されている。

このように構成した有機ＥＬ装置１において、本形態では、コンタクトホール６ａが、コンタクトホール６ａ内で画素電極７ａの上層側に形成されたホール内絶縁膜８ｂにより埋められている。かかるホール内絶縁膜８ｂは、隔壁層８ａと同時形成された絶縁膜である。すなわち、素子基板１０では、コンタクトホール８ａの内部および外部に塗布した絶縁膜形成用の液状材料を固化させてなる絶縁膜が形成されており、かかる絶縁膜のうち、コンタクトホール６ａの内部を埋める部分によって厚いホール内絶縁膜８ｂが構成され、コンタクトホール６ａの外側で画素電極７ａと共通電極９ａとの層間に形成されている部分によって、厚さが２００ｎｍ以下の薄い隔壁層８ａが構成されている。本形態では、絶縁膜形成用の液状材料として、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状物が用いられ、かかる液状材料は、後述するように、塗布後、焼成すると、シリコン酸化膜に転化する。それ故、隔壁層８ａおよびホール内絶縁膜８ｂはいずれもシリコン酸化膜からなる。

（製造方法）
図３は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図である。本形態の有機ＥＬ装置１００を製造するには、基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成した後、薄膜トランジタ形成工程を行う。具体的には、まず、ポリシリコン膜からなる半導体膜１ａを島状に形成する。それには、基板温度が１５０〜４５０℃の温度条件下で、基板１０ｂの全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜をプラズマＣＶＤ法により、例えば、４０〜５０ｎｍの厚さに形成した後、レーザアニール法などにより、シリコン膜を多結晶化させ、次に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、半導体膜１ａを形成する。次に、ＣＶＤ法などを用いて、半導体膜１ａの表面にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。次に、基板１０ｂの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、ゲート電極３ａを形成する。次に、半導体膜１ａに不純物を導入して、ソース領域やドレイン領域などを形成する。

次に、第１層間絶縁膜形成工程では、ＣＶＤ法などを用いて、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜４を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、層間絶縁膜４にコンタクトホール４ｂを形成する。

次に、ソース電極形成工程では、基板１０ｂの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、あるいはそれらの積層膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、ドレイン電極５ａおよびソース電極５ｂを形成する。

次に、第２層間絶縁膜形成工程では、アクリル樹脂などの感光性樹脂を塗布した後、露光、現像し、図３（ａ）に示すように、コンタクトホール６ａを備えた層間絶縁膜６（平坦化膜）を１．５〜２．０μｍの厚さに形成する。コンタクトホール６ａのアスペクト比は０．５以上である。

次に、画素電極形成工程では、基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、厚さが３０〜５０ｎｍの画素電極７ａを形成する。その結果、画素電極７ａはコンタクトホール６ａの内部でソース電極５ｂに電気的に接続する。この状態で、コンタクトホール６ａの内部には大きな凹部が形成されている。

次に、隔壁層形成工程では、スピンコート法などを用いて、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状材料を塗布した後、焼成してシリコン酸化膜を形成し、しかる後に、図３（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜をパターニングし、隔壁層８ａおよびホール内絶縁膜８ｂを形成する。ポリシラザンは、Ｓｉ−Ｈ結合、Ｎ−Ｈ結合、Ｓｉ−Ｎ結合のみを備えた無機ポリマーであり、キシレン、ミネラルターペン、高沸点芳香族系溶剤を溶媒として溶解、分散させた液状物として塗布した後、大気中で温度が３５０〜５００℃程度の条件、あるいは水蒸気含有雰囲気中で温度が１００℃程度の条件で焼成すると、水分や酸素と反応し、緻密なアモルファスのシリコン酸化膜に転化する。本形態では、かかるシリコン酸化膜のうち、コンタクトホール８ａの内部を埋める部分によってホール内絶縁膜８ｂが形成され、コンタクトホール６ａの外側で画素電極７ａを被う部分によって、膜厚が２００ｎｍ以下の隔壁層８ａが形成される。その結果、コンタクトホール６ａの内部に形成されていた凹部は、ホール内絶縁膜８ｂで埋められる。

次に、有機機能層形成工程を行なう。本形態では、有機機能層２０が正孔注入層と発光層とから構成されているため、正孔注入層形成工程と発光層形成工程を行なうが、本形態では、正孔注入層形成工程および発光層形成工程のいずれにおいても、フレキソ印刷法、スピンコート法、インクジェット法、スリットコート法、ダイコート法などの塗布法を行ない、図３（ｃ）に示すように、隔壁層８ａで囲まれた発光領域１１だけでなく、隔壁層８ａの表面も含めた広い領域にわたって有機機能層２０を形成する。

具体的には、正孔注入層形成工程では、正孔注入層形成材料を含む液状組成物を基板１０ｂの略全面に塗布した後、液状組成物に含まれる溶媒を蒸発させ、正孔注入層を定着させる。かかる液状組成物としては、ポリオレフィン誘導体である３、４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）や、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１、１−ビス−（４−Ｎ、Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン等の正孔注入輸送層形成材料を極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノンおよびその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。

また、発光層形成工程では、発光層形成材料を含む液状組成物を基板１０ｂの略全面に塗布した後、液状組成物に含まれる溶媒を蒸発させ、発光層を定着させる。かかる液状組成物としては、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９、１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした発光層形成材料を非極性溶媒に配合したものを用いる。発光層形成材料としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、例えば特開平１１−４０３５８号公報に示される有機ＥＬ素子用組成物、すなわち共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる有機ＥＬ素子用組成物も、発光層形成材料として使用可能である。また、非極性溶媒としては、正孔注入層に対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。このような非極性溶媒を発光層形成用の液状組成物に用いることにより、正孔注入層を再溶解させることなく発光層形成用の液状組成物を塗布できる。

このようにして、正孔注入層および発光層からなる有機機能層２０を形成した後は、図２に示すように、有機機能層２０の上層に対極層１２を形成する。その結果、画素電極７ａ、有機機能層２０のうち、隔壁層８ａの開口部に形成された部分、および対極層１２によって、有機ＥＬ素子１０が形成される。

（本形態の主な効果）
本形態では、図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、画素電極７ａを形成した後も、コンタクトホール６ａの内部には大きな凹部が形成されているが、有機機能層２０を形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ｂですでに埋められている。従って、有機機能層２０を塗布法で形成するにあたって、隔壁層８ａの厚さを２００ｎｍ以下にまで薄くして、隔壁層８ａが形成されている領域と隔壁層８ａが形成されていない領域との境界に形成される段差を小さくして、有機機能層２０の膜厚の均一化を図った場合でも、コンタクトホール６ａの底部や開口縁では隔壁層８ａにピンホールなどの膜欠陥がないので、画素電極７ａと有機機能層２０とが発光領域１１以外の箇所で短絡することがなく、発光領域１１以外で発光するということがない。

また、有機機能層２０を形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ｂですでに埋められているので、コンタクトホール６ａに起因する凹凸が原因でコンタクトホール６ａの開口縁に隔壁層８ａや有機機能層２０が形成さなれない、又は不均一に形成されるという事態が発生しないので、対極層１２が画素電極７ａと短絡するおそれもない。

さらに、対極層１２をストライプ状に形成した場合や、対極層１２の電気的抵抗を低減するための補助配線を設けた場合、コンタクトホール６ａに起因する凹凸が原因で対極層１２や補助配線に段差切れが発生するという事態が発生することもないので、対極層１２の電気的抵抗が不用意に増大することもない。

それ故、本形態によれば、有機ＥＬ装置１００の信頼性および発光特性の向上を図ることができる。また、層間絶縁膜６が厚くてコンタクトホール６ａのアスペクト比が０．５以上であっても、コンタクトホール６ａの内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止できるので、層間絶縁膜６として感光性樹脂からなる平坦膜を用いることができる。

また、隔壁層８ａおよびホール内絶縁膜８ｂを形成するにあたっては、絶縁膜形成用の液状材料を塗布した後、固化させるため、コンタクトホール６ａを容易かつ確実に埋めることができる。しかも、隔壁層８ａを形成する工程を利用してホール内絶縁膜８ｂを形成したので、製造工程数の増大を避けることができる。

しかも、画素電極７ａを形成した状態で、コンタクトホール６ａの内部に凹部が残っていてもよいので、画素電極７ａを構成するＩＴＯ膜の厚さは３０〜５０ｎｍでよく、ＩＴＯ膜でコンタクトホールを埋める必要がない。それ故、ＩＴＯ膜を過剰に厚くしなくてもよい。

［実施の形態１の変形例］
実施の形態１では、隔壁層８ａおよびホール内絶縁膜８ｂを同時形成するにあたって、ポリシラザンを用いたが、隔壁層８ａおよびホール内絶縁膜８ｂをその他の塗布型酸化膜、及びアクリル樹脂やポリイミド樹脂などといった感光性樹脂により同時形成してもよい。

［実施の形態２］
（コンタクトホール６ａ内部および周辺の構成）
図４は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置１００の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらを図示することにして、それらの説明を省略する。

図４に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００も、実施の形態１と同様、基板１０ｂ上には、薄膜トランジスタ３０と、薄膜トランジスタ３０を覆う層間絶縁膜４、６、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａを介して薄膜トランジスタ３０に電気的に接続する厚さが３０〜５０ｎｍの画素電極７ａ、発光領域１１を規定するための開口部を備えた絶縁性の隔壁層８ａ、発光層を含む有機機能層２０、および対極層１２が基板１０ｂ上に順に形成され、有機機能層２０は、隔壁層８で囲まれた領域内、および隔壁層８の表面の双方に形成されている。

また、コンタクトホール６ａは、コンタクトホール６ａ内で画素電極７ａの上層側に形成されたホール内絶縁膜８ｅにより埋められている。かかるホール内絶縁膜８ｅは、後述するように、隔壁層８ａと別工程で形成された絶縁膜であり、隔壁層８ａの上層側に形成されている。すなわち、隔壁層８ａは、ＣＶＤ法により薄く形成したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリコン酸窒化膜などのシリコン系絶縁膜であるのに対して、ホール内絶縁膜８ｅは、隔壁層８ａを形成した後、コンタクトホール６ａ内で、隔壁層８ａの上層で液状材料を固化させてなる絶縁膜である。絶縁膜形成用の液状材料として、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状物を用いることができる他、その他の塗布型酸化膜、及びアクリル樹脂やポリイミド樹脂などといった感光性樹脂を用いることができる。本形態では、絶縁膜形成用の液状材料として、感光性樹脂が用いられている。かかる感光性樹脂であれば、塗布、露光、現像により所定の箇所に絶縁膜を選択的に形成するのに適している。

（製造方法）
図５は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。本形態の有機ＥＬ装置１００を製造するにあたっては、実施の形態１と同様、図５（ａ）に示すように、薄膜トランジスタ形成工程、第１層間絶縁膜形成工程、ソース電極形成工程を行なった後、第２層間絶縁膜形成工程において、コンタクトホール６ａを備えた層間絶縁膜６（平坦化膜）を１．５〜２．０μｍの厚さに形成する。次に、画素電極形成工程では、基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、厚さが３０〜５０ｎｍの画素電極７ａを形成する。この状態で、コンタクトホール６ａの内部には大きな凹部が形成されている。

次に、隔壁層形成工程では、ＣＶＤ法などを用いて、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのシリコン系絶縁膜を形成した後、図５（ｂ）に示すように、シリコン系絶縁膜をパターニングし、膜厚が２００ｎｍ以下の隔壁層８ａを形成する。この状態でも、コンタクトホール６ａの内部には大きな凹部が形成されている。

次に、ホール内絶縁膜形成工程では、スピンコート法などを用いて、隔壁層８ａの上層に感光性樹脂を塗布した後、露光、現像し、図５（ｃ）に示すように、コンタクトホール６ａを埋めるようにホール内絶縁膜８ｅを形成する。

次に、有機機能層形成工程では、図５（ｄ）に示すように、フレキソ印刷法、スピンコート法、インクジェット法、スリットコート法、ダイコート法などの塗布法を用いて、正孔注入層および発光層を備えた有機機能層２０を形成する。しかる後には、図４に示すように、有機機能層２０の上層に対極層１２を形成する。ここで、有機機能層２０は、フレキソ印刷法、スピンコート法、インクジェット法（液滴吐出法）、スリットコート法（カーテンコート法）、ダイコート法などの塗布法により形成されたため、発光領域１１だけでなく、隔壁層８ａの上層も含めた広い領域にわたって形成されており、画素電極７ａ、有機機能層２０のうち、隔壁層８ａの開口部に形成された部分、および対極層１２によって、有機ＥＬ素子１０が形成される。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、画素電極７ａおよび隔壁層８ａを形成した状態で、コンタクトホール６ａの内部には大きな凹部が形成されているが、有機機能層２０を形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ｂですでに埋められている。従って、隔壁層８ａの厚さを２００ｎｍ以下にまで薄くして段差を小さくした場合でも、コンタクトホール６ａの底部や開口縁では隔壁層８ａにピンホールがないので、画素電極７ａと有機機能層２０とが発光領域１１以外の箇所で短絡することがないなど、実施の形態１と略同様な効果を奏する。

また、本形態では、ホール内絶縁膜８ｅが、隔壁層８ａと別工程で形成された絶縁膜であるため、ホール内絶縁膜８ｅと隔壁層８ａとを別の絶縁材料で形成することができる。すなわち、隔壁層８ａについてはＣＶＤ法により薄く形成するのに適したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリコン酸窒化膜などのシリコン系絶縁膜を用いる一方、ホール内絶縁膜８ｅについては、コンタクトホール６ａ内を埋めるのに適した液状材料、例えば、感光性樹脂や、ポリシラザンの液状物などの塗布型酸化膜を用いて形成することができる。

［実施の形態２の変形例］
図６は、本発明の実施の形態２の変形例に係る有機ＥＬ装置１００の断面図である。図７は、本発明の実施の形態２の変形例に係る有機ＥＬ装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらを図示することにして、それらの説明を省略する。

図４および図５を参照して説明した形態では、隔壁層８ａの形成工程の後にホール内絶縁膜８ｅを形成したため、コンタクトホール６ａ内において隔壁層８ａの上層にホール内絶縁膜８ｅが形成されているが、本形態では、隔壁層８ａの形成工程の前にホール内絶縁膜８ｅを形成するため、図６に示すように、ホール内絶縁膜８ｅは、コンタクトホール６ａ内において画素電極７ａと隔壁層８ａとの層間に形成されている。

すなわち、本形態では、図７（ａ）に示すように、薄膜トランジスタ形成工程、第１層間絶縁膜形成工程、ソース電極形成工程、第２層間絶縁膜形成工程、画素電極形成工程を行なった後、図７（ｂ）に示すように、ホール内絶縁膜形成工程において、スピンコート法などを用いて、画素電極７ａの上層に感光性樹脂を塗布した後、露光現像し、コンタクトホール６ａを埋めるようにホール内絶縁膜８ｅを形成する。

次に、隔壁層形成工程では、図７（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法などを用いて、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのシリコン系絶縁膜からなる隔壁層８ａを膜厚が２００ｎｍ以下になるように形成する。

次に、有機機能層形成工程では、図７（ｄ）に示すように、フレキソ印刷法、スピンコート法、インクジェット法、スリットコート法、ダイコート法などの塗布法を用いて、正孔注入層および発光層を備えた有機機能層２０を形成する。しかる後には、図６に示すように、有機機能層２０の上層に対極層１２を形成する。

このような構成を採用した場合も、実施の形態１、２と同様、画素電極７ａを形成した状態で、コンタクトホール６ａの内部には大きな凹部が形成されているが、有機機能層２０を形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ｂですでに埋められている。従って、隔壁層８ａの厚さを２００ｎｍ以下にまで薄くして段差を小さくした場合でも、コンタクトホール６ａの底部や開口縁では隔壁層８ａにピンホールがないので、画素電極７ａと有機機能層２０とが発光領域１１以外の箇所で短絡することがないなど、実施の形態２と同様な効果を奏する。

［実施の形態３］
図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ装置１００の断面図、および有機ＥＬ装置１００を形成する際、有機機能層２０を形成する前の状態を示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらを図示することにして、それらの説明を省略する。

図８（ａ）に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００も、実施の形態１と同様、基板１０ｂ上には、薄膜トランジスタ３０と、薄膜トランジスタ３０を覆う層間絶縁膜４、６、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａを介して薄膜トランジスタ３０に電気的に接続する厚さが３０〜５０ｎｍの画素電極７ａ、発光層を含む有機機能層２０、および対極層１２が基板１０ｂ上に順に形成されている。また、画素電極７ａの上層には、発光領域１１を規定するための開口部を備えた絶縁性の隔壁層８が形成されている。

隔壁層８は、厚さが２００ｎｍ以下のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる親水性の下層側隔壁層８ｈと、厚さが０．１〜３．５μｍのアクリル樹脂やポリイミド樹脂などの感光性樹脂からなる撥水性の上層側隔壁層８ｉとからなり、有機機能層２０は、隔壁層８で囲まれた領域内に選択的に形成されている。

ここで、コンタクトホール６ａは、隔壁層８と重なる発光領域１１外に形成されている。コンタクトホール６ａでは、画素電極７ａを形成した後も大きな凹部が形成されているが、本形態では、コンタクトホール６ａは、画素電極７ａの上層側に形成されたホール内絶縁膜８ｋにより埋められている。

かかるホール内絶縁膜８ｋを形成するにあたっては、スピンコート法などを用いて、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状材料を塗布した後、焼成してシリコン酸化膜を形成し、しかる後に、８（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜をパターニングして隔壁層８ｈおよびホール内絶縁膜８ｋを形成する。かかる絶縁膜形成用の液状材料として、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状物を用いることができる他、その他の塗布型の酸化膜材料を用いることができる。

このような構成の有機ＥＬ装置１００の製造方法では、実施の形態１と同様、薄膜トランジスタ形成工程、第１層間絶縁膜形成工程、ソース電極形成工程を行なった後、第２層間絶縁膜形成工程において、コンタクトホール６ａを備えた層間絶縁膜６（平坦化膜）を１．５〜２．０μｍの厚さに形成する。次に、画素電極形成工程では、基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、厚さが３０〜５０ｎｍの画素電極７ａを形成する。この状態で、コンタクトホール６ａの内部には大きな凹部が形成されている。

次に、隔壁層形成工程では、スピンコート法などを用いて、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状材料を塗布した後、焼成してシリコン酸化膜を形成し、下層側隔壁層８ｈおよびホール内絶縁膜８ｋを形成した後、下層側隔壁層８ｈの上層で感光性樹脂の塗布、露光、現像を行ない、上層側隔壁層８ｉを形成する。

なお、コンタクトホール６ａを埋めるようにホール内絶縁膜８ｋを形成した後、下層側隔壁層８ｈおよび上層側隔壁層８ｉを形成してもよい。また、下層側隔壁層８ｈを形成した後、ホール内絶縁膜８ｋを形成し、しかる後に、上層側隔壁層８ｉを形成してもよい。

いずれの場合も、感光性樹脂を露光、現像して上層側隔壁層８ｉを形成する際、コンタクトホール６ａの内部がホール内絶縁膜８ｋにより埋められているので、隔壁層８ｗを所定の形状をもって形成することができる。

次に、有機機能層形成工程では、インクジェット法を用いて、正孔注入層および発光層を備えた有機機能層２０を形成する。

［他の実施の形態］
上記形態では、半導体層としてポリシコン膜を用いた例であったが、アモルファスシリコン膜や単結晶シリコン層を用いた素子基板１０に本発明を適用してもよい。また、画素スイッチング素子として薄膜ダイオード素子（非線形素子）を用いた有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。

本発明が適用される有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の断面図である。 本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置の断面図である。 本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態２の変形例に係る有機ＥＬ装置の断面図である。 本発明の実施の形態２の変形例に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ装置の断面図、および有機ＥＬ装置を形成する際、有機機能層を形成する前の状態を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、従来の有機ＥＬ装置の断面図である。

符号の説明

６・・層間絶縁膜（感光性樹脂層／平坦化膜）、６ａ・・コンタクトホール、７ａ・・画素電極、８、８ａ・・隔壁層、８ｂ、８ｅ、８ｋ、８ｍ・・ホール内絶縁膜、８ｈ・・下層側隔壁層、８ｉ・・上層側隔壁層、１０・・有機ＥＬ素子、１２・・対極層、２０・・有機機能層、１００・・有機ＥＬ装置

Claims (14)

1. 少なくとも、トランジスタ素子と、該トランジスタ素子を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記トランジスタ素子に電気的に接続する画素電極と、発光領域を規定するための開口部を備えた絶縁性の隔壁層と、発光層を含む有機機能層と、対極層とを基板上に順に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
   前記画素電極の形成工程の後、前記有機機能層の形成工程の前に、
   前記コンタクトホール内をホール内絶縁膜により埋めておくことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスの製造方法。
2. 前記ホール内絶縁膜を形成するにあたっては、少なくとも前記コンタクトホールを埋めるように絶縁膜形成用の液状材料を塗布した後、固化させることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスの製造方法。
3. 前記ホール内絶縁膜の形成工程では、前記コンタクトホールの外側でも前記液状材料を塗布した後、固化させて、前記隔壁層の少なくとも一層と前記ホール内絶縁膜とを同時形成することを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
4. 前記隔壁層の形成工程の前あるいは後に、前記コンタクトホール内に塗布した前記液状材料を固化させて前記ホール内絶縁膜を前記隔壁層と別工程で形成することを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
5. 前記有機機能層の形成工程では、前記有機機能層を形成するための液状組成物を前記隔壁層で囲まれた領域内および前記隔壁層の表面の双方に対して塗布することを特徴とする請求項２乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
6. 前記有機機能層の形成工程では、前記有機機能層を形成するための液状組成物を前記隔壁層で囲まれた領域内に選択的に塗布することを特徴とする請求項２乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
7. 少なくとも、トランジスタ素子と、該トランジスタ素子を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記トランジスタ素子に電気的に接続する画素電極と、発光領域を規定するための開口部を備えた絶縁性の隔壁層と、発光層を含む有機機能層と、対極層とが基板上に順に形成された有機エレクトロルミネッセンス装置において、
   前記コンタクトホールは、該コンタクトホール内で前記画素電極の上層側に形成されたホール内絶縁膜により埋められていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
8. 前記ホール内絶縁膜は、少なくとも前記コンタクトホールを埋めるように塗布された絶縁膜形成用の液状材料を固化させてなることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
9. 前記ホール内絶縁膜と前記隔壁層の少なくとも一層とは、前記コンタクトホールの内部および外部に塗布した前記液状材料を固化させることにより、同時形成されてなることを特徴とする請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
10. 前記ホール内絶縁膜は、前記隔壁層とは別に、前記コンタクトホール内で、前記隔壁層の上層、あるいは前記画素電極の上層に塗布した前記液状材料を固化させてなることを特徴とする請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
11. 前記有機機能層は、前記隔壁層で囲まれた領域内および前記隔壁層の表面の双方に対して形成されていることを特徴とする請求項７乃至１０の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
12. 前記隔壁層は、厚さが２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
13. 前記有機機能層は、前記隔壁層で囲まれた領域内に選択的に形成されていることを特徴とする請求項７乃至１１の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
14. 前記層間絶縁膜は、感光性樹脂層を含んでいることを特徴とする請求項７乃至１３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。

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